KR20010061082A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 고집적 반도체소자의 패드(pad) 형성공정시 패드의 하부에 도전층패턴을 형성하되, 상기 도전층 패턴을 단일패턴 또는 여러개의 조각패턴으로 형성한 후, 상기 도전층패턴 상부에 패드콘택을 형성한 후 패드를 형성하거나, 상기 도전층 패턴 상부에 금속배선을 형성한 후 패드를 형성하되, 요구되는 핀캐패시턴스(pin capacitance)에 따라 상기 금속배선과 패드의 중첩도(overlay)를 조절하여 동일한 면적으로 핀캐패시턴스를 확보할 수 있고, 각 패드의 특성별로 핀캐패시턴스를 조절할 수 있으며, 핀캐패시턴스를 확보하기 위해 별도로 마스크를 제작하지 않기 때문에 공정을 단순하게 하는 기술이다.
Description
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 패드의 구조를 변경시켜 핀캐패시턴스를 조절하는 반도체소자의 제조방법에 관한 것이다.
반도체회로가 구현된 칩을 외부회로와 전기적으로 연결하기 위하여 칩 상부에 다수개의 패드를 구비한다. 한편 칩을 완성한 상태에서는 상기 패드를 외부의 영향으로 부터 보호하기 위하여 패시베이션막을 형성한다.
그리고, 상기 칩을 리드프레임에 올려놓고 상기 패드와 리드를 전기적으로 연결하기 위하여 와이어 본딩을 실시하게 되는데, 이 공정에 앞서 상기 패드 상부의 패시베이션막을 식각하게 된다.
반도체소자의 개발시 적절한 핀캐패시턴스를 확보하기 위하여 리드프레임의 두께, 접합캐패시턴스 등으로 조절한다.
그러나, 적절한 핀캐패시턴스를 확보하는데 소자의 집적도에 따라 리드프레임의 조절 및 접합캐패시턴스를 조절하기 위한 면적을 확보하기가 어렵다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 종래기술에 대해 설명하기로 한다.
도 1 는 종래기술에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도로서, 반도체기판(10)에서 소자분리영역으로 예정되는 부분에 소자분리절연막(11)을 형성하고, 전체표면 상부에 평탄화막(12)을 형성한 다음, 금속배선공정으로 패드(13)를 형성한다. 이때, 상기 패드(13)를 형성하는 공정시 회로에 연결되는 금속배선(14)도 동시에 형성된다.
다음, 전체표면 상부에 상기 패드(13)를 노출시키는 패시베이션막 패턴(15)을 형성한다.
상기와 같은 방법으로 형성되는 반도체소자의 제조방법은, 핀캐패시턴스를 확보하기 위하여 접합캐패시턴스를 크게 하는 경우, ESD 특성의 변화와 면적을 확보하기 어렵고, 리드프레임의 두께를 조절하는 경우에는 핀캐패시턴스의 변화가 미미하여 집적도 및 핀의 수가 많을 경우에는 핀간의 공간을 확보하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 섬패턴(island pattern) 형태인 패드를 형성하기 전에 패드의 하부에 하부도전층을 형성한 다음, 상기 하부도전층 상부에 콘택의 크기와 개수를 조정하되, 상기 하부도전층까지 콘택을 형성하지 않고, 절연막을 일부 남겨 핀캐패시턴스를 조절하거나, 상기 하부도전층을 다수개의 조각으로 형성하여 필요한 핀캐패시턴스만큼 연결하여 사용할 수 있는 반도체소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1 는 종래기술에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도.
도 2a 내지 도 2d 는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도.
도 3a 내지 도 3c 는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도.
도 4a 는 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도.
도 4b 및 도 4c 는 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 평면도.
도 5a 내지 도 5c 는 본 발명의 제4실시예에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도.
도 6 은 본 발명의 제5실시예에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도.
도 7a 및 도 7b 는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 하부도전층패턴을 도시한 평면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10, 20, 30, 40, 50, 60 : 반도체기판
11, 21, 31, 41, 51, 61 : 소자분리절연막
12 : 평탄화막
13, 26, 37, 45, 58, 68 : 패드
14, 23, 43, 56, 66 : 금속배선
15, 27, 38, 46, 59, 69 : 페시베이션막 패턴
22, 32, 42, 54, 62 : 제1평탄화막
23, 33, 70 : 도전층패턴
24, 35, 44, 57, 64 : 제2평탄화막
25, 36 : 패드콘택플러그
52 : 게이트절연막
53 : 게이트전극
55, 65 : 금속배선 콘택플러그
63 : 비트라인
67 : 제3평탄화막
이상의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은,
특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2a 내지 도 2d 는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도이다.
먼저, 반도체기판(20)에서 소자분리영역으로 예정되는 부분에 소자분리절연막(21)을 형성하고, 전체표면 상부에 제1평탄화막(22)을 형성한다. (도 2a참조)
다음, 상기 제1평탄화막(22) 상부에 도전층패턴(23)을 형성한다. 상기 도전층패턴(23)은 금속층, 다결정실리콘층 또는 실리사이드층을 이용하여 형성된다.
그 다음, 전체표면 상부에 제2평탄화막(24)을 형성한다. (도 2b참조)
다음, 상기 도전층 패턴(23) 상부에서 패드콘택으로 예정되는 부분을 노출시키는 콘택마스크(도시안됨)을 식각마스크로 상기 제2평탄화막(24)을 식각하여 콘택홀(도시안됨)을 형성하되, 상기 콘택홀과 상기 도전층 패턴(23) 사이에 소정 두께의 제2평탄화막(24)이 남아있도록 형상한다.
그 다음, 상기 콘택홀을 매립하는 패드콘택플러그(25)를 형성한다. 여기서, 핀캐패시턴스를 조절하기 위하여 상기 패드콘택플러그(25)의 개수를 다르게 형성할 수 있다. (도 2c참조)
다음, 전체표면 상부에 금속층(도시안됨)을 형성하고, 패드로 예정되는 부분을 보호하는 패드마스크를 식각마스크로 사용하여 상기 금속층을 식각하여 패드(26)를 형성한다.
그 후, 전체표면 상부에 상기 패드(26)를 노출시키는 패시베이션막 패턴(27)을 형성한다. (도 2d참조)
도 3a 내지 도 3c 는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도로서, 도 2a 의 공정을 실시하고, 제1평탄화막(32) 상부에 도전층패턴(33)과 질화막패턴(34)의 적층구조를 형성한 다음, 제1실시예와 동일한 후속공정을 실시한다. 여기서 상기 패드(37)가 제2금속배선으로 형성되는 경우 상기 도전층 패턴(33)은 게이트전극, 비트라인 또는 제1금속배선으로 형성할 수 있다. 이때, 콘택홀은 상기 질화막패턴(34)의 표면이 노출되도록 형성할 수도 있다.
제2실시예에서 상기 질화막 패턴(34)은 패드콘택으로 예정되는 부분을 노출시키는 콘택마스크(도시안됨)을 식각마스크로 사용한 식각공정시 식각장벽역할을 한다.
도 4a 는 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도로서, 도 2a 의 공정을 실시하고, 제1평탄화막(42) 상부에 금속배선(43)을 형성한 다음, 전체표면 상부에 제2평탄화막(44)을 형성하고, 패드(45)를 형성하되, 상기 금속배선(43)의 가장자리와 상기 패드(45)의 가장자리가 소정 거리 중첩되도록 형성하고, 상기 패드(45)를 노출시키는 패시베이션막 패턴(46)을 형성한다. 이때, 핀캐패시턴스의 크기에 따라서 상기 금속배선(43)과 패드(45)의 중첩도를 조절한다.
도 4b 및 도 4c 는 도 4a 의 평면도로서, 금속배선(43)을 단일패턴으로 형성할 수도 있고, 여러개의 조각패턴으로 형성하여 필요한 만큼 중첩시켜 핀캐패시턴스를 조절할 수 있다
도 5a 내지 도 5c 는 본 발명의 제4실시예에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도이다.
반도체기판(50)에서 소자분리영역으로 예정되는 부분에 소자분리절연막(51)을 형성하고, 상기 소자분리절연막(51) 상부에 게이트절연막(52)과 게이트전극(53)의 적층구조를 형성한다. (도 5a참조)
그리고, 전체표면 상부에 제1평탄화막(54)을 형성한 다음, 상기 게이트전극(53)에서 금속배선 콘택으로 예정되는 부분을 노출시키는 콘택마스크를 식각마스크로 상기 제1평탄화막(54)을 식각하여 금속배선 콘택홀(도시안됨)을 형성한다.
다음, 상기 금속배선 콘택홀을 통하여 상기 게이트전극(53)과 접속되는 금속배선 콘택플러그(55)를 형성한 후, 상기 금속배선 콘택플러그(55)와 접속되는 금속배선(56)을 형성한다. (도 5b참조)
그 다음, 전체표면 상부에 제2평탄화막(57)을 형성하고, 패드(58)를 형성한 후 상기 패드(58)를 노출시키는 패시베이션막 패턴(59)을 형성한다. (도 5c참조)
도 6 은 본 발명의 제5실시예에 따른 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도로서, 반도체기판(60)에 소자분리절연막(61)을 형성하고, 전체표면 상부에 제1평탄화막(62)을 형성한 다음, 비트라인(63)을 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 제2평탄화막(64)을 형성한 다음, 상기 비트라인(63)에서 금속배선 콘택으로 예정되는 부분을 노출시키는 콘택마스크를 식각마스크로 상기 제2평탄화막(64)을 식각하여 금속배선 콘택홀(도시안됨)을 형성한다.
다음, 상기 금속배선 콘택홀을 통하여 상기 비트라인(63)과 접속되는 금속배선 콘택플러그(65)를 형성한 후, 상기 금속배선 콘택플러그(65)와 접속되는 금속배선(66)을 형성한다.
그 다음, 전체표면 상부에 제3평탄화막(67)을 형성하고, 제4실시예와 동일한 후속공정을 실시한다. (도 6 참조)
그리고, 도 7a 및 도 7b 는 본 발명의 제4실시예 및 제5실시예에서 도전층패턴(70)인 게이트전극 또는 비트라인의 패턴을 도시한 평면도로서, 도 7a 와 같이 단일패턴으로 형성할 수 있고, 도 7b 와 같이 여러개의 조각패턴으로 형성할 수 있다. 여기서 상기 도전층패턴(70)은 저장전극 또는 플레이트전극을 형성할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은, 고집적 반도체소자의 패드 형성공정시 패드의 하부에 도전층패턴을 형성하되, 상기 도전층 패턴을 단일패턴 또는 여러개의 조각패턴으로 형성한 후, 상기 도전층패턴 상부에 패드콘택을 형성한 후 패드를 형성하거나, 상기 도전층 패턴 상부에 금속배선을 형성한 후 패드를 형성하되, 요구되는 핀캐패시턴스에 따라 상기 금속배선과 패드의 중첩도를 조절하여 동일한 면적으로 핀캐패시턴스를 확보할 수 있고, 각 패드의 특성별로 핀캐패시턴스를 조절할 수 있으며, 핀캐패시턴스를 확보하기 위해 별도로 마스크를 제작하지 않기 때문에 공정을 단순하게 하는 이점이 있다.
Claims (10)
- 반도체기판에서 소자분리영역으로 예정되는 부분에 소자분리절연막을 형성하는 공정과,전체표면 상부에 제1평탄화막을 형성하는 공정과,상기 제1평탄화막 상부에 도전층 패턴을 형성하는 공정과,전체표면 상부에 제2평탄화막을 형성하는 공정과,상기 도전층 패턴에서 패드콘택으로 예정되는 부분을 노출시키는 패드콘택마스크를 식각마스크로 상기 제2평탄화막을 식각하여 패드콘택홀을 형성하되, 상기 식각공정시 상기 패드콘택홀과 도전층 패턴 사이에 소정 두께의 제2평탄화막이 남도록 실시하는 공정과,상기 패드콘택홀을 매립하는 패드콘택플러그를 형성하는 공정과,상기 패드콘택플러그와 접속되는 패드를 형성하는 공정과,전체표면 상부에 상기 패드를 노출시키는 패시베이션막 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 도전층패턴은 금속층 또는 다결정실리콘층 또는 실리사이드층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 도전층패턴은 금속층 또는 다결정실리콘층 또는 실리사이드층과 질화막의 적층구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 콘택홀은 상기 질화막이 노출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 도전층패턴과 패드는 서로 소정 거리 중첩시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 패드콘택플러그는 단일패턴으로 형성하거나 여러개의 조각패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 패드는 금속층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 반도체기판에서 소자분리영역으로 예정되는 부분에 소자분리절연막을 형성하는 공정과,전체표면 상부에 제1평탄화막을 형성하는 공정과,상기 제1평탄화막 상부에 도전층 패턴을 형성하는 공정과,전체표면 상부에 제2평탄화막을 형성하는 공정과,상기 제2평탄화막 상부에 패드를 형성하되, 상기 도전층 패턴과 양쪽 가장자리가 소정 거리 중첩되도록 형성하는 공정과,전체표면 상부에 상기 패드를 노출시키는 패시베이션막 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 금속배선 하부에 게이트전극 또는 비트라인 또는 저장전극 또는 플레이트전극 등의 도전층 패턴을 형성하고, 상기 도전층 패턴은 상기 금속배선이 서로 금속배선 콘택에 의해 접속되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 도전층 패턴은 단일패턴 또는 여러개의 상기 조각패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
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