KR20010051338A - 낮은 투자율을 갖는 코발트 스퍼터 타깃을 제조하는 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 단일 위상 h.c.p. 구조와 물질 고유의 투자율 보다 낮은 투자율을 갖는 고순도 코발트 스퍼터 타깃을 제공한다. 사실상 순수한 코발트를 주조하고 15℃/분 이하의 속도와 같이 서서히 냉각시켜 단일 위상 h.c.p. 결정학적 구조의 주조된 타깃을 형성시킨다. 이러한 방식으로 주조된 타깃을 약 1000℃ 이상의 온도에서 고온 처리하여 약 65% 이상의 변형율을 코발트 물질에 제공한 후, 15℃/분 이하의 속도와 같이 실온으로 서서히 조절 냉각시켜 단일 위상 h.c.p. 결정학적 구조를 유지시킨다. 그런 다음, 냉각된 타깃을 사실상 실온에서 저온 처리하여 약 5 내지 20%의 변형율이 달성되게 한다. 이러한 방법으로 처리된 본 발명의 스퍼터 타깃은 약 9 미만의 투자율, 약 70 내지 160㎛ 범위의 그레인 크기 및 약 130㎛의 평균 그레인 크기를 갖는다.

Description

낮은 투자율을 갖는 코발트 스퍼터 타깃을 제조하는 방법 {METHOD OF MAKING LOW MAGNETIC PERMEABILITY COBALT SPUTTER TARGETS}

본 발명은 낮은 투자율을 지님으로써 캐소드 마그네트론 스퍼터링 동안 표적체의 표면에서 자기 누설 자속을 개선시키는 순수한 코발트 스퍼터 타깃(sputter target)에 관한 것이다.

강자성 물질로 제조된 스퍼터 타깃은 데이터 저장 및 VLSI(대규모 집적: very large scale integration)/반도체 산업에서 박막 증착에 중요하다. 마그네트론 캐소드 스퍼터링은 자성 박막을 스퍼터링하는 한가지 방법이다.

캐소드 스퍼터링 방법은 강자성 물질로 구성된 타깃의 이온 충격을 수반한다. 타깃은 아르곤과 같은 불활성 가스를 함유하는 진공 챔버에서 캐소드 어셈블리의 일부를 형성한다. 전기장은 챔버내의 캐소드 어셈블리와 애노드 사이에 인가되며, 가스는 캐소드의 표면으로부터의 전자와의 충돌에 의해 이온화되어 타깃 표면과 기판 사이에서 플라즈마를 형성한다. 양성 가스 이온은 캐소드 표면으로 유인된 후, 이온이 타깃에 충돌할 때 제거되는 물질의 입자가 엔클로저를 통과하고 애노드 전위에서 또는 그 근처에서 유지된 지지체상에 배치된 기판(들)에 박막으로서 증착된다.

스퍼터링 방법이 전기장에서 단독으로 수행될 수 있지만, 스퍼터 타깃의 표면상에 순환식 루프 형태로 형성된 아치형 자기장이 전기장에 포개지는 마그네트론 캐소드 스퍼터링에 의해 실질적으로 증가된 증착율이 가능하게 된다. 아치형의 순환 루프식 자기장은 타깃의 표면에 근접한 환상 영역내에 전자를 트래핑함으로써 잔자와 가스 원자들 사이의 충돌을 배가시켜 상기 영역내의 이온의 수를 상응하게 증가시킨다. 자기장은 전형적으로 타깃 배후에 하나 이상의 자석을 배치함으로써 생긴다. 이렇게 함으로써 타깃의 표면상에 누설 자기장이 생성되어 플라즈마 밀도가 증가하게 된다.

스퍼터 타깃 표면으로부터의 입자의 부식은 일반적으로 순환 루프 자기장의 유형에 상응하는 비교적 좁은 고리 형상의 영역에서 발생한다. "레이스 트랙(race track)"이라 불리우는 이러한 부식 그루브내의 전체 타깃 물질의 일부만이 타깃이 교체되기 전에 소모된다. 결과적으로는, 전형적으로 타깃 물질의 18-25%만이 활용된다. 이와 같이, 일반적으로 매우 비싼 상당량의 물질이 폐기되거나 재생되어야 한다. 더욱이, 상당 정도의 증착 장비 "고장 기간"이 빈번한 타깃 교체의 필요성으로 인해 발생한다.

마그네트론 스퍼터링 방법과 관련된 이들 단점을 해소시키기 위해, 다양하면서 가능한 해결책이 연구되어 왔다. 하나의 가능한 해결책으로는 타깃의 두께를 증가시키는 것이다. 타깃이 비교적 두꺼운 경우, 스퍼터링은 레이스 트랙 영역이 소모되기 전에 장기간 동안 지속될 수 있다. 그러나, 강자성 물질을 사용하게 되면 비-강자성 물질을 사용하는 경우에는 직면하게 되지 않을 어려움에 직면하게 된다. 마그네트론 스퍼터링의 경우, 타깃 표면에서의 자기 누설 자속(MLF) 또는 누설 자기장은 플라즈마를 개시시키고 지속시킬 수 있을 정도로 충분히 높아야 한다. 3-10mTorr의 챔버 압력과 같은 보통의 스퍼터링 조건하에서, 최소 MLF (통과 유속(pass through flux :PTF)으로도 공지되어 있음)는 스퍼터링 표면에서 약 150 가우스이며, 바람직하게는 고속 스퍼터링의 경우에 약 200가우스이다. 캐소드 자석 강도는 부분적으로 MLF를 결정한다. 자석 강도가 높으면 높을수록, MLF가 더 높아진다. 그러나, 강자성 스퍼터 타깃의 경우에, 물질 고유의 높은 투자율은 타깃 배후의 자석으로부터의 자기장을 효과적으로 차단하기 때문에 타깃 두께에 비례하여 타깃 표면상에서의 MLF를 감소시킨다.

공기 및 비-강자성 물질의 경우, 투자율은 1.0에 매우 근사하다. 본원에서 사용되는 용어 "강자성 물질"은 1.0 초과의 고유 투자율을 갖는 물질을 의미한다. 투자율은 자기장 영향력에 있는 물질의 반응 정도(자화율)을 나타낸다. 투자율은 CGS 단위로 다음과 같이 정의된다 :

투자율 = 1 + 4π (M/H)

상기 식에서, M은 자화율이고, H는 자기장이다. 현재 이용되고 있는 코발트 스퍼터 타깃의 투자율은 대략적으로 12 이상이다.

높은 투자율 및 그로 인한 낮은 MLF 때문에, 그리고 MLF가 타깃의 두께가 증가함에 따라서 감소하기 때문에, 강자성 스퍼터 타깃은 일반적으로 스퍼터링 표면으로 누출될 수 있을 정도의 충분한 자기장이 마그네트론 스퍼터링에 필요한 스퍼터링 플라즈마를 지속되게 하기 위해 비-자기 스퍼터 타깃 보다 훨씬 더 얇게 제조된다. 비-강자성 타깃의 두께는 전형적으로는 0.25인치 이상이며, 반면에 강자성 타깃의 두께는 일반적으로 0.25인치 미만이다. 이와 같이, 강자성 타깃은 장비 고장 시간을 줄이기 위해 보다 두껍게 제조될 수 있지만, 이들은 실제로 보다 얇게 제조되어야 한다. 두께를 증가시키기 위해, MLF는 약간 증가되어야 한다.

특정한 코발트 스퍼터 타깃의 경우에, 실리콘 기재 집적 회로의 연속적인 크기 감소 및 증가된 속도는 고순도 코발트 타깃에 대한 필요성을 야기시켰다. 이들 실리콘 기재 집적 회로에 대해서는 높은 열안정성을 갖는 낮은 저항의 접촉물이 요구되며, CoSi₂는 이러한 접촉 물질중의 하나이다. 이전에, 이들 접촉 막은 규화물 타깃을 사용하여 증착되었으나, 분말 야금 방법에 의해 제조된 이들 타깃은 저순도 및 저밀도를 지녔으며 종종은 비균질하였다. 대안적으로, 이러한 CoSi₂막은 코발트를 실리콘 기판상에 진공 증착시킨 후 약 500℃로 가열하여 CoSi₂접촉 물질을 생성시킴으로써 성장될 수 있다. 이러한 방법을 위해서는, 고순도 코발트 타깃이 요구된다. 더욱이, 플라즈마를 개시시키고 지속시키기 위한 타깃의 표면에서의 충분한 MLF에 대한 필요성으로 인해, 이들 고순도 코발트 타깃은 낮은 투자율, 특히 물질 고유의 투자율 보다 낮은 투자율을 추가로 필요로 한다.

수종의 종래 기술문헌에는 코발트 기재 합금 스퍼터 타깃에서의 투자율의 감소가 기술되어 있다. 미국특허 제 4,832,810호에는 투자율이 f.c.c.(면심입방) 위상 대 h.c.p.(육방밀집) 위상의 비를 감소시킴으로써 감소된다고 기술되어 있다. 이것은 f.c.c. 단일 위상을 갖는 코발트 기재 합금을 용융시키고, 그것을 주조하고, 냉각시켜 f.c.c. 위상의 일부를 h.c.p. 위상으로 변형시킨 후 냉각 작업을 수행함으로써 달성되는 것으로 공지되어 있다. 합금은 임의로 냉각전에 고온처리될 수도 있다.

미국특허 제 5,282,946호에는 백금-코발트 합금의 투자율이 합금을 주조하고, 400-700℃에서 가열냉각시키고, 재결정화 온도 보다 높은 온도(즉, 약 300℃ 보다 높은 온도)에서 합금을 고온 처리하여 30% 이상으로 변형시키고, 재결정화 온도 미만의 온도에서 저온(또는 가온) 처리함으로써 감소된다고 기술되어 있다.

미국특허 제 5,334,267호에는 f.c.c. 구조를 갖는 Co-Ni-Cr-V 합금의 투자율이 합금을 주조하고, 열간압연시키고, 저온 또는 가온 처리하여 작업으로 인한 변형부가 타깃에 남아있게 함으로써 감소된다고 기술되어 있다.

미국특허 제 5,112,468호에는 h.c.p. 및 입방구조를 갖는 코발트 합금의 투자율이 h.c.p. 위상을 최대화하고 육방구조 프리즘 축을 타깃 표면에 수직으로 정렬함으로써 감소된다고 기술되어 있다. 이것은 합금을 주조하고 단조시키고 800℃-1200℃의 온도에서 열간압연시킨 후 400℃ 미만의 온도에서 켄칭시키고 저온(또는 고온) 처리함으로써 달성되는 것으로 공지되어 있다.

미국특허 제 5,468,305호에는 코발트 합금의 투자율이 다수의 열간압연 단계에 의해 전체 30% 이상의 감소율로 감소되고 이어서 냉간압연에 의해 10% 미만의 감소율로 감소된다고 기술되어 있다.

이들 참고 문헌 각각에서, 관련된 특정의 합금(들)은 특정의 코발트 합금의 투자율을 어떻게 저하시킬 수 있는지를 결정하는데 있어 다루어져야 하는 여러 파라미터를 제시하였다. 결정 구조, 고유 투자율, 가동성 등은 합금 마다 다르다. 이들 참고문헌중의 어떠한 참고문헌도 실질적으로 순수한 코발트 스퍼터 타깃 물질을 제시한 특정 파라미터를 다루지 못했다. 예를 들어, 코발트 합금은 f.c.c. 단일 위상 또는 다중 위상 구조를 갖는 반면에 순수한 코발트는 실온에서 단일 위상 h.c.p. 구조를 갖는다. 더욱이, 순수한 코발트가 코발트 합금 보다 더 낮은 고유 투자율을 갖기 때문에, 투자율을 감소시키는 것은 더욱 어렵다.

따라서, 본 발명은 스퍼터 타깃의 표면에서 자기 누설 자속을 증가시킬 수 있을 정도로 충분히 낮은 자기 투과율을 나타내는 순수한 코발트 스퍼터 타깃 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 데에 있다.

도 1은 자기장 대 투자율을 나타내는 그래프이다.

도 2는 타깃 수명 대 시이트 저항 균일도를 나타내는 그래프이다.

발명의 요약

본 발명은 단일 위상 h.c.p. 구조와 물질의 고유 투자율 보다 낮은 투자율을 갖는 고순도 코발트 스퍼터 타깃을 제공한다. 이러한 목적으로, 그리고 본 발명의 원리에 따라서, 실질적으로 순수한 코발트가 주조되고 서서히, 예를 들어 15℃/분 미만의 속도로 냉각되어 단일 위상 h.c.p. 결정학적 구조를 갖는 주조물 타깃을 형성한다. 이러한 주조물 타깃은 약 1000℃ 이상의 온도에서 고온 처리되어 약 65% 이상의 변형을 코발트 물질에 제공한 후, 실온으로 서서히, 예를 들어 15℃/분 이하의 속도로 조절 냉각시켜 평형상태의 단일 위상 h.c.p. 결정학적 구조를 얻는다. 그런 다음, 냉각된 타깃은 실질적으로 실온에서 저온 처리되어 약 5-20% 변형을 제공한다. 이러한 방법에 의해 처리된 본 발명의 스퍼터 타깃은 약 9 미만의 투자율을 갖는다. 본 발명의 한 구체예로서, 스퍼터 타깃은 약 70-160㎛ 크기 범위의 그레인(grain)을 추가로 포함한다. 본 발명의 또 다른 구체예로서, 스퍼터 타깃은 약 130㎛의 평균 크기를 갖는 그레인을 포함한다.

본 발명의 상기 및 그 밖의 목적, 특징 및 장점은 첨부 도면과 본 발명의 상세한 설명을 고려할 때 보다 자명하게 될 것이다.

본 명세서에 포함되어 본 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명의 구체예를 나타내며, 상기된 발명의 일반적인 설명 및 하기된 상세한 설명과 함께, 본 발명을 설명하는 역할을 한다.

발명의 상세한 설명

본 발명은 낮은 투자율 코발트 스퍼터 타깃을 제공한다. 낮은 투자율은 고온 처리와 저온 처리를 조합하여 사용하고 서서히 조절 냉각시켜 실질적으로 순수한 코발트 물질의 단일 위상 h.c.p. 결정학적 구조를 달성하고 유지시킴으로써 달성된다. 본 발명의 스퍼터 타깃용으로 사용된 강자성의 고순도 코발트 물질의 낮은 투자율은 코발트 타깃의 표면에서 MLF를 상당히 증가시키고 안정한 플라즈마를 얻는데 필요한 아르곤 압력을 감소시킨다. 강자성의 고순도 코발트 물질의 낮은 투자율은 타깃 두께의 증가를 추가로 허용하는데, 이러한 타깃 두께의 증가에 의해 타깃 수명이 길어지고 타깃 교체의 빈도수가 감소된다. 낮은 투자율은 동등하거나 보다 낮은 마그네트론 자기장 세기(개선된 박막 자기 특성에 기여)에서 고속 증착을 가능하게 하며, 박막 두께 및 시이트 저항성 둘 모두의 균일도가 개선된다. 낮은 투자율의 타깃은 보다 광범위한 스퍼터링 부식 그루브 또는 영역을 형성시키므로 타깃의 활용성을 증대시키는데, 이것은 이들 값비싼 타깃에 대한 폐물을 감소시키는데 매우 중요하다. 더욱이, 본 발명의 스퍼터 타깃은 실리콘 기판상으로의 코발트의 진공 증착에 의해 CoSi₂를 성장시키는데 필요한 고순도, 고밀도 및 균일도를 제공한다.

본 발명의 스퍼터 타깃을 포함하는 코발트 물질은 유리하게는 약 99.99중량%의 순도를 가질 것이다. h.c.p. 단일 위상을 갖는 이러한 고순도 코발트 금속은 아르곤 퍼징된 진공로(vacuum furnace)에서 금속을 코발트의 융점 보다 높은 온도(즉, 1495℃ 보다 높은 온도)에서 가열하여 용융시키고 용융 금속을 모울드에 붓는 방식으로 주조되고 실온의 공기중에서 서서히 냉각된다. 냉각 속도를 조절함으로써 코발트 금속의 단일 위상 h.c.p. 구조가 유지되게 한다. 이것은 약 15℃/분의 속도로 냉각시킴으로써 달성될 수도 있다. 이러한 방식으로 주조된 코발트 물질은 전형적으로 약 15 이상의 투자율 및 1000㎛ 정도 크기의 그레인을 가질 것이다.

코발트의 주조된 그레인 구조를 제거하고 주조된 금속을 스퍼터 타깃용의 원하는 형상으로 추가로 형상화시키기 위해, 주조된 스퍼터 타깃은 단조, 압연, 스탬핑, 압형 또는 압출에 의해서와 같이 고온 처리된다. 이러한 열역학적 처리는 승온에서 수행되어 크래킹(cracking)을 최소화한다. 유리하게는, 고온 처리를 수행하기 위한 온도는 약 1000℃ 이상의 온도이다. 물질은 약 65% 이상의 변형율이 달성될 때까지 고온 처리된다. 본원에서 사용되는 변형율은 다음 식에 의해 의해 계산된다 :

변형율 = Δt/t_O× 1000

상기 식에서, Δt 및 t_O는 각각 감소된 두께 변화량 및 처리전의 두께를 나타낸다. 생성된 고온 처리된 타깃은 h.c.p. 평형 구조를 갖는다.

그런 다음, 고온 처리된 타깃은 공기중에서 서서히 냉각되며, 이때 평형상태의 단일 위상 h.c.p. 결정학적 구조를 달성하기 위해 냉각 속도가 조절된다. 이것은 약 15℃/분 이하의 속도로 냉각함으로써 달성된다.

그런 다음, 고온 처리된 타깃을 실온에서 냉간압연과 같이 저온 처리하여 변형 유도된 잔류응력을 물질에 도입한다. 약 5-20의 변형율이 달성될 때가지 물질을 냉각시킨다. 본 발명의 한 구체예로서, 물질을 약 10% 변형율이 달성될 때까지 저온 처리한다. 5% 미만의 변형율에서, MLF의 변화는 추가의 처리 단계를 정당화하기에 인정될 수 없거나 불충분하다. 20% 초과의 변형율에서, 타깃 물질이 파쇄되어질 위험성이 높다.

조절하면서 서서히 냉각시키는 것과 더불어 고온 처리와 저온 처리의 조합 사용은 약 70㎛ 내지 약 160㎛ 범위의 그레인 크기, 약 130㎛의 평균 그레인 크기 및 약 95% 이상의 (102) 배향으로 구성된 결정학적인 결을 갖는 동축의 균일한 그레인 구조를 생성시킨다. 더욱이, 본 발명의 스퍼터 타깃은 약 9 미만의 투자율을 갖는 고순도 코발트이다.

상기된 처리 순서 및 파라미터는 실질적으로 순수한 코발트에 특성적인 물질 양상을 다루도록 설계되었다. 단일 위상 h.c.p. 구조의 유지와 함께 조합된 고온 및 저온 처리에 의한 변형 유도된 잔류 응력의 도입은 순수한 코발트 물질 고유의 투자율로부터 코발트 스퍼터 타깃의 투자율을 상당히 저하시켰다.

실시예

2개의 샘플용 타깃을 제조하고 동일한 시험 조건하에서 6인치 및 8인치 웨이퍼상에 스퍼터링하였다. 2개의 타깃을 주조하고, 약 15℃/분의 속도로 조절하면서 실온으로 서서히 냉각시킨 후 70%의 변형율이 달성될 때까지 약 1150℃의 온도에서 열간압연시키고 약 15℃/분의 속도로 조절하면서 실온으로 서서히 냉각시켰다. 그런 다음, 타깃중의 하나를 약 10%의 변형율이 달성될 때가지 실온으로 냉간압연시킴으로써 본 발명의 원리에 따라 추가 처리하였다. 도 1은 투자율 대 2개의 타깃에 대한 자기장의 관계를 그래프로 도시한 것이다. 본 발명의 원리에 따라 추가로 냉간압연시킨 타깃은 추가로 냉간압연시키지 않은 타깃 보다 약 25%의 최대 투자율을 나타냈다. 스퍼터링 동안의 낮은 투자율은 플라즈마의 보다 용이한 점화 및 스퍼터 타깃에서의 증대된 플라즈마 균일성의 원인이 되었다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 원리에 따라 저온 처리된 타깃은 타깃 수명 동안 우수한 시이트 저항 균일도를 나타냈다. 냉간압연시키지 않은 타깃에 대한 시이트 저항 균일도(1σ)는 번-인(burn-in)(약 2 kWh) 후 곧바로 측정하였고, 타깃 수명의 초기에 매우 높은 시이트 저항 균일도를 나타냈다. 냉간압연시키지 않은 타깃에 대한 시이트 저항 균일도는 타깃 수명의 말기에 측정하였는데, 이는 상기 타깃이 스퍼터링 과정의 말기에 낮은 시이트 저항 균일도를 달성할 수 있음을 나타낸다.

이상에서와 같이, 본 발명은 본 발명 구체예의 설명에 의해 기술되었고, 그 구체예는 상당히 상세하게 기술되었지만, 특허청구의 범위의 범위를 이러한 상세한 설명에 국한시키거나 어떠한 방식으로든 한정하려는 것은 아니다. 당업자라면 추가의 장점 및 변형을 인지할 것이다. 따라서, 본 발명은 특정의 상세한 설명, 대표적인 장치 및 방법 및 상기된 예시적 실시예로 한정되지 않는다. 따라서, 본 발명은 본 출원인의 총괄적인 발명 개념의 범위 또는 사상으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 상기한 상세한 설명으로부터 벗어날 수도 있다.

이상에서와 같이, 본 발명의 방법을 사용하게 되면 스퍼터 타깃의 표면에서 자기 누설 자속을 증가시킬 수 있을 정도로 충분히 낮은 자기 투과율을 나타내는 순수한 코발트 스퍼터 타깃이 제조된다.

Claims (10)

1. 고유의 투자율을 갖는 사실상 순수한 코발트 금속을 주조하고 상기 금속을 조절된 속도로 냉각시켜 단일의 육방밀집 위상을 갖는 사실상 순수한 코발트 스퍼터 타깃을 형성시키는 단계;

   스퍼터 타깃을 약 65% 이상의 변형율이 달성될 때까지 약 1000℃ 이상의 온도에서 고온 처리하는 단계;

   고온 처리된 스퍼터 타깃을 조절된 속도로 서서히 냉각시켜 단일의 육방밀집 위상을 유지시키는 단계; 및

   고온 처리된 스퍼터 타깃을 약 5 내지 약 20%의 변형율이 달성될 때까지 사실상 실온에서 저온 처리하는 단계로서, 저온 처리된 스퍼터 타깃이 고유의 투자율 보다 낮은 투자율을 갖는 단계를 포함하여, 낮은 투자율의 코발트 스퍼터 타깃을 제조하는 방법.
2. 제 1항에 있어서, 주조된 금속을 약 15℃/분 이하의 조절된 속도로 냉각시켜 스퍼터 타깃을 형성시킴을 특징으로 하는 방법.
3. 제 1항에 있어서, 고온 처리된 스퍼터 타깃이 약 15℃/분 이하의 조절된 속도로 냉각됨을 특징으로 하는 방법.
4. 제 1항에 있어서, 저온 처리된 스퍼터 타깃의 투자율이 약 9 미만임을 특징으로 하는 방법.
5. 제 1항에 있어서, 저온 처리된 스퍼터 타깃이 약 70㎛ 내지 약 160㎛의 크기 범위를 갖는 그레인(grain)을 포함함을 특징으로 하는 방법.
6. 제 1항에 있어서, 고온 처리된 타깃을 약 10%의 변형율이 달성될 때까지 저온 처리함을 특징으로 하는 방법.
7. 고유의 투자율을 갖는 사실상 순수한 코발트 금속을 주조하고 상기 금속을 약 15℃/분 이하의 조절된 속도로 냉각시켜 단일의 육방밀집 위상을 갖는 사실상 순수한 코발트 스퍼터 타깃을 형성시키는 단계;

   스퍼터 타깃을 약 65% 이상의 변형율이 달성될 때까지 약 1000℃ 이상의 온도에서 고온 처리하는 단계;

   고온 처리된 스퍼터 타깃을 약 15℃/분 이하의 조절된 속도로 냉각시켜 단일의 육방밀집 위상을 유지시키는 단계; 및

   고온 처리된 스퍼터 타깃을 약 5% 내지 약 20%의 변형율이 달성될 때까지 사실상 실온에서 저온 처리하는 단계로서, 저온 처리된 스퍼터 타깃이 고유 투자율 미만의 투자율을 갖는 단계를 포함하여, 낮은 투자율의 코발트 스퍼터 타깃을 제조하는 방법.
8. 제 7항에 있어서, 저온 처리된 스퍼터 타깃이 약 9 미만의 투자율 및 약 99.99중량% 이상의 순도를 가짐을 특징으로 하는 방법.
9. 제 7항에 있어서, 저온 처리된 스퍼터 타깃이 약 70㎛ 내지 약 160㎛ 크기 범위의 그레인을 포함함을 특징으로 하는 방법.
10. 제 7항에 있어서, 고온 처리된 타깃을 약 10%의 변형율이 달성될 때까지 저온 처리함을 특징으로 하는 방법.