KR100404510B1 - 박막트랜지스터및그제조방법 - Google Patents
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- H01L29/78675—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate
Abstract
Description
Claims (9)
- 절연기판과,절연기판 상에 형성된 활성층과,상기 활성층상에 순차적으로 증착되고 각각 동일한 폭을 갖도록 패터닝되어 상기 활성층 일부를 노출시키는 게이트절연막 및 게이트전극과,엘디디폭 만큼의 여유분을 두고 상기 게이트전극을 덮고, 상기 활성층의 양단 및 상기 활성층의 양단과 연결된 상기 절연기판을 일부 노출시키도록 형성된 층간절연막과,상기 활성층에 상기 층간절연막 하부에 형성된 엘디디와,상기 활성층 양단의 노출된 부분에 형성된 소오스/드레인영역과,상기 기판의 노출된 부분 및 상기 소오스/드레인영역을 덮도록 형성된 소오스/드레인전극을 구비한 트랜지스터.
- 청구항 1에 있어서,상기 구조를 덮되, 상기 드레인영역을 노출시키는 보호막과,상기 보호막 상에 상기 드레인영역과 연결되도록 형성된 화소전극을 더 구비한 박막 트랜지스터.
- 절연기판 상에 활성층을 형성하는 공정과,상기 활성층 상에 게이트절연막과 게이트전극을 순차적으로 증착한 후 게이트전극을 마스크로 하여 게이트절연막을 패터닝하여 형성하는 게이트절연막 및 게이트 전극을 형성하는 공정과,상기 게이트전극을 마스크로 하여 상기 활성층에 제 1도전형의 불순물을 저농도로 도핑시키는 공정과,엘디디폭 만큼의 여유분을 두고 상기 게이트전극을 덮고 상기 활성층 양단 및 상기 활성층의 양단과 연결된 상기 절연기판을 일부 노출시키도록 층간절연막을 형성하는 공정과,상기 층간절연막을 마스크로 하여 상기 절연기판에 제 1도전형의 불순물을 고농도로 도핑시키어 상기 활성층에 엘디디 및 고농도의 불순물영역을 형성하는 공정과,상기 층간절연막의 상에 상기 소오스/드레인영역을 덮도록 소오스/드레인전극을 형성하는 공정을 구비한 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 청구항 3에 있어서,상기 구조를 덮되, 상기 드레인영역을 노출시키도록 보호막을 형성하는 공정과,상기 보호막 상에 상기 드레인영역과 연결되도록 화소전극을 형성하는 공정을 더 구비한 것이 특징인 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 청구항 3에 있어서,상기 활성층에 상기 엘디디 및 소오스/드레인영역을 형성한 후에 활성화시키는 공정을 더 구비하는 것이 특징인 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 절연기판과,절연기판 상에 형성된 소오스/드레인전극과,상기 소오스/드레인전극 사이에 잔류되도록 순차적으로 형성된 절연막 및 활성층과,상기 활성층 상에 순차적으로 형성된 게이트절연막 및 게이트전극과,엘디디폭 만큼의 여유분을 두고 상기 게이트전극을 덮고 상기 활성층 양단 및 상기 활성층 양단과 연결된 절연기판 및 상기 소오스/드레인전극을 노출시키도록 형성된 층간절연막과,상기 활성층의 상기 층간절연막과 하부에 형성된 엘디디와,상기 활성층 양단의 노출된 부분에 형성된 소오스/드레인영역과,상기 소오스영역 쪽의 단부를 덮도록 형성되어 상기 소오스영역을 상기 소오스전극과 연결시키는 제 1연결배선과,상기 드레인영역 쪽의 단부를 덮도록 형성되어 상기 드레인영역을 상기 드레인전극과 연결시키는 제 2연결배선을 구비한 것이 특징인 박막 트랜지스터.
- 절연기판 상에 소오스/드레인전극을 형성하는 공정과,상기 소오스/드레인전극 사이에 잔류되도록 절연막 및 활성층을 순차적으로 형성하는 공정과,상기 활성층 상에 게이트절연막을 개재시키어 게이트전극을 형성하는 공정과,상기 게이트전극을 마스크로 하여 상기 활성층에 제 1 도전형 불순물을 저농도로 도핑하는 공정과,엘디디폭 만큼의 여유분을 두고 상기 게이트전극을 덮고 상기 활성층 양단 및 상기 활성층 양단과 연결된 절연기판 및 상기 소오스/드레인전극을 노출시키도록 층간절연막을 형성하는 공정과,상기 층간절연막을 마스크로 하여 상기 활성층에 제 1도전형 불순물을 고농도로 도핑시키어 상기 활성층에 엘디디와 소오스/드레인영역을 각각 형성하는 공정과,상기 소오스영역 쪽 상기 드레인영역 쪽의 단부를 가각 덮도록 형성되어 상기 소오스 및 드레인영역을 상기 소오스 및 드레인전극과 연결시키는 제 1 및 제 2 연결배선을 형성하는 공정을 구비한 박막 트랜지스터 제조방법.
- 청구항 7에 있어서,상기 층간절연막을 3000∼ 8000Å 정도의 두께범위로 형성하는 것이 특징인 박막 트랜지스터 제조방법.
- 청구항 7에 있어서,상기 활성층에 상기 엘디디 및 고농도의 불순물영역이 형성된 후에 활성시키는 공정을 더 구비하는 것이 특징인 박막 트랜지스터의 제조방법.
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