JPS6346569B2 - - Google Patents
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- JPS6346569B2 JPS6346569B2 JP53051849A JP5184978A JPS6346569B2 JP S6346569 B2 JPS6346569 B2 JP S6346569B2 JP 53051849 A JP53051849 A JP 53051849A JP 5184978 A JP5184978 A JP 5184978A JP S6346569 B2 JPS6346569 B2 JP S6346569B2
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 55
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000002224 dissection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
- Y10T29/53678—Compressing parts together face to face
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
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- Public Health (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体回路素子製造用の焼付け装置、
特にマスク、ウエハーを密着、即ちコンタクトさ
せマスクパターンをウエハーに焼付ける装置に関
するものである。
特にマスク、ウエハーを密着、即ちコンタクトさ
せマスクパターンをウエハーに焼付ける装置に関
するものである。
マスクとウエハーのコンタクトは、通常固定の
マスク支持具によつて支持されたマスクとマスク
面方向に移動可能なウエハー支持具に支持された
ウエハーの間を気密状態にし、真空ポンプによつ
てマスク、ウエハー間を抜気し真空圧と大気圧の
差圧によつてウエハー支持具をマスク方向に移動
させるか、あるいは、差圧により発生する力によ
りフオトマスクとウエハーを密着させることによ
つて行なつている。
マスク支持具によつて支持されたマスクとマスク
面方向に移動可能なウエハー支持具に支持された
ウエハーの間を気密状態にし、真空ポンプによつ
てマスク、ウエハー間を抜気し真空圧と大気圧の
差圧によつてウエハー支持具をマスク方向に移動
させるか、あるいは、差圧により発生する力によ
りフオトマスクとウエハーを密着させることによ
つて行なつている。
しかしながら、このコンタクト法は後に図面を
使用して詳しく説明するが、通常マスクがウエハ
ーの周辺部によつて押し上げられ、従つて、マス
クがウエハー密着面の反対側の面すなわち自由剖
方向に反るため、マスク、ウエハーの密着部の中
央に非密着部が生じたり、若しくはマスク、ウエ
ハーが共に反つたりし、マスクパターンが正確に
ウエハーに焼付けられないという欠点が有つた。
本発明はこの欠点を解消する焼付け装置に係るも
のである。従つて、本発明の目的はマスクパター
ンが正確にウエハーに焼付け可能な焼付け装置を
提供することにある。そしてこの目的は、マスク
とウエハーを密着させる際マスクを平坦若しくは
ウエハー側に反らせることによつて達成してい
る。更に、具体的に述べると、真空圧と大気圧の
差圧分の分布荷重を受けるマスク側有効受圧面積
とウエハー側有効受圧面積との大きさをマスク、
ウエハーを密着させた際、マスクが平坦若しくは
ウエハー側に反る様に決定することによつて達成
している。
使用して詳しく説明するが、通常マスクがウエハ
ーの周辺部によつて押し上げられ、従つて、マス
クがウエハー密着面の反対側の面すなわち自由剖
方向に反るため、マスク、ウエハーの密着部の中
央に非密着部が生じたり、若しくはマスク、ウエ
ハーが共に反つたりし、マスクパターンが正確に
ウエハーに焼付けられないという欠点が有つた。
本発明はこの欠点を解消する焼付け装置に係るも
のである。従つて、本発明の目的はマスクパター
ンが正確にウエハーに焼付け可能な焼付け装置を
提供することにある。そしてこの目的は、マスク
とウエハーを密着させる際マスクを平坦若しくは
ウエハー側に反らせることによつて達成してい
る。更に、具体的に述べると、真空圧と大気圧の
差圧分の分布荷重を受けるマスク側有効受圧面積
とウエハー側有効受圧面積との大きさをマスク、
ウエハーを密着させた際、マスクが平坦若しくは
ウエハー側に反る様に決定することによつて達成
している。
この様な構成にすることによつて、先に述べた
従来装置の欠点は解消されマスクパターンが正確
にウエハーに記載される焼付機が得られる。
従来装置の欠点は解消されマスクパターンが正確
にウエハーに記載される焼付機が得られる。
以下本発明を添付した図面を使用して説明す
る。まず、第１図ないし第４図を使用して従来装
置の説明をする。第１図はマスク１、ウエハー２
のアライメント時を示す図である。マスク１は固
定マスク支持部材３に固定されている。４はウエ
ハーを支持するウエハー支持部材である。この支
持部材４は（アライメント）ギヤツプＧを形成す
る押し上げ部材５に球面軸受けされている。この
押し上げ部材５はマスク１とウエハー２をアライ
メントする為、ｘ、ｙ、θ方向に移動可能であ
る。６はマスク１のウエハー密着面とウエハーの
上面の間の抜気を可能とする為の気密室を形成す
るシールゴム、７は不図示の真空ポンプに接続す
る排気孔である。
る。まず、第１図ないし第４図を使用して従来装
置の説明をする。第１図はマスク１、ウエハー２
のアライメント時を示す図である。マスク１は固
定マスク支持部材３に固定されている。４はウエ
ハーを支持するウエハー支持部材である。この支
持部材４は（アライメント）ギヤツプＧを形成す
る押し上げ部材５に球面軸受けされている。この
押し上げ部材５はマスク１とウエハー２をアライ
メントする為、ｘ、ｙ、θ方向に移動可能であ
る。６はマスク１のウエハー密着面とウエハーの
上面の間の抜気を可能とする為の気密室を形成す
るシールゴム、７は不図示の真空ポンプに接続す
る排気孔である。
第１図の装置において、ウエハー２は不図示の
キヤブレターとその上面は既に衝合され、マスク
１のウエハー密着面との非平行は球面軸受によつ
て完全に補正されている。そして（アライメン
ト）ギヤツプＧがマスク１の下面であるウエハー
密着面とウエハーの上面の間に形成されている。
不図示の顕微鏡によつてマスク、ウエハーは観察
され、不図示のｘ、ｙ、θアライメント装置によ
つて押し上げ部材５、ウエハー支持体４は移動さ
れマスク、ウエハーのアライメントが行なわれ
る。マスク、ウエハーのアライメント操作後、排
気孔７より抜気が行なわれる。マスク支持部材３
は固定の為、ウエハー支持部材４、押し上げ部材
５と共にウエハー２が上昇しマスク１にウエハー
２が密着する。この場合マスク２の自由面、即
ち、上面にかかる荷重に比べて、マスク２の下面
がウエハー２を介して受ける荷重が大きい場合、
上面荷重は開口に分布荷重であるに対して、下面
は開口より小いウエハー接触面に集中荷重となる
こともあつて、マスクが上方向に反つて、マスク
１とウエハー２の間に空気層が生じたり、又、第
２図に示す様に上方向に反つたマスク１にウエハ
ー２がならつてしまう。前者の場合は空気層によ
つてマスク、ウエハーが密着していないので、そ
の部分のマスクパターンが正確に焼付けられな
い。又後者の場合は周辺部でピツチエラーが生
じ、周辺部のマスクパターンが正確に焼付けられ
ない。
キヤブレターとその上面は既に衝合され、マスク
１のウエハー密着面との非平行は球面軸受によつ
て完全に補正されている。そして（アライメン
ト）ギヤツプＧがマスク１の下面であるウエハー
密着面とウエハーの上面の間に形成されている。
不図示の顕微鏡によつてマスク、ウエハーは観察
され、不図示のｘ、ｙ、θアライメント装置によ
つて押し上げ部材５、ウエハー支持体４は移動さ
れマスク、ウエハーのアライメントが行なわれ
る。マスク、ウエハーのアライメント操作後、排
気孔７より抜気が行なわれる。マスク支持部材３
は固定の為、ウエハー支持部材４、押し上げ部材
５と共にウエハー２が上昇しマスク１にウエハー
２が密着する。この場合マスク２の自由面、即
ち、上面にかかる荷重に比べて、マスク２の下面
がウエハー２を介して受ける荷重が大きい場合、
上面荷重は開口に分布荷重であるに対して、下面
は開口より小いウエハー接触面に集中荷重となる
こともあつて、マスクが上方向に反つて、マスク
１とウエハー２の間に空気層が生じたり、又、第
２図に示す様に上方向に反つたマスク１にウエハ
ー２がならつてしまう。前者の場合は空気層によ
つてマスク、ウエハーが密着していないので、そ
の部分のマスクパターンが正確に焼付けられな
い。又後者の場合は周辺部でピツチエラーが生
じ、周辺部のマスクパターンが正確に焼付けられ
ない。
第３図を使用して、従来の装置において、マス
ク１が上方向に反る理由を説明する。マスク１の
下面にウエハー２を介して荷重を与える大気圧受
圧部分の大きさは直径Ｃで表わせる大きさであ
り、又、マスクの上面にかかる大気圧受圧部分は
直径Ａで表わせる大きさである。そして、気密室
８を形成する為のシールゴム６は構造上マスク支
持体３の下面に吸着することが望まれる為、直径
Ｃは直径Ａより大になる。
ク１が上方向に反る理由を説明する。マスク１の
下面にウエハー２を介して荷重を与える大気圧受
圧部分の大きさは直径Ｃで表わせる大きさであ
り、又、マスクの上面にかかる大気圧受圧部分は
直径Ａで表わせる大きさである。そして、気密室
８を形成する為のシールゴム６は構造上マスク支
持体３の下面に吸着することが望まれる為、直径
Ｃは直径Ａより大になる。
又、第１図で説明した様に固定マスク１に対し
てウエハー２をｘ、ｙ、θアライメント移動させ
る為にはマスク１に対してウエハー２を直径Ｂで
表わせる様に小さくしなければならない。
てウエハー２をｘ、ｙ、θアライメント移動させ
る為にはマスク１に対してウエハー２を直径Ｂで
表わせる様に小さくしなければならない。
この為、マスク１の上面にかかる荷重に比べて
マスク１の下面が受ける荷重は大になる。従つ
て、マスク１はウエハー２の上面に押され上方向
に反つてしまい先に述べた欠点が生じる。
マスク１の下面が受ける荷重は大になる。従つ
て、マスク１はウエハー２の上面に押され上方向
に反つてしまい先に述べた欠点が生じる。
このマスクの上方向への反りを生ぜさせない本
発明の実施例が第４図に示されている。
発明の実施例が第４図に示されている。
第４図において、ウエハー支持体４は内周部１
４と外周部１５に分離され、内周部１４と外周部
１５はシールされていると共に可撓性材で連結さ
れている。又、シールゴム６は外周部１５に取り
付けられマスク支持体３の下面との間をシールす
ることが可能である。ウエハー支持体はこの様に
構成されている為、排気孔７を介して真空ポンプ
により抜気を行なつた際、外周部１５にかかる大
気圧はマスク支持体にかかる。従つて、マスク１
の下面にかかる荷重は直径Ｄで表わされた内周部
１４の大きさによつて決定される。従つて、内周
部１４の大きさを適宜決定することによつてマス
ク１の下面にかかる荷重を上面にかかる荷重に比
べて小さくすることができる。尚、この大きさの
決定に際して、種々要素、例えばウエハー支持体
４の重さ、連結ゴム１７の弾性等を考慮しなけれ
ばならない。
４と外周部１５に分離され、内周部１４と外周部
１５はシールされていると共に可撓性材で連結さ
れている。又、シールゴム６は外周部１５に取り
付けられマスク支持体３の下面との間をシールす
ることが可能である。ウエハー支持体はこの様に
構成されている為、排気孔７を介して真空ポンプ
により抜気を行なつた際、外周部１５にかかる大
気圧はマスク支持体にかかる。従つて、マスク１
の下面にかかる荷重は直径Ｄで表わされた内周部
１４の大きさによつて決定される。従つて、内周
部１４の大きさを適宜決定することによつてマス
ク１の下面にかかる荷重を上面にかかる荷重に比
べて小さくすることができる。尚、この大きさの
決定に際して、種々要素、例えばウエハー支持体
４の重さ、連結ゴム１７の弾性等を考慮しなけれ
ばならない。
第５図、第６図には第２実施例が示されてい
る。この実施例においては外周部１５は内周部１
４に板バネ２０（第６図）を介して連結されてい
る。従つて、内周部１４は外周部１５に対して上
下方向には独立して移動が出来るが、平行動は一
体に行なわれる。２１は内周部１４が上下方向に
移動しても空間８の気密性を保持する為のシール
ゴムである。この実施例においても内周部の大き
さをマスク支持部の開口より小さくすることによ
つて、マスク１の下面にかかる荷重を小さくして
いる。
る。この実施例においては外周部１５は内周部１
４に板バネ２０（第６図）を介して連結されてい
る。従つて、内周部１４は外周部１５に対して上
下方向には独立して移動が出来るが、平行動は一
体に行なわれる。２１は内周部１４が上下方向に
移動しても空間８の気密性を保持する為のシール
ゴムである。この実施例においても内周部の大き
さをマスク支持部の開口より小さくすることによ
つて、マスク１の下面にかかる荷重を小さくして
いる。
第１図は従来の焼付機のマスク、ウエハー部の
アライメント時を示す図、第２図はマスク、ウエ
ハーが上向に反つた状態を示す図、第３図は第１
図の焼付機のマスク、ウエハー密着状態を示す
図、第４図は本発明の第１実施例を示す図、第５
図、第６図は第２実施例を示す図である。 図中、１……マスク、２……ウエハー、３……
マスク支持部材、４……ウエハー支持部材、５…
…押し上げ部材、６……シールゴム、７……排気
孔、である。
アライメント時を示す図、第２図はマスク、ウエ
ハーが上向に反つた状態を示す図、第３図は第１
図の焼付機のマスク、ウエハー密着状態を示す
図、第４図は本発明の第１実施例を示す図、第５
図、第６図は第２実施例を示す図である。 図中、１……マスク、２……ウエハー、３……
マスク支持部材、４……ウエハー支持部材、５…
…押し上げ部材、６……シールゴム、７……排気
孔、である。
Claims (1)
- １ 開口部を有するフオトマスク支持具によつて
支持されたマスクと、押上げ部材に着脱可能に支
持されているウエハー支持具によつて支持された
ウエハーの間を気密状態にし、真空ポンプによつ
てマスクとウエハーの間を抜気し、これによりウ
エハーをマスク側へ移動させて、マスクとウエハ
ーを密着させ、焼付け光によつて露光しマスクパ
ターンをウエハーに焼付ける装置において、前記
ウエハー支持具は外周部分と内周部分を有し、前
記外周部分は、前記抜気時に前記マスク支持具と
密着し、前記ウエハーを支持している前記内周部
分は、弾性体を介して前記外周部分と接続し、前
記開口部の面積以下の大気圧と真空圧の差圧分の
分布荷重を受ける有効受圧面積を持つことを特徴
とする焼付け装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184978A JPS54143636A (en) | 1978-04-28 | 1978-04-28 | Printer |
| US06/032,735 US4271577A (en) | 1978-04-28 | 1979-04-24 | Alignment device |
| DE19792917252 DE2917252A1 (de) | 1978-04-28 | 1979-04-27 | Ausrichtvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184978A JPS54143636A (en) | 1978-04-28 | 1978-04-28 | Printer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54143636A JPS54143636A (en) | 1979-11-09 |
| JPS6346569B2 true JPS6346569B2 (ja) | 1988-09-16 |
Family
ID=12898291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5184978A Granted JPS54143636A (en) | 1978-04-28 | 1978-04-28 | Printer |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4271577A (ja) |
| JP (1) | JPS54143636A (ja) |
| DE (1) | DE2917252A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5921710U (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-09 | 株式会社ミツトヨ | 測定機の空気軸受 |
| EP0284818A1 (de) * | 1987-04-03 | 1988-10-05 | BBC Brown Boveri AG | Verfahren zum Herstellen eines Schichtverbunds sowie Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens |
| US6274198B1 (en) * | 1997-02-24 | 2001-08-14 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Shadow mask deposition |
| DE10139586C2 (de) * | 2001-08-11 | 2003-11-27 | Erich Thallner | Plattenförmiges Justierelement |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2094043A (en) * | 1935-11-15 | 1937-09-28 | Bell Telephone Labor Inc | Method of and means for assembling acoustic devices |
| US2591015A (en) * | 1946-04-08 | 1952-04-01 | Schoemann Paul | Apparatus for vacuum sealing of containers |
| DE1564290C3 (de) * | 1966-10-13 | 1975-08-07 | Ernst Leitz Gmbh, 6330 Wetzlar | Verfahren zum Ausrichten von Kopiermasken bei der Halbleiterfertigung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE1614041A1 (de) * | 1967-03-09 | 1970-10-22 | Leitz Ernst Gmbh | Vorrichtung zum Ausrichten einer Halbleiterscheibe in bezug auf eine Maskenscheibe |
| DE2106920C2 (de) * | 1970-03-31 | 1982-12-09 | International Business Machines Corp., 10504 Armonk, N.Y. | Verfahren und Einrichtung zum genauen Ausrichten eines Halbleiterplättchens mit Bezug auf eine Maske |
| US4054383A (en) * | 1976-02-02 | 1977-10-18 | International Business Machines Corporation | Jig and process for contact printing |
-
1978
- 1978-04-28 JP JP5184978A patent/JPS54143636A/ja active Granted
-
1979
- 1979-04-24 US US06/032,735 patent/US4271577A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-04-27 DE DE19792917252 patent/DE2917252A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54143636A (en) | 1979-11-09 |
| US4271577A (en) | 1981-06-09 |
| DE2917252C2 (ja) | 1990-05-31 |
| DE2917252A1 (de) | 1979-11-08 |
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