KR100553203B1 - 유기실록산 수지 및 이를 함유한 막 - Google Patents

유기실록산 수지 및 이를 함유한 막 Download PDF

Info

Publication number
KR100553203B1
KR100553203B1 KR1020030073154A KR20030073154A KR100553203B1 KR 100553203 B1 KR100553203 B1 KR 100553203B1 KR 1020030073154 A KR1020030073154 A KR 1020030073154A KR 20030073154 A KR20030073154 A KR 20030073154A KR 100553203 B1 KR100553203 B1 KR 100553203B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
insulating film
organosiloxane
weight
formula
Prior art date
Application number
KR1020030073154A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050037874A (ko
Inventor
강정원
김병로
고민진
강귀권
문명선
최범규
강대호
손정만
정재호
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020030073154A priority Critical patent/KR100553203B1/ko
Publication of KR20050037874A publication Critical patent/KR20050037874A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100553203B1 publication Critical patent/KR100553203B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

본 발명은 내크랙성이 매우 우수하고, 동시에 기계적 특성 및 저유전성 특성이 우수한 유기실록산 수지와 이를 함유하는 막, 및 다공질 막에 관한 것으로, 비가수분해성 작용기의 총 몰수가 실리콘 원자 1 몰 당 0.25 내지 0.65 몰이고, 카본 브릿지유닛의 몰수가 실리콘 원자 1 몰 당 0.05 내지 0.40 몰인 유기실록산 수지, 및 이의 제조방법과 이러한 유기실록산 수지를 포함하는 절연막 형성용 조성물, 및 유기실록산 막과 이의 제조방법 및 이러한 유기실록산 수지를 이용한 임계크랙이 적어도 3.5 mN 이고, 유전상수가 최대 3.5 이고, 기계적 강도(Er)가 적어도 10.0 인 유기실록산 막, 및 다공질 막을 제공한다.
유기실록산 수지, 실란화합물, 가수분해, 축합물, 저유전, 절연막, 내크랙성

Description

유기실록산 수지 및 이를 함유한 막{ORGANIC SILOXANE RESIN AND FILM COMPRISING THE SAME}
도 1은 카본 브릿지 유닛에 따른 크랙 특성을 나타낸 그래프이다.
도 2는 나노인덴터의 스크레치 시험(scratch test)를 이용하여 임계크랙을 측정한 그래프이다.
[산업상 이용분야]
본 발명은 유기실록산 수지 및 이를 함유하는 막에 관한 것으로, 특히 내크랙성이 매우 우수하고, 동시에 기계적 특성 및 저유전성 특성이 우수한 유기실록산 수지와 이를 함유하는 막, 및 다공질 막에 관한 것이다.
[종래기술]
최근 반도체 장치의 집적도가 증가하면서 소자 제작에 사용되는 선 폭이 급속하게 줄어들고 있다. 일반적으로 반도체 장치의 속도는 게이트의 스위칭 속도와 시그널(signal)의 전달 속도에 비례하고, 시그널의 전달 속도는 배선물질의 저항과 층간 절연막의 정전용량의 곱으로 표시되는 RC 지연(delay)에 의하여 결정된다. 반도체 장치의 디자인룰(design rule)이 감소할수록, 고밀도 칩상의 속도는 게이트 속도 보다는 RC 지연에 의하여 결정된다. 따라서 고속의 칩을 제조하기 위해서는 저항이 작은 도체와 유전율이 낮은 절연물질을 사용하여야 한다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 현재 사용되는 알루미늄을 구리 배선으로 대체하고 있으며, 저유전율을 갖는 절연막에 대한 개발이 진행되고 있다. 저유전 물질의 사용은 반도체 장치의 속도 증가뿐만 아니라, 소비전력을 낮출 수 있고, 금속 배선 간의 상호 간섭(cross-talk) 현상을 현저히 감소시킬 수 있는 이점이 있다.
종래의 IC, LSI 등의 반도체 소자의 층간 절연 재료는 기상 증착법으로 제조되는 유전상수 4.0 인 SiO2가 대부분이며, 저유전 물질로 플루오린이 도핑된 실리케이트(F-SiO2)가 일부 소자에 적용되고 있다. 그러나 플루오린이 도핑된 실리케이트(F-SiO2)는 플루오린의 함량이 증가함에 따라서 열적으로 불안정한 상태가 되므로 이 화합물을 이용하는 방법으로는 유전상수 3.5 이하의 막을 얻기가 어려운 문제가 있다. 최근에 이러한 문제점을 해결하기 위하여 극성이 낮고 열적으로 안정한 여러 가지 유기및 무기 고분자들이 제시되고 있다.
저유전 상수를 갖는 유기고분자는 플루오린을 함유하거나 또는 함유하지 않은 폴리이미드 수지, 폴리아릴렌에테르 수지, 및 폴리아로마틱하이드로카본 수지 등이 알려져 있다. 이들 유기고분자들은 일반적으로 유리전이 온도가 낮아 고온에서의 탄성률이 현저히 떨어지고 선팽창 계수가 매우 높은 문제점이 있다. 또한 플루오린을 함유한 유기고분자는 이러한 물성들이 더욱 저하된다. 이와 같이 낮은 열적 안정성과 탄성률 및 높은 선팽창 계수를 가지는 유기고분자는 소자 또는 배선판의 신뢰성을 저하시킬 가능성이 있다.
상기에서 설명한 유기고분자의 열적 안정성 문제를 해결하기 위해, 최근 솔-젤(sol-gel) 공정을 이용한 유기실란계 고분자의 개발이 진행 중이다. 이 방법은 유기실란을 가수분해, 및 축합반응을 시킨 후, 경화 공정을 통하여 유기실리케이트 막을 형성하는 방법이다. 이러한 재료 중의 하나인 메틸 또는 수소 실세스퀴옥산은 3.0 이하의 비교적 낮은 유전 상수를 갖고 450 ℃에서 열적으로 안정하다. 그러나 상기 폴리실세스퀴옥산은 경화 공정 중에 발생하는 수축응력으로 1 ㎛에서 크랙이 발생하기 쉽고, 최종 경화밀도(crosslinking density)가 낮아 최종경화 후 막의 기계적 강도가 좋지 않은 문제점이 있다.
최근에는 비유전율 2.5 내지 3.0의 상기 유기폴리머나 유기실리케이트 고분자에 여러 가지 문제점이 있음에도 불구하고 상용화 단계에 와 있으며, 향후 필요로 하는 비유전율 2.5 이하의 초 저유전 물질에 대한 연구가 진행 중이다. 상기 2.5 이하의 저유전 물질로는 불소 함유 수지와 다공질 막 등이 제안되고 있으나, 아직까지 LSI의 층간 절연막으로 충분한 특성을 가지는 재료가 개발되고 있지는 않다. 상기 불소수지는 2.0 정도의 저유전율을 갖지만 열분해온도가 400 ℃ 이하이기 때문에 현재의 반도체 공정 온도에서는 충분하지 않은 문제점이 있다. 따라서 2.5 내지 3.0의 저유전 물질에 기공을 도입하는 다공질 막이 비유전율 2.5 이하를 구현하는 기술로 주목받고 있다.
상기 다공질 막을 형성하는 종래의 기술은, 유기실리케이트 중합체와 열분해 가능한 고분자를 분산시키고, 유기실리케이트를 경화한 후, 고온에서 2차 가열하여 유기고분자를 제거함으로써 다공성 초 유전체를 제조하는 것이다. 그러나 이들 방법들은 유기실리케이트가 저유전성, 기계적 강도 및 내크랙 특성을 동시에 만족시키는 것들이 아니어서, 이를 이용한 다공질 막 또한 반도체 공정에 충분한 물성을 갖는 막을 제공하지 못한다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 고려하여, 유기실록산 수지에 관한 것으로, 실록산 수지가 내크랙성이 매우 우수하고, 동시에 기계적 특성 및 저유전성이 우수한 실록산 수지 및 실록산막, 다공성 저밀도막, 이 막의 제조가 가능한 유기실록산 수지 조성물, 이 막을 포함하는 전자장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 특정의 조성을 갖는 유기실록산 수지로, 하기 화학식 1로 표시되는 실란화합물, 및 하기 화학식 2로 표시되는 실란화합물을 포함하고, 비가수분해성 작용기의 총 몰수가 실리콘 원자 1 몰 당 0.25 내지 0.65 이고, 카본 브릿지 유닛의 몰수가 실리콘 원자 1 몰 당 0.05 내지 0.40인 유기실록산 수지를 제공한다:
[화학식 1]
Figure 112003039035243-pat00001
상기 화학식 1의 식에서,
R1은 비가수분해성 작용기로, 각각 독립적으로 또는 동시에, 수소, 불소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
R2는 각각 독립적으로 또는 동시에, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
x는 0 내지 2의 정수이며,
[화학식 2]
Figure 112003039035243-pat00002
상기 화학식 2의 식에서,
R3 및 R5는 비가수분해성 작용기로, 각각 독립적으로 또는 동시에, 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
R4 및 R6은 각각 독립적으로 또는 동시에, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
M은 탄소수 2인 에틸렌이고,
y, 및 z는 각각 0 내지 2의 정수이다.
또한 본 발명은
a) 유기용매에 상기 화학식 1로 표시되는 실란화합물과 상기 화학식 2로 표 시되는 실란화합물을 비가수분해성 작용기의 총 몰수가 실리콘 원자 1 몰 당 0.25 내지 0.65 이고, 카본 브릿지 유닛의 몰수가 실리콘 원자 1 몰 당 0.05 내지 0.40인 조성으로 혼합하는 단계 및
b) 상기 혼합물을 물 및 촉매 존재 하에 가수분해 및 축합반응시키는 단계
를 포함하는 유기실록산 수지의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은
a) 상기 유기실록산 수지 2 내지 60 중량부 및
b) 용매 40 내지 98 중량부
를 포함하는 절연막형성용 조성물을 제공한다.
상기 절연막 형성용조성물은
c) 상기 a)의 유기실록산 수지 100 중량부에 대하여 선형 고분자, 블록형 고분자, 방사형 고분자, 및 가교형 고분자로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 분자량 300 내지 100,000의 유기고분자 5 내지 200 중량부 또는
d) 상기 a)의 유기실록산 수지 100 중량부에 대하여 물, pH 조정제, 콜로이드상 실리카, 할로겐을 함유하지 않는 테트라알킬암모늄염, 및 계면 활성제로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 첨가제 0.001 내지 20 중량부
를 추가로 포함할 수 있다.
또한 본 발명은 상기 유기실록산 수지를 포함하는 유기실록산 막을 제공한다.
상기 유기실록산 막은 최대 50 부피%의 비율로 기공을 추가로 포함할 수 있 다.
또한 본 발명은
a) ⅰ) 상기 유기실록산 수지 2 내지 60 중량부 및
ⅱ) 용매 40 내지 98 중량부
를 포함하는 절연막 형성용 조성물을 제공하는 단계
b) a)단계의 절연막 형성용 조성물을 기재에 도포하여 절연막을 형성시키는 단계 및
c) 상기 b)단계의 절연막을 건조 및 소성하는 단계
를 포함하는 절연막의 제조 방법을 제공한다.
또한 본 발명은 유전상수가 최대 3.5 이고, 기계적 강도(Er)가 적어도 10.0 이고, 특히 임계크랙이 적어도 3.5 mN 인 유기실록산 막을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 실록산 수지 막 또는 실록산 수지를 이용한 다공질 막을 포함하는 전자소자를 제공한다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명자들은 실란화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 얻는 비가수분해성 작용기의 총 몰수와 카본 브릿지 유닛의 몰수가 특정된 유기실록산 수지를 막으로 제조하면 이막은 종래에 실현될 수 없었던 내크랙 특성이 매우 우수하고, 동시에 기계적 강도 및 저유전 특성을 갖음을 발견하고, 또한 이러한 유기실록산 수지를 이용하여 다공질막으로 제조하면 과량의 기공형성 물질을 함유시키지 않아도 효과적으로 유전율을 낮출 수 있으면서도 기계적 강도가 우수하고, 또한 내크랙성이 우 수한 특성을 가지는 다공질 막의 제조가 가능함을 발견하고 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명은 이를 위하여, 비가수분해성 작용기의 총 몰수가 실리콘 원자1 몰 당 0.25 내지 0.65 몰이고, 카본 브릿지유닛의 몰수가 실리콘 원자 1 몰 당 0.05 내지 0.40 몰인 유기실록산 수지, 및 이의 제조방법과 이러한 유기실록산 수지를 포함하는 절연막 형성용 조성물, 유기실록산 막, 및 다공질 막과 이의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 유기실록산 수지를 이용한 임계크랙이 적어도 3.5 mN 이고, 유전상수가 최대 3.5 이고, 기계적 강도(Er)가 적어도 10.0 인 유기실록산 막 및 다공질 막을 제공한다.
본 발명은 유기용매 상에서, 상기 화학식 1로 표시되는 실란화합물과 상기 화학식 2로 표시되는 실란화합물을 특정한 조성으로 물과 촉매 존재 하에 가수분해 및 축합반응시켜서 중량 평균 분자량이 적어도 500 g/mol 인 유기실록산 수지를 얻으며, 이와 같은 유기실록산 수지를 이용하여 내크랙성이 매우 우수하고, 동시에 기계적 특성 및 저유전성 특성이 우수한 다양한 용도의 막을 얻는다.
본 발명의 유기실록산 수지를 제조할 때 사용되는 모노머는 상기 화학식 1과 상기 화학식 2로 표시되는 실란화합물이며, 이들을 특정량으로 가수분해 축합하여 실록산 수지로 제조하며, 이 실록산 수지로부터 막 및 다공성 저밀도 막을 제조한다.
상기 화학식 1의 실란화합물과 상기 화학식 2의 실란화합물의 투입량은 가수 분해 축합물 또는 이를 경화한 경화막의 실록산 막내의 실리콘 원자1 몰 당 비가수분해성 작용기 총 몰 수(화학식 1의 R1과 화학식 2의 R3, 및 R5의 총 몰 수)를 0.25 내지 0.65의 범위로, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 0.6의 범위로 설정하고, 화학식 2의 카본 브릿지 유닛의 몰수를 0.05 내지 0.40, 더욱 바람직하기로는 0.1 이상의 범위로 설정하여 투입한다.
상기 화학식 1의 실란화합물과 상기 화학식 2의 실란화합물의 투입 순서에는 제한이 없으며, 모두 혼합한 후 가수분해 및 축합반응을 하여도 좋고, 일정량을 혼합하여 가수분해 및 축합반응 후에 나머지를 추가로 혼합하여 반응시키는 것도 가능하다.
상기 비가수분해성 작용기의 몰수가 실록산 수지 또는 이를 이용하여 제조되는 실록산 막에서 실리콘 원자 1 몰 당 0.65 몰을 초과하면 실록산 수지 막의 기계적 강도가 낮아지고, 이를 이용하여 다공성 절연막 제조시 반도체 공정에 충분한 기계적 특성을 가질 수가 없다. 또한 비가수분해성 작용기가 0.25 몰 미만인 경우에는 실록산 수지 자체의 강도는 매우 높으나, 경화 후 미반응 작용기(하이드록시기 또는 알콕시기)가 많이 존재하고 유전상수가 매우 높아지는 문제점이 발생할 수 있다. 또한 유전상수 2.2 이하의 다공성 저밀도 막을 제조할 때 50 중량% 이상의 많은 기공형성 물질을 도입하여야 하고, 이는 반도체 공정에 매우 어렵게 만들 가능성이 있다. 또한 막 내의 반응하지 않는 잔존 작용기가 많아 내습성의 저하우려가 있다.
또한 상기 유기브릿지 유닛(M)의 몰수가 실록산 수지 또는 이를 이용하여 제조되는 실록산 막에서 실리콘 원자1 몰 당 0.05 몰 미만이면 내크랙 특성이 충분치 않지 않게 되고, 0.40 몰을 초과하는 것은 저유전성, 기계적 강도, 저장 안정성 등을 고려할 때 바람직하지 않다.
본 발명의 유기실록산 수지 제조할 때 유기용매를 사용한다. 사용 가능한 유기용매는 실란화합물의 가수분해 및 축합반응에 큰 지장을 초래하지 않으면 제한은 없다. 사용 가능한 유기용매의 예를 들면 n-펜탄, i-펜탄, n-헥산, i-헥산, 2,2,4-트리메틸펜탄, 시클로 헥산, 메틸시클로 헥산 등의 지방족 탄화 수소계 용매 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 트리메틸 벤젠, 에틸 벤젠, 메틸 에틸 벤젠 등의 방향족 탄화 수소계 용매 메틸알콜, 에틸알콜, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, 4-메틸 2-펜탄올, 시클로 헥사놀, 메틸사이클로 헥사놀, 글리세롤 등의 알코올계 용매 메틸에틸케톤, 메틸아이소부틸케톤, 다이에틸케톤, 메틸 n-프로필케톤, 메틸 n-부틸케톤, 시클로헥사논, 메틸사이클로헥사논, 아세틸아세톤 등의 케톤계 용매 테트라하이드로퓨란, 2-메틸 테트라하이드로 퓨란, 에틸에테르, n-프로필에테르, 이소프로필에테르, 디글라임, 디옥신, 디메틸 디옥신, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 디메틸 에테르 등의 에테르계 용매 디에틸카보네이트, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 에틸락테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜디아세테이트 등의 에스테르계 용매 N-메틸피롤리돈, 포름아마이드, N-메틸포름아마이드, N-에틸포름아마이드, N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디에틸아세트아마이드 등의 아마이드계 용매 등이 사용 가능하다.
가수분해 및 축합반응에 사용된 유기용매들은 반응 후 코팅성에 나쁜 영향을 주는 특정 용매, 물 및 반응 부산물을 일정량 제거한 후 막형성에 사용한다. 또한 목적에 따라 반응 후 2차 유기용매로 치환하여 막형성 유기용매로 사용하거나, 또는 2차 유기용매를 일정량 첨가하고 특정 유기용매, 물 및 반응 부산물을 제거한 후 막형성에 사용할 수도 있다. 또한 상기 유기용매들은 1 종 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 유기실록산 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 실란화합물과 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응을 통하여 제조하며, 가수분해 및 축합반응을 촉진시키기 위해 촉매를 사용한다. 가수분해 및 축합반응에 사용되는 촉매는 산촉매 또는 염기촉매를 사용할 수 있다. 특히 유기폴리머를 이용하여 기공을 형성하는 경우에는 산촉매를 사용하여 반응시키는 것이 바람직하다.
사용 가능한 산촉매는 큰 제한은 없으며, 예를 들면 염산, 황산, 인산, 불산, 포름산, 프로피온산, 부탄산, 펜탄산, 모노클로로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 트리플로로아세트산, 옥살산, 말론산, 술폰산, 프탈산, 푸마르산, 구연산, 말레산, 올레산, 아디프산, p-톨루엔술폰산, 등이 가능하다. 또한 사용 가능한 염기촉매는 큰 제한이 없으며, 예를 들면 알칼리금속화합물, 암모니아수, 유기아민, 제4급암모늄화합물 등을 들 수 있다.
이러한 촉매의 첨가량은 반응 조건에 따라 조절이 가능하며, 사용된 총 실란 화합물 1 몰에 대해 10 몰 이하, 바람직하기로는 3 몰 이하를 사용한다. 촉매의 양이 실란화합물 1 몰 당 10 몰을 초과할 경우에는 낮은 농도에서도 반응 속도가 매우 빨라 분자량 조절이 어렵고, 쉽게 겔이 발생할 우려가 있다.
본 발명에서는 실란화합물의 가수 분해를 위하여 물을 첨가한다. 실란화합물의 가수분해에 적합한 물의 양은 사용된 총 실란화합물의 가수분해성 작용기 1 몰 당 1 내지 30 몰, 바람직하기로는 2 내지 20 몰이다. 물을 1 몰 미만으로 첨가하면 충분히 가수분해 및 축합반응이 일어나지 않을 수 있고, 절연막의 저 유전 특성과 기계적 물성을 저하시킬 수 있으며, 30 몰을 초과하면 가수분해 및 축합반응시에 반응용액 내 성분들의 균일도가 낮아지고, 양산성 측면에서 바람직하지 않다. 물의 첨가 방법은 단속적 또는 연속적으로 첨가가 가능하다. 이때 촉매는 유기용매 중에 미리 첨가해 있어도 좋고, 물을 첨가할 때 또는 물에 미리 용해 또는 분산시키고 있어도 좋다. 이때 반응 온도는 0 내지 100 ℃에서 반응시키는 것이 바람직하다. 이때 얻어지는 가수분해 축합물의 중량 평균분자량은 폴리스틸렌 환산분자량으로 500 이상, 바람직하게는 500 내지 1,000,000의 분자량으로 제조하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유기실록산 수지는 절연막으로 제조할 때 밀도를 낮추기 위하여 유기물을 함유시켜 막으로 제조할 수 있다. 막에 함유된 유기물은 건조 및 소성 공정에서 열분해되어 기공으로 형성된다. 바람직한 유기물은 450 ℃ 이하에서 열분해가 가능한 유기분자 또는 유기고분자 물질로, 예를 들면 알리파틱 하이드로 카본, 아로마틱 하이드로카본, 에테르 작용기 분자, 에스테르 작용기 분자, 안하이드 라이드 작용기 분자, 카보네이드 작용기 분자, 아크릴 작용기 분자, 사이오 에테르작용기 분자, 아이소시아네이트 작용기 분자, 아이소시아누레이트 작용기 분자, 설폰 작용기 분자, 및 설폭사이드 작용기 분자 등으로 구성된 유기분자 또는 고분자 등이 가능하고, 적당하기로는 알킬렌 옥사이드 중합체 또는 아크릴레이트 중합체가 적당하다. 상기 유기고분자는 유기실리케이트와 반응할 수 있는 알콕시 실란 작용기를 분자말단 또는 분자내에 함유하여도 좋다.
상기 유기고분자의 분자량은 300 내지 100,000, 바람직하기로는 300 내지 20,000이 적당하고, 선형 고분자, 블록형 고분자, 방사형 고분자, 가교형 고분자 등이 사용될 수 있으며, 블록형 고분자, 방사형 고분자 또는 가교형 고분자가 바람직하다. 기공형성용 유기물의 사용량은 유기실록산 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 200 중량부, 더욱 바람직하게는 5 내지 100 중량부이다. 5 중량부 미만으로 사용하면 원하는 저유전율을 얻기가 어려우며, 200 중량부를 초과하면 기계적 강도 및 내크랙성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다. 특히 최종적으로 얻어지는 유기실록산 다공성 막은 상기 유기고분자가 열분해에 의하여 최대 50 부피%의 비율로 기공을 형성하는 것이 초 저유전 특성, 내크랙성, 및 기계적 강도가 우수한 절연막을 얻는 데 바람직하다.
본 발명은 막 제조를 위하여 첨가제로 pH 조정제, 콜로이드 상태의 실리카, 할로겐을 함유하지 않은 테트라알킬암모늄염 및 계면활성제 등의 성분을 그 목적에 맞게 일정량 첨가해도 좋다. 첨가제의 사용량은 첨가제의 종류에 따라서 다를 수 있으며, 일반적으로 실록산 수지 100 중량부에 대하여 0.001 내지 20 중량부가 바 람직하다.
본 발명의 실록산 막을 형성하기 위한 조성물의 전 고형분의 농도는 2 내지 60 중량%, 바람직하게는 5 내지 40 중량%가 절연막의 막 두께와 보전 안정성을 고려하여 적당하다. 여기에서 고형분 농도는 상기 유기용매의 종류 및 사용량에 의하여 조절이 가능하다.
본 발명의 절연막 형성은 조성물을 실리콘 웨이퍼, SiO2 웨이퍼, SiN 웨이퍼, 화합물 반도체, 유리기판, 고분자 기판 등의 기재에 도포함으로서 형성된다. 절연막의형성 방법은 스핀코트법, 침지법, 롤코트법, 스프레이법 등을 사용할 수 있으며, 이들의 방법을 사용하여 일정 두께의 막을 형성하는 것이 가능하다. 그 중에서도 반도체 장치의 다층회로 층간 절연막 제조가 목적일 경우에는 스핀코트법이 적합하다.
막의 두께는 조성물의 점도와 스핀코우터의 회전 속도를 변화시켜 조절할 수있으며, 통상적으로 반도체 장치의 층간 절연막으로 사용하는 경우에 있어서는 0.01 내지 2 ㎛ 이 적당하다.
코팅 후에는 건조공정과 소성(경화)공정을 거쳐 3차원 구조의 유기실리케이트 고분자 절연막을 형성할 수 있다. 건조공정은 통상적으로 프리베이크(pre-bake) 공정과 소프트베이크(soft-bake) 공정을 포함하는 것을 의미한다. 프리베이크 공정은 공정 중에 사용한 유기용매를 서서히 증발시키는 공정을 포함하고, 소프트베이크 공정은 공정 중에 작용기의 일정량을 가교시키는 공정을 포함하며, 소성 공정은 잔류 작용기를 최종적으로 반응시키는 공정을 포함한다.
건조온도는 30 내지 300 ℃가 바람직하고, 소성온도는 300 ℃ 이상, 바람직하기로는 350 내지 500 ℃의 범위에서 실시한다. 소성온도의 상한은 본 발명의 유기실록산 수지 절연막의 열적 안정성과 이를 이용하여 제조된 반도체 소자에 의존한다.
건조공정과 소성공정은 연속적으로 일정한 속도로 승온시키면서 할 수 있고 또한, 단속적으로 실시할 수도 있다. 단속적으로 실시할 경우, 건조 및 소성 공정을 각각 1 분 내지 5 시간 동안 수행하는 것이 적당하다.
가열방법은 핫플레이트, 오븐, 퍼니스 등을 사용하는 것이 가능하고, 가열분위기는 질소, 아르곤, 헬륨 등과 같은 불활성 기체분위기에서, 산소함유 기체(예를 들면 공기 등) 분위기 같은 산소분위기, 진공상태 또는 암모니아 및 수소를 함유하는 기체 분위기 하에서 수행하는 것이 가능하다. 상기 가열방법은 건조공정과 소성공정이 모두 같은 가열방법으로 행하여도 좋고, 각각 다른 방법으로 실시하는 것도 가능하다.
이처럼 하여 얻어지는 막은 임계크랙이 적어도 3.5 mN이고, 유전상수가 최대 3.5이며, 기계적 강도(Er)이 적어도 10.0으로서, 저유전성, 저굴절성, 기계적 특성이 우수하기 때문에, 전자소자의 층간 절연막, 전자 소자의 표면 보호막, 다층배선 기판의 층간 절연막, 액정표시 소자의 보호막이나 절연 방지막, 저굴절막, 가스 배리어막 등의 용도로 사용하기에 좋다.
이하의 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예 만으로 한정되는 것은 아니다.
(실시예)
(실시예 1)
500 ml 둥근바닥 플라스크(round bottomed flask)에 메틸트리메톡시실란 34 g과 비스트리메톡시실릴에탄 34 g을 프로필렌글리콜프로필에테르 102 g과 혼합한 후, 질소로 퍼지시키며 충분히 섞어주었다. 반응 용액을 격렬하게 교반시켜주면서, 이 용액에 242 mg의 질산수용액이 녹아있는 81 g의 증류수를 천천히 가하여 주었다. 이 때, 반응 용액의 온도가 모노머(monomer)나 용매의 끓는점(boiling point)을 넘지 않도록 하였다. 첨가가 끝난 후, 용액의 온도를 60℃로 올려 20 시간 반응 시켜주었다. 반응이 끝나면 용액의 온도를 상온으로 낮추고, 102 g의 프로필렌글리콜프로필에테르 용매를 더 가하여준 후, 회전 증발기(rotary evaporator)에서 감압 하에 질산과 알코올, 과량의 물을 제거하여 21%의 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(실시예 2)
메틸트리메톡시실란 31.7 g, 비스트리메톡시실릴에탄 18.9 g, 테트라메톡시실란 19.5 g, 및 증류수 87.9 g을 투입한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(실시예 3 내지 7)
메틸트리메톡시실란 34.1 g, 비스트리메톡시실릴에탄 30.4 g, 테트라메톡시 실란 3.8 g, 증류수 82.4 g을 투입하고, 유기고분자인 포로젠(porogen)의 함량을 표 2에 기재한 것과 같이 각각 0, 10, 20, 30, 및 40 중량%로 투입한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(실시예 8)
메틸트리메톡시실란 48.6 g, 비스트리메톡시실릴에탄 24.1 g, 증류수 88.7 g을 투입한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(비교예 1)
메틸트리메톡시실란 48.6 g, 테트라메톡시실란 21.7 g, 증류수 88.7 g을 투입한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(비교예 2)
메틸트리메톡시실란 22.7 g, 테트라메톡시실란 50.7 g, 증류수 99 g을 투입한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(비교예 3)
메틸트리메톡시실란 13.6 g, 테트라메톡시실란 60.9 g, 증류수 102.6 g을 투입한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(비교예 4)
메틸트리메톡시실란 42.6 g, 비스트리메톡시실릴에탄 4.2 g, 테트라메톡시실란 23.8 g, 증류수 89.4 g을 투입한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(비교예 5)
비스트리메톡시실릴에탄 67.6 g, 증류수 81 g을 투입한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(비교예 6)
메틸트리메톡시실란 11.4 g, 비스트리메톡시실릴에탄 45.1 g, 테트라메톡시실란 12.7 g, 증류수 85.5 g을 투입한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(비교예 7 내지 11)
메틸트리메톡시실란 56.8 g, 비스트리메톡시실릴에탄 11.3 g, 증류수 81.0 g을 투입하고, 유기고분자인 포로젠의 함량을 표 3에 기재한 것과 같이 투입한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(비교예 12 및 13)
메틸트리메톡시실란 8.0 g, 비스트리메톡시실릴에탄 39.8 g, 트라메톡시실란 22.4 g, 증류수 88.9 g을 투입하고, 유기고분자인 포로젠의 함량을 표 3에 기재한 것과 같이 투입한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(비교예 14)
메틸트리메톡시실란 48.6 g, 테트라메톡시실란 21.7 g, 증류수 88.7 g를 투입한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(비교예 15)
메틸트리메톡시실란 48.6 g, 비스트리메톡시실릴메탄 22.8 g, 증류수 88.7 g를 투입한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기폴리실록산 코팅액을 제조하였다.
(물성 측정 방법)
유전상수: 도막의 유전특성은 MIS(metal/insulator/semiconductor) 소자를 Si 웨이퍼 위에 제작하고 HP사의 LCR 미터를 이용하여 1 Mhz에서 측정하였다.
기계적 강도: 절연 박막의 기계적 물성은 2x2 인치 Si 웨이퍼(wafer)에 스핀 코팅한 다음, N2 조건 하에 430 ℃에서 1 시간 동안 경화 시킨 후 측정하였다.
스크레치 시험(Scratch test): 절연 박막의 임계 로드(critical load)는 2x2 인치 Si 웨이퍼(wafer)에 스핀 코팅한 다음, N2 조건 하에 430 ℃에서 1 시간 동안 경화시킨 후, 막의 수평방향으로 스크레치 시험(scratch test)을 하여 막의 크랙(crack)이 발생 할 때의 가해준 힘(critical load)을 측정하였다. 사용된 팁(tip)은 내각(include angle)이 90°인 1 ㎛의 구형 팁을 사용하였다. 스크레치 시험을 위한 막의 두께는 550 nm, 스크레치 스피드(scratch speed)는 0.2 ㎛/sec, 로딩 비율(loading rate)은 100 μN/sec의 조건으로 임계크랙 측정의 기준으로 선 정하였다.
절연막의 기계적 강도 및 스크레치 시험은 하지트론(Hysitron Inc.)의 트리보인덴터(TriboIndenter)를 사용하여 측정하였다.
유기고분자인 포로젠으로 분자량 5,000인 폴리에틸렌옥사이드-폴리프로필렌옥사이드-폴리에틸렌옥사이드 트리블록코폴리머(PEO가 전체 분자량의 30 wt%)를 사용하였다.
하기 표 1에는 실시예 1 및 2와 비교예 1 내지 6의 실란조성 몰비와 모듈러스, 임계크랙 및 유전상수를 나타내었으며, 표 2는 실시예 3 내지 7의 실란조성 몰비와 유기고분자인 포로젠 함량에 따른 기계적 강도 및 유전상수 경향을 나타내었고, 표 3은 비교예 7 내지 13의 실란조성 몰비와 포로젠의 함량에 따른 기계적 강도 및 유전 상수 경향을 나타내었다.
[표 1]
구 분 실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4 비교예 5 비교예 6
실란조성 몰비 (T:B:Q) 100:50:0 100:30:55 100:0:40 100:0:200 100:0:400 100:5:50 0:100:0 50:100:50
비가수분해성기/Si 0.5 0.465 0.714 0.333 0.2 0.625 0 0.167
모듈러스 (Er) 12 14 9.3 20.3 - 10.5 - -
임계크랙 (critical load) 3.95 3.85 3.059 3.4 - 3.12 - -
유전상수 3.07 3.24 2.88 3.7 >4.0 2.93 >4.0 >4.0
[표 2]
실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6 실시예 7
실란조성 몰비 (T:B:Q) 100:45:10 100:45:10 100:45:10 100:45:10 100:45:10
비가수분해성기 /Si 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
Porogen 함량 (중량%) 0 10 20 30 40
유전상수 3.11 2.78 2.4668 2.17 1.96
기계적강도 (Er/H) 12.4 9.49 6.75 4.12 2.23
[표 3]
비교예 7 비교예 8 비교예 9 비교예10 비교예 11 비교예 12 비교예 13
실란조성 몰비(T:B:Q) 100:10:0 100:10:0 100:10:0 100:10:0 100:10:0 20:50:50 20:50:50
비가수분해성기/Si 0.83 0.83 0.83 0.83 0.83 0.12 0.12
Porogen 함량(중량%) 0 10 20 30 30 0 30
유전상수 2.83 2.59 2.35 2.09 1.87 >4.0 2.95
기계적강도 (Er/H) 6.7 4.52 3.22 1.76 1.11 22.4 9.3
상기 표 1 내지 3에서, T는 메틸트리메톡시실란(MTMS:Methyl trilmethoxysilane)이고, B는 비스트리메톡시실릴에탄(BTMSE:Bistrimethoxysilylethane)이며, Q는 테트라메톡시실란(TMOS:Tetramethoxysilane)이다.
Si-O-Si 본드 만으로 구성된 실록산 수지는 비가수분해 작용기의 양이 적은경우 강도가 높아서, 높은 절연막 제조가 가능하나, 유전상수 값이 급격히 증가하고, 또한 유전상수 증가에 비교하여 내크랙 특성은 한계를 보임을 알 수 있다.
반면에 Si-M-Si 본드를 함유한 실록산 수지는 일정 함량 이상에서 매우 우수한 내크랙 특성 값을 보이며, 또한 비가수분해 작용기의 양을 조절할 경우 기계적 물성도 양호함을 알 수 있다. 그러나 마찬가지로 비가수 분해성 작용기의 양이 일정량 이하인 경우 실록산 수지 막의 유전율이 매우높고, 기공을 도입하여 유전율을 효과적으로 낮추기 어렵고, 또한 2.3 이하로 낮추기 위하여 과량의 기공을 포함하여야 하며, 이 경우 반도체 공정에 어려움을 초래할 수 있다.
이러한 유전 상수는 실리콘 원자 1 몰당 가교할 수 있는 작용기가 증가함에 따라 선형(linear)으로 증가하지 않고, 특정 범위를 초과한 경우 급격히 증가하였다. 따라서 특정한 범위로 실록산 수지를 조절하는 경우 내크랙 특성과 동시에 기계적 강도 및 저유전성을 갖는 절연막 및 다공성 저밀도막을 구현할 수 있음을 알 수 있다.
실록산 수지의 경화막 강도가 10 Gpa 이하로 낮은 경우 유기고분자인 포로젠(유기고형성용 유기물)를 이용하여 다공질 막제조시 기계적 강도가 낮아 반도체 공정에 적합하지 않다. 즉 일반적으로 CMP 공정에 견디기 위하여 3.0 Gpa 이상의 막 강도를 요구하나 실리콘 원자 1 몰 당 비가수분해성 기가 많을 경우 최종 막강도가 낮아 3.0 이상의 기계적 물성을 얻을 수 없다. 반면에 실록산 수지의 경화막이 3.8 이상인 경우 2.2 이하의 유전 상수 값을 구현하기 위하여 50 중량% 이상의 기공형성 물질을 도입하여야 하고, 이 또한 공정에 어려움이 있다. 따라서 비가수분해성 작용기를 특정 조성으로 조절하고, 또한 유기브릿지 유닛을 일정량 함유하는 경우, 저유전성을 유지하면서도 기계적 강도가 우수하고, 또한 내크랙성이 우수한 다공질 막의 제조가 가능하다.
도 1은 실시예 8 및 비교예 14, 15의 카본 브릿지 유닛 함량에 따르는 다양한 두께에서의 크랙 특성을 나타낸 그래프로, 실리콘 원자당 비가수분해 가능한 작용기를 일정 비율로 한정하고 내크랙 특성을 실험한 결과이다. 여기에서, 카본 브 릿지 유닛이 2 인 실시예 8의 경우가 카본 브릿지 유닛이 1 인 비교예 15의 경우보다 현저히 높은 크랙특성을 나타냄을 알 수 있다. 그러나 카본 브릿지 유닛이 3 이상인 경우, 내크랙 특성은 향상되나, 열평창 계수가 높고 강도가 급격히 저하되고, 또한 용매에 안정하지 않다. 따라서 카본 브릿지 유닛의 탄소수는 2 인 것이 기계적 강도 및 내크랙성을 향상시키기에 적절하다.
도 2는 나노인덴터의 스크레치 시험(scratch test)를 이용한 임계크랙을 측정한 그래프의 한 예이다. 스크레치 시험시 시간에 따른 수직 방향의 깊이 변화를 나타낸 것으로, 깊이 방향으로의 길이가 급격히 변화하는 점이 막의 크랙 발생을 나타내며, 이때 가해준 힘을 임계 크랙으로 설정하였다.
본 발명의 유기실록산 수지를 적용하면 내크랙 특성이 우수하고, 동시에 기계적 강도및 저유전 특성을 갖는 막을 제조할 수 있으며, 이 유기실록산 수지를 이용하여 제조된 기공을 함유한 다공질 막은 과량의 기공형을 함유하지 않아도 효과적으로 유전율을 낮출 수 있으면서도 기계적 강도 및 내크랙 특성이 매우 우수하다.

Claims (19)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 실란화합물, 및 하기 화학식 2로 표시되는 실란화합물을 포함하고, 비가수분해성 작용기의 총 몰수가 실리콘 원자 1 몰 당 0.25 내지 0.65 이고, 카본 브릿지 유닛의 몰수가 실리콘 원자 1 몰 당 0.05 내지 0.40인 유기실록산 수지:
    [화학식 1]
    Figure 112003039035243-pat00003
    상기 화학식 1의 식에서,
    R1은 비가수분해성 작용기로, 각각 독립적으로 또는 동시에, 수소, 불소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R2는 각각 독립적으로 또는 동시에, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
    x는 0 내지 2의 정수이며,
    [화학식 2]
    Figure 112003039035243-pat00004
    상기 화학식 2의 식에서,
    R3 및 R5는 비가수분해성 작용기로, 각각 독립적으로 또는 동시에, 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R4 및 R6은 각각 독립적으로 또는 동시에, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
    M은 탄소수 2의 에틸렌이고,
    y, 및 z는 각각 0 내지 2의 정수이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기실록산 수지는 중량 평균 분자량이 적어도 500 g/mol인 유기실록산 수지.
  3. a) 유기용매에 하기 화학식 1로 표시되는 실란화합물과 하기 화학식 2로 표시되는 실란화합물을 비가수분해성 작용기의 총 몰수가 실리콘 원자 1 몰 당 0.25 내지 0.65 이고, 카본 브릿지 유닛의 몰수가 실리콘 원자 1 몰 당 0.05 내지 0.40인 조성으로 혼합하는 단계 및
    b) 상기 혼합물을 물 및 촉매 존재 하에 가수분해 및 축합반응시키는 단계
    를 포함하는 유기실록산 수지의 제조방법:
    [화학식 1]
    Figure 112003039035243-pat00005
    상기 화학식 1의 식에서,
    R1은 비가수분해성 작용기로, 각각 독립적으로 또는 동시에, 수소, 불소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R2는 각각 독립적으로 또는 동시에, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
    x는 0 내지 2의 정수이며,
    [화학식 2]
    Figure 112003039035243-pat00006
    상기 화학식 2의 식에서,
    R3 및 R5는 비가수분해성 작용기로, 각각 독립적으로 또는 동시에, 수소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R4 및 R6은 각각 독립적으로 또는 동시에, 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
    M은 탄소수 2의 에틸렌이고,
    y, 및 z는 각각 0 내지 2의 정수이다.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 b)단계의 촉매는 산촉매 또는 염기촉매이며, 실란화합물 1 몰에 대하여 0.008 내지 10 몰의 조성비로 투입되는 유기실록산 수지의 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 b)단계의 물이 실란화합물에 함유된 가수분해성 작용기 1 몰에 대하여 1 내지 30 몰의 조성비로 투입되는 유기실록산 수지의 제조방법.
  6. a) 제 1 항 기재의 유기실록산 수지 2 내지 60 중량부 및
    b) 용매 40 내지 98 중량부
    를 포함하는 절연막 형성용 조성물.
  7. 제 6 항에 있어서,
    c) 상기 a)의 유기실록산 수지 100 중량부에 대하여 선형 고분자, 블록형 고분자, 방사형 고분자, 및 가교형 고분자로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 분자량 300 내지 100,000의 유기고분자 5 내지 200 중량부
    를 추가로 포함하는 절연막 형성용 조성물.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    d) 상기 a)의 유기실록산 수지 100 중량부에 대하여 물, pH 조정제, 콜로이드상 실리카, 할로겐을 함유하지 않는 테트라알킬암모늄염, 및 계면 활성제로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 첨가제 0.001 내지 20 중량부
    를 추가로 포함하는 절연막 형성용 조성물.
  9. 제 1 항 기재의 유기실록산 수지를 포함하는 유기실록산 막.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 유기실록산 막이 최대 50 부피%의 비율로 기공을 추가로 포함하는 유기실록산 막.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 막이 전자소자의 층간 절연막, 전자 소자의 표면 보호막, 다층배선 기판의 층간 절연막, 액정표시 소자의 보호막, 절연 방지막, 저굴절막, 또는 가스 배리어막인 유기실록산 막.
  12. 제9항에 있어서, 상기 유기실록산 막은 임계크랙이 적어도 3.5 mN 이고, 유전상수가 최대 3.5 이고, 기계적 강도(Er)가 적어도 10.0 인 유기실록산 막.
  13. 삭제
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 막이 전자소자의 층간 절연막, 전자 소자의 표면 보호막, 다층배선 기판의 층간 절연막, 액정표시 소자의 보호막, 절연 방지막, 저굴절막, 또는 가스 배리어막인 유기실록산 막.
  15. a) ⅰ) 제 1 항 기재의 유기실록산 수지 2 내지 60 중량부 및
    ⅱ) 용매 40 내지 98 중량부
    를 포함하는 절연막 형성용 조성물을 제공하는 단계
    b) 상기 a)단계의 절연막 형성용 조성물을 기재에 도포하여 절연막을 형성시키는 단계 및
    c) 상기 b)단계의 도포된 절연막을 건조 및 소성하는 단계
    를 포함하는 절연막의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 a)단계의 절연막 형성용 조성물이
    ⅲ) 유기실록산 수지 100 중량부에 대하여 선형 고분자, 블록형 고분자, 방사형 고분자, 및 가교형 고분자로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 분자 량 300 내지 100,000의 유기고분자 5 내지 200 중량부
    를 추가로 포함하는 절연막의 제조방법.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 절연막 형성용조성물이
    ⅳ) 유기실록산 수지 100 중량부에 대하여 물, pH 조정제, 콜로이드상 실리카, 할로겐을 함유하지 않는 테트라알킬암모늄염, 및 계면 활성제로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 첨가제 0.001 내지 20 중량부
    를 추가로 포함하는 절연막의 제조방법.
  18. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 c)의 건조는 30 내지 300 ℃의 온도에서 실시되고, 소성은 350 내지 500 ℃의 온도에서 실시되는 절연막의 제조방법.
  19. 제 9 항 또는 제 12 항 기재의 유기실록산 막을 포함하는 전자소자.
KR1020030073154A 2003-10-20 2003-10-20 유기실록산 수지 및 이를 함유한 막 KR100553203B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030073154A KR100553203B1 (ko) 2003-10-20 2003-10-20 유기실록산 수지 및 이를 함유한 막

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030073154A KR100553203B1 (ko) 2003-10-20 2003-10-20 유기실록산 수지 및 이를 함유한 막

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050037874A KR20050037874A (ko) 2005-04-25
KR100553203B1 true KR100553203B1 (ko) 2006-02-22

Family

ID=37240469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030073154A KR100553203B1 (ko) 2003-10-20 2003-10-20 유기실록산 수지 및 이를 함유한 막

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100553203B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1784465B1 (en) * 2005-06-02 2014-01-08 LG Chem, Ltd. Coating composition for film with low refractive index and film prepared therefrom
KR100888613B1 (ko) * 2007-08-10 2009-03-12 제일모직주식회사 포토레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050037874A (ko) 2005-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4125637B2 (ja) 低誘電率材料及びその製造方法
US7238627B2 (en) Organosilicate polymer and insulating film therefrom
EP1328571B1 (en) A process for preparing organic silicate polymer
KR100515583B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막
KR100645682B1 (ko) 유기실록산 수지 및 이를 이용한 절연막
KR100405312B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막
KR100553203B1 (ko) 유기실록산 수지 및 이를 함유한 막
KR100419069B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막
KR100826208B1 (ko) 유기실록산 중합체의 제조방법, 및 이를 이용한 절연막의제조방법
KR950000101B1 (ko) 오가노 실리카졸(organo-silica sol)로 형성된 절연물층 형성공정을 행하는 반도체장치의 제조방법 및 그의 반도체 장치
KR100508903B1 (ko) 저유전 절연막 형성용 조성물 및 절연막 제조 방법
KR100422916B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막
KR100508901B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막
KR100450257B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 저유전 절연막
KR100440488B1 (ko) 반도체의 절연막 형성용 유기실리케이트 고분자 및 이를포함하는 저유전 절연막
KR100515584B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막
KR100508902B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막
KR100490853B1 (ko) 반도체의 절연막 형성용 나노 기공 형성 물질 및 이를포함하는 저유전 절연막
KR100508900B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130111

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150119

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160128

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170202

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180116

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190116

Year of fee payment: 14