ES2205789T3 - Metodo para fabricar una celula fotovoltaica que contiene un colorante. - Google Patents
Metodo para fabricar una celula fotovoltaica que contiene un colorante.Info
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Abstract
Un método para fabricar una célula fotovoltaica que comprende, al menos, las siguientes capas, en el siguiente orden: una primera capa de electrodo, una capa semiconductora de espacio de separación de banda ancha y transparente, la cual está provista de una capa de una tintura o pigmento fotosensible que, en combinación con la capa semiconductora, tiene la capacidad de separar espacialmente los electrones generados por acción fotónica de sus cargas positivas asociadas, una capa de electrolito, una capa catalizadora, así como una segunda capa de electrodo, depositándose, en dicho método, la primera capa de electrodo y la capa semiconductora sobre un substrato temporal flexible y/o depositándose la segunda capa de electrodo y la capa catalizadora sobre un substrato temporal flexible, siendo el electrodo o los electrodos que se depositan sobre un substrato temporal transparente(s), y en el cual el substrato o los substratos temporal(es) se retira(n) una vez que dicha secuencia de capas ha sidoestratificada o dispuesta con las capas unidas entre sí.
Description
Método de fabricar una célula fotovoltaica que
contiene un colorante.
La invención se refiere a un método para fabricar
una célula fotovoltaica (PV-"PhotoVoltaic") que comprende, al
menos, las siguientes capas: una primera capa de electrodo, una
capa semiconductora de espacio de separación de banda ancha,
transparente (y, preferiblemente, de una gran área superficial) y
provista de una capa (única, o mono-capa) de una
tintura o pigmento fotosensible que, en combinación con la capa
semiconductora, tiene la capacidad de separar espacialmente los
electrones generados por acción fotónica de sus cargas positivas
asociadas, una capa de electrolito, una capa catalizadora, así como
una segunda capa de electrodo, en el cual al menos una de las capas
de electrodo es transparente. Un tal método se conoce del documento
WO-A-97/15959. Dado que es posible
utilizar, por tanto, por ejemplo, la luz solar para la generación
de potencia, dichas células fotovoltaicas constituyen una
interesante fuente alternativa de energía, una fuente mucho más
limpia que los combustibles fósiles o la energía nuclear.
Se conocen en la técnica métodos para la
producción a disposición del consumidor de las células
fotovoltaicas, por ejemplo, del documento WO 91/16719. Esta
Solicitud de Patente Internacional describe (véase, por ejemplo, el
Ejemplo 34, en combinación con la Figura 1) una célula fotovoltaica
que comprende una capa conductora de la electricidad y capaz de
transmitir la luz (a la que se hace referencia habitualmente como
Óxido Conductor Transparente, o TCO-"Transparent Conductive
Oxide"), que hace las veces de capa de electrodo que se deposita
sobre una placa de vidrio o una lámina de un polímero transparente.
Sobre el TCO se depositan varias capas de TiO_{2}, a las que se
añade una tintura. La última capa de TiO_{2} se recubre con un
electrolito, con una capa de catalizador y con un electrodo asociado
o de respaldo, que puede ser también un TCO.
Con el fin de que al menos una de las TCO's tenga
las propiedades deseadas (especialmente transparencia) y textura,
ésta debe confeccionarse, preferiblemente, a una temperatura de al
menos 400ºC. Además, la capa semiconductora, que, por lo común,
consiste en esencia en dióxido de titanio (TiO_{2}), es
sinterizada preferiblemente a temperaturas similares, y, en muchas
realizaciones, la capa catalizadora es sometida a temperaturas que
sobrepasan los 350ºC. A causa de este hecho, los substratos
transparentes que son adecuados para la aplicación de estas capas
sobre ellos para constituir células fotovoltaicas de este tipo se
ven restringidos a, entre otros, substratos de vidrio o láminas de
polímeros transparentes que presentan una elevada resistencia a la
temperatura. Estos materiales son, o bien rígidos, o bien bastante
caros.
Para que las células fotovoltaicas que se proveen
a disposición del consumidor constituyan una alternativa seria y
atractiva desde el punto de vista económico, éstas han de
suministrarse de una forma adecuada (menos rígida y voluminosa), y
han de fabricarse mediante procedimientos de coste relativamente
bajo, que utilicen materias primas relativamente baratas. En
consecuencia, se requiere un procedimiento que permita la
fabricación de uno a otro rollo, o de proceso continuo entre rollos,
de una célula fotovoltaica como la descrita en el primer párrafo,
mientras que, al mismo tiempo, sea posible utilizar cualesquiera
material conductor transparente, procedimiento de deposición y
procedimiento de sinterización que se deseen, sin que tengan que
utilizarse necesariamente materiales caros o rígidos como substrato
transparente. Estos requisitos, así como otros objetivos deseables,
se consiguen por medio del procedimiento de la invención.
La invención tiene como propósito un método para
la fabricación de una célula fotovoltaica orgánica en la cual la
primera capa de electrodo y la capa semiconductora se depositan
sobre un substrato temporal flexible, y/o la segunda capa de
electrodo y la capa de catalizador se depositan sobre un substrato
temporal flexible, de tal manera que el electrodo o los electrodos
que son depositados sobre un substrato temporal son transparentes,
y en el cual el substrato o substratos temporales se retiran una
vez que se han estratificado o dispuesto en capas unas con otras
dicha secuencia de capas.
Estas etapas y la secuencia en que se producen
las mismas hacen posible esencialmente que las células fotovoltaicas
terminadas o a disposición del consumidor se fabriquen en proceso
continuo de uno a otro rollo y con la forma de una hoja flexible,
al tiempo que, para la mayor parte de las realizaciones, se mantiene
aún, al menos en parte, el orden de fabricación deseado que es
habitual en el caso de células fotovoltaicas similares que se
fabrican sobre substratos de vidrio. Cuando se sigue el
procedimiento de la invención, el substrato temporal puede
seleccionarse de tal forma que permita cualesquiera etapas de
procedimiento adicionales (como la aplicación a elevada temperatura
de la primera o la segunda capas conductoras transparentes, la
sinterización de la capa semiconductora, la formación de la capa de
catalizador), sin que haya que considerar su transparencia (es
decir, la del substrato) ni ninguna otra propiedad (flexibilidad,
durabilidad, etc.) que sea necesaria para el funcionamiento de la
hoja fotovoltaica final.
Se destaca el hecho de que la publicación
japonesa abierta o accesible 1980-143706 describe la
formación de una capa conductora de la electricidad y transparente
(TCO) sobre la superficie de un substrato, la formación de un
producto de polímero (por ejemplo, una película o una lente) sobre
la capa conductora, y la retirada del substrato. De esta forma,
pueden seleccionarse libremente la capa de TCO y su método de
deposición (en términos de temperatura y duración). Esta referencia
se refiere a un campo técnico diferente del que ahora se considera
(formación de productos de polímeros, en lugar de células
fotovoltaicas orgánicas), y preconiza la necesidad de aplicar un
polímero transparente al TCO antes de la retirada del substrato
temporal, en lugar de después de la misma. Así pues, el hombre de
la técnica no combinaría esta publicación con el documento WO
91/16719, e, incluso en el caso de que hubiera de hacerlo, ello no
resultaría en el procedimiento de acuerdo con la presente idea.
La divulgación debida a Kishi et al.,
"Ultralight Flexible Amorphous Silicon Solar Cell and its
Application for an Airplane" ("Célula solar de silicio amorfo
ultraligera y flexible, para uso en un aeroplano"), Technical
Digest of the International PVSEC-5, Kyoto,
Japón, 1990, páginas 645-648, describe una célula
solar fabricada mediante la deposición de las respetivas capas
sobre una película de plástico transparente. Ni se menciona ni
aparece implícitamente un substrato de uso temporal.
El documento WO 97/15959 describe una célula
electroquímica que comprende un electrodo de trabajo y un electrodo
asociado o correspondiente, dispuestos sobre substratos de polímero
flexibles. El electrodo de trabajo comprende una película de
semiconductor que se deposita con la forma de una pasta y que, a
continuación, se hace secar y sinterizar a una temperatura por
debajo de 200ºC. No se describe el uso de substratos
temporales.
La Solicitud de Patente japonesa abierta o
accesible Nº 89-119072 describe un procedimiento
para fabricar una célula fotovoltaica que comprende las etapas de
formar una capa de plástico transparente, resistente al calor,
flexible y aislante de la electricidad sobre la superficie de un
substrato temporal, y depositar sobre la misma, sucesivamente, un
TCO, una capa semiconductora, un electrodo trasero o posterior, y
un portador o soporte. A continuación, se retira el substrato
temporal. Este procedimiento difiere del procedimiento de la
invención por el hecho de que, en el procedimiento de la invención,
el TCO se dispone recubriendo el substrato temporal, en lugar de
recubriendo una capa de plástico transparente. Esto tiene la ventaja
de que, en el procedimiento de acuerdo con la invención, la capa
transparente que opcionalmente se aplica sobre el TCO una vez
retirado el substrato temporal, no tiene por qué ser resistente a
las condiciones reinantes durante la aplicación del TCO y de las
capas adicionales.
Se proporciona una resistencia mecánica adicional
al estratificar todas las capas esenciales conjuntamente antes de la
retirada del substrato o de los substratos. Esto se lleva a cabo,
preferiblemente, mediante soldadura por puntos de dos componentes
preparados independientemente (uno de los cuales comprende, al
menos, la primera capa de electrodo, la capa semiconductora y la
tintura, y comprendiendo el otro al menos la segunda capa de
electrodo y la capa de catalizador), uno con otro en la superficie
de separación o interfaz de la capa de catalizador y la capa
semiconductora. En ese caso, el electrolito llena el espacio
comprendido entre la capa semiconductora y la capa de
catalizador.
De forma adicional, se prefiere aplicar una capa
portadora antes de la retirada del (último) substrato temporal, y
ello con el fin de tener sustentada la delgada hoja fotovoltaica
durante tantas etapas de proceso como sea posible, y para
garantizar que la hoja presenta la suficiente resistencia y rigidez
ante el doblado (destinada, preferiblemente, al producto final que
se desea). Con posterioridad a la retirada del (último) substrato
temporal, el electrodo que queda al descubierto se dota,
preferiblemente, de una capa portadora o de una capa transparente,
que se suma adicionalmente a las propiedades mecánicas y de barrera
de la hoja fotovoltaica y/o del producto terminado. Por supuesto, lo
que se pretende no es dotar a ambos electrodos de una capa
portadora. Al menos uno de los electrodos deberá, bien dotarse de
una capa transparente, o bien permanecer al descubierto. Se
prefiere la disposición de una capa transparente con el fin de
incrementar la durabilidad del producto.
Con el fin de permitir una obturación o cierre
hermético eficaz, la capa portadora o la capa transparente situada
en el lado de la capa de primer electrodo, y la capa portadora o
capa transparente situada en el lado de la capa de segundo
electrodo, se extienden más allá de las capas internas de la célula,
sobre al menos dos lados opuestos. De esta forma, la célula puede
obturarse o cerrarse herméticamente con facilidad por soldadura o
por pegado uno con otro de dichos bordes que se extienden
conjuntamente, garantizando, por supuesto, que los electrodos no
quedan en cortocircuito, de manera que se resuelve uno de los
problemas más persistentes que aparecen en las células fotovoltaicas
con aditivo de tintura.
Se ha encontrado que resulta ventajoso disponer
la capa semiconductora de manera que recubra la (primera) capa
conductora de la electricidad y transparente, antes de que esta
última se haya enfriado substancialmente (es decir, mientras está
aun caliente), debido a que esto mejorará el contacto entre las
capas y dará lugar a una menor contaminación y a unas propiedades
mecánicas y electro-ópticas más favorables.
Tanto el substrato temporal en sí mismo como el
método para su retirada (que se realiza, de forma adecuada, mediante
disolución o ataque químico superficial), pueden seleccionarse sin
grandes dificultades por parte del experto de la técnica. De esta
forma, el substrato temporal puede ser un material con
foto-resistencia "positiva", es decir, un
material fotosensible que, bajo irradiación, experimente un cambio
por el cual pase de ser resistente a la disolución a ser
susceptible de extraerse con un disolvente, por ejemplo, las
poliimidas de enlaces cruzados. Con el propósito de satisfacer el
objeto de utilizar materiales de bajo coste, éstas no son los
substratos cuya elección se prefiere. A este respecto, resulta más
ventajoso el uso de polímeros que puedan extraerse por medio de
ataque químico superficial con plasma (por ejemplo, un plasma de
O_{2}, o bien, por ejemplo, para polímeros de polisiloxano, un
plasma de SF_{6}). Si bien, básicamente, puede resultar adecuado,
por tanto, cualquier polímero, a la vista de lo anterior, se
prefiere, por supuesto, emplear polímeros que puedan soportar
temperaturas más elevadas (de 250ºC y, más preferiblemente,
superiores a 400ºC).
De forma preferida, el substrato temporal que se
ha de utilizar en el procedimiento de acuerdo con la presente
invención es una hoja de metal o de aleación metálica. La razón
principal para ello es que dichas hojas son generalmente capaces de
soportar las más altas temperaturas durante su procesamiento
adicional, no desprenden prácticamente compuestos volátiles y
pueden ser retiradas con relativa facilidad utilizando técnicas de
ataque químico superficial conocidas. Otra razón para escoger un
metal, en particular el aluminio o el cobre, es que la hoja
fotovoltaica deberá contener finalmente electrodos "laterales"
(que formen un contacto para su conexión a cualquier aparato o red
auxiliar, esto es, para utilizar realmente la hoja fotovoltaica como
una fuente de energía). Al permitir que parte del substrato
temporal permanezca en su lugar (por ejemplo, en la forma de bordes
o bandas laterales), estos contactos no necesitan ser aplicados de
forma independiente.
Metales adecuados incluyen acero, aluminio,
cobre, hierro, níquel, plata, cinc, molibdeno, cromo, vanadio,
magnesio, así como aleaciones o capas múltiples de los mismos. Por
razones económicas, entre otras, se prefiere el empleo de Fe, Al, Cu
o aleaciones de los mismos. Con vistas al rendimiento (en
combinación con los costes), el aluminio, el hierro depositado
eléctricamente y el cobre depositado eléctricamente disfrutan de la
preferencia prioritaria. Se conocen técnicas de ataque químico
superficial adecuadas, y, si bien son diferentes para cada metal
escogido, pueden ser seleccionadas por la persona experta de la
técnica con los conocimientos adecuados. Agentes de ataque químico
superficial preferidos incluyen ácidos (ácidos de Lewis así como
ácidos de Br\phinstedt); por ejemplo, en el caso del cobre como
material de la hoja metálica, se prefiere utilizar el FeCl_{3},
el ácido nítrico o el ácido sulfúrico. El aluminio puede retirarse
de forma eficaz por medio de, por ejemplo, sosa cáustica (NaOH).
En atención a su susceptibilidad de extracción,
el substrato temporal es, preferiblemente, tal delgado como sea
posible. Por supuesto, deberá, en todo caso, permitir la aplicación
de capas adicionales sobre él, y mantener éstas unidas, pero ello,
por lo general, no requerirá espesores superiores a 500 \mum.
Preferiblemente, el espesor se encontrará entre 1 y 200 \mum.
Dependiendo del módulo de elasticidad, la mayoría de los materiales
requerirán un espesor mínimo de 5 \mum, en cuyo caso el intervalo
preferido para el espesor será de entre 5 y 150 \mum, y,
preferiblemente, de entre 25 y 100 \mum.
El substrato temporal puede ser también una capa
de metal depositado eléctricamente (por ejemplo, una capa
galvánica). Es deseable escoger el cobre para la hoja metálica
depositada eléctricamente. Sin embargo, puesto que el cobre puede
presentar la tendencia a difundirse a través de las capas
fotovoltaicas, se prefiere proporcionar la hoja de cobre (obtenida
por deposición galvánica) con una barrera contra la difusión no
reductora, por ejemplo, con una capa anti-corrosión,
en particular un óxido de cinc, o bien seleccionar un conductor
transparente que tenga la propiedad de evitar dicha difusión, por
ejemplo, el TiO_{2}, el Al_{2}O_{3}, el SnO_{2} o el ZnO.
Las capas anti-difusión pueden aplicarse, por
ejemplo, de modo galvánico, mediante Deposición Física en fase de
Vapor (PVD-"Physical Vapour Deposition") o Deposición Química
en fase de Vapor (CVD-"Chemical Vapour Deposition").
En lugar de dotar a la hoja de cobre de una capa
contra la difusión, la cual, como norma, se retirará con el
substrato temporal, cabe también la posibilidad de dotar a la hoja
de cobre (o a cualquier otro substrato temporal que se escoja) de
una capa de un tipo de vidrio adecuado. Esta capa de vidrio es
esencialmente transparente y, en consecuencia, puede ser
permanente, de manera que sirva como una ventana de protección para
la capa conductora transparente. Por razones de economía, y con el
fin de permitir el procesamiento continuo de un rollo a otro, la
capa de vidrio es, preferiblemente, muy delgada, por ejemplo, de
entre 10 y 1.000 nm de espesor y, preferiblemente, de entre 100 y
200 nm de espesor. Un método de aplicación adecuado para dicha capa
es, por ejemplo, la PECVD (Deposición Química en Fase de Vapor
Incrementada por Plasma -"Plasma Enhanced Chemical Vapour
Deposition") de SiH_{4} y N_{2}O (óxido en plasma),
acompañada de la adición de un aditivo adecuado, tal como el
B_{2}H_{6}, a fin de formar un vidrio de silicato de boro que
tiene una transparencia favorable. Se prefiere aplicar un óxido de
silicio de APCVD.
El TCO o los TCO's pueden ser depositados de una
forma conocida, por ejemplo, utilizando Deposición Química Orgánica
de Metal en Fase de Vapor (MOCVD-"Metal Organic Chemical Vapour
Deposition"), pulverización catódica, Deposición Química en Fase
de Vapor a Presión Atmosférica (APCVD -"Atmospheric Pressure
Chemical Vapour Deposition"), PECVD, pirolisis de rociado,
evaporación (Deposición Física en Fase de Vapor),
electro-deposición, impresión de pantalla,
procesamiento de sólido-gel, etc. Se prefiere que la
capa conductora transparente se aplique a una temperatura superior
a 180ºC, preferiblemente superior a 400ºC, o incluso a 500ºC, con el
fin de hacer posible la obtención de una capa conductora
transparente que presente unas propiedades y/o una textura
ventajosas.
Ejemplos de materiales adecuados para su uso como
capa conductora transparente son el óxido de indio y estaño, el
óxido de cinc, el óxido de cinc dopado con flúor, con aluminio o
con boro, el sulfuro de cadmio, el estannato de cadmio, el óxido de
cadmio, el óxido de estaño, y, de la forma más preferida, el óxido
de estaño dopado con antimonio o, en particular, con fluorina. Se
prefiere este último material de electrodo transparente por su
capacidad para formar una superficie cristalina deseada que
presenta una textura a modo de columna y que esparce o difunde la
luz si se aplica a una temperatura sobradamente por encima de
400ºC, preferiblemente entre 500ºC y 600ºC. En particular, con este
material de electrodo, las ventajas de seleccionar un substrato
temporal (que permita dicha temperatura elevada) y, más en
particular, de seleccionar un substrato de metal depositado
eléctricamente y dotado de una cierta textura, se ponen de
manifiesto en gran medida. Además, el material presenta la ventaja
de ser resistente a los agentes de ataque químico superficial en
uso más preferidos, así como de tener una mayor resistencia química
y unas mejores propiedades opto-electrónicas que el
óxido de indio y cinc. Por añadidura, resulta mucho más barato.
Como se ha mencionado anteriormente, el
semiconductor, por ejemplo, el dióxido de titanio, se aplica y
sinteriza antes o después de la deposición del (primer) TCO. En
particular, el procedimiento de revestimiento de inmersión o baño,
la impresión de pantalla y el pintado, destinados a aplicar la
película nanocristalina, pueden llevarse a cabo de una forma
continua (de rollo a rollo). Si el semiconductor se deposita
directamente sobre la capa conductora de la electricidad y
transparente por medio de pirolisis de rociado o de CVD, entonces
se necesita un número menor de etapas, se mejora el contacto con el
TCO y la porosidad de la capa es excelente.
En el caso del dióxido de titanio, se rocían
pequeñas gotas de TiCl_{3} y de H_{2}O sobre una superficie
previamente calentada (esto es, el substrato temporal o el TCO).
Las gotitas de TiCl_{3} se evaporan conforme se aproximan a la
superficie caliente. En la superficie se produce una reacción
química en fase de vapor, lo que da lugar a una capa porosa de
óxido de titanio sobre dicha superficie, así como a ácido
hidroclórico gaseoso.
El pigmento o tintura fotosensible se aplica
mediante, por ejemplo, un baño o inmersión en una disolución,
revestimiento de tintura, evaporación en vacío, revestimiento de
Langmuir Blodgett, etc. Tinturas adecuadas se describen en, entre
otros, el documento WO 91/16719. Especialmente preferidas son las
tinturas que contienen rutenio. Además, la tintura se selecciona
preferiblemente de tal manera que su orbital molecular más bajo sin
ocupar (o LUMO -"Lowest Unoccupied Molecular Orbital") sea de
nivel superior al borde de banda de conducción del
semiconductor.
El electrolito se aplica, por ejemplo, por medio
de inmersión, cepillado, colada, etc. De nuevo, electrolitos
adecuados se describen, entre otros, en el documento WO 91/16719.
Electrolitos especialmente preferidos son las mezclas de carbonato
de etileno y carbonato de propileno que contienen un par de
redox (oxidación-reducción) de yodo/yoduro, y
una sal fundida que contiene un par de redox de yodo/yoduro.
Resultan también muy adecuados los electrolitos poliméricos y
cerámicos.
La capa de catalizador comprende,
preferiblemente, partículas de platino o de carbono, si bien no se
excluyen de ningún modo otros catalizadores. Debe apreciarse que,
en muchas realizaciones, la capa de catalizador no consistirá en una
película continua, sino, en su lugar, en una multiplicidad de
partículas discretas.
Las capas de electrodo no transparentes pueden
fabricarse de cualquier material adecuado, preferiblemente aluminio
o plata, o bien formarse de una combinación de capas de ambos.
Estas capas de metal pueden aplicarse (preferiblemente a una
temperatura relativamente baja, por ejemplo, inferior a 250ºC) por
medio de deposición física en fase de vapor (evaporación) (en
vacío), o por pulverización catódica, utilizando opcionalmente una
máscara para evitar la deposición en los lugares en los que se
precisa formar bandas por ataque químico superficial o con el uso de
filamentos o alambres de enmascaramiento. En el caso de la plata,
se prefiere aplicar primeramente una capa de favorecimiento de la
adherencia, para lo cual, por ejemplo, el TiO_{2} y el ZnO son
materiales adecuados que ofrecen la ventaja de ser, además,
reflectantes si se aplican con un espesor adecuado (por ejemplo, de
aproximadamente 80 nm).
El portador o soporte anteriormente mencionado no
necesita ser transparente, y formará finalmente un verdadero
substrato (la capa denominada "substrato temporal" durante el
procedimiento es, de hecho, un "superestrato", ya que se coloca
sobre la cara anterior o parte superior final de la hoja).
Materiales adecuados para esta capa portadora incluyen láminas u
hojas poliméricas, tales como tereftalato de polietileno,
poli(dicarboxilato de etileno 2,6-naftaleno),
cloruro de polivinilo, u hojas de polímero de alto rendimiento,
tales como hojas de aramida o de poliimida, si bien pueden
utilizarse también, por ejemplo, hojas metálicas dotadas de una capa
superior aislante (dieléctrica), vidrio en placas, o bien
compuestos que comprenden materiales epoxídicos y vidrio. Se
prefieren las hojas poliméricas "co-extrudidas"
que comprenden una capa de adhesivo termoplástico que presenta un
punto de reblandecimiento por debajo del propio portador.
Opcionalmente, la hoja co-extrudida se proporciona
provista de una capa anti-difusión (por ejemplo, de
poliéster (PET), co-poliéster o aluminio). El
espesor del portador deberá, preferiblemente, estar incluido en el
intervalo de 50 \mum a 10 mm. Los intervalos más preferidos son
entre 75 \mum y 6 mm, entre 100 \mum y 1 mm, y entre 150 \mum
y 300 \mum. La rigidez ante el doblado (que se define, dentro del
contexto de la presente invención, como el módulo de elasticidad
("E", en N/mm^{2}) del material multiplicado por el espesor
("t", en mm) del portador elevado al cubo: E x t^{3}) es,
preferiblemente, mayor que 16 x 10^{-2} N\cdotmm, y será por lo
común más pequeña que 15 x 10^{6} N\cdotmm.
El portador (el substrato final) en sí mismo
puede ya consistir en, o contener, una estructura requerida para el
uso deseado. Así pues, el portador puede ser, por ejemplo, una
baldosa o conjunto de baldosas, tejas para tejado, tejamaniles, un
techo de automóvil, un techo de caravana, etc. Sin embargo, en
general, se prefiere que el substrato temporal y/o el portador sean
flexibles.
La capa transparente anteriormente mencionada es,
en general, una película polimérica que tiene una transmisión
elevada, tal como polímeros amorfos (per)fluorados,
policarbonato, poli(metil-metacrilato), o
cualquier revestimiento transparente disponible, tal como los que
se emplean en la industria automovilística. El espesor de la hoja
transparente deberá ser, preferiblemente, al menos de 25 \mum, y,
más preferiblemente, al menos de 50 \mum. Si se desea, puede
aplicarse una capa adicional anti-reflexión,
anti-difusión o
anti-contaminación.
Se prefiere adicionalmente que, después de la
última etapa del procedimiento, la rigidez ante el doblado de la
hoja (cuya rigidez ante el doblado vendrá determinada por lo
habitual, en su mayor parte, por el portador y el revestimiento
superior) sea mayor que la rigidez ante el doblado de cualquiera de
los productos intermedios.
Las células fotovoltaicas de acuerdo con la
presente invención pueden conectarse muy fácilmente en serie con el
uso de medios externos (es decir, medios que no están incorporados
dentro del volumen cerrado herméticamente). Sin embargo, la persona
experta en la técnica no tendrá dificultad en proporcionar
sub-unidades independientes conectadas en serie
dentro de dicho volumen herméticamente cerrado.
El término "transparente" se define
aludiendo a la posesión de una transmitancia de al menos el 40% y,
preferiblemente, de al menos el 60%, de la luz incidente que puede
ser convertida en corriente eléctrica por la célula
fotovoltaica.
Ha de destacarse que los TCO's son también
semiconductores de espacio de separación de banda ancha. Sin
embargo, en el contexto de la presente invención, el término
"semiconductor de espacio de separación de banda ancha y
transparente" se utiliza para denotar la capa a la que se ha
añadido la tintura.
A continuación, se ilustrará la invención por
medio de ejemplos no limitativos.
En los ejemplos que se proporcionan en lo que
sigue, se fabricó una película nanocristalina de TiO_{2}
impregnando o pintando con coloide un substrato de aluminio
flexible provisto de una película de SnO_{2} (es decir, el primer
electrodo). El coloide se preparó de acuerdo con la publicación de
M. K. Nazeeruddin et al., "Conversion of Light to Electricity by
cis-X_{2}Bis(2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylate)rutenium(II)
Charge-Transfer Sensotizers (X = Cl^{-}, Br^{-},
I^{-}, CN^{-} y SCN^{-}) on Nanocrystalline TiO_{2}
Electrodes", ("Conversión de luz a electricidad por medio de
elementos sensibles a la transferencia de carga de
cis-X_{2}Bis(2,2'-bipiridil-4,4'-dicarboxilato)
de rutenio(II) (X = Cl^{-}, Br^{-}, I^{-}, CN^{-} y
SCN-) sobre electrodos de TiO_{2} nanocristalinos"), J. Am.
Chem. Soc. 1993, Vol nº 115, págs. 6.382-6.390.
El substrato y la película fueron incinerados a continuación
durante 15 minutos en un horno de aire a 450ºC. Después de la
incineración o calcinación, la película y el substrato se
sumergieron en una solución de un pigmento o tintura, esto es, una
solución de
cis-di(isotiocianato)bis(2,2'-bipiridil-4,4'-dicarboxilato)
de rutenio (II) en acetonitrilo 0,5 mM (milimolar), de nuevo como
se describe en la publicación de M. Nazeeruddin et al. Esto produjo
como resultado aproximadamente una mono-capa o capa
única de tintura absorbida superficialmente
sobre la película nanocristalina.
sobre la película nanocristalina.
La película de tintura de Al/SnO_{2}/TiO_{2}
nanocristalino se recubrió de un electrodo asociado (o segundo
electrodo) de Al/ITO. El electrodo de Al/ITO había sido tratado
previamente con una pequeña cantidad de ácido hexacloroplatínico (en
disolución 0,1 mM en isopropanol), para recubrirlo después con
gránulos de Pt (platino) (es decir, el catalizador), y someterlo a
un recocido a 380ºC durante 15 minutos.
Se utilizó a continuación un electrolito líquido
consistente en una mezcla en proporción de 50:50 de carbonato de
etileno y carbonato de propileno, con una cantidad de Kl en
disolución 0,5 M y una cantidad de I_{2} en disolución 0,05 M,
para llenar la red nanocristalina, es decir, para ser arrastrado al
interior de los poros de dicha red por la acción de fuerzas
capilares. El apilamiento flexible de múltiples capas de
Al/SnO_{2}/TiO_{2} nanocristalino se desenrolló y aplicó en
contacto con la placa de Al/ITO/Pt, permitiendo que el electrolito
fuera aplicado uniformemente sobre la totalidad del área del
dispositivo.
De forma subsiguiente, se retiró el aluminio de
la cara del segundo electrodo.
Se realizó según se ha expuesto en el Ejemplo 1.
Sin embargo, en esta realización del dispositivo, después de
realizar la unión entre los portadores del cátodo y del ánodo y su
cierre hermético, el aluminio situado en el lado del primer
electrodo se eliminó por ataque químico superficial, lo que dejó al
descubierto el SnO_{2}. A continuación, el SnO_{2} se protegió
por medio de un encapsulado de polímero.
Se realizó según se ha expuesto en el Ejemplo 1,
y en él el electrodo asociado (cátodo) se fabricó de la misma hoja
de Al/SnO_{2} que se utilizó para los ánodos. Este cátodo de
Al/SnO_{2} se trató en primer lugar con ácido hexacloroplatínico,
como en el Ejemplo A. A continuación, se unieron las hojas de ánodo
de tintura de Al/SnO_{2}/TiO_{2} nanocristalino y de cátodo de
Al/SnO_{2}/Pt, al tiempo que se llenaban los poros de la capa de
tintura de TiO_{2} nanocristalino y el pequeño espacio de
separación entre las dos hojas con electrolito líquido, como en el
ejemplo 1.
Después de unir los portadores de ánodo y de
cátodo y de cerrarlos herméticamente, el aluminio presente, ya sea
en el cátodo o en el ánodo, se elimina por ataque químico
superficial, dejando una capa de SnO_{2} expuesta a la
superficie. Esta capa de SnO_{2} puede ser protegida ulteriormente
por medio de un encapsulado de polímero.
La curva de intensidad de corriente/tensión para
cada uno de los dispositivos anteriormente descritos mostró que se
generaba potencia eléctrica con su exposición a la luz.
Claims (12)
1. Un método para fabricar una célula
fotovoltaica que comprende, al menos, las siguientes capas, en el
siguiente orden: una primera capa de electrodo, una capa
semiconductora de espacio de separación de banda ancha y
transparente, la cual está provista de una capa de una tintura o
pigmento fotosensible que, en combinación con la capa
semiconductora, tiene la capacidad de separar espacialmente los
electrones generados por acción fotónica de sus cargas positivas
asociadas, una capa de electrolito, una capa catalizadora, así como
una segunda capa de electrodo, depositándose, en dicho método, la
primera capa de electrodo y la capa semiconductora sobre un
substrato temporal flexible y/o depositándose la segunda capa de
electrodo y la capa catalizadora sobre un substrato temporal
flexible, siendo el electrodo o los electrodos que se depositan
sobre un substrato temporal transparente(s), y en el cual el
substrato o los substratos temporal(es) se retira(n)
una vez que dicha secuencia de capas ha sido estratificada o
dispuesta con las capas unidas entre sí.
2. Un método de acuerdo con la reivindicación 1,
en el cual la primera capa de electrodo y la capa semiconductora se
depositan sobre un substrato temporal flexible, y la segunda capa
de electrodo y la capa de catalizador se depositan sobre un
substrato temporal flexible.
3. Un método de acuerdo con la reivindicación 2,
en el cual la secuencia de capas se une por puntos entre las capas,
en la superficie de separación o interfaz entre la capa de
catalizador y la capa semiconductora.
4. Un método de acuerdo con una cualquiera de las
reivindicaciones 1-3, en el cual la primera capa de
electrodo está provista de una capa portadora o de una capa
transparente, en la cara de la misma situada en el lado opuesto a la
capa semiconductora.
5. Un método de acuerdo con una cualquiera de las
reivindicaciones 1-4, en el cual la segunda capa de
electrodo está provista de una capa portadora o de una capa
transparente, en la cara de la misma situada del lado opuesto a la
capa de catalizador, con la condición de que, al menos si la
primera capa de electrodo está provista de una capa portadora,
entonces la segunda capa de electrodo estará provista de una capa
transparente, y viceversa.
6. Un método de acuerdo con la reivindicación 5,
en el cual la capa portadora o la capa transparente situada sobre la
primera capa de electrodo, así como la capa portadora o la capa
transparente situada sobre la segunda capa de electrodo, se
extienden más allá de las capas interiores de la célula, sobre al
menos dos lados opuestos, y se unen una con otra formando un cierre
hermético.
7. Un método de acuerdo con una cualquiera de las
reivindicaciones precedentes, en el cual la capa semiconductora
comprende dióxido de titanio.
8. Un método de acuerdo con una cualquiera de las
reivindicaciones precedentes, en el cual la capa semiconductora se
aplica sobre la primera capa de electrodo mientras esta capa de
electrodo está caliente.
9. Un método de acuerdo con una cualquiera de las
reivindicaciones precedentes, en el cual la capa semiconductora se
deposita directamente sobre la primera capa de electrodo, por medio
de deposición química en fase de vapor o de pirolisis de
rociado.
10. Un método de acuerdo con una cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en el cual al menos la capa de
electrodo situada sobre la cara anterior o frontal de la célula
fotovoltaica se deposita a una temperatura superior a 400ºC.
11. Un método de acuerdo con una cualquiera de
las reivindicaciones precedentes, en el cual la deposición de la
capa de electrodo sobre el substrato temporal flexible se lleva a
cabo en un procedimiento continuo de un rollo a otro rollo.
12. Un método de acuerdo con la reivindicación
11, en el cual la célula fotovoltaica se prepara utilizando un
procedimiento continuo de un rollo a otro rollo.
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---|---|---|---|---|
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AU1311900A (en) * | 1998-10-09 | 2000-05-01 | Trustees Of Columbia University In The City Of New York, The | Solid-state photoelectric device |
US6472593B1 (en) | 1999-09-09 | 2002-10-29 | Akzo Nobel N.V. | Hybrid roof covering element |
CN1245767C (zh) | 2000-06-15 | 2006-03-15 | 阿克佐诺贝尔股份有限公司 | 带可取下顶层的太阳能电池单元 |
KR100870376B1 (ko) | 2000-09-08 | 2008-11-25 | 아크조 노벨 엔.브이. | 착색된 태양전지 유닛 |
EP1209708B1 (en) * | 2000-11-24 | 2007-01-17 | Sony Deutschland GmbH | Hybrid solar cells with thermal deposited semiconductive oxide layer |
US7276658B2 (en) | 2001-06-21 | 2007-10-02 | Akzo Nobel N.V. | Manufacturing a solar cell foil connected in series via a temporary substrate |
NL1019701C2 (nl) | 2001-12-21 | 2003-06-24 | Akzo Nobel Nv | Fotovoltaïsch dakbedekkingselement met relief. |
AU2004263949B2 (en) * | 2003-07-22 | 2010-06-03 | Akzo Nobel N.V. | Process for manufacturing a solar cell foil using a temporary substrate |
GB0319799D0 (en) * | 2003-08-22 | 2003-09-24 | Itm Power Ltd | Photovoltaic cell |
US7557433B2 (en) * | 2004-10-25 | 2009-07-07 | Mccain Joseph H | Microelectronic device with integrated energy source |
EP1533818A1 (de) * | 2003-11-14 | 2005-05-25 | COMA Beteiligungsgesellschaft mbH | Photoelektrochemische Solarzelle |
KR100554179B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2006-02-22 | 한국전자통신연구원 | 전도성 금속 기판을 포함하는 구부림이 가능한 염료감응태양전지 |
KR100624765B1 (ko) * | 2004-06-25 | 2006-09-20 | 한국전기연구원 | 광감응형 태양전지와 p-n 접합 실리콘계 태양전지의복합구조를 갖는 태양전지 및 그 제조방법 |
DE102004042175A1 (de) * | 2004-08-31 | 2006-03-23 | Infineon Technologies Ag | Sensorelement und Sensor |
US8025929B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-09-27 | Helianthos B.V. | Method for preparing flexible mechanically compensated transparent layered material |
DE102004060737B4 (de) * | 2004-12-15 | 2007-03-08 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von halbleitenden oder photovoltaisch aktiven Filmen |
US7176543B2 (en) * | 2005-01-26 | 2007-02-13 | United Solar Ovonic Corp. | Method of eliminating curl for devices on thin flexible substrates, and devices made thereby |
DE102006062815B4 (de) * | 2005-03-30 | 2011-09-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Oxidhalbleiterelektrode, farbstoffsensibilisierte Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung |
US8168880B2 (en) | 2006-04-26 | 2012-05-01 | Certainteed Corporation | Shingle with photovoltaic element(s) and array of same laid up on a roof |
US8319093B2 (en) | 2006-07-08 | 2012-11-27 | Certainteed Corporation | Photovoltaic module |
CN101636842B (zh) | 2006-12-21 | 2013-05-01 | 海利安特斯有限公司 | 由太阳能电池制造太阳能子电池的方法 |
WO2009005805A2 (en) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Solasta, Inc. | Distributed coax photovoltaic device |
EP2073269A1 (en) | 2007-12-21 | 2009-06-24 | Helianthos B.V. | Method for providing a series connection in a solar cell system |
WO2009089236A2 (en) | 2008-01-08 | 2009-07-16 | Certainteed Corporation | Photovoltaic module |
EP2093804A1 (en) | 2008-02-19 | 2009-08-26 | Helianthos B.V. | Solar cell system with encapsulant |
CN101965640A (zh) * | 2008-03-04 | 2011-02-02 | 索莱克山特公司 | 太阳能电池的制造方法 |
EP2457243A1 (en) * | 2009-07-23 | 2012-05-30 | Tata Steel UK Limited | A method of manufacturing working electrodes for dye sensitised solar cells |
US8466447B2 (en) | 2009-08-06 | 2013-06-18 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Back contact to film silicon on metal for photovoltaic cells |
US20110030773A1 (en) * | 2009-08-06 | 2011-02-10 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Photovoltaic cell with back-surface reflectivity scattering |
US20110203644A1 (en) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | Brite Hellas Ae | Quasi-solid-state photoelectrochemical solar cell formed using inkjet printing and nanocomposite organic-inorganic material |
CN103201856A (zh) * | 2010-08-20 | 2013-07-10 | 集成光伏公司 | 光伏电池 |
US20120067391A1 (en) | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Ming Liang Shiao | Solar thermoelectric power generation system, and process for making same |
KR20140131906A (ko) * | 2011-11-01 | 2014-11-14 | 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 | 유기 감광 장치용 금속 기판의 표면의 제조 방법 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01119072A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Nitto Denko Corp | 可撓性光電変換素子の製造方法 |
ATE131953T1 (de) | 1990-04-17 | 1996-01-15 | Ecole Polytech | Photovoltaische zellen |
JPH0458472A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 光電変換体 |
DE4207659A1 (de) * | 1992-03-11 | 1993-09-16 | Abb Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung einer photoelektrochemischen zelle sowie eine demgemaess hergestellte zelle |
CH686206A5 (it) * | 1992-03-26 | 1996-01-31 | Asulab Sa | Cellule photoelectrochimique regeneratrice transparente. |
JP3579078B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2004-10-20 | 石原産業株式会社 | 光電変換材料用半導体 |
JPH07288142A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-10-31 | Ishihara Sangyo Kaisha Ltd | イオン伝導体およびそれを用いた光電変換素子 |
JP2756082B2 (ja) * | 1994-04-28 | 1998-05-25 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
DE19514156A1 (de) * | 1995-04-15 | 1996-10-24 | Heidelberger Druckmasch Ag | Photochemische Zelle |
US5735966A (en) * | 1995-05-15 | 1998-04-07 | Luch; Daniel | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US5674325A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-07 | Photon Energy, Inc. | Thin film photovoltaic device and process of manufacture |
JP3387741B2 (ja) * | 1995-07-19 | 2003-03-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子用保護材、該保護材を有する半導体素子、該素子を有する半導体装置 |
WO1997015959A1 (fr) * | 1995-10-24 | 1997-05-01 | Isa Ag Arch | Procede de fabrication d'une cellule electrochimique et cellule electrochimique obtenue selon ce procede |
DE69722976T2 (de) * | 1996-01-10 | 2004-05-13 | Canon K.K. | Solarzellenmodul mit einer spezifischen Abdeckung der zeitlichen Oberflächen, die einen ausgezeichneten Widerstand gegen Feuchtigkeit sowie eine ausgezeichnete Durchsichtigkeit aufweist |
BR9711418B1 (pt) * | 1996-09-26 | 2010-06-29 | folha fotovoltaica, e, processo para a fabricação de uma folha fotovoltaica. |
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