JPS62193119A - ウエハ密着方法 - Google Patents
ウエハ密着方法Info
- Publication number
- JPS62193119A JPS62193119A JP61032742A JP3274286A JPS62193119A JP S62193119 A JPS62193119 A JP S62193119A JP 61032742 A JP61032742 A JP 61032742A JP 3274286 A JP3274286 A JP 3274286A JP S62193119 A JPS62193119 A JP S62193119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mask
- groove
- grooves
- radial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、コンタクト露光型半導体露光装置において、
ウェハチャック上に塔載したウェハとマスクホルダに保
持したマスクとを密着させるためのウェハ密着方法に関
する。
ウェハチャック上に塔載したウェハとマスクホルダに保
持したマスクとを密着させるためのウェハ密着方法に関
する。
［発明の背景コ
半導体製造プロセスのリソグラフィ一工程においては、
レジストを塗布した半導体ウェハをマスクまたはレチク
ルを介して露光し、パターンの１転写を行う。このよう
なパターン転写用露光方式として、コンタクト方式、プ
ロキシミティ方式、反射型投影方式、縮小レンズ投影方
式等か行われている。コンタクト方式においては、マス
クとウェハとを密着させて露光を行うため比較的高解像
度のパターンが得られる。このようなコンタクト露光型
半導体露光装置においては、ウェハは真空チャックによ
り吸着保持されこの上にマスクが位置合せされて装着さ
れる。この場合、マスクとウェハ間にガスが封入される
と光の回折等により高解像度のパターンが得られなくな
る。従って、高解像パターンを得るためにはガストラッ
プを防止しマスクとウェハとを確実に密着させる必要が
あり、またマスクはウェハに対し精密に位置合せされて
いなければならない。
レジストを塗布した半導体ウェハをマスクまたはレチク
ルを介して露光し、パターンの１転写を行う。このよう
なパターン転写用露光方式として、コンタクト方式、プ
ロキシミティ方式、反射型投影方式、縮小レンズ投影方
式等か行われている。コンタクト方式においては、マス
クとウェハとを密着させて露光を行うため比較的高解像
度のパターンが得られる。このようなコンタクト露光型
半導体露光装置においては、ウェハは真空チャックによ
り吸着保持されこの上にマスクが位置合せされて装着さ
れる。この場合、マスクとウェハ間にガスが封入される
と光の回折等により高解像度のパターンが得られなくな
る。従って、高解像パターンを得るためにはガストラッ
プを防止しマスクとウェハとを確実に密着させる必要が
あり、またマスクはウェハに対し精密に位置合せされて
いなければならない。
［従来の技術］
従来のコンタクト方式露光装置においては、ウェハを搭
載したウェハチャックとマスクを保持したマスクホルダ
との間に真空圧を作用させてウェハとマスクとを密着さ
せていた。しかしながら、このような従来の密着方法に
おいては、第３図に示すように、ウェハ５とマスク６と
の間の中心部付近にエアーか封止されいわゆるガストラ
ップ３０が発生し、密着性が低下し高解像のパターンが
得られずパターン精度も低下するという欠点があった。
載したウェハチャックとマスクを保持したマスクホルダ
との間に真空圧を作用させてウェハとマスクとを密着さ
せていた。しかしながら、このような従来の密着方法に
おいては、第３図に示すように、ウェハ５とマスク６と
の間の中心部付近にエアーか封止されいわゆるガストラ
ップ３０が発生し、密着性が低下し高解像のパターンが
得られずパターン精度も低下するという欠点があった。
このようなガストラップの発生を防止するため、ウェハ
チャック上面に放射状の溝を設けこの溝を介してウェハ
を真空吸着してウェハを変形させウェハ上面のエアーを
逃す方法か提案されている。このような放射状の溝を有
するウェハチャックの一例が実開昭５４−５４２７０号
公報に示されている。この公知のウェハチャックにおい
ては、ウェハ塔載用保持台上面に放射状の溝か外周端部
に達するまで拡い面積に亘って形成ざＪ］でいるため、
この溝に真空圧を作用させるとウェハか大きく変形し、
焼付は時にウェハ変形によるパターンの歪みが大きくな
り、またウェハ変形によりマスクとウェハとのアライメ
ントの精度か低下するという問題があり実用上支障があ
った。
チャック上面に放射状の溝を設けこの溝を介してウェハ
を真空吸着してウェハを変形させウェハ上面のエアーを
逃す方法か提案されている。このような放射状の溝を有
するウェハチャックの一例が実開昭５４−５４２７０号
公報に示されている。この公知のウェハチャックにおい
ては、ウェハ塔載用保持台上面に放射状の溝か外周端部
に達するまで拡い面積に亘って形成ざＪ］でいるため、
この溝に真空圧を作用させるとウェハか大きく変形し、
焼付は時にウェハ変形によるパターンの歪みが大きくな
り、またウェハ変形によりマスクとウェハとのアライメ
ントの精度か低下するという問題があり実用上支障があ
った。
［発明の目的］
本発明は、前記従来技術の欠点に鑑みなされたものであ
って、真空吸着時のウェハ変形量を小さくしてパターン
の歪みを抑制しまたマスクとウェハとのアライメント精
度を向上させて高解像、高精度のパターン焼付けを可能
とするウェハ密着方法の提供を目的とする。
って、真空吸着時のウェハ変形量を小さくしてパターン
の歪みを抑制しまたマスクとウェハとのアライメント精
度を向上させて高解像、高精度のパターン焼付けを可能
とするウェハ密着方法の提供を目的とする。
［実施例］
第１図は本発明方法で用いるウェハチャックの上面図て
あり、第２図はそのＩＩ −Ｃ−ＩＩ線に沿った縦断面
図である。ウェハチャック１を構成するウェハ搭載台２
０の上面に、同心円状の複数の７１４３および中心付近
から外周端縁の内側部分までに亘る２本の放射状の１１
１２が形成されている。２本の放射状の溝２は中心Ｃに
関し対称位置に形成されている。各放射状の溝２は導通
孔４を介して図示しない真空源に連通している。また、
各同心円状の溝３は導通孔１４を介して図示しない真空
源に連通している。導通孔４，１４は各々電６ｎ弁８゜
１８を介して真空源または大気に切換えて連通可能であ
る。同心円状の溝３はウェハ保持用のものであり、放射
状の溝２はウェハとマスク間のカス逃し用のものである
。各放射状の溝２は、ウェハ５およびマスク６のセット
時の位置合せ用ウェハアライメントマーク１１およびマ
スクアライメントマーク１２から外れた位置に設けられ
る。ウェハ搭載台２０の外周部にはシールゴム９が設け
られ、マスク６を塔載したマスクホルダ７とウェハ５を
搭載したウェハ搭載台２０との間に真空室ｌＯを形成可
能とする。
あり、第２図はそのＩＩ −Ｃ−ＩＩ線に沿った縦断面
図である。ウェハチャック１を構成するウェハ搭載台２
０の上面に、同心円状の複数の７１４３および中心付近
から外周端縁の内側部分までに亘る２本の放射状の１１
１２が形成されている。２本の放射状の溝２は中心Ｃに
関し対称位置に形成されている。各放射状の溝２は導通
孔４を介して図示しない真空源に連通している。また、
各同心円状の溝３は導通孔１４を介して図示しない真空
源に連通している。導通孔４，１４は各々電６ｎ弁８゜
１８を介して真空源または大気に切換えて連通可能であ
る。同心円状の溝３はウェハ保持用のものであり、放射
状の溝２はウェハとマスク間のカス逃し用のものである
。各放射状の溝２は、ウェハ５およびマスク６のセット
時の位置合せ用ウェハアライメントマーク１１およびマ
スクアライメントマーク１２から外れた位置に設けられ
る。ウェハ搭載台２０の外周部にはシールゴム９が設け
られ、マスク６を塔載したマスクホルダ７とウェハ５を
搭載したウェハ搭載台２０との間に真空室ｌＯを形成可
能とする。
以上のような構成のウェハチャックにおいて、電６ｎ弁
８．１８を介して放射状の溝２および同心円状の溝３に
真空圧を作用させれば、第２図に示すように、放射状の
溝２の部分でウェハ５が凹状に適度に変形しウェハ５と
マスク６との間のガスを逃しガストラップの発生を防止
する。このとき同心円状の溝３の部分では講中が小さい
ため（約１ｍ＋ｎ）ウェハ５はほとんと変形しない。
８．１８を介して放射状の溝２および同心円状の溝３に
真空圧を作用させれば、第２図に示すように、放射状の
溝２の部分でウェハ５が凹状に適度に変形しウェハ５と
マスク６との間のガスを逃しガストラップの発生を防止
する。このとき同心円状の溝３の部分では講中が小さい
ため（約１ｍ＋ｎ）ウェハ５はほとんと変形しない。
以上のようなウェハチャックの使用方法を以下に説明す
る。まず、ウェハ５をウェハ塔載台２０上に載置し電磁
弁８．１８に真空源側に切換えて各同心円状の溝３およ
び放射状の溝２に真空圧を導入する。これによりウェハ
５がウェハ塔載台２０上に吸着固定されるとともに前述
のようにウェハ５が変形してその上面に放射状の溝２に
沿って凹部が形成される。次にマスクアライメントマー
ク１２およびウェハアライメントマーク１１を用いてマ
スク６とウェハ５とを位置合せする。このとぎ両アライ
メントマーク１１．１２は放射状の溝２の位置からずれ
た位置にあるためウェハ変形の影響を受ｉ−＋ず位置合
せの誤差を生じない。次に真空室ｌＯを真空状態にして
マスク６とウェハ５とを相互に密着させる。このときウ
ェハ５の上面の放射状の溝２に沿った前記凹部を通して
ウェハ５とマスク６との間のエアーが逃がされガストラ
ップは起こらない。次に電磁弁８を大気側に切換え放射
状の？ｊζ２を大気開放する。これによりウェハ５の変
形は元に戻りウェハ全面がガストラップのない状態でマ
スクと完全に密着する。このとき放射状の溝２を大気圧
以上に加圧してもよい。続いて通常の操作に従って露光
工程が施される。
る。まず、ウェハ５をウェハ塔載台２０上に載置し電磁
弁８．１８に真空源側に切換えて各同心円状の溝３およ
び放射状の溝２に真空圧を導入する。これによりウェハ
５がウェハ塔載台２０上に吸着固定されるとともに前述
のようにウェハ５が変形してその上面に放射状の溝２に
沿って凹部が形成される。次にマスクアライメントマー
ク１２およびウェハアライメントマーク１１を用いてマ
スク６とウェハ５とを位置合せする。このとぎ両アライ
メントマーク１１．１２は放射状の溝２の位置からずれ
た位置にあるためウェハ変形の影響を受ｉ−＋ず位置合
せの誤差を生じない。次に真空室ｌＯを真空状態にして
マスク６とウェハ５とを相互に密着させる。このときウ
ェハ５の上面の放射状の溝２に沿った前記凹部を通して
ウェハ５とマスク６との間のエアーが逃がされガストラ
ップは起こらない。次に電磁弁８を大気側に切換え放射
状の？ｊζ２を大気開放する。これによりウェハ５の変
形は元に戻りウェハ全面がガストラップのない状態でマ
スクと完全に密着する。このとき放射状の溝２を大気圧
以上に加圧してもよい。続いて通常の操作に従って露光
工程が施される。
［発明の効果〕
以上説明したように、本発明方法で用いるウェハチャッ
クにおいては、ウェハ塔載台上面に放射状の溝を中心付
近から外周縁の内側までに亘って設けであるため、ウェ
ハとマスクの位置合せ時にこの放射状の溝に真空圧を作
用させることによりウェハが適度に変形してウェハ上面
のガスを均一に確実に排出することができ、マスクとウ
ェハとの密着度が向上し高解像で精度の高いパターン焼
付ｉ−３が可能となる。また、各放射状の溝はマスクと
ウェハとの位置合せ用アライメンＩ〜マークから外れた
位置に設けであるため、位置合せ］Ｊ♂にウェハ変形に
よる位置ずれを起すことはなく位買決め精度の信頼性か
高まる。
クにおいては、ウェハ塔載台上面に放射状の溝を中心付
近から外周縁の内側までに亘って設けであるため、ウェ
ハとマスクの位置合せ時にこの放射状の溝に真空圧を作
用させることによりウェハが適度に変形してウェハ上面
のガスを均一に確実に排出することができ、マスクとウ
ェハとの密着度が向上し高解像で精度の高いパターン焼
付ｉ−３が可能となる。また、各放射状の溝はマスクと
ウェハとの位置合せ用アライメンＩ〜マークから外れた
位置に設けであるため、位置合せ］Ｊ♂にウェハ変形に
よる位置ずれを起すことはなく位買決め精度の信頼性か
高まる。
第１図は本発明方法で用いるウェハチャックの上面図、
第２図は第１図のＩＩ −Ｃ−ＩＩ線に沿った断面図、
第３図は従来のウェハ密着方法におけるガストラップの
説明図である。 １：ウェハチャック ２：放射状の溝 ３：同心円状の溝 ４．１４：導通孔 ５：ウェハ ６：マスク １１：ウェハアライメントマーク １２：マスクアライメントマーク ２０：ウェハ搭載台。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第 １ 図 第２図 第 ３ 図
第２図は第１図のＩＩ −Ｃ−ＩＩ線に沿った断面図、
第３図は従来のウェハ密着方法におけるガストラップの
説明図である。 １：ウェハチャック ２：放射状の溝 ３：同心円状の溝 ４．１４：導通孔 ５：ウェハ ６：マスク １１：ウェハアライメントマーク １２：マスクアライメントマーク ２０：ウェハ搭載台。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第 １ 図 第２図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハチャック上に搭載したウェハとマスクホルダ
に保持したマスクとを密着させるためのウェハ密着方法
において、 ウェハ搭載台上面に、ウェハ保持用の溝および該ウェハ
搭載台上面の中心付近から外周縁の内側近傍までに亘る
放射状の溝を設け、前記各溝に各各真空圧を導入可能と
したウェハチャックを使用し、 前記放射状の溝に真空圧を導入することによりウェハを
前記ウェハ搭載台上に吸着するとともに該ウェハを該放
射状の溝に沿って変形させウェハ上面に凹部を形成して
ウェハとマスク間のエアーを逃し、 続いて該放射状の溝に大気圧またはそれ以上の圧力を導
入してウェハの変形を元に戻すことを特徴とするウェハ
密着方法。 ２、前記ウェハ搭載台の外周部に該ウェハ搭載台とマス
クホルダとの間を封止するためのシール材を設け、ウェ
ハを搭載したウェハ搭載台とマスクを搭載したマスクホ
ルダとの間に真空室を形成可能とし、該真空室に真空圧
を導入することによりウェハとマスクとを密着させるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第項１記載のウェハ密着
方法。 ３、前記放射状の溝に真空圧を導入すると同時に前記ウ
ェハ保持用の溝にも真空圧を導入してウェハを吸着固定
保持することを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載のウェハ密着方法。 ４、前記ウェハ搭載台上面は実質上円形であり、前記ウ
ェハ保持用の溝は同心円状の複数の溝からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項から第３項までのいずれ
か１項記載のウェハ密着方法。 ５、前記放射状の溝は、ウェハとマスクとの位置合せ用
マークから外れた位置に設けたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項から第４項までのいずれか１項記載のウ
ェハ密着方法。 ６、前記ウェハ保持用の溝および放射状の溝は各各電磁
弁を介して真空源または大気に切換えて連通可能とした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第５項まで
のいずれか１項記載のウェハ密着方法。 ７、前記放射状の溝は、ウェハ搭載台上面の中心に関し
対称な２本の溝により構成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項から第６項までのいずれか１項記載のウ
ェハ密着方法。 ８、前記ウェハ保持用の溝は、真空圧導入時にウェハを
変形させない程度に溝巾を狭くしたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項から第７項までのいずれか１項記載
のウェハ密着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61032742A JPS62193119A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | ウエハ密着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61032742A JPS62193119A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | ウエハ密着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193119A true JPS62193119A (ja) | 1987-08-25 |
| JPH0587008B2 JPH0587008B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=12367289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61032742A Granted JPS62193119A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | ウエハ密着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193119A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6294633B2 (ja) | 2013-10-23 | 2018-03-14 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、決定方法及び物品の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP61032742A patent/JPS62193119A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0587008B2 (ja) | 1993-12-15 |
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