JPS58140119A - コンタクト露光装置 - Google Patents
コンタクト露光装置Info
- Publication number
- JPS58140119A JPS58140119A JP57023310A JP2331082A JPS58140119A JP S58140119 A JPS58140119 A JP S58140119A JP 57023310 A JP57023310 A JP 57023310A JP 2331082 A JP2331082 A JP 2331082A JP S58140119 A JPS58140119 A JP S58140119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- mask
- copy
- master
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置製造に用いるホトマスクの作製装置
に関する。
に関する。
コンタクト露光による；ビー用のホトマスク（コピーマ
スク）のホトレジストパターンの形成には、１１光膜を
基板上に設けたコピー用基板のレジスト塗布面にマスタ
ーのホトマスク（マスターマスク）を密着させて露光を
行う◎ ここで用いられるホトマスクは１通常ガラス基板表面に
マスクパターンとなる金属膜！えは酸化膜（例えばクロ
ム膜ｉたは酸化り四ム膜等）のパターンを設は九ハード
！スクである。
スク）のホトレジストパターンの形成には、１１光膜を
基板上に設けたコピー用基板のレジスト塗布面にマスタ
ーのホトマスク（マスターマスク）を密着させて露光を
行う◎ ここで用いられるホトマスクは１通常ガラス基板表面に
マスクパターンとなる金属膜！えは酸化膜（例えばクロ
ム膜ｉたは酸化り四ム膜等）のパターンを設は九ハード
！スクである。
マスターマスクとコピー用基板のレジスト層との密着が
不要だとマスクパターン端部からの光の回〕込みによっ
て露光精度が低下するので、露光時Ｋｔｉマスターマス
クのパターン面をコピー用基板に強く密着させて露光を
行っている。
不要だとマスクパターン端部からの光の回〕込みによっ
て露光精度が低下するので、露光時Ｋｔｉマスターマス
クのパターン面をコピー用基板に強く密着させて露光を
行っている。
しかし、露光完了後には過密着のためコピー用基板とマ
スターマスクの引刺しが困難になっているが、この両者
に急激な外力を加えていたためマスターマスクの損傷が
生ずる。ｔｅは露光したコピー用基板のレジスト層の部
分的剥離によシ、ハターン不＆が生ずると云う欠点があ
った。
スターマスクの引刺しが困難になっているが、この両者
に急激な外力を加えていたためマスターマスクの損傷が
生ずる。ｔｅは露光したコピー用基板のレジスト層の部
分的剥離によシ、ハターン不＆が生ずると云う欠点があ
った。
本発明は上述の点に鑑みなされ念もので、コンタクト露
光によるレジストパターンの形成装置において、主面Ｋ
Ｙスクパターンを有するホトマスクとレジスト層を有す
る基板とを正面同志対向保持し減圧にするメインチャン
バと、該ホトマスクの裏面を減圧にするマスタチャンバ
と、該基板の裏面を減圧にするコピーチャンバと、該メ
インチャンバ並びにマスタチャンバ、を次はコピーチャ
ンバを減圧にする排気系とを設け、該メインチャンバと
排気系との間に第１のガス切替パルプと。
光によるレジストパターンの形成装置において、主面Ｋ
Ｙスクパターンを有するホトマスクとレジスト層を有す
る基板とを正面同志対向保持し減圧にするメインチャン
バと、該ホトマスクの裏面を減圧にするマスタチャンバ
と、該基板の裏面を減圧にするコピーチャンバと、該メ
インチャンバ並びにマスタチャンバ、を次はコピーチャ
ンバを減圧にする排気系とを設け、該メインチャンバと
排気系との間に第１のガス切替パルプと。
該マスタチャンバｔＣはコピーチャンバと排気系との閲
に少くとも１つのガス切替パルプと、メインチャンバと
マスタチャンバもしくは；ビーチャンバとの間に圧力差
を生ぜしめるリーク用パルプとを有することを特徴とす
るコンタクト露光装置を提供するものである。
に少くとも１つのガス切替パルプと、メインチャンバと
マスタチャンバもしくは；ビーチャンバとの間に圧力差
を生ぜしめるリーク用パルプとを有することを特徴とす
るコンタクト露光装置を提供するものである。
即ち、本発明はホトマスクでレジスト層を有する基板を
コンタクト露光後、密着していた７オトマス と基板の
分離を無理なく行うように子るものである。
コンタクト露光後、密着していた７オトマス と基板の
分離を無理なく行うように子るものである。
以下１本発明の実施例をマスターマスクからコピーマス
クを形成する場合について図を参照して詳ＪｉｌｌＫ説
明する。
クを形成する場合について図を参照して詳ＪｉｌｌＫ説
明する。
９１図は本発明の；ンタクト露光装置の概略図テする０
図におりてマスターマスク１とコピーマスクｚはマスタ
ーマスクｌのマスクパターン面とコピーマスク２のレジ
スト塗布面とを対向させてメインチャンバ８のリング状
のホルダ部４に保持される。
図におりてマスターマスク１とコピーマスクｚはマスタ
ーマスクｌのマスクパターン面とコピーマスク２のレジ
スト塗布面とを対向させてメインチャンバ８のリング状
のホルダ部４に保持される。
マスターマスク１の裏面側は露光用レンズ６が取付けら
れたマスターチャンバの１つの壁を形成する０マタコピ
ーマスク急の裏面側はコピーチャンバ７の１つの壁を形
成する。マスターマスクｌのマスクパターン面トコピー
マスク３のレジスト塗布面はメインチャンバ３を減圧忙
することにより密着保持される。
れたマスターチャンバの１つの壁を形成する０マタコピ
ーマスク急の裏面側はコピーチャンバ７の１つの壁を形
成する。マスターマスクｌのマスクパターン面トコピー
マスク３のレジスト塗布面はメインチャンバ３を減圧忙
することにより密着保持される。
メインチャンバ８、マスターチャンバ５．コピーチャン
バ７は各々ガスライン８，９．１０から排気系１１で減
圧にされる０ メインチャンバ丁と排気系１１の閲にはガス切替パルプ
ｖ８が設けられ、マスターチャンバ６と排気系１１の関
にはガス切替パルプＶ、が、コピーチャンバ７と排気系
１１０閣にはガス切替パルプＶ□が設けられる。
バ７は各々ガスライン８，９．１０から排気系１１で減
圧にされる０ メインチャンバ丁と排気系１１の閲にはガス切替パルプ
ｖ８が設けられ、マスターチャンバ６と排気系１１の関
にはガス切替パルプＶ、が、コピーチャンバ７と排気系
１１０閣にはガス切替パルプＶ□が設けられる。
マ几ガス切替パルプｖｌとＶ、とは２又のガスツイン１
５に接続し、ガスライン１Ｂと排気系１１との関には差
圧設定用ガス切替パルプＶ ４ ＋ Ｖ ＠が設けられ
ている。なおＰ、はメインチャンバの圧力計、Ｐｌはコ
ピーチャンバの圧力針である。
５に接続し、ガスライン１Ｂと排気系１１との関には差
圧設定用ガス切替パルプＶ ４ ＋ Ｖ ＠が設けられ
ている。なおＰ、はメインチャンバの圧力計、Ｐｌはコ
ピーチャンバの圧力針である。
第１図のコンタクト露光装置の動作を表に示す。
ガス切替パルプ 動作 圧力針 工 程上記各工糧
でのガスライン系を第２図に示す◇第２図（−はコンタ
クト工程、 第２図（ｂ）は露光工程。
でのガスライン系を第２図に示す◇第２図（−はコンタ
クト工程、 第２図（ｂ）は露光工程。
第２図１ｄはリーク工程のガスラインを示す。
即ち、第Ｓ図（ｍｌではメインデャンバー、マスターチ
ャンバーコピーチャンバ共に排気され約１１ｔｘ Ｈｇ
／ｌｘ ”の等しい圧力となる＠第３図（ｌではリー
ク用パル六、がオンとなるため、二一ルドバルブＮＶ４
＊ ＮＶ ＠を介してガスがリークされマスターチャ
ンバ、コピーチャンバは約１４〜＠＠ｔｘＨｇ、Ｖａｍ
”の圧力となプ、一方メインチャンバはそれｌりも低い
圧力となシ、マスターマスクｌとコピー用基板３とは密
着保持される。
ャンバーコピーチャンバ共に排気され約１１ｔｘ Ｈｇ
／ｌｘ ”の等しい圧力となる＠第３図（ｌではリー
ク用パル六、がオンとなるため、二一ルドバルブＮＶ４
＊ ＮＶ ＠を介してガスがリークされマスターチャ
ンバ、コピーチャンバは約１４〜＠＠ｔｘＨｇ、Ｖａｍ
”の圧力となプ、一方メインチャンバはそれｌりも低い
圧力となシ、マスターマスクｌとコピー用基板３とは密
着保持される。
また第８図（ｃ）ではＶ１ｍＶＢｅＶ＠＊Ｖ４がオフと
なりメインチャンバは二−ルドバルプＮＶ、を介して、
マスターチャンバとコピーチャンバとは二−ルドバル２
ＮＶ工を介して徐々にリークされる。なお。
なりメインチャンバは二−ルドバルプＮＶ、を介して、
マスターチャンバとコピーチャンバとは二−ルドバル２
ＮＶ工を介して徐々にリークされる。なお。
この際ＮＶｌ・ＮＶ、を調節して常にメインチャンバの
圧力Ｐｓがマスグチャンパーコビーチャンパの圧力Ｐｌ
ｊシも低くなるよう゛にリークさせることが必要である
◎ このようにすることによシマスターマスクのマスク面と
コピー用基板のレジスト面に急激な外力が加わらず、無
理に引はがすことがなく、マスク−マスクの長寿命化と
コピーマスクの欠陥発生を低減できる。
圧力Ｐｓがマスグチャンパーコビーチャンパの圧力Ｐｌ
ｊシも低くなるよう゛にリークさせることが必要である
◎ このようにすることによシマスターマスクのマスク面と
コピー用基板のレジスト面に急激な外力が加わらず、無
理に引はがすことがなく、マスク−マスクの長寿命化と
コピーマスクの欠陥発生を低減できる。
なお、上記実施例では多数のガス切替パルプを用い次場
合について説明したが、本発明の目的であるメインチャ
ンバとマスタチャンバ、コピーチャンバとの関に圧力差
を設け％１にメインチャンバの圧力ヲ！スタチャンパ参
コピーチャンバの圧力よシも低くすることができさえす
れば、ガスフィン系を単純化することができる０第８図
はその一実施例である。
合について説明したが、本発明の目的であるメインチャ
ンバとマスタチャンバ、コピーチャンバとの関に圧力差
を設け％１にメインチャンバの圧力ヲ！スタチャンパ参
コピーチャンバの圧力よシも低くすることができさえす
れば、ガスフィン系を単純化することができる０第８図
はその一実施例である。
本発ＦＩＡＫヨればコピーチャンバとマスターチャンバ
を同じ圧力で減圧することができ、マスターマスクとコ
ピー用基板の圧力差による九わみに工ルマさつも生じな
いので、マスターマスクのマスクパターンの長寿命化に
有利である０
を同じ圧力で減圧することができ、マスターマスクとコ
ピー用基板の圧力差による九わみに工ルマさつも生じな
いので、マスターマスクのマスクパターンの長寿命化に
有利である０
第１図は本発明のコンタクト露光装置ｔ示す図、第２図
は本発明の装置の動作を説明する図、第８図は本発明の
他の実施例を示す図である。 １ ・−・−・−マスターマスク％！ ・−−−・−コ
ピーマスク。 ８−−−・メインチャンバ、５−一マスタチャンパ、６
−−−−露光用レンズ、？ −−−、コピーチャンバ、
■１〜Ｖ、、、、、、ガス切替パルプ 躬 １ 図 （０−）（ｂ） ８２ 図 （Ｃ） 第 ３ ロ
は本発明の装置の動作を説明する図、第８図は本発明の
他の実施例を示す図である。 １ ・−・−・−マスターマスク％！ ・−−−・−コ
ピーマスク。 ８−−−・メインチャンバ、５−一マスタチャンパ、６
−−−−露光用レンズ、？ −−−、コピーチャンバ、
■１〜Ｖ、、、、、、ガス切替パルプ 躬 １ 図 （０−）（ｂ） ８２ 図 （Ｃ） 第 ３ ロ
Claims (1)
- 主面にマスクパターンを有するホトマスクとレジスト層
を有する基板とを正面同志対向保持し、威圧にするメイ
ンチャンバと、該ホトマスクの裏面を減圧にするマスタ
チャンバと、咳基板の裏面を減圧にするコピーチャンバ
と、該メインチャンバ並ヒにマスタチャンバ、マたはコ
ピーチャンバを減圧和する排気系とを設け、蚊メインチ
ャンバと排気系との閾に＊１のガス切替パルプ系、該マ
スタチャンバｔたけコピーチャンバと排気系との間に少
くとも１つのｇｓのガス切替パルプ系訃よびメインチャ
ンバとマスタチャンバもしくはコピーチャンバとの閾に
圧力差を生せしめる第３のガスパルプ系を設けたことを
特徴とするコンタクト露光ｔｃ會＠
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023310A JPS58140119A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | コンタクト露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023310A JPS58140119A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | コンタクト露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58140119A true JPS58140119A (ja) | 1983-08-19 |
Family
ID=12107012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57023310A Pending JPS58140119A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | コンタクト露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58140119A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6048706U (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | 株式会社 東進企画 | 薄板利用靴整型具 |
| JPS60189745A (ja) * | 1984-03-10 | 1985-09-27 | Canon Inc | 密着露光方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55126246A (en) * | 1979-03-22 | 1980-09-29 | Fujitsu Ltd | Contact printer for mask manufacture |
-
1982
- 1982-02-16 JP JP57023310A patent/JPS58140119A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55126246A (en) * | 1979-03-22 | 1980-09-29 | Fujitsu Ltd | Contact printer for mask manufacture |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6048706U (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | 株式会社 東進企画 | 薄板利用靴整型具 |
| JPS60189745A (ja) * | 1984-03-10 | 1985-09-27 | Canon Inc | 密着露光方法 |
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