JPS60189745A - 密着露光方法 - Google Patents

密着露光方法

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JPS60189745A
JPS60189745A JP59044827A JP4482784A JPS60189745A JP S60189745 A JPS60189745 A JP S60189745A JP 59044827 A JP59044827 A JP 59044827A JP 4482784 A JP4482784 A JP 4482784A JP S60189745 A JPS60189745 A JP S60189745A
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JP
Japan
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mask
wafer
vacuum
contact
space
Prior art date
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Pending
Application number
JP59044827A
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English (en)
Inventor
Masao Totsuka
戸塚 正雄
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、2つの物体を密着して露光する方法特には前
記物体に加わる真空圧の差を利用した密着露光方法に関
する。
〈従来技術〉 従来、この種の方法は、第1図に示すようにマスクlと
ウェハー3等の2つの物体間に、伸縮可能な閉空間6を
形成し、そこを真空にすることにヨリ、マスク1の背面
に大気圧を働かせ、マスク1をウニ八−8側に曲げるこ
とによって両者を密着させていた。この際、従来のこの
種の方法では、マスク1.ウェハー8間の真空圧を0か
ら所望の密着度が得られる高真空圧へと急激に変化させ
ていたため、次に述べるような欠点があった。
まず第1に密着性の劣化である。従来では、マスク1と
ウェハー8は全面がほぼ同時に密着を開始する。すると
、ウェハー8中央付近にあったガスは逃げ場がなくなり
、その部分に閉じ込められてしまう。この傾向は、半導
体プロセスの工程が進み平面度の悪化したウェハー8に
於て顕著に見受けられる。このようにガスが閉じ込めら
れることにより、密着性は劣化する。そして、密着性が
劣化すると、マスク1とウェハー3の間に不均一に生じ
た「微小なすきま」部分で光の回折が起こり解像力が低
下してしまう。つまり、上述したような密着露光方法に
おいては、密着性の劣化は即焼付性能の劣化につながる
のである。また閉じ込められたガスを抜くために、従来
は、コンタクト後しばらく時間をおいて焼付を行なって
いたが、これは単位時間当りの処理可能なウェハ一枚数
すなわちスループットの向上を妨げる一因となっていた
第2にピッチエラーの増大である。従来この種の方法で
は、マスクlとウェハー3を密着させる際、両者を適当
な間隔に保持した後、両者間に形成された閉じた空間6
内を真空にし、マスクl背面に大気圧を働かせることに
より、マスクlをウェハー8側に曲げ、両者を密着させ
ていた。この際、初期に設定するマスク1とウェハー8
間のギャップ量は、両者の密着性に多大な影響を及ぼし
ていた。
すなわち、ギャップ量を小さくとった場合、マスク1の
たわみ量(彎曲量)が小さいため、周辺部での密着性は
良(、いわゆるピッチエラー(マスク1の彎曲によりマ
スク1のパターン面が伸びた状態となり、ウェハー3上
において、マスクパターンが本来転写されるべき位置か
らずれた所に焼付けられる現象)も少ない。しかし前述
した通りウェハー8の中央付近の密着性は劣化する。
一方、第2図に示す様に、ギャップ量を大きくとった場
合、マスク1が大きく彎曲することにより、ウェハー8
に対してマスクlは中央部付近の小さな領域から密着を
開始し、真空度の上昇により、この領域が徐々に周辺に
拡がる傾向が認められ、これにより密着時にマスク、ウ
ェハーの中央部付近にガスが閉じ込められる上述の現象
が緩和され中央部での密着性は向上する。しかし、この
場合マスク1が、大きくウェハー3側に引き込まれ彎曲
し、大きなピッチエラーを生じることになる。
上述したように従来の密着露光方法は、マスク及びウェ
ハー等の2物体間の密着性を良くするためにギャップ量
を大きく設定すると、ピッチエラーが生じてしまい、逆
にピッチエラーをなくすためにギャップ量を小さくとれ
ば、密着性が悪くなってしまうという、相互に矛盾する
問題点を抱えていた。
く目 的〉 本発明の目的は、上記問題点を解消して、ピッチエラー
の発生を防止し、かつガスの閉じ込め現象のない良好な
密着状態をも実現する密着露光方法を提供することにあ
る。
上記目的を達成するために、本発明に係わる密着露光方
法は、情報を有する第1の物体(たとえばマスク等)と
、該情報を記録するための第2の物体(たとえばウェハ
ー等)とを対向させて離間配置した状態で、前記両物体
の間の空間(以下、第1の空間と称する)ならびに前記
第1の物体の前記第2の物体とは反対側の空間(以下、
第2の空間と称する。)とを真空にする第1の段階と、
前記物体のうち少なくとも一方を他方に向けて移動させ
て接触または近接させる第2の段階と、該接触または近
接させた状態で前記第1の空間の真空度を前記第2の空
間の真空度よりも高くして前記両物体を密着させる第3
の段階とを経て、その後に露光を行ない、前記第1の物
体の情報を前記第2の物体に記録させるようにしたもの
である。
〈実施例〉 以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
第3図は、本発明を実施するための密着露光装置の断面
図である。■は情報を有するマスク、2はマスクlを保
持するマスクホルダー、8はマスクlの情報を記録する
ためのウェハー、4はウェハー3を載置するためのウェ
ハーチャックであり、静電例ノJによりウェハー8を強
固に保持するものである。このウェハーチャック4は、
不図示の駆動手段により上下移動可能であるが、駆動時
以外は機械的に強固に固定されており、静止状態を維持
する。5はシーリングゴム等の真空漏れ防止材であり、
マスクlとウェハー3との間に真空室6を作るためにあ
る。7はマスクlをマスクホルダ=2上に固定するため
の真空ライン、8はマスク1とウェハー3との間を真空
にするための真空ライン、9は真空室6に窒素(N2)
等のガスを供給するガスラインである。10は露光用の
紫外線を透過するガラス様部材、11はガラス様部材I
Oを支持するホールダーであり、ガラス様部材10とホ
ールダ−11との接合部は密封しである。■2はゴム等
のクッション材であり、ガラス様部材10がクッション
材12を介してマスク1の周縁部を弾性的に押付けてい
る。13はシーリングゴム等の真空漏れ防止材であり、
空間14.15を真空にした際の真空漏れを防止する。
空間14.15は、マスク1.マスクホールグー2.ガ
ラス様部材10.ホールダー11及び真空漏れ防止材1
8で包囲されており、相互に連通している。16は空間
14.15を真空にするための真空ラインである。
次に、上述した密着露光装置を使用した本発明の密着露
光方法の一実施例について、以下(1)〜(Vlに説明
する。
(1)まずマスク1とウェハー8とを不図示の手段によ
り所定の位置にセットする。この時には、既に真空漏れ
防止材5がマスクホルダー2の下面に接し、マスク■、
ウェハー8間に閉じた空間(真空室6)が形成されるが
、まだ真空にはされていない。次にマスク1とウェハー
3とを不図示の茸θステージにより位置合せする。これ
が完了した後、マスク1及びウェハー8を、不図示の駆
動手段により所定の間隔に離間配置する。
(11)上記離間配置した状態で、真空ライン8を通じ
て真空室6を真空にする。これと同時に真空ライン16
を通じて空間14.15をも真空にする。
真空室6と空間14.15とを等しい真空度に維持する
ことになる。この時マスク1は、ガラス様部材■0の上
面に加わる大気圧により、クッション材12を介してマ
スクホーシダー2上に押付けられている。そのため、マ
スクホーシダー2上でマスクlの位置が移動することは
なく、またマスク1が変形することもない。すなわち、
この段階でマスクlの両面は共に等しい真空度にあるの
で、該両面に加わる力は均衡が保たれ、従ってマスク1
の平面性が維持されている。また、ウェハーチャック4
が上方に移動することなく強固に固定されているので、
マスク1とウェハー8とは所定の間隔を維持し、ウェハ
ー3の平面性をも維持している。このようにしてマスク
1及びウェハー8の平面性を維持しながら、真空室6及
び空間14゜15内のガスを排除していき、実用的に十
分な真空状態にする。従って、マスクlとウェハー8と
の密着不良の原因となるガスをこの段階で完全に除去す
るのである。
(曲成に、不図示の駆動手段でウェハーチャック4を上
昇させ、第4図に示したように、ウェハー3をマスクl
に接触させる。この場合、完全に接触状態にする必要は
なく、マスク1とウェハー8との間に若干の間隔を持た
せて近接した状態に維持されてもよい。また、ウニへ−
チャック4の位置を常に固定しておき、マスク1をウェ
ハー8に内呼て下降させてもよく、あるいはマスクlと
ウェハー8とを相互に近づけてもよい。このようにして
、マスクlとウェハー3との間に不用なガスが存在しな
い状態で、マスクlとウェハー8とを接触または近接さ
せるのである。
IV)上記接触あるいは近接した状態のままで、空間1
4.15の真空度を低下させ、最終的には大気圧にする
。すると、マスクlの上面には直接に大気圧が加わるこ
ととなり、該大気圧がマスクlのウェハー8に対する押
付は力として作用する。従って、該大気圧によりマスク
lをウェハー8に押付け、密着させることができる。こ
の場合、マスク1及びウェハー3は平面性を維持し、か
つ接触あるいは近接した状態から上記密着を行なうので
、マスク1及びウェハー8にはほとんど彎曲が生じない
。また、ウェハー8の平面性が悪い場合であっても、不
要なガスが存在しないために、マスク1は容易にウェハ
ー3になじみ、密着する。なお、空間14.15を特に
大気圧にする必要はなく、十分な押付は力がマスク1に
加わる程度の低圧でもよく、また逆に大気圧以上の圧力
であってもよい。ただし、大気圧以上の場合は、ホール
グー11とマスクホールダ−2とを直接に固着する必要
がある。
(V)上記(1)〜IIV)の過程を経て、マスクlと
ウェハー3とを密着された後、それらの位置合わせ精度
を確認する。該精度が所定の範囲内にあれば、次の段階
として不図示の露光照明手段により、マスク1の上方か
らガラス様部拐10を介して露光を行なう。
以上(1)〜(■)に示したようにして、密着露光が完
了する。
次に、本発明の他の実施例を適用するための密着露光装
置を第5図に示す。前記実施例を説明するにあたって、
第3図のウェハーチャック4はその移動時以外は機械的
に強固に固定された状態にあるとしたが、必らずしもこ
れに限定されない。
たとえば第5図のような構成であっても、本発明を有効
に実施可能である。同図において、4′はウェハーチャ
ック、17はウェハーチャック4′の下面を覆う環状体
である。ウェハーチャック4′の下面中央からは円柱状
の上下軸4’ aが下方に伸長している。該上下軸4’
 aが貫通するように、環状体■7の中心部に円形の孔
部17aを形成しである。
ウェハーチャックfは、環状体17に対して、不図示の
板バネ等を介して上下動可能なように弾性結合されてい
る。19は環状体17とマスクホールダー2との間を密
封する真空漏れ防IL材であり、20は上下軸4’ a
と環状体17どの間を密封す、る真空漏れ防止材で、上
下軸4’ aの周囲に環状に取付けである。従って本装
置は、ウェハーチャックシ、環状体↓7及び真空漏れ防
IL材5,19.20によって密封された空間18を具
備する。更に、空間18を真空にするための真空ライン
16を増設しである。他の構成は第3図に示したものと
同様である。
ここで、第5図に示した装置を使用した、他の実施例に
ついて説明する。この場合は、前記実施例の(11)の
段階において、増設された真空ライン16により、空間
14.15と同時に空間18をも真空にする。この時、
ウェハーチャック4’ ノ下百に加わる圧力は、孔部1
7aの断面積に相当する微小部分に真空圧を加えた場合
に等しい。たとえば穴部17aの直径を1cIrLとし
、真空圧を760祁H9とすれば、その圧力は約0.8
 kg程度の微少量である。そのため前記実施例と異な
り、ウエノ1−チャックJを機械的に強固に固定する必
要を生へじない。従って、このような装置を使用すれば
、ウェハーチャックlにはわずかな力が加わるのみであ
るため、その上下移動の操作性を向上させることができ
る。
また、上記各実施例では、ウエノ・、−チャック4゜4
′は静電吸着式のものとしたが、真空吸着式のものであ
ってもよい。ただし真空吸着式とした場合は、ウェハー
を吸着するための真空圧をマスク・ウェハー間の真空圧
よりも大きく維持する必要がある。
なお、上記各実施例では、マスクとウエノ・−とを使用
した露光方法について説明したが、この他に例えばマス
クどうしを密着させて露光する場合でも、同様な方法を
適用できる。また露光手段としては、紫外線露光であっ
ても、X線露光であってもよい。
要するに、本発明趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形は
可能である。
く効 果〉2 以上説明したように、本発明の密着露光方法は、マスク
及びウェハー等の両物体を離間させた状態で両物体間の
ガスを排除し、その後に両物体を接触又は近接させ、そ
の状態で両物体を密着させて露光するようにしたもので
あり、そのため両物体の密着性を高めることができると
同時に、ピッチエラーの発生をも防止することができる
ので製品の都留りを向上させると共に高い集積度のパタ
ーン転写も可能となり、更にはスループットを増大する
ことができるという非常に優れた効果を・奏するもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の密着露光方法を説明するため
の密着露光装置の縦断面図、第8図及び第4図は本発明
の一実施例を説明するための密着露光装置の縦断面図、
第5図は本発明の他の実施例を説明するための密着露光
装置の縦断面図である。 ■・・・・・・マスク。 2・・・・・・マスクホルダー。 3・・・・・・ウェハー。 4.41・・・・・・ウェハーチャック。 6・・・・・真空室。 10・・・・・・ガラス様部材。 14、15・・・・・空間。 特許出願人 キャノン株式会社 第2図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 情報を有する第1の物体と、該情報を記録するための第
    2の物体とを密着させて露光する方法において、前記第
    1及び第2の物体を対向させて離間配置した状態で、前
    記第1及び第2の物体間の第1の空間ならびに前記第1
    の物体の前記第2の物体に対する反対側の第2の空間と
    を真空にする第1の段階と、該真空を維持したまま前記
    第1及び第2の物体を接触又は近接させる第2の段階と
    、該接触又は近接させた状態で前記第1の空間の真空度
    が前記第2の空間の真空度よりも高くなるようにして前
    記第1及び第2の物体を密着させる第8の段階とを有す
    ることを特徴とする密着露光方法。
JP59044827A 1984-03-10 1984-03-10 密着露光方法 Pending JPS60189745A (ja)

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