JP2001135862A - 半導体発光装置 - Google Patents
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成でエンコ−ダの線状光源として適
用できる半導体発光装置を提供すること。 【解決手段】 カバ−５０は、ＬＥＤ素子１ｘの発光面
の中心位置がスリット５０ａの位置になるように位置合
わせをして、折曲線５０ｘ、５０ｙで図示の水平方向に
折曲げＬＥＤ素子１ｘの発光面の前面に被着する。次
に、透光性樹脂材からなるモ−ルド部５で、ＬＥＤ素子
１ｘと金属線を封止する。このようにして、ＬＥＤ１を
形成する。図１のＬＥＤ１は、ＬＥＤ素子１ｘの発光面
の中心位置に横長で幅狭のスリット５０ａの位置が位置
合わせされたカバ−を被着しているので、ＬＥＤ素子１
ｘから発射される出力光は、当該スリット５０ａの部分
のみで通過して、光束Ｌａが受光部に向けて進行する。
用できる半導体発光装置を提供すること。 【解決手段】 カバ−５０は、ＬＥＤ素子１ｘの発光面
の中心位置がスリット５０ａの位置になるように位置合
わせをして、折曲線５０ｘ、５０ｙで図示の水平方向に
折曲げＬＥＤ素子１ｘの発光面の前面に被着する。次
に、透光性樹脂材からなるモ−ルド部５で、ＬＥＤ素子
１ｘと金属線を封止する。このようにして、ＬＥＤ１を
形成する。図１のＬＥＤ１は、ＬＥＤ素子１ｘの発光面
の中心位置に横長で幅狭のスリット５０ａの位置が位置
合わせされたカバ−を被着しているので、ＬＥＤ素子１
ｘから発射される出力光は、当該スリット５０ａの部分
のみで通過して、光束Ｌａが受光部に向けて進行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、簡単な構成でエン
コ−ダの線状光源として適用できる半導体発光装置に関
する。
コ−ダの線状光源として適用できる半導体発光装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光学装置を用いたフォトエンコ−ダとし
て、物体の移動速度を検出するリニアエンコ−ダや回転
角度を検出するロ−タリ−エンコ−ダが知られている。
このようなフォトエンコ−ダ用の光学装置の例として、
発光部に発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）のような半導体発光
装置を使用し、受光部にはホトダイ−ドのような半導体
受光装置を使用する場合がある。
て、物体の移動速度を検出するリニアエンコ−ダや回転
角度を検出するロ−タリ−エンコ−ダが知られている。
このようなフォトエンコ−ダ用の光学装置の例として、
発光部に発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）のような半導体発光
装置を使用し、受光部にはホトダイ−ドのような半導体
受光装置を使用する場合がある。
【０００３】図４は、前記ＬＥＤの一例を示す概略の正
面図である。図４において、１はＬＥＤ素子、２、３は
一対のリ−ド端子、４は金属線である。ＬＥＤ素子１の
一方の電極１ａを金属線４と接続し、金属線４はリ−ド
端子３にワイヤボンデングで電気的に接続される。
面図である。図４において、１はＬＥＤ素子、２、３は
一対のリ−ド端子、４は金属線である。ＬＥＤ素子１の
一方の電極１ａを金属線４と接続し、金属線４はリ−ド
端子３にワイヤボンデングで電気的に接続される。
【０００４】また、図示されていないがＬＥＤ素子１の
電極１ａと反対側に電極を形成し、当該電極はリ−ド端
子２にダイボンデングで電気的に接続される。５は透光
性樹脂材からなるモ−ルド部で、ＬＥＤ素子１と金属線
４を封止する。このようにして、エンコ−ダ用のＬＥＤ
２０が形成される。このＬＥＤ２０は、例えば赤外線を
発光するように構成されている。
電極１ａと反対側に電極を形成し、当該電極はリ−ド端
子２にダイボンデングで電気的に接続される。５は透光
性樹脂材からなるモ−ルド部で、ＬＥＤ素子１と金属線
４を封止する。このようにして、エンコ−ダ用のＬＥＤ
２０が形成される。このＬＥＤ２０は、例えば赤外線を
発光するように構成されている。
【０００５】図５は、図４の構成のＬＥＤ２０をリニア
エンコ−ダとして用いる例を示す説明図である。図５に
おいて、１０はレンズを用いた光学系、１１は多数のス
リットａ〜ｎが形成されている矩形状の測定板、１２は
ホトダイオ−ドを用いた受光部、１３は信号線、１４は
信号処理部である。
エンコ−ダとして用いる例を示す説明図である。図５に
おいて、１０はレンズを用いた光学系、１１は多数のス
リットａ〜ｎが形成されている矩形状の測定板、１２は
ホトダイオ−ドを用いた受光部、１３は信号線、１４は
信号処理部である。
【０００６】ＬＥＤ２０は面発光体として作用し、Ｌｘ
の幅の出力光が発射される。光学系１０は、ＬＥＤ２０
から発射されたＬｘの幅の出力光を集光し、点光源に変
換して測定板に形成されているスリットに対して平行な
光束Ｌｙとして受光部１２に向けて進行させる。
の幅の出力光が発射される。光学系１０は、ＬＥＤ２０
から発射されたＬｘの幅の出力光を集光し、点光源に変
換して測定板に形成されているスリットに対して平行な
光束Ｌｙとして受光部１２に向けて進行させる。
【０００７】測定板１１を矢視Ａ方向に移動させると、
受光部１２は測定板１１に形成されているスリットａ〜
ｎの有無に応じて光線Ｌｙを受光または遮光する。受光
部１２で受光または遮光した信号を信号処理部１４で適
宜処理してパルス波形を形成し、１周期のパルス数をカ
ウントすると測定板１１の移動速度が検出できる。
受光部１２は測定板１１に形成されているスリットａ〜
ｎの有無に応じて光線Ｌｙを受光または遮光する。受光
部１２で受光または遮光した信号を信号処理部１４で適
宜処理してパルス波形を形成し、１周期のパルス数をカ
ウントすると測定板１１の移動速度が検出できる。
【０００８】直線状に移動する矩形状の測定板１１に代
えて、円周上に多数のスリットを形成した回転板を光学
系１０と受光部１２との間に配置して回転させ、受光部
１２で受光または遮光した信号を信号処理部１４で適宜
処理することにより回転板の回転角度を検出する、ロ−
タリ−エンコ−ダを構成することができる。
えて、円周上に多数のスリットを形成した回転板を光学
系１０と受光部１２との間に配置して回転させ、受光部
１２で受光または遮光した信号を信号処理部１４で適宜
処理することにより回転板の回転角度を検出する、ロ−
タリ−エンコ−ダを構成することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、図５のエ
ンコ−ダにおいては、図４の構成のＬＥＤを用いた面光
源の半導体発光装置から発射される出力光を光学系で集
光して点光源に変換し測定板に形成されているスリット
に対して平行な光束を形成しているが、光学系に多数の
レンズを使用しなければならずコストが高くなるという
問題があった。また、レ−ザ光によりエンコ−ダ用の点
光源を得ることは可能であるが、この場合にもコストが
高くなるという問題があった。
ンコ−ダにおいては、図４の構成のＬＥＤを用いた面光
源の半導体発光装置から発射される出力光を光学系で集
光して点光源に変換し測定板に形成されているスリット
に対して平行な光束を形成しているが、光学系に多数の
レンズを使用しなければならずコストが高くなるという
問題があった。また、レ−ザ光によりエンコ−ダ用の点
光源を得ることは可能であるが、この場合にもコストが
高くなるという問題があった。
【００１０】本発明はこのような問題に鑑み、簡単な構
成でエンコ−ダの線状光源として適用できる半導体発光
装置の提供を目的とする。
成でエンコ−ダの線状光源として適用できる半導体発光
装置の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、請
求項１に係る発明において、半導体発光装置を、半導体
発光素子と、前記半導体発光素子を封止する透光性樹脂
材のモ−ルド部と、面状光源の出力光をマスクし線状光
源の出力光に変換して発射する変換手段とを設けた構成
とすることによって達成される。
求項１に係る発明において、半導体発光装置を、半導体
発光素子と、前記半導体発光素子を封止する透光性樹脂
材のモ−ルド部と、面状光源の出力光をマスクし線状光
源の出力光に変換して発射する変換手段とを設けた構成
とすることによって達成される。
【００１２】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
記載の半導体発光装置において、前記変換手段はスリッ
トを形成したカバ−であって、半導体発光素子の発光面
に前記カバ−を被着して透光性樹脂材のモ−ルド部で封
止し、前記スリットを通過した出力光を発射することを
特徴としている。
記載の半導体発光装置において、前記変換手段はスリッ
トを形成したカバ−であって、半導体発光素子の発光面
に前記カバ−を被着して透光性樹脂材のモ−ルド部で封
止し、前記スリットを通過した出力光を発射することを
特徴としている。
【００１３】請求項１に係る発明の上記特徴によれば、
面状光源の出力光をマスクし線状光源の出力光に変換し
て発射する変換手段を設けている。このため、簡単な構
成で、しかも微細な線状光源が得られるので、当該半導
体発光装置をエンコ−ダの光源として適用することがで
きる。
面状光源の出力光をマスクし線状光源の出力光に変換し
て発射する変換手段を設けている。このため、簡単な構
成で、しかも微細な線状光源が得られるので、当該半導
体発光装置をエンコ−ダの光源として適用することがで
きる。
【００１４】また、請求項２に係る発明は、半導体発光
素子の発光面にスリットを形成したカバ−を被着してか
ら、透光性樹脂材のモ−ルド部で封止している。このた
め、モ−ルド部によりカバ−が強固に固定されて位置ず
れを生ずるすることがなく、また、ダイボンデングの際
のＬＥＤ素子の位置ずれにも影響を受けないので、精度
良く線状の出力光を発射できる。
素子の発光面にスリットを形成したカバ−を被着してか
ら、透光性樹脂材のモ−ルド部で封止している。このた
め、モ−ルド部によりカバ−が強固に固定されて位置ず
れを生ずるすることがなく、また、ダイボンデングの際
のＬＥＤ素子の位置ずれにも影響を受けないので、精度
良く線状の出力光を発射できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図２は本発明の実施の形態に
係る半導体発光装置に用いるカバ−の展開正面図であ
る。図２において、カバ−５０は例えばＳＵＳのような
薄い金属板を打ち抜き加工で形成する。
て図を参照して説明する。図２は本発明の実施の形態に
係る半導体発光装置に用いるカバ−の展開正面図であ
る。図２において、カバ−５０は例えばＳＵＳのような
薄い金属板を打ち抜き加工で形成する。
【００１６】５０ａは、横長に狭い幅で形成されたスリ
ット、５０ｂ、５０ｃは上部両側に形成されている耳
片、５０ｄはカバ−本体、５０ｅは脚部である。カバ−
本体５０ｄと両側の耳片５０ｂ、５０ｃ間には折曲線５
０ｘが形成され、また、カバ−本体５０ｄと脚部５０ｅ
間には折曲線５０ｙが形成されている。
ット、５０ｂ、５０ｃは上部両側に形成されている耳
片、５０ｄはカバ−本体、５０ｅは脚部である。カバ−
本体５０ｄと両側の耳片５０ｂ、５０ｃ間には折曲線５
０ｘが形成され、また、カバ−本体５０ｄと脚部５０ｅ
間には折曲線５０ｙが形成されている。
【００１７】図２に示したカバ−５０は、折曲線５０
ｘ、５０ｙで折曲げてＬＥＤ素子の発光面に被着され
る。図１は、カバ−５０をＬＥＤの発光面に被着した状
態を示す概略の側面図である。
ｘ、５０ｙで折曲げてＬＥＤ素子の発光面に被着され
る。図１は、カバ−５０をＬＥＤの発光面に被着した状
態を示す概略の側面図である。
【００１８】図１において、ＬＥＤ素子１ｘには、電極
１ａ、電極１ｂが設けられており、電極１ｂはリ−ド端
子２にダイボンデングにより電気的に接続されている。
また、図示されていないが電極１ａに金属線を接続し、
この金属線を他方のリ−ド端子とワイヤボンデングによ
り電気的に接続する。
１ａ、電極１ｂが設けられており、電極１ｂはリ−ド端
子２にダイボンデングにより電気的に接続されている。
また、図示されていないが電極１ａに金属線を接続し、
この金属線を他方のリ−ド端子とワイヤボンデングによ
り電気的に接続する。
【００１９】カバ−５０は、ＬＥＤ素子１ｘの発光面の
中心位置がスリット５０ａの位置になるように位置合わ
せをして、折曲線５０ｘ、５０ｙで図示の水平方向に折
曲げる。更に、適宜の位置で前記耳片５０ｂ、５０ｃと
脚部５０ｅを垂直方向に折曲げて、カバ−５０をＬＥＤ
素子１ｘの発光面の前面に被着する。
中心位置がスリット５０ａの位置になるように位置合わ
せをして、折曲線５０ｘ、５０ｙで図示の水平方向に折
曲げる。更に、適宜の位置で前記耳片５０ｂ、５０ｃと
脚部５０ｅを垂直方向に折曲げて、カバ−５０をＬＥＤ
素子１ｘの発光面の前面に被着する。
【００２０】このように、カバ−５０をＬＥＤ素子１ｘ
の発光面の前面に被着してから、次に、透光性樹脂材か
らなるモ−ルド部５でＬＥＤ素子１ｘと金属線を封止し
て、ＬＥＤ１を形成する。このため、カバ−５０はモ−
ルド部５により強固に固定され、位置ずれの発生を防止
できる。また、ダイボンデングの際のＬＥＤ素子の位置
ずれにも影響を受けない。
の発光面の前面に被着してから、次に、透光性樹脂材か
らなるモ−ルド部５でＬＥＤ素子１ｘと金属線を封止し
て、ＬＥＤ１を形成する。このため、カバ−５０はモ−
ルド部５により強固に固定され、位置ずれの発生を防止
できる。また、ダイボンデングの際のＬＥＤ素子の位置
ずれにも影響を受けない。
【００２１】図１のＬＥＤ１は、ＬＥＤ素子１ｘの発光
面の中心位置に横長で幅狭のスリット５０ａの位置が位
置合わせされたカバ−を被着しているので、ＬＥＤ素子
１ｘから発射される出力光は、当該スリット５０ａの部
分のみで通過して、光束Ｌａが受光部に向けて進行す
る。この光束Ｌａは、図４のような測定板に形成された
スリットと平行に形成される。
面の中心位置に横長で幅狭のスリット５０ａの位置が位
置合わせされたカバ−を被着しているので、ＬＥＤ素子
１ｘから発射される出力光は、当該スリット５０ａの部
分のみで通過して、光束Ｌａが受光部に向けて進行す
る。この光束Ｌａは、図４のような測定板に形成された
スリットと平行に形成される。
【００２２】スリット５０ａの幅方向の寸法は、必要と
する光量が得られる限度で微細な寸法とすることができ
るので、スリットを有する測定板を光束Ｌａに向けて移
動させたときに、受光部では受光と遮光の精度の良い信
号を得ることができる。
する光量が得られる限度で微細な寸法とすることができ
るので、スリットを有する測定板を光束Ｌａに向けて移
動させたときに、受光部では受光と遮光の精度の良い信
号を得ることができる。
【００２３】また、スリット５０ａを設けたカバ−５０
は打ち抜き加工により簡単に形成することができる。な
お、カバ−５０を打ち抜き加工により形成し、折曲げて
ＬＥＤ素子１ｘの発光面に被着することに代えて、側面
視が図１の形状となるように、スリット５０ａが設けら
れているカバ−５０を、合成樹脂材のモ−ルド成型で形
成することもできる。
は打ち抜き加工により簡単に形成することができる。な
お、カバ−５０を打ち抜き加工により形成し、折曲げて
ＬＥＤ素子１ｘの発光面に被着することに代えて、側面
視が図１の形状となるように、スリット５０ａが設けら
れているカバ−５０を、合成樹脂材のモ−ルド成型で形
成することもできる。
【００２４】図３は、本発明の他の実施の形態に係る半
導体発光装置の概略の側面図である。図３の例において
は、スリット６０ａを形成したカバ−６０を透光性樹脂
材からなるモ−ルド部５の出力光発射面に被着する。６
０ｘ、６０ｙは、カバ−６０の折り曲げ部である。ＬＥ
Ｄ素子１ｘから発射される出力光は、当該スリット６０
ａの部分のみで通過して、光束Ｌｂが受光部に向けて進
行する。
導体発光装置の概略の側面図である。図３の例において
は、スリット６０ａを形成したカバ−６０を透光性樹脂
材からなるモ−ルド部５の出力光発射面に被着する。６
０ｘ、６０ｙは、カバ−６０の折り曲げ部である。ＬＥ
Ｄ素子１ｘから発射される出力光は、当該スリット６０
ａの部分のみで通過して、光束Ｌｂが受光部に向けて進
行する。
【００２５】このように図３の構成は、モ−ルド部５の
出力光発射面にカバ−を被着しているので、既製の半導
体発光装置１にそのまま取り付けることができる。ま
た、図１の構成では、半導体発光素子１ｘの発光面にカ
バ−５０を被着してから透光性樹脂材によりモ−ルド成
型しているので、モ−ルド成型時にカバ−５０の位置合
わせが必要となる。これに対して図３の構成では、モ−
ルド部５の出力光発射面の大きさに合わせて、予めスリ
ット６０ａや折り曲げ部６０ｘ、６０ｙを形成しておく
ことにより、カバ−６０をモ−ルド部５の出力光発射面
に簡単に被着することができる。
出力光発射面にカバ−を被着しているので、既製の半導
体発光装置１にそのまま取り付けることができる。ま
た、図１の構成では、半導体発光素子１ｘの発光面にカ
バ−５０を被着してから透光性樹脂材によりモ−ルド成
型しているので、モ−ルド成型時にカバ−５０の位置合
わせが必要となる。これに対して図３の構成では、モ−
ルド部５の出力光発射面の大きさに合わせて、予めスリ
ット６０ａや折り曲げ部６０ｘ、６０ｙを形成しておく
ことにより、カバ−６０をモ−ルド部５の出力光発射面
に簡単に被着することができる。
【００２６】また、図１、図３の例のようにスリットを
形成したカバ−で面状光源の出力光をマスクして線状光
源に変換することに代えて、ダイボンデング後のＬＥＤ
素子の出力光発射面に対して適宜の位置をスリット状に
残し、他の部分をインクジェットの吹付け処理で被覆す
ることにより線状光源を形成することもできる。なお、
半導体発光素子１ｘをダイボンデングで搭載するリ−ド
端子２の搭載面にスリットを形成し、このスリット形成
面を発光面として用いることにより線状光源を形成する
こともできる。
形成したカバ−で面状光源の出力光をマスクして線状光
源に変換することに代えて、ダイボンデング後のＬＥＤ
素子の出力光発射面に対して適宜の位置をスリット状に
残し、他の部分をインクジェットの吹付け処理で被覆す
ることにより線状光源を形成することもできる。なお、
半導体発光素子１ｘをダイボンデングで搭載するリ−ド
端子２の搭載面にスリットを形成し、このスリット形成
面を発光面として用いることにより線状光源を形成する
こともできる。
【００２７】光束の進行方向と平行なスリットを有する
測定板を用いたリニアエンコ−ダに代えて、円周方向に
多数のスリットを形成した回転板を用いると、図１に示
した構成のＬＥＤ１はロ−タリ−エンコ−ダの光源とし
て用いることができる。
測定板を用いたリニアエンコ−ダに代えて、円周方向に
多数のスリットを形成した回転板を用いると、図１に示
した構成のＬＥＤ１はロ−タリ−エンコ−ダの光源とし
て用いることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る発
明の上記特徴によれば、面状光源の出力光をマスクし線
状光源の出力光に変換して発射する変換手段を設けてい
る。このため、簡単な構成で、しかも微細な線状光源が
得られるので、当該半導体発光装置をエンコ−ダの光源
として適用することができる。
明の上記特徴によれば、面状光源の出力光をマスクし線
状光源の出力光に変換して発射する変換手段を設けてい
る。このため、簡単な構成で、しかも微細な線状光源が
得られるので、当該半導体発光装置をエンコ−ダの光源
として適用することができる。
【００２９】また、請求項２に係る発明は、半導体発光
素子の発光面にスリットを形成したカバ−を被着してか
ら、透光性樹脂材のモ−ルド部で封止している。このた
め、モ−ルド部によりカバ−が強固に固定されて位置ず
れを生ずるすることがなく、また、ダイボンデングの際
のＬＥＤ素子の位置ずれにも影響を受けないので、精度
良く線状の出力光を発射できる。
素子の発光面にスリットを形成したカバ−を被着してか
ら、透光性樹脂材のモ−ルド部で封止している。このた
め、モ−ルド部によりカバ−が強固に固定されて位置ず
れを生ずるすることがなく、また、ダイボンデングの際
のＬＥＤ素子の位置ずれにも影響を受けないので、精度
良く線状の出力光を発射できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体発光装置を示
す側面図である。
す側面図である。
【図２】図１のカバ−を示す正面図である。
【図３】本発明の他の実施の形態に係る半導体発光装置
を示す側面図である。
を示す側面図である。
【図４】従来の半導体発光装置を示す正面図である。
【図５】半導体発光装置をリニアエンコ−ダとして使用
する例の説明図である。
する例の説明図である。
１ 発光ダイオ−ド（ＬＥＤ） １ｘ ＬＥＤ素子 １ａ、１ｂ 電極 ２ リ−ド端子 ５ 透光性樹脂材からなるモ−ルド部 １０ 光学系 １１ 測定板 １２ 受光部 １３ 信号線 １４ 信号処理部 ５０、６０ カバ− ５０ａ、６０ａ スリット ５０ｂ、５０ｃ 耳片 ５０ｄ カバ−本体 ５０ｅ 脚部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体発光素子と、前記半導体発光素子
を封止する透光性樹脂材のモ−ルド部と、面状光源の出
力光をマスクし線状光源の出力光に変換して発射する変
換手段とを設けたことを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 前記変換手段はスリットを形成したカバ
−であって、半導体発光素子の発光面に前記カバ−を被
着して透光性樹脂材のモ−ルド部で封止し、前記スリッ
トを通過した出力光を発射することを特徴とする請求項
１に記載の半導体発光装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31110199A JP2001135862A (ja) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | 半導体発光装置 |
| PCT/JP2000/007512 WO2001033641A1 (en) | 1999-11-01 | 2000-10-30 | Semiconductor light-emitting device |
| CNB008149607A CN1192441C (zh) | 1999-11-01 | 2000-10-30 | 半导体发光器件 |
| US10/111,849 US6617615B1 (en) | 1999-11-01 | 2000-10-30 | Semiconductor light-emitting device |
| KR1020027005478A KR100755167B1 (ko) | 1999-11-01 | 2000-10-30 | 반도체 발광장치 |
| KR1020077013195A KR20070065455A (ko) | 1999-11-01 | 2000-10-30 | 반도체 발광장치 |
| TW089122991A TW474031B (en) | 1999-11-01 | 2000-11-01 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31110199A JP2001135862A (ja) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001135862A true JP2001135862A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=18013163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31110199A Pending JP2001135862A (ja) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001135862A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011038829A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Topcon Corp | 干渉顕微鏡及び測定装置 |
-
1999
- 1999-11-01 JP JP31110199A patent/JP2001135862A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011038829A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Topcon Corp | 干渉顕微鏡及び測定装置 |
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