JPS6314864A - Ｃｏ基合金スパツタタ−ゲツトおよびその製造法 - Google Patents
Ｃｏ基合金スパツタタ−ゲツトおよびその製造法Info
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/10—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of nickel or cobalt or alloys based thereon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、マグネトロンスパッタに適用し得るＣｏ基合
金ターゲットに関する。
金ターゲットに関する。
（従来の技術〕
従来の００基合金スパッタターゲットは、Ｃｏ基合金材
を高温にて溶融した後鋳造してＦＣＣ単相の領域より冷
却してマルテンサイト変態を生ぜしめその１部がＨＣＰ
相となったものであシ、鋳造した後放冷するか、熱間加
工後放冷するかにより製造されたものがマグネトロンス
パッタに使用されている。
を高温にて溶融した後鋳造してＦＣＣ単相の領域より冷
却してマルテンサイト変態を生ぜしめその１部がＨＣＰ
相となったものであシ、鋳造した後放冷するか、熱間加
工後放冷するかにより製造されたものがマグネトロンス
パッタに使用されている。
マグネトロンスパッタは、ターゲット表面に漏洩磁界を
発生させてプラズマをターゲット表面に集中させるよう
にしているが、従来の上記によって製造されたＯｏ基合
金のような磁性体をターゲットとして使用する場合、磁
束がターゲット内部を通過し易いので、表面に漏洩磁界
をつくるためには、飽和磁化を考慮し、ターゲットの厚
さを薄くしたものを使用する必要があった。
発生させてプラズマをターゲット表面に集中させるよう
にしているが、従来の上記によって製造されたＯｏ基合
金のような磁性体をターゲットとして使用する場合、磁
束がターゲット内部を通過し易いので、表面に漏洩磁界
をつくるためには、飽和磁化を考慮し、ターゲットの厚
さを薄くしたものを使用する必要があった。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の上記Ｃｏ基合金ス″バッタターゲットは、肉薄で
あるため、使用寿命が短かく、又エロージョンの進行に
伴ないエロージョン内の磁界が大きくなり、プラズマが
二ローション内に集中して、ターゲットが局部的に消耗
し、使用効率が悪いという欠点を有している。
あるため、使用寿命が短かく、又エロージョンの進行に
伴ないエロージョン内の磁界が大きくなり、プラズマが
二ローション内に集中して、ターゲットが局部的に消耗
し、使用効率が悪いという欠点を有している。
従って、Ｃｏ基合金スノゼツタターゲットとして、従来
のものに比し肉厚のものが使用できるようにすることが
望ましい。
のものに比し肉厚のものが使用できるようにすることが
望ましい。
（問題点を解決するための手段）
本発明者等は、か＼る観点に立ち、ターゲットの磁気特
性と表面漏洩磁界や二ローション形状との関係について
、種々検討した結果、表面の磁界は、従来考えられてい
たように、ターゲラ）ｆ料の飽和磁化に依存するもので
はなく、透磁率に依存することを知見した。而して、飽
和磁化の大きいＣｏ基合金でも透磁率を小さくすること
により、漏洩磁界を強くすることができることが分った
。而して、この透磁率の大きさには、 Ｃｏ基合金の場
合、ＦＣＣ相とＨＣＰ相の量比が最も影響を与えること
を見出した。即ち、Ｃｏ基合金のＨＣＰ相は非常に大き
い結晶磁気異方性を有して居る１万ＦＣＣ相は結晶磁気
異方性が小さい。従ってＨＣＰ相の量を多くすると透磁
率が減少し、ターゲット表面に漏洩磁界がそれだけ発生
し易くなることが分った。更に、ＣＯに、Ｎｉ、Ｏｒ、
Ｐｔ 、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ等の元素の添加量を多くすると、
飽和磁化が減少するにも拘らず、透磁率が大きくなり、
漏洩磁界が弱くなることも分った。
性と表面漏洩磁界や二ローション形状との関係について
、種々検討した結果、表面の磁界は、従来考えられてい
たように、ターゲラ）ｆ料の飽和磁化に依存するもので
はなく、透磁率に依存することを知見した。而して、飽
和磁化の大きいＣｏ基合金でも透磁率を小さくすること
により、漏洩磁界を強くすることができることが分った
。而して、この透磁率の大きさには、 Ｃｏ基合金の場
合、ＦＣＣ相とＨＣＰ相の量比が最も影響を与えること
を見出した。即ち、Ｃｏ基合金のＨＣＰ相は非常に大き
い結晶磁気異方性を有して居る１万ＦＣＣ相は結晶磁気
異方性が小さい。従ってＨＣＰ相の量を多くすると透磁
率が減少し、ターゲット表面に漏洩磁界がそれだけ発生
し易くなることが分った。更に、ＣＯに、Ｎｉ、Ｏｒ、
Ｐｔ 、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ等の元素の添加量を多くすると、
飽和磁化が減少するにも拘らず、透磁率が大きくなり、
漏洩磁界が弱くなることも分った。
このＦＣＣ相とＨＣＰ相の量比の見地より、この従来の
製造法によるＣｏ基合金スパッタターゲットのＦｏｅ相
を少な（１，ＨＣＰ相を多くして、ＦＣＣ相／’ＨＣＰ
相の量比の値を小さくすることができれば、それだけ透
磁率全減少し、従ってターゲット表面に漏洩磁界の発生
を増大せしめることができ、従ってこのことは、Ｃｏ基
合金ターゲットの厚さを従来のものに比し厚くしたもの
が使用でき使用寿命の増大、使用効率の向上ができる。
製造法によるＣｏ基合金スパッタターゲットのＦｏｅ相
を少な（１，ＨＣＰ相を多くして、ＦＣＣ相／’ＨＣＰ
相の量比の値を小さくすることができれば、それだけ透
磁率全減少し、従ってターゲット表面に漏洩磁界の発生
を増大せしめることができ、従ってこのことは、Ｃｏ基
合金ターゲットの厚さを従来のものに比し厚くしたもの
が使用でき使用寿命の増大、使用効率の向上ができる。
又、従来と同じ厚さのものを使用した場合は、磁界発生
装置の縮・小、消費電力の節約をもたらすことができる
。所で、ＦＣＣ相とＨＣＰ相の量比を容積比で求めるこ
とは困難である。
装置の縮・小、消費電力の節約をもたらすことができる
。所で、ＦＣＣ相とＨＣＰ相の量比を容積比で求めるこ
とは困難である。
従って、この容積比と比例関係にあるＸ線回折ピークの
強度比を求めることが考えられる。この場合、ＦＣＣ相
のＸ線ピークとＨＣＰ相の回折ピークは、多くが重なっ
ているが、ＦＯＣ相の（２００）ピークとＨＣＰ相の（
１０１）ピークは重なっていないことを利用し＝ Ｉ
Ｆｏｏ（２００）／ＩＨＣＰ（１０１）の強度比を測定
することにより、両相の混合比を相対値として求めるこ
とができる。
強度比を求めることが考えられる。この場合、ＦＣＣ相
のＸ線ピークとＨＣＰ相の回折ピークは、多くが重なっ
ているが、ＦＯＣ相の（２００）ピークとＨＣＰ相の（
１０１）ピークは重なっていないことを利用し＝ Ｉ
Ｆｏｏ（２００）／ＩＨＣＰ（１０１）の強度比を測定
することにより、両相の混合比を相対値として求めるこ
とができる。
本発明者等は、従来の製造法によって、得られたＣｏ基
合金、即ち、Ｃｏ基合金材を溶解した後鋳型に流入しそ
のま＼冷却したもの、或はその加熱したものの冷却過程
で熱間加工して常温まで冷却したものに、即ち、冷却に
よりマルテンサイト変態をしたＣｏ基合金に、冷間加工
により歪を与えることにより、ＨＣＰ相に変らずに残っ
ているＦＣＣ相の１部を更にＨＣＰ相に変態せしめて、
Ｃｏ基合金のＦＣＣ相（２００）／ＨＣＰ相（１０１）
の強度比が、その冷間加工を施す前のその値よりも小さ
い値を示す、従って透磁率の値もそれに応じて低下した
Ｃｏ基合金スパッタターゲットを提供し、従来の前記の
不都合を解消し、従来のものに比し、肉厚にしたものと
して使用して、使用寿命の延長した而も使用効率の向上
したＣ０基合金スノゼツタターゲットをもたらすもので
ある。即ち、本発明のＦＣＣ相／ ＨＣＰ相の比を減少
せしめたので、これに伴ないその透磁率も低下し、従っ
て表面漏洩磁界を発生し易くなるので、スノゼツタター
ゲットを厚くでき、又エロージョン領域を大きくとるこ
とができ、それだけ、ターゲットの使用効率を増大し得
る。
合金、即ち、Ｃｏ基合金材を溶解した後鋳型に流入しそ
のま＼冷却したもの、或はその加熱したものの冷却過程
で熱間加工して常温まで冷却したものに、即ち、冷却に
よりマルテンサイト変態をしたＣｏ基合金に、冷間加工
により歪を与えることにより、ＨＣＰ相に変らずに残っ
ているＦＣＣ相の１部を更にＨＣＰ相に変態せしめて、
Ｃｏ基合金のＦＣＣ相（２００）／ＨＣＰ相（１０１）
の強度比が、その冷間加工を施す前のその値よりも小さ
い値を示す、従って透磁率の値もそれに応じて低下した
Ｃｏ基合金スパッタターゲットを提供し、従来の前記の
不都合を解消し、従来のものに比し、肉厚にしたものと
して使用して、使用寿命の延長した而も使用効率の向上
したＣ０基合金スノゼツタターゲットをもたらすもので
ある。即ち、本発明のＦＣＣ相／ ＨＣＰ相の比を減少
せしめたので、これに伴ないその透磁率も低下し、従っ
て表面漏洩磁界を発生し易くなるので、スノゼツタター
ゲットを厚くでき、又エロージョン領域を大きくとるこ
とができ、それだけ、ターゲットの使用効率を増大し得
る。
尚、冷間加工は、圧延、引抜き、スウエージング、鍛造
、一般プレス加工など従来性なわれている任意の冷間加
工手段をとることができるが、この場合、加工率として
、断面積収縮率として約５％以上が特に好ましい。
、一般プレス加工など従来性なわれている任意の冷間加
工手段をとることができるが、この場合、加工率として
、断面積収縮率として約５％以上が特に好ましい。
（実施例〕
次に本発明の詳細な説明する。
Ｃｏ基合金材は、ＣＯを基材とし、これに、Ｎｉ。
Ｏｒ、Ｐｔ、Ｗなどの添加金属の少くとも１ａＬを所望
の割合添加した各種配合組成から成る全てのＣｏ基合金
材が使用できる。この配合組成のｃｏ基合金を溶融物と
したものを、所定の鋳型に注入しそのま＼常温まで冷却
したり、或は常温まで冷却する前の熱いうちに熱間加工
を行ない所定の厚さの板状とする。かくして、その冷却
過程でＦＣＣ相の１部はＨＣＰ相に変るいわゆるマルテ
ンサイト変態する。このように製造したもののＩＦＣＣ
（２００）／Ｉ ＨＣＰ （１０１）のＸ線回折ピーク
強度比は、例えば、下記表１に示すように、０ｏ−２０
ａｔ％Ｎｉ−１０ａｔ％Ｏｒから成るＣｏ基合金（試料
Ａ Ｉ ） 、 Ｃｏ−１６ａｔ ％ Ｏｒから成るＣ
ｏ基合金（試料Ａ ５ ） 、 Ｏｏ −２０ａｔ％Ｎ
ムー１０ａｔ ％ Ｐｔから成るＣｏ基合金（試料Ａ７
）、及び０ｏ−２５ａｔ％Ｎｉから成るＣｏ基合金（試
料Ａ９）は、夫々１．７５ 、１．９０ 、１．６５及
び２．０３であった。本発明によれば、これらの試料の
夫々に、冷間加工を例えば冷間圧延を施した。この時そ
の断面積収縮率が５チ以上となるように圧縮した。その
結果、表１に示す本発明の夫々のＣｏ基合金スパッタタ
ーゲットのＩＦＣＣ（２００）／ＦＨＣＰ （１０１）
の強度比は）試料＆１の冷間加工品については、５チの
断面積収縮率で、 １．２１と低下した（試料７伍２
）。その断面積収縮率を１０チ、１５チと増大すると、
これに伴ないその強度比も、 ０．３（１，０，３０
と低下した（試料高３．Ａ４）。試料煮５．颯７及び息
９についてもその冷間加工品の前記の強度比は、１．９
０（Ａ５）が０．４５（試料煮６）に、１．６５ （Ａ
７ ）が０．３５（試料Ａ ８ ）に、２．０３（Ａ９
）が０４２（試料Ａ１０）に夫々低下していた。該強度
比と透磁率の測定は、各試料は、裏作したターゲットか
ら小片を切）出し、王水で表面をエツチングして切り出
しによって生じた加工層をとり除いた後測定した。夫々
の透磁率についても表１に示すように、冷間加工により
夫々著しく低下することが確認された。
の割合添加した各種配合組成から成る全てのＣｏ基合金
材が使用できる。この配合組成のｃｏ基合金を溶融物と
したものを、所定の鋳型に注入しそのま＼常温まで冷却
したり、或は常温まで冷却する前の熱いうちに熱間加工
を行ない所定の厚さの板状とする。かくして、その冷却
過程でＦＣＣ相の１部はＨＣＰ相に変るいわゆるマルテ
ンサイト変態する。このように製造したもののＩＦＣＣ
（２００）／Ｉ ＨＣＰ （１０１）のＸ線回折ピーク
強度比は、例えば、下記表１に示すように、０ｏ−２０
ａｔ％Ｎｉ−１０ａｔ％Ｏｒから成るＣｏ基合金（試料
Ａ Ｉ ） 、 Ｃｏ−１６ａｔ ％ Ｏｒから成るＣ
ｏ基合金（試料Ａ ５ ） 、 Ｏｏ −２０ａｔ％Ｎ
ムー１０ａｔ ％ Ｐｔから成るＣｏ基合金（試料Ａ７
）、及び０ｏ−２５ａｔ％Ｎｉから成るＣｏ基合金（試
料Ａ９）は、夫々１．７５ 、１．９０ 、１．６５及
び２．０３であった。本発明によれば、これらの試料の
夫々に、冷間加工を例えば冷間圧延を施した。この時そ
の断面積収縮率が５チ以上となるように圧縮した。その
結果、表１に示す本発明の夫々のＣｏ基合金スパッタタ
ーゲットのＩＦＣＣ（２００）／ＦＨＣＰ （１０１）
の強度比は）試料＆１の冷間加工品については、５チの
断面積収縮率で、 １．２１と低下した（試料７伍２
）。その断面積収縮率を１０チ、１５チと増大すると、
これに伴ないその強度比も、 ０．３（１，０，３０
と低下した（試料高３．Ａ４）。試料煮５．颯７及び息
９についてもその冷間加工品の前記の強度比は、１．９
０（Ａ５）が０．４５（試料煮６）に、１．６５ （Ａ
７ ）が０．３５（試料Ａ ８ ）に、２．０３（Ａ９
）が０４２（試料Ａ１０）に夫々低下していた。該強度
比と透磁率の測定は、各試料は、裏作したターゲットか
ら小片を切）出し、王水で表面をエツチングして切り出
しによって生じた加工層をとり除いた後測定した。夫々
の透磁率についても表１に示すように、冷間加工により
夫々著しく低下することが確認された。
次に、これらの各試料について、５インチ×８インチの
大きさのＤｏマグネトロン力フードを用いて、その夫々
のターゲット特性を検ぺた。
大きさのＤｏマグネトロン力フードを用いて、その夫々
のターゲット特性を検ぺた。
表中、相対ターゲットの厚さとは、磁極間中心位置で６
００Ｇの平行磁界が発生しているカソード上に、各種試
料ターゲットを設置して、 ２５ＣＩＧの漏洩磁界が表
面に発生するときのターゲットの厚さである。表１の各
試料の相対的厚さの値から分かるように、冷間加工した
場合の本発明の各Ｃｏ基合金ターゲット試料は冷間加工
しない試料に比し、その厚さを著しく増大できることが
分る。又、各試料につき、５■厚の夫々のターゲットを
設置して、表面漏洩磁界が２５０Ｇになるようにカッ−
１−′を調節した後、使用しプラズマが二ローション内
に集中してターゲットが局部的に消費しその局部での最
大エロージョン部の厚さがＯとなったときのターゲット
使用効率を測定した。その結果は、表１に示す通りで、
本発明の冷間力ロエ処理したターゲットは冷間加工しな
いターゲットに比しその使用効率が著しく向上すること
が分る。
００Ｇの平行磁界が発生しているカソード上に、各種試
料ターゲットを設置して、 ２５ＣＩＧの漏洩磁界が表
面に発生するときのターゲットの厚さである。表１の各
試料の相対的厚さの値から分かるように、冷間加工した
場合の本発明の各Ｃｏ基合金ターゲット試料は冷間加工
しない試料に比し、その厚さを著しく増大できることが
分る。又、各試料につき、５■厚の夫々のターゲットを
設置して、表面漏洩磁界が２５０Ｇになるようにカッ−
１−′を調節した後、使用しプラズマが二ローション内
に集中してターゲットが局部的に消費しその局部での最
大エロージョン部の厚さがＯとなったときのターゲット
使用効率を測定した。その結果は、表１に示す通りで、
本発明の冷間力ロエ処理したターゲットは冷間加工しな
いターゲットに比しその使用効率が著しく向上すること
が分る。
第１図及び第２図は、 Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ−１０ａ
ｔ％Ｏｒのターゲットを代表例として、Ｘ線回折ピーク
強度比Ｌ ｒｃｃ（２ｏｏ）／ＩＨｏｐｏｏｘ）と前記
相対ターゲット厚さとの関係及び前記ターゲット使用効
率との関係を夫々示したもので該強度比が小さくなるに
従いターゲット厚さ及びターゲット使用効率は夫々増大
することが分る。
ｔ％Ｏｒのターゲットを代表例として、Ｘ線回折ピーク
強度比Ｌ ｒｃｃ（２ｏｏ）／ＩＨｏｐｏｏｘ）と前記
相対ターゲット厚さとの関係及び前記ターゲット使用効
率との関係を夫々示したもので該強度比が小さくなるに
従いターゲット厚さ及びターゲット使用効率は夫々増大
することが分る。
第３図は、仝様に、０ｏ−２０ａｔ Ｎｉ−１０ａｔ％
Ｏｒのターゲットを代表例として、Ｘ線回折ピーク強度
比ＩＦＣＣ（２００）／ＩＨＣＰ（１０１）とターゲッ
トの断面積収縮率を示したもので、該収縮率が大きくな
るに従い該強度比が小さくなることが分る。
Ｏｒのターゲットを代表例として、Ｘ線回折ピーク強度
比ＩＦＣＣ（２００）／ＩＨＣＰ（１０１）とターゲッ
トの断面積収縮率を示したもので、該収縮率が大きくな
るに従い該強度比が小さくなることが分る。
尚、実施例ではＤｏマグネトロンスパッタの場合を述べ
たが、他のスパッタ法、例えば、几Ｆマグネトロン、同
軸マグネトロン、３極マグネトロン等の磁界を用いてプ
ラズマを制御する型のすべてのスパッタ法に適用できる
。
たが、他のスパッタ法、例えば、几Ｆマグネトロン、同
軸マグネトロン、３極マグネトロン等の磁界を用いてプ
ラズマを制御する型のすべてのスパッタ法に適用できる
。
（発明の効果）
本発明によれば、ＣＯ基合金材を高温のＦＣＣ相単相よ
り冷却しその１部Ｉ ＨＣＰ相を生ぜしめていわゆるマ
ルテンサイト変態音生ぜしめたものに冷間歪を生ぜしめ
てＸ線回折ピーク強度比Ｉ ＦＣＣ（２００）／ＩＨＣ
Ｐ （１０１）の値を低下せしめたものをスパッタター
ゲットとしたので、冷間加工を施さないものに比し、そ
の厚さを厚くしても表面漏洩磁界を容易に発生せしめる
ことができると共にその肉厚としたものに伴ないターゲ
ットの使用効率を向上でき、又その厚さを同じものとし
た場合は、磁界発生装置或は消費電力を必要に応じ小さ
くできる等の効果を有する。
り冷却しその１部Ｉ ＨＣＰ相を生ぜしめていわゆるマ
ルテンサイト変態音生ぜしめたものに冷間歪を生ぜしめ
てＸ線回折ピーク強度比Ｉ ＦＣＣ（２００）／ＩＨＣ
Ｐ （１０１）の値を低下せしめたものをスパッタター
ゲットとしたので、冷間加工を施さないものに比し、そ
の厚さを厚くしても表面漏洩磁界を容易に発生せしめる
ことができると共にその肉厚としたものに伴ないターゲ
ットの使用効率を向上でき、又その厚さを同じものとし
た場合は、磁界発生装置或は消費電力を必要に応じ小さ
くできる等の効果を有する。
第１図は、 Ｏｏ基合金スパッタターゲットのＸ線回折
ピーク強度比ＩＦＣＣ（２００）／ＩＩ（ＯＰ（１０１
）とターゲットの厚さとの関係を示すグラフ、第２図は
仝強度比とターゲット使用効率との関係を示すグラフ、
第３図は仝強度比と断面積収縮率との関係を示すグラフ
である。 第１図 ”ＦＣＣ（２ωゾＩ）ＩｃＰ（１０１）第２図 第３図 断ｉ檀収１憶阜（％）
ピーク強度比ＩＦＣＣ（２００）／ＩＩ（ＯＰ（１０１
）とターゲットの厚さとの関係を示すグラフ、第２図は
仝強度比とターゲット使用効率との関係を示すグラフ、
第３図は仝強度比と断面積収縮率との関係を示すグラフ
である。 第１図 ”ＦＣＣ（２ωゾＩ）ＩｃＰ（１０１）第２図 第３図 断ｉ檀収１憶阜（％）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｃｏ基合金スパッタターゲットにおいて、そのＸ線
回折のＦＣＣ（２００）ピークとＨＣＰ（１０１）ピー
クの強度比Ｉ＿Ｆ＿Ｃ＿Ｃ（２００）／Ｉ＿Ｈ＿Ｃ＿Ｐ
（１０１）の値が、その合金を高温のＦＣＣ単相領域よ
り常温まで冷却した時点における値よりも小さい値を有
することを特徴とするＣｏ基合金スパッタターゲット。 ２、Ｃｏ基合金材を高温のＦＣＣ単相領域より冷却した
ものを冷間加工することを特徴とするＣｏ基合金スパッ
タターゲットの製造法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP61158755A JPS6314864A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | Ｃｏ基合金スパツタタ−ゲツトおよびその製造法 |
| DE87109731T DE3787679T2 (de) | 1986-07-08 | 1987-07-06 | Target aus Kobalt-Basis für Kathodenzerstäubung und Verfahren zu seiner Herstellung. |
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| US07/070,441 US4832810A (en) | 1986-07-08 | 1987-07-07 | Co-based alloy sputter target and process of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61158755A JPS6314864A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | Ｃｏ基合金スパツタタ−ゲツトおよびその製造法 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS6314864A true JPS6314864A (ja) | 1988-01-22 |
| JPH0249384B2 JPH0249384B2 (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=15678630
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| JP (1) | JPS6314864A (ja) |
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-
1986
- 1986-07-08 JP JP61158755A patent/JPS6314864A/ja active Granted
-
1987
- 1987-07-06 EP EP87109731A patent/EP0252478B1/en not_active Revoked
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- 1987-07-07 US US07/070,441 patent/US4832810A/en not_active Expired - Lifetime
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