KR20020087376A - 전압 측정 방법, 전기적 검사 방법 및 장치, 반도체장치의 제조 방법 및 장치 기판의 제조 방법 - Google Patents
전압 측정 방법, 전기적 검사 방법 및 장치, 반도체장치의 제조 방법 및 장치 기판의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
배선 상에 프로브를 사용하는 않는 간단한 검사 방법과 이 검사 방법을 사용하는 검사 장치가 제공된다. 검사 기판에 포함되는 1차 코일과 OLED 패널에 포함되는 2차 코일이 일정한 간격을 두고 함께 중첩되어 있다. 교류 전압이 1차 코일에 입력되어 전자(電磁) 유도에 의해 2차 코일 상에 기전력을 발생시킨다. 이 기전력을 사용하여, OLED 패널에 포함되는 화소가 동작된다. 화소 전극과 검사용 전극은 일정한 간격을 두고 함께 중첩되어 있다. 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압을 감시함으로써, 결함 지점이 검출된다. 더욱이, 각각의 화소의 동작 상태는 검사용 전극의 위치를 변화시키면서 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압을 감시함으로써 확인될 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 장치에 포함되는 각각의 화소를 동작시킴으로써 화소 전극에 인가되는 전압 값을 판독하기 위한 전압 측정 방법과, 그 전압 측정 방법을 사용하여 화소부가 정상적으로 동작하는지의 여부에 대한 검사를 수행하기 위한 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 비접촉형 전압 측정 방법 및 전기적 검사 방법과 이 방법들을 사용하는 비접촉형 전기적 검사 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 검사 방법을 사용하는 검사 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법과, 상기 반도체 장치의 제조 방법을 사용하여 제조되는 반도체 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 검사 방법을 사용하는 검사 공정을 포함하는 장치 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 기판과 덮개 부재 사이에 밀폐된 유기 발광 소자(OLED)를 갖는 OLED 패널에서, OLED 패널을 형성하기에 앞서 화소를 동작시킴으로써 화소 전극에 인가되는 전압 값을 판독하기 위한 전압 측정 방법과, 이 전압 측정 방법을 사용하여 화소부가 정상적으로 동작하는지의 여부를 검사하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 비접촉형 전기적 검사 방법과 이 방법을 이용한 비접촉형 전기적 검사 장치에 관한 것이다.
본 설명에서, 제어기를 포함하는 IC 등이 설치된 OLED 패널을 OLED 모듈로 칭하고, OLED 패널과 OLED 모듈을 발광 장치로 총칭한다.
최근, 기판 상에 TFT를 형성하기 위한 기술은 현저하게 진보하고 있다. 개발자는 액티브 매트릭스형 전자 표시장치에 그의 응용을 시도하고 있다. 특히, 폴리실리콘막을 사용하는 TFT는 비정질 실리콘막을 사용하는 TFT에 비해 높은 전계 효과 이동도(또는 이동도라 칭함)를 가지므로, 고속 동작이 가능하다. 따라서, 통상적으로 기판 외측에 제공된 구동회로에 의해 수행되는 화소의 제어는 동일한 기판 상에 화소로 형성된 구동회로 상에서 수행될 수 있다.
이러한 액티브 매트릭스형 전자 표시장치에 의해, 다양한 회로 및 소자들을 동일 기판상에 제조함으로써 제조 비용 감소, 전자 표시장치의 소형화, 생산수율 향상 및 처리량 감소를 포함한 다양한 이점들이 달성될 수 있다.
전자 표시장치 중에서도, OLED의 발광 소자를 갖는 액티브 매트릭스형 발광 장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
액정 표시장치(LCD)에서 요구되는 것처럼 백라이트를 필요로 하지 않고 그의시야각에 제한이 없기 때문에 자기 발광성의 OLED는 가시도(visibility)가 높아서 두께 감소에 최적이다. 따라서, OLED를 사용하는 발광 소자가 CRT 및 LCD를 대체하는 표시장치로서 관심을 끌고 있다.
OLED는 유기 화합물(유기 발광 물질)을 포함하는 층을 가지고 있어 전계(이후로는, 유기 발광층으로 설명됨), 양극층 및 음극층을 공급함으로써 발생되는 전계발광을 얻는다. 본 설명에서, OLED의 양극 및 음극 사이에 제공되는 모든 층들은 유기 발광층으로 정의된다. 유기 발광층은 구체적으로 발광층, 정공 주입층, 전자 주입층, 정공 수송층 및 전자 수송층을 포함한다. 유기 화합물에 대한 전계발광은 1중항 여기 상태에서 기저 상태로 복귀할 때의 발광(형광)과 삼중항 여기 상태에서 기저 상태로 복귀할 때의 발광(인광)을 포함한다.
유기 발광층은 열, 광, 습기, 산소 등에 의해 손상이 촉진된다. 액티브 매트릭스형 발광 장치의 제조시에, 제조 공정 중 비교적 높은 공정 온도에서 화소부에 배선과 TFT를 형성한 후에 일반적으로 OLED가 형성된다.
OLED를 형성한 후에, OLED(OLED 패널)를 갖는 기판과 덮개 부재는 OLED를 외부 공기에 노출시키지 않도록 함께 접착된 후 밀봉 부재 등에 의해 밀봉(패키지)된다.
패키징 등의 공정에 의해 기밀성을 높인 후에, 커넥터(FPC, TAB 등)가 부착되어, 기판 상에 형성된 소자 또는 회로들로부터 연장된 단자와 외부 신호 단자가 접속되게 한다. 그리하여, 액티브 매트릭스형 발광 장치가 완성된다.
액티브 매트릭스형 발광 장치에서, OLED의 한쌍의 전극으로부터 유기 발광층에 인가되는 전압은 각각의 화소 상에 제공되는 TFT에 의해 제어된다. 따라서, 예를 들어, 화소부에 포함되는 TFT가 스위치 소자로 작용하지 않거나 또는 배선이 끊어지거나 단락되는 것과 같은 어떤 문제가 발생하는 지점이 존재할 때, OLED에 포함되는 유기 발광층에는 소정의 전압이 공급될 수 없다. 그러한 경우에, 화소는 소망의 계조를 표시할 수 없다.
액티브 매트릭스형 발광 장치보다 먼저 양산화 되어 있는 액티브 매트릭스형 액정 표시장치에서는, 화소부(액정 패널)를 갖는 패널과 대향 전극을 갖는 기판 사이에 액정을 채워 넣음으로써 액정 표시장치를 완성시키기 전에 배선과 TFT가 화소부내에 형성된다. 그 후에, 각각의 화소에 포함되는 캐패시터에 전하가 저장된다. 화소 단위를 기준으로 전하량을 측정함으로써, 화소부에 결함이 존재하는지의 여부에 대한 검사가 수행된다.
그러나, 발광 장치는, 많은 경우, 각각의 화소 상에 2개 이상의 TFT를 갖는다. OLED(화소 전극)의 전극들 중 하나와 캐패시터가 TFT를 통해 함께 접속되는 경우가 있다. 이 경우에는, 캐패시터 내에 저장된 전하량을 측정하더라도, 캐패시터와 화소 전극 사이의 배선과 모든 TFT내에 결함이 존재하는지의 여부를 검사하는 것은 어렵다.
또한, 커넥터에 부착되기 전에 OLED 패널이 전기적 동작을 위해 검사될 때, 전류를 흘리거나 전압을 인가하기 위해 OLED 패널의 단자 또는 배선 상에 미세한 핀(프로브)을 사용할 필요가 있다. 그러나, 배선 또는 단자 상에 프로브를 직접사용하면 배선 또는 단자 상의 흠에 의해 미세한 먼지가 발생될 수 있다. 검사 공정 중에 발생된 먼지는 후속 공정에서 생선성을 저하시키는 원인으로 불리하게 작용한다.
완성된 발광 장치에서 실제로 표시를 행함으로써 결함의 존재 여부를 확인하는 것이 가능하다. 그러나, 심지어 실제로 제품으로 제공되지 않는 OLED 패널에 대해서도, 정상 제품과 구별하기 위해 OLED를 형성하고, 패키징하며 커넥터를 부착시킴으로써 발광 장치를 완성해야 할 필요가 있다. OLED 패널에 결함이 존재하는 경우에, OLED 형성 공정, 패키징 공정 및 커넥터 부착 공정의 비경제성으로 인해 시간과 비용이 소모되는 것를 막는 것은 불가능하다. 한편, 다수개로 분할가능한 기판이 사용되어 OLED 패널을 형성하는 경우에, 패키징 및 커넥터 부착 공정은 낭비적인 것이므로, 마찬가지로 시간과 비용이 불가피하게 소모되는 것이다.
전술한 문제점의 견지에서, 본 발명의 목적은, 액티브 매트릭스형 발광 장치의 대량 생산을 위해 발광 장치를 완성하기 전에 화소부내의 배선 또는 TFT 상에 문제가 발생했는지의 여부를 확인할 수 있는 전기적 검사 방법(이후로는, 간단히 검사 방법으로 칭함)을 제공하고, 이 검사 방법을 사용하는 전기적 검사 장치(이후로는, 간단히 검사 장치로 칭함)를 제공하는 것이다. 또한, 배선 또는 단자 상에 프로브를 사용할 필요 없이 발광 장치의 제조 공정 중에 더욱 간단한 검사 방법을 제공하고, 이 검사 방법을 사용하는 검사 장치를 제공하는 것이다. 또한, 이러한 전기적 검사 방법을 사용하는 반도체 장치의 제조 방법과 이 제조 방법을 사용하여 제조되는 반도체 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 검사 기판의 평면도.
도 2는 본 발명의 장치 기판의 평면도.
도 3은 본 발명의 검사 기판과 장치 기판의 블럭도.
도 4(A) 및 도 4(B)는 본 발명에 따른 코일의 확대도.
도 5는 검사 시에 있어서의 검사 기판과 장치 기판의 사시도.
도 6(A) 및 도 6(B)는 각각 본 발명에 따른, 중첩된 코일들의 확대도와 중첩된 화소 전극과 검사용 전극의 확대도.
도 7은 검사 시에 있어서의 검사 기판과 장치 기판의 회로도.
도 8(A) 및 도 8(B)는 본 발명의 검사 기판의 평면도.
도 9는 본 발명의 검사 기판과 장치 기판의 블럭도.
도 10은 검사 시에 있어서의 검사 기판과 장치 기판의 사시도.
도 11(A) 및 도 11(B)는 본 발명의 검사용 전극을 회전시킬 때 검사용 전극과 화소 전극 사이의 중첩 방식을 나타내는 도면.
도 12는 본 발명의 검사용 전극과 결함 화소가 포함하는 화소 전극 사이의 중첩 방식을 나타내는 도면.
도 13은 실시예 1에 따른 검사 장치의 구성을 나타내는 블럭도.
도 14는 실시예 2에 따른 검사 장치의 구성을 나타내는 블럭도.
도 15는 실시예 3에 따른 신호 처리 회로의 회로도.
도 16은 실시예 4에 따른 신호 처리 회로의 회로도.
도 17은 실시예 5에 따른 파형 정형 회로의 회로도.
도 18은 실시예 6에 따른 정류 회로의 회로도.
도 19(A) 및 도 19(B)는 실시예 6에 따른, 교류로부터 정류된 펄스 신호의 시간에 따른 변화를 나타내는 도면.
도 20(A) 내지 도 20(C)는 실시예 6에 따른, 펄스들을 함께 더함으로써 발생된 직류 신호의 시간에 따른 변화를 나타내는 도면.
도 21(A) 및 도 21(B)는 실시예 6에 따른 정류 회로의 회로도.
도 22는 실시예 7에 따른 발광 장치의 OLED 패널의 블럭도.
도 23은 실시예 8의 대형 기판의 평면도.
도 24는 실시예 8의 대형 기판의 평면도.
도 25는 실시예 9의 감사 공정의 흐름을 나타내는 도면.
도 26(A) 내지 도 26(D)는 각각 실시예 10에 따른 코일의 평면도 및 단면도.
도 27은 실시예 11의 각각의 함수에 따른 화소의 동작 상태를 나타내는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
301: 검사 기판302: 장치 기판
303: 검사용 전극304: 1차 코일 형성부
305,307: I/F306: 측정 제어기
308: 측정 순서기309: 패널 표시 순서기
310: 코일 구동기311: RF 캐리어
311: 외부 입력 버퍼312: 신호 처리 회로
313: 선택회로314: 신호 분석기
본 발명자는, 프로브를 사용하지 않고 TFT와 화소 전극을 형성하는 기판(이후로는 장치 기판이라 칭함)의 화소부에 포함되는 배선에 전자(電磁) 유도에 의해 비접촉으로 전압을 인가하는 것을 착안하였다. 배선에 전압을 인가함으로써, 각각의 화소가 동작하여 화소 전극에 전압을 인가한다.
본 설명에서, 화소에 포함되는 소자 또는 배선에 전압을 인가하기 위해, 즉, 화소 전극 상의 전압을 제어하기 위해 화소 수단을 동작시킨다.
화소 전극에 인가되는 전압은 정전 유도에 의해 그 값이 비접촉으로 판독된다. 판독된 값으로부터, 각각의 화소의 동작 상태는 물론 정상/비정상을 판단할 수 있는데, 다시 말해서 각각의 화소가 정상적으로 동작하는지의 여부를 판단한 수 있다. 본 설명에서, 화소 전극에 소망의 전압이 인가될 수 있는 화소가 정상으로 판단된다. 역으로, 화소 전극에 소망의 전압이 인가될 수 없는 화소는 비정상으로 판단된다.
특히, 하기의 2가지 방식을 포함하며 그 중 하나가 사용될 수도 있다.
첫번째 방법에서, 검사될 장치 기판과 검사 기판이 개별적으로 준비된다. 이 검사 기판은 1차 코일을 가지며, 검사 대상인 장치 기판은 2차 코일을 갖는다.
1차 및 2차 코일 각각은 기판 상에 형성된 전도성 막을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 본 발명에서, 1차 및 2차 코일은 자기(磁氣) 경로를 제공하기 위해 중심에 자기 부재를 갖는 코일 대신에 그의 중심에 자기 부재가 없는 코일을 사용한다.
검사 기판에 포함되는 1차 코일과 장치 기판에 포함되는 2차 코일은 일정한 간격을 두고 함께 중첩된다. 1차 코일이 포함하는 2개의 단자 사이에 교류 전압을 인가함으로써, 2차 코일이 포함하는 2개의 단자 사이에 전자기력이 생성된다.
상기 간격은 작은 것이 바람직하다. 1차 코일과 2차 코일은 그들 사이의 간격이 제어되는 범위내에서 가능한 접근하여 배치된다.
본 설명에서, 코일 수단에 인가되는 전압이 코일의 단자들 사이에 인가된다. 본 설명에서, 코일이 포함하는 2개의 단자에 신호 전압을 인가하는 신호를 코일 수단에 공급한다.
2차 코일 상의 전자기력으로 발생되는 교류 전압은 장치 기판 상에서 정류된 후 평활화된다. 이 교류 전압은 직류 전압으로 사용되어 장치 기판(이후로는, 전원 전압으로 칭함)에 포함되는 구동회로 또는 화소를 동작시킨다. 한편, 2차 코일 상의 전자기력으로 발생된 교류 전압의 파형은 파형 정형 회로 등에 의해 소망의 형태로 정형된다. 이것은 장치 기판에 포함되는 구동회로 또는 화소를 동작시키기 위한 전압을 갖는 신호(이후로는, 구동신호라 칭함)로 사용된다. 2차 코일 상에 발생된 교류 전압은 파형 정형 회로에서 그의 파형을 정형하지 않고 구동신호 그 자체로 사용될 수 있다.
발생된 구동신호의 전압 또는 전원 전압은 장치 기판 상에 형성된 구동회로 또는 화소에 공급된다. 구동신호 전압 또는 전원 전압을 공급함으로써, 구동회로 또는 화소는 소정의 동작을 행한다.
구동신호 전압 또는 전원 전압은 구동회로 또는 화소가 정상인 경우에 화소에 포함되는 화소 전극에 인가되는 전압이 교류 전압으로 제공되도록 그의 값이 결정된다.
구동신호 전압 또는 전원 전압을 공급함으로써, 화소 전극에 인가되는 전압은 구동회로 또는 화소의 동작 상태에 따라 그의 값에 영향을 받는다.
구동신호 전압 또는 전원 전압은 장치 기판 상에 형성된 화소에만 인가될 수 있다. 이 경우에, 구동신호 전압 또는 전원 전압을 인가함으로써, 화소 전극에 인가되는 전압은 화소의 동작 상태에 따라 그의 값에 영향을 받는다.
화소 전극 상에 발생된 전압을 비접촉으로 판독하기 위한 전극(검사용 전극)은 일정한 간격을 두고 화소 전극과 중첩된다. 이 간격은 작은 것이 바람직하다. 화소 전극과 검사용 전극은 그 간격이 제어되는 범위내에서 가능한 접근하여 위치하는 것이 바람직하다. 검사 기판은 검사용 전극을 가질 수 있다.
정전 유도에 의해 검사용 전극 상에 발생된 전압은 화소 전극에 인가되는 전압 값에 의해 영향을 받는다. 따라서, 화소 전극에 인가되는 전압은 검사용 전극 상에 발생된 전압으로부터 계산될 수 있다. 그 결과, 화소 전극에 인가되는 전압 값은 비접촉으로 판독될 수 있다. 더욱이, 검사용 전극 상에 발생된 전압을 사용함으로써, 화소의 동작 상태가 파악될 수 있다. 화소의 동작 상태를 확인하고 그의 정상/비정상을 판단하는 것이 가능하다.
두번째 방식에서는, 장치 기판의 화소부에 포함되는 배선에 비접촉으로 전압을 인가하기 위한 검사 기판(제 1 검사 기판)과, 정전 유도를 사용하여 화소 전극에 인가되는 전압 값을 비접촉으로 판독하기 위한 검사 기판(제 2 검사 기판)이 개별적으로 준비된다.
제 1 검사 기판은 1차 코일을 가지며 검사 대상인 장치 기판은 2차 코일을 갖는다.
1차 및 2차 코일은 각각 절연막 상에 형성된 전도성 막을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 본 발명에서, 1차 및 2차 코일은 자기 경로를 제공하기 위해 중심에 자기 부재를 갖는 코일 대신에 중심에 자기 부재를 갖지 않는 코일을 사용한다.
제 1 검사 기판에 포함되는 1차 코일과 장치 기판에 포함되는 2차 코일은 일정한 간격을 두고 함께 중첩된다. 1차 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에 교류 전압을 인가함으로써, 2차 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에 기전력이 발생한다.
상기 간격은 작은 것이 바람직하다. 1차 코일과 2차 코일은 그들 사이의 간격이 제어되는 범위내에서 가능한 접근하여 위치하는 것이 바람직하다.
본 설명에서, 코일 수단에 인가되는 전압은 코일의 단자들 사이에 인가된다. 본 설명에서, 코일에 포함되는 2개의 단자에 신호 전압을 인가하는 신호를 코일 수단에 공급한다.
2차 코일 상의 기전력으로 발생되는 교류 전압은 장치 기판내에서 정류된 후 평활화된다. 이 교류 전압은 장치 기판에 포함되는 장치 회로 또는 화소를 동작시키는 전원 전압으로 사용된다. 한편, 2차 코일 상의 기전력으로 발생된 교류 전압의 파형은 파형 정형 회로 등에 의해 소망의 형태로 정형된다. 이것은 장치 기판에 포함되는 화소 또는 구동회로를 동작시키는 전압을 갖는 구동신호로 사용된다. 2차 코일상에 발생된 교류 전압은 파형 정형 회로에서 파형을 정형하지 않고 구동신호 그 자체로 사용될 수 있다.
발생된 구동신호의 전압 또는 전원 전압은 장치 기판 상에 형성된 구동회로 또는 화소에 공급된다. 구동신호 전압 또는 전원 전압을 인가함으로써, 구동회로 또는 화소는 소정의 동작을 행한다.
구동신호 전압 또는 전원 전압은 구동회로 또는 화소가 정상인 경우, 화소에 포함되는 화소 전극에 인가되는 전압이 교류 전압으로 제공되도록 그의 값이 결정된다.
구동신호 전압 또는 전원 전압을 인가함으로서, 화소 전극에 인가되는 전압은 구동회로 또는 화소의 동작 상태에 따라 그의 값에 영향을 받는다.
구동신호 전압 또는 전원 전압은 장치 기판에 포함되는 화소에만 공급될 수 있다. 이 경우에, 구동신호 전압 또는 전원 전압을 인가함으로써, 화소 전극에 인가되는 전압은 화소의 동작 상태에 따라 그의 값에 영향을 받는다.
한편, 제 2 검사 기판은 화소 전극 상에 발생된 전압을 비접촉으로 판독하기 위한 전극(검사용 전극)을 갖는다. 이 검사용 전극은 일정한 간격을 두고 화소 전극과 중첩된다. 이 간격은 작은 것이 바람직하다. 화소 전극과 검사용 전극은 그 사이의 간격이 제어되는 범위내에서 가능한 접근하여 위치하는 것이 바람직하다.
액티브 매트릭스형 반도체 장치는 화소부에 매트릭스 형태로 배치된 다수의 화소 전극을 갖는다. 본 발명에서, 제 2 검사 기판의 위치를 장치 기판에 대해 상대적으로 변화시킴으로써, 하나의 검사용 전극과 중첩되는 하나 또는 다수의 화소 전극들의 위치는 수 회 바뀐다. 특히, 검사 기판을 장치 기판에 평행인 면 상에서회전시킴으로써, 검사용 전극과 중첩된 화소 전극의 위치를 변화시킬 수 있다. 각각의 시점에서 검사용 전극상에 발생되는 전압 값이 감시된다.
정전 유도에 의해 검사 기판 상에 발생된 전압은 화소의 동작 상태에 대한 정보를 가지며, 검사용 전극과 중첩되는 화소 전극에 인가되는 전압값에 의해 영향을 받는다.
따라서, 수 회의 감시를 통해 얻어진 검사용 전극 상에 발생된 전압 값과 감시 동안 검사용 전극과 중첩되는 하나 또는 다수의 화소 전극의 위치 데이터가 저장된다. CT(컴퓨터 단층촬영기)에서 사용되는 일차원 데이터로부터 이차원 분포를 재현하기 위해 복원 알고리즘(예를 들면, 퓨리에(Fourier) 변환법)을 사용함으로써 저장된 데이터로부터 화소에 인가되는 전압의 상대적인 값을 얻을 수 있다. 즉, 결과적으로, 화소 전극에 인가되는 전압 값을 비접촉으로 판독할 수 있는 것으로 생각될 수 있다. 화소에 인가되는 전압의 상대 값으로부터, 각각의 화소의 동작 상태를 판단하는 것이 가능하다. 그 동작 상태로부터, 정상/비정상이 판단될 수 있다.
복원 알고리즘으로서는, 축차(逐次) 근사법과, 투영 절단면 정리(projection section theorem)를 이용하는 퓨리에 변환법과, 중첩 적분법 등을 대표적으로 들 수 있다. 본 발명은 이들 외의 다른 복원 알고리즘을 사용할 수도 있다.
첫번째 및 두번째 방식에서, 화소 동작 상태는 항상 정상과 비정상의 둘 중에서 선택되는 것이 아니라, 동작 상태에 따라 다수의 순위들로 구분될 수 있음에 주의해야 한다.
한편, 첫번째 및 두번째 방식에서, 구동회로가 결함을 갖지만 화소가 결함을 갖지 않는 경우에, 화소 전극에 인가되는 전압 값은 변화된다. 따라서, 구동회로의 정상/비정상이 또한 판단될 수 있다.
본 발명의 검사 방법을 사용하는 반도체 장치에서, 화소에 사용되는 트랜지스터는 단결정 실리콘을 사용하여 형성된 트랜지스터, 또는 폴리실리콘 또는 비정질 실리콘을 사용하는 박막트랜지스터일 수 있다. 또는, 유기 반도체를 사용하는 트랜지스터일 수도 있다.
화소의 동작 상태가 정상 화소의 동작 상태와 상이한 정도에 따라 화소의 동작이 정상 동작으로 간주되는 않는 기준을 실행자가 적당하게 판단하는 것이 가능하다.
상기 구성에 의해, 본 발명은 결함 지점을 검출하고 배선 상에 프로브를 직접 사용하지 않고 화소의 정상/비정상을 판단할 수 있다. 따라서, 프로브의 사용시에 발생되는 미세 먼지에 의해 후속 공정에서 생산성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 모든 패턴 형성 공정에서 정상/비정상이 하나의 검사 공정에 의해 결정될 수 있기 때문에, 검사 공정이 간략화 될 수 있다.
본 발명은 발광 장치 뿐만 아니라 액정 표시장치 또는 다른 반도체 장치들에도 적용가능하다.
이하, 본 발명의 구성에 대하여 설명한다.
본 발명은, 화소에 포함되는 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하여 화소에 포함되는 화소 전극에 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극에 인가된전압을 비접촉으로 판독하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 다수의 화소에 각각 포함되는 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하여 화소에 각각 포함되는 화소 전극에 전압을 인가하는 단계와, 화소에 각각 포함되는 화소 전극에 인가된 전압의 합을 비접촉으로 판독하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제 1 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와, 이 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와, 제 2 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에서 발생된 제 2 교류 전압을 사용하여 화소에 포함되는 화소 전극에 제 3 교류 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계, 및 검사용 전극 상에 발생되는 제 4 교류 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제 1 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와, 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와, 제 2 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에서 발생된 제 2 교류 전압을 정류 또는 파형 정형하고 이 전압을 화소에 포함되는 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써, 화소에 포함되는 화소 전극에 제 3 교류 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계, 및 검사용 전극상에 발생된 제 4 교류 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제 1 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와, 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와, 제 2 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에서 발생되는 제 2 교류 전압을 사용하여 다수의 화소들에 각각 포함되는 화소 전극에 제 3 교류 전압을 인가하는 단계와, 화소에 포함되는 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계, 및 검사용 전극 상에 발생되는 제 4 교류 전압으로부터 화소에 각각 포함되는 화소 전극에 인가되는 전압들의 합을 계산하는 단계를 것을 특징으로 하는 포함하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제 1 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와, 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와, 제 2 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에서 발생되는 제 2 교류 전압을 정류하거나 파형 정형하고, 이 전압을 다수의 화소에 각각 포함되는 배선 또는 회로 소자에 인가하여, 화소에 각각 포함되는 화소 전극에 제 3 교류 전압을 인가하는 단계와, 화소에 각각 포함되는 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계, 및 검사용 전극 상에 발생되는 제 4 교류 전압으로부터 화소에 각각 포함되는 화소 전극에 인가되는 전압의 합을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.
본 발명에서, 제 1 코일 및 제 2 코일은 동일한 면 상에 형성된 배선을 가질 수 있으며, 각각의 배선들은 소용돌이 형태이다.
본 발명에서, 제 1 코일과 검사용 전극은 제 1 절연 표면 상에 형성될 수 있으며, 제 2 코일과 화소 전극은 제 2 절연 표면 상에 형성된다.
본 발명에서, 제 1 절연 표면과 제 2 절연 표면 사이의 간격은 제 1 절연 표면과 제 2 절연 표면 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어될 수 있다.
본 발명에서, 화소는 전압 측정 방법을 사용하여 얻어진 화소 전극에 인가된 전압 또는 그 전압들의 합을 사용하여 정상/비정상이 판단될 수 있다.
본 발명은, 반도체 장치에 포함되는 화소를 전기적으로 검사하기 위한 장치로서, 1차 코일과, 반도체 장치에 포함되는 1차 코일과 2차 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 수단과, 화소에 포함되는 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 함께 중첩시키는 수단과, 1차 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에 교류 전압을 인가하는 수단, 및 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압으로부터 화소의 동작 상태를 확인하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 장치에 포함되는 화소를 전기적으로 검사하기 위한 장치로서, 1차 코일과, 반도체 장치에 포함되는 1차 코일과 2차 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 수단과, 화소에 포함되는 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시키는 수단과, 1차 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에 교류 전압을 인가하는 수단, 및 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압으로부터 화소의 동작 상태를 확인하는 수단을 포함하고, 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압은 화소의 동작 상태를 정보로서 가지는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 장치에 관한 것이다.
본 발명에서, 1차 코일과 2차 코일 사이의 간격은 1차 코일과 2차 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어될 수 있다.
본 발명에서, 제 1 코일은 동일한 면 상에 형성된 배선을 가질 수 있으며, 이 배선은 소용돌이 형태이다.
본 발명은, 화소 전극과 배선 또는 회로 소자를 형성하는 단계와, 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가함으로써 화소 전극에 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극에 인가되는 전압을 비접촉으로 판독하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 화소 전극, 배선 또는 회로 소자, 제 1 코일 및 제 2 코일을 형성하는 단계와, 제 1 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와, 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와, 제 2 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에서 발생된 제 2 교류 전압을 사용하여 화소 전극에 제 3 교류 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계, 및 검사용 전극 상에 발생되는 제 4 교류 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 화소 전극, 배선 또는 회로 소자, 제 1 코일 및 제 2 코일을 형성하는 단계와, 제 1 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와, 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와, 제 2 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에서 발생되는 제 2 교류 전압을 정류하거나 파형 정형하여 이 전압을 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써, 화소 전극에 제 3 교류 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계, 및 검사용 전극 상에 발생되는 제 4 교류 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위하여 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두를 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극 상의 전압으로부터 각각의 화소 전극에 인가되는 전압과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위하여 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및검사용 전극 상의 전압으로부터 각각의 검사용 전극에 인가되는 전압과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제 1 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와, 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위하여 제 2 코일에 포함되는 2개의단자들 사이에 발생되는 제 2 교류 전압을 배선 또는 회로 소자에 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극상에 발생된 제 3 교류 전압으로부터 각각의 화소 전극에 인가되는 전압과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제 1 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와, 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와, 제 2 코일에 포함되는 2개의 단자들 사이에서 발생된 제 2 교류 전압을 정류하거나 파형 정형하여 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 이 전압을 배선 또는 회로 소자에 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극 상에 발생되는 제 3 교류 전압으로부터 각각의 화소 전극에 인가되는 전압과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.
본 발명에서, 제 1 코일과 제 2 코일은 동일한 면상에 형성된 배선을 가질 수 있으며, 이 배선은 소용돌이 형태이다.
본 발명에서, 제 1 코일과 제 2 코일 사이의 간격은 이 제 1 코일과 제 2 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어될 수 있다.
본 발명에서, 각각의 화소 전극 상의 전압은 축차 근사법과 투영 절단면 정리를 이용하는 퓨리에 변환법 또는 중첩 적분법을 사용하여 계산될 수 있다.
본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 소정의 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극 상의 전압으로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태와 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 소정의 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극 상의 전압으로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태와 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극 상의 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압의 분배량과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극상의 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압의 분배량과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계와, 검사용 전극 상의 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압의 분배량과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 결정하는 단계, 및 전압 분배량로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계와, 검사용 전극상의 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압의 분배량과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 결정하는 단계, 및 전압 분배량으로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제 1 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와, 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 배선 또는 회로 소자에 제 2 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에서 발생되는 제 2 교류 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극 상에 발생되는 제 3 교류 전압으로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태와 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제 1 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와, 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 배선 또는 회로 소자에 제 2 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에서 발생되는 제 2 교류 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계와, 검사용 전극 상에 발생된 제 3 교류 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압 분배량과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 판단하는 단계, 및 전압 분배량으로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제 1 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와, 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와, 제 2 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에서 발생된 제 2 교류 전압을 정류 또는 파형 정형하고 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 배선 또는 회로 소자에 공급하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극 상에 발생되는 제 3 교류 전압으로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태와 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제 1 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와, 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와, 제 2 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에서 발생된 제 2 교류 전압을 정류하거나 파형 정형하여 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 배선 또는 회로 소자에 공급하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극 상에 발생된 제 3 교류 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압의 분배량과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치를 결정하는 단계, 및 전압 분배량으로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.
본 발명에서, 제 1 코일과 제 2 코일은 동일한 평면 상에 형성된 배선을 가질 수 있으며 이 배선은 소용돌이 형태를 갖는다.
본 발명에서, 제 1 코일과 제 2 코일 사이의 간격은 1차 코일과 2차 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어될 수 있다.
본 발명은, 장치 기판에 포함되는 다수의 화소를 전기적으로 검사하기 위한 장치로서, 1차 코일과, 장치 기판에 포함되는 2차 코일과 1차 코일을 간격을 두고함께 중첩시키는 수단과, 화소에 각각 포함되는 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시키는 수단과, 화소에 포함되는 화소 전극에 대해 상대적으로 검사용 전극의 위치를 변화시키는 수단과, 1차 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에 교류 전압을 인가하는 수단, 및 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압으로부터 각각의 화소의 동작 상태를 확인하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 장치 기판에 포함되는 다수의 화소를 전기적으로 검사하기 위한 장치로서, 1차 코일과, 장치 기판에 포함되는 2차 코일과 1차 코일을 간격을 두고 중첩시키는 수단과, 화소에 각각 포함되는 화소 전극의 소정 부분 또는 모두를 간격을 두고 검사용 전극과 중첩시키면서 화소에 포함되는 화소 전극에 대해 상대적으로 검사용 전극의 위치를 변화시키는 수단과, 1차 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에 교류 전압을 인가하는 수단, 및 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압으로부터 각각의 화소의 동작 상태를 확인하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 장치에 관한 것이다.
본 발명에서, 1차 코일과 2차 코일 사이의 간격은 이 1차 코일과 2차 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어될 수 있다.
본 발명에서, 제 1 코일은 동일한 평면 상에 형성된 배선을 가질 수 있으며 이 배선은 소용돌이 형태이다.
본 발명은, 배선 또는 회로 소자를 통해 전압이 인가되도록 배선 또는 회로 소자 및 화소 전극을 형성하는 단계와, 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치로부터, 각각의 화소 전극에 인가되는 전압으로 인해 화소에 각각 포함되는 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 배선 또는 회로 소자를 통해 전압이 인가되도록 배선 또는 회로 소자 및 화소 전극을 형성하는 단계와, 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치로부터, 각각의 화소 전극에 인가되는 전압으로 인해 화소 전극에 각각 포함되는 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 배선 또는 회로 소자를 통해 전압이 인가되도록 배선 또는 회로 소자 및 화소 전극을 형성하는 단계와, 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치로부터, 각각의 화소 전극에 인가되는 전압으로 인해 화소에 각각 포함되는 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 배선 또는 회로 소자를 통해 전압이 인가되도록 배선 또는 회로소자 및 화소 전극을 형성하는 단계와, 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하는 단계와, 화소 전극의 소정 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 상대적인 검사용 전극의 위치로부터, 각각의 화소 전극에 인가되는 전압으로 인해 화소에 각각 포함되는 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
[실시형태 1]
도 1은 제 1 구성을 사용하여 본 발명에 따라 검사가 실행되는 검사 기판의 평면도를 나타낸다. 도 2는 검사될 장치 기판의 평면도를 나타낸다.
도 1에 도시된 검사 기판은 기판(100) 상에 1차 코일 형성부(101), 외부 입력 버퍼(102), 커넥터 접속부(103) 및 검사용 전극(104)을 갖는다. 본 설명에서, 검사 기판은 기판(100), 1차 코일 형성부(101), 및 기판(100) 상에 형성된 다른 회로들 또는 모든 회로 소자들을 포함한다는 것에 주의해야 한다.
검사 기판에 포함되는 1차 코일 형성부(101)는 그의 수와 배치가 도 1에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다. 설계자는 1차 코일 형성부(101)의 수와 배치를 임의적으로 결정할 수 있다.
도 1에 도시된 검사 기판이 검사용 전극(104)과 1차 코일 형성부(101)을 갖더라도, 본 발명은 그러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 검사용 전극은 1차 코일 형성부를 갖는 검사 기판과 별개로 제조될 수 있다. 1차 코일 형성부와 검사용 전극을 갖는 검사 기판을 개별적으로 제조함으로써, 검사 기판과 검사용 전극 사이의간격은 1차 코일과 2차 코일 사이의 간격과 무관하게 결정될 수 있다. 한편, 검사 공정 중에, 검사용 전극의 배치는 장치 기판에 상대적으로 임의적으로 변경될 수 있다.
도 2에 도시된 장치 기판은 기판(110) 상에 신호선 구동회로(111), 주사선 구동회로(112), 화소부(113), 연장된 배선(114), 커넥터 접속부(115), 파형 정형 회로 또는 정류 회로(116) 및 2차 코일 형성부(117)를 포함한다. 본 설명에서, 장치 기판은 기판(110)과 이 기판(110) 상에 형성된 모든 회로 또는 회로 소자들을 포함한다. 연장된 배선(114)은 장치 기판에 포함되는 구동회로와 화소부에 구동신호와 전원 전압을 공급하기 위한 배선이다.
장치 기판의 2차 코일 형성부(117)의 수와 배치는 도 2에 도시된 구성에 한정되지는 않는다. 설계자는 2차 코일 형성부(117)의 수와 배치를 임의적으로 결정할 수 있다.
FPC, TAB 등이 검사 공정 후에 공정 중의 커넥터 접속부(115)에 접속된다. 검사 공정을 완료한 후의 장치 기판은 2차 코일 형성부(117)에 형성된 2차 코일이 커넥터 접속부(115)로부터 물리적 및 전기적으로 분리되도록 일점 쇄선 A-A'을 따라 절단된다.
이하, 검사 공정중의 장치 기판과 검사 기판의 동작에 대해 설명한다. 검사 공정에서 신호 흐름의 이해를 돕기 위해, 도 1 및 도 2에 도시된 장치 기판과 검사 기판의 구성이 도 1 및 도 2를 참조로 설명되는 도 3의 블럭도에 도시되어 있다.
검사 기판(203) 상에서, 검사용 교류 신호가 신호원(201) 또는 교류전원(202)으로부터 커넥터 접속부(103)에 접속된 커넥터를 통해 외부 입력 버퍼(102)에 입력된다. 검사용 교류 신호는 외부 입력 버퍼(102)에서 버퍼 증폭되어 1차 코일 형성부(101)에 입력된다.
도 1, 도 2 및 도 3에는, 입력 교류 신호가 외부 입력 버퍼(102)에서 버퍼-증폭된 후에 1차 코일 형성부(101)에 입력되는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명이 그러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 교류 신호는 외부 입력 버퍼(102)를 제공함이 없이 1차 코일 형성부(101)에 직접 입력될 수 있다.
다수의 1차 코일이 1차 코일 형성부(101)에 형성된다. 교류 신호는 1차 코일의 2개의 단자에 입력된다.
한편, 장치 기판(204)에 포함되는 2차 코일 형성부(117)에서는, 다수의 2차 코일이 1차 코일 형성부(101)에 포함되는 1차 코일에 대응하여 형성된다. 교류 신호가 1차 코일에 입력될 때, 교류 전압이 2차 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에 전자(電磁) 유도에 의한 기전력으로서 발생한다.
2차 코일 상에 발생되는 교류 전압은 파형 정형 회로(116a) 또는 정류 회로(116b)에 공급된다. 파형 정형 회로(116a) 또는 정류 회로(116b)는 교류 전압을 정형하거나 정류하여 구동신호 또는 전원 전압을 생성한다.
생성된 구동신호 전압 또는 전원 전압은 연장된 배선(114)에 공급된다. 제공된 구동신호 전압 또는 전원 전압은 연장된 배선(114)을 통해 신호선 구동회로(111), 주사선 구동회로(112) 및 화소부에 공급된다.
2차 코일 상에 생성된 교류 전압은 파형 정형 회로(116a) 또는 정류회로(116b)를 통과하지 않고 화소부(113)에 직접 구동신호로서 입력될 수 있다.
화소부(113)는 다수의 화소로 형성되고 각각의 화소에는 화소 전극이 형성되어 있다. 신호선 구동회로와 주사선 구동회로는 그들의 수가 도 1 및 도 2에 도시된 것에 한정되는 것은 아니다.
신호선 구동회로(111), 주사선 구동회로(112) 및 화소부(113)의 동작은 각각의 화소의 화소 전극에 전압을 인가한다.
검사 대상인 장치 기판에 신호선 구동회로(111)와 주사선 구동회로(112)와 같은 구동회로들이 반드시 필요한 것은 아니다. 구동신호 전압 또는 전원 전압은 화소부(113)에만 인가될 수도 있다.
그러나, 화소 전극에 인가되는 전압이 교류 전압으로 제공되도록 구동신호 전압 또는 전원 전압의 값이 설정되어야 하는 것은 필수적이다.
화소의 화소 전극은 일정한 간격을 두고 검사용 전극(104)과 중첩된다. 화소가 정상적으로 동작하여 화소 전극에 교류 전압을 인가할 때, 검사용 전극(104) 상에 기전력이 발생한다. 검사용 전극(104) 상에 발생된 교류 전압 또는 기전력은 화소 동작 상태 정보를 포함한다. 검사용 전극(104) 상에 발생된 교류 전압으로부터, 화소부에 포함되는 화소 동작 상태가 확인되어 화소의 정상/비정상을 판단하거나 또는 결함 지점을 지정할 수 있다.
다음, 1차 코일과 2차 코일(이후로는 '코일'이라 총칭함)의 구성에 대하여 상세히 설명한다.
도 4는 코일의 확대도를 나타낸다. 도 4(A)에 도시된 코일은 나선형의 곡선으로 표시된 선을 가진 형태이다. 도 4(B)에 도시된 코일은 사각형의 나선형으로 표시된 선을 가진 형태이다.
본 발명에서 사용되는 코일에 관해서는, 이 코일에 포함되는 전체 선은 동일한 면상에 형성되는 것이 바람직하며 이 코일에 포함되는 선은 나선형이다. 따라서, 코일에 포함되는 선은 코일이 형성된 면에 수직으로 볼때 곡선 또는 사각형 형태로 나타날 수 있다.
설계자는 코일의 회전수, 선 폭 및 기판 상에서 차지하는 영역을 적당하게 결정할 수 있다. 그러나, 코일의 수와 디자인을 반도체 장치 표준에 적합하게 조정할 필요는 있다. 또한, 1차 코일 형성부에 입력되는 검사용 교류 신호의 파형, 주파수 및 진폭도 반도체 장치 표준에 적합하게 설정해야 한다.
도 5는 장치 기판(204)이 검사 기판(203)과 중첩되어 있는 것을 나타내는 사시도이다. 도 1에 도시된 검사 기판(203)이 1차 코일로서 도 4(A)에 도시된 코일을 가지며, 도 2에 도시된 장치 기판이 2차 코일로서 도 4(A)에 도시된 코일을 갖는 경우가 도시되어 있다. 커넥터(205)는 커넥터 접속부(103)에 접속된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 검사 기판(203)에 포함되는 1차 코일 형성부(101)는 일정한 간격을 두고 장치 기판(204)에 포함되는 2차 코일 형성부(117)와 중첩된다. 이 간격은 작은 것이 바람직하다. 장치 기판(204)에 포함되는 1차 코일 형성부(101)와 2차 코일 형성부(117)는 그들 사이의 간격이 제어되는 범위내에서 가능한 접근하여 위치되는 것이 바람직하다.
한편, 화소부(113)에 포함되는 검사용 전극(104)과 화소 전극은 일정한 간격을 두고 함께 중첩된다. 이 간격은 작은 것이 바람직하다. 화소부(113)에 포함되는 화소 전극과 검사용 전극(104)은 그들 사이의 간격이 제어되는 범위내에서 가능한 접근하여 위치하는 것이 바람직하다.
검사 기판(203)과 장치 기판(204) 사이의 간격은 이 두 기판을 고정시킴으로써 유지될 수 있다. 또는, 이 간격은 장치 기판(204) 또는 검사 기판(203) 중 하나를 고정시키고, 검사 기판(203)과 장치 기판(204) 사이에 일정한 유속 또는 압력을 가진 유체를 사용하여 유지될 수도 있다. 이 유체는 대표적으로는 기체 또는 액체를 사용할 수 있다. 또한, 점성 젤과 같은 유체를 사용할 수도 있다.
도 6(A)는 1차 코일 형성부(101)와 2차 코일 형성부(117)가 함께 중첩되는 부분의 확대도를 나타낸다. 부호 206은 1차 코일을 나타내고, 부호 207은 2차 코일을 나타낸다.
도 6(A)에서 1차 코일(206)과 2차 코일(207)이 선의 나선형 회전 방향과 동일하더라도, 본 발명은 그러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 1차 코일과 2차 코일은 나선형 회전 방향과 반대 방향일 수도 있다. 한편, 1차 코일과 2차 코일 사이의 간격(Lgap)은 설계자가 적당하게 설정할 수 있다.
도 6(B)는 화소에 포함되는 화소 전극(208)과 검사용 전극(104)이 함께 중첩되는 부분의 확대도를 나타낸다. 도 6(B)에서, 하나의 검사용 전극(104)은 다수의 화소 전극으로 동시에 중첩된다. 검사용 전극은 하나의 전도성 막 또는 다수의 전기 접속 전도성 막에 의해 형성될 수 있다.
검사용 전극(104)과 화소 전극(208)을 함께 중첨시킴으로써 용량이 형성된다. 교류 전압이 도 6(B)에 도시된 상태로 화소 전극(208)에 인가될 때, 검사용 전극(104) 상에 기전력이 발생한다.
도 7은 검사 기판(104)의 검사용 전극(104)과 장치 기판의 화소 전극(208)을 함께 중첩시킨 경우의 회로도를 나타낸다. 도 7에 도시된 화소 구조는 단순히 일 예이므로 화소에 포함되는 소자와 배선의 수와 종류 및 그들의 접속 관계는 도 7에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다. 한편, 도 7이 발광 장치의 화소 구성을 도시하지만, 본 발명은 다른 반도체 장치에도 적용될 수 있다. 특히, 본 발명의 검사 방법은 배선 또는 소자의 인가 전압을 제어함으로써 교류 전압이 화소 전극에 인가될 수 있다면 반도체 장치에 사용될 수 있다.
도 7에 도시된 발광 장치는 x개의 신호선(S1 내지 Sx), x개의 전원선(V1 내지 Vx) 및 y개의 주사선(G1 내지 Gy)을 갖는다. 각각의 화소(802)는 하나의 신호선, 하나의 전원선 및 하나의 주사선을 갖는다. 또한, 화소(802)는 스위칭용 TFT(803), 구동용 TFT(804) 및 보유 용량(805)을 갖는다.
부호 806은 검사용 전극(104)과 화소 전극(208)을 함께 중첩시킴으로써 형성된 용량을 나타낸다.
스위칭용 TFT(803)는 주사선(G1 내지 Gy) 중 하나에 접속된 게이트 전극을 갖는다. 스위칭용 TFT(803)는 소스 및 드레인 영역을 가지며 그중 하나는 신호선(S1 내지 Sx) 중 하나에 접속되고, 다른 하나는 구동용 TFT(804)의 게이트 전극에 접속된다. 구동용 TFT(804)는 소스 및 드레인 영역을 가지며 그중 하나는전원선(V1 내지 Vx)에 접속되고, 다른 하나는 화소 전극에 접속된다.
보유 용량(805)은 구동용 TFT(804)의 게이트 전극과 전원선에 각각 접속되는 2개의 전극을 갖는다.
도 7에 도시된 화소에서, 교류 구동신호 전압이 전원선(V1 내지 Vx)에 인가되고 있다. 따라서, 화소가 정상인 경우에, 스위칭용 TFT(803)는 주사선에 인가되는 전압을 제어함으로써 온(ON)으로 될 수 있고, 구동용 TFT(804)는 신호선에 인가되는 전압을 제어함으로써 온으로 될 수 있다. 그 결과, 교류 구동신호 전압은 화소 전극에 인가된다.
교류 구동신호 전압을 화소 전극에 인가함으로써, 교류 전압이 화소 전극과 겹쳐진 검사용 전극(104)상에 발생한다. 발생된 교류 전압은 후단 회로에 출력(807)으로 공급된다.
도 7에 도시된 화소에서, 동일한 주사선을 갖는 화소의 화소 전극은 동일한 검사용 전극과 중첩된다. 그러나, 검사용 전극이 도 7에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다. 검사용 전극과 겹쳐진 화소 전극을 가진 화소는 임의적으로 선택될 수 있다. 예를 들면, 도 7에 도시된 화소와 관련하여, 동일한 신호선을 가진 화소의 화소 전극이 동일한 검사용 전극에 접속될 수 있다.
출력(807)을 수신한 후단의 회로는 검사용 전극상에 발생된 교류 전압으로부터 화소의 정상/비정상을 판단한다.
반도체 장치 구동방법 또는 검사용 전극 배치에 따라, 전압을 하나의 검사용 전극과 중첩된 다수의 화소 전극에 동시에 인가하는 경우와, 순차적으로 인가하는경우 및 임의적으로 인가하는 경우들이 있다.
교류 전압을 다수의 화소 전극에 동시에 인가하는 경우에, 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압은 모든 화소가 정상 동작일 때와 화소들 중 적어도 하나가 정상 동작이 아닐 때에 따라 파형이 상이하다. 즉, 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압은 이러한 화소 전극들을 갖는 모든 화소의 동작 상태를 정보로 포함한다.
한편, 교류 전압이 다수의 화소 전극에 순차적으로 인가되는 경우에, 검사용 전극에는 각각의 화소의 동작 상태를 정보로서 각각 포함하는 교류 전압이 순차적으로 부가된다. 따라서, 모든 화소가 정상인 경우에, 화소들의 순차적인 동작은 검사용 전극 상에 발생된 교류 전압을 일정하게 변화시킨다. 역으로, 화소들 중 어느 하나가 비정상일 때, 화소의 순차적인 동작은 검사용 전극 상에 발생된 교류 전압을 일정하지 않게 변화시킨다. 따라서, 모든 화소가 정상 동작을 하는 경우와 화소들 중 적어도 하나가 비정상 동작을 하는 경우는 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압 파형에 차이가 있다.
또한, 검사용 전극 상에서 실제로 발생되는 교류 전압과 이미 정상임이 확인된 화소의 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압을 비교함으로써, 화소의 동작 상태를 확인하고 화소의 정상/비정상을 판단할 수 있다. 그러나, 비교 기준이 되는 교류 전압을 반드시 이미 정상임이 확인된 화소를 기준으로 할 필요는 없다. 검사용 전극 상에 각각 발생되는 교류 전압들 간을 비교함으로써, 화소의 동작 상태와 정상/비정상을 판단할 수도 있다. 또한, 시뮬레이션에 의해 계산된 교류 전압과 비교하여 화소의 동작 상태를 확인하고 정상/비정상을 판단할 수도 있다.
도 7에서는 검사용 전극과 화소 전극이 화소부에 포함되는 모든 화소와 함께 중첩되어 있지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 검사용 전극과 화소 전극은 임의로 선택된 화소와만 중첩되어 임의로 선택된 화소 상의 동작 상태 만을 검사할 수도 있다.
본 실시형태에서는 장치 기판이 신호선 구동회로와 주사선 구동회로를 구동회로로서 갖는 예를 설명하였지만, 본 발명에서 검사되는 장치 기판이 이들에 한정되는 것은 아니다. 장치 기판이 화소부 만을 갖더라도, 본 발명의 검사 방법을 사용하는 검사가 행해질 수 있다. 한편, TEG로 불리는 단일 장치 또는 그러한 단일 장치가 복합화된 평가 회로에 대해 본 발명의 검사 방법 또는 장치를 사용함으로써 동작 상태를 확인할 수 있다.
상기 구성에 의해, 본 발명은 배선상에 직접 프로브를 사용하지 않고 정상/비정상을 판단할 수 있다. 따라서, 프로브를 사용할 때 발생되는 미세 먼지로 인해 후속 공정에서 생산성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 모든 패턴 형성 공정에서 정상/비정상이 하나의 검사 공정에 의해 판단될 수 있기 때문에, 검사 공정이 단순화될 수 있다.
[실시형태 2]
도 8은 본 발명에 따른 제 2 구성을 사용하여 검사를 수행하기 위한 제 1 및 제 2 검사 기판의 평면도를 나타낸다. 본 실시예에서 사용되는 장치 기판에 관해서는, 실시형태 1의 도 2를 참조할 수 있다.
도 8(A)에 도시된 제 1 검사 기판은 기판(6100) 상에 1차 코일형성부(6101), 외부 입력 버퍼(6102) 및 제 1 검사 기판용 커넥터 접속부(6103)를 포함한다. 본 설명에서, 제 1 검사 기판은 기판(6100), 1차 코일 형성부(6101) 및 기판(6100) 상에 형성된 모든 다른 회로 또는 회로 소자들을 포함한다. 외부 입력 버퍼(6102)가 반드시 제공될 필요는 없다.
제 1 검사 기판에 포함되는 1차 코일 형성부(6101)의 수와 배치가 도 8(A)에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니다. 1차 코일 형성부(6101)의 수와 배치는 설계자가 임의적으로 결정할 수 있다.
도 8(B)에 도시된 제 2 검사 기판은 기판(6120) 상에, 다수의 검사용 전극(6121)과 제 2 검사 기판용 커넥터 접속부(6122)를 갖는다. 본 설명에서, 제 2 검사 기판은 기판(6120), 검사용 전극(6121), 제 2 검사 기판용 커넥터 접속부(6122) 및 기판(6100) 상에 형성된 모든 다른 회로 또는 회로 소자들을 포함한다.
제 2 검사 기판에 포함되는 검사용 전극(6121)의 수와 배치는 도 8(B)에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니다. 검사용 전극(6121)의 수와 배치는 설계자가 임의적으로 결정할 수 있다.
이하, 검사 공정에서의 장치 기판과 검사 기판의 동작에 대해 설명한다. 검사 공정 중의 신호 흐름의 이해를 돕기 위해, 도 8 및 도 2에 도시된 장치 기판과 제 1 및 제 2 검사 기판의 구성이 도 9의 블럭도에 도시되어 있고, 도 8 및 도 2을 참조하여 설명한다.
제 1 검사 기판(6203) 상에, 검사용 교류 신호가 신호원(201) 또는 교류 전원(202)으로부터 커넥터 접속부(6103)에 접속된 커넥터를 통해 외부 입력 버퍼(6102)에 입력된다. 검사용 교류 신호는 외부 입력 버퍼(6102)에서 버퍼 증폭되어 1차 코일 형성부(6101)에 입력된다.
또한, 도 2, 도 8 및 도 9에서, 외부 입력 버퍼(6102)에서 버퍼 증폭된 후에 입력 교류 신호는 1차 코일 형성부(6101)에 입력된다. 그러나, 본 발명이 이러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 교류 신호는 외부 입력 버퍼(6102)를 제공함이 없이 1차 코일 형성부에 직접 입력될 수도 있다.
다수의 1차 코일이 1차 코일 형성부(6101)에 형성된다. 교류 신호는 1차 코일의 2개의 단자에 입력된다.
한편, 장치 기판(204)에 포함되는 2차 코일 형성부(117)에서, 다수의 2차 코일들이 1차 코일 형성부(6101)에 포함되는 1차 코일에 대응하여 형성된다. 교류 신호가 1차 코일에 입력될 때, 교류 전압은 2차 코일에 포함되는 2개의 단자 사이에 전자기 유도에 의한 기전력으로 발생된다.
2차 코일 상에 발생된 교류 전압은 파형 정형 회로(116a) 또는 정류 회로(116b)에 공급된다. 파형 정형 회로(116a) 또는 정류 회로(116b)는 구동신호 또는 전원 전압을 발생시키기 위해 교류 전압을 정형하거나 정류한다.
발생된 구동신호 전압 또는 전원 전압은 연장된 배선(114)에 공급된다. 제공된 구동신호 전압 또는 전원 전압은 연장된 배선(114)을 통해 신호선 구동회로(111), 주사선 구동회로(112) 및 화소부(113)에 인가된다.
2차 코일 상에 발생된 교류 전압은 파형 정형 회로(116a) 또는 정류회로(116b)를 통과하지 않고 화소부(113)에 구동신호로서 직접 입력될 수 있다.
화소부(113)에는 다수의 화소들이 형성되어 있으며 화소에는 화소 전극이 형성되어 있다. 신호선 구동회로 및 주사선 구동회로의 수는 도 2 및 도 9에 도시된 수로 한정되는 것은 아니다.
신호선 구동회로(111), 주사선 구동회로(112) 및 화소부(113)의 동작에 의해 각각의 화소의 화소 전극에 전압이 인가된다.
검사 대상인 장치 기판은 신호선 구동회로(111) 및 주사선 구동회로(112)와 같은 구동회로들을 반드시 필요로 하는 것은 아니다. 구동신호 전압 또는 전원 전압은 화소부(113)에만 인가될 수도 있다.
그러나, 화소 전극에 인가되는 전압이 교류 전압으로 제공되도록 구동신호 전압 또는 전원 전압의 값을 설정하는 것은 필수적이다.
화소의 화소 전극은 일정한 간격을 두고 검사용 전극(6121)과 중첩된다. 화소가 정상적으로 동작하여 교류 전압을 화소 전극에 인가할 때, 기전력이 검사용 전극(6121) 상에 발생한다. 검사용 전극(6121) 상에 발생된 교류 전압 또는 기전력은 화소 동작 상태 정보를 갖는다. 검사용 전극(6121)상에 발생된 교류 전압으로부터, 화소부에 포함되는 화소의 동작 상태가 확인되고 그의 정상/비정상이 판단되거나 결함 위치가 지정될 수 있다.
또한, 본 발명에서 사용되는 제 1 및 제 2 코일은 실시예 1에서와 동일하고 도 4(A) 및 도 4(B)에 도시된 코일을 사용할 수도 있다.
도 10은 장치 기판(204)이 제 1 검사 기판(6203) 및 제 2 검사 기판(6205)과중첩되어 있는 것을 나타내는 사시도이다. 도 8(A)에 도시된 제 1 검사 기판(6203)은 도 4(A)에 도시된 코일을 1차 코일로 가지며, 도 2에 도시된 장치 기판은 도 4(A)에 도시된 코일을 2차 코일로 갖는 경우를 나타낸다. 커넥터(6209)는 제 1 검사 기판용 커넥터 접속부(6103)에 접속된다. 한편, 커넥터(6210)는 제 2 검사 기판용 커넥터 접속부(6122)에 접속된다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제 1 검사 기판(6203)에 포함되는 1차 코일 형성부(6101)와 장치 기판(204)에 포함되는 2차 코일 형성부(117)는 일정한 간격을 두고 함께 중첩된다. 이 간격은 작은 것이 바람직하다. 장치 기판(204)에 포함되는 1차 코일 형성부(6101)와 2차 코일 형성부(117)는 그들 사이의 간격이 제어되는 범위내에서 가능한 접근하여 위치하는 것이 바람직하다.
한편, 제 2 검사 기판(6205)에 포함되는 검사용 전극(6121)과 화소부(113)의 화소에 포함되는 화소 전극은 일정한 간격을 두고 함께 중첩된다. 이 간격은 작은 것이 바람직하다. 화소부(113)의 화소에 포함되는 화소 전극과 검사용 전극(6121)은 그들 사이의 간격이 제어되는 범위내에서 가능한 접근하여 위치하는 것이 바람직하다.
제 1 검사 기판(6203)과 장치 기판(204) 사이의 간격은 이 두 기판들을 고정시킴으로써 유지될 수 있다. 또는, 장치 기판(204) 또는 제 1 검사 기판(6203) 중 하나를 고정시키고 제 1 검사 기판(6203)과 장치 기판(204) 사이에 일정한 유속 또는 압력을 가진 유체를 사용함으로써 유지될 수도 있다. 이러한 유체로는 대표적으로는 기체 또는 액체를 사용할 수 있다. 또한, 점성 젤과 같은 유체도 사용될수도 있다.
실시형태 1과 마찬가지로, 1차 코일과 2차 코일은 선의 나선형 회전 방향과 동일하거나 반대일 수 있다. 한편, 설계자가 1차 코일과 2차 코일 사이의 간격(Lgap)을 적당하게 설정할 수 있다. 1차 코일과 2차 코일 사이의 중첩 방식은 도 6(A)의 실시형태 1을 참조할 수 있다.
한편, 실시형태 1과 마찬가지로, 하나의 검사용 전극(6121)이 다수의 화소 전극과 동시에 중첩된다. 검사용 전극은 하나의 전도성 막 또는 다수의 전기 접속 전도성 막에 의해 형성될 수 있다. 검사용 전극과 화소 전극 사이의 중첩 방식은 실시형태 1의 도 6(B)를 참조할 수 있다. 검사용 전극(6121)과 화소 전극(208)의 중첩에 의해 용량이 형성된다. 교류 전압이 화소 전극(208)에 인가될 때, 기전력이 검사용 전극(6121)상의 정전 유도에 의해 발생한다.
또한, 이 실시형태에서는, 검사용 전극(6121)과 중첩되는 화소 전극(208)은 위치를 임의적으로 설정한다. 더욱이, 검사용 전극(6121)과 화소 전극(208)의 위치 관계는 감시에 따라 상이하다.
장치 기판의 화소 전극(208)과 제 2 검사 기판의 검사용 전극(6121)을 함께 중첩시킬 때의 회로도에 관해서는, 실시형태 1의 도 7을 참조할 수 있다. 도 7에 도시된 화소에서 동일한 주사선을 갖는 화소의 화소 전극은 동일한 검사용 전극과 중첩된다. 그러나, 검사용 전극이 도 7에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다. 검사용 전극과 중첩되는 화소 전극을 가진 화소를 임의적으로 선택할 수 있다.
모니터 중의 검사용 전극(6121)과 화소 전극(208) 사이의 위치 관계에 대하여 설명한다.
설계자는 검사용 전극(6121) 상에 발생된 교류 전압을 모니터하는 횟수를 임의적으로 설정할 수 있다. 설계자는 또한 각각의 모니터 중에 검사용 전극(6121)과 화소 전극(208) 사이의 위치 관계를 임의적으로 설정할 수 있다. 그러나, 각각의 화소 상의 동작 상태가 모든 모니터를 통해 얻어진 검사용 전극(6121)상의 교류 전압 값으로부터 판단될 수 있도록 검사용 전극들(6121)과 화소 전극(208) 사이의 모니터를 위한 위치 관계를 고정시키고 모니터 횟수를 설정하는 것은 필수적이다.
도 11(A) 및 도 11(B)는 화소 전극(208)을 형성하는 면에 평행한 면 상에 중심축으로서 화소부의 중심에 대해 검사용 전극(6121)이 회전될 때 화소 전극(208)과 검사용 전극(6121) 사이의 위치 관계를 보여준다. 여기에는 설명의 이해를 용이하게 하기 위해 화소부내에 5 x 5의 개수의 화소 전극을 갖는 예에 대해 설명한다.
도 11(A)는 화소 전극(208)이 5개 마다 검사용 전극(6121)과 중첩되는 회전 전의 상태(0°)를 나타낸다.
도 11(B)는 검사용 전극(6121)이 도 11(A)의 상태로부터 화소부의 중심에 대해 시계반대 방향으로 45도 회전되어 있는 상태를 나타낸다. 이 경우에, 검사용 전극(6121)은 도 11(A)의 화소 전극과 다른 화소 전극(208)과 중첩된다.
각각의 검사용 전극(6121) 상에 발생되는 교류 전압은 검사용 전극(6121)과 중첩된 화소 전극의 개수, 화소 전극과의 중첩 영역 및 화소 전극에 인가되는 교류전압의 값에 따라 그의 진폭과 파형이 상이하다.
검사용 전극(6121)과 중첩되는 화소 전극의 개수와 화소 전극과의 중첩 영역을 미리 계산할 수 있다. 또한, 모든 화소가 정상 동작인 경우 화소 전극에 인가되는 교류 전압의 진폭과 파형을 계산에 의해 또는 실제 측정에 의해 미리 얻을 수도 있다.
따라서, 예를 들어 도 12에 도시된 바와 같이 불량한 화소의 화소 전극(208a)이 검사용 전극(6121)과 중첩된 화소 전극(208)에 포함되는 경우에, 검사용 전극(6121) 상에 발생되는 교류 전압의 진폭과 파형은 모든 화소가 정상 동작인 경우와 다른다.
검사용 전극(6121)과 중첩된 화소 전극(208)에 대한 불량한 화소의 화소 전극의 점유 비율이 더 높을 때, 검사용 전극(6121) 상에 발생되는 교류 전압의 진폭과 파형은 모든 화소가 정상 동작인 경우와 다르다. 따라서, 화소 전극들이 하나의 검사용 전극(6121)과 중첩되는 화소들 중에 정상적으로 동작하는 화소의 점유 비율을 계산할 수 있다.
또한, 검사용 전극(6121)이 화소 전극(208)에 상대적으로 그의 위치가 수 회 변화되기 때문에, 화소 전극이 하나의 검사용 전극(6121)과 중첩되는 화소들 중의 정상적으로 동작하는 화소의 점유 비율을 얻는 것이 가능하다. 검사용 전극(6121)의 각각의 위치에서 얻어진 정상적으로 동작하는 화소의 점유 비율로부터, 동작 상태가 화소 대 화소 기준으로 판단될 수 있다. 이 동작 상태로부터 정상/비정상이 판단될 수 있다.
또한, 하나의 검사용 전극과 중첩되는 다수의 화소 전극으로의 동시적 전압 인가는 반도체 장치 구동 방법과 검사용 전극 배치에 따라 순차적 및 임의적인 전압 인가를 포함한다.
다수의 화소를 동시에 선택하고 동작시키는 경우에, 검사용 전극에서 발생되는 교류 전압은 모든 화소가 정상 동작을 할 때와 화소들 중의 적어도 하나가 정상 동작을 하지 않을 때에 따라 파형이 상이하다. 즉, 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압은 모든 화소의 동작 상태 정보를 포함한다.
한편, 다수의 화소를 순차적으로 선택하고 동작시키는 경우에, 검사용 전극에는 각각의 화소의 동작 상태 정보를 각각 갖는 교류 전압이 순차적으로 부가된다. 따라서, 모두 정상인 다수의 화소들을 순차적으로 동작시키는 경우에, 동작하는 화소의 화소 전극과 검사용 전극 사이의 겹친 영역에 대해 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압의 변화율은 일정하다.
역으로, 비정상 화소를 포함하는 다수의 화소를 순차적으로 동작시키는 경우에, 동작하는 화소의 화소 전극과 검사용 전극사이의 겹친 영역에 대해 검사용 전극상에 발생되는 교류 전압의 변화율은 일정하지 않다. 따라서, 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압은 모든 화소가 정상 동작할 때와 화소들 중 적어도 하나가 정상 동작을 하지 않을 때에 따라 파형이 상이하다.
또한, 이미 정상이라고 확인된 화소를 사용하는 경우의 검사용 전극상에서 발생되는 교류 전압과 검사용 전극 상에 실제로 발생되는 교류 전압을 비교하여 화소의 동작 상태를 확인하고 그의 정상/비정상을 판단할 수 있다. 그러나, 비교의기준인 교류 전압이 정상임이 이미 확인된 화소 상의 전압이 아닐 수도 있다. 다수의 검사용 전극들 상에 발생되는 교류 전압들 사이를 비교함으로써, 화소는 그의 동작 상태가 확인되고 그의 정상/비정상이 판단될 수도 있다. 이 경우에, 검사용 전극과 중첩되는 화소 전극의 영역을 고려함으로써 이들을 비교하는 것은 필수적이다. 한편, 시뮬레이션에 의해 계산된 교류 전압 값과 비교하여, 화소의 동작 상태를 확인하고 그의 정상/비정상을 판단할 수도 있다.
또한, 도 7, 도 11(A) 및 도 11(B)에서 검사용 전극과 화소 전극이 화소부에 포함되는 모든 화소에서 함께 중첩되어 있더라도, 본 발명이 이것에 한정되는 것은 아니다. 검사용 전극과 화소 전극은 임의적으로 선택된 화소에서만 함께 중첩되어, 임의적으로 선택된 화소에서만 동작 상태에 대한 검사를 수행할 수도 있다.
본 실시형태에서는 장치 기판이 구동회로로서 신호선 구동회로와 주사선 구동회로를 갖는 예를 설명하였지만, 본 발명에서 검사되는 장치 회로는 이것에 한정되는 것은 아니다. 장치 기판이 화소부 만을 갖는 경우에도, 본 발명의 검사 방법을 사용하여 검사를 수행할 수 있다. 한편, TEG로 불리는 단일 장치 또는 이 단일 장치가 복합화된 평가 회로에 대해, 본 발명의 검사 방법 또는 장치를 사용하여 동작 상태를 확인할 수 있다.
검사용 전극은 이 검사용 전극을 기판 상에 고정시키지 않고 직접 제어되고 이동될 수 있다.
상기 구성에 의해, 본 발명은 프로브를 배선 상에 직접 사용하지 않고 장치 기판의 정상/비정상을 판단할 수 있다. 따라서, 프로브를 사용할 때 발생하는 미세 먼지로 인해 후속 공정에서 생산성이 저하하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 모든 패턴 형성 공정에서 정상/비정상은 하나의 검사 공정에 의해 판단될 수 있기 때문에, 검사 공정이 간략화 될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 설명한다.
[실시예 1]
본 실시예에서는, 다수의 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압들 간을 비교함으로써 화소의 동작 상태를 확인하고 그의 정상/비정상을 판단하기 위한 검사 장치의 구성을 설명한다.
도 13은 본 실시예에 따른 검사 장치 구성의 블럭도를 나타낸다.
측정 개시 지시가 맨 머신(man machine) I/F(305)로부터 측정 제어기(306)에 정보로 입력된다. 측정 제어기(306)는 측정을 시작하기 위해 검사 대상인 검사 기판(301)과 장치 기판(302)의 위치를 제어하기 위한 지시를 정보로서 취급기 I/F(307)에 입력한다. 취급기 I/F(307)는 장치 기판(302)에 포함되는 화소 전극(도시되지 않음)과 검사 기판(301)에 포함되는 검사용 전극(303)을 일정한 간격을 두고 함께 중첩시킨다.
측정 제어기(306)는 측정 개시 지시를 정보로서 측정 순서기(308)에 입력한다. 그 다음, 이 측정 순서기(308)는 패널 표시 순서기(309)를 제어하여 검사 대상인 화소의 위치를 선택하고 그 위치를 정보로서 패널 표시 순서기(309)로부터 코일 구동기(310)에 입력한다. 신호원과 교류 전원을 갖는 RF 캐리어(311)는 교류 전압을 후단 회로에 공급할 수 있다. 측정 순서기(308)는 RF 캐리어(311)를 제어하여 코일 구동기(310)에 교류 전압을 입력한다.
코일 구동기(310)는 입력 교류 전압을 사용하여 검사 대상의 화소를 동작시키기 위한 교류 전압을 외부 입력 버퍼(311)에 인가한다. 외부 입력 버퍼(311)는 인가된 교류 전압을 버퍼 증폭하여 이 전압을 1차 코일 형성부(304)에 제공한다.
1차 코일 형성부(304)에 교류 전압을 제공함으로써, 장치 기판(302)에 포함되는 검사 대상의 화소가 동작한다. 교류 전압은 이 화소의 화소 전극에 인가된다. 또한, 교류 전압을 1차 코일 형성부에 제공할 때의 장치 기판의 동작에 대해서는 상기한 실시형태에서 구체적으로 설명되었으므로 여기서는 생략한다.
교류 전압이 화소 전극에 인가될 때, 화소 전극과 중첩된 검사용 전극(303) 상에 교류 전압이 발생한다. 검사용 전극(303) 상에 발생된 교류 전압은 동일한 화소의 동작 상태를 정보로서 포함한다.
검사용 전극(303) 상에 발생된 교류 전압은 신호 처리 회로(312)에 제공된다. 신호 처리 회로(312)는 각각의 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압값을 연산한다. 특히, 각각의 검사용 전극 상의 교류 전압들 간의 차가 계산된다. 검사용 전극(303) 상에 발생되는 교류 전압은 화소의 동작 상태에 따라 파형이 상이하다. 이런 이유로, 교류 전압의 계산된 차는 화소의 동작 상태를 정보로서 포함한다. 따라서, 교류 전압의 계산된 차를 정보로서 갖는 신호(동작 정보 신호)는 화소의 동작 상태를 정보로서 포함한다. 이 동작 정보 신호는 선택회로(313)에 입력된다.
검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압은 흔히 여러 노이즈들을 포함한다.비교적 가까운 주파수와 전압을 갖는 검사용 전극 상에 발생된 노이즈는 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압들 사이의 값의 차를 계산함으로써 소정 범위까지는 제거될 수 있다. 노이즈의 주파수와 전압은 검사용 전극들의 위치가 서로 더 접근할 수록 더 가까와진다. 따라서, 검사용 전극들의 위치가 서로 더 가까운 검사용 전극들 사이의 교류 전압의 차를 계산하는 것이 바람직하다.
선택회로(313)에는 패널 표시 순서기(309)에 의해 선택된 화소의 위치 정보가 측정 순서기(308)를 통해 공급된다. 선택회로(313)는 다수의 입력 동작 정보 신호들 중의 선택된 화소에 대응하는 동작 정보 신호를 신호 분석기(314)에 입력한다.
신호 분석기(314)는 입력 동작 정보 신호를 증폭한 후 이 신호를 디지털 형태로 A/D 변환하고, 이어서 연산 처리를 수행한다. A/D 변환은 반드시 필요한 것은 아니며 연산 처리는 아날로그로 이루어질 수도 있다. 화소의 동작 상태를 분석하기 위한 연산 처리가 수행된다. 따라서, 설계자는 연산 처리의 내용을 적당하게 선택할 수 있다.
연산 처리 후에 동작 정보 신호가 측정 제어기(306)에 입력된다. 측정 제어기(306)는 연산 처리된 동작 정보 신호로부터 화소 상태를 지정하고 또한 화소의 정상/비정상을 판단한다.
또한, 본 발명의 발광 장치는 도 13에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다. 발광 장치는 교류 전압을 발생시키는 수단과, 장치 기판의 배선과 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하는 수단과, 장치 기판의 화소 전극에 인가된 전압을 비접촉으로 판독하는 수단, 및 장치 기판의 위치를 제어하는 수단을 포함하는 것이 바람직하다. 더욱이, 비접촉으로 판독된 교류 전압으로부터 화소 상태를 지정하고 화소의 정상/비정상을 판단하는 것이 바람직하다.
[실시예 2]
본 실시예에서는 다수의 검사용 전극상에 발생되는 교류 전압을 사용하여 화소의 동작 상태를 확인하고 화소의 정상/비정상을 판단하기 위한 검사 장치의 구성에 대하여 설명한다.
도 14는 본 실시예에 따른 검사 장치의 구성의 블럭도를 나타낸다.
측정 개시 지시가 맨 머신 I/F(6305)로부터 측정 제어기(6306)에 정보로서 입력된다. 측정 제어기(6306)는 측정을 개시하기 위해 검사 대상인 장치 기판(6302), 제 1 검사 기판(6301) 및 제 2 검사 기판(6315)의 위치를 제어하기 위한 지시를 정보로서 취급기 I/F(6307)에 입력한다.
취급기 I/F(6307)는 장치 기판(6302)에 포함되는 2차 코일 형성부(도시되지 않음)와 제 1 검사 기판(6301)에 포함되는 1차 코일 형성부(6304)를 일정한 간격을 두고 함께 중첩시킨다. 한편, 취급기 I/F(6307)는 장치 기판(6302)에 포함되는 화소 전극(도시되지 않음)과 제 2 검사 기판(6315)에 포함되는 검사용 전극(6303)을 일정한 간격을 두고 함께 중첩시킨다.
측정 제어기(6306)는 측정 개시 지시를 정보로서 측정 순서기(6308)에 입력한다. 그 후에, 측정 순서기(6308)는 패널 표시 순서기(6309)를 제어하고 검사 대상의 화소 위치를 선택하고, 그 위치를 패널 표시 순서기(6309)로부터 코일구동기(6310)에 정보로서 입력한다. 신호원과 교류 전원을 가진 RF 캐리어(6311)는 교류 전압을 후단 회로에 인가할 수 있다. 측정 순서기(6308)는 RF 캐리어(6311)를 제어하여 교류 전압을 코일 구동기(6310)에 입력한다.
코일 구동기(6310)는 입력 교류 전압을 사용하여 검사 대상의 화소를 동작시키기 위한 교류 전압을 외부 입력 버퍼(6311)에 공급한다. 외부 입력 버퍼(6311)는 공급된 교류 전압을 버퍼 증폭하고, 이 전압을 1차 코일 형성부(6304)에 제공한다.
1차 코일 형성부(6304)에 교류 전압을 제공함으로써, 구동 기판(6302)에 포함되는 검사 대상의 화소가 동작한다. 이 교류 전압은 동일한 화소의 화소 전극에 인가된다.
교류 전압이 화소 전극에 인가될 때, 화소 전극과 중첩되어 있는 검사용 전극(6303) 상에 교류 전압이 발생한다. 검사용 전극(6303) 상에 발생된 교류 전압은 동일한 화소의 동작 상태를 정보로서 포함한다.
검사용 전극(6303) 상에 발생되는 교류 전압은 신호 처리 회로(6312)에 제공된다. 신호 처리 회로(6312)는 각각의 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압값을 연산한다. 특히, 검사용 전극들 사이에 발생된 교류 전압의 차가 계산된다. 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압은 흔히 여러 노이즈들을 포함한다. 비교적 가까운 주파수 및 전압을 가진 검사용 전극 상에 발생된 노이즈는 검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압들 사이의 차를 계산함으로써 소정의 범위까지는 제거될 수 있다. 노이즈의 주파수와 전압은 검사용 전극들의 위치가 서로 더 접근할 수록 더 가까와진다. 따라서, 검사용 전극들의 위치가 서로 더 가까운 검사용 전극들 사이의 교류 전압의 차를 계산하는 것이 바람직하다.
또한, 검사용 전극(6303) 상에 발생되는 교류 전압은 화소의 동작 상태에 따라서 파형이 상이하다. 이런 이유로, 교류 전압의 계산된 차는 화소의 동작 상태를 정보로서 포함한다. 따라서, 교류 전압의 계산된 차를 정보로서 갖는 신호(동작 정보 신호)는 화소 동작 상태를 정보로 포함한다. 이 동작 정보 신호는 선택회로(6313)에 입력된다.
선택회로(6313)에는 패널 표시 순서기(6309)에 의해 선택된 화소의 위치, 각각의 검사용 전극(6303)과 중첩되어 있는 화소 전극의 위치 및 중첩 영역의 비율에 대한 정보가 측정 순서기(6308)를 통해 공급된다. 선택회로(6313)는 다수의 입력 동작 정보 신호 중에 선택된 화소에 대응하는 동작 정보 신호를 신호 분석기(6314)에 입력한다.
신호 분석기(6314)는 입력 동작 정보 신호를 증폭하고 이 신호를 디지털 형태로 A/D 변환하고, 이어서 연산 처리를 수행한다. 또한, A/D 변환은 반드시 필요한 것은 아니며, 연산 처리는 아날로그로 이루어질 수도 있다. 감시 동안 검사용 전극과 중첩되어 있는 화소의 동작 상태를 분석하기 위한 연산 처리가 수행된다. 따라서, 설계자가 동작 처리의 내용을 적당하게 선택할 수 있다.
연산 처리 후에 동작 정보 신호는 측정 제어기(6306)에 입력된다.
그 다음, 취급기 I/F(6307)는 장치 기판(6302)에 상대적으로 제 2 검사 기판(6315)의 위치를 변화시킨다. 전술한 동작은 연산 처리된 다수의 연산 정보신호를 측정 제어기(6306)에 입력하기 위해 수회 반복된다. 측정 제어기(6306)는 감시동안 각각의 검사용 전극과 중첩된 화소 전극의 영역의 위치 및 비율과 연산 처리된 입력 동작 정보 신호로부터 각각의 화소의 상태를 지정하고 화소의 정상/비정상을 판단한다.
본 발명의 검사 장치는 도 14에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 검사 장치는 교류 전압을 발생시키는 수단과, 장치 기판의 배선 및 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하는 수단과, 장치 기판의 화소 전극에 인가되는 전압을 비접촉으로 판독하는 수단 및 장치 기판의 위치를 제어하는 수단을 갖는 것이 바람직하다. 더욱이, 비접촉으로 판독된 교류 전압으로부터 화소 상태를 지정하고 또한 화소의 정상/비정상을 판단하는 것이 바람직하다.
[실시예 3]
본 실시예에서는 도 13에 도시된 검사 장치의 신호 처리 회로의 상세한 구성을 설명한다. 도 14에 도시된 검사 장치의 신호 처리 회로는 본 실시예에 도시된 구성을 가질 수도 있다.
도 15는 본 실시예의 신호 처리 회로의 회로도를 나타낸다. 도 15에 도시된 신호 처리 회로(312)는 y개의 검사용 전극(303)(E1 내지 Ey)에 대응하는 다수의 차동 증폭기(350_1 내지 350_y-1)를 갖는다.
검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압은 차동 증폭기의 비반전 입력(+)에 각각 입력된다. 각각의 차동 증폭기의 반전 입력(-)에는 비반전 입력(+)에 대응하는 검사용 전극과 다른 검사용 전극 상에 발생되는 교류가 공급된다.
본 실시예에서는, 검사용 전극(Ei)상에 발생되는 교류의 전압은 차동 증폭기(350_i)의 비반전 입력(+)에 제공된다. 검사용 전극(Ei+1)(i=1에서 y-1중 하나) 상에 발생되는 교류의 전압은 차동 증폭기(350_i+1)의 제 2 단자에 제공된다.
각각의 차동 증폭기는 후단의 선택회로(313)에 동작 정보 신호를 출력으로 입력한다. 각각의 검사용 전극과 중첩된 화소의 동작 상태는 차동 증폭기로부터 출력된 동작 정보로부터 확인될 수 있다. 특히, 화소의 동작 상태는 동작 정보 신호에 포함되는 전압의 값 또는 파형으로부터 확인될 수 있다. 그러나, 검사용 전극(Ey)과 중첩되는 화소는 차동 증폭기(350_y-1)로부터 출력된 동작 정보 신호로부터 그의 동작 상태가 확인될 수 있다. 한편, 더미(dummy) 검사용 전극은 검사용 전극(Ey) 상에 발생된 교류 전압을 각각 제공된 차동 증폭기의 비반전 입력(+)에 제공하고 더미 검사용 전극의 전압을 제 2 단자에 제공하기 위해 준비될 수 있다. 또한, 실제 표시에서 사용하기 위해서가 아니라 검사를 목적으로 사용하기 위한 더미 화소가 더미 검사용 전극과 중첩될 수 있도록 화소부 내에 제공될 수 있다.
검사용 전극(E1)과 중첩되는 화소의 동작 상태는 차동 증폭기(350_1)로부터 출력된 동작 정보 신호에 정보로서 포함된다. 검사용 전극(Ej)(j=2 내지 y-1)과 중첩된 화소의 동작 상태는 차동 증폭기(350_j-1 및 350_j)로부터 출력된 동작 정보 신호에 정보로서 포함된다. 검사용 전극(Ey)과 중첩된 화소의 동작 상태는 차동 증폭기(350_y-1)로부터 출력된 동작 정보 신호에 정보로서 포함된다.
또한, 화소의 동작 상태가 정상 화소의 정상 동작 상태와 상이한 정도에 따라 화소가 정상으로 동작하는 것으로 간주되는 기준은 설계자가 적당하게 설정할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 신호 처리 회로는 도 15에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예는 실시예 1 또는 2와 임의적으로 결합하여 실시될 수 있다.
[실시예 4]
본 실시예에서는 도 13에 도시된 검사 장치의 신호 처리 회로의 상세한 구성을 설명한다. 도 14에 도시된 검사 장치의 신호 처리 회로는 또한 본 실시예에 도시된 구성을 가질 수도 있다.
도 16은 본 실시예의 신호 처리 회로의 회로도를 나타낸다. 도 16에 도시된 신호 처리 회로(312)는 y개의 검사용 전극(303)(E1 내지 Ey)에 대응하여 다수의 1차 유도 코일(360_1 내지 360_y-1)과, 다수의 2차 유도 코일(361_1 내지 361_y-1) 및 다수의 용량(362_1 내지 362_y-1)을 갖는다.
본 실시예의 1차 및 2차 유도 코일(이하, '유도 코일'이라 총칭한다)은 각각 중심에 자기 부재가 각각 제공되거나 제공되지 않을 수 있다. 한편, 유도 코일에 포함되는 배선은 동일한 면상에 존재하거나 동일한 면상에 존재하지 않을 수 있다.
검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압은 1차 유도 코일의 제 1 단자에 각각 입력된다. 각각의 1차 유도 코일의 제 2 단자에는 제 1 단자에 대응하는 검사용 전극과 다른 검사용 전극 상에 발생되는 교류가 인가된다.
본 실시예에서는, 검사용 전극(Ei)(i=1 내지 y-1 중 하나) 상에 발생되는 교류의 전압은 1차 유도 코일(360_i)의 제 1 단자에 제공된다. 검사용 전극(Ei+1)(i=1 내지 y-1 중 하나) 상에 발생되는 교류의 전압은 1차 유도 코일(360_i+1)의 제 2 단자에 제공된다.
1차 유도 코일(360_1 내지 360_y-1)과 2차 유도 코일(361_1 내지 361_y-1)은 각각 함께 중첩된다. 용량(362_1 내지 362_y-1)은 제 2 유도 코일(361_1 내지 361_y-1)의 제 1 단자와 제 2 단자 사이에 각각 형성된다.
2차 유도 코일(361_1 내지 361_y-1)의 제 1 단자 상에 발생되는 전압은 모두 동작 정보 신호 전압으로서 선택회로(313)에 인가된다. 일정한 전압(도 16에서 접지 전압)이 2차 유도 코일(361_1 내지 361_y-1)의 모든 제 2 단자들에 제공된다.
각각의 검사용 전극과 중첩되는 화소의 동작 상태는 2차 유도 코일의 제 1 단자 상에 발생되는 동작 정보 신호에 의해 확인될 수 있다. 그러나, 검사용 전극(Ey)과 중첩되는 화소는 2차 유도 코일(361_y-1)의 단자상에 발생되는 동작 정보 신호로부터 그의 동작 상태가 확인될 수 있다.
한편, 더미 검사용 전극은 검사용 전극(Ey) 상에 발생된 교류 전압을 각각 제공된 1차 유도 코일의 제 1 단자에 제공하고 더미 검사용 전극의 전압을 1차 유도 코일의 제 2 단자에 제공하기 위해 준비될 수 있다. 각각 제공된 2차 유도 코일의 제 1 단자 상에 발생된 동작 상태 신호로부터 화소의 동작 상태가 확인될 수 있다. 더욱이, 실제 표시에서 사용하기 위해서가 아니라 검사를 위해 더미 화소가 더미 검사용 전극과 중첩될 수 있도록 화소부에 제공될 수 있다.
검사용 전극(E1)과 중첩되는 화소의 동작 상태는 2차 유도 코일(361_1)의 제1 단자상에 발생되는 동작 정보 신호에 정보로서 포함된다. 검사용 전극(Ej)(j=2 내지 y-1)과 중첩되는 화소의 동작 상태는 2차 유도 코일(361_j-1)의 제 1 단자와 2차 유도 코일(361_j)의 제 1 단자 상에 발생된 동작 정보 신호에 정보로서 포함된다. 검사용 전극(Ey)과 중첩된 화소의 동작 상태는 2차 유도 코일(361_y-1)의 제 1 단자 상에 발생된 동작 정보 신호에 정보로서 포함된다.
화소의 동작 상태가 화소의 정상 동작 상태와 상이한 정도에 따라 화소가 정상으로 동작하는 것으로 간주되는 기준은 설계자가 적당하게 설정할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 신호 처리 회로는 도 16에 도시된 구성에 한정되는 것이 아니다.
본 실시예는 실시예 1 또는 2와 임의적으로 결합하여 실시될 수 있다.
[실시예 5]
본 실시예에서는 도 17을 사용하여 실시형태 1의 파형 정형 회로의 상세한 구성을 설명한다. 실시형태 2의 파형 정형 회로도 또한 본 실시예에 도시된 구성을 가질 수 있다.
도 17은 도 3에 도시된 신호원(201), 1차 코일 형성부(101), 2차 코일 형성부(117) 및 파형 정형 회로(116a) 사이의 접속 형태를 나타낸다. 1차 코일 형성부(101)에는 다수의 1차 코일(206)이 제공되고, 2차 코일 형성부(117)에는 다수의 2차 코일(207)이 제공되어 있다.
각각의 1차 코일(206)에는 신호원(201)으로부터 검사용 교류 신호가 입력된다. 특히, 검사용 교류 신호 전압은 신호원(201)으로부터 1차 코일(206)에 포함되는 2개의 단자들 사이에 인가된다. 교류 신호가 1차 코일(206)에 입력될 때, 교류 전압 또는 기전력이 대응하는 2차 코일(207) 상에 발생된다. 이 교류 전압은 파형 정형 회로(116a)에 인가된다.
파형 정형 회로(116a)는 시간에 따라 변화하는 양, 즉, 전압 또는 전류의 파형을 형성하고 정형하기 위해 사용되는 전자 회로이다. 도 17은 회로 소자들의 결합에 의해 적분형 파형 정형 회로(116a)를 구성하기 위한 저항(501,502)과 캐패시터(503,504)를 포함한다. 물론, 파형 정형 회로는 도 17에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다. 한편, 전원 회로와 마찬가지로, 다이오드를 사용하는 파형 검출 회로가 파형을 정형하기 위해 사용될 수도 있다.
본 발명에서 사용되는 파형 정형 회로(116a)는 입력 교류 기전력으로부터 특히 클럭 신호(CLK), 시작 펄스 신호(SP) 또는 비디오 신호를 발생시키고 출력한다.
파형 정형 회로(116a)는 상기 신호들에 한정되지 않는 임의의 형태의 신호를 발생시킬 수 있다. 파형 정형 회로(116a)에 의해 발생되는 이러한 신호는 화소의 동작 상태를 확인하기 위한 신호인 것이 바람직하다.
파형 정형 회로(116a)로부터 출력된 신호는 후단 회로, 예를 들어, 신호선 구동회로(111), 주사선 구동회로(112) 및 화소부(113)에 입력된다.
본 실시예는 실시예 1 내지 4와 임의적으로 결합하여 실시될 수 있다.
[실시예 6]
본 실시예에서는 도 18을 참조로 실시형태 2의 정류 회로(116b)의 상세한 구성을 설명한다. 실시형태 2의 정류 회로는 본 실시예에 도시된 구성을 가질 수도있다.
도 18은 도 3에 도시된 교류 전원(202), 1차 코일 형성부(101), 2차 코일 형성부(117) 및 정류 회로(116b) 사이의 접속 형태를 나타낸다. 1차 코일 형성부(101)에는 다수의 1차 코일들(206)이 제공되고, 2차 코일 형성부(117)에는 다수의 2차 코일(207)들이 제공되어 있다.
각각의 1차 코일(206)에는 교류 전원(202)으로부터 검사용 교류 신호가 입력된다. 교류 신호가 1차 코일(206)에 입력될 때, 교류 전압 또는 기전력이 대응하는 2차 코일(207)상에 발생된다. 교류 전압은 정류 회로(116b)에 인가된다.
본 발명의 정류 회로는 인가된 교류 전압으로부터 직류 전원 전압을 발생시키기 위한 회로를 의미한다. 직류 전원 전압은 회로, 회로 소자 또는 화소에 제공되는 일정한 높이로 유지되는 전압을 의미한다.
도 18에 도시된 정류 회로(116b)는 다이오드(601), 캐패시터(602) 및 저항(603)을 갖는다. 다이오드(601)는 입력 교류 전압을 정류하고 이 전압을 직류 전압으로 변환시키기 위한 것이다.
도 19(A)는 다이오드(601)에서 정류하기 전의 교류 전압의 시간에 따른 변화를 나타내고, 도 19(B)는 정류 후의 전압의 시간에 따른 변화를 나타낸다. 도 19(A) 및 도 19(B)의 그래프들 사이의 비교에 의해 알수 있는 바와 같이, 정류된 후의 전압은 반주기의 간격으로 일 극성을 갖는 0 또는 1 값을 취하는 데, 소위 펄스 전압을 갖는다.
도 19(B)에 도시된 펄스 전압은 전원 전압으로 사용하기 어렵다. 따라서,통상 이 펄스는 캐패시터 내에 저장됨으로써 평활화되고 직류 전압으로 변환된다. 그러나, 박막 반도체를 사용하여 펄스를 평활화하기에 충분한 큰 용량을 가진 캐패시터를 형성하기 위해, 캐패시터의 영역을 비실용적으로 크게 증가시킬 필요가 있다. 따라서, 본 발명은 정류 후에 위상이 상이한 펄스 전압들을 함께 결합하여(더하여) 전압을 평활화한다. 상기 구성은 캐패시터의 용량이 작을 때에도 펄스를 충분히 평활화할 수 있다. 더욱이, 이 펄스는 실제로 캐패시터를 제공하지 않고도 충분히 평활화될 수 있다.
도 18에서, 펄스가 상이한 교류 신호는 4개의 1차 코일에 각각 입력되어 4개의 다이오드(601)로부터 위상이 상이한 4개의 펄스 전압들을 출력한다. 이 4개의 펄스 전압들은 함께 더해져서 후단 회로에 출력되는 거의 일정하게 유지되는 높이를 갖는 직류 전원 전압을 형성한다.
도 18에서는 4개의 다이오드(601)로부터 출력된 위상이 상이한 4개의 펄스 신호들을 함께 더함으로써 전원 전압을 형성하였지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 위상 분할 개수는 이것에 한정되지 않는다. 위상 분할의 개수는 정류 회로로부터의 출력이 전원 전압으로서 사용가능한 범위까지 평활화된다면 제한되지 않는다.
도 20(A) 내지 도 20(C)는 다수의 정류 신호들을 함께 더함으로써 얻어진 전원 전압의 시간에 따른 변화를 나타낸다. 도 20(A)는 위상이 상이한 4개의 펄스 전압을 함께 더함으로써 하나의 전원 전압이 발생되는 예를 나타낸다.
본 발명의 정류 회로는 다수의 펄스를 함께 더함으로써 전압을 발생시키기때문에, 이 전압은 직류와 다른 성분으로서 리플을 갖는다. 리플은 가장 높은 전압과 가장 낮은 전압 사이의 차에 대응한다. 리플이 작을 수록, 정류 회로에서 발생되는 전압은 직류에 근접하고 전원 전압으로 사용하기 쉬워진다.
도 20(B)는 위상이 상이한 8개의 펄스 전압들을 함께 더함으로써 얻어지는 전원 전압의 시간에 따른 변화를 나타낸다. 도 20(A)에 도시된 전원 전압의 시간에 따른 변화와 비교하여 리플이 더 작아진 것을 알 수 있다.
도 20(C)는 위상이 다른 16개의 펄스 전압들을 함께 더함으로써 얻어진 전원 전압의 시간에 따른 변화를 나타낸다. 도 20(B)에 도시된 전원 전압의 시간에 따른 변화와 비교하여 리플이 훨씬 더 작아진 것을 알 수 있다.
이러한 방식으로, 위상이 서로 상이한 다수의 펄스들을 함께 더함으로써 전원 전압의 리플이 감소되어 직류가 된다는 것을 알 수 있다. 따라서, 위상 분할의 개수가 증가함에 따라, 정류 회로로부터 출력된 전원 전압은 평활화되기 쉽다. 또한, 캐패시터(602)의 용량이 증가함에 따라, 정류 회로로부터 출력된 전원 전압은 평활화되기 쉽다.
정류 회로(116b)에서 발생되는 전원 전압은 단자(610, 611)를 통해 출력된다. 특히, 접지에 가까운 전압이 단자(610)를 통해 출력되고 양의 극성을 갖는 전원 전압은 단자(611)를 통해 출력된다. 다이오드를 음극과 양극을 역으로 접속함으로써, 출력 전원 전압은 극성이 반전될 수 있다. 단자(610, 611)에 접속된 다이오드는 단자(612, 613)에 접속된 다이오드(601)에 음극과 양극이 역으로 접속된다. 따라서, 접지에 근접한 전압은 단자(612)를 통해 출력되고 음의 극성을 갖는 전원전압은 단자(613)를 통해 출력된다.
또한, 각종 회로 또는 회로 소자들이 장치 기판 상에 형성된다. 회로 또는 회로 소자들에 인가되는 전원 전압은 회로 또는 회로 소자의 종류 또는 응용에 따라 높이가 상이하다. 도 18에 도시된 정류 회로에서, 각각의 단자에 입력되는 전압은 입력 교류 신호의 진폭을 조정함으로써 높이가 조정될 수 있다. 더욱이, 전원 전압의 높이는 접속된 단자를 변화시킴으로써 변화될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 정류 회로는 도 18에 도시된 반파 정류 회로에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 사용되는 정류 회로는 입력 교류 신호로부터 직류 전원을 발생시킬 수 있는 회로일 수 있다.
도 21(A) 및 도 21(B)는 도 18에 도시된 구성과 다른 구성을 가진 정류 회로의 회로도를 나타낸다. 도 21(A)에 도시된 정류 회로는 2개의 다이오드(902,903)를 가진 전압 2배기 완파 정류 회로(901)이다. 또한, 도 21(A)에 도시된 전압 2배기 완파 정류 회로는 캐패시터(904, 905)를 갖는다. 캐패시터들의 위치와 개수는 도 21(A)에 도시된 것에 한정되지 않는다.
다이오드(902)의 음극과 다이오드(903)의 양극은 둘다 2차 코일의 일 단자에 접속된다. 다수의 전압 2배기 완파 정류 회로(901)를 제공하여 그의 출력들을 함께 더함으로써, 도 18에 도시된 반파 정류 회로의 전압과 비교하여 2배의 직류 전압을 얻을 수 있다.
도 21(B)에 도시된 정류 회로는 4개의 다이오드(912, 913, 914, 915)를 갖는 브리지 정류 회로(911)이다. 이 4개의 다이오드(912, 913, 914, 915)가 하나의 브리지를 형성한다. 한편, 도 21(B)에 도시된 브리지 정류 회로는 캐패시터(916)를 갖는다. 캐패시터의 위치와 수는 도 21(B)에 도시된 것에 한정되지 않는다.
본 실시예는 실시예 1 내지 5와 임의적으로 결합하여 실시될 수 있다.
[실시예 7]
본 실시예에서는 일반적인 발광 장치를 갖는 경우를 예시함으로써 검사용 구동신호와 전원 전압을 더욱 상세하게 설명한다.
도 22는 일반적인 발광 장치용 OLED 패널의 구성을 나타낸다. 도 22는 디지털 비디오 신호를 사용하여 화상을 표시하기 위한 발광 장치용 구동회로의 일 예를 설명한다. 도 22에 도시된 OLED 패널은 신호선 구동회로(700), 주사선 구동회로(701) 및 화소부(702)를 갖는다.
화소부(702)에는 다수의 신호선, 다수의 주사선 및 다수의 전원선이 형성되어 있다. 신호선, 주사선 및 전원선으로 둘러싸인 영역이 화소에 대응한다. 도 22는 다수개의 화소들 중에 하나의 신호선(707), 하나의 주사선(709) 및 하나의 전원선(708)을 갖는 하나의 화소를 대표적으로 나타내고 있다. 각각의 화소는 스위칭 소자로서 스위칭용 TFT(703), 구동용 TFT(704), 보유 용량(705) 및 OLED 화소 전극(706)을 갖는다.
스위칭용 TFT(703)는 주사선(709)에 접속된 게이트 전극을 갖는다. 스위칭용 TFT(703)는 소스 및 드레인 영역을 가지며 그 중 하나는 신호선(707)에 접속되고, 다른 하나는 구동용 TFT(704)의 게이트 전극에 접속된다.
구동용 TFT(704)는 소스 및 드레인 영역을 가지며 그 중 하나는 전원선(708)에 접속되고 다른 하나는 화소 전극(706)에 접속된다. 구동용 TFT(704)의 게이트 전극과 전원선(704)은 보유 용량(705)을 형성한다. 이 보유 용량(705)이 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다.
신호선 구동회로(700)는 시프트 레지스터(710), 제 1 래치(711) 및 제 2 래치(712)를 갖는다. 시프트 레지스터(710), 제 1 래치(711) 및 제 2 래치(712)에는 각각 전원이 제공된다. 한편, 시프트 레지스터(710)에는 신호선 구동회로용 시작 펄스 신호(S-SP)와 클럭 신호(S-CLK)가 제공된다. 제 1 래치(711)에는 래치의 타이밍을 결정하기 위한 래치 신호와 비디오 신호가 제공된다.
클럭 신호(S-CLK)와 시작 펄스 신호(S-SP)가 시프트 레지스터(710)에 입력될 때, 샘플링 비디오 신호의 타이밍을 결정하기 위해 샘플링 신호가 발생되고 제 1 래치(711)에 입력된다.
버퍼 등에 의해 버퍼 증폭된 후의 시프트 레지스터(710)로부터의 샘플링 신호는 제 1 래치(711)에 입력될 수 있다. 샘플링 신호가 입력되는 배선에는 많은 회로 또는 회로 소자들이 접속되므로 부하 용량(기생 용량)이 크다. 버퍼는 큰 부하 용량으로 인해 초래되는 타이밍 신호의 상승 또는 하강의 "둠함(blunt)"을 방지하는 데 효과적이다.
제 1 래치(711)는 다수의 래치 단(段)을 갖는다. 제 1 래치(711)는 입력 샘플링 신호와 동기로 입력 비디오 신호를 샘플링하고, 이 신호를 래치 순서로 각각의 단에 저장한다.
제 1 래치(711)의 모든 래치 단들에 비디오 신호를 기록하기 위해 필요한 시간이 라인 기간으로 불린다. 실제로, 이 라인 기간은 몇몇 경우에 수평 복귀 기간이 더해진 라인 기간을 포함한다.
하나의 라인 기간이 끝난 후에, 래치 신호는 제 2 래치(712)에 입력된다. 이 예에서, 제 1 래치(71) 상에 기록되고 유지되는 비디오 신호는 제 2 래치(712)에 동시에 보내지고 제 2 래치(712)의 모든 다단식 래치에 기록되고 보유된다.
비디오 신호를 제 2 래치(712)에 보낸 제 1 래치(711)는 시프트 레지스터(710)로부터의 샘플링 신호에 따라 비디오 신호에 의해 순차적으로 기록된다.
제 2 라인 기간에서, 제 2 래치(712) 상에 기록되고 보유되는 비디오 신호는 소스 신호선 상에 입력된다.
한편, 주사선 구동회로(701)는 시프트 레지스터(721)와 버퍼(722)를 갖는다. 시프트 레지스터(721)와 버퍼(722)에는 전원이 제공된다. 한편, 시프트 레지스터(721)에는 주사선 구동회로용 시작 펄스 신호(G-SP)와 클럭 신호(G-CLK)가 제공된다.
전원선(708)에는 교류 전압이 인가된다.
클럭 신호(G-CLK)와 시작 펄스 신호(G-SP)가 시프트 레지스터(721)에 입력될 때, 주사선 선택 타이밍을 결정하기 위한 선택 신호가 발생되고 버퍼(722)에 입력된다. 버퍼(722)에 입력된 선택 신호는 버퍼 증폭되어 주사선(709)에 입력된다.
주사선(709)의 선택은 선택된 주사선(709)과 그의 게이트 전극에서 접속되는 스위칭용 TFT(703)를 온(ON)시킨다. 신호선에 입력되는 비디오 신호는 온으로 된스위칭용 TFT(703)를 통해 구동용 TFT(704)의 게이트 전극에 입력된다.
구동용 TFT(704)는 게이트 전극에 입력된 비디오 신호에 포함되는 1 또는 0의 정보에 따라 그의 스위칭이 제어된다. 구동용 TFT(704)가 온될 때, 전원선 상의 교류 전압이 화소 전극에 제공된다. 구동용 TFT(704)가 오프될 때, 전원선 상의 교류 전압은 화소 전극에 제공되지 않는다.
이러한 방식으로, 신호선 구동회로(700)와, 주사선 구동회로(701) 및 화소부(702)가 동작할 때, 교류 전압이 화소 전극에 인가됨으로써 화소의 동작 정보를 포함하는 교류 전압이 검사용 전극(730) 상에 발생한다. 화소 동작 정보가 확인되고 화소의 정상/비정상이 검사용 전극(730) 상에 발생된 교류 전압에 따라 판단된다.
또한, 구동회로상에 결함이 발생하고 화소에는 결합이 없을 때에도, 화소 전극에 인가되는 전압 값은 변화한다. 따라서, 구동회로의 정상/비정상을 판단할 수 있다.
도 22에 도시된 OLED 패널의 경우에, S-CLK, S-SP, G-CLK, G-SP, 래치 신호 및 비디오 신호는 검사용 구동신호로서 회로에 입력된다. 검사용 구동신호는 상기 신호들에 한정되는 것은 아니다. 구동과 관련된 임의의 신호가 검사용 구동신호로 사용될 수도 있다. 예를 들어, 상기한 신호들 외에도, 주사선 상의 주사 방향을 스위칭하는 타이밍을 결정하는 신호 또는 선택 신호의 입력 방향을 주사선으로 스위칭하는 신호가 입력될 수 있다. 그러나, 검사되는 화소의 동작 상태를 확인할 수 있으며 그의 정상/비정상을 판단할 수 있는 신호를 입력하는 것은 필수적이다.
모든 화소들을 검사하지 않고 OLED 패널에 포함되는 화소들의 일부를 검사하는 경우에, 상기 화소의 일부만을 구동시키기 위한 구동신호만을 입력하는 것이 바람직하다. 항상 상기한 구동신호 모두를 입력할 필요는 없다.
위상이 다른 펄스 신호들을 함께 더함으로써 전원 전압이 발생되는 경우에, 1차 코일의 수는 더해지는 펄스 신호의 수에 따라 다르다.
본 발명의 검사 장치 및 방법이 도 22에 도시된 구성을 가진 OLED 패널에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예는 실시예 1 내지 6과 임의적으로 결합하여 실시될 수 있다.
[실시예 8]
본 실시예에서는 대형 기판을 사용하여 다수의 표시 기판을 형성하기 위한 검사 후의 기판 절단에 대해 설명한다.
도 23은 본 실시예에서 절단되기 전의 대형 기판의 평면도를 나타낸다. 부호 1001은 화소부이고, 부호 1002는 주사선 구동회로이며, 부호 1003은 신호선 구동회로이다. 또한, 부호 1004로 도시된 영역에는 검사 공정 중에만 사용되고 검사가 완료된 후에는 사용되지 않는 회로 또는 회로 소자, 즉, 다수의 2차 코일, 파형 정형 회로, 정류 회로 및 특정 검사 회로 등이 형성된다.
도 23에서, 점선으로 표시된 선을 따라 기판을 절단함으로써, 9개의 표시 기판이 하나의 기판으로부터 형성된다. 또한, 본 실시예가 하나의 기판으로부터 9개의 표시 기판을 형성하는 예를 도시하지만, 본 실시예는 이 개수에 한정되는 것은 아니다.
절단 중에 2차 코일과 커넥터를 물리적 및 전기적으로 분리시키는 절단이 행해진다. 도 23에서, 영역(1004)은 절단 후에 표시에 사용되지 않는 기판의 측면 상에 제공된다.
도 23과 다른 일 실시예에 따라 대형 기판을 절단하는 방법에 대해 설명한다. 도 24에서, 부호 1101은 화소부이고, 부호 1102는 주사선 구동회로이며, 부호 1103은 신호선 구동회로이다. 부호 1104에 도시된 영역은 검사 공정 중에만 사용되고 검사가 완료된 후에는 사용되지 않는 회로 또는 회로 소자들, 즉, 다수의 2차 코일, 파형 정형 회로, 정류 회로, 특정 검사 회로 등이 형성된다.
도 24에서, 점선으로 표시된 선을 따라 기판을 절단함으로써, 9개의 표시 기판이 하나의 기판으로부터 형성된다. 또한, 이 실시예는 하나의 기판으로부터 9개의 표시 기판을 형성하는 예를 도시하고 있지만, 본 실시예는 이 개수에 한정되는 것은 아니다.
절단 중에 2차 코일과 커넥터를 물리적 및 전기적으로 분리시키기 위해 절단 및 분할(breaking)이 행해진다. 도 24에서, 영역(1104)은 기판의 절단선 상에 제공되어 검사 후에 절단 및 분할된다. 영역(1104) 내에 형성된 회로 또는 회로 소자는 검사 후에는 불필요하기 때문에, 완성된 반도체 장치를 동작시키는 것에 문제는 발생하지 않는다.
절단 후에 파형 정형 회로 또는 정류 회로는 반도체 장치로 사용되거나 반도체 장치로 사용되지 않도록 기판 상에 남겨질 수 있다. 또는, 절단 후에 이 회로는 파괴될 수도 있다.
본 실시예는 실시예 1 내지 7의 구성과 임의적으로 결합하여 실시될 수 있다.
[실시예 9]
본 실시예에서는 흐름도를 사용하여 본 발명의 검사 공정의 동작 순서를 설명한다.
도 25는 본 발명의 검사 공정의 흐름도를 나타낸다. 먼저, 검사에 앞서 제조 공정을 완료한 후에, 검사 전원 전압 또는 구동신호 전압이 비접촉으로 장치 기판의 회로 소자 또는 배선에 인가된다.
그 결과, 검사 대상인 화소는 이 화소와 중첩되는 검사용 전극 상에 화소 동작 상태 정보를 갖는 교류 전압을 발생시키기 위한 소정의 동작을 행한다. 이 교류 전압은 검사용 전극의 위치를 변화시키면서 수 회 모니터된다.
검사용 전극 상에 발생되는 교류 전압에 따라, 화소 동작 상태가 확인되고 화소의 정상/비정상이 판단된다. 또한, 화소의 동작 상태는 반드시 정상과 비정상의 둘로 구분될 필요는 없으며, 동작 상태에 따라 다수의 순위로 구분될 수 있다.
한편, 화소의 정상/비정상에 대한 판단 기준을 실시자가 적당하게 설정할 수 있다. 몇개의 화소가 비정상이라고 판단되는 경우에, 실시자는 장치 기판이 수용가능한지의 여부를 적당하게 설정할 수 있다. 심지어 하나의 비정상 화소가 존재할 때 비정상으로 판단할 수도 있으며, 그렇지 않으면 일정한 개수의 비정상 화소가 존재할 때 비정상으로 판단할 수도 있다.
정상으로 판단한 경우에, 검사는 그 시점에서 끝난 것으로 간주되고 검사 공정 후의 제조 공정을 시작한다.
비정상으로 판단한 경우에, 제품으로 완성되지 않도록 공정에서 제거(분리)하는 것과 또는 비정상의 원인을 규명하는 것 중에서 선택이 행해진다. 다수의 제품이 대형 기판으로부터 제조되는 경우, 기판을 절단한 후에 분류(lot out) 단계에 들어간다.
비정상의 원인이 규명되고 수선이 가능하다고 판단되는 경우에, 본 발명의 검사 공정이 수선 후에 전술한 동작을 반복하기 위해 재개된다.
본 실시예는 실시예 1 내지 8의 구성과 임의적으로 결합하여 실시될 수 있다.
[실시예 10]
본 실시예에서는 본 발명에서 사용되는 코일, 이 코일에 포함되는 단자 및 배선(코일 배선) 사이의 관계를 상세히 설명한다.
도 26(A)에서, 코일(1601)은 절연 표면 상에 형성되고 절연 표면상에 코일(1601)을 덮는 층간 절연막(1603)이 형성된다. 콘택트 홀이 이 층간 절연막내에 형성되어, 이 콘택트 홀을 통해 코일(1601)에 접속하는 코일 배선(1602)을 이 층간 절연막 상에 형성한다.
도 26(B)는 도 26(A)의 파선 C-C'을 따라 절취한 단면도이다.
도 26(C)에서, 코일 배선(1612)이 절연 표면 상에 형성된다. 층간 절연막(1613)이 절연 표면 상에 코일 배선(1612)을 덮도록 형성된다. 콘택트 홀이 이 층간 절연막 내에 형성되어, 이 층간 절연막 상에 콘택트 홀을 통해 코일배선(1612)에 접속하는 코일(1611)을 형성한다.
도 26d는 도 26(C)의 일점 쇄선 D-D'를 따라 절취한 단면도이다.
본 발명에서 사용되는 코일의 제조 방법이 상기 방법것에 한정되는 것은 아니다. 절연막을 패터닝함으로서, 소용돌이 홈이 형성된다. 전도성 막이 절연막 상의 이 홈을 덮도록 형성된다. 그 후에, 이 전도성 막은 절연막이 이 홈내에만 전도성 막을 남기도록 노출될 때까지 에칭 또는 CMP 공정에 의해 연마된다. 홈 내에 남겨진 전도성 막은 코일로 사용될 수 있다.
본 실시예는 실시예 1 내지 8의 구성과 임의적으로 결합하여 실시될 수 있다.
[실시예 11]
본 실시예에서는 실시형태 1에서, 왈쉬(Walsh) 함수을 사용하여 각각의 화소가 정상적으로 동작하는지의 여부에 대해 검사를 수행하는 방법을 설명한다.
본 실시예는 4 x 4 화소를 갖는 발광 장치의 경우를 예로서 설명한다. 4 x 4 화소를 갖는 발광 장치에 대해, 16개의 W00(4,4) 내지 W33(4,4)(이후, W00내지 W33으로 약칭함)의 16개의 함수 그룹이 결정된다.
도 27은 함수 그룹 W00내지 W33을 사용하여 동작되는 화소들의 위치를 구체적으로 보여준다. 흰색으로 도시된 화소와 빗금으로 도시된 화소는 그의 화소 전극에 인가되는 전압 값이 다르다.
함수 그룹 W00내지 W33을 그 순서로 사용하여 화소들을 순서대로 동작시키는경우에, 4 x 4 개의 화소가 동작이 서로 다르다. 따라서, 검사용 전극이 동일한 주사선을 갖는 화소에 따라 화소 전극과 중첩되는 경우에도, 각각의 화소가 정상 동작을 하는 지의 여부에 대한 검사가 수행될 수 있다.
예를 들어, 첫번째 라인 상의 화소를 고려하자. 이 화소(1,1)에서, 화소가 흰색으로 도시된 경우 O이 표시되고, 화소가 빗금으로 도시된 경우 X가 표시된다면, 모든 경우에 O이 도시된다. 예를 들어, 화소(2,1)는 OOXXOOXXOOXXOOXX 순으로 도시되고, 화소(3,1)는 0XXOOXXOOXXOOXXO 순으로 도시되며, 화소(4,1)는 OXOXOXOXOXOXOXOX 순으로 도시된다.
모든 화소가 정상적으로 동작할 때, 각각의 함수에 따른 첫번째 라인 상의 화소내의 O의 개수는 4,2,2,2,4,2,2,2,4,2,2,2,4,2,2,2 순으로 표시된다. 예를 들어, 화소(2,1)가 계속해서 정상적으로 동작하지 않아서 빗금으로 도시된 바와 같이 표시를 행할 때, 각각의 함수에 따라 첫번째 라인 상의 화소 내의 O의 개수는 3,1,2,2,3,1,2,2,3,1,2,2,3,1,2,2 순으로 표시된다. 따라서, 모든 화소가 정상적으로 동작하는 경우와 비교함으로써, 화소(2,1)는 정상 동작을 하지 않는 것으로 추정될 수 있다.
본 실시예가 왈쉬 함수를 2차원으로 사용하였지만, 화소들은 왈쉬 함수를 1차원으로 사용하여 동작될 수도 있다. 이 경우, 4 x 4 화소를 갖는 상기한 발광 장치에서, 4개의 함수 그룹을 사용하여 동작 상태를 검사할 수 있다.
본 실시예는 실시예 1 내지 9의 구성과 임의적으로 결합하여 실시될 수 있다.
상기 구성에 의해, 본 발명은 프로브를 배선 또는 프로브 단자 상에 직접 사용하지 않고 검사 대상인 화소의 정상/비정상을 판단할 수 있다. 따라서, 프로브를 사용할 때 발생되는 미세 먼지로 인한 후속 공정에서의 생산성 저하를 방지할 수 있다. 더욱이, 모든 패턴 형성 공정의 정상/비정상이 한번의 검사 공정에 의해 판단될 수 있기 때문에, 검사 공정이 단순화 될 수 있다.
Claims (41)
- 비접촉으로 화소 내의 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하여 상기 화소의 화소 전극에 전압을 인가하는 단계와,상기 화소 전극에 인가된 전압을 비접촉으로 판독하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 다수의 화소 내의 배선 또는 회로 소자에 각각 전압을 인가하여 비접촉으로 상기 화소의 각각의 화소 전극에 전압을 인가하는 단계와,비접촉으로 상기 화소의 각각의 상기 화소 전극에 인가된 상기 전압의 합을 판독하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 1 코일의 2개의 단자 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와,상기 제 1 코일과 제 2 코일을 일정한 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와,상기 제 2 코일의 2개의 단자들 사이에서 발생된 제 2 교류 전압을 사용하여 화소의 화소 전극에 제 3 교류 전압을 인가하는 단계와,상기 화소 전극과 검사용 전극을 일정한 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계, 및상기 검사용 전극 상에 발생되는 제 4 교류 전압으로부터 상기 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 3 교류 전압이, 상기 제 2 교류 전류를 정류하거나 파형 정형하여 상기 화소 내의 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써 상기 화소의 화소 전극에 인가되는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 1 코일의 2개의 단자들 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와,상기 제 1 코일과 제 2 코일을 일정한 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와,상기 제 2 코일의 2개의 단자들 사이에서 발생되는 제 2 교류 전압을 사용하여 다수의 화소의 각각의 화소 전극에 제 3 교류 전압을 인가하는 단계와,상기 화소의 상기 화소 전극과 검사용 전극을 일정한 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계, 및상기 검사용 전극 상에 발생되는 제 4 교류 전압으로부터 상기 화소의 각각의 화소 전극에 인가되는 전압의 합을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제 3 교류 전압이, 상기 제 2 교류를 정류하거나 파형 정형화하여 상기 다수의 화소 내의 배선 또는 회로 소자에 각각 인가시킴으로써 상기 다수의 화소의 각각의 화소 전극에 인가되는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 3 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 코일 및 상기 제 2 코일은 동일 평면 상에 형성된 배선을 가지며, 각각의 상기 배선은 소용돌이 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 3 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 코일 및 상기 검사용 전극이 제 1 절연 표면 상에 형성되고, 상기 제 2 코일 및 상기 화소 전극이 제 2 절연 표면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 절연 표면과 상기 제 2 절연 표면 사이의 간격이 상기 제 1 절연 표면과 상기 제 2 절연 표면 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 3 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 화소 또는 각각의 화소는 상기 화소 전극에 인가되는 전압 또는 상기 전압 측정 방법을 사용하여 얻어진 전압의 합을 사용하여 정상/비정상에 대한 판단이 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 반도체 장치 내의 화소들을 전기적으로 검사하는 장치로서,1차 코일과,상기 반도체 장치내의 상기 1차 코일과 2차 코일을 일정한 간격을 두고 함께중첩시키는 수단과,상기 화소의 화소 전극과 검사용 전극을 일정한 간격을 두고 함께 중첩시키는 수단과,상기 1차 코일의 2개의 단자들 사이에 교류 전압을 인가하는 수단, 및상기 검사용 전극 상에 발생된 교류 전압으로부터 상기 화소의 동작 상태를 확인하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 장치.
- 제 11 항에 있어서, 상기 검사용 전극 상에 발생되는 상기 교류 전압이 상기 화소의 동작 상태를 정보로서 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 장치.
- 제 11 항에 있어서, 상기 1차 코일과 상기 2차 코일 사이의 상기 간격이 상기 1차 코일과 상기 2차 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 장치.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 코일이 동일한 평면 상에 형성된 배선을 가지며, 상기 배선은 소용돌이 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 장치.
- 화소 전극과 배선 또는 회로 소자를 형성하는 단계와,비접촉으로 상기 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하여 상기 화소 전극에 전압을 인가하는 단계, 및상기 화소 전극에 인가된 상기 전압을 비접촉으로 판독하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 화소 전극, 배선 또는 회로 소자, 제 1 코일 및 제 2 코일을 형성하는 단계와,상기 제 1 코일의 2개의 단자들 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와,상기 제 1 코일과 상기 제 2 코일을 일정한 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와,상기 제 2 코일의 2개의 단자들 사이에서 발생된 제 2 교류 전압을 사용하여 상기 화소 전극에 제 3 교류 전압을 인가하는 단계와,상기 화소 전극과 검사용 전극을 일정한 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계, 및상기 검사용 전극 상에 발생된 제 4 교류 전압으로부터 상기 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 제 3 교류 전압이 상기 제 2 교류 전압을 정류하거나 파형 정형하여 상기 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써 상기 화소 전극에 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하는 단계와,상기 화소 전극의 적어도 일부와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및상기 검사용 전극 상의 전압과 상기 화소 전극에 대한 상대적인 상기 검사용 전극의 위치로부터 상기 각각의 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 18 항에 있어서, 상기 전압이 비접촉으로 상기 배선 또는 회로 소자에 인가되는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 1 코일의 2개의 단자들 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와,상기 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와,다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 상기 제 2 코일의 2개의 단자들 사이에서 발생된 제 2 교류 전압을 배선 또는 회로 소자에 인가하는 단계와,상기 화소 전극의 적어도 일부와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및상기 검사용 전극 상에 발생되는 제 3 교류 전압과 상기 화소 전극에 대한 상대적인 상기 검사용 전극의 위치로부터 상기 각각의 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 제 2 교류는 상기 제 2 교류 전압을 정류하거나 파형 정형하여 상기 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써 상기 배선 또는 회로 소자에 공급되는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 제 1 코일과 상기 제 2 코일이 동일 평면 상에 형성된 배선을 가지며, 그 각각의 배선은 소용돌이 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 제 1 코일과 상기 제 2 코일 사이의 상기 간격이 상기 제 1 코일과 상기 제 2 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로서 제어되는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 제 18 항 또는 제 20 항에 있어서, 상기 각각의 화소 전극 상의 상기 전압은 축차(逐次) 근사법과 투영 절단면 정리(projection section theorem)를 사용하는 퓨리에(Fourier) 변환법 또는 중첩 적분법을 이용하여 계산되는 것을 특징으로 하는 전압 측정 방법.
- 다수의 화소 전극에 인가되는 전압 제어를 위해 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하는 단계와,상기 화소 전극의 적어도 일부와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및상기 검사용 전극상의 전압과 상기 화소 전극에 대한 상대적인 상기 검사용 전극의 위치로부터 상기 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 전압은 비접촉으로 상기 배선 또는 회로 소자에 인가되는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법.
- 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하는 단계와,상기 화소 전극의 적어도 일부와 간격의 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및상기 검사용 전극 상의 전압과 상기 화소 전극에 대한 상대적인 상기 검사용 전극의 위치로부터 상기 화소 전극에 인가되는 전압의 분배량을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법.
- 제 27 항에 있어서, 상기 전압은 비접촉으로 상기 배선 또는 회로 소자에 인가되는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법.
- 제 27 항에 있어서, 상기 전압 분배량으로부터 상기 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법.
- 제 1 코일의 2개의 단자들 사이에 제 1 교류 전압을 인가하는 단계와,상기 제 1 코일과 제 2 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 단계와,다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위해 상기 제 2 코일의 2개의 단자들 사이에서 발생된 제 2 교류 전압을 배선 또는 회로 소자에 인가하는 단계와,상기 화소 전극의 적어도 일부와 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을 이동시키는 단계, 및상기 검사용 전극 상에 발생된 제 3 교류 전압과 상기 화소 전극에 대한 상대적인 상기 검사용 전극의 위치로부터 상기 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법.
- 제 30 항에 있어서, 상기 검사 방법이, 상기 제 3 교류 전압으로부터 상기 화소 전극에 인가되는 전압의 분배량을 결정하는 단계를 더 포함하고,상기 배선 또는 회로 소자의 상기 동작 상태는 상기 전압 분배량으로부터 확인되는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법.
- 제 30 항에 있어서, 상기 제 2 교류 전압은 정류 또는 파형 정형하여 상기 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써 상기 배선 또는 회로 소자에 인가되는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법.
- 제 30 항에 있어서, 상기 제 1 코일 및 제 2 코일은 동일 평면 상에 형성된 배선을 가지며, 그 각각의 배선은 소용돌이 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법.
- 제 30 항에 있어서, 상기 제 1 코일과 상기 제 2 코일 사이의 상기 간격은 상기 1차 코일과 상기 2차 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 방법.
- 장치 기판 내의 다수의 화소를 전기적으로 검사하기 위한 장치로서,1차 코일과,상기 장치 기판내의 상기 1차 코일과 2차 코일을 간격을 두고 함께 중첩시키는 수단과,상기 화소의 화소 전극의 적어도 일부를 각각 간격을 두고 검사용 전극과 중첩시키는 수단과,상기 화소의 화소 전극에 대한 상대적인 상기 검사용 전극의 위치를 변화시키는 수단과,상기 1차 코일의 2개의 단자들 사이에 교류 전압을 인가하는 수단, 및상기 검사용 전극 상에 발생된 교류 전압으로부터 상기 각각의 화소의 동작 상태를 확인하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 장치.
- 제 35 항에 있어서, 상기 화소의 각각의 상기 화소 전극의 일부를 상기 검사용 전극과 상기 간격을 두고 중첩시키면서, 상기 화소의 상기 화소 전극에 대한 상대적인 상기 검사용 전극의 위치가 변경되는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 장치.
- 제 35 항에 있어서, 상기 1차 코일과 상기 2차 코일 사이의 간격은 상기 1차 코일과 상기 2차 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 장치.
- 제 35 항에 있어서, 상기 제 1 코일은 동일한 평면 상에 형성된 배선을 가지며, 상기 배선은 소용돌이 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전기적 검사 장치.
- 상기 배선 또는 회로 소자를 통해 전압을 인가하도록 배선 또는 회로 소자 및 화소 전극을 형성하는 단계와,상기 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하는 단계와,상기 화소 전극의 적어도 일부를 간격을 두고 중첩시키면서 검사용 전극을이동시키는 단계, 및상기 검사용 전극 상의 전압과 상기 화소 전극에 대한 상대적인 상기 검사용 전극의 위치로부터, 상기 각각의 화소 전극에 인가되는 전압에 의한 상기 화소의 각각의 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 39 항에 있어서, 상기 전압은 비접촉으로 상기 배선 또는 회로 소자에 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 39 항에 있어서, 상기 반도체 장치가 장치 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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