KR20030015123A - 주석-함유 산화인듐, 이의 제조 방법, 그 산화인듐을사용하는 코팅액, 및 그 산화인듐으로부터 형성된 전기전도성 코팅물 - Google Patents

주석-함유 산화인듐, 이의 제조 방법, 그 산화인듐을사용하는 코팅액, 및 그 산화인듐으로부터 형성된 전기전도성 코팅물 Download PDF

Info

Publication number
KR20030015123A
KR20030015123A KR1020020031689A KR20020031689A KR20030015123A KR 20030015123 A KR20030015123 A KR 20030015123A KR 1020020031689 A KR1020020031689 A KR 1020020031689A KR 20020031689 A KR20020031689 A KR 20020031689A KR 20030015123 A KR20030015123 A KR 20030015123A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
particles
containing indium
less
ito
indium oxide
Prior art date
Application number
KR1020020031689A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100670621B1 (ko
Inventor
이나무라다쯔미
모떼끼요시오
호리까와요시찌까
에시마고이찌로
Original Assignee
도와 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2001245701A external-priority patent/JP4982691B2/ja
Priority claimed from JP2001299862A external-priority patent/JP5070554B2/ja
Application filed by 도와 고교 가부시키가이샤 filed Critical 도와 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20030015123A publication Critical patent/KR20030015123A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100670621B1 publication Critical patent/KR100670621B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G19/00—Compounds of tin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/54—Particles characterised by their aspect ratio, i.e. the ratio of sizes in the longest to the shortest dimension
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12—Surface area

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

In 및 Sn 을 함유하면서 20℃ 에 유지되고 있는 염화수소산 용액에, 알칼리 용액을 첨가하여 pH 가 3 이 되도록 조절한다. 혼합 용액의 온도를 90℃ 로 상승시키고, 알칼리 용액을 더 첨가하여 pH 가 7.5 가 되도록 조절한다. 그렇게 하여 얻어진 석출물을 여과에 의해 회수하여, 탈수 및 건조시킴으로써 Sn-함유 수산화 인듐을 생성시킨다. 이 수산화 인듐을 관상(管狀)로에 투입하여, 수증기 및 NH3가스를 포함하는 질소 가스 분위기에서, 600℃ 의 온도하에 2 시간 동안 소성처리함으로써, 0.041㎛ 의 장축, 0.025㎛ 의 단축, 및 1.64 의 장축/단축 비를 갖는 판상의 Sn-함유 산화인듐을 제조한다.
침상 ITO 입자 및 입상 ITO 입자를 2:98 내지 98:2 의 범위의 비율로 혼합하여, 2∼20 중량% 의 SnO2함량을 갖는 ITO 분말을 제조한다. 이 혼합 ITO 분말로부터 제조된 코팅액을 도포하여, 10㏀/?이하의 면저항, 80% 이상의 빛 투과율, 및 2% 이하의 헤이즈 값을 갖는 투명한 도전성 필름을 형성시킨다.

Description

주석-함유 산화인듐, 이의 제조 방법, 그 산화인듐을 사용하는 코팅액, 및 그 산화인듐으로부터 형성된 전기 전도성 코팅물{TIN-CONTAINING INDIUM OXIDES, A PROCESS FOR PRODUCING THEM, A COATING SOLUTION USING THEM AND ELECTRICALLY CONDUCTIVE COATINGS FORMED OF THEM}
본 발명은, 주석-함유 산화인듐(이하, "ITO" 로 칭함), 그 산화인듐 제조 방법, 그 산화인듐을 함유하는 코팅액, 그 산화인듐으로부터 형성된 전기 전도성 코팅물에 관한 것이다. 비교적 소량의 주석을 함유하는 산화인듐은, 통상적으로 "ITO" 로 불리며, 가시광선을 투과시킬뿐만 아니라 높은 전기 전도도를 나타내므로, 각종 표시 장치 및 태양전지에 있어서 투명한 도전성 필름을 형성시키는 데에 사용된다.
"ITO" 로부터 투명한 도전성 필름을 형성시키는 공지의 기술중에서 2 가지 주요한 유형은, 스퍼터링과 같은 물리적인 접근 방법과, 액체 입자 분산물 또는 유기 화합물의 도포를 수반하는 코팅 방법이다. 코팅 방법에 의해서 형성되는 필름은, 스퍼터링과 같은 물리적인 방법에 의해 형성되는 필름에 비해, 전기전도도는 다소 낮은 반면, 진공 장치와 같은 고가의 장비를 사용하지 않고도, 대면적(大面積)의 기판상에 복잡한 형상의 필름을 증착시킬 수 있다. 액체 입자 분산물의 도포는, 유기 화합물의 열분해에 비해, 더 저온의 공정에 의한 필름 형성을 가능하게 하고, 그에 따라 형성되어 적당한 전기 전도도를 갖는 필름은, 브라운관상에서 전자파의 차폐물로서 광범위하게 사용된다. LCD 또는 EL 과 같은 표시장치상에 투명한 전극으로서의 필름을 도포하는 것에 대한 연구가 진행중에 있다. 그러나, 액체 입자 분산물에 의해 형성된 코팅은, 스퍼터링에 의해 형성된 필름만큼 높은 전기 전도도를 갖지 않으며, 아직도 대형 브라운관에 사용하기에는 부적합하거나 표시장치상에 고선명 전극을 형성시킬수 없는 수준이다. 따라서, 상기와 같은 사용 요건을 충족시킬 정도로 향상된 전기 전도도를 갖는 투명한 코팅을 형성할 수 있는 ITO 입자의 개발이 요구되고 있다. 도전성 코팅에 있어서, 전류-전달 경로는 ITO 입자간의 접촉에 의해서 형성된다. 편상(片狀), 침상(針狀), 및 판상(板狀) 입자는, 전류-전달 경로를 형성할 가능성이 높기 때문에(ITO 입자들이 여러 면에 걸쳐 상호 접촉), 높은 전기 전도도(즉, 낮은 비저항)를 제공하는 데에 사용된다. 다양한 입자 형상을 만드는 공지된 방법에는 하기의 방법이 포함된다.
(A) 5 ㎛ 이상의 장축 및 5 이상의 장축/단축 비를 갖는 침상 ITO 입자를 형성 (일본 특개평 7-232920 A 및 일본 특개평 7-235214 A)
(B) 1∼100㎛ 의 길이, 0.2∼20㎛ 의 폭, 및 0.01∼2㎛ 의 두께를 갖는 산화티타늄 리본에, 도전성 미세 입자의 코팅 실시 (일본 특개평 8-217446 A)
(C) 0.2∼0.95㎛ 의 장축과 0.02∼0.1㎛ 의 단축을 가지면서 종횡비(aspect ratio)가 4 이상의 ITO 침상체(針狀體)를 형성 (일본 특개평 6-80422 A).
방법 (A) 에 의해 형성된 ITO 입자는, 큰 치수와 낮은 전기 저항값을 갖지만, 투과율과 같은 광학 특성이 빈약하고, 특히 빛의 산란이 증가하여 코팅물상에 헤이즈(haze)를 생성시킨다. 방법 (B) 는, TiO2리본을 사용하며, 충분한 수의 좁촉 점을 형성시키는 것으로 사료되지만, 방법 (B) 에 의해 형성된 입자들은 너무 커서 방법 (A) 에 의해 생성된 입자들과 동일한 문제점을 나타낸다. 또한, 도전성 물질로 코팅되는 TiO2입자들이 전기전도도가 낮을수록, 입자의 벌크 저항(bulk resistance)이 상당히 커져서 코팅물에 있어서의 만족스런 도전성의 획득을 방해한다. 방법 (C) 에 의해 형성된 입자들은, 방법 (A) 에 의해 형성된 입자에 비해서는 크기가 작고 광학 특성이 다소 우수하지만, 가시 광선의 파장(400-700 nm)의 절반보다 크며, 코팅물내에 충진되면, 빛의 산란을 유발시켜 가시광선의 충분한 투과와 헤이즈(haze)의 방지를 보장할 수 없게 만든다.
헤이즈(haze)는 빛의 산란율을 나타내는 특성이며, 투명 전극 필름의 특성으로서는 헤이즈가 작을수록 바람직하다. 본 발명자들은, 헤이즈가 ITO 입자의 형상 및 분산도에 밀접하게 영향받는다는 점을 공표해왔다.
본 발명의 주 목적은, 액체 입자 분산물을 도포함에 의해, 투명성 및 도전성이 높은 코팅물을 형성하기에 최적인 침상 또는 판상의 Sn-함유 산화인듐을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 연구를 수행하는 과정에서, 본 발명자들은, 특정 범위에 속하는 장축/단축의 비 및 크기를 갖는 침상 또는 판상의 Sn-함유 산화인듐을 사용하면, 도전성 재료로서의 Sn-함유 산화인듐이 코팅물내에서 상호 접촉하는 면이 충분히 증가하여, 더 우수한 전기전도도가 얻어지면서도 빛의 산란은 억제될 것으로 판단하였다. 그러한 판단을 토대로 집중적인 연구를 수행한 결과, 알칼리를 첨가함으로써 Sn/In-함유 산성 수용액을 둘 이상의 단계에서 중화시킴에 의해, 응집되지 않은 미세한 Sn-함유 산화인듐을 성공적으로 만들어낼 수 있었다. 상기 Sn-함유 산화인듐으로부터 형성된 코팅물은, 종래에 비해 더 높은 전기전도도를 나타내면서도, 빛의 산란에 대한 억제 능력을 나타내었다.
본 발명의 또 다른 목적은, 분산 입자의 슬러리의 효과적인 도포를 가능하게 할만큼 충분한 분산 능력을 가지면서, 우수한 광학 특성 - 즉 빛에 대한 높은 투과율과 낮은 헤이즈(haze) - 과 높은 전기전도도를 나타내는, 최적의 ITO 분말을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 상기 ITO 분말로부터 형성되는 투명한 도전성 필름을 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 두 번째 및 세 번째 목표를 달성하기 위하여, 본 발명자들은미세한 ITO 입자의 형상에 주목하여, 2 가지 이상의 형상을 갖도록 ITO 입자의 형상을 조합시킴으로써, 높은 전기전도도 및 빛에 대한 높은 투과성데 대한 달성 가성을 발견하였으며, 그러한 발견을 토대로 연구를 지속한 끝에, 본 발명의 목적을 달성하였다.
도 1 은, 실시예 1 에서 제조된 Sn-함유 수산화인듐 입자의 투과전자현미경 사진이다 (200.0 kV ×100 K 에서 촬영한 현미경 사진, 하단부의 선명한 직선은 50 nm 를 표시).
도 2 는, 실시예 1 에서 제조된 Sn-함유 산화인듐 입자의 투과전자현미경 사진이다 (200.0 kV ×100 K 에서 촬영된 현미경 사진, 하단부의 선명한 직선은 50 nm 를 표시).
도 3 은, 실시예 2 에서 제조된 Sn-함유 수산화인듐 입자의 투과전자현미경 사진이다 (200.0 kV ×30 K 에서 촬영된 현미경 사진, 하단부의 선명한 직선은 200 nm 를 표시).
도 4 는, 실시예 2 에서 제조된 Sn-함유 산화인듐 입자의 투과전자현미경 사진이다 (200.0 kV ×100 K 에서 촬영된 현미경 사진, 하단부의 선명한 직선은 50 nm 를 표시).
도 5 는, 비교에 1 에서 제조된 Sn-함유 수산화인듐 입자의 투과전자현미경사진이다 (200.0 kV ×100 K 에서 촬영된 현미경 사진, 하단부의 선명한 직선은 50 nm 를 표시).
도 6 은, 비교예 1 에서 제조된 Sn-함유 산화인듐 입자의 투과전자현미경 사진이다 (200.0 kV ×100 K 에서 촬영된 현미경 사진, 하단부의 선명한 직선은 50 nm 를 표시).
도 7 은, 비교예 2 에서 제조된 Sn-함유 수산화인듐 입자의 투과전자현미경 사진이다 (200.0 kV ×50 K 에서 촬영된 현미경 사진, 하단부의 선명한 직선은 100 nm 를 표시).
도 8 은, 비교예 2 에서 제조된 Sn-함유 산화인듐 입자의 투과전자현미경 사진이다 (200.0 kV ×30 K 에서 촬영된 현미경 사진, 하단부의 선명한 직선은 200nm 를 표시).
(1) 첫 째, 본 발명은, 0.2 ㎛ 이하의 장축과 0.1㎛ 이하의 단축을 갖는 침상 또는 판상의 Sn-함유 산화인듐을 제공한다.
(2) 둘 째, 본 발명은, 0.1 ㎛ 이하의 장축과 0.05㎛ 이하의 단축을 갖는 Sn-함유 산화인듐을 제공한다.
(3) 셋 째, 본 발명은, (1) 또는 (2) 의 Sn-함유 산화인듐으로서, 1.5∼10 의 장축/단축의 비를 갖는 Sn-함유 산화인듐을 제공한다.
(4) 넷 째, 본 발명은, 용매 또는 수지-함유 용매내에 (1), (2), 또는 (3) 의 Sn-함유 산화인듐이 분산된 코팅액을 제공한다.
(5) 다섯 째, 본 발명은, (1), (2), 또는 (3) 의 Sn-함유 산화인듐을 도전성 물질로서 함유하는 도전성 코팅물을 제공한다.
(6) 여섯 째, 본 발명은, Sn 및 In 을 함유하는 산성 수용액의 제조 단계, 그 산성 수용액에 알칼리를 첨가하여 예비 중화 작용시키는 단계, 그 예비 중화된 수용액의 온도를 상승시키는 단계, 상기 수용액에 알칼리를 첨가하여 완전 중화시키는 단계, 및 그렇게하여 형성된 Sn-함유 수산화인듐을 소성(firing)하는 단계를 포함하여, (1), (2), 또는 (3) 의 Sn-함유 산화인듐을 제조하는 방법을 제공한다.
(7) 일곱 째, 본 발명은, (6) 의 방법에 있어서, 상기 산성 수용액내의 산이 HCl, HNO3, 또는 H2SO4이고, 상기 알칼리가 NH4OH, NaOH, 또는 KOH 인 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
(8) 여덟 째, 본 발명은, (6) 또는 (7) 의 방법에 있어서, 상기 예비 중화 용액이 2∼4 의 pH 를 가지며, 상기 완전 중화 용액은 7∼8 의 pH 를 갖는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
(9) 아홉 째, 본 발명은, 상기 (6), (7), 또는 (8) 의 방법에 있어서, 상기 예비 중화 단계가 45℃ 이하의 용액 온도에서 실시되고, 상기 완전 중화 단계가 50℃ 이상의 용액 온도에서 실시되는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
(10) 열 번째, 본 발명은, 상기 (6), (7), (8), 또는 (9) 의 방법에 있어서, 상기 소성(firing) 단계가, 수증기 또는 수증기와 환원 가스의 양자를 포함하는 불활성 가스내에서, 300∼1000 ℃ 의 온도하에, 상기 Sn-함유 수산화인듐 입자 형상의 이방성(異方性)을 유지하면서 실시되는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
(11) 열한 번째, 본 발명은, 적어도 침상 ITO 입자 및 입상(粒狀) ITO 입자를 포함하여, 투명한 도전성 필름을 형성하는 ITO 분말을 제공한다.
(12) 열두 번째, 본 발명은, 상기 (11) 의 투명한 도전성 필름을 형성하는 ITO 분말에 있어서, 상기 침상 ITO 입자와 입상 ITO 입자의 중량비가 2:98 내지 98:2 의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 필름을 제공한다.
(13) 열세 번째, 본 발명은, 상기 (11) 또는 (12) 의 투명한 도전성 필름을형성하는 ITO 분말에 있어서, 상기 침상 ITO 입자는, 0.5 ㎛ 이하의 장축, 0.1 ㎛ 이하의 단축, 1.5∼10 의 장축/단축의 비, 및 2∼20 중량% 의 SnO2함량을 가지며, 상기 입상 ITO 입자는, 0.05 ㎛ 이하의 입자 크기 및 2∼20 중량% 의 SnO2함량을 갖는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 필름을 제공한다.
(14) 열넷 번째, 본 발명은, 적어도 침상 ITO 입자와 입상 ITO 입자를 포함하는 ITO 분말을 포함하는 투명한 도전성 필름을 제공한다.
(15) 열다섯 번째, 본 발명은, 상기 (14) 의 투명한 도전성 필름에 있어서, 상기 침상 ITO 입자와 입상 ITO 입자의 중량비가 2:98 내지 98:2 의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 필름을 제공한다.
(16) 열여섯 번째, 본 발명은, 상기 (14) 또는 (15) 의 투명한 도전성 필름에 있어서, 상기 침상 ITO 입자는, 0.5 ㎛ 이하의 장축, 0.1 ㎛ 이하의 단축, 1.5∼10 의 장축/단축의 비, 및 2∼20 중량% 의 SnO2함량을 가지며, 상기 입상 ITO 입자는, 0.05 ㎛ 이하의 입자 크기 및 2∼20 중량% 의 SnO2함량을 갖는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 필름을 제공한다.
(17) 열일곱 번째, 본 발명은, 상기 (14), (15), 또는 (16) 의 투명한 도전성 필름에 있어서, 면저항(sheet resistance) 이 10 ㏀/□이하인 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 필름을 제공한다.
(18) 열여덟 번째, 본 발명은, 상기 (14), (15), (16), 또는 (17) 의 투명한 도전성 필름으로서, 헤이즈 측정시에, 2% 이하의 헤이즈를 나타내고, 80% 이상의빛 투과율을 나타내는것을 특징으로 하는 투명한 도전성 필름을 제공한다.
(19) 열아홉 번째, 본 발명은, (14), (15), (16), (17), 또는 (18) 의 투명한 도전성 필름을 형성시키는 방법으로서, 상기 침상 ITO 입자와 상기 입상 ITO 입자를 용매내에서 혼합시키는 단계, 그 혼합된 입자를 분산시켜 슬러리를 형성시키는 단계, 및 그 슬러리를 투명한 기판에 도포하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
Sn-함유 산화인듐은 하기의 단계를 포함하는 방법에 의해서 제조될 수 있다.
(1) 출발 물질(starting material)로서의 산성 수용액을 제조하는 단계
출발 물질인 산성 수용액을 제조하기 위해서는, 인듐을 염화수소산에 용해시킨 다음, 이 때 생성된 염화인듐의 수용액에 염화주석을 더 용해시키는 것이 바람직하다. 출발 물질인 산성 수용액내의 인듐 농도는, 2∼50 g/L 가 바람직하며, 2∼30 g/L 가 더 바람직하다. 상기 인듐 농도가 50 g/L 를 초과하면, 산화물의 전구체 물질(precursor material)인 수산화물 입자가, 침상 또는 판상의 입자를 형성하지 않고 괴상(塊狀)화된다. 상기 인듐 농도가 2 g/L 미만이면, 과도하게 작은 크기의 덩어리만이 형성된다. 출발 물질인 산성 수용액의 주석 함량은, 최종적으로 얻어지는 산화물의 주석 함량이, SnO2에 대하여 산출할 때, 2∼20 중량% 가 되도록 하는 것이 바람직하고, 5∼10 중량% 가 되도록 하는 것이 더 바람직하다. 이하, "중량%" 를 줄여서 "%" 로 간략하게 표시하기로 한다. 상기 2∼20% 의 범위를 벗어나면, 산화물의 전기전도도가 낮아진다. 사용되는 산은 염화수소산(이하, HCl 로 표기되기도 함)으로만 한정되지 않으며, 염화수소산 대신에 질산(이하, HNO3로 표기되기도 함), 황산(이하, HNO3로 표기되기도 함) 등이 사용될 수도 있다.
예비 중화 단계 또는 완전 중화 단계에서 사용가능한 알칼리의 예로는, NH4OH(이하, 암모니아 또는 NH3로 표기되기도 함), NaOH, 및 KOH 가 포함된다. 탄산염 알칼리는, 수산화물 입자들이 과도하게 작은 덩어리를 형성하기가 쉬워, 원하는 형상을 얻기가 어렵다는 단점을 가지고 있음에 유의해야 한다. 알칼리는 희석된 알칼리성 수용액의 형태로 첨가되는 것이 바람직하다. 알칼리는, 산성 수용액중의 인듐 및 주석 염을 가수분해하는 데에 필요한 양과 동일한 양만큼 첨가될 필요가 있으며, 과잉 양의 산을 중화시키기 위해서는, 상기 동일한 양보다 더 많이 첨가되는 것이 바람직하다.
(2) 예비 중화 및 완전 중화
전구체인 Sn-함유 수산화인듐을 생성시키기 위하여, 상기 (1) 단계에서 제조된 산성 수용액은, 45℃ 이하에서 유지되는 것이 바람직하고, 25℃ 이하에서 유지되는 것이 더 바람직하며, 상기 알칼리는, 산성 수용액을 pH 2∼4 수준까지 예비 중화시킬 정도로 첨가된다. 그 다음의 완전 중화 단계에서는, 30분 내지 2 시간에 걸쳐서, 상기 예비 중화된 용액의 온도가 50℃ 이상까지 상승하는 것이 바람직하고, 80∼95℃ 까지 상승하는 것이 더 바람직하며, 상기 알칼리는, 상기 산성 수용액을 pH 7∼8 수준까지 중화시킬 정도로 첨가되는 데, 그 후 Sn-함유 수산화인듐이 석출된 다음, 여과에 의해 회수되어, 세척 및 건조된다.
주석과 인듐을 함유하는 산성 수용액이, 먼저, 예비 중화 단계를 거치면 미세한 핵이 생성되고, 후속하는 승온 상태에서의 완전 중화 단계에서, 그 핵이 성장하여 침상 또는 판상의 수산화물 입자가 된다. 생성되는 입자의 형상은, 예비 중화에 의한 중화율(즉, 전체 인듐 양을 1 로 하였을 때, 그에 대한 예비 중화 단계에서 석출되는 인듐 양의 비율), 온도, 및 pH 와 같은 조건들을 조절함에 의해서 제어된다. 또한, 예비 중화 단계 및 완전 중화 단계에서 상이한 온도를 적용함으로써, 원하는 크기와 형상을 갖는 입자가 상당히 균일한 형태로 생성될 수 있다. 또한, 균일성은, 미세한 핵의 리프닝(ripening)과 같은 부가적인 작용에 의해서도 얻어질 수 있다.
(3) Sn-함유 수산화인듐
그렇게 얻어진 수산화물은, 후속하는 소성 단계에서 소결되어, 최종 산화물보다 더 큰 입자로 된다. 더 구체적으로는 설명하면, 상기 수산화물은, 0.05∼0.3 ㎛ 의 장축, 0.01∼0.2 ㎛ 의 단축, 1.5∼10 의 장축/단축 비를 갖는 침상 또는 판상 입자가 되도록 처리된다.
(4) 소성(firing)
상기 처리된 Sn-함유 수산화인듐은, 그 후 소성 처리됨으로써, 탈수 분해 및 소결을 거쳐서 전술한 수산화물 입자의 형상 이방성을 유지하는 침상 또는 판상 입자를 생성한다. 이러한 소성 단계의 결과로 산소 부족이 유발되어서, 향상된 전기전도도를 갖는 산화물이 생성된다. 산화 분위기에서의 소성 처리하면, 특정 범위의 전기전도도를 가지면서도 저항값은 원하는 값보다 높은 정도를 나타내는, 산화물 입자를 생성시킬 수 있다.
소성 분위기로는, 수증기를 포함하는 질소와 같은 불활성 가스가 바람직하며, NH3와 같은 환원성 가스도 포함하는 것이 더 바람직하다.
소성 온도는, 수산화물 입자의 크기와 형상 및 소성 가스 분위기에 따라 설정된다. 소성 온도 및 수증기 함량이 높을수록, 또한 소성 분위기의 환원성이 강할수록, 소결 속도가 빨라지며, 산화물 제품의 이방성이 낮아진다. 바람직한 소성 온도는 300∼1000℃ 이며, 300∼700 ℃ 범위의 소성 온도가 더 바람직하다. 상기 온도 범위 및 분위기에서 소성함에 의해, 수산화물 입자의 형상 이방성을 유지하는, 목적하는 산화물 입자를 제조할 수 있다. 300℃ 미만의 온도에서 소성이 실시되면, 수산화물이 오히려 불충분하게 분해되며, 소성 온도가 1000℃ 를 초과하면, 수산화물 입자의 형상 이방성을 유지하기가 어렵고, 또한 입자간 소결로 인하여 더 많은 응집물이 형성되며, 입자들의 분산도가 낮아짐에 유의해야 한다.
탈수 분해 직후의 수산화물 입자는, 결정화도가 낮으며, 더 큰 결정으로 성장하지 않으면, 입자내에서 미소결정체(crystallite)간의 저항으로 인하여 전기전도도를 저하시킨다. 소결을 촉진시키려면, 소성 분위기에 수증기를 첨가시키는 것이 바람직하며, 전기전도도를 더 향상시키려면, 소성 분위기내에 환원성의 NH3및 H2가 포함되는 것이 바람직하다.
(5) Sn-함유 산화인듐 입자
본 발명의 산화물 입자는, 0.2㎛ 이하, 바람직하게는 0.1㎛ 이하의 장축 및 0.1㎛ 이하, 바람직하게는 0.05㎛ 이하의 단축을 갖는, 침상 또는 판상의 Sn-함유 산화인듐 입자로서, 바람직하게는 1.5∼10 의 장축/단축 비를, 더 바람직하게는 2∼5 의 장축/단축 비를 가진다.
Sn-함유 산화인듐 입자의 장축의 길이가 0.2㎛ 를 초과하면, 가시 광선의 산란이 발생하여 투과율을 포함한 광학 특성을 악화시킨다. 가시 광선의 산란은, 장축이 0.1 ㎛ 이하이면 더 효과적으로 억제된다. Sn-함유 산화인듐 입자의 단축의 길이가 0.1㎛ 를 초과하면, 더 적은 입자 표면이 상호 접촉하게 되어, 그 입자로부터 도포되는 코팅물의 전기전도도가 저하된다. 코팅물의 전기전도도는, 단축이 0.05㎛ 이하이면 더 효과적으로 향상된다. Sn-함유 산화인듐 입자의 장축/단축 비가 1.5∼10 의 범위를 벗어나면, 그 Sn-함유 산화인듐 입자의 전기전도도, 분산성, 및 입자내 결정화도가 악화되며, 특히, 상기 장축/단축 비가 1.5 미만이면, 형상 이방성 및 낮은 저항값과 같은 원하는 효과를 얻을 수 없다.
Sn-함유 산화인듐 입자의 미소결정체(crystallite) 의 직경 "Dx" 는, X-선 회전법에 의해서 (222) 면의 반가폭으로부터 계산되었을 때, 150Å 이상이 되는 것이 바람직하며, 비표면적으로부터 그에 상당하는 구에 대하여 결정된 입자의 직경인 Dbet 에 대한 Dx 의 비는 0.45 이상이다. 투과전자현미경(이하, TEM 으로 표기하기도 함)을 이용한 검사에 의해서 입자내에서 관찰되는 미소결정체가 적을수록, 그 입자는 낮은 저항값을 갖는다.
(6) 코팅액 및 도전성 코팅물
상기 ITO 입자를 용매내에 분산시켜 코팅액을 제조한다. 기판에 코팅액이 부착된 후에, 용매는 증발되며, 남아있는 필름은 고착되어 빛 투과율이 높고 전기 저항이 낮은 코팅물이 얻어진다.
코팅액은 종래의 방법으로 제조될 수 있다. 알코올, 케톤, 및 에테르와 같은 유기 용매에, 계면활성제 및 결합제 같은 분산제가 첨가되어, 비드 밀(beads mill)과 같은 분산 장치에 의해 분산된다. 유기 결합제 또는 무기 결합제가 사용되는 경우, 그 결합제는 먼저 ITO 코팅액에 첨가될 수 있으며, 그 후 기판에 도포되어 코팅물을 형성한다. 그와 달리, ITO 코팅액으로부터 코팅물이 먼저 부착된 다음, 결합제가 그 코팅물에 도포되어 고착될 수 있다.
투명한 도전성 필름을 형성하기 위하여 본 발명에서 사용되는 ITO 분말은, 기본적으로는 침상 ITO 입자와 입상 ITO 입자의 혼합물이며, 침상 ITO 입자가, 입상 ITO 입자에 의해 제공되는 높은 분산성을 훼손시키지 않으면서, 만족스런 면저항을 제공하는 것을 특징으로 한다. 더 구체적으로 설명하면, 입상 ITO 입자는 ITO 분말의 미세 입자의 분산성을 향상시킴으로써, 산란광의 발생을 억제하여, 우수한 광학적 특성, 즉 헤이즈 방지성 및 높은 빛 투과율을 제공하면서도, 미세한 침상 ITO 입자에 의해 제공된 높은 면저항을 유지시킨다. 또한, ITO 분말의 향상된 입자 분산성은, 투명한 도전성 ITO 필름을제조하는 기술로서의 코팅 방법의 장점을 충분히 활용하게 해준다. 또한, 상기 효과는, 특정한 형상과 특정한 크기의 입자를 포함하는 ITO 분말을 이용함에 의해, 더 실용적이 될 수 있다. 본 발명에 사용되는 침상 ITO 입자는, 실질적으로 판상이거나 편상인 ITO 입자를 포함하며,입상 ITO 입자는, 실질적으로 구상(球狀)인 ITO 입자를 포함한다.
상기 혼합 ITO 분말내의 침상 ITO 입자는, 미세한 침상 또는 판상의 Sn-함유 산화인듐 입자로서, 2∼20 중량% 의 SnO2 함량을 가지며, 0.5㎛ 이하, 바람직하게는 0.2㎛ 의 장축 및 0.1㎛ 이하의 단축을 가진다. 상기 입자는 1.5∼10 의 장축/단축 비를 가진다.
침상 ITO 입자의 장축의 길이가 0.5㎛ 를 초과하면, 가시 광성의 산란이 발생하여 빛 투과율 및 헤이즈를 포함하는 광학 특성을 악화시킨다. 장축의 길이가 0.2㎛ 이하이면 더 효과적으로 가시 광선의 산란이 억제된다. 침상 ITO 입자의 단축의 길이가 0.1㎛ 0.1㎛ 를 초과하면, 입자 표면이 거의 상호 접촉하지 않게 되어 그 입자로부터 부착되는 코팅물의 전기전도도가 낮아진다. 단축의 길이가 0.05㎛ 이하이면, 코팅물의 전기전도도가 더 효과적으로 향상된다. 침상 ITO 입자의 장축/단축 비가 1.5∼10 범위를 벗어나면, 그 전기전도도, 분산성, 및 입자내 결정화도가 악화되고, 특히 1.5 미만이면, 형상 이방성 및 낮은 저항값과 같은 원하는 효과가 얻어지지 않는다.
본 발명자들에 의해 발견되어진 미세한 ITO 분말내의 미세한 침상 ITO 입자는 전술한 단계를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다.
본 발명의 미세한 혼합 ITO 분말에 사용되는 입상 ITO 입자는, 하기에 예시된 바와 같이, 공지된 기술에 의해 제조될 수 있다.
먼저, In-함유 염화수소산 수용액에 염화주석을 첨가하여 산성 수용액을 제조한다. 또한, NH4OH 등으로부터 수성 알칼리 용액을 제조한다. 이 수성 알칼리 용액을 상기 산성 수용액에 첨가하여, 산성 수용액을 pH 7∼8 정도까지 중화시킨다. 그렇게 하여 생성된 석출물을 여과에 의해 회수하여, 탈수 및 건조시킴으로써, Sn-함유 수산화인듐을 제조한다. 이 수산화인듐을, 수증기 및 NH3 를 포함하는 약 600∼700℃ 의 질소 가스 분위기에서 소성하여, 약 1∼2 의 장축/단축 비를 갖는 구상 ITO 입자 또는 입상 ITO 입자를 제조한다.
그렇게 하여 얻어진 입상 ITO 입자를, 원하는 상대 비율이 되도록, 별도로 제조된 침상 ITO 입자와 혼합한다. 더 구체적으로 설명하면, 상기 2 부류의 ITO 입자를 용매내에 균일하게 분산시켜 그 2 부류의 ITO 입자를 혼합함으로써 코팅 슬러리를 제조한다. 그런 다음, 이 슬러리를, 유리 판과 같은 투명한 기판에 도포하고, 용매를 증발시켜서 필름을 고착시킴으로써 투명한 도전성 코팅물을 제조하게 되는데, 이 코팅물은, 균일한 분산질이 되며, 낮은 헤이즈를 나타내고, 다량의 빛을 투과시키며, 낮은 전기 저항을 나타낸다.
용매와의 혼합에 있어서는, 침상 ITO 입자와 입상 ITO 입자를 용매내에 원하는 비율로 첨가한 다음 혼합하여 분산질이 되게 할 수 있다. 그와 달리, 침상 ITO 입자와 입상 ITO 입자를 원하는 비율로 건조 상태에서 혼합한 다음, 그 혼합물을 용매에 첨가하여 분산질이 형성되게 할 수 있다.
필요하다면, 입상 ITO 입자와의 혼합물내에 침상 ITO 입자를 포함하는 분말을 제조한 다음, 이 분말을 용매에 첨가하여 분산질이 형성되게 할 수 있다. 입상 ITO 입자와의 혼합물내에 침상 ITO 입자를 포함하는 분말을 제조하기 위해서는, 침상 Sn-함유 수산화인듐의 슬러리를 입상 Sn-함유 수산화인듐의 슬러리에 혼합하여, 그 혼합물을 여과시킨 다음, 여과 후 남은 물질을 탈수, 건조, 및 소성시킨다. 그와 달리, 침상 Sn-함유 수산화인듐 입자 및 입상 Sn-함유 수산화인듐 입자를 미리 혼합하여 슬러리를 형성한 다음, 이 슬러리를, 여과, 탈수, 건조, 및 소성 처리할 수도 있다.
코팅액은 종래의 방법에 의해 제조될 수 있다. 알코올, 케톤, 및 에테르 같은 유기 용매에, 계면활성제 및 결합제 같은 분산제를 첨가하여, 비드 밀(beads mill) 과 같은 분산 장치로 분산시킨다. 유기 결합제 또는 무기 결합제가 사용되는 경우에는, 먼저 그 결합제를 ITO 코팅액에 첨가한 다음, 이를 기판에 도포하여 코팅물을 형성시킬 수 있다. 그와 달리, ITO 코팅액으로부터 코팅물을 먼저 부착시킨 다음, 결합제를 그 코팅물에 도포하여 고착시킬 수도 있다.
면저항에 대한 요건 및 헤이즈 방지에 대한 요건의 동시 충족이 확실히 보장되게 하기 위하여, 침상 ITO 입자 및 입상 ITO 입자를, 2:98 내지 98:2 의 광범위한 범위에 걸친 중량비로 효과적으로 혼합할 수 있으며, 5:95 내지 50:50 의 중량비로 혼합하는 것이 바람직하고, 5:95 내지 30;70 의 중량비로 혼합하는 것이 더 바람직하다.
전술한 바와 같이, 침상 ITO 입자는, 0.5㎛ 이하의 장축, 0.1㎛ 이하의 단축, 1.5∼10 의 장축/단축 비, 및 2∼20 중량% 의 SnO2함량을 갖는 것이 바람직하다. 입상 ITO 입자는, 0.05㎛ 이하의 입자 크기 및 2∼20 중량% 의 SnO2함량을 갖는 것이 바람직하다.
상기 ITO 분말을 사용하면, 10㏀/?이하의 면저항과 우수한 광학 특성, 즉 헤이즈 측정에 의한 판별시 2% 이하의 헤이즈 값 및 80% 이상의 빛 투과율을 나타내는 투명한 도전성 필름을 제조할 수 있다.
본 발명의 장점은, 침상 ITO 입자와 입상 ITO 입자의 혼합 방식이 건식 인지 습식인지의 여부에 상관 없이 달성될 수 있다. 2 종류의 ITO 입자의 건식 혼합은, 단일한 분산 단계만을 필요로 하므로, 더 높은 생산성을 제공하는 장점을 가진다. 그러나, 건식 혼합 방법 또는 습식 혼합 방법의 선택은, 혼합 장비 및 혼합 작업의 용이성을 포함하는 여러 가지의 고려 조건에 따라 달라진다.
하기의 예는 본 발명의 더 상세히 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 기재된 것은 아니다.
〔실시예 1〕
18% 인듐을 함유하는 수성 염화수소산 200 g 에, 순수(純水)를 첨가하여 2.9 리터가 되게 하였다. 그 용액에 염화주석 5.4 g 을 첨가하여, 출발 물질인 산성 수용액을 제조하고, 이를 유리 비이커에 주입하였다. 별도 단계에서, 150 g 의 25% 수성 NH3를 1350 g 의 순수로 희석시키고, 그 결과로 얻어진 알칼리 용액을 상기 제조된 산성 수용액에 첨가하였다. 먼저, 20℃ 에 유지되고 있는 산성 수용액에, 17 분에 걸쳐서 알칼리 용액을 첨가하여 예비 중화시킴으로써 pH 3 이 되게 하였다. 그런 다음, 예비 중화된 용액의 온도를 90℃ 로 상승시키고, 남아있는 알칼리 용액을 60 분에 걸쳐서 예비 중화된 용액에 첨가하여 완전 중화되게 하였다. pH 의 최종치는 7.5 였다. 그렇게 하여 생성된 석출물을 여과에 의해 회수하여, 탈수 및 건조시킴으로써 고형물 형태의 Sn-함유 수산화인듐을 얻었다. 이 Sn-함유 수산화인듐 입자를 TEM 으로 관찰하였고, 도 1 은 그 관찰 결과를 보여준다. 상기 수산화물 입자는, 0.077㎛ 의 장축, 0.028㎛ 의 단축, 및 2.8 의 장축/단축 비를 나타내었다.
제조된 Sn-함유 수산화인듐을 관상(管狀) 로에 투입하여, 1.5 체적% 의 수증기와 0.05 체적% 의 NH3를 포함하는 600℃ 의 질소 가스 분위기에서 2 시간 동안 소성 처리하였다. 그렇게 하여 얻어진 Sn-함유 산화인듐 입자를 TEM 으로 관찰하였고, 도 2 는 그 관찰 결과를 보여준다. 상기 산화물 입자는, 0.041㎛ 의 장축, 0.025㎛ 의 단축, 및 1.64 의 장축/단축 비를 갖는 판상 입자로 나타났다. Sn-함유 산화인듐 입자의 장축과 단축은, TEM 사진으로부터 50 개의 입자를 선택하여, 이 입자들의 장축과 단축을 버니어캘리퍼스로 측정하여 배율을 곱하고, 이 들의 평균을 취하는 방식으로 결정되었다. 또한, 단축에 대한 장축의 비를 계산하였다. 실시예 1 에서 제조된 분말의 비표면적을 1-점 BET(one-point BET)법으로 측정하였더니, 27.5m2/g 을 나타내었다. 미소결정체의 직경 Dx 는 210Å 이었고, Dx/Dbet 는 0.68 이었다.
그렇게 하여 제조된 분말 5 g, 혼합 용매(에탄올과 프로판올의 7:3 혼합물)20 g, 및 분산제와 같은 음이온 계면활성제 0.25 g 을, 플레니터리 볼밀(planetary ball mill) ("Fritsche AG" 사의 P-5 모델, 용기 용량 = 80 mL, 밀링 매체 = 0.03 mmφPSZ 볼) 에 투입하였다. 상기 볼밀을 300 rpm 으로 30 분간 회전시켜서 분산질을 제조하였다. 콜로이드상 실리카 및 에탄올을 그 분산질에 첨가하여 코팅액을 제조하였는 데, 이 코팅액은, 2% 의 ITO 분말 및 2% 의 실리카를 포함하였고, 그 코닝액의 잔부는 에탄올과 프로판올로 이루어졌다. 유리판을 코팅 용액으로 스핀 코팅(spin coating)하고, 이를 200℃ 에서 30 분간 건조시켜 건조시켜, 0.3㎛ 두께의 투명한 도전성 필름을 형성시켰다. 이 필름은 5 ㏀/?의 면저항을 나타내었다. 분광광도법(spectrophotometry)에 의한 분석 결과, 상기 투명한 도전성 필름은, 90% 의 빛 투과율 (= 540 nm 인 경우) 을 갖는 우수한 특성을 나타내었다.
〔실시예 2〕
실시예 1 에서과 마찬가지로 산성 수용액 및 알칼리 용액을 제조하였다. 먼저, 20℃ 로 유지되고 있는 산성 수용액에, 15 분에 걸쳐서 알칼리 용액을 첨가하여 예비 중화시킴으로써, pH 3.5 가 되게 만들었다. 그런 다음, 남아있는 알칼리 용액을 60 분에 걸쳐서 첨가하여 완전 중화되게 하였다. pH 의 최종치는 7.5 였다. 그렇게 하여 생성된 석출물을 여과에 의해 회수하여, 탈수 및 건조시킴으로써 고형물 형태의 Sn-함유 수산화인듐을 얻었다. 이 Sn-함유 수산화인듐 입자를 TEM 으로 관찰하였고, 도 3 은 그 관찰 결과를 보여준다. 상기 수산화물 입자는, 0.246㎛ 의 장축, 0.062㎛ 의 단축, 및 4 의 장축/단축 비를 나타내었다.
제조된 Sn-함유 수산화인듐을 관상(管狀) 로에 투입하여, 1.5 체적% 의 수증기를 포함하는 700℃ 의 질소 가스 분위기에서 2 시간 동안 소성 처리하였다. 그렇게 하여 얻어진 Sn-함유 산화인듐 입자를 TEM 으로 관찰하였고, 도 4 는 그 관찰 결과를 보여준다. 상기 산화물 입자는, 0.075㎛ 의 장축, 0.029㎛ 의 단축, 및 2.6 의 장축/단축 비를 갖는 침상 입자로 나타났다. 실시예 2 에서 제조된 분말의 비표면적을 1-점 BET(one-point BET)법으로 측정하였더니, 33 m2/g 을 나타내었다. 미소결정체의 직경 Dx 는 165Å 이었고, Dx/Dbet 는 0.64 였다.
그렇게 하여 제조된 분말을, 스핀 코팅(spin coating)하고, 실시예 1 에서와 마찬가지로 처리하여, 0.3㎛ 두께의 투명한 도전성 필름을 형성시켰다. 이 필름은 45 ㏀/?의 면저항을 나타내었다. 분광광도법(spectrophotometry)에 의한 분석 결과, 상기 투명한 도전성 필름은, 90% 의 빛 투과율 (= 540 nm 인 경우) 을 갖는 우수한 특성을 나타내었다.
〔비교예 1〕
실시예 1 에서과 마찬가지로 산성 수용액 및 알칼리 용액을 제조하였다. 먼저, 35℃ 로 유지되고 있는 산성 수용액에, 60 분에 걸쳐서 알칼리 용액을 첨가하여, pH 의 최종치가 7.5 가 되게 만들었다. 그렇게 하여 생성된 석출물을 여과에 의해 회수하여, 탈수 및 건조시킴으로써 고형물 형태의 Sn-함유 수산화인듐을 얻었다. 이 Sn-함유 수산화인듐 입자를 TEM 으로 관찰하였고, 도 5 는 그 관찰 결과를 보여준다. 상기 수산화물 입자는, 0.039㎛ 의 장축 및 0.032㎛ 의 단축을갖는 괴상 형태를 나타내었다.
제조된 Sn-함유 수산화인듐을 관상(管狀) 로에 투입하여, 1.5 체적% 의 수증기 및 0.05 체적% 의 NH3를 포함하는 645℃ 의 질소 가스 분위기에서 2 시간 동안 소성 처리하였다. 그렇게 하여 얻어진 Sn-함유 산화인듐 입자를 TEM 으로 관찰하였고, 도 6 은 그 관찰 결과를 보여준다. 비교예 1 에서 제조된 분말의 비표면적을 1-점 BET(one-point BET)법으로 측정하였더니, 28 m2/g 을 나타내었다. 미소결정체의 직경 Dx 는 260Å 이었고, Dx/Dbet 는 0.86 이었다.
그렇게 하여 제조된 분말을, 스핀 코팅(spin coating)하고, 실시예 1 에서와 마찬가지로 처리하여, 0.3㎛ 두께의 투명한 도전성 필름을 형성시켰다. 이 필름은 20 ㏀/?의 면저항을 나타내었다. 분광광도법(spectrophotometry)에 의한 분석 결과, 상기 투명한 도전성 필름은, 90% 의 빛 투과율 (= 540 nm 인 경우) 을 갖는 우수한 특성을 나타내었다. 실시예 1 및 실시예 2 에서와는 달리, Sn-함유 산화인듐 입자는 상호 점접촉하였고, 이로 인하여 코팅물의 저항 값이 증가하였다.
〔비교예 2〕
중화 단계에서 산성 수용액이 50℃ 에 유지된 점만을 제외하면, 비교예 1 에서와 동일한 방법으로, Sn-함유 수산화인듐을 제조하였다. 이 Sn-함유 수산화인듐 입자를 TEM 으로 관찰하였고, 도 7 은 그 관찰 결과를 보여준다. 상기 수산화물 입자는, 0.215㎛ 의 장축, 0.105㎛ 의 단축, 및 2.1 의 장축/단축 비를 나타내었다.
제조된 Sn-함유 수산화인듐을, 700℃ 의 질소 가스 분위기에서 2 시간 동안 소성 처리하였다. 소성 처리에 의해 형성된 Sn-함유 산화인듐 입자를 TEM 으로 관찰하였고, 도 8 은 그 관찰 결과를 보여준다. 산화물 입자는, 0.270㎛ 의 장축, 0.150㎛ 의 단축, 및 1.8 의 장축/단축 비를 갖는 조대한 입자였다. 비교예 2 에서 제조된 분말의 비표면적을 1-점 BET(one-point BET)법으로 측정하였더니, 13.6 m2/g 을 나타내었다. 미소결정체의 직경 Dx 는 270Å 이었고, Dx/Dbet 는 0.43 이었다.
그렇게 하여 제조된 분말을, 스핀 코팅(spin coating)하고, 실시예 1 에서와 마찬가지로 처리하여, 0.3㎛ 두께의 투명한 도전성 필름을 형성시켰다. 이 필름은, 70% 정도의 낮은 빛 투과율과 15 ㏀/?의 높은 면저항을 나타내었다.
〔실시예 3〕
18% 인듐을 함유하는 수성 염산 200 g 에, 순수(純水)를 첨가하여 2.9 리터가 되게 하였다. 그 용액에 염화주석 5.4 g 을 첨가하여, 출발 물질인 산성 수용액을 제조하였다. 별도 단계에서, 150 g 의 25% 수성 NH3를 1350 g 의 순수로 희석시켜, 알칼리 용액을 제조하였다. 그런 다음, 20℃ 에 유지되고 있는 산성 수용액에, 17 분에 걸쳐서 알칼리 용액의 일부를 첨가하여 예비 중화시킴으로써 pH 3 이 되게 하였다. 그런 다음, 예비 중화된 용액의 온도를 90℃ 로 상승시키고, 남아있는 알칼리 용액을 60 분에 걸쳐서 예비 중화된 용액에 첨가하여 완전 중화되게 하였다. pH 의 최종치는 7.5 였다. 그렇게 하여 생성된 석출물을 여과에 의해회수하여, 탈수 및 건조시킴으로써, 침상 입자를 포함하는 고형물 형태의 Sn-함유 수산화인듐을 얻었다.
제조된 Sn-함유 수산화인듐을 관상(管狀) 로에 투입하여, 1.5 체적% 의 수증기와 0.05 체적% 의 NH3를 포함하는 600℃ 의 질소 가스 분위기에서 2 시간 동안 소성 처리하였다. 그렇게 하여 얻어진 Sn-함유 산화인듐 입자, 또는 5 중량% 의 Sn 함량을 갖는 ITO 입자는, 평균 0.069㎛ 의 장축, 평균 0.029㎛ 의 단축, 평균 2.38 의 장축/단축 비, 30.4 m2/g 의 BET 비표면적, 및 20.6 nm 의 미소결정체 직경 Dx 를 갖는 침상 입자로 나타났다.
그 다음 단계에서, 입상 ITO 입자가 제조되었다. 우선, 침상 ITO 입자를 제조하는데 사용되었던 과정을 반복하여, 산성 수용액과 알칼리 용액을 제조하였다. 그런 다음, 35℃ 에 유지되고 있는 산성 수용액에, 60 분에 걸쳐서 상기 알칼리 용액 전부를 첨가하여 최종적으로 pH 7.5 가 되게 하였다. 이 중화된 용액을 여과시키고, 남아있는 물질을 탈수 및 건조시킴으로써, Sn-함유 수산화인듐의 입상 입자를 얻었다. 얻어진 수산화인듐 입자는 0.039㎛ 의 장축과 0.032㎛ 의 단축을 갖는 괴상 형태로 나타났다.
제조된 Sn-함유 수산화인듐을 관상(管狀) 로에 투입하여, 1.5 체적% 의 수증기와 0.05 체적% 의 NH3를 포함하는 645℃ 의 질소 가스 분위기에서 2 시간 동안 소성 처리하였다. 그렇게 하여 얻어진 Sn-함유 산화인듐 입자, 또는 5 중량% 의Sn 함량을 갖는 ITO 입자는, 입상 형태를 나타내었다. 이 입자들은, 28 m2/g 의 BET 비표면적, 및 260 nm 의 미소결정체 직경 Dx 를 나타내었다.
1 g 의 침상 ITO 입자와 4 g 의 입상 ITO 입자를 믹서로 혼합하였다. 이 혼합 분말 5 g, 혼합 용매(에탄올과 프로판올의 7:3 혼합물) 20 g, 및 분산제와 같은 음이온 계면활성제 0.25 g 을, 플레니터리 볼밀(planetary ball mill) ("Fritsche AG" 사의 P-5 모델, 용기 용량 = 80 mL, 밀링 매체 = 0.03 mmφPSZ 볼) 에 투입하였다. 상기 볼밀을 300 rpm 으로 30 분간 회전시켜서 분산질을 제조하였다.
콜로이드상 실리카 및 에탄올을 그 분산질에 첨가하여 코팅액을 제조하였고, 2% 의 혼합 ITO 분말, 2% 의 실리카, 및 에탄올과 프로판올로 이루어진 잔부를 포함하는 슬러리를 제조하였다. 유리판을 그 슬러리로 스핀 코팅(spin coating)하고, 이를 200℃ 에서 30 분간 건조시켜 건조시켜, 0.3㎛ 두께의 투명한 도전성 코팅물을 형성시켰다.
코팅물은, 5.3 ㏀/?의 면저항을 나타내었으며, 'JIS K 7136' 의 방법에 따라 헤이즈 측정기("Nippon Denshoku Kogyo Co., Ltd." 사의 "turbodimeter NDH 2000") 헤이즈 및 투과율을 측정하였다. 투명한 도전성 코팅물은 90% 의 빛 투과율 및 1% 의 헤이즈 값을 갖는 양호한 특성을 나타내었다.
〔실시예 4〕
실시예 3 에서 제조된 2.5 g 의 침상 ITO 입자 및 실시예 3 에서 제조된 2.5g 의 입상 ITO 입자를 믹서로 혼합하였다. 그런 다음, 결과로 얻어진 50:50 의 혼합 ITO 분말을 실시예 3 에서와 마찬가지로 처리하여 슬러리를 제조하였고, 이를 유리 판상에 스핀 코팅하고 건조시켜 투명한 도전성 코팅물을 제조하였다.
코팅물은, 5.2 ㏀/?의 면저항을 나타내었으며, 90% 의 빛 투과율 및 1.5% 의 헤이즈 값을 나타내었다.
〔실시예 5〕
실시예 3 에서 제조된 4 g 의 침상 ITO 입자 및 실시예 3 에서 제조된 1 g 의 입상 ITO 입자가 혼합되었다는 점을 제외하고는, 실시예 3 과 동일한 절차를 반복하여 투명한 도전성 코팅물을 제조하였다.
코팅물은, 5.1 ㏀/?의 면저항을 나타내었으며, 90% 의 빛 투과율 및 2% 의 헤이즈 값을 나타내었다.
〔실시예 6〕
알칼리를 이용한 예비 중화의 실시 시간이 17 분에서 13 분으로 바뀐 점을 제외하고는, 실시예 3 과 동일한 절차를 반복하였다. 얻어진 Sn-함유 산화인듐의 침상 입자, 또는 5 중량% 의 Sn 함량을 갖는 ITO 입자는, 0.309㎛ 의 평균 장축 길이 0.071㎛ 의 평균 단축 길이, 4.37 의 평균 장축/단축 비, 20.7 m2/g 의 BET 비표면적, 및 16.7 nm 의 미소결정체 직경 Dx 를 나타내었다. 이 입자를 사용하여, 실시예 3 의 절차를 반복함으로써, 투명한 도전성 코팅물을 형성시켰다. 이 코팅물은, 5.1 ㏀/?의 면저항을 나타내었으며, 90% 의 빛 투과율 및 1.1% 의 헤이즈값을 나타내었다.
〔비교예 3〕
실시예 3 에서 제조된 입상 ITO 입자만을 사용하여, 실시예 3 의 절차를 반복함으로써, 투명한 도전성 코팅물을 형성시켰다. 이 코팅물은, 20 ㏀/?의 면저항을 나타내었으며, 90% 의 빛 투과율 및 1% 의 헤이즈 값을 나타내었다.
〔비교예 4〕
실시예 3 에서 제조된 침상 ITO 입자만을 사용하여, 실시예 3 의 절차를 반복함으로써, 투명한 도전성 코팅물을 형성시켰다. 이 코팅물은, 5 ㏀/?의 면저항을 나타내었으며, 90% 의 빛 투과율 및 5% 의 헤이즈 값을 나타내었다.
실시예 3 ∼ 6, 비교예 3, 및 비교예 4 에서 형성된 코팅물에 대하여 표 1 에 나타내었다. 침상 입자의 함량이 0 일때(입상 입자만이 사용되었을 때), 얻어진 분말은 양호한 분산성을 나타내었고, 높은 빛 투과율 및 낮은 헤이즈 값을 나타내었으나, 비정상적으로 높은 면저항을 나타내었다. 침상 입자의 함량을 증가시킴에 따라, 얻어진 분말의 분산성은 감소하였고, 코팅물의 헤이즈 값은 다소 증가하였으나, 면저항은 낮아졌다. 침상 입자의 상대 함량이 100% 가 됨에 따라(입상 입자를 사용하지 않음), 코팅물의 면저항은 더 감소하였으나, 헤이즈 값은 비정상적으로 높아졌다. 침상 입자와 입상 입자의 혼합 비율이 20:80 내지 80:20 의 범위에 있을 때, 얻어진 분말은 양호한 분산성을 나타내었고, 코팅물은 낮은 저항 값 및 낮은 헤이즈 값의 요건을 모두 충족시켰다.
혼합 ITO분말 혼합비 필름의저항 값㏀/? 투과율% 헤이즈%
침상 입상
실시예 3 20 80 5.3 90 1
실시예 4 50 50 5.2 90 1.5
실시예 5 80 20 5.1 90 2
실시예 6 20 80 5.1 90 1.1
비교예 3 0 100 20 90 1
비교예 4 100 0 5 90 5
본 발명의 한 가지 특징에 따르면, 규정치 이하의 장축과 단축 및 규정된 범위내의 장축/단축 비를 갖는 침상 또는 판상의 Sn-함유 산화인듐 입자를 제조할 수 있다. 그러한 입자로부터 제조되는 도전성 코팅물은, 입자간 접촉 면의 증가로 인하여 높은 더 전기전도도를 나타내며, 또한 높은 빛 투과율을 나타낸다. 그러한 코팅물은, 대형 브라운관에 사용되기에 적당하며, 표시 장치상에서 고선명 전극을 형성할 수 있다. 또한, 그러한 코팅물은, 코팅 방법에 의해 도포되므로, 저비용으로 제조될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 도전성 코팅물은, 침상 ITO 입자 및 입상 ITO 입자로 이루어지는 ITO 분말의 슬러리로부터 형성되는 데, 이 ITO 분말의 슬러리는, 규정치 이하의 장축과 단축 및 규정된 범위내의 장축/단축 비를 갖는 미세한 침상 또는 판상 ITO 입자와, 규정치 이하의 크기를 갖는 입상 또는 구상 ITO 입자가 규정된 비율로 혼합된 것이 바람직하다. 이 혼합된 ITO 분말로부터 제조된 도전성 코팅물은, 효과적으로 분산된 도전성 입자를 가지며, 입자간의 접촉면도 증가되어, 더 높은 전기전도도를 나타내게 되며, 입자의 양호한 분산성으로 인하여, 빛의 산란이 억제되어 헤이즈가 낮아지는 반면, 빛의 투과율은 높게 유지된다. 이러한 코팅물은 대형 브라운관에 사용되기에 적당하며, 표시 장치상에 고선명 전극을 형성할 수 있다. 또한, 이러한 코팅물은, 코팅 방법에 의해 도포되므로, 저비용으로 제조될 수 있다.

Claims (25)

  1. 0.2㎛ 이하의 장축 및 0.1㎛ 이하의 단축을 갖는 침상 또는 판상의 Sn-함유 산화인듐.
  2. 제 1 항에 있어서, 장축이 0.1㎛ 이하이고, 단축이 0.05㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 Sn-함유 산화인듐.
  3. 제 1 항 또는 2 항에 있어서, 1.5 ∼ 10 의 장축/단축 비를 갖는 것을 특징으로 하는 Sn-함유 산화인듐.
  4. 제 1 항 또는 2 항에 따른 Sn-함유 산화인듐 입자가 용매 또는 수지-함유 용매내에 분산되어 있는 코팅액.
  5. 제 3 항에 따른 Sn-함유 산화인듐 입자가 용매 또는 수지-함유 용매내에 분산되어 있는 코팅액.
  6. 제 1 항 또는 2 항에 따른 Sn-함유 산화인듐 입자를 도전성 물질로서 함유하는 전기전도성 코팅물.
  7. 제 3 항에 따른 Sn-함유 산화인듐 입자를 도전성 물질로서 함유하는 전기전도성 코팅물.
  8. 제 1 항 또는 2 항에 따른 Sn-함유 산화인듐을 제조하는 방법으로서,
    Sn 및 In 을 함유하는 산성 수용액을 제조하는 단계, 그 산성 수용액에 알칼리를 첨가하여 예비 중화시키는 단계, 그 예비 중화된 수용액의 온도를 상승시키는 단계, 그 수용액에 알칼리를 첨가하여 완전 중화시키는 단계, 및 그러한 단계를 거쳐 얻어진 Sn-함유 수산화인듐을 소성시키는 단계를 포함하는, Sn-함유 산화인듐 제조 방법.
  9. 제 3 항에 따른 Sn-함유 산화인듐을 제조하는 방법으로서,
    Sn 및 In 을 함유하는 산성 수용액을 제조하는 단계, 그 산성 수용액에 알칼리를 첨가하여 예비 중화시키는 단계, 그 예비 중화된 수용액의 온도를 상승시키는 단계, 그 수용액에 알칼리를 첨가하여 완전 중화시키는 단계, 및 그러한 단계를 거쳐 얻어진 Sn-함유 수산화인듐을 소성시키는 단계를 포함하는, Sn-함유 산화인듐 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 산성 수용액내의 산은 HCl, HNO3, 또는 H2SO4이고, 상기 알칼리는 NH4OH, NaOH, 또는 KOH 인 것을 특징으로 하는 Sn-함유 산화인듐 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 예비 중화된 용액은 2∼4 의 pH 를 가지며, 완전 중화된 용액은 7∼8 의 pH 를 갖는 것을 특징으로 하는 Sn-함유 산화인듐 제조 방법.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 예비 중화 단계는, 용액의 온도가 45℃ 이하인 조건에서 실시되고, 상기 완전 중화 단계는, 용액의 온도가 50℃ 이상인 조건에서 실시되는 것을 특징으로 하는 Sn-함유 산화인듐 제조 방법.
  13. 제 8 항에 있어서, 상기 소성은, 수증기 또는 수증기와 환원성 가스의 양자(兩者)를 포함하는 불활성 가스내에서, 300∼1,000℃ 의 온도하에, 상기 Sn-함유 수산화인듐 입자의 형상 이방성을 유지시키면서 실시되는 것을 특징으로 하는 Sn-함유 산화인듐 제조 방법.
  14. 적어도 침상 ITO 입자 및 입상 ITO 입자를 포함하여, 투명한 도전성 필름을 형성하는 ITO 분말.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 입상 ITO 입자에 대한 상기 침상 ITO 입자의 중량비가 2:98 내지 98:2 의 범위에 속하는 것을 특징으로 하는, 투명한 도전성 필름을 형성하는 ITO 분말.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 상기 침상 ITO 입자는, 0.5㎛ 이하의 장축, 0.1㎛ 이하의 단축, 1.5∼10 의 장축/단축 비, 및 2∼20 중량% 의 SnO2함량을 가지며, 상기 입상 ITO 입자는, 0.05㎛ 이하의 입자 크기 및 2∼20 중량% 의 SnO2함량을 갖는 것을 특징으로 하는, 투명한 도전성 필름을 형성하는 ITO 분말.
  17. 적어도 침상 ITO 입자 및 입상 ITO 입자를 포함하는 ITO 분말을 포함하는, 투명한 도전성 필름.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 입상 ITO 입자에 대한 침상 ITO 입자의 중량비가, 2:98 내지 98:2 의 범위에 속하는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 필름.
  19. 제 17 항 또는 18 항에 있어서, 상기 침상 ITO 입자는, 0.5㎛ 이하의 장축, 0.1㎛ 이하의 단축, 1.5∼10 의 장축/단축 비, 및 2∼20 중량% 의 SnO2함량을 가지며, 상기 입상 ITO 입자는, 0.05㎛ 이하의 입자 크기 및 2∼20 중량% 의 SnO2함량을 갖는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 필름.
  20. 제 17 항 또는 18 항에 있어서, 10㏀/? 이하의 면저항을 갖는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 필름.
  21. 제 19 항에 있어서, 10㏀/? 이하의 면저항을 갖는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 필름.
  22. 제 17 항 또는 18 항에 있어서, 헤이즈 측정에 있어, 80% 이상의 빛 투과율과 2% 이하의 헤이즈 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 필름.
  23. 제 19 항에 있어서, 헤이즈 측정에 있어, 80% 이상의 빛 투과율과 2% 이하의 헤이즈 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 필름.
  24. 제 17 항 또는 18 항의 투명한 도전성 필름을 형성시키는 방법으로서,
    상기 침상 ITO 입자와 상기 입상 ITO 입자를 용매내에서 혼합시키는 단계, 그 혼합된 입자를 분산시켜 슬러리를 형성시키는 단계, 및 그 슬러리를 투명한 기판에 도포하는 단계를 포함하는, 투명한 도전성 필름 형성 방법.
  25. 제 19 항의 투명한 도전성 필름을 형성시키는 방법으로서,
    상기 침상 ITO 입자와 상기 입상 ITO 입자를 용매내에서 혼합시키는 단계, 그 혼합된 입자를 분산시켜 슬러리를 형성시키는 단계, 및 그 슬러리를 투명한 기판에 도포하는 단계를 포함하는, 투명한 도전성 필름 형성 방법.
KR1020020031689A 2001-08-13 2002-06-05 주석-함유 산화인듐, 이의 제조 방법, 그 산화인듐을사용하는 코팅액, 및 그 산화인듐으로부터 형성된 전기전도성 코팅물 KR100670621B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001245701A JP4982691B2 (ja) 2001-08-13 2001-08-13 Ｓｎ含有Ｉｎ酸化物とその製造方法およびそれを用いた塗料ならびに導電性塗膜
JPJP-P-2001-00245701 2001-08-13
JP2001299862A JP5070554B2 (ja) 2001-09-28 2001-09-28 Ｉｔｏ粉および透明導電性膜並びにその成膜方法
JPJP-P-2001-00299862 2001-09-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030015123A true KR20030015123A (ko) 2003-02-20
KR100670621B1 KR100670621B1 (ko) 2007-01-17

Family

ID=26620504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020031689A KR100670621B1 (ko) 2001-08-13 2002-06-05 주석-함유 산화인듐, 이의 제조 방법, 그 산화인듐을사용하는 코팅액, 및 그 산화인듐으로부터 형성된 전기전도성 코팅물

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6908574B2 (ko)
KR (1) KR100670621B1 (ko)
TW (1) TWI311983B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101117309B1 (ko) * 2009-06-03 2012-03-20 한양대학교 산학협력단 산화인듐주석 미세분말의 제조방법
KR101352727B1 (ko) * 2006-08-28 2014-01-16 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 Ｉｔｏ 분체 및 그 제조 방법, ｉｔｏ 도전막용 도료, 및투명 도전막

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7172817B2 (en) * 2001-11-16 2007-02-06 Hitachi Maxell, Ltd. Indium particle containing tin, method for producing the same and electroconductive sheet comprising the same
JP4867130B2 (ja) * 2003-02-17 2012-02-01 三菱瓦斯化学株式会社 絶縁化超微粉末とその製造方法、およびそれを用いた高誘電率樹脂複合材料
DE10311645A1 (de) * 2003-03-14 2004-09-23 Degussa Ag Nanoskaliges Indium-Zinn-Mischoxidpulver
US8053171B2 (en) 2004-01-16 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and EL television
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
US20060191567A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photoelectric conversion element and method for producing photoelectric conversion element
US20070023765A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Thomas Alan C Acicular ITO for LED array
US20070045520A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photoelectric conversion device and imaging device
JP2007297608A (ja) * 2006-04-07 2007-11-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透光性導電塗料及び透光性導電膜並びに分散型エレクトロルミネッセンス素子
US20080121899A1 (en) * 2006-11-07 2008-05-29 World Properties, Inc. Transparent electrode for LED array
WO2010032286A1 (ja) * 2008-09-16 2010-03-25 三菱重工業株式会社 左右独立作動式コラム型加硫機
KR101279541B1 (ko) 2010-11-18 2013-06-28 한국세라믹기술원 주석이 고용된 인듐 산화물 분말과 이의 제조방법 및 주석이 고용된 인듐 산화물 분말을 이용한 인듐 산화물 타겟의 제조방법
JP5855948B2 (ja) * 2012-01-12 2016-02-09 ジオマテック株式会社 透明導電膜，透明導電膜付き基板，ｉｐｓ液晶セル，静電容量型タッチパネル及び透明導電膜付き基板の製造方法
CN105036181B (zh) * 2015-07-23 2017-01-11 柳州百韧特先进材料有限公司 混合颗粒形貌ito粉体的制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3069724D1 (en) * 1979-12-15 1985-01-10 Nitto Electric Ind Co Transparent electrically conductive film and process for production thereof
JP3251066B2 (ja) 1992-08-31 2002-01-28 富士チタン工業株式会社 針状導電性微粉末の製造方法
US5580496A (en) * 1993-04-05 1996-12-03 Sumitomo Metal Mining Company Limited Raw material for producing powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the raw material, powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the powder, electroconductive paste and light-transmitting
JP3294705B2 (ja) 1994-02-24 2002-06-24 住友金属鉱山株式会社 高温焼成用導電ペーストおよび透光性導電膜
JP3402397B2 (ja) 1994-02-17 2003-05-06 住友金属鉱山株式会社 インジウムー錫酸化物針状粉末製造用原料の製造方法
JP3557688B2 (ja) 1995-02-09 2004-08-25 株式会社クボタ 短冊状導電性粉末とその製造方法および用途
JPH08302246A (ja) * 1995-05-09 1996-11-19 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 高導電性と高膜強度とを有する透明な被膜形成用の塗料及び高導電性と高膜強度とを有する透明な被膜の形成方法と、陰極線管
US6200674B1 (en) * 1998-03-13 2001-03-13 Nanogram Corporation Tin oxide particles
US5939243A (en) * 1998-05-04 1999-08-17 Eastman Kodak Company Imaging element comprising an electrically-conductive layer containing mixed acicular and granular metal-containing particles and a transparent magnetic recording layer
US6168911B1 (en) * 1998-12-18 2001-01-02 Eastman Kodak Company Formulations for preparing metal oxide-based pigment-binder transparent electrically conductive layers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101352727B1 (ko) * 2006-08-28 2014-01-16 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 Ｉｔｏ 분체 및 그 제조 방법, ｉｔｏ 도전막용 도료, 및투명 도전막
KR101117309B1 (ko) * 2009-06-03 2012-03-20 한양대학교 산학협력단 산화인듐주석 미세분말의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US6908574B2 (en) 2005-06-21
US20030030036A1 (en) 2003-02-13
KR100670621B1 (ko) 2007-01-17
TWI311983B (en) 2009-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100670621B1 (ko) 주석-함유 산화인듐, 이의 제조 방법, 그 산화인듐을사용하는 코팅액, 및 그 산화인듐으로부터 형성된 전기전도성 코팅물
JP4134314B2 (ja) 導電性粉末の製造方法
JP2009084122A (ja) Ｉｔｏ粉体およびその製造方法、透明導電材用塗料、並びに透明導電膜
KR101251567B1 (ko) 니켈 분말 및 그 제조 방법, 그리고 도전성 페이스트
KR100474846B1 (ko) 인듐산화물 분말 및 인듐 주석 산화물 타겟의 제조방법
WO2010004912A1 (ja) Ｉｔｏ粒子の製造方法、およびｉｔｏ粉末、透明導電材用塗料並びに透明導電膜
Chen et al. Hydrothermal synthesis of BaTiO3 nanoparticles and role of PVA concentration in preparation
JP2008004332A (ja) 導電性粒子及びその導電性粒子で構成された導電性粉体とその製造方法並びに該導電性粉体を用いて得られる導電性インク
JP4982691B2 (ja) Ｓｎ含有Ｉｎ酸化物とその製造方法およびそれを用いた塗料ならびに導電性塗膜
JP4389368B2 (ja) 導電性顔料粉末及びこれを用いて作られた透明導電膜
EP3689498A1 (en) Silver powder mixture, method for producing same, and conductive paste
JP4134313B2 (ja) 導電性粉末の製造方法
JP5285412B2 (ja) 錫ドープ酸化インジウム粒子及びその製造方法
JP5070554B2 (ja) Ｉｔｏ粉および透明導電性膜並びにその成膜方法
JPH05193939A (ja) 酸化インジウム粉末及びｉｔｏ焼結体の製造方法
JPH1017324A (ja) 酸化インジウム粉末の製造方法
JP6952051B2 (ja) 赤外線遮蔽材、及び酸化スズ粒子の製造方法
JP6557556B2 (ja) 導電性粒子及びそれを含む導電性組成物
CN113772743B (zh) 一种锰钴复合氧化物粉体的制备方法
JPH11302016A (ja) 低温での成膜に適したｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法
KR101287804B1 (ko) 산화인듐주석 타겟의 제조방법
KR20020000685A (ko) 인듐 틴 옥사이드(ｉｔｏ)의 제조방법
JP2011054508A (ja) 白色導電性粉末
TW201434753A (zh) Ｉｔｏ粉末
TWI541305B (zh) Copper powder and the use of its copper paste, conductive paint, conductive film

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121227

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131218

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141230

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151217

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161220

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171219

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191217

Year of fee payment: 14