KR20020076073A - 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 전압 발생방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 복수개의 직류 전압들을 발생하기 위한 복수개의 직류 전압 발생수단들; 및상기 복수개의 직류 전압 발생수단들 각각에 해당하는 기준전압을 발생하기 위한 복수개의 기준전압 발생수단들을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 메모리 셀 어레이;상기 메모리 셀 어레이로/로부터의 데이터 전송 동작을 제어하기 위한 주변회로 수단;외부 전원전압이 인가되면 상기 메모리 셀 어레이를 위한 제1기준전압을 발생하기 위한 제1기준전압 발생수단;상기 외부 전원전압이 인가되면 상기 주변회로 수단을 위한 상기 제1기준전압보다 소정 전압만큼 높은 제2기준전압을 발생하기 위한 제2기준전압 발생수단;상기 외부 전원전압이 인가되면 고전압을 위한 제3기준전압을 발생하기 위한 제3기준전압 발생수단; 및상기 제3기준전압을 입력하여 상기 고전압을 발생하기 위한 고전압 발생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제3기준전압은상기 제1기준전압과 소정 전압 차를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제3기준전압 발생수단은상기 제1기준전압을 상기 소정 전압만큼 승압하기 위한 제1승압 수단;상기 제2기준전압과 상기 제1승압 수단으로부터 출력되는 전압을 비교하여 일치하면 비교 일치 신호를 발생하기 위한 비교 수단; 및상기 비교 일치 신호가 발생되면 상기 제2기준전압을 상기 제3기준전압으로 발생하고, 상기 비교 일치 신호가 발생되지 않으면 상기 제2기준전압을 상기 소정 전압만큼 승압하여 상기 제3기준전압으로 발생하기 위한 제2승압 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 메모리 셀 어레이;상기 메모리 셀 어레이로/로부터의 데이터 전송 동작을 제어하기 위한 주변회로 수단;외부 전원전압이 인가되면 상기 메모리 셀 어레이를 위한 제1기준전압을 발생하기 위한 제1기준전압 발생수단;상기 외부 전원전압이 인가되면 상기 주변회로 수단을 위한 상기 제1기준전압보다 소정 전압만큼 높은 제2기준전압을 발생하기 위한 제2기준전압 발생수단; 및외부로부터 인가되는 제3기준전압을 입력하여 고전압을 발생하기 위한 고전압 발생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 외부 전원전압이 인가되면 복수개의 직류 전압들 각각을 위한 복수개의 기준전압들을 발생하는 단계; 및상기 복수개의 기준전압들 각각에 응답하여 복수개의 직류 전압들을 발생하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 전압 발생방법.
- 메모리 셀 어레이; 및상기 메모리 셀 어레이로/로부터의 데이터 전송 동작을 제어하기 위한 주변회로 수단을 구비하는 반도체 메모리 장치의 전압 발생방법에 있어서,외부 전원전압이 인가되면 상기 메모리 셀 어레이를 위한 제1기준전압, 상기 주변회로 수단을 위한 상기 제1기준전압보다 소정 전압만큼 높은 제2기준전압, 및 고전압을 위한 제3기준전압을 발생하는 기준전압 발생단계; 및상기 제3기준전압을 입력하여 고전압을 발생하는 고전압 발생단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 전압 발생방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제3기준전압은상기 제1기준전압과 소정 전압 차를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 전압 발생방법.
- 제7항에 있어서, 상기 기준전압 발생단계는상기 제1기준전압을 상기 소정 전압만큼 승압하는 단계;상기 제2기준전압과 상기 제1기준전압을 상기 소정 전압만큼 승압한 전압을 비교하여 일치하는지를 검출하는 단계; 및만일 상기 비교 일치신호가 발생되면 상기 제3기준전압을 상기 제4기준전압으로 발생하고, 상기 비교 일치신호가 발생되지 않으면 상기 제3기준전압을 상기 소정 전압만큼 승압하여 상기 제4기준전압으로 발생하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 전압 발생방법.
- 메모리 셀 어레이; 및상기 메모리 셀 어레이로/로부터의 데이터 전송 동작을 제어하기 위한 주변회로 수단을 구비하는 반도체 메모리 장치의 전압 발생방법에 있어서,외부 전원전압이 인가되면 상기 메모리 셀 어레이를 위한 제1기준전압, 상기 주변회로 수단을 위한 상기 제1기준전압보다 소정 전압만큼 높은 제2기준전압을 발생하는 기준전압 발생단계; 및외부로부터 인가되는 제3기준전압을 입력하여 고전압을 발생하는 고전압 발생단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 전압 발생방법.
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