KR20020087478A - 프로세싱 탱크의 차징 및 디스차징 방법 - Google Patents

프로세싱 탱크의 차징 및 디스차징 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020087478A
KR20020087478A KR1020027013316A KR20027013316A KR20020087478A KR 20020087478 A KR20020087478 A KR 20020087478A KR 1020027013316 A KR1020027013316 A KR 1020027013316A KR 20027013316 A KR20027013316 A KR 20027013316A KR 20020087478 A KR20020087478 A KR 20020087478A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
gripper
processing tank
tank
processing
Prior art date
Application number
KR1020027013316A
Other languages
English (en)
Inventor
토마스 로데발트
펠릭스 뵈를레
Original Assignee
매트슨 웨트 프로덕츠 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 매트슨 웨트 프로덕츠 게엠베하 filed Critical 매트슨 웨트 프로덕츠 게엠베하
Publication of KR20020087478A publication Critical patent/KR20020087478A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Specific Conveyance Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 프로세스 탱크를 차지 및 디스차지하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 프로세스 탱크를 디스크형 기판으로 차지 및 디스차지하는 것을 단순화하는 것이다. 이를 위해, 디스크형 기판은 서로 직면하는 수용 슬롯을 갖는 적어도 두 개의 대향 그리퍼를 포함하는 그리퍼에 의해 차징 중에 픽업된다. 기판은 프로세스 탱크 내의 가이드 슬롯과 정렬되는 방식으로 프로세스 탱크 상에 위치된다. 그리퍼는 웨이퍼가 프로세스 탱크 내의 리프트된 기판 리프팅 소자와 접촉할 때까지 기판을 프로세스 탱크 내로 부분 하강시키기 위해 하강된다. 그리퍼 소자는 기판이 수용 슬롯 내부에 더 이상 유지 및 가이드되지 않는 위치쪽으로 이격되게 부분 이동시키고 그리퍼 소자는 리프팅 소자를 하강시킴으로써 프로세스 탱크 내로 더 하강된다. 기판을 디스차지하기 위해, 서로 직면하는 수용 슬롯을 갖는 적어도 두 개의 대향 그리퍼 소자를 포함하는 그리퍼는 탱크 내의 가이드 슬롯과 그리퍼 소자 내의 수용 슬롯이 서로 정렬되는 방식으로 프로세스 탱크 상에 위치된다. 기판은 기판 리프팅 소자에 의해 리프트되고 그리퍼 소자의 수용 슬롯 내로 도입된다. 소정의 위치에 도달했을 때, 그리퍼 소자는 기판을 파지하기 위해 서로를 향해 이동되고 기판은 그리퍼를 리프팅시킴으로써 프로세스 탱크 외부로 리프트된다.

Description

프로세싱 탱크의 차징 및 디스차징 방법 {METHOD FOR CHARGING AND DISCHARGING A PROCESS TANK}
반도체 산업에서 반도체 웨이퍼가 프로세싱 탱크 내에서 적어도 부분적으로 발생하는 상이한 처리 또는 프로세싱 단계를 거쳐야 함이 공지되어 있다. 프로세싱 중에, 반도체 웨이퍼는 상업적으로 탱크 내에서 소정의 방향으로 웨이퍼를 유지하기 위해 상승될 수 있는 웨이퍼 유지기 내에 수용된다. 상승 가능한 웨이퍼 유지기는 또한 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하기 위해 사용된다. 그러나, 이러한 웨이퍼 유지기는 예를 들어 큰 프로세싱 탱크를 야기하는 큰 부피와 같은 다양한 단점을 갖는다. 더욱이, 웨이퍼 유지기가 프로세싱 탱크 외부로 상승될 때, 액체가 웨이퍼와 웨이퍼 유지기 사이의 접촉 지점에 부착될 위험성이 존재하며, 이는 웨이퍼의 또다른 프로세싱에 악영향을 준다. 또한, 이러한 웨이퍼 유지기는 프로세싱 탱크 내의 유동 조건을 방해하여, 기판 프로세싱의 균일성에 악영향을 줄 수 있다. 반도체 웨이퍼가 웨이퍼 유지기로 프로세싱 탱크 내에 도입되고 외부로 상승되는 시스템의 일 예는 미국 특허 제 5,370,142호에 개시되어 있다.
다른 형태의 프로세싱 탱크에서는, 반도체 웨이퍼를 수용하고 가이드하기 위한 가이드 슬롯이 탱크의 측벽 내에 제공되어 있다. 수직 방향으로 웨이퍼를 지지하기 위해, 일반적으로 블레이드와 같은 스트립 형태의 중심 배열된 리프팅 소자가 제공되며 이를 통해 웨이퍼가 탱크 내에서 하강 및 상승된다. 이러한 프로세싱 탱크의 로딩 및 언로딩을 위해, 프로세싱 탱크 내의 가이드 슬롯과 대응하는 가이드 슬롯을 갖는 이송 후드가 제공된다. 후드 내의 록킹 기구는 후드 내에서 웨이퍼를 고정시키기 위한 위치 내에 있다. 프로세싱 탱크의 로딩 중에, 이미 웨이퍼로 로딩된 후드는 탱크 상으로 이동되고 리프팅 소자는 상승되어 웨이퍼와 접촉하게 된다. 록킹 또는 고정이 연속적으로 해제되고, 리프팅 소자가 하강되어, 웨이퍼는 초기에 가이드 슬롯에 의해 후드 내에 그리고 연속적으로 가이드 슬롯에 의해 탱크 내에 가이드된다. 이러한 시스템에 대한 일 예는 동일 출원인의 DE-A-196 52 526호에 개시되어 있다.
이러한 시스템은 우선 후드가 프로세싱 탱크를 연속적으로 로딩하기 위해 로딩되어야 하는 단점을 갖는다. 더욱이, 프로세싱 탱크의 언로딩 후에 후드 자체가 언로딩되어야 하며, 이는 프로세싱 시스템의 조작 복잡성(handling complexity)을 상당히 증가시킨다. 더욱이, 후드의 형성은 상당히 거대하고 고가이다. 더욱이, 후드는 프로세싱 탱크로부터 상승하는 가스가 후드 내에 수집되어 후드의 측벽에 대향해 증착되는 문제점을 갖는다. 프로세싱 액체가 후드 자체 뿐만 아니라 그 내부에 배열된 가이드 슬롯을 습윤시키기 때문에, 프로세싱 액체로 습윤되고 처리 공정에서 필요한 기판의 처리는 후드에 대해 불가능하다. 후드의 형성으로 인해, 프로세싱 액체는 후드로부터 제거될 수 없다. 이는 웨이퍼 및/또는 연속적인 프로세싱 영역의 오염을 야기한다.
프로세싱 액체를 함유하는 탱크 내에서 기판의 습윤 처리용 유닛이 DE-A-169 378 75호에 개시되어 있다. 상기 유닛으로, 기판은 기판 캐리어에 의해 탱크 내에 장착된다. 제거 중에, 탱크 내에 기판의 정렬 및 중심 위치 선정은 탱크 내에 제공된 기판 수용 장치에 의해 영향을 받는다. 제거 중에, 기판은 탱크 상으로 이동되고 측면 가이드 슬롯이 제공된 후드 내로 이동되고, 이에 의해 후드 내의 측면 가이드 슬롯은 기판 수용 장치의 가이드 장치와 정렬된다.
웨이퍼 세정 장치는 또한 JP-A-052 706 60호로부터 공지되어 있으며, 이에 따라 웨이퍼는 웨이퍼 그리퍼를 통해 처리 유체로 채워진 탱크 내에 도입된다. 웨이퍼 유지기는 웨이퍼를 가진 채 프로세싱 탱크 내에 도입되고, 웨이퍼는 프로세싱 탱크 내에 고정되게 제공된 수용 수단으로 이송되는데, 이는 그리퍼를 개방함으로써 달성된다. 프로세싱 중에, 그리퍼는 프로세싱 탱크 외부로 이동되고 웨이퍼의 언로딩은 반대 방식으로 실행된다.
또한 JP 05 338 794호가 참조되는데, 여기에서는 웨이퍼를 수용하기 위한 가이드와 함께 두 개의 대향 배열된 그리퍼 아암을 구비한 웨이퍼 그리퍼가 제공되어 있다. 그리퍼 아암 내의 가이드는 기판이 가이드와 기판 사이의 마찰에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해 웨이퍼의 재료보다 연질의 재료로 제조된다.
본 발명은 디스크형 기판, 특히 반도체 기판을 프로세싱 탱크에 로딩하기 위한 방법 뿐만 아니라 디스크형 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 언로딩하기 위한 방법에 관한 것이다.
본 발명은 도면과 함께 바람직한 실시예를 통해 보다 상세히 설명될 것이다.
도 1은 설명의 단순화를 위해 소정의 부재가 생략된 웨이퍼 프로세싱 장치의 사시도이며,
도 2는 본 발명에 따른 방법의 실행 중에 사용되는 기판 그리퍼의 사시도이며,
도 3은 기판 그리퍼의 치형 래크 내에 있는 슬롯의 개략도이며,
도 4, 도 5, 및 도 6은 프로세싱 탱크 내로 반도체 웨이퍼의 로딩 중에 상이한 방법의 단계를 도시한다.
전술한 선행 기술로부터, 본 발명의 목적은 기판의 처리, 특히 프로세싱 탱크 내외로 디스크형 기판의 로딩 및 언로딩을 단순화하고, 기판의 오염 위험을 감소시키는 것이다.
본 발명에 따라, 본 발명의 목적은 직면 수용 슬롯을 갖춘 두 개 이상의 대향 배열된 그리퍼 소자를 구비한 그리퍼로 상기 기판을 파지하는 단계와, 상기 기판이 상기 프로세스 탱크 내부의 가이드 슬롯과 정렬되도록 상기 프로세싱 탱크 위에 상기 기판을 위치시키는 단계와, 상기 기판을 프로세싱 내측으로 부분 하강시키기 위해, 상기 기판이 프로세싱 탱크 내부의 상승된 기판 리프팅 소자와 접촉할 때까지 상기 그리퍼를 하강시키는 단계와, 상기 기판이 상기 수용 슬롯 내부에 더 이상 유지 및 가이드되지 않는 위치쪽으로 상기 그리퍼를 이격되게 부분 이동시키는 단계, 및 상기 리프팅 소자를 하강시킴으로써 상기 기판을 프로세싱 탱크 내측으로 더욱 하강시키는 단계를 통해 디스크형 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 프로세싱 탱크에 로딩하는 방법으로 실현된다. 상기 방법으로 인해, 간단한 방식으로 기판 그리퍼에 의해 측면 가이드 슬롯을 갖는 프로세싱 탱크를 직접 로딩할 수 있다. 기판 그리퍼의 그리퍼 소자는 리프팅 소자에 의해 프로세싱 탱크 내로의 하강 중에 기판을 가이드하는 방식으로 제어되기 때문에, 뒤틀림 및 기판의 손상 위험이 방지된다. 그리퍼는 단순하게 구성될 수 있고, 측벽을 갖는 밀폐된 후드가 제공되지 않는다는 사실로 인해, 웨이퍼의 오염 위험성은 상당히 감소된다.
가능한 한 오랫동안 그리퍼에 의해 기판의 가이드를 보장하기 위해, 그리퍼 소자는 바람직하게 기판의 외형을 따른다. 그리퍼 소자에 의한 가이드와 탱크 내의 가이드 슬롯에 의한 가이드 사이의 가능한 부드러운 천이를 위해, 그리퍼 소자는 탱크의 상부 에지 상에 또는 에지 직상의 위치로 하강된다.
본 발명의 목적은 디스크형 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 기판 리프팅 소자 및 탱크 내의 가이드 슬롯을 통해 프로세싱 탱크 외부로 언로딩하는 방법에 의해 실현되며, 여기서 직면 수용 슬롯을 갖는 적어도 두 개의 대향 배열된 그리퍼 소자가 제공된 그리퍼가 탱크 내의 가이드 슬롯과 그리퍼 소자 내의 수용 슬롯이 서로 정렬되는 방식으로 프로세싱 탱크 상에 위치되며, 기판이 상승되어 그리퍼 소자의 수용 슬롯 내로 도입되며, 기판을 파지하기 위한 그리퍼 소자가 서로를 향해 이동되며, 그리고 기판은 그리퍼를 상승시킴으로써 프로세싱 탱크 외부로 연속적으로 상승된다.
상기 언로딩 방법으로 인해, 단순한 형태를 갖는 그리퍼가 사용될 수 있고, 오염물이 부착하여 기판으로 이동될 수 있는 큰 표면을 갖지 않는다.
기판 리프팅 소자에 의한 상승 중에 기판을 가능한 한 신속하게 가이드하기 위해, 그리퍼 소자는 기판 외형을 따른다. 기판의 상승 중에, 그리퍼 소자는 바람직하게 프로세싱 탱크의 상부 에지 상에 또는 직상에 위치된다. 신뢰할 수 있는 기판 유지를 위해, 그리퍼는 바람직하게 그 중심선 아래에서 기판을 파지한다.
도 1은 반도체 웨이퍼의 프로세싱용 장치(1)를 도시한다. 상기 장치에는 도 2에서 가장 잘 인식될 수 있는 그리퍼(5)를 갖는 웨이퍼 처리 장치(3)가 제공되어 있다.
그리퍼(5)는 기본적으로 수평으로 배열되고 각각의 아암(10, 11)을 통해 회전축(13, 14) 상에 고정되는 두 개의 치형 래크(7, 8, toothed rack)로 형성된다. 치형 래크(7)에는 반도체 웨이퍼(20)를 수용하고 가이드하기 위한 수용 슬롯(15)이 제공되어 있다. 치형 래크(7 및 8)의 수용 슬롯(15)은 서로 마주 보고 있으며 도 3에서 가장 잘 알 수 있는 것처럼, 가이드 및 중심 위치 영역(16) 뿐만 아니라 유지 영역(17)을 포함하고 있다. 가이드 및 중심 위치 영역(16)에는 서로 향하는 경사면(18)이 제공되어 있으며 이를 따라 반도체 기판은 수용 슬롯(15)에 관해 중심 위치에 도달하도록 이동할 수 있다. 유지 영역(17)은 특히 경사면(18)이 서로 가장 근접하게 되는 위치에서 가이드 및 중심 위치 영역(16)과 직접 인접한다. 유지 영역(17)에는 유사하게 서로 향하는 경사면(19)이 제공되어 있다. 경사면(19)은 경사면(18) 보다 급경사로 서로 향한다. 수용 영역(15)의 유지 영역은 웨이퍼(20)의 좁고 정확한 가이드 뿐만 아니라 신뢰성 있는 유지를 보장한다. 각각의 축(13, 14)을 회전시킴으로써, 치형 래크(17, 18)는 보다 상세히 설명되는 것처럼 서로 근접하게 및 이격되게 이동 가능하다.
축(13, 14)의 회전을 위해, 도 1에서 가장 잘 인식될 수 있는 구동 유닛(22)이 제공된다. 또한 그리퍼(5)는 특히 수직 연장 레일(24)과 수평 연장 가이드 레일(26) 상에 각각 배열된 적절한 이동 기구를 통해 수직으로 및 수평으로 이동 가능하다. 장치(1)에는 또한 복수의 프로세싱 탱크가 제공되는데, 이는 도 1에서 도시의 단순화를 위해 생략되었다.
그러나, 도 4 내지 도 6은 처리 또는 프로세싱 탱크(28)를 개략적으로 도시한다. 프로세싱 탱크는 도시되지 않은 라인을 통해 처리 유체로 채워질 수 있다.
탱크의 내부로 연장하고 반도체 웨이퍼를 수용 및 가이드하기 위한 가이드 슬롯 사이에 형성하는 가이드 돌출부(31, 32)가 프로세싱 챔버(28)의 대향 배열된 내측벽 상에 제공된다. 또한 수직 방향으로 이송 가능한 블레이드 같은 리브 또는 바아 형태의 리프팅 소자(33)가 탱크(28) 내에 배열된다. 상이한 프로세싱 탱크 내에 배열된 두 개의 리프팅 소자(33)용 수직 가이드 레일(35)이 도 1에 도시된다.
도 1에 도시된 장치(1)에는 도시되지 않은 프로세싱 탱크 상에 위치될 수 있고, 상기 장치의 적절한 수직 및 수평 가이드 레일을 통해 이동 가능한 후드(36)가 제공된다. 후드(36)는 웨이퍼가 마랑고니 공정(Marangoni process)에 따른 탱크 중 하나 내에서 처리된 후에 건조되면 사용된다.
그리퍼(5) 또는 후드(36)의 이동은 예를 들어 서보모터(37)와 같은 적절한구동 유닛을 통해 이루어진다.
본 발명에 따라 반도체 웨이퍼(20)의 프로세싱 탱크(28) 내로의 로딩은 도 4 내지 도 6을 참조하여 설명될 것이다.
많은 수의 반도체 웨이퍼(20)는 우선 그리퍼(5)에 의해 파지된다. 이렇게 하기 위해, 웨이퍼(20)는 치형 래크(7, 8)의 수용 슬롯(15)의 유지 영역(17) 내에 측면으로 가이드되어 수용된다.
그리퍼(5)는 웨이퍼(20)가 가이드 소자(30, 31) 사이에 형성된 가이드 슬롯과 정렬되도록 프로세싱 탱크(28) 상에 연속적으로 이동된다. 그리퍼(5)는 치형 래크(7, 8)가 프로세싱 탱크(28)의 상부 에지 직상에 배열되는 도 4에 도시된 위치로 연속적으로 하강된다. 이와 관련하여, 웨이퍼(20)는 프로세싱 챔버(28) 내로 부분 도입된다. 리프팅 소자(33)는 상승 위치에 있고 하부 지점에서 웨이퍼(20)와 접촉한다.
각각의 축(13, 14)을 회전시킴으로써, 치형 래크(7, 8)는 서로 이격되도록 이동되어, 웨이퍼(20)는 수용 슬롯(15)의 유지 영역(17) 밖으로 이동되어 더이상 그리퍼(5)에 의해 유지되지 않지만, 그 전체 무게가 리프팅 소자(3) 상에 놓인다. 이와 관련하여, 그러나 치형 래크(7, 8)는 웨이퍼(20)가 수용 슬롯(15)의 가이드 및 중앙 위치 영역(16) 내에 수용되고 가이드되는 정도로 분리되어 이동된다.
리프팅 소자(33)는 연속적으로 하강되며, 그 결과 웨이퍼(20)는 프로세싱 탱크(28) 내로 하강된다. 도 5는 하강 공정 중에 리프팅 소자(33)가 중간 위치에 있는 일 실시예를 도시한다. 도 4에서 용이하게 인식할 수 있는 것처럼, 웨이퍼(20)는 치형 래크(7, 8)에 의해 계속 가이드된다. 그러나, 동시에 웨이퍼(20)는 가이드 돌출부(30, 31) 사이에 형성된 가이드 슬롯에 의해 미리 가이드된다.
도 6은 웨이퍼(20)가 완전히 하강된 위치를 도시하며, 여기서 웨이퍼는 리프팅 소자(33) 상에 놓이고 가이드 돌출부(30, 31)에 의해 프로세싱 탱크 내로 가이드된다.
도면에 도시되진 않았지만, 웨이퍼(20)가 가이드 돌출부(30, 31)에 의해 탱크(28) 내로 가이드되자 마자, 그리퍼(5)는 예를 들어 또다른 프로세싱 탱크를 로딩 또는 언로딩하기 위해 피봇되어 프로세싱 탱크의 영역 외부로 이동될 수 있다.
리프팅 소자(33)의 하강 중에, 치형 래크(7, 8)가 웨이퍼(20)의 외형을 따르는 방식으로, 즉 웨이퍼 외형과 일치하도록 치형 래크(7, 8)를 제어할 수 있으며, 치형 래크(7, 8)는 서로 근접하게 및 이격되게 이동된다. 이는 웨이퍼의 하강 중에 치형 래크(7, 8)에 의해 특히 장거리 가이드를 제공한다. 그러므로, 프로세싱 탱크(28) 내의 가이드 소자(30, 31)는 최소로 감소될 수 있으며, 이는 탱크 내에서의 유동 조건을 개선시킨다.
프로세싱 탱크(28)의 언로딩은 로딩과 반대 방식으로 수행된다. 그러므로, 그리퍼(5)는 우선 도 6에 도시된 탱크(28) 상의 위치로 이동되고, 이에 의해 치형 래크(7, 8)의 수용 슬롯(15)의 가이드 영역(16)은 프로세싱 탱크 내의 가이드 슬롯과 정렬된다. 웨이퍼는 리프팅 소자(33)를 통해 연속적으로 상승되고 가이드 영역(16) 내에 수용되며, 원뿔 형상의 가이드 표면으로 인해 치형 래크(7, 8)의 수용 슬롯(15)에 관한 웨이퍼(20)의 중심 위치가 도 4에 도시된 것처럼 달성된다.치형 래크(7, 8)가 소정의 위치, 예를 들어 웨이퍼(20)의 중심선 아래에 배열되는 정도로 웨이퍼가 상승했을 때, 치형 래크(7, 8)는 도 3에 도시된 것처럼 수용 슬롯의 유지 영역(17) 내에 웨이퍼(20)를 도입 및 파지하기 위해 서로를 향해 이동된다. 그리퍼(5)는 탱크(28) 외부로 웨이퍼(20) 전체를 상승시키기 위해 연속적으로 상승된다.
본 발명은 바람직한 실시예를 참조하여 설명되었지만, 이에 한정되지 않는다. 특히, 그리퍼(5)의 형태는 도시된 형태와 다를 수도 있다. 예를 들어, 치형 래크(7, 8)는 축(13, 14)과 연결 아암(10, 11)을 통해 피벗될 필요는 없다. 오히려, 치형 래크(7, 8)를 서로 근접하게 및 이격되게 선형적으로 이동할 수 있다.

Claims (9)

  1. 디스크형 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 프로세싱 탱크에 로딩하는 방법으로서,
    직면 수용 슬롯을 갖춘 두 개 이상의 대향 배열된 그리퍼 소자를 구비한 그리퍼로 상기 기판을 파지하는 단계와,
    상기 기판이 상기 프로세스 탱크 내부의 가이드 슬롯과 정렬되도록 상기 프로세싱 탱크 위에 상기 기판을 위치시키는 단계와,
    상기 기판을 프로세싱 내측으로 부분 하강시키기 위해, 상기 기판이 프로세싱 탱크 내부의 상승된 기판 리프팅 소자와 접촉할 때까지 상기 그리퍼를 하강시키는 단계와,
    상기 기판이 상기 수용 슬롯 내부에 더 이상 유지 및 가이드되지 않는 위치쪽으로 상기 그리퍼를 이격되게 부분 이동시키는 단계, 및
    상기 리프팅 소자를 하강시킴으로써 상기 기판을 프로세싱 탱크 내측으로 더욱 하강시키는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판을 더욱 하강시키는 단계 동안에 상기 그리퍼 소자는 기판의 외형을 따르는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 그리퍼 소자는 상기 프로세싱 탱크의상부 에지에서 또는 상기 프로세싱 상부 에지 바로 위의 위치쪽으로 하강되는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파지 단계 동안에 상기 기판이 상기 수용 슬롯에 대해 중심이 맞춰지는 방법.
  5. 기판 리프팅 소자와 내부에 가이드 슬롯을 갖춘 프로세싱 탱크로부터 디스크형 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 언로딩하는 방법으로서,
    상기 프로세싱 탱크 내부의 가이드 슬롯 및 그리퍼 소자 내부의 수용 슬롯이 서로 정렬되도록 직면 수용 슬롯을 갖춘 두 개 이상의 대향 배열된 그리퍼 소자를 구비한 그리퍼를 상기 프로세싱 챔버 위에 위치시키는 단계와,
    상기 기판 리프팅 소자에 의해 기판을 상승시켜 상기 그리퍼 소자의 수용 슬롯 내측으로 도입하는 단계와,
    기판을 파지하도록 상기 그리퍼 소자를 서로를 향해 이동시키는 단계, 및
    상기 그리퍼를 상승시킴으로써 상기 프로세싱 탱크로부터 상기 기판을 상승시키는 단계를 포함하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 그리퍼 소자는 상기 기판 리프팅 소자에 의해 기판을 상승시키는 동안에 기판의 외형을 따르는 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 그리퍼 소자는 상기 기판을 상승시키는 동안에 상기 프로세싱 탱크의 상부 에지에 또는 상기 상부 에지의 조금 위에 위치되는 방법.
  8. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 그리퍼는 중심선 아래에서 기판을 파지하는 방법.
  9. 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수용 슬롯 내측으로의 도입 중에 상기 기판이 상기 수용 슬롯에 대해 중심이 맞춰지는 방법.
KR1020027013316A 2000-04-05 2001-03-29 프로세싱 탱크의 차징 및 디스차징 방법 KR20020087478A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10017010A DE10017010C2 (de) 2000-04-05 2000-04-05 Verfahren zum Be- und Entladen eines Behandlungsbeckens
EP10017010.2 2000-04-05
PCT/EP2001/003577 WO2001078112A1 (de) 2000-04-05 2001-03-29 Verfahren zum be- und entladen eines behandlungsbeckens

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020087478A true KR20020087478A (ko) 2002-11-22

Family

ID=7637724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020027013316A KR20020087478A (ko) 2000-04-05 2001-03-29 프로세싱 탱크의 차징 및 디스차징 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20030108409A1 (ko)
EP (1) EP1285459A2 (ko)
JP (1) JP2003530282A (ko)
KR (1) KR20020087478A (ko)
DE (1) DE10017010C2 (ko)
TW (1) TW508340B (ko)
WO (1) WO2001078112A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10239578A1 (de) * 2002-08-28 2004-03-18 Mattson Wet Products Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten
KR101203894B1 (ko) * 2010-06-16 2012-11-23 주식회사 에스에프에이 기판 그립 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5505577A (en) * 1990-11-17 1996-04-09 Tokyo Electron Limited Transfer apparatus
US5188499A (en) * 1990-12-14 1993-02-23 Mactronix Method and apparatus for varying wafer spacing
JPH05270660A (ja) * 1992-03-24 1993-10-19 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置
JP3002604B2 (ja) * 1992-06-11 2000-01-24 三菱電機株式会社 製品搬送用ハンド
JP3194209B2 (ja) * 1992-11-10 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置
JPH06196467A (ja) * 1992-12-24 1994-07-15 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JPH07297165A (ja) * 1994-04-22 1995-11-10 Nippon Steel Corp 半導体基板の洗浄液乾燥方法
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
US5853496A (en) * 1995-08-08 1998-12-29 Tokyo Electron Limited Transfer machine, transfer method, cleaning machine, and cleaning method
JPH09172052A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Fujitsu Ltd ウェーハ移載装置及びウェーハ移載方法
DE19637875C2 (de) * 1996-04-17 1999-07-22 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur Naßbehandlung von Substraten
DE19652526C2 (de) * 1996-04-22 2000-12-07 Steag Micro Tech Gmbh Transporteinrichtung für Substrate und Verfahren zum Beladen der Transporteinrichtung mit Substraten
JP3548373B2 (ja) * 1997-03-24 2004-07-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH11121585A (ja) * 1997-10-17 1999-04-30 Olympus Optical Co Ltd ウェハ搬送装置
US6457929B2 (en) * 1998-11-03 2002-10-01 Seh America, Inc. Apparatus and method for automatically transferring wafers between wafer holders in a liquid environment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003530282A (ja) 2003-10-14
TW508340B (en) 2002-11-01
EP1285459A2 (de) 2003-02-26
DE10017010A1 (de) 2001-10-18
WO2001078112A1 (de) 2001-10-18
WO2001078112A8 (de) 2002-12-19
US20030108409A1 (en) 2003-06-12
DE10017010C2 (de) 2002-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100676516B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
US6331095B1 (en) Transportation system and processing apparatus employing the transportation system
KR100914764B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100623170B1 (ko) 플랫 디스크형 서스셉터를 구비한 에픽택셜 유도 반응기 내에서 셀프-레벨링 진공 시스템에 의해 기판을 핸들링하는 장치 및 그 작동 방법
KR100638942B1 (ko) 각각의 웨이퍼를 처리하기 위한 장치 및 방법
US6354794B2 (en) Method for automatically transferring wafers between wafer holders in a liquid environment
KR20010005697A (ko) 웨이퍼를 카세트로부터 노로 운반하는 시스템 및 그 방법
JP4401285B2 (ja) 基板処理装置
US4520834A (en) Apparatus for processing articles in a series of process solution containers
KR100292649B1 (ko) 반송장치, 반송방법, 세정장치 및 세정방법
WO1999062107A1 (en) Batch end effector for semiconductor wafer handling
JP4091340B2 (ja) 基板処理装置
KR102042789B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20020087478A (ko) 프로세싱 탱크의 차징 및 디스차징 방법
JP3202898B2 (ja) 搬送装置、搬送方法、洗浄装置及び洗浄方法
JPH05200689A (ja) ウエハ保持装置およびその保持方法
US6379470B2 (en) Method and device for treating substrates
JP2003530282A6 (ja) 処理タンクをローディング及びアンローディングするための方法
KR102247680B1 (ko) 유체 공급유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
JP3248654B2 (ja) 洗浄装置
KR100375866B1 (ko) 유체 컨테이너에서 기판을 처리하기 위한 방법 및 장치
CN114267619B (zh) 倾斜装置及晶圆片同侧倾斜方法
KR20010089696A (ko) 기판을 프로세싱하기 위한 장치
KR100220817B1 (ko) 화학기상증착장치
US6270585B1 (en) Device and process for treating substrates in a fluid container

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid