KR20010042157A - 염료를 함유하는 광전지의 제조방법 - Google Patents

염료를 함유하는 광전지의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010042157A
KR20010042157A KR1020007010593A KR20007010593A KR20010042157A KR 20010042157 A KR20010042157 A KR 20010042157A KR 1020007010593 A KR1020007010593 A KR 1020007010593A KR 20007010593 A KR20007010593 A KR 20007010593A KR 20010042157 A KR20010042157 A KR 20010042157A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrode layer
electrode
transparent
photovoltaic cell
Prior art date
Application number
KR1020007010593A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100588184B1 (ko
Inventor
미드델만에릭
쉬롭프루돌프엠마누엘이시도르
살라프스키죠수아사무엘
Original Assignee
샬크비즈크 피이터 코르넬리스; 페트귄터
아크조 노벨 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 샬크비즈크 피이터 코르넬리스; 페트귄터, 아크조 노벨 엔.브이. filed Critical 샬크비즈크 피이터 코르넬리스; 페트귄터
Publication of KR20010042157A publication Critical patent/KR20010042157A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100588184B1 publication Critical patent/KR100588184B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M14/00—Electrochemical current or voltage generators not provided for in groups H01M6/00 - H01M12/00; Manufacture thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/344—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising ruthenium
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)

Abstract

본 발명은 제1 전극층, 양성의 짝전하로부터 발광성 전자를 공간적으로 분리시킬 수 있도록 감광성 염료 또는 색소의 층을 갖춘 투명한 광대역 간극의 반도체층, 전해물층, 촉매층 및 제2 전극층의 순서로 이루어진 광전지의 제조방법에 관한 것으로서,
상기 제1 전극층 및 반도체층 및/또는 제2 전극층 및 촉매층은 후에 제거되는 가요성 임시 기판상에 부착되고, 임시 기판상에 부착되는 전극 또는 전극들은 투명하며, 상기 광전지는 압연 방법으로 제조되며, 공정 조건을 선택하는데 더 큰 선택성을 제공하는 것을 특징으로 한다.

Description

염료를 함유하는 광전지의 제조방법{METHOD FOR MAKING A PHOTOVOLTAIC CELL CONTAINING A DYE}
본 발명은 적어도 제1 전극층, 양성의 짝전하로부터 발광성 전자를 공간적으로 분리시킬 수 있도록 감광성 염료 또는 색소의 (단일)층을 갖춘 투명한 광대역 간극(및 바람직하게 높은 표면적)의 반도체층, 전해물층, 촉매층 및 제2 전극층의 순서로 이루어진 광전지(PV)를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 적어도 하나의 전극층은 투명하다. 예를들면 태양광은 전력을 발생시키는데 사용될 수 있으며, 가령 광전지는 흥미로운 대체 에너지원으로서, 화석 연료 또는 핵전력보다 더 청정한 것이다.
광전지를 제조하는 방법은 당분야에, 예를들면 WO 91/16719에 알려져 있다. 상기 국제특허 출원에서는 (예를들면 도 1과 결부된 실시예 34 참조) 유리판 또는 투명 중합체 시트상에 부착된 전극층으로 광투과 전기전도성층(통상 투명 전도성 산화물 또는 TCO로 언급함)으로 이루어진 광전지를 기술하고 있다. TCO의 상부에는 염료를 충전시킨 몇개의 TiO2층이 부착되어 있다. 마지막의 TiO2층은 전해물층, 촉매층과, 또한 TCO일 수 있는 역- 또는 후부-전극층으로 덮는다.
TCOs 중 적어도 하나가 소망하는 성질(특히 투명도) 및 구조를 갖도록, 적어도 400℃의 온도에서 바람직하게 형성된다. 또한, 주로 이산화티탄으로 이루어진 반도체층이 유사한 온도에서 소결시키는 것이 바람직하고, 많은 구체예에서, 촉매층이 350℃ 이상의 온도로 처리된다. 이때문에 상기 형태의 광전지를 형성할때 가해지는 층들로 적당한 투명 기판은 특히 유리기판 또는 높은 온도 저항성을 갖는 투명 중합체 시트로 한정된다. 상기 물질은 강체이거나 또는 꽤 비용이 비싸다.
PV전지가 매우 경제적으로 매혹적인 대체예가 되도록하기위해서, 상기는 적당한 형태(덜 강체이고, 덜 벌키함)로 제공될 수 있고, 비교적 저념한 원료를 사용하여 상대적으로 적은 비용으로 제조될 수 있다. 그러므로, 첫문단에서 기술된 바와같이 광전지가 압연 방법으로 제조되는 것이 요구되며, 동시에 소망하는 투명 전도물질, 부착방법 및 소결방법이 사용될 수 있고, 투명 기판으로 비싸거나 또는 강체를 사용하지 않는다. 상기의 조건 및 다른 소망하는 목적이 본 발명에 의해서 만족될 수 있다.
본 발명은 유기 광전지를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 제1 전극층 및 반도체층이 후에 기판에서 제거되는 가요성 임시 기판에 부착되고, 및/또는 제2 전극층 및 촉매층이 기판에서 후에 제거되는 가요성 임시 기판에 부착되며, 임시 기판위에 부착되는 전극 또는 전극들은 투명하다.
상기 단계 및 순서는 필수적으로 PV전지를 가요성 박막의 형태로 압연방법을 사용하여 제조될 수 있고, 대부분의 구체예에서, 유리 기판상에서 제조되는 유사한 PV전지의 경우에 관습적으로 소망하는 제조순서의 적어도 일부가 여전히 유지된다. 본 발명에 있어서, 임시 기판은 최종의 PV박막의 기능에 대해 요구되는 (기판의) 투명도 또는 다른 성질(가요성, 내구성 등)에 관련하지 않고 공정단계가 추가되도록(제1 또는 제2 투명전도성 층을 고온에서 사용하고, 반도체층을 소결하고 및 촉매층을 형성한다)선택될 수 있다.
일본공개공보 1980-143706에서는 기판의 표면에 투명 전기전도성(TCO)층을 형성하고, 전도성 층에 중합체 생성물(예를들면 필름 또는 렌즈)을 형성하고, 상기 기판을 제거한다고 기술되어 있다. 이와같이, 상기 TCO층 및 그의 부착방법(온도 및 기간에 있어서)이 자유롭게 선택될 수 있다. 상기 문헌은 종래(유기 광전지 대신에 형성된 중합체 생성물)와는 다른 기술분야에 관련된 것이며, 투명 중합체는 임시 기판을 제거한 후 대신에 제거전에 TCO에 가해질 수 있다고 개시되어 있다. 이와같이 당업자는 WO 91/16719 공보와는 조합되지 않으며, 만약에 그렇게 하면 본 발명에 따른 방법을 이룰 수 없다.
일본 교토의 1990년 Technical Digest of the International PVSEC-5에서 645-648페이지에 기시(Kishi)의 "Ultralight Flexible Amorphous Silicon Solar Cell and Its Application for an Airplane"에서는 투명 플라스틱 필름상에 각 층들을 부착시킴에 의해서 제조된 태양전지를 기술하고 있다. 임시 기판은 기술되어 있지도 않고, 암시하지도 않았다.
WO 97/15959에서는 가요성 중합체 기판상에 제공되는 작업전극 및 역전극으로 이루어진 전기화학적 전지를 기술하고 있다. 상기 작업전극은 페이스트형태로 부착되는 반도체 필름으로 이루어져 있고, 건조되고, 200℃미만의 온도에서 소결된다. 임시 기판의 사용은 기술되어 있지 않다.
일본공개특허 출원 89-119072에서는 임시 기판의 표면에 내열성, 가요성 및 전기절연성 투명 플라스틱층을 형성하고, 연속적으로 그 위에 TCO, 반도체층, 후미 전극 및 담체를 부착시키는 단계로 이루어진 PV전지를 제조하는 방법이 기술되어 있다. 그리고, 상기 임시 기판이 제거된다. 본 발명의 방법에서는 TCO가 투명 플라스틱층 대신에 임시 기판상에 피복된다는 점에서 상기 방법은 본 발명의 방법과는 다른 것이다. 상기는 본 발명에 따른 방법에 있어서, 임시 기판의 제거후 TCO에 선택적으로 가해질 수 있는 투명층이 TCO 및 추가의 층을 사용하는 동안 우세한 조건에 저항성을 갖지 않는다는 잇점이 있다.
제1 전극층 면의 임시 기판이 제1 전극층과 반도체가 사용된 후에 제거된다. 적어도 염료 및 전해물은 임시 기판이 제거되기 전에 또한 사용되는 것이 바람직하다.
기판 또는 기판들을 제거하기전에 모든 필수층들을 적층함에 의해서 추가의 기계적 세기가 제공될 수 있다. 상기는 촉매층 및 반도체층의 접촉면에서와 함께 두개의 분리 제조된 성분들(하나는 적어도 제1 전극층, 반도체층 및 염료로 이루어지고, 다른 것은 적어도 제2 전극층 및 촉매층으로 이루어짐)을 스폿결합(spotbonding)시킴에 의해서 바람직하게 실시될 수 있다. 상기의 경우에, 전해물이 반도체층과 촉매층사이의 공간으로 채워진다.
또한 (최종)임시 기판을 제거하기전에 담체층을 가하는 것이 바람직하며, 이는 얇은 PV 박막이 가능한 많은 공정단계동안 지지되고, 상기 박막이 충분한 세기 및 굽힘 강성을 나타내도록 유지된다. (최종) 임시 기판을 제거한 후에, 노출된 전극은 바람직하게 담체층 또는 투명층을 갖추며, 추가적으로 PV 박막 및/또는 최종 생성물의 기계적 성질 및 경계성이 추가된다. 물론 담체층을 갖는 양쪽 전극을 제공하는 것에 국한되는 것은 아니다. 적어도 전극들 중 하나는 투명층을 갖추거나 또는 피복되지 않는다. 투명층을 제공하는 것은 생성물의 내구성을 증가시키기때문에 바람직하다.
효율적으로 밀봉하기위해서, 제1 전극층의 담체층 또는 투명층과, 제2 전극층의 담체층 또는 투명층은 적어도 두개의 마주보는 면에서 전지의 내부층을 넘어서까지 확장된다. 이와같이, 상기 전지는 가장자리를 용접 또는 아교를 사용한 부착에 의해서 쉽게 밀봉될 수 있고, 전극은 단락을 일으키지 않는 과정을 유지하고, 염료를 충전시킨 PV전지가 갖는 지속성 문제를 해결하였다.
(제1)투명 전기전도성 층이 실질적으로 냉각되기전에(예를들면, 여전히 따뜻하게) 상기 층상에 반도체층을 피복하는 것이 유익하며, 이는 층들 사이의 접촉을 향상시키고, 오염을 덜 일으키며, 더 바람직한 기계적 및 전기-광학적 성질을 갖게 된다.
임시 기판 자체 및 이를 제거하는 방법(적당하게 용해 또는 부식에 의해서)은 당업자에 의해서 큰 어려움없이 선택될 수 있다. 이와같이, 상기 임시 기판은 예를들면 조사되자마자 감광성 물질인, 가교된 폴리이미드가 용매 저항성에서 용매 추출성으로 변화될 수 있는 "양성" 감광성 내식막일 수 있다. 저 비용의 물질을 사용하여 본 발명의 목적을 만족시키기위해서, 상기는 바람직한 선택의 기판이라 할 수 없다. 이러한 측면에서 플라즈마 부식(예를들면 O2플라즈마 또는 예를들면 폴리실록산 중합체, SF6플라즈마)에 의해서 제거될 수 있는 중합체를 사용하는 것이 더 바람직하다. 이와같이 염기성의 특정 중합체가 적당하며, 상기에 있어서 높은 온도를 유지할 수 있는 중합체를 사용하는 것이 바람직하다(250℃, 바람직하게는 400℃ 이상).
참고로, 본 발명에 따른 임시 기판은 금속 또는 금속 합금박이다. 상기에 대한 주된 이유는 상기 박막이 추가적인 공정에서 더 높은 온도를 유지할 수 있고, 실제적으로 휘발성 성분을 분비하지 않으며, 공지된 부식 기술을 사용하여 상대적으로 쉽게 제거될 수 있다는데 있다. 금속, 통상 알루미늄 또는 구리를 선택하는 다른 이유는 PV 박막이 최종적으로 "부"전극을 함유한다는 것이다(전력원으로 PV 박막을 실제적으로 사용하기위해서 보조 장치 또는 네트에 연결되기위해서 접점을 형성). 임시 기판의 일부를 유지시킴에 의해서(예를들면 측면 가장자리 또는 스트립으로) 상기 접점들이 분리적으로 사용될 필요는 없다.
적당한 금속으로는 강철, 알루미늄, 구리, 철, 니켈, 은, 아연, 몰리브덴, 크롬, 바나듐, 마그네슘 및 그의 합금 또는 그의 다중층을 포함하며, 경제적인 이유에서 Fe, Al, Cu 또는 그의 합금을 사용하는 것이 바람직하다. 성능에 있어서(비용면과 결부되어), 알루미늄, 전착된 철 및 전착된 구리가 매우 바람직하다. 적당한 부식 기술이 공지되어 있으며, 다른 금속이 상기의 기술을 사용하여 당업자에 의해서 선택될 수 도 있다. 바람직한 부식제는 산(브뢴스테드산 뿐만아니라 루이스산)을 포함하고, 예를들면 금속박으로 구리의 경우에, FeCl3, 질산 또는 황산을 사용하는 것이 바람직하다. 알루미늄은 가성소다(NaOH)에 의해서 효과적으로 제거될 수 있다.
제거 가능성에 있어서, 임시 기판은 가능한 얇은 것이 바람직하다. 물론, 그위에 추가의 층을 가할 수 있고, 상기와 함께 유지될 수 있지만, 대개 500㎛ 이상의 두께는 요구되지 않는다. 바람직하게, 상기 두께는 1 내지 200㎛이다. 탄성율에 의존하여, 대부분의 물질은 최소 5㎛의 두께가 요구되며, 바람직한 범위는 5 내지 150㎛이고, 더 바람직하게는 25 내지 100㎛의 두께를 갖는 것이다.
상기 임시 기판은 전착된(예를들면 아연도금) 금속층일 수 있다. 전착된 금속박막으로 구리를 선택하는 것이 바람직하다. 그러나 구리는 PV층을 통해서 분산되는 경향이 있기 때문에 구리박(아연도금된)에 환원되지 않은 분산경계, 예를들면 내식성층으로, 통상 산화아연을 제공하거나, TiO2, Al2O3, SnO2또는 ZnO와 같이 분산을 방지할 수 있는 투명전도체를 선택하는 것이 바람직하다. 상기 내분산성 층이 물리적 증착(PVD) 또는 화학적 증착(CVD)에 의해서 전기적으로 사용될 수 있다.
구리박이 내분산성층으로 제공되는 대신에, 대체로 임시기판을 제거할 수 있으며, 또한 구리박에 적당한 종류의 유리층을 제공할 수 있다. 상기 유리층은 필수적으로 투명하며, 영구적이여서, 투명 전도성층에 대한 보호창으로 제공된다. 경제적인 이유로, 압연시키기위해서, 상기 유리층은 매우 얇으며, 예를들면 10-1000nm, 바람직하게는 100 내지 200nm의 두께이다. 상기 층에 대한 적당한 사용방법은 예를들면 SiH4의 PECVD(플라즈마 증강 화학적 증착) 및 N2O(플라즈마 옥시드)이고, B2H6와 같은 적당한 첨가제를 첨가함에 의해서 유익한 투명도를 갖는 보론-실리케이트 유리를 형성한다. APCVD 실리콘 옥시드를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 TCO 또는 TCOs가 공지된 방법으로, 예를들면 금속 유기 화학적 증착(MOCVD), 스퍼터링, 대기압 화학적 증착(APCVD), PECVD, 분사식 열분해, 증발(물리적 증착), 전착, 스크린 날염, 졸-겔 공정 등을 사용하여 부착될 수 있다. 투명한 전도성 층이 180℃ 이상, 바람직하게는 400℃ 또는 500℃ 이상의 온도에서 가해져서, 유익한 성질 및/또는 구조를 갖는 투명한 전도성 층을 수득할 수 있다.
투명 전도성 층으로 사용되는데 적당한 물질의 예로는 인듐 산화주석, 산화아연, 불소-, 알루미늄- 또는 붕소-혼입 산화아연, 황화카드뮴, 스태네이트 카드뮴, 산화카드뮴, 산화주석 및 더욱 바람직하게는 안티몬- 또는 특히 불소-혼입 산화주석이 있다. 상기 마지막의 투명 전극 물질은 400℃이상, 바람직하게는 500-600℃의 온도로 사용된다면 원주상의, 광-분산구조를 갖는 소망하는 결정 표면을 형성할 수 있어서 바람직하다. 특히 상기 전극 물질을 가지고, 임시 기판의 선택(높은 온도에서 허용되는) 및 특히 구조적 전착된 금속 기판의 선택은 더 큰 잇점을 갖는다. 또한, 상기 물질은 사용되는 더욱 바람직한 부식제에 대하여 저항성을 나타내는 잇점이 있으며, 인듐 산화주석보다 화학적 내성 및 광-전기적 특성을 갖는다는 잇점이 있다. 반면에 덜 비용이 든다.
상기에 언급된 바와 같이, 반도체, 예를들면 이산화티탄이 가해져서 (제1) TCO의 부착 전 또는 후에 소결된다. 특히 나노결정 필름(nanocrystalline film)을 사용하기 위한 혼입-코팅, 스크린 날염 및 페인팅 방법이 연속적인 형태(압연)로 실시될 수 있다. 상기 반도체가 분무식 열분해 또는 CVD에 의해서 투명 전기전도성 층에 직접 부착된다면, 더 적은 단계가 더 요구되고, TCO와의 접착이 개선되고, 상기 층의 다공성이 우수하다.
이산화티탄의 경우에, TiCl3및 H2O의 방울이 예열처리된 표면(예를들면 임시 기판 또는 TCO)에 분무된다. 상기 TiCl3방울은 열판에 접근하는 경우 증발된다. 표면에서, 화학적 증기 반응이 일어나서 상기 표면에서 산화티탄 및 기체성 염산의 다공성이 생긴다.
감광성 염료가 용액내 침지, 염색 피복, 진공증발, 랑그뮈어 블로제트 피복 등에 의해서 기해진다. 적당한 염료가 특히 WO 91/16719에 기술되어 있다. 특히 루테늄을 함유하는 염료가 바람직하다. 또한, 상기 염료는 그의 더 낮은 점유되지 않은 분자 오비탈(또는 LUMO)이 반도체의 전도성 밴드 가장자리보다 더 높은 것을 선택하는 것이 바람직하다.
상기 전해물이 함침, 브러싱, 캐스팅 등에 의해서 가해진다. 다시, 적당한 전해물은 특히 WO 91/16719에 기술되어 있다. 특히 바람직한 전해물은 요오드/요오드화 산화환원 커플을 함유하는 에틸렌 카보네이트 및 프로필렌 카보네이트의 혼합물과 요오드/요오드화 산화환원 커플을 함유하는 용융된 염이 있다. 중합성 및 세라믹 전해물이 또한 매우 적당하다.
상기 촉매층은 바람직하게 백금 또는 탄소 입자으로 이루어지지만, 다른 촉매를 제외시키는 것은 아니다. 많은 구체예에서 상기 촉매층이 연속적인 필름으로 이루어지는 것은 아니고, 다수의 불연속 입자로 이루어질 것이다.
투명하지 않은 전극층은 적당한 물질, 바람직하게 알루미늄, 은, 또는 양쪽 층의 조합으로 이루어질 수 있다. 상기 금속층은 (진공에서) 물리적 증착(증발) 또는 스퍼터링에 의해서 가해질 수 있으며(바람직하게, 비교적 낮은 온도인, 예를들면 250℃ 미만), 선택적으로 스트립이 부식되는 자리에 부착되는 것을 막기위한 마스크 또는 마스킹 와이어를 사용할 수 있다. 은의 경우에, 부착 촉진층을 먼저 가하는 것이 바람직하고, 예를들면 TiO2및 ZnO가 적당한 두께로 사용될 수 있는(예를들면 약 80nm) 잇점을 갖는 적당한 물질이다.
상기에 언급된 담체는 투명할 필요는 없으며, 결국 진짜의 기판을 형성한다(상기 층은 공정동안 "임시 기판"을 나타내고, 박막의 앞측면 또는 상부에 놓이는 기판이다). 상기 담체층에 대한 적당한 물질은 중합성 박막, 가령 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리(에틸렌 2,6-나프탈렌 디카르복실레이트), 폴리비닐 클로라이드 또는 고수행력의 중합체 박막으로 가령 아라미드 또는 폴리이미드 박막을 포함할 뿐만아니라, 예를들면 절연(유전성) 상부층, 유리판 또는 에폭시 및 유리로 이루어진 성분을 갖춘 금속박을 함유한다. 담체층보다 낮은 연화점을 갖는 열가소성 부착층으로 이루어진 중합성 공-압출된 박막이 바람직하다. 선택적으로 상기 공-압출된 박막은 분산성이 없는 층이 제공된다(예를들면, 폴리에스테르(PET), 코폴리에스테르, 또는 알루미늄). 상기 담체의 두께는 50㎛ 내지 10㎜이다. 더 바람직하게는 75㎛ 내지 6㎜, 100㎛ 내지 1㎜ 및 150㎛ 내지 300㎛이다. 상기 휨 강성(입방체의 담체 두께("t"(mm))에 물질의 탄성율(E(N/㎟))을 곱하는 것으로서 본 발명의 구성안에서 정의됨:E×t3)은 16×10-2N㎜보다 큰 것이 바람직하며, 보통 15×106N㎜보다는 작다.
상기 담체(최종적인 기판) 자체가 한정된 사용에서 요구되는 구조일수도 있거나 또는 구조를 포함할 수 있다. 이와같이, 상기 담체는 타일 또는 타일 세트, 지붕타일, 지붕널, 차의 지붕, 이동주택용 지붕 등 일 수 있다. 그러나 대개 상기 임시 기판 및/또는 담체는 가요성인 것이 바람직하다.
상기 언급된 투명층이 대개 높은 투과율, 가령 무정질의 (퍼)플루오르화 중합체, 폴리카보네이트, 폴리(메틸 메타크릴레이트), 또는 자동차 산업에서 사용될 수 있는 특정의 이용가능한 클리어 코트를 갖는 중합성 필름이다. 상기 투명박막의 두께는 적어도 25㎛, 바람직하게는 적어도 50㎛일 수 있다. 소망한다면, 추가의 반사저항성, 분산저항성 또는 방오성 층이 사용될 수 있다.
또한, 최종의 공정단계 후에, 박막의 휨 강성(휨 강성은 대개 담체의 일부 및 상부 코트에 대해서 측정될 것이다)은 중간 생성물 중 하나의 휨 강성보다 더 크다.
본 발명에 따른 PV전지는 일련의 외부장치에 매우 쉽게 연결될 수 있다(예를들면 상기 장치는 밀봉된 부피내에서 통합되지는 않는다). 그러나 당업자는 밀봉된 부피내에서 분리적으로 연결된 서브-단위를 제공하는 것은 어렵지 않다.
상기 용어 중 "투명"은 PV전지에 의해서 전지전류로 전환될 수 있는 입사광의 적어도 40%, 바람직하게 적어도 60%를 투과시키는 것을 의미한다.
TCOs는 또한 광대역 간극 반도체이다. 그러나 본 발명의 구성안에서, "투명 광대역 간극 반도체"는 염료를 충전시킨 층을 언급하는데 사용된다.
본 발명은 한정되지 않은 실시예에 의해서 설명될 것이다.
하기의 실시예에서, TiO2의 나노결정 필름이 SnO2필름을 갖춘 가요성 알루미늄 기판상에 콜로이드를 도포함에 의해서 제조된다(예를들면 제1 전극). 상기 콜로이드는 J.Am. Chem. Soc. 1993, 제115권, 6382-6390페이지에 기술되어 있는 M.K. Nazeeruddin등의 "Conversion of light to Electricity by cis-X2Bis(2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylate)ruthenium(II) Charge-Transfer Sensotizers(X=Cl-, Br-, I-, CN-, 및 SCN-) on Nanocrystalline TiO2Electrodes" 에 따라서 제조된다. 그리고 상기 기판 및 필름이 450℃의 공기 오븐에서 15분동안 굽는다. 구운 후, 상기 필름 및 기판은 M. Nazeeruddin 등에 기술된 것과 같이 염료의 용액으로, 예를들면 아세토니트릴내 0.5mM의 Ru(II)-시스-디(이소티오시아네이토)비스(2,2'-비피리딜-4,4'-디카르보실레이트에 담근다. 상기는 나노결정 필름상에 대략 한 층의 표면 흡착 염료가 생긴다.
실시예 1
수득된 Al/SnO2/나노결정 TiO2-염료 필름을 Al/ITO 역(또는 제2) 전극으로 덮는다. Pt 그레인으로 피복시킨(예를들면 촉매) Al/ITO 전극은 소량의 헥사클로로백금산(이소프로판올내 0.1mM)으로 처리하고, 15분동안 380℃에서 어닐한다.
0.5M의 KI 및 0.05M의 I2를 갖는 에틸렌 카보네이트 및 프로필렌 카보네이트 50:50 혼합물로 이루어진 액체 전해물이 나노결정 네트워크를 채우는데 사용되고, 모세관력에 의해서 상기 네트워크의 공극으로 흡입된다. 상기 가요성 Al/SnO2/나노결정 TiO2-염료 다중층 스택이 Al/ITO/Pt 판에 대해서 압연되지 않고, 장치의 전체 영역에 대해서 평평하게 사용되도록 전해액을 가한다.
연속적으로 제2 전극의 한 면에서 알루미늄이 제거된다.
실시예 2
실시예 1에서 명시된 것과 같이 제조된다. 그러나 장치의 구체예에서 음극 및 양극 담체의 연결 및 밀봉 후 제1 전극 면의 알루미늄이 부식되어, SnO2를 노출시킨다. 상기 SnO2가 연속적으로 중합체 캡슐에 의해서 보호된다.
실시예 3
역전극(음극)이 양극에 대해서 사용되는 것과 같은 Al/SnO2박막으로 제조되며, 실시예 1에서 명시된 것과 같이 제조된다. 상기 Al/SnO2음극이 실시예 1에서와 같이 헥사클로로백금산으로 먼저 처리된다. 상기 Al/SnO2/나노결정 TiO2-염료 양극 및 Al/SnO2/Pt 음극박막이 연결되고, 실시예 1에서와 같이 액체 전해액으로 두개의 박막 사이의 작은 공간 및 나노결정 TiO2-염료층내 공극을 채운다.
음극 및 양극 담체를 연결하고, 밀봉한 후에, 음극 또는 양극상에 알루미늄을 부식시키고, 표면에서 하나의 SnO2층을 노출시킨다. 상기 SnO2층이 중합체 캡슐에 의해서 보호될 수 있다.
상기에 기술된 각 장치의 전류/전압 곡선은 빛에 노출되자마자 전력을 발생시키는 것을 보여준다.

Claims (12)

  1. 제1 전극층, 양성의 짝전하로부터 발광성 전자를 공간적으로 분리시킬 수 있도록 감광성 염료 또는 색소의 층을 갖춘 투명한 광대역 간극의 반도체층, 전해물층, 촉매층 및 제2 전극층의 순서로 이루어진 광전지의 제조방법에 있어서,
    상기 제1 전극층 및 반도체층은 후에 제거되는 가요성 임시 기판상에 부착되고, 및/또는 제2 전극층 및 촉매층은 후에 제거되는 가요성 임시 기판상에 부착되며, 임시 기판상에 부착되는 전극 또는 전극들은 투명한 것을 특징으로 하는 광전지의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 층들의 연속물은 임시 기판 또는 기판들이 제거되기전에 함께 적층되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 층들의 연속물은 촉매층 및 반도체층의 접촉면에서 함께 스폿결합되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전극층은 반도체층과 떨어진 마주보는 면에 투명층 또는 담체층을 갖는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 전극층은 제1 전극층이 담체층을 갖고, 제2 전극층이 투명층을 갖거나 또는 그 반대의 경우라면 촉매층과 떨어진 마주보는 면에 투명층 또는 담체층을 갖는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 전극층상의 담체층 또는 투명층과 제2 전극층상의 담체층 또는 투명층이 적어도 두개의 마주보는 면에서 전지의 내부층을 넘어서 확장되고, 함께 밀봉되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체층은 이산화티탄을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제1 전극층이 따뜻한 동안 반도체층이 제1 전극층에 가해지는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체층이 CVD 또는 분무식 열분해에 의해서 제1 전극층에 직접 부착되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    광전지의 앞면에 전극층이 400℃ 이상의 온도에서 부착되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    가요성 임시 기판에 전극층의 부착은 압연방법에 의해서 실시되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 PV 전지가 압연방법에 의해서 제조되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조방법.
KR1020007010593A 1998-03-26 1999-03-19 염료를 함유하는 광전지의 제조방법 KR100588184B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP98200940.9 1998-03-26
EP98200940A EP0948004A1 (en) 1998-03-26 1998-03-26 Method for making a photovoltaic cell containing a dye

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010042157A true KR20010042157A (ko) 2001-05-25
KR100588184B1 KR100588184B1 (ko) 2006-06-08

Family

ID=8233514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020007010593A KR100588184B1 (ko) 1998-03-26 1999-03-19 염료를 함유하는 광전지의 제조방법

Country Status (13)

Country Link
US (1) US6613598B1 (ko)
EP (2) EP0948004A1 (ko)
JP (1) JP2002508573A (ko)
KR (1) KR100588184B1 (ko)
CN (1) CN1235295C (ko)
AT (1) ATE248429T1 (ko)
AU (1) AU741400B2 (ko)
CA (1) CA2325729C (ko)
DE (1) DE69910751T2 (ko)
ES (1) ES2205789T3 (ko)
PT (1) PT1066642E (ko)
WO (1) WO1999049483A1 (ko)
ZA (1) ZA200005074B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100624765B1 (ko) * 2004-06-25 2006-09-20 한국전기연구원 광감응형 태양전지와 ｐ-ｎ 접합 실리콘계 태양전지의복합구조를 갖는 태양전지 및 그 제조방법

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2335884A (en) * 1998-04-02 1999-10-06 Cambridge Display Tech Ltd Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices
WO2000022682A2 (en) * 1998-10-09 2000-04-20 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Solid-state photoelectric device
JP4638103B2 (ja) 1999-09-09 2011-02-23 アクゾ ノーベル ナムローゼ フェンノートシャップ 複合屋根外被部材
CN1245767C (zh) * 2000-06-15 2006-03-15 阿克佐诺贝尔股份有限公司 带可取下顶层的太阳能电池单元
CA2421257A1 (en) 2000-09-08 2002-03-14 Akzo Nobel N.V. Colored solar cell unit
DE60033038T2 (de) * 2000-11-24 2007-08-23 Sony Deutschland Gmbh Hybridsolarzelle mit thermisch abgeschiedener Halbleiteroxidschicht
EP1397837A2 (en) 2001-06-21 2004-03-17 Akzo Nobel N.V. Manufacturing a solar cell foil connected in series via a temporary substrate
NL1019701C2 (nl) 2001-12-21 2003-06-24 Akzo Nobel Nv Fotovoltaïsch dakbedekkingselement met relief.
KR101098065B1 (ko) * 2003-07-22 2011-12-26 아크조 노벨 엔.브이. 임시기판을 사용하여 태양전지 호일을 제조하는 프로세스
GB0319799D0 (en) * 2003-08-22 2003-09-24 Itm Power Ltd Photovoltaic cell
US7557433B2 (en) 2004-10-25 2009-07-07 Mccain Joseph H Microelectronic device with integrated energy source
EP1533818A1 (de) * 2003-11-14 2005-05-25 COMA Beteiligungsgesellschaft mbH Photoelektrochemische Solarzelle
KR100554179B1 (ko) * 2004-06-09 2006-02-22 한국전자통신연구원 전도성 금속 기판을 포함하는 구부림이 가능한 염료감응태양전지
DE102004042175A1 (de) * 2004-08-31 2006-03-23 Infineon Technologies Ag Sensorelement und Sensor
WO2006053889A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-26 Akzo Nobel N.V. Method for preparing flexible mechanically compensated transparent layered material
DE102004060737B4 (de) * 2004-12-15 2007-03-08 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von halbleitenden oder photovoltaisch aktiven Filmen
US7176543B2 (en) * 2005-01-26 2007-02-13 United Solar Ovonic Corp. Method of eliminating curl for devices on thin flexible substrates, and devices made thereby
DE102006014881A1 (de) * 2005-03-30 2006-11-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Oxidhalbleiterelektrode, farbstoffsensibilisierte Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
US8168880B2 (en) 2006-04-26 2012-05-01 Certainteed Corporation Shingle with photovoltaic element(s) and array of same laid up on a roof
US8319093B2 (en) 2006-07-08 2012-11-27 Certainteed Corporation Photovoltaic module
US8105868B2 (en) 2006-12-21 2012-01-31 Helianthos B.V. Method for making solar sub-cells from a solar cell
US20090007956A1 (en) * 2007-07-03 2009-01-08 Solasta, Inc. Distributed coax photovoltaic device
EP2073269A1 (en) 2007-12-21 2009-06-24 Helianthos B.V. Method for providing a series connection in a solar cell system
US8404967B2 (en) 2008-01-08 2013-03-26 Certainteed Corporation Photovoltaic module
EP2093804A1 (en) 2008-02-19 2009-08-26 Helianthos B.V. Solar cell system with encapsulant
CN101965640A (zh) * 2008-03-04 2011-02-02 索莱克山特公司 太阳能电池的制造方法
EP2457243A1 (en) * 2009-07-23 2012-05-30 Tata Steel UK Limited A method of manufacturing working electrodes for dye sensitised solar cells
US20110030773A1 (en) * 2009-08-06 2011-02-10 Alliance For Sustainable Energy, Llc Photovoltaic cell with back-surface reflectivity scattering
US8466447B2 (en) 2009-08-06 2013-06-18 Alliance For Sustainable Energy, Llc Back contact to film silicon on metal for photovoltaic cells
US20110203644A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 Brite Hellas Ae Quasi-solid-state photoelectrochemical solar cell formed using inkjet printing and nanocomposite organic-inorganic material
WO2012024648A2 (en) * 2010-08-20 2012-02-23 Integrated Photovoltaic, Inc. Photovoltaic cells
US20120067391A1 (en) 2010-09-20 2012-03-22 Ming Liang Shiao Solar thermoelectric power generation system, and process for making same
JP2015501226A (ja) * 2011-11-01 2015-01-15 ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン 有機感光性デバイスのための金属基板表面の調製方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01119072A (ja) * 1987-10-31 1989-05-11 Nitto Denko Corp 可撓性光電変換素子の製造方法
WO1991016719A2 (en) 1990-04-17 1991-10-31 Michael Graetzel Photovoltaic cells
JPH0458472A (ja) * 1990-06-26 1992-02-25 Hitachi Chem Co Ltd 光電変換体
DE4207659A1 (de) * 1992-03-11 1993-09-16 Abb Patent Gmbh Verfahren zur herstellung einer photoelektrochemischen zelle sowie eine demgemaess hergestellte zelle
CH686206A5 (it) * 1992-03-26 1996-01-31 Asulab Sa Cellule photoelectrochimique regeneratrice transparente.
JP3579078B2 (ja) * 1994-03-11 2004-10-20 石原産業株式会社 光電変換材料用半導体
JPH07288142A (ja) * 1994-04-15 1995-10-31 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd イオン伝導体およびそれを用いた光電変換素子
JP2756082B2 (ja) * 1994-04-28 1998-05-25 キヤノン株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
DE19514156A1 (de) * 1995-04-15 1996-10-24 Heidelberger Druckmasch Ag Photochemische Zelle
US5735966A (en) * 1995-05-15 1998-04-07 Luch; Daniel Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US5674325A (en) * 1995-06-07 1997-10-07 Photon Energy, Inc. Thin film photovoltaic device and process of manufacture
JP3387741B2 (ja) * 1995-07-19 2003-03-17 キヤノン株式会社 半導体素子用保護材、該保護材を有する半導体素子、該素子を有する半導体装置
AU7209496A (en) * 1995-10-24 1997-05-15 Isa Ag Arch Method for making an electrochemical cell, and resulting electrochemical cell
EP0784348B1 (en) * 1996-01-10 2003-06-25 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module having a specific surface side cover excelling in moisture resistance and transparency
RU2190901C2 (ru) * 1996-09-26 2002-10-10 Акцо Нобель Н.В. Способ производства фотоэлектрической фольги и фольга, полученная этим способом

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100624765B1 (ko) * 2004-06-25 2006-09-20 한국전기연구원 광감응형 태양전지와 ｐ-ｎ 접합 실리콘계 태양전지의복합구조를 갖는 태양전지 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
ES2205789T3 (es) 2004-05-01
AU741400B2 (en) 2001-11-29
CN1235295C (zh) 2006-01-04
EP0948004A1 (en) 1999-10-06
AU2934799A (en) 1999-10-18
EP1066642B1 (en) 2003-08-27
DE69910751T2 (de) 2004-07-08
JP2002508573A (ja) 2002-03-19
ATE248429T1 (de) 2003-09-15
US6613598B1 (en) 2003-09-02
DE69910751D1 (de) 2003-10-02
EP1066642A1 (en) 2001-01-10
CN1297568A (zh) 2001-05-30
CA2325729C (en) 2008-06-03
WO1999049483A1 (en) 1999-09-30
PT1066642E (pt) 2004-01-30
ZA200005074B (en) 2001-12-21
KR100588184B1 (ko) 2006-06-08
CA2325729A1 (en) 1999-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100588184B1 (ko) 염료를 함유하는 광전지의 제조방법
JP5513986B2 (ja) 光起電性エレクトロクロミック装置およびその製造方法
US7638807B2 (en) Transparent conductive multi-layer structure, process for its manufacture and device making use of transparent conductive multi-layer structure
US6936761B2 (en) Transparent electrode, optoelectronic apparatus and devices
US20150302997A1 (en) Flexible electrodes and preparation method thereof, and flexible dye-sensitized solar cells using the same
US20100132785A1 (en) Dye-sensitized photoelectric conversion element module and a method of manufacturing the same, and photoelectric conversion element module and a method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JPH11514787A (ja) 光起電力セル電池及びその製造方法
JP3503824B2 (ja) 太陽電池およびその製造方法
EP1273048B1 (en) Method of manufacturing a photovoltaic foil
EP2457243A1 (en) A method of manufacturing working electrodes for dye sensitised solar cells
JP4848666B2 (ja) 酸化物半導体電極用転写材、色素増感型太陽電池用基材、色素増感型太陽電池、及びそれらの製造方法
JP2007018909A (ja) 光電変換装置の製造方法
JP2005285472A (ja) 光電変換装置
JP2005285473A (ja) 光電変換装置
JP4651346B2 (ja) 光電変換装置およびそれを用いた光発電装置
MXPA00009382A (en) Method for making a photovoltaic cell containing a dye
US10290433B2 (en) Plastic solar dye cells

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110524

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee