KR20020021864A - 유기실리케이트 중합체의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고밀도, 고성능의 차세대 반도체 소자와 같은 전기 소자에 필수적인 저 유전 물질에 관한 것으로, 특히 내크랙성이 우수한 유기실리케이트 중합체의 제조방법 및 이 제조방법으로 제조되는 유기실리케이트 중합체를 사용하여 제조되는 절연막의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조되는 절연막을 포함하는 전기 소자에 관한 것이다.
본 발명은 이를 위하여, 유기실리케이트 중합체의 제조방법에 있어서, a) 산촉매 하에 유기 실란 화합물을 물에 혼합하여 가수분해 및 중합시키는 단계를 포함하는 유기실리케이트 중합체의 제조방법, 이 제조방법으로 제조되는 유기실리케이트 중합체를 사용하는 금속 배선 층간 저유전 절연막의 제조방법, 및 이 제조방법에 의해 제조되는 절연막을 포함하는 전기 소자를 제공한다.
본 발명에 의하여 제조되는 유기실리케이트 중합체를 사용하여 제조되는 절연막은 기계적 강도와 내크랙성이 우수하다.

Description

유기실리케이트 중합체의 제조방법{METHOD FOR PREPARING ORGANIC SILICATE POLYMER}
[산업상 이용분야]
본 발명은 고밀도, 고성능의 차세대 반도체 소자와 같은 전기 소자에 필수적인 저 유전 물질에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열적으로 안정한 동시에 성막성이 양호하고 기계적 특성이 뛰어나며, 특히 내크랙성이 우수한 유기실리케이트 중합체의 제조방법 및 이 제조방법으로 제조되는 유기실리케이트 중합체를 사용하여 제조되는 절연막의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조되는 절연막을 포함하는 전기 소자에 관한 것이다.
[종래 기술]
최근 반도체 소자의 집적도가 증가하면서 소자 내부를 연결하는 도선의 선폭이 급속하게 줄어들고 있으며, 2003 년경에는 0.1 ㎛의 회로 선폭을 이용한 고밀도의 소자가 개발될 것으로 예상된다.
일반적으로 반도체 소자의 속도는 트랜지스터의 스위칭 속도와 시그널 (signal)의 전달 속도에 비례하고, 시그널의 전달 속도는 배선물질의 저항과 층간절연막의 정전용량의 곱으로 표시되는 RC 지연(delay)에 의하여 결정된다. 반도체 소자의 집적도가 높아지면 소자내부를 연결하는 금속선의 길이가 기하급수적으로 증가하여, 고 밀도 칩상의 속도는 스위칭 속도보다는 고밀도 칩 상의, RC 지연에 의하여 결정된다. 따라서 고속의 칩을 제조하기 위해서는 저항이 작은 도체와 유전율이 낮은 절연물질을 사용하여야 한다. 또한 저유전 물질의 사용은 반도체 소자의 속도 증가뿐만 아니라, 소비전력을 낮출 수 있고, 금속 배선 사이의 상호 간섭(cross-talk) 현상을 현저히 감소시킬 수 있다. 최근 IBM에서 종래의 알루미늄 배선을 사용하지 않고, 전기 전도도가 높은 구리 배선을 사용하여 30 % 이상의 성능 향상을 보인 시제품을 출시한 바 있다. 반면에 저 유전 물질을 적용한 반도체 소자는 적절한 소재 개발의 미비로 아직 시제품이 출시되어 있지 않은 상태이다.
종래의 IC, LSI등의 반도체 소자 층간 절연 재료는 유전상수가 4.0 인 SiO2가 대부분이며, 저유전 물질로 플로린이 도핑된 실리케이트(F-SiO2)가 일부 소자에 적용되고 있다. 그러나 F-SiO2는 플로린의 함량이 6 중량% 이상일 경우 열적으로 불안정한 상태가 되어 이 방법으로는 유전상수를 3.5 이하로 낮추기 어려운 문제점이 있다. 최근 이의 문제점을 해결하기 위하여 극성이 낮고 열적으로 안정한 여러 유기 및 무기 고분자들이 제시되고 있다.
저유전 상수를 갖는 유기 고분자로는 플로린을 함유하거나 또는 함유하지 않은 폴리이미드 수지와 폴리아릴렌 에테르 수지 및 퍼플로로 사이클로 부탄 함유 수지 등이 개발되고 있다. 이들 유기 고분자들은 대부분 유전상수가 3.0 이하이나,일반적으로 유리 전이 온도가 낮아 고온에서의 탄성률이 현저히 떨어지고 선팽창 계수가 매우 높다. 플로린을 함유한 유기 고분자는 이러한 물성들이 더욱 저하된다. 반도체 제조 공정 및 패키징 공정 중에 200∼450 ℃의 고온까지 올라가, 이러한 낮은 열적 안정성과 탄성률 및 높은 선팽창 계수는 소자 또는 배선판의 신뢰성 저하를 야기시킬 수 있다.
최근에는 유기 고분자의 열적 안정성 문제를 해결하기 위하여 솔-젤(sol-gel) 공정을 이용한 유기실리케이트 중합체 개발이 진행중이다. 유기실리케이트 중합체를 제조하는 일반적인 방법은 미국특허 제4,399,266호와 같이 유기실란 단량체와 물이 서로 섞이지 않기 때문에 유기실란 화합물과 물을 동시에 용해시키는 단일 유기용매 또는 혼합용매(homogenizing solvent)를 사용하여 가수분해한 후 가열하여 중합한다. 이와 같은 방법으로 합성되는 유기실리케이트 중합체를 이용하여 스핀코팅과 경화공정을 거쳐서 제조되는 박막은 3.0 이하의 낮은 유전 상수를 갖고, 450 ℃의 온도에서 열적으로 안정하다. 반면에 이 방법은 유기실리케이트 중합체가 경화공정 중에 발생하는 수축 응력이 커서 1 ㎛ 이상의 두께에서 크랙이 발생하고 수소 또는 알킬기 도입으로 인하여 기계적 강도가 현저히 떨어지는 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 고려하여, 내크랙성이 우수하고 기계적 강도가 우수한 절연 박막을 형성할 수 있는 유기실리케이트 중합체의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 제조방법으로 제조되는 열적 안정성성, 내크랙성, 기계적 강도가 향상된 유기실리케이트 중합체를 사용하여 제조되는 전자 소자의 저유전 절연막의 제조방법, 및 이 제조방법으로 제조되는 금속 배선 층간 저유전 절연막을 포함하는 전자 소자를 제공하는 것이다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 유기실리케이트 중합체의 제조방법에 있어서,
a) 산촉매 하에 유기 실란 화합물을 물에 혼합하여 가수분해 및 중합시키는
단계
를 포함하는 유기실리케이트 중합체의 제조방법을 제공한다.
또한 상기 제조방법으로 제조되는 유기실리케이트 중합체를 사용하여 제조되는 저유전 절연막의 제조방법, 및 이 제조방법으로 제조되는 금속 배선 층간 저유전 절연막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
[작 용]
본 발명은 유기실리케이트 중합체의 제조방법에 있어서 유기실란 단량체를 물과 혼합하기 위한 유기용매(homogenizing solvent)를 사용하지 않고 직접 가수분해 및 중합하여 일정 시간 동안 유기실리케이트 중합체를 성장시킨 고분자를 이용하여 박막을 제조함으로써 박막의 기계적 물성을 향상시킨 것이다.
본 발명의 유기 실리케이트 중합체를 제조하는 방법은,
첫째로, 유기실란 화합물을 유기용매(homogenizing solvent)없이 산촉매 하에서 물을 혼합하여 0∼60 ℃의 온도에서 가수분해와 중합을 시켜(가수분해와 중합반응을 단계적으로 진행되지 않고, 촉매하여 물을 첨가시키면 가수분해가 진행되는 중간에 중합이 동시에 일어남) 원하는 분자량까지 키우는 방법과,
둘째로, 유기실란 화합물을 유기용매 없이 산 촉매하에서 물을 혼합하여 0∼60 ℃의 온도로 가수분해와 중합을 시켜(가수분해 반응과 중합반응이 동시에 일어남) 일정 분자량까지 성장시킨 후, 다시 유기 용매를 첨가하여 가열 환류시키면서 원하는 분자량까지 성장시키는 방법이 가능하다.
상기 유기 실리케이트 중합체 제조에 사용된 유기 실란 화합물은 큰 제한이 없으며 실리콘, 탄소, 산소, 수소로 구성된 유기 실란 단량체 또는 이로부터 제조 가능한 유기 실란 올리고머가 가능하다. 또한 유기실리케이트 중합체를 제조할 때 실란 단량체 또는 올리고머는 단독으로 또는 두 성분 이상을 일정한 비율로 혼합하여 공중합 유기실리케이트 중합체를 제조할 수 있다. 바람직하게는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 하기 화학식 4로 표시되는 화합물, 하기 화학식 5로 표시되는 화합물, 및 이들 화합물들의 올리고머로 이루어진 군으로부터 단독 또는 두 성분 이상을 일정한 비율로 혼합 사용하여 공중합 유기실리케이트 중합체를 제조할 수 있다.
[화학식 1]
RSiX3
[화학식 2]
R2SiX2
[화학식 3]
SiX4
[화학식 4]
Si-M-Si
상기 화학식 1 내지 화학식 4의 식에 있어서,
R은 수소, 알킬, 또는 페닐이고,
X는 염소, 알콕시, 또는 아세톡시이고,
M은 알킬렌, 또는 아릴이다.
금속 배선 층간 저 유전 절연막은 상기에서 제조된 유기실리케이트 중합체를 사용하여 스핀 코팅 방법으로 일정한 두께의 막을 형성하고 건조 공정(bake)과 경화 공정 두 단계를 거처 제조한다. 그 일반적인 방법으로는 상온에서 층을 만들고자 하는 물질 위에 원하는 두께로 코팅한다. 이때 코팅의 두께는 유기 실리 케이트 중합체의 양과 스핀 속도로 조절할 수 있다. 코팅 후에 50∼200 ℃의 온도로 건조하고, 계속하여 300∼500 ℃까지 승온시킨 다음 0.5∼4 시간 동안 유지시켜 유기실리케이트 절연막을 제조한다. 이와 같이 제조된 유기 실리케이트 절연막은 열적 안정성이 양호하고, 내 크랙성 및 기계적 강도가 매우 우수하다.
이하의 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 단, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이지 이들 만으로 한정하는 것이 아니다.
[실시예]
실시예 1
0.67 ㎖(r2(H2O/MTMS)=1.5)의 증류수와 2 N 농도의 염산 0.80 ㎖(r1(HCl/ MTMS)=0.03)를 섞은 후, 질소 하에서 메틸트리메톡시 실란 7.6 ㎖에 천천히 첨가해준다. 이때 반응기의 온도는 5 ℃ 정도를 유지하도록 하여서 2 시간 반응 시킨 다음, 다시 온도를 상온으로 올린 후 2 시간 더 반응시킨다. 뿌옇게 변한 반응액을 톨루엔 용매로 희석하고 물로 중성이 될 때까지 씻어준다(3∼4 회). 얻어진 유기 층에 남아 있는 물은 황산마그네슘을 넣어 완전히 제거한다. 이렇게 얻어진 유기층의 용매를 진공오븐에서 완전히 제거하여 고체상의 생성물을 얻는다.
(절연막 제조)
얻어진 파우더 300 mg을 메틸이소부틸 케톤에 녹여 전체 용액이 1.5 g이 되게 한다. 얻어진 용액은 필터를 통하여 불순물을 제거한 후 스핀 코팅하여 박막을 얻고, 질소 분위기하에서 건조 공정 및 경화 공정을 거쳐 절연막을 제조한다.
실시예 2
0.67 ㎖(r2(H2O/MTMS)=1.5)의 증류수와 2 N 농도의 염산 0.80 ㎖(r1(HCl/MTMS)=0.03)를 섞은 후, 질소 하에서 메틸트리메톡시 실란 7.6 ㎖에 천천히 첨가해준다. 이때 반응기의 온도는 5 ℃ 정도를 유지하도록 하여서 2 시간 반응 시킨다. 10 ㎖의 테트라하이드로퓨란(THF) 용매를 가한 후 온도를 천천히 올려서 가열 환류시키며 4 시간 더 반응시킨다. 뿌옇게 변한 반응액을 톨루엔 용매로 희석하고 물로 중성이 될 때까지 씻어준다(3∼4 회). 얻어진 유기 층에 남아 있는 물은 황산마그네슘을 넣어 완전히 제거한다. 이렇게 얻어진 유기층의 용매를 진공오븐에서 완전히 제거하여 고체상의 생성물을 얻는다.
(절연막 제조)
이때 얻어진 파우더는 실시예 1과 같은 방법으로 건조 및 경화 공정을 거처 절연막을 제조한다.
실시예 3
4.05 ㎖(r2(H2O/MTMS)=5)의 증류수와 2 N 농도의 염산 0.80 ㎖(r1(HCl/MTMS) =0.03)를 섞은 후, 질소 하에서 메틸트리메톡시 실란 7.6 ㎖에 천천히 첨가해준다. 이때 반응기의 온도는 5 ℃ 정도를 유지하도록 하여서 2 시간 반응 시킨다. 10 ㎖의 테트라하이드로퓨란(THF) 용매를 가한 후, 온도를 천천히 올려서 가열 환류시키며 4 시간 더 반응 시킨다. 뿌옇게 변한 반응액을 톨루엔 용매로 희석하고 물로 중성이 될 때까지 씻어준다(3∼4 회). 얻어진 유기 층에 남아 있는 물은 황산마그네슘을 넣어 완전히 제거한다. 이렇게 얻어진 유기층의 용매를 진공오븐에서 완전히 제거하여 고체상의 생성물을 얻는다.
(절연막 제조)
이때 얻어진 파우더는 실시예 1과 같은 방법으로 건조 및 경화 공정을 거처절연막을 제조한다.
실시예 4
3.5 ㎖ (r2(H2O/실란)=2.2)의 증류수와 5 N 농도의 염산 0.60 ㎖(r1(HCl/실란)=0.03)를 섞은 후 질소 하에서 메틸트리메톡시 실란 12.82 ㎖와 디메톡시 디메틸실란 1.37 ㎖에 천천히 첨가해준다. 이때 반응기의 온도는 5 ℃ 정도를 유지하도록 하여서 2 시간 반응시킨 후 온도를 상온으로 올린후 2 시간 더 반응시킨다. 뿌옇게 변한 용액에 20 ㎖의 테트라하이드로퓨란(THF) 용매를 가한 후, 온도를 천천히 올려서 가열환류 시키며 4 시간 더 반응 시킨다. 뿌옇게 변한 반응액을 에테르 용매로 희석하고 물로 중성이 될 때까지 씻어준다(3∼4 회). 얻어진 유기 층에 남아 있는 물은 황산 마그네슘을 넣어 완전히 제거한다. 이렇게 얻어진 유기층의 용매를 진공에서 완전히 제거하여서 고체상의 생성물을 얻는다.
(절연막 제조)
이때 얻어진 파우더는 실시예 1과 같은 방법으로 건조 및 경화 공정을 거처 절연막을 제조한다
비교예 1
10 ㎖의 테트라하이드로퓨란(THF) 용매에 메틸트리메톡시 실란 7.6 ㎖와 0.67 ㎖(r2(H2O/MTMS)=1.5)의 증류수를 섞은 후, 질소 하에서 2 N 농도의 염산 0.80 ㎖(r1(HCl/MTMS)=0.03)를 천천히 첨가해준다. 30 분간 실온에서 반응시킨 후, 온도를 서서히 올려 가열 환류시켜서 20 시간 동안 반응시킨다. 반응 후 용액은 뿌옇게 변하고 이러한 용액을 다시 실온으로 온도를 내린 후 톨루엔 용매로 희석하고 물로 중성이 될 때까지 씻어준다(3∼4 회 정도). 얻어진 유기 층에 남아 있는 물은 황산마그네슘을 넣어 완전히 제거한다. 이렇게 얻어진 유기층의 용매를 진공오븐에서 완전히 제거하여 고체상의 생성물을 얻는다.
(절연막 제조)
이때 얻어진 파우더는 실시예 1과 같은 방법으로 건조 및 경화 공정을 거처 절연막을 제조한다.
비교예 2
10 ㎖의 테트라하이드로퓨란(THF) 용매에 메틸트리메톡시 실란7.6 ㎖와 4.05 ㎖(r2(H2O/MTMS)=5)의 증류수를 섞은 후, 질소 하에서 2 N 농도의 염산 0.80 ㎖(r1(HCl/MTMS)=0.03)를 천천히 첨가해준다. 30 분간 실온에서 반응시킨 후, 온도를 서서히 올려 가열 환류시켜서 18 시간 동안 반응시킨다. 반응 후 용액은 뿌옇게 변하고 이러한 용액을 다시 실온으로 온도를 내린 후 톨루엔 용매로 희석하고 물로 중성이 될 때까지 씻어준다(3∼4 회 정도). 얻어진 유기 층에 남아 있는 물은 황산마그네슘을 넣어 완전히 제거한다. 이렇게 얻어진 유기층의 용매를 진공오븐에서 완전히 제거하여서 고체상의 생성물을 얻는다.
(절연막 제조)
이때 얻어진 파우더는 실시예 1과 같은 방법으로 건조 및 경화 공정을 거처 절연막을 제조한다.
(박막 형성 및 물성 측정)
상기 실시예 1∼4 및 비교예 1∼2에서 제조된 유기실리케이트 중합체들은 다음과 같은 방법으로 박막을 형성시키고 평가하여 표 1에 나타내었다.
분자량(수평균 분자량:Mn, 질량평균 분자량:Mw)은 젤 투과 크로마토그래피법 (GPC, Gel Permeation Chromatography)으로 폴리스타이렌을 표준으로 하여서 상대 분자량 값을 얻었고, 박막의 기계적 물성은 2 x 2 인치 Si 웨이퍼(wafer)에 스핀 코팅한 다음, 질소(N2) 조건 하에서 430 ℃에서 1 시간 동안 경화시킨 후 측정하였다. 경도(Hardness)와 탄성률(Modulus)은 하이시트론사(Hysitron Inc.)의 트리보 인덴터(TriboIndenter)를 사용하여 측정하였다. 내크랙성 여부는 1 ㎛ 두께의 박막을 상기와 같은 조건으로 제작하여 크랙 발생여부를 관찰하였다.
[표 1]
구 분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 1 비교예 2
Mn 4000 5400 3100 7752 3300 3300
Mw 18300 14800 9100 14837 8500 11000
탄성률(moduls) 4.89 4.26 3.95 3.70 1.95 2.31
경 도(hardness) 0.76 0.62 0.64 0.45 0.25 0.32
내크랙성(1 ㎛) 크랙발생않음 크랙발생않음 크랙발생않음 크랙발생않음 크랙발생 크랙발생
본 발명에 의하여 제조되는 유기실리케이트 중합체를 사용하여 제조되는 절연막은 기계적 강도와 내크랙성이 우수하다.

Claims (14)

  1. 유기실리케이트 중합체의 제조방법에 있어서,
    a) 산촉매 하에 유기 실란 화합물을 물에 혼합하여 가수분해 및 중합시키는
    단계
    를 포함하는 유기실리케이트 중합체의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    b) 상기 a)단계의 중합물에 유기용매를 첨가하고 가열 환류시켜서 숙성시
    시키는 단계
    를 더욱 포함하는 유기실리케이트 중합체의 제조방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 a)단계의 가수분해는 0∼60 ℃의 온도에서 실시되는 유기실리케이트 중합체의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    a) 산촉매 하에 0∼60 ℃의 온도에서 유기 실란 화합물을 물에 혼합하여 가
    수분해 및 중합시켜서 원하는 분자량의 유기실리케이트 중합체를 제조
    하는 단계
    를 포함하는 유기실리케이트 중합체의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    a) 산촉매 하에 0∼60 ℃의 온도에서 유기 실란 화합물을 물에 혼합하여 가
    수분해 및 중합시켜서 소정 분자량의 유기실리케이트 1차 중합체를 제조
    하는 단계
    b) 상기 a)단계의 유기실리케이트 1차 중합체에 유기용매를 첨가하고 가열
    환류시켜서 원하는 분자량의 유기실리케이트 2차 중합체를 제조하는 단계
    를 포함하는 유기실리케이트 중합체의 제조방법.
  6. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 또는 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 실란 화합물이 실리콘, 산소, 및 수소를 포함하는 유기 실란 단량체군, 및 이들 유기 실란 단량체로부터 제조되는 유기 실란 올리고머군으로부터 1 종 이상 선택되는 유기실리케이트 중합체의 제조방법.
  7. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 또는 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 실란 화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 하기 화학식 4로 표시되는 화합물, 하기 화학식 5로 표시되는 화합물, 및 이들 화합물들의 올리고머로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 유기실리케이트 중합체의 제조방법:
    [화학식 1]
    RSiX3
    [화학식 2]
    R2SiX2
    [화학식 3]
    SiX4
    [화학식 4]
    Si-M-Si
    상기 화학식 1 내지 화학식 4의 식에 있어서,
    R은 수소, 알킬, 또는 페닐이고,
    X는 염소, 알콕시, 또는 아세톡시이고,
    M은 알킬렌, 또는 아릴이다.
  8. 금속 배선 층간 저유전 절연막의 제조방법에 있어서,
    a) 산촉매 하에 유기 실란 화합물을 물에 혼합하여 가수분해 및 중합하여
    유기실리케이트 중합체를 제조하는 단계;
    b) 상기 a)단계의 유기실리케이트 중합체를 용매에 녹인 후 이 용액을 피
    착체 위에 스핀 코팅하여 박막을 제조하는 단계; 및
    c) 상기 박막을 50 내지 200 ℃의 온도로 건조하고, 300 내지 500 ℃의 온도
    에서 0.5 내지 4 시간 동안 경화시키는 단계
    를 포함하는 저유전 절연막의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    a) 산촉매 하에 유기 실란 화합물을 물에 혼합하여 가수분해 및 중합하여
    소정 분자량의 유기실리케이트 1차 중합체를 제조한 후, 1차 중합체에
    유기용매를 첨가하고 가열 환류시켜서 원하는 분자량의 유기실리케이트
    2차 중합체를 제조하는 단계
    b) 상기 a)단계의 유기실리케이트 2차 중합체를 용매에 녹인 후 이 용액을
    피착체 위에 스핀 코팅하여 박막을 제조하는 단계; 및
    c) 상기 박막을 50 내지 200 ℃의 온도로 건조하고, 300 내지 500 ℃의 온도
    에서 0.5 내지 4 시간 동안 경화시키는 단계
    를 포함하는 저유전 절연막의 제조방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 a)단계의 가수분해는 0∼60 ℃의 온도에서 실시되는 저유전 절연막의 제조방법.
  11. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 유기 실란 화합물이 실리콘, 산소, 및 수소를 포함하는 유기 실란 단량체군, 및 이들 유기 실란 단량체로부터 제조되는 유기 실란 올리고머군으로부터 1 종 이상 선택되는 저유전 절연막의 제조방법.
  12. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 유기 실란 화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 하기 화학식 4로 표시되는 화합물, 하기 화학식 5로 표시되는 화합물, 및 이들 화합물들의 올리고머로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 저유전 절연막의 제조방법:
    [화학식 1]
    RSiX3
    [화학식 2]
    R2SiX2
    [화학식 3]
    SiX4
    [화학식 4]
    Si-M-Si
    상기 화학식 1 내지 화학식 4의 식에 있어서,
    R은 수소, 알킬, 또는 페닐이고,
    X는 염소, 알콕시, 또는 아세톡시이고,
    M은 알킬렌, 또는 아릴이다.
  13. 제 8 항 기재의 제조방법으로 제조되는 저유전 절연막을 포함하는 전기 소자.
  14. 제 9 항 기재의 제조방법으로 제조되는 저유전 절연막을 포함하는 전기 소자.
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