JPH06138641A - パターン転写装置 - Google Patents
パターン転写装置Info
- Publication number
- JPH06138641A JPH06138641A JP28723192A JP28723192A JPH06138641A JP H06138641 A JPH06138641 A JP H06138641A JP 28723192 A JP28723192 A JP 28723192A JP 28723192 A JP28723192 A JP 28723192A JP H06138641 A JPH06138641 A JP H06138641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- master mask
- oil
- optical axis
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】コピーマスクを複製するパターン転写装置にお
いて、真空圧で密着保持されるマスターマスク4とガラ
ス基板41の光軸に対する傾き調整を密着状態でより迅
速にかつ容易に実施出来るとともに従来装置で生じてい
た調節ねじによる保持板の損傷を無くす。 【構成】保持板2の各辺における部位を押圧する複数本
の油圧シリンダ3と、これら油圧シリンダ3の油圧を変
える油圧制御弁7と、油の流れを切換える切換弁8と、
油を圧送する油圧源と、真空圧で密着保持されるマスタ
ーマスク44及びガラス基板41の光軸に対する真交度
を測定する平坦測定器5と、保持板1,2と平坦度測定
器5を同一水準に載置する基台4とを設け、真空圧でマ
スターマスク44とガラス基板41を真空圧力で密着し
た状態で、各油圧シリンダ3の油圧を調整し、マスター
マスク44とガラス基板41の光軸に対する傾きを修正
し、光軸と転写面の直交度を設定してから露光光を投射
してガラス基板41にマスターマスク44のパターンを
転写する。
いて、真空圧で密着保持されるマスターマスク4とガラ
ス基板41の光軸に対する傾き調整を密着状態でより迅
速にかつ容易に実施出来るとともに従来装置で生じてい
た調節ねじによる保持板の損傷を無くす。 【構成】保持板2の各辺における部位を押圧する複数本
の油圧シリンダ3と、これら油圧シリンダ3の油圧を変
える油圧制御弁7と、油の流れを切換える切換弁8と、
油を圧送する油圧源と、真空圧で密着保持されるマスタ
ーマスク44及びガラス基板41の光軸に対する真交度
を測定する平坦測定器5と、保持板1,2と平坦度測定
器5を同一水準に載置する基台4とを設け、真空圧でマ
スターマスク44とガラス基板41を真空圧力で密着し
た状態で、各油圧シリンダ3の油圧を調整し、マスター
マスク44とガラス基板41の光軸に対する傾きを修正
し、光軸と転写面の直交度を設定してから露光光を投射
してガラス基板41にマスターマスク44のパターンを
転写する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の写真
蝕刻工程に用いられるフォトマスクを複製する一括転写
用のパターン転写装置に関する。
蝕刻工程に用いられるフォトマスクを複製する一括転写
用のパターン転写装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路の写真蝕刻工程中に用い
られるフォトマスクは、使用回数によってパターンが損
傷するので、マスタマスクにより複数のコピーマスクを
複写し、これら複数のコピーマスクを使用して露光装置
で半導体基板にパターンを転写していた。このコピーマ
スクを転写するのにパターン転写装置が用いられてい
た。このパターン転写装置は、マスタマスクとその画像
を露光により転写するコピー基板との間を密着させ、一
方向から光を投射し転写するものであった。また、この
パターン転写装置はコンタクトプリンタと呼ばれてい
た。
られるフォトマスクは、使用回数によってパターンが損
傷するので、マスタマスクにより複数のコピーマスクを
複写し、これら複数のコピーマスクを使用して露光装置
で半導体基板にパターンを転写していた。このコピーマ
スクを転写するのにパターン転写装置が用いられてい
た。このパターン転写装置は、マスタマスクとその画像
を露光により転写するコピー基板との間を密着させ、一
方向から光を投射し転写するものであった。また、この
パターン転写装置はコンタクトプリンタと呼ばれてい
た。
【0003】図2(a)〜(f)はコピーマスクを複製
する工程の一例を説明するためのマスターマスクとガラ
ス基板を工程順に示す断面図である。次にコピーマスク
を製作する過程について説明する。まず、図2(a)に
示すように、ガラス基板41(例えば石英又はソーダラ
イムガラス)の上に80〜120nmの厚さにクロム膜
42を蒸着し、洗浄する。次に、図2(b)に示すよう
に、クロム膜42上にレジストを400〜600nmの
厚さに塗布してレジスト43を形成し、しかる後プリベ
ークを行う。次に、図2(c)に示すように、コンタク
トプリンターを使いマスターマスク44をガラス基板4
1の上に覆い、紫外線を投射し、パターンをガラス基板
41に転写する。次に、ガラス基板41を現像装置の回
転台に載置し、100〜400r.p.mで回転させな
がら現像液をスプレー状に吹きかけ不要部のレジストを
溶解徐をして、図2(d)に示すように、レジストパタ
ーン43aを形成する。そしてクロム膜42とレジスト
パターン43aの密着を強化するためポストベークを行
った後、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を主
成分とするエッチング液に浸漬し、図2(e)に示すよ
うに、レジストが除去された部分のクロム膜42をエッ
チング除去する。最後に、図2(f)に示すようにレジ
ストパターン43aを剥離液にて除去し、パターン42
aをもつフォトマスクが完成する。
する工程の一例を説明するためのマスターマスクとガラ
ス基板を工程順に示す断面図である。次にコピーマスク
を製作する過程について説明する。まず、図2(a)に
示すように、ガラス基板41(例えば石英又はソーダラ
イムガラス)の上に80〜120nmの厚さにクロム膜
42を蒸着し、洗浄する。次に、図2(b)に示すよう
に、クロム膜42上にレジストを400〜600nmの
厚さに塗布してレジスト43を形成し、しかる後プリベ
ークを行う。次に、図2(c)に示すように、コンタク
トプリンターを使いマスターマスク44をガラス基板4
1の上に覆い、紫外線を投射し、パターンをガラス基板
41に転写する。次に、ガラス基板41を現像装置の回
転台に載置し、100〜400r.p.mで回転させな
がら現像液をスプレー状に吹きかけ不要部のレジストを
溶解徐をして、図2(d)に示すように、レジストパタ
ーン43aを形成する。そしてクロム膜42とレジスト
パターン43aの密着を強化するためポストベークを行
った後、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を主
成分とするエッチング液に浸漬し、図2(e)に示すよ
うに、レジストが除去された部分のクロム膜42をエッ
チング除去する。最後に、図2(f)に示すようにレジ
ストパターン43aを剥離液にて除去し、パターン42
aをもつフォトマスクが完成する。
【0004】図3(a)及び(b)は従来のパターン転
写装置の一例を示す断面図及び部分平面図である。上述
したマスクの複製工程で使用するパターン転写装置は、
図3に示すように、ガラス基板41とマスターマスク4
4と密着させてパッキング5を介して気密に保持する2
枚の保持板1a,2aで構成されており、投射光に対し
マスターマスク44及びガラス基板41の転写面が垂直
になるように調節ねじ11が設けられている。
写装置の一例を示す断面図及び部分平面図である。上述
したマスクの複製工程で使用するパターン転写装置は、
図3に示すように、ガラス基板41とマスターマスク4
4と密着させてパッキング5を介して気密に保持する2
枚の保持板1a,2aで構成されており、投射光に対し
マスターマスク44及びガラス基板41の転写面が垂直
になるように調節ねじ11が設けられている。
【0005】また、この調節ねじ11は保持板1aの各
辺に複数本にねじ込まれ、その先端は保持板2aの面に
当てられ、パッキング12のつぶし代の許容範囲内で調
節ねじ11を突出させ、マスターマスク44とガラス基
板41の傾むきを調節していた。
辺に複数本にねじ込まれ、その先端は保持板2aの面に
当てられ、パッキング12のつぶし代の許容範囲内で調
節ねじ11を突出させ、マスターマスク44とガラス基
板41の傾むきを調節していた。
【0006】次に、このパターン転写装置によるマスク
の複製手順を説明する。まず、マスターマスク44とガ
ラス基板41とを密着させた状態で保持板1a及び2a
で挟み保持する。次に、調節ねじ11の保持板1aより
突出する量を調節し、投射光に対して面が直角になる設
定する。次に、排気管6より図示していない真空排気装
置で真空排気し、マスターマスク44とガラス基板41
とをより密着させる。そして、投射光を投射しマスター
マスク44のパターンをガラス基板41に転写する。
の複製手順を説明する。まず、マスターマスク44とガ
ラス基板41とを密着させた状態で保持板1a及び2a
で挟み保持する。次に、調節ねじ11の保持板1aより
突出する量を調節し、投射光に対して面が直角になる設
定する。次に、排気管6より図示していない真空排気装
置で真空排気し、マスターマスク44とガラス基板41
とをより密着させる。そして、投射光を投射しマスター
マスク44のパターンをガラス基板41に転写する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のパターン転写装置では、真空排気後では真空圧のた
めに調節ねじを突出させて傾きを調整することが困難で
あり、真空排気する前に調節ねじを突出させ、予め調整
してから真空排気し露光転写していた。このため真空排
気により真空圧で傾きが微妙に変化し、しばしばパター
ンの転写ずれを起していた。この場合は、再度調節ねじ
の突出量を調整し転写し転写ずれが無くなるまで繰返し
て行なわれていた。このことは部材の損失だけではなく
多大の工数を浪費するという問題があった。また、この
調節ねじの突出量の調節を繰返している内に、ねじ山の
つぶれやねじの先端による凹みを保持板に生じ、保持板
の寿命を短くするといった欠点もある。
来のパターン転写装置では、真空排気後では真空圧のた
めに調節ねじを突出させて傾きを調整することが困難で
あり、真空排気する前に調節ねじを突出させ、予め調整
してから真空排気し露光転写していた。このため真空排
気により真空圧で傾きが微妙に変化し、しばしばパター
ンの転写ずれを起していた。この場合は、再度調節ねじ
の突出量を調整し転写し転写ずれが無くなるまで繰返し
て行なわれていた。このことは部材の損失だけではなく
多大の工数を浪費するという問題があった。また、この
調節ねじの突出量の調節を繰返している内に、ねじ山の
つぶれやねじの先端による凹みを保持板に生じ、保持板
の寿命を短くするといった欠点もある。
【0008】本発明の目的は、投射光の光軸に対して直
交度調整を真空圧で密着状態でも行え得るとともにより
迅速により簡単に調整出来、転写パターンずれを起さな
いパターン転写装置を提供することである。
交度調整を真空圧で密着状態でも行え得るとともにより
迅速により簡単に調整出来、転写パターンずれを起さな
いパターン転写装置を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン転写装
置は、パターンが形成される原板と転写される基板とを
パッキングを介して気密に密着させる二枚の保持板と、
これら原板と基板との間を真空排気して密着させる真空
排気装置と、前記保持板のいずれかの保持板の所定の位
置に取付けられるとともにピストンの先端で残りの前記
保持板の面を押す複数本の油圧シリンダと、この油圧シ
リンダに油を圧送するとともに油圧を可変出来る油圧装
置を備えている。
置は、パターンが形成される原板と転写される基板とを
パッキングを介して気密に密着させる二枚の保持板と、
これら原板と基板との間を真空排気して密着させる真空
排気装置と、前記保持板のいずれかの保持板の所定の位
置に取付けられるとともにピストンの先端で残りの前記
保持板の面を押す複数本の油圧シリンダと、この油圧シ
リンダに油を圧送するとともに油圧を可変出来る油圧装
置を備えている。
【0010】
【実施例】次に、本発明について図面を用いて説明す
る。
る。
【0011】図1は、本発明によるパターン転写装置の
一実施例を示す部分破断図である。このパターン転写装
置は、図1に示すように、保持板2を押しマスターマス
ク44及びガラス基板の傾斜度を調整する油圧シリンダ
3と、油圧シリンダ3の押圧力を変える油圧制御弁7
と、油圧シリンダ3のポートを切換える切換弁8と、油
圧シリンダ3に油を圧送する油圧源9と、保持板1及び
2の基準面を載置する基台4と、この基台に載置される
とともに疑似光を投射しマスタマスクの平坦度と測定す
る平坦度測定器5を設けたことである。また、この平坦
度測定器5はレーザ光の干渉縞を利用したもので公知の
ものである。油圧シリンダ3の圧力を調整する油圧制御
弁の油圧分割能は一平方センチメートル当り0.1kg
という極めて小さい圧力で設定出来る。基台4は保持板
1及び2の基準面と平坦度測定器5を取付ける支持板1
0と同一面となるように精密な平坦面をもち、この精密
面は露光光源部の載置面を取付け転写作業が出来るよう
になっている。
一実施例を示す部分破断図である。このパターン転写装
置は、図1に示すように、保持板2を押しマスターマス
ク44及びガラス基板の傾斜度を調整する油圧シリンダ
3と、油圧シリンダ3の押圧力を変える油圧制御弁7
と、油圧シリンダ3のポートを切換える切換弁8と、油
圧シリンダ3に油を圧送する油圧源9と、保持板1及び
2の基準面を載置する基台4と、この基台に載置される
とともに疑似光を投射しマスタマスクの平坦度と測定す
る平坦度測定器5を設けたことである。また、この平坦
度測定器5はレーザ光の干渉縞を利用したもので公知の
ものである。油圧シリンダ3の圧力を調整する油圧制御
弁の油圧分割能は一平方センチメートル当り0.1kg
という極めて小さい圧力で設定出来る。基台4は保持板
1及び2の基準面と平坦度測定器5を取付ける支持板1
0と同一面となるように精密な平坦面をもち、この精密
面は露光光源部の載置面を取付け転写作業が出来るよう
になっている。
【0012】次にこのパターン転写装置により複製手順
について説明する。まず、保持板1及び2によりマスタ
ーマスク44とガラス基板41を挟み、排気管より真空
排気を行う。このことによりマスターマスク44とガラ
ス基板41は密着し保持される。
について説明する。まず、保持板1及び2によりマスタ
ーマスク44とガラス基板41を挟み、排気管より真空
排気を行う。このことによりマスターマスク44とガラ
ス基板41は密着し保持される。
【0013】次に、平坦度測定器5から感光しない波長
をもつ光を投射し、マスターマスク44面より光を反射
させ、その光を入光する。次に、平坦度測定器5の干渉
縞による平坦度を観察しながら、マスターマスク44の
傾斜を補正するのに必要と思われる保持板の位置にある
油圧シリンダ3の油圧を0.1kg単位で上昇させる。
このことによりマスターマスク44は傾斜角が補正の方
向に傾むく、そして、補正すべき角度の1/2に調整し
たら、油圧シリンダ3の油圧上昇を停止する。
をもつ光を投射し、マスターマスク44面より光を反射
させ、その光を入光する。次に、平坦度測定器5の干渉
縞による平坦度を観察しながら、マスターマスク44の
傾斜を補正するのに必要と思われる保持板の位置にある
油圧シリンダ3の油圧を0.1kg単位で上昇させる。
このことによりマスターマスク44は傾斜角が補正の方
向に傾むく、そして、補正すべき角度の1/2に調整し
たら、油圧シリンダ3の油圧上昇を停止する。
【0014】次に、平坦度測定器5により平坦度を再度
測定し、半径方向で修正すべき方向における保持板1の
位置にある油圧シリンダ3の油圧を上昇させ傾斜角を調
整し、光軸に対して転写面が垂直になるように調整す
る。次に、基台4より平坦測定器5を取外し、露光光源
部の基準面を基台に載置し、露光することによってマス
ターマスク44のパターンをガラス基板41に転写す
る。
測定し、半径方向で修正すべき方向における保持板1の
位置にある油圧シリンダ3の油圧を上昇させ傾斜角を調
整し、光軸に対して転写面が垂直になるように調整す
る。次に、基台4より平坦測定器5を取外し、露光光源
部の基準面を基台に載置し、露光することによってマス
ターマスク44のパターンをガラス基板41に転写す
る。
【0015】以上本発明の実施例では、平坦度測定器を
非接触である光学式測定器を開いたが、支持板に回転板
を取付け、その回転板の半径方向の任意の位置にダイア
ルゲージを取付け、マスターマスクの表面にダイヤルゲ
ージの触斜を接触させ、傾きを測定してもよい。すなわ
ち、汎用の平坦度測定器を使用出来るので、基台に専用
に取付ける必要はない。
非接触である光学式測定器を開いたが、支持板に回転板
を取付け、その回転板の半径方向の任意の位置にダイア
ルゲージを取付け、マスターマスクの表面にダイヤルゲ
ージの触斜を接触させ、傾きを測定してもよい。すなわ
ち、汎用の平坦度測定器を使用出来るので、基台に専用
に取付ける必要はない。
【0016】また、油圧シリンダのロッドが当接する保
持板2の部分には、摩耗性の材料を当接部材として取付
けると良い。また基台4には、必要ならば、長手方向に
アリ溝を形成し、取付ける部材を長手方向に移動出来る
ようにすることである。
持板2の部分には、摩耗性の材料を当接部材として取付
けると良い。また基台4には、必要ならば、長手方向に
アリ溝を形成し、取付ける部材を長手方向に移動出来る
ようにすることである。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、真空圧
で密着し二枚の保持板で挟み保持されるマスターマスク
とガラス基板の傾きを調整するのにいずれかの保持板に
油圧シリンダを取付け、残りの保持板の面にピストンの
先端が当るようにし、油圧シリンダに油を圧送し油圧を
可変出来る油圧装置を設け、前記マスターマスクとガラ
ス基板とを真空圧で密着させた状態で、真空圧より圧力
の高い非圧縮性の油圧でピストンを微動させ二枚の保持
板の外周囲の間隔を円滑に調整することによって、前記
マスターマスク及びガラス基板の転写面と光軸との真空
度をより早く設定出来るという効果がある。また、真空
圧による密着状態で調整を行えるので、真空圧により傾
斜の微妙な変化が起きても、その変化を吸収して調整出
来るのでパターン転写ずれは起きなくなるという効果が
なる。さらに、従来の調節ねじのような回転しながら押
すのではなく単に油圧シリンダのピストンで押す作用で
行うので、従来、起きていたねじ山のつぶれやねじの先
端で削れて凹むことが無くなり、保持板の寿命をより長
くするという効果がある。
で密着し二枚の保持板で挟み保持されるマスターマスク
とガラス基板の傾きを調整するのにいずれかの保持板に
油圧シリンダを取付け、残りの保持板の面にピストンの
先端が当るようにし、油圧シリンダに油を圧送し油圧を
可変出来る油圧装置を設け、前記マスターマスクとガラ
ス基板とを真空圧で密着させた状態で、真空圧より圧力
の高い非圧縮性の油圧でピストンを微動させ二枚の保持
板の外周囲の間隔を円滑に調整することによって、前記
マスターマスク及びガラス基板の転写面と光軸との真空
度をより早く設定出来るという効果がある。また、真空
圧による密着状態で調整を行えるので、真空圧により傾
斜の微妙な変化が起きても、その変化を吸収して調整出
来るのでパターン転写ずれは起きなくなるという効果が
なる。さらに、従来の調節ねじのような回転しながら押
すのではなく単に油圧シリンダのピストンで押す作用で
行うので、従来、起きていたねじ山のつぶれやねじの先
端で削れて凹むことが無くなり、保持板の寿命をより長
くするという効果がある。
【図1】本発明のパターン転写装置の一実施例を示す部
分破断図である。
分破断図である。
【図2】コピーマスクを複製する工程の一例を説明する
ためのマスタマスクとガラス基板の工程順に示す断面図
である。
ためのマスタマスクとガラス基板の工程順に示す断面図
である。
【図3】従来のパターン転写装置の一例を示す断面図及
び部分平面図である。
び部分平面図である。
1,1a,2,2a 保持板 3 油圧シリンダ 4 基台 5 平坦度測定器 6 排気管 7 油圧制御弁 8 切換弁 9 油圧源 10 支持板 11 調節ねじ 12 パッキング 41 ガラス基板 42,42a クロム膜 43 レジスタ 43a レジストパターン 44 マスターマスク
Claims (1)
- 【請求項1】 パターンが形成される原板と転写される
基板とをパッキングを介して気密に密着させる二枚の保
持板と、これら原板と基板との間を真空排気して密着さ
せる真空排気装置と、前記保持板のいずれかの保持板の
所定の位置に取付けられるとともにピストンの先端で残
りの前記保持板の面を押す複数本の油圧シリンダと、こ
の油圧シリンダに油を圧送するとともに油圧を可変出来
る油圧装置を備えることを特徴とするパターン転写装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28723192A JP2936920B2 (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | パターン転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28723192A JP2936920B2 (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | パターン転写装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06138641A true JPH06138641A (ja) | 1994-05-20 |
JP2936920B2 JP2936920B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=17714739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28723192A Expired - Lifetime JP2936920B2 (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | パターン転写装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2936920B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006053337A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Fujitsu Ltd | フォトマスク装置、フォトマスク製造方法およびマスクパターン形成方法 |
CN110260768A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-20 | 安徽南氟化工设备有限公司 | 一种紧急切断闸阀的端口平面度检测装置 |
-
1992
- 1992-10-26 JP JP28723192A patent/JP2936920B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006053337A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Fujitsu Ltd | フォトマスク装置、フォトマスク製造方法およびマスクパターン形成方法 |
JP4714440B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2011-06-29 | 富士通株式会社 | フォトマスク製造方法 |
CN110260768A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-20 | 安徽南氟化工设备有限公司 | 一种紧急切断闸阀的端口平面度检测装置 |
CN110260768B (zh) * | 2019-06-21 | 2020-12-04 | 安徽南氟化工设备有限公司 | 一种紧急切断闸阀的端口平面度检测装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2936920B2 (ja) | 1999-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7019819B2 (en) | Chucking system for modulating shapes of substrates | |
US7150622B2 (en) | Systems for magnification and distortion correction for imprint lithography processes | |
US6980282B2 (en) | Method for modulating shapes of substrates | |
KR20180027382A (ko) | 반도체 프로세싱에서 오버레이를 제어하기 위해 보우를 제어하기 위한 응력의 위치-특정 튜닝 | |
KR100890665B1 (ko) | 이중층 레티클 블랭크 및 이것의 제조방법 | |
KR20050086591A (ko) | 기판의 형상을 조절하기 위한 척킹 시스템 및 방법 | |
US7144682B2 (en) | Near-field exposure method | |
JPH0347794A (ja) | スクリーン印刷方法、印刷版の製造方法及びそれらのための装置 | |
US8017308B2 (en) | Patterning non-planar surfaces | |
JPH06138641A (ja) | パターン転写装置 | |
Lin | Deep-UV conformable-contact photolithography for bubble circuits | |
US11294275B2 (en) | Apparatus for mounting a pellicle to a photomask and method for mounting a pellicle to a photomask | |
KR20030023450A (ko) | 노광장치 | |
JPH09146257A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
KR20210126502A (ko) | 검출 장치, 리소그래피 장치, 물품의 제조 방법 및 검출 방법 | |
JPS5984245A (ja) | フオトマスク | |
JP2003015324A (ja) | 露光装置 | |
Hodgkinson | Vacuum-deposited thin films with specific thickness profiles | |
JPS58140119A (ja) | コンタクト露光装置 | |
US20010003673A1 (en) | Etch bias tuning for enhancement of stepper life | |
KR20060108926A (ko) | 반도체소자의 노광장비 | |
JPH0443355A (ja) | パターンの形成方法 | |
JPS62193119A (ja) | ウエハ密着方法 | |
JPS61191030A (ja) | コンタクトプリント方法 | |
JPH05134391A (ja) | 露光用マスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990511 |