JPS58100852A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS58100852A JPS58100852A JP56198557A JP19855781A JPS58100852A JP S58100852 A JPS58100852 A JP S58100852A JP 56198557 A JP56198557 A JP 56198557A JP 19855781 A JP19855781 A JP 19855781A JP S58100852 A JPS58100852 A JP S58100852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask pattern
- rays
- photomask
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は牛導体集検回Ｉ＃！装首の製造装置の一つであ
る１クジエクシ曹ンアライナに用いて好−遍なフォトマ
スクに関するものである。
る１クジエクシ曹ンアライナに用いて好−遍なフォトマ
スクに関するものである。
牛専体集Ｓ回ＩＩＩ！！！装置の製造に際しては所謂フ
オトリソダラフイエ４ｉｌが利用されており、半導体ウ
ェーへｌｔｅ１ｍＫ１１１有したフォトレジストに所定
パターン形状の露元會行なうＩＩＩ元裂首（アライナ）
が七の製造装置の一つとして働けられる。この鴇のアラ
イナには所定のパターンに形成したマスクを牛都体つェ
ーハＫＷｉ層ないし近接配置するコンタクトアライナや
マスクのパターンｔ−元学糸を利用してウエーノ・表面
に投影結偉するプロジエクシ■ンアクイナが実用化され
ているが、縮小露光によって微細パターンの露ｆｔ、が
可能なプロジエクシ曹ンアライナが比較的に多用される
。
オトリソダラフイエ４ｉｌが利用されており、半導体ウ
ェーへｌｔｅ１ｍＫ１１１有したフォトレジストに所定
パターン形状の露元會行なうＩＩＩ元裂首（アライナ）
が七の製造装置の一つとして働けられる。この鴇のアラ
イナには所定のパターンに形成したマスクを牛都体つェ
ーハＫＷｉ層ないし近接配置するコンタクトアライナや
マスクのパターンｔ−元学糸を利用してウエーノ・表面
に投影結偉するプロジエクシ■ンアクイナが実用化され
ているが、縮小露光によって微細パターンの露ｆｔ、が
可能なプロジエクシ曹ンアライナが比較的に多用される
。
ところで、このプロジェクションアライナは、フォトマ
スクの透明基板の１Ｎ面に形成したマスクパターンｔｒ
ｏｔ蕾与体面としてその像１に６工−Ｉ’ｓ面に投影す
る構成であるため、フォトマスクのマスクパターンｒＩ
ＩＶｃ異物が付着するとこの異物像４ウェーハ表山に投
影ｍ＋ｉれることにな９、フォトマスクのパターン形状
と異なるパターンがウェーハに形成されてウェーＩＳの
歩留低下を生ずるという不Ａ会が生じ易い。このためフ
ォトマスク表面ｔ１１に清浄状＠ｖｃ’＠＊する必要が
あり、作業管理が面＠ＷＣなると共ＫＪＩｋ−の付着を
確実に防止することは層かしい。
スクの透明基板の１Ｎ面に形成したマスクパターンｔｒ
ｏｔ蕾与体面としてその像１に６工−Ｉ’ｓ面に投影す
る構成であるため、フォトマスクのマスクパターンｒＩ
ＩＶｃ異物が付着するとこの異物像４ウェーハ表山に投
影ｍ＋ｉれることにな９、フォトマスクのパターン形状
と異なるパターンがウェーハに形成されてウェーＩＳの
歩留低下を生ずるという不Ａ会が生じ易い。このためフ
ォトマスク表面ｔ１１に清浄状＠ｖｃ’＠＊する必要が
あり、作業管理が面＠ＷＣなると共ＫＪＩｋ−の付着を
確実に防止することは層かしい。
このような間＠ＷＣ対し、従来では纂１１１！ｉ１体）
、（ロ）に示すフォトマスクが提案されている。卸ち、
同図（ト）のものはフォトマスク１０轟板２表面のマス
クパターン３會柵うように透明（紫外ａｔに対して）を
樹脂材４ｔ−論布したもの、普た俤）は樹脂の代りに石
英板５會密着状静和固定し７ｔ４のである。これらのフ
ォトマスクＩＫよれば、異物は樹脂材婆や石英板５０表
面に付着して４マスクパタ一ン面＃′Ｃ＃ｉ付潜するこ
とがないため、露光状−ではこれら異物ｉボケた状−と
なり前述した不具合の発生音抑止できる。
、（ロ）に示すフォトマスクが提案されている。卸ち、
同図（ト）のものはフォトマスク１０轟板２表面のマス
クパターン３會柵うように透明（紫外ａｔに対して）を
樹脂材４ｔ−論布したもの、普た俤）は樹脂の代りに石
英板５會密着状静和固定し７ｔ４のである。これらのフ
ォトマスクＩＫよれば、異物は樹脂材婆や石英板５０表
面に付着して４マスクパタ一ン面＃′Ｃ＃ｉ付潜するこ
とがないため、露光状−ではこれら異物ｉボケた状−と
なり前述した不具合の発生音抑止できる。
しかしながら、同図（Ａｌのもので＃ｉ樹脂材４の表面
會平坦に形成することが―かしく、表面にうねり、凹凸
が生じていると光の異状屈折等を生じてマスクパターン
像に歪（変形）音生じるという間聰がおる。また、（均
のものでは基板２と石英板６との対向間やマスクパター
ン３と石英板５との密層不十分ｍＷｒにおいて党の干渉
か生じ、干渉縞勢の不要パターンが露光されてしまう勢
の間聴もある。
會平坦に形成することが―かしく、表面にうねり、凹凸
が生じていると光の異状屈折等を生じてマスクパターン
像に歪（変形）音生じるという間聰がおる。また、（均
のものでは基板２と石英板６との対向間やマスクパター
ン３と石英板５との密層不十分ｍＷｒにおいて党の干渉
か生じ、干渉縞勢の不要パターンが露光されてしまう勢
の間聴もある。
し次がって本発明の目的はフォトマスクのマスクパター
ンの上−九適宜の空ｓｒおいて石英等の昧−板に堆増し
、かつフォトマスク基板とこの保護板との間の空間を気
密に封止することにより、異物が付着してもウェー・１
上に異物の投影を行なうことがなくかつ一万：ｒ＠はマ
スクパターンの歪や不要な元パターンの発生等を防止し
て良好な−（ターン儂の露ｆｔ七行なうことができるフ
ォトマスクＶｔｌ！供することにある。
ンの上−九適宜の空ｓｒおいて石英等の昧−板に堆増し
、かつフォトマスク基板とこの保護板との間の空間を気
密に封止することにより、異物が付着してもウェー・１
上に異物の投影を行なうことがなくかつ一万：ｒ＠はマ
スクパターンの歪や不要な元パターンの発生等を防止し
て良好な−（ターン儂の露ｆｔ七行なうことができるフ
ォトマスクＶｔｌ！供することにある。
以下、本発明を図示の実施ガにより観明する。
第２図は本発明のフォトマスク１０を示し、石英勢の紫
外Ｈを透過する透明基板１１のＪｔ７ｃｌｆ１にはクロ
ム等の紫外−を透過しない金属１１績を蒸着により形成
し、その後フォトレジスト、レチクルパターンの露元、
エツチングによって金ｌｌＩ４薄績を所定の形状（パタ
ーンと同一形状）Ｋ形成してマスクパターン１２ｔ−形
成している。また、繭記透明基板１１０表面、崗辺部に
は、前記マスクパターン１２と干渉しないように枠１３
をｍ−し、良にこの枠１３に周辺部を支持されるよう！
ＩＣ保線板目 ゛を取着している。この保護板
１４は石英、サファイア、ガラス等の紫外−や遠紫外−
【吸収せず（透過する）しかも多少の外力によっても変
形ないし破損されることのない材質にて構成している。
外Ｈを透過する透明基板１１のＪｔ７ｃｌｆ１にはクロ
ム等の紫外−を透過しない金属１１績を蒸着により形成
し、その後フォトレジスト、レチクルパターンの露元、
エツチングによって金ｌｌＩ４薄績を所定の形状（パタ
ーンと同一形状）Ｋ形成してマスクパターン１２ｔ−形
成している。また、繭記透明基板１１０表面、崗辺部に
は、前記マスクパターン１２と干渉しないように枠１３
をｍ−し、良にこの枠１３に周辺部を支持されるよう！
ＩＣ保線板目 ゛を取着している。この保護板
１４は石英、サファイア、ガラス等の紫外−や遠紫外−
【吸収せず（透過する）しかも多少の外力によっても変
形ないし破損されることのない材質にて構成している。
また、・この保−板１４と前記基板表面１１との間には
帥記枠１ＢＫよって適宜寸法の空１１１１５ｔ−形成し
、かつこの空＊ｔ−含む空間を枠１４によって外部と気
密に封止している。−に、前記保護板１４の外向位璽は
前記マスクパターンＬ２ｔ−ウェー／１表ｄＩｉＫ麹元
する光学系の蕾写界深度よｐも大きな寸法だけ−すよう
に構成し、マスクパターン１２を投影細儂しても保−板
１４の外面はウェー／Ｓ表向に嗣像しないよう罠なって
いる。
帥記枠１ＢＫよって適宜寸法の空１１１１５ｔ−形成し
、かつこの空＊ｔ−含む空間を枠１４によって外部と気
密に封止している。−に、前記保護板１４の外向位璽は
前記マスクパターンＬ２ｔ−ウェー／１表ｄＩｉＫ麹元
する光学系の蕾写界深度よｐも大きな寸法だけ−すよう
に構成し、マスクパターン１２を投影細儂しても保−板
１４の外面はウェー／Ｓ表向に嗣像しないよう罠なって
いる。
以上の構成のフォトマスクによれは、基板上に医−板１
４に取増したことにより、マスクＩ（ターフ１２［ｋｌ
は外部と隔絶され、異物がこの−に付着することは全く
ない。ｔｆｅ、異物がフォトマスク１０に付着してもこ
の異物は保−板１番の外向に何増することになる。した
かって、異物が付着し７を１箇・でウェーノー上に露ｆ
ｔ、′に行なっても、＾吻は傾写＊＃度外にあるためウ
ェー７１上に細儂されることはなくマスクバター７像の
み七軸書することかできる。’ｔ７ｔ％保験板１４によ
ってマスクＩ（ターフ１２は外部と隔絶されているため
、マスクパターンが外力によって損傷ないし破損される
ことはなく、シか賜フォトーｔスク全体を洗浄槽内に入
れて洗浄することもでき、この場＆にもマスクパターン
１２に損傷することはない。なお、保Ｓ板！４は外面が
マスクパターンから充分に距−が港れていること、また
その内部材質を光字的に均質に形成することが容易であ
るため、光の乱屈折尋を生ずることもない。
４に取増したことにより、マスクＩ（ターフ１２［ｋｌ
は外部と隔絶され、異物がこの−に付着することは全く
ない。ｔｆｅ、異物がフォトマスク１０に付着してもこ
の異物は保−板１番の外向に何増することになる。した
かって、異物が付着し７を１箇・でウェーノー上に露ｆ
ｔ、′に行なっても、＾吻は傾写＊＃度外にあるためウ
ェー７１上に細儂されることはなくマスクバター７像の
み七軸書することかできる。’ｔ７ｔ％保験板１４によ
ってマスクＩ（ターフ１２は外部と隔絶されているため
、マスクパターンが外力によって損傷ないし破損される
ことはなく、シか賜フォトーｔスク全体を洗浄槽内に入
れて洗浄することもでき、この場＆にもマスクパターン
１２に損傷することはない。なお、保Ｓ板！４は外面が
マスクパターンから充分に距−が港れていること、また
その内部材質を光字的に均質に形成することが容易であ
るため、光の乱屈折尋を生ずることもない。
ＷＸａ図は本発明の他の実施−のフォトマスク１０ムを
示す。この飼では保−板１４ムを厚内の板状部材にて形
成し、七Ｏ内ｍｔ方形に削減して凹部１６１ｉ形成する
ことにより基４１１１との間に気密の空間１５１ｉ形成
したものでるる。この！ｉｌ！Ｊｌｉガによれば保−板
・１４Ａの形成が若干ｔｈ例になるが前ガにおける枠１
３が不要となり、部品点数の低諷と組付工数の簡易化を
達成する。
示す。この飼では保−板１４ムを厚内の板状部材にて形
成し、七Ｏ内ｍｔ方形に削減して凹部１６１ｉ形成する
ことにより基４１１１との間に気密の空間１５１ｉ形成
したものでるる。この！ｉｌ！Ｊｌｉガによれば保−板
・１４Ａの形成が若干ｔｈ例になるが前ガにおける枠１
３が不要となり、部品点数の低諷と組付工数の簡易化を
達成する。
本９１ＫＴｏって１、フォトマスクＶｃＸＷか何着した
場会でも良好なｌ１ｙｔｔ−行ない祷ることｒｉ勿論で
るる。
場会でも良好なｌ１ｙｔｔ−行ない祷ることｒｉ勿論で
るる。
以上のように本発明のフォトマスクによればフォト−實
スクのマスクパターンＩＤ上＠ＶＣマスクパター７を柵
うように保護板を適宜の空隙をもって取潜すると共に１
この空隙管含む空間を気密に封止しているので、フォト
マスクに異物が付着した場合でも正確かつ高稍［Ｋパタ
ーンの露元會行なうことができる一万、像の歪等奮発生
させることもない郷の効果を奏する。
スクのマスクパターンＩＤ上＠ＶＣマスクパター７を柵
うように保護板を適宜の空隙をもって取潜すると共に１
この空隙管含む空間を気密に封止しているので、フォト
マスクに異物が付着した場合でも正確かつ高稍［Ｋパタ
ーンの露元會行なうことができる一万、像の歪等奮発生
させることもない郷の効果を奏する。
第１図（勾、■）は従来のフォトマスクの夫々異なる例
の＃面図、１１２１６は本発明のフォトマスクのｍｌ１
図、第３図は他の冥施例の断面図である。 １０ 、１０ム・・・フォトマスタ、１１・・・基板、
１２・・・マスクパターン、１３・・・枠、１４．１４
ム・・・保護板、１５・・・空間、１６・・・凹部。 第 ２ 図 第 ３ 図 ４９７−
の＃面図、１１２１６は本発明のフォトマスクのｍｌ１
図、第３図は他の冥施例の断面図である。 １０ 、１０ム・・・フォトマスタ、１１・・・基板、
１２・・・マスクパターン、１３・・・枠、１４．１４
ム・・・保護板、１５・・・空間、１６・・・凹部。 第 ２ 図 第 ３ 図 ４９７−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明基板の一表面にマスクパターン管形成してなる
フォトマスクにおいて、前記マスクパターンの上１１１
にこのマスクパターンを覆うように石英等の＃Ｍ−飯【
適宜の空ｌｌｌ！會もって散着すると共に、繭重基板と
保麟板との間に構成される空間！気密に刺止したことｔ
−Ｓ黴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198557A JPS58100852A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198557A JPS58100852A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100852A true JPS58100852A (ja) | 1983-06-15 |
Family
ID=16393156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198557A Pending JPS58100852A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100852A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6257260U (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-09 | ||
| JPS62288842A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-15 | Tosoh Corp | フオトマスク，レチクルの保護防塵体 |
| US4833051A (en) * | 1984-08-20 | 1989-05-23 | Nippon Kogaku K.K. | Protective device for photographic masks |
| JPH08160597A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-06-21 | Watanabe Shoko:Kk | ペリクル及びレチクル |
| US6841317B2 (en) | 2002-08-27 | 2005-01-11 | Micro Lithography, Inc. | Vent for an optical pellicle system |
| JP2005316492A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | モノリシック・ハード・ペリクル |
| CN106206265A (zh) * | 2015-05-28 | 2016-12-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体装置及其形成方法 |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP56198557A patent/JPS58100852A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4833051A (en) * | 1984-08-20 | 1989-05-23 | Nippon Kogaku K.K. | Protective device for photographic masks |
| JPS6257260U (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-09 | ||
| JPS62288842A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-15 | Tosoh Corp | フオトマスク，レチクルの保護防塵体 |
| JPH08160597A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-06-21 | Watanabe Shoko:Kk | ペリクル及びレチクル |
| US6841317B2 (en) | 2002-08-27 | 2005-01-11 | Micro Lithography, Inc. | Vent for an optical pellicle system |
| JP2005316492A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | モノリシック・ハード・ペリクル |
| CN106206265A (zh) * | 2015-05-28 | 2016-12-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体装置及其形成方法 |
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