KR20020041181A - 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
위치별 평균 저항값(오옴/제곱 마이크로 메터) | 전체 평균 | ||||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | ||
15keV | 2108 | 2172 | 1950 | 2090 | 2187 | 2197 | 2117 |
20keV | 2755 | 2864 | 2548 | 2747 | 2886 | 2789 | 2765 |
25keV | 12,570 | 18370 | 16230 | 18390 | 18350 | 13040 | 16160 |
위치별 평균 저항값(오옴/제곱 마이크로 메터) | 전체 평균 | ||||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | ||
15keV | 1443 | 1475 | 1343 | 1433 | 1487 | 1469 | 1442 |
20keV | 12950 | 16950 | 17860 | 18630 | 15170 | 11200 | 15460 |
25keV | - | - | - | - | - | - | - |
Claims (21)
- 기판에 폴리실리콘층을 형성하는 단계,상기 폴리실리콘층 위로 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 게이트 절연막 위로 게이트 패턴을 형성하는 단계,상기 게이트 패턴을 구비한 기판의 상기 폴리실리콘층에 불순물을 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계,상기 게이트 패턴 위로 기판에 커버막을 형성하는 단계 및상기 커버막을 구비하는 기판에 대해 열활성화를 실시하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 커버막은 실리콘 산화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 커버막은 500 내지 8000 옹스트롬(Å)으로 형성하고,상기 열활성화는 400 내지 500도(℃)의 온도에서 30분 이상 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 커버막 위로 비아 절연막을 더 적층하여 두께 4000 옹스트롬 이상의 2층 구조의 층간 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 열산화는 상기 커버막 형성 후 상기 비아 절연막 형성 전에 400 내지 500 도의 온도에서 30분 이상 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 커버막은 실리콘 질화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 커버막은 500 내지 5000Å의 두께로 이루어지며,상기 열활성화는 400 내지 450℃의 온도에서 30분 이상 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 커버막 위로 비아 절연막을 더 적층하여 두께 4000 옹스트롬 이상의 2층 구조의 층간 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 열산화는 상기 커버막 형성 후 상기 비아 절연막 형성 전에 400 내지 500 도의 온도에서 30분 이상 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 열활성화는 상기 커버막을 적층한 후 비아 절연막을 더 적층하여 층간 절연막을 형성하고,상기 층간 절연막에 콘택 홀을 형성하고,상기 콘택 홀 위로 기판에 소오스/드레인 전극층을 적층한 이후에 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 커버막 위로 감광성 유기막으로 이루어진 비아 절연막을 더 적층하여 층간 절연막을 형성하는 단계,상기 층간 절연막에 콘택 홀을 형성하는 단계,상기 콘택 홀 위로 기판에 소오스/드레인 전극층을 적층하고 패터닝하여 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계를 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 불순물 주입은 30keV 이하의 에너지로 이루어지는 이온주입인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 불순물 주입은 도즈(does)량이 1015ions/cm2이상으로 이루어지는 이온주입인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 패턴을 형성하는 단계는게이트막을 적층하고,상기 게이트막 위로 포토레지스트 패턴을 형성하고,상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 게이트막과 상기 게이트 절연막을 식각하여 패턴을 형성하는 공정을 구비하고,상기 불순물 주입을 실시하는 단계에서 상기 포토레지스트 패턴을 이온주입마스크로 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정,상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 식각을 통해 게이트막 패턴과 게이트 절연막 패턴을 형성하는 공정 및상기 포토레지스트 패턴을 이온주입 마스크로 불순물 이온주입을 실시하는 공정은P형 트랜지스터 및 N형 트랜지스터 형성을 위해 각각 한번씩 실시되며,P 또는 N 형의 트랜지스터가 형성될 때는 N 또는 P 형의 트랜지스터 영역은 포토레지스트 패턴으로 보호되는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 패턴이 N형 불순물이 주입되는 N형 트랜지스터 영역의 게이트 패턴인 경우, 상기 게이트 패턴을 형성하는 식각은 언더컷을 형성할 수 있는 등방성 식각이고,상기 불순물 주입을 30keV 이하의 저에너지 이온주입으로 한 후 상기 불순물 주입에 비해 상대적으로 저도즈 이온주입으로 상기 언더컷에 대응하는 활성영역을 LDD(ligntly doped drain) 영역으로 형성하는 단계를 더 구비하여 이루어지는 것을특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 폴리실리콘층의 형성전에 상기 기판에 불순물이 포함된 아몰퍼스 실리콘으로 이루어진 버퍼 패턴을 형성하는 단계를 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판에 대한 열활성화를 실시하는 단계 후에상기 폴리실리콘층이 소오스/드레인 영역을 노출시키도록 상기 커버막에 콘택 홀 형성을 위한 패터닝을 실시하는 단계,콘택 및 배선을 위한 금속층을 적층하고 패터닝하는 단계,보호막을 적층하고 상기 금속층으로 이루어진 소오스 전극이 노출되도록 비아 홀을 패터닝으로 형성하는 단계 및화소전극층을 적층하고 패터닝하여 화소전극을 형성하는 단계를 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 보호막은 유기막 혹은 무기막으로 형성하고, 두께 2 내지 5 마이크로 메터로 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 보호막 상면에 굴곡 주어 마이크로 렌즈를 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막트렌지스터 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 화소전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 알루미늄 합금, 알루미늄, 은, 은 합금 가운데 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법.
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