KR20020065894A - 반도체 발광장치 - Google Patents

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Abstract

고분해능력이 요구되는 인코더에 저렴하에 대응할 수 있는 반도체 발광장치를 제공하는 것을 도모하고, 반도체 발광소자와, 상기 반도체 발광소자를 봉지하는 투광성의 수지몰드부와, 상기 반도체 발광소자로부터의 출력광을, 선상 광원으로 변환하여 발사하는 변환수단을 구비하고 있다.
또, LED(1)의 투광성 수지재로 이루어지는 몰드부(5)는, 외측으로 향하여 돔 형상으로 돌출하는 렌즈(5a)를 형성한다. LED소자(1x)의 측면에 형성되어 있는 발광층(1d)으로부터 전방으로 향하여 다른 각도로 발사되는 출력광은, 몰드부(5)에 형성된 렌즈(5a)에서 평행광속(La)으로 변환되어 진행한다. 이 평행광원(La)은, 측정판(11x)의 이동방향(A)으로부터 보면 렌즈(5a)의 각 점에 있어서 점광원으로부터 출력되는 것이다. 렌즈(5a)에 형성된 다수의 점광원으로부터 평행하게 발사되는 출력광을 이용하여, 미세한 슬릿(a∼N)이 형성되어 있는 측정판(11x)의 이동속도를 측정한다.

Description

반도체 발광장치{SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE}
광학장치를 사용한 포토 인코더로서, 물체의 이동속도를 검출하는 리니어 인코더나 회전각도를 검출하는 로터리 인코더가 알려져 있다.
이와 같은 포토 인코더용의 광학장치의 예로서, 발광부에 발광다이오드(LED)와 같은 반도체 발광장치를 사용하고, 수광부에는 포토다이오드와 같은 반도체 수광장치를 사용하는 경우가 있다.
도 10은, 상기 LED의 일예를 나타내는 개략의 정면도이다.
도 10에 있어서, 1은 LED소자, 2, 3은 한쌍의 리드단자, 4는 금속선이다.
LED소자(1)의 한쪽의 전극(1a)을 금속선(4)과 접속하고, 금속선(4)은 리드단자(3)에 와이어 본딩으로 전기적으로 접속된다.
또, 도시되어 있지는 않지만 LED소자(1)의 전극(1a)과 반대측에 전극을 형성하고, 해당 전극은 리드단자(2)에 다이본딩으로 전기적으로 접속된다.
5는 투광성 수지재로 이루어지는 몰드부로서, LED소자(1)와 금속선(4)을 봉지한다. 이와 같이하여, 인코더용의 LED(20)가 형성된다.
이 LED(20)는, 예를 들면 적외선을 발광하도록 구성되어 있다.
도 11은, 도 10 구성의 LED(20)를 리니어 인코더로서 사용하는 예를 나타내는 설명도이다.
도 11에 있어서, 10은 렌즈를 사용한 광학계, 11은 다수의 슬릿(a∼n)이 형성되어 있는 직사각형의 측정판, 12는 포토다이오드와 같은 수광소자를 사용한 수광부, 13은 신호선, 14는 신호처리부이다.
LED(20)는 면(面)광원으로서 사용하고, LED(20)의 발광면측의 몰드부(5)로부터 Lx의 폭의 출력광이 발사된다.
광학계(10)는, LED(20)로부터 발사된 Lx의 폭의 출력광을 집광하고, 점(点)광원으로 변환하여 광속(光束) Ly로서 수광부(12)로 향하여 진행시킨다.
측정판(11)을 화살표 A방향으로 이동시키면, 수광부(12)는 측정판(11)에 형성되어 있는 슬릿(a∼n)의 유무에 따라 광속 Ly를 수광 또는 차광한다.
수광부(12)에서 수광 또는 차광한 신호를 신호처리부(14)에서 적절히 처리하여 펄스파형을 형성하고, 1주기의 펄스수를 카운트하는 것에 의해 측정판(11)의 이동속도를 검출할 수가 있다.
직선상으로 이동하는 직사각형의 측정판(11)에 대신하여, 원주상에 다수의 슬릿을 형성한 회전판을 광학계(10)와 수광부(12) 사이에 배치하여 회전시키고, 수광부(12)에서 수광 또는 차광한 신호를 신호처리부(14)에서 적절히 처리하는 것에 의해 회전판의 회전각도를 검출하는, 로터리 인코더를 구성할 수가 있다.
이와 같이, 종래의 인코더에 있어서는 LED와 같은 면광원의 반도체 발광장치로부터 발사되는 출력광을 광학계로 집광하여 점광원으로 변환하고 있지만, 정밀한 점광원으로 변환하기 위해서는 광학계에 다수의 렌즈를 사용하지 않으면 안되어, 고가로 된다는 문제가 있었다.
광학계에서 점광원으로 변환되지 않은 상태의 광속을 측정판으로 향하여 진행시키면 분해능력이 나쁘게 되어, 특히 측정판에 미세한 슬릿을 형성하고, 광속을 수광 또는 차광하여 신호를 형성하는 것에 의해 높은 분해능력의 신호처리를 행하는 인코더에는 대응할 수 없다는 문제가 있었다.
또, 레이저광에 의해 인코더용의 점광원을 얻는 것은 가능하지만, 이 경우에도 비용이 높게 된다는 문제가 있었다.
본 발명은, 이와 같은 문제에 감안하여 이루어진 것으로서, 간단한 구성으로 인코더의 선상(線狀)광원으로서 적용가능한 반도체 발광장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 고분해능력이 요구되는 인코더의 발광부로서 저렴하게 대응시킬수 있는 구성으로 한 반도체 발광장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 고분해능력이 요구되는 인코더의 발광부로서 저렴하게 대응할 수 있는 구성으로 한 반도체 발광장치에 관한 것이다.
도 1은, 본 발명의 실시형태에 관계하는 반도체 발광장치를 나타내는 측면도.
도 2는, 도 1의 커버를 나타내는 정면도.
도 3은, 본 발명의 다른 실시형태에 관계하는 반도체 발광장치를 나타내는 측면도.
도 4는, 본 발명의 다른 실시형태에 관계하는 반도체 발광장치를 나타내는 측면도.
도 5는, 본 발명의 다른 실시형태에 관계하는 반도체 발광장치를 나타내는 측면도.
도 6은, 본 발명의 다른 실시형태에 관계하는 반도체 발광장치를 나타내는측면도.
도 7은, 본 발명의 다른 실시형태에 관계하는 반도체 발광장치를 나타내는 측면도.
도 8은, 본 발명의 제 2의 실시형태에 관계하는 반도체 발광장치를 나타내는 측면도.
도 9는, 도 4의 정면도.
도 10은, 종래의 반도체 발광장치를 나타내는 정면도.
도 11은, 반도체 발광장치를 리니어 인코더로서 사용하는 예의 설명도.
또한, 도면중의 부호, 1은 반도체 발광장치(LED), 1x는 LED소자, 1c는 n형 반도체, 1d는 발광층, 1e는 p형 반도체, 2, 3은 리드단자, 4는 금속선, 5는 투광성 수지재로 이루어지는 몰드부, 5a는 렌즈, 10은 광학계, 11x는 측정판, 12는 수광부, 13은 신호선, 14는 신호처리부, a∼N은 슬릿, a∼n은 종래예의 슬릿, La, Lx, Ly는 광속이다.
본 발명의 상기 목적은, 반도체 발광장치를, 반도체 수광소자와, 상기 반도체 발광소자를 봉지하는 투광성의 수지몰드부와, 상기 반도체 발광소자로부터의 출력광을, 선상 광원으로 변환하여 발사하는 변환수단을 설치한 것에 의해 달성된다.
또, 바람직하게는, 상기 변환수단은 슬릿을 구비한 차광체이며, 상기 슬릿을 통과한 출력광을 발사하도록 구성되어 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 변환수단은, 상기 반도체 발광소자의 발광면에 배설됨과 동시에 슬릿을 구비한 차광체이며, 상기 수지몰드부는, 상기 반도체 발광소자와 함께, 상기 차광체를 봉지하여 이루어진다.
또, 바람직하게는, 상기 차광체는, 슬릿을 갖는 금속판이다.
또한, 바람직하게는, 상기 금속판은, 상기 수지몰드부로부터 도출되며, 상기 수지몰드부의 외표면을 따라 절곡되어 있다.
또, 바람직하게는, 상기 변환수단은, 차광성 수지로 이루어지는 수지몰드부로 구성되고, 상기 수지몰드부는, 상기 반도체 발광소자의 발광면에 상당하는 영역에 슬릿을 구비하고, 상기 슬릿을 통하여 상기 반도체 발광소자의 광이 도출되도록 구성된다.
또한, 상기 반도체 발광소자 표면은 투광성수지로 피복되어 있는 것을 특징으로 한다.
또, 바람직하게는, 상기 변환수단은, 슬릿을 갖는 다이패드이며, 상기 반도체 발광소자는 상기 다이패드(die pad)에 대하여, 차광성의 절연수지를 사용하여 페이스 다운(face down)으로 고착되어 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 반도체 발광소자는, 측면으로부터 발광하도록 구성되어 있다.
또, 바람직하게는, 상기 변환수단은, 수지몰드부의 외측에 설치된, 슬릿을 갖는 차광체이다.
또한, 상기 변환수단은 슬릿을 형성한 커버로서, 반도체 발광소자의 발광면에 상기 커버를 피착하여 투광성 수지재의 몰드부로 봉지하고, 상기 슬릿을 통과한 출력광을 발사하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 특징에 의하면, 면상(面狀) 광원의 출력광원의 출력광으로 변환하여 발사하는 변환수단을 설치하고 있다.
이 때문에, 간단한 구성으로, 또한 미세한 선상 광원이 얻어지므로, 해당 반도체 발광장치를 인코더의 광원으로서 적용할 수가 있다.
또, 본 발명에서는, 반도체 발광소자의 발광면에 슬릿을 형성한 커버를 피착하면서, 투광성 수지재의 몰드부로 봉지하고 있다.
이 때문에, 몰드부에 의해 커버가 강고히 고정되어 위치 어긋남이 생기는 일이 없고, 또한, 다이본딩시의 LED소자의 위치 어긋남에도 영향을 받지 않으므로, 정밀도 좋게 선상의 출력광을 발사할 수 있다.
또한, 본 발명의 상기 목적은, 반도체 발광장치를, 측면에 형성되는 발광층을 선광원의 광원으로서 사용하는 반도체 발광소자와, 상기 반도체 발광소자를 봉지하는 투광성 수지재로 이루어지는 몰드부를 구비하고, 반도체 발광소자의 상기 선광원의 광원으로부터 수광소자로 향하여 출력광이 발사되는 몰드부의 면을 돔 형상으로 외측으로 돌출시켜 렌즈를 형성하며, 상기 렌즈로 선광원의 광원을 다수의 점광원의 광원으로 변환하고, 해당 렌즈에 형성된 다수의 점광원으로부터 평행한 출력광을 발사하는 구성으로 하는 것에 의해 달성된다.
또, 바람직하게는, 상기 선광원은, 상기 렌즈의 초점을 통과시키도록 배설된 선상체이다.
본 발명의 상기 특징에 의하면, 투광성 수지로 이루어지는 몰드부로 렌즈를 형성하고, 이 렌즈로 선광원의 광원을 다수의 점광원의 광원으로 변환하고 있다.
이와 같은 렌즈에 형성되는 다수의 점광원으로부터 평행한 출력광이 발사되므로, 미세한 슬릿이 형성되어 있는 측정판을 이동시킨 때에, 수광부에서는 수광 또는 차광을 정밀도 좋게 행할 수가 있다.
이 때문에, 본 발명의 반도체 발광장치를 고분해능력의 신호처리가 요구되는 인코더의 발광부로서 대응시킬 수가 있다.
상기 선광원을 렌즈의 초점을 통과시키도록 배설하는 것에 의해, 보다 양호한 평행광원을 얻을 수가 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1의 실시형태에 관계하는 반도체 발광장치의 측면도, 도 2는 본 반도체 발광장치에 사용되는 커버의 전개정면도이다.
도 2에 있어서, 커버(50)는 예를 들면 SUS 등의 얇은 금속판을 펀칭가공하는 것에 의해 형성된다.
50a는 횡으로 긴 폭이 좁게 형성된 슬릿, 50b, 50c는 상부 양측에 형성되어있는 귀편, 50d는 커버본체, 50e는 다리부이다.
커버본체(50d)와 양측의 귀부(50b, 50c) 사이에는 절곡선(50x)이 형성되며, 또한, 커버본체(50d)와 다리부(50e) 사이에는 절곡선(50y)이 형성되어 있다.
도 2에 나타내는 커버(50)는, 절곡선(50x, 50y)에서 절곡하여 LED소자의 발광면에 피착된다.
도 1은, 커버(50)를 LED의 발광면에 피착한 상태를 나타내는 개략의 측면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 이 반도체 발광장치에서 사용되고 있는 반도체 발광장치는, LED소자(1x)에는, 전극(1a) 및 전극(1b)이 설치되어 있으며, 전극(1b)는 리드단자(2)에 다이본딩에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
또, 도시되어 있지는 않지만 전극(1a)에 금속세선으로 이루어지는 본딩 와이어를 접속하고, 이 본딩와이어를 다른 쪽의 리드단자와, 와이어 본딩에 의해 전기적으로 접속한다.
커버(50)는, LED소자(1x)의 발광면의 중심위치가 슬릿(50a)의 위치로 되도록 위치맞춤을 하여, 절곡선(50x, 50y)에서 도시한 수평방향으로 절곡한다.
또한, 적절한 위치에서 상기 귀편(50b, 50c)과 다리부(50e)를 수직방향으로 절곡하여, 커버(50)를 LED소자(1x)의 발광면의 전면에 배치하고, 필요에 따라 가고정한다.
이와 같이, 커버(50)를 LED소자(1x)의 발광면의 전면에 배치한 후, 다음에, 투광성 수지재를 사용하여 수지봉지를 행하고, 수지몰드부(5)에 의해 LED소자(1x)및 본딩 와이어를 봉지하여, LED(1)를 형성한다.
이 때문에, 커버(50)는 수지몰드부(5)에 의해 강고히 고정되어, 위치 어긋남의 발생을 방지할 수 있다.
또, 다이본딩시의 LED소자의 위치 어긋남도 영향을 받는 일이 없다.
도 1의 LED(1)는, LED소자(1x)의 발광면의 중심위치에 횡으로 긴 폭이 좁은 슬릿(50a)의 위치가, 위치 맞춤된 커버를 피착하고 있으므로, LED소자(1x)로부터 발사되는 출력광은, 해당 슬릿(50a)의 부분만으로 통과하고, 광속(La)이 수광부로 향하여 진행한다.
이 광속(La)은, 도 10에 나타낸 측정판(11)에 형성된 슬릿과 평행으로 형성된다.
슬릿(50a)의 폭방향의 치수는, 필요로 하는 광량이 얻어지는 한도에서 미세한 치수로 할 수 있으므로, 슬릿을 갖는 측정판을 광속(La)을 향하여 이동시킨 때에, 수광부에서는 수광시와 차광시에 대응하여 정밀도 양호한 신호를 얻을 수가 있다.
또, 슬릿(50a)을 설치한 커버(50)는 펀칭가공에 의해 간단히 형성할 수가 있다.
또한, 이 커버(50)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 수지봉지후, 수지몰드부(5)의 외측면을 덮도록 굴곡지게 하는 것에 의해, 차광측편(50s)을 형성하여도 된다.
이러한 구성에 의하면, 광의 가둠을 양호하게 하여, 슬릿(50a)으로부터의 광의 강도를 높이는 것도 가능하다.
또, 커버(50)를 펀칭가공에 의해 형성하고, 절곡하여 LED소자(1x)의 발광면에 피착하는 대신에, 측면이 도 1에 나타내는 바와 같은 형상으로 되도록, 몰드 성형에 의해 형성하여도 된다.
즉, 도 4에 나타내는 바와 같이, 슬릿(50a)이 형성되어 있는 커버(50R)를, 차광성의 합성수지재를 사용하여 몰드 성형을 행하고, 재차 이 합성수지제의 커버(50R)와 함께 투명수지를 사용하여 몰드 성형하는 것에 의해 형성할 수도 있다.
또한, 도 5에 나타내는 바와 같이, 적어도 LED소자(1x)의 발광면 근방을 본딩에 의해 투명수지(50P)로 피복하고, 이 외측을 차광성 수지를 사용한 몰드 성형을 행하는 것에 의해 슬릿 구비의 반도체 발광장치를 형성하도록 하여도 된다.
이 때 슬릿(5S)은 금형의 슬릿에 상당하는 영역에 돌기를 형성해 두고, 이 돌기와 상기 투명수지(50P)의 외표면이 맞접하도록 하여도 된다.
또, 몰드수지를 차광성의 감광성 수지로 형성하여 두고, 포토리소 그래피에 의해 선택적으로 차광성의 감광성 수지를 제거하여, 슬릿을 형성하도록 하여도 된다.
또한, 동시에 몰드하는 구조 외에, 외부 부착의 커버를 배설하여도 된다.
도 6은, 본 발명의 다른 실시형태에 관계하는 반도체 발광장치의 개략의 측면도이다.
도 6의 예에 있어서는, 슬릿(60a)을 형성한 커버(60)를 투광성 수지재로 이루어지는 몰드부(5)의 출력광 발사면에 피착한다.
60x, 60y는, 커버(60)의 절곡부이다. LED소자(1x)로부터 발사되는 출력광은, 해당 슬릿(60a)의 부분만으로 통과하고, 광속(Lb)이 수광부로 향하여 진행한다.
이와 같이, 도 6의 구성을 이용하는 것에 의해, 몰드부(5)의 출력광 발사면에 커버를 피착하고 있으므로, 이미 제조된 반도체 발광장치에 그대로 설치할 수가 있다.
또, 도 1의 구성에서는, 반도체 발광소자(1x)의 발광면에 커버(50)를 피착한 수에, 투광성수지재에 의해 몰드성형하고 있으므로, 몰드성형시에 커버(50)의 위치 맞춤이 필요하게 된다.
이에 대하여 도 6의 구성에서는, 몰드부(5)의 출력광 발사면의 크기에 맞추어, 미리 슬릿(60a)이나 절곡부(60x, 60y)를 형성해 두는 것에 의해, 커버(60)를 몰드부(5)의 출력광 발사면에 간단히 피착할 수가 있다.
또, 도 1, 도 3 내지 도 6에 나타낸 예와 같이 슬릿을 형성한 커버로 면상 광원의 출력광을 차광하여 선상 광원으로 변환하는 것에 대신하여, 다이본딩후의 LED소자의 출력광 발사면에 대하여 적절히 위치를 슬릿상으로 남기고, 다른 부분을 잉크 젯의 스프레이처리로 피복하는 것에 의해 선상 광원을 형성할 수도 있다.
또, 도 7에 그 일예를 나타내는 바와 같이, 반도체 발광소자(1x)를 탑재하는 리드단자(2)의 탑재면(다이패드)에 슬릿(2s)을 형성하고, 페이스 다운으로 투광성의 절연성수지(1s)를 사용하여 리드단자(2)의 선단에 형성된 다이패드(2D)에 반도체 발광소자를 고착하고, 이 슬릿형성면을 발광면으로서 사용하는 것에 의해 선상광원을 형성할 수도 있다.
또한, 광속의 진행방향과 평행한 슬릿을 갖는 측정판을 사용한 리니어 인코더에 대신하여, 원주방향으로 다수의 슬릿을 형성한 회전판을 사용하는 것에 의하면, 도 1 등으로 나타낸 구성의 LED(1)는 로터리 인코더의 광원으로서 사용할 수가 있다.
(실시형태 2)
도 8은 본 발명의 제 2의 실시형태에 관계하는 반도체 발광장치의 예를 나타내는 측면도, 도 9는 정면도이다.
도 8에 있어서, 반도체 발광소자(LED소자)(1x)에는, 애노드전극(1a), 캐소드전극(1b), n형 반도체(1c), p형 반도체(1e)가 설치되어 있으며, n형 반도체(1c)와 p형 반도체(1e)의 접합부에는 발광층(1d)이 형성되어 있다.
LED(1)의 투광성 수지재로 이루어지는 몰드부(5)에는, LED소자(1x)의 발광층(1d)과 대향하고, 수광소자에 대하여 출력광을 발사하는 면을 외측으로 향하여 돔형상으로 돌출하는 렌즈(5a)를 형성한다.
LED소자(1x)의 측면에 형성되어 있는 발광층(1d)으로부터 전방으로 향하여 다른 각도로 발사되는 출력광은, 몰드부(5)에 형성된 렌즈(5a)에서 다수의 점광원으로 변환된다.
이 다수의 점광원으로부터 평행한 광속(La)이 형성되며 수광부를 향하여 진행한다.
이 평행광속(La)은, 상기한 바와 같이 측정판(11x)의 이동방향 A로부터 보면렌즈(5a)의 각 점에 있어서 점광원으로부터 출력되는 것이다.
즉, 본 발명에 있어서는 몰드부(5)에 형성된 렌즈(5a)에 다수의 점광원을 형성하고, 이 점광원으로부터 평행하게 발사되는 출력광에 대하여 다수의 슬릿을 형성한 측정판(11x)을 이동시키고, 수광부로 차광, 수광의 신호를 형성하여 측정판(11x)의 이동속도를 측정하는 것이다.
이와 같이 발광부에는 다수의 점광원이 형성되어 있으므로, 측정판(11x)에 a∼N의 미세한 슬릿이 형성되어 있는 경우에도, 측정판(11x)을 화살표 A방향으로 이동시킨 때에, 수광부에서는 수광 또는 차광을 정밀도 좋게 행하고, 고분해능력으로 신호처리할 수가 있다.
따라서, 도 8의 구성의 LED(1)에 의하면 고분해능력의 신호처리가 요구되는 인코더에 대해서도 발광부로서 대응할 수가 있다.
일예로서, 렌즈(5a)의 점광원으로부터는, 1인치당 150본의 다수의 평행한 출력광을 형성할 수가 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 특징에 의하면, 면상 광원의 출력광을 선형상으로 변환하여 선상 광원으로서 발사하는 변환수단을 설치하고 있다.
이 때문에, 간단한 구성으로, 또한 미세한 선상 광원을 얻을 수가 있으므로, 해당 반도체 발광장치를 인코더의 광원으로서 적용할 수가 있다.
또, 반도체 발광소자의 발광면에 슬릿을 형성한 커버를 피착하여, 투광성 수지재의 몰드부로 봉지하고 있다.
이 때문에, 몰드부에 의해 커버가 강고히 고정되어 위치 어긋남이 생기는 일이 없고, 또한, 다이 본딩시의 LED소자의 위치 어긋남에 영향을 받는 일도 없으므로, 정밀도 좋게 선상의 출력광을 발사할 수 있다.
또한, 투광성 수지재로 이루어지는 몰드부로 렌즈를 형성하고, 이 렌즈로 선광원의 광원을 다수의 점광원의 광원으로 변환하고 있다.
이와 같은 렌즈에 형성되는 다수의 점광원으로부터 평행한 출력광이 발사되므로, 미세한 슬릿이 형성되어 있는 측정판을 이동시킨 때에, 수광부에서는 수광 또는 차광을 정밀도 좋게 행할 수가 있다.
이 때문에, 본 발명의 반도체 발광장치를 고분해능력의 신호처리가 요구되는 인코더의 발광부로서 대응시킬수가 있다.

Claims (12)

  1. 반도체 발광소자와, 상기 반도체 발광소자를 봉지하는 투광성의 수지몰드부와, 상기 반도체 발광소자로부터의 출력광을, 선상 광원으로 변환하여 발사하는 변환수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 변환수단은 슬릿을 구비한 차광체이며, 상기 슬릿을 통과한 출력광을 발사하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 변환수단은, 상기 반도체 발광소자의 발광면에 배설됨과 동시에 슬릿을 구비한 차광체이며, 상기 수지몰드부는, 상기 반도체 발광소자와 함께, 상기 차광체를 봉지하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 차광체는, 슬릿을 갖는 금속판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 금속판은, 상기 수지몰드부로부터 도출되며, 상기 수지몰드부의 외표면을 따라 절곡되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 변환수단은, 차광성 수지로 이루어지는 수지몰드부로 구성되고, 상기 수지몰드부는, 상기 반도체 발광소자의 발광면에 상당하는 영역에 슬릿을 구비하며, 상기 슬릿을 통하여 상기 반도체 발광소자의 광이 도출되도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자 표면은 투광성수지로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 변환수단은, 슬릿을 갖는 다이패드이며, 상기 반도체 발광소자는 상기 다이패드에 대하여 차광성의 절연수지를 사용하여 페이스 다운으로 고착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자는, 측면으로부터 발광하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 변환수단은, 수지몰드부의 외측에 설치된 슬릿을 갖는 차광체인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  11. 측면에 형성되는 발광층을 선광원의 광원으로서 사용하는 반도체 발광소자와, 상기 반도체 발광소자를 봉지하는 투광성 수지재로 이루어지는 몰드부를 구비하고, 상기 선광원의 광원으로부터 수광소자를 향하여 출력광이 발사되는 몰드부의 면을 돔 형상으로 외측으로 돌출시켜 렌즈를 형성하며, 상기 렌즈로 선광원의 광원을 다수의 점광원의 광원으로 변환하고, 해당 렌즈에 형성된 다수의 점광원으로부터 평행한 출력광을 발사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 선광원은, 상기 렌즈의 초점을 통과하는 위치에 배설된 선상체 인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100905735B1 (ko) * 2002-09-20 2009-07-01 야자키 소교 가부시키가이샤 무브먼트 모듈

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7279674B2 (en) * 2000-08-17 2007-10-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd Optical encoder module
US7302181B2 (en) * 2003-02-25 2007-11-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single lens multiple light source device
JP2004311101A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Koito Mfg Co Ltd 車両用前照灯及び半導体発光素子
JP2008074595A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Seiko Epson Corp 光学センサおよびプリンタ
JP2009147032A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Panasonic Corp 半導体装置および光ピックアップ装置
TWI383129B (zh) * 2008-11-19 2013-01-21 Everlight Electronics Co Ltd 對立式光編碼器
JP6017492B2 (ja) * 2014-04-24 2016-11-02 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、及び樹脂封止電子部品

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6265386A (ja) 1985-09-17 1987-03-24 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオ−ド装置
JPH03113856A (ja) 1989-09-28 1991-05-15 Canon Inc 光磁気情報処理装置の光学ヘッド
JPH03113856U (ko) * 1990-03-09 1991-11-21
JPH0515457A (ja) 1991-07-15 1993-01-26 Yukitoshi Watanabe ドリツパー
JPH0515457U (ja) * 1991-08-05 1993-02-26 日本電気株式会社 樹脂封止型光半導体装置
JP2695717B2 (ja) 1991-10-21 1998-01-14 シャープ株式会社 透過型フォトインタラプタの製造方法
US5909232A (en) * 1992-02-27 1999-06-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Thermal recording system for preheating a thermosensitive recording medium and method therefor
JP2986617B2 (ja) 1992-07-24 1999-12-06 シャープ株式会社 透過型光結合装置およびその製造方法
US5455390A (en) * 1994-02-01 1995-10-03 Tessera, Inc. Microelectronics unit mounting with multiple lead bonding
JP3539206B2 (ja) * 1997-06-09 2004-07-07 セイコーエプソン株式会社 電子時計および液晶表示素子
JPH11145508A (ja) * 1997-11-13 1999-05-28 Citizen Electronics Co Ltd フォトインタラプタとその製造方法
US6228228B1 (en) * 1999-02-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Method of making a light-emitting fiber
WO2001024284A1 (en) * 1999-09-27 2001-04-05 Lumileds Lighting, U.S., Llc A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100905735B1 (ko) * 2002-09-20 2009-07-01 야자키 소교 가부시키가이샤 무브먼트 모듈
KR100933973B1 (ko) * 2002-09-20 2009-12-28 야자키 소교 가부시키가이샤 커넥터 모듈

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