KR20010041640A - 방전 표면 처리용 압분체 전극 및 방전 표면 처리용압분체 전극의 제조 방법 - Google Patents
방전 표면 처리용 압분체 전극 및 방전 표면 처리용압분체 전극의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010041640A KR20010041640A KR1020007009839A KR20007009839A KR20010041640A KR 20010041640 A KR20010041640 A KR 20010041640A KR 1020007009839 A KR1020007009839 A KR 1020007009839A KR 20007009839 A KR20007009839 A KR 20007009839A KR 20010041640 A KR20010041640 A KR 20010041640A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- surface treatment
- green compact
- powder
- discharge
- Prior art date
Links
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 126
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 84
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 84
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 33
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 48
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 22
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012224 working solution Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- -1 titanium hydride Chemical compound 0.000 description 1
- 229910000048 titanium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
금속분말 또는 금속화합물분말을 가압성형한 압분체 전극과, 워크 사이에 방전을 발생시켜, 방전 에너지에 의해 워크 표면에 전극재료 또는 전극재료가 방전 에너지에 의해 반응한 물질로된 피막을 형성하는 방전 표면 처리로 사용되는 방전 표면 처리용 압분체 전극이 금속분말 또는 금속화합물분말에 연결재로써 연질금속분말을 혼합해서 가압성형 된다.
Description
압분체 전극을 사용하고, 방전가공유의 가공액중에서 압분체 전극과 워크 사이에 펄스상의 방전을 발생시켜 그 방전 에너지에 의해 워크의 표면에 전극재료 또는 전극재료가 방전 에너지에 의해 반응해서 생성되는 TiC 등의 금속탄화물등의 물체로된 경질피막을 성형하는 방전 표면 처리 방법은 일본국 특개평 9-19829 호 공보에 표시되어있다.
일반적으로, 압분체 전극은 다이형내에 Ti 등의 금속분말을 충전하고 펀치에 의해 다이형내의 금속분말을 가압 압축함으로써, 금속분말이 굳어지는것을 이용해서 가압성형 된다.
압분체 전극은 금속분말을 사용해도 일본국 특개소 56-126535 호 공보나 특개소 62-127448 호 공보에 표시되어있는 방전 가공용 전극과는 달리 소결을 하지 않으므로, 최종전극 강도나, 전기 저항은 가압성형 완료시의 상태에 의해 결정된다.
이때문에, 소요의 최종전극 강도나, 전기 저항을 얻기 위해서는 압분체 전극은 성형압은 약 5tonf/㎠ 정도의 압력이 필요하다. 이보다도 성형압이 낮아지면 완성된 전극의 강도가 불충분하거나, 전극의 전기 저항이 현저히 커져서 방전 표면처리의 압분체 전극으로 적절하게 사용할 수가 없다.
그러나, 한쪽으로는 이런 큰 성형압에 의해 전극성형을 하면 금형에 걸리는 압력도 커지므로 성형후에 압분체 전극을 금형에서 빼낼때에, 압분체 전극을 손상시키거나 파손하는 일이 있어, 압분체 전극의 제조의 수율이 나빠진다.
상술한 바와같이 방전 표면 처리용 압분체 전극의 가압성형에 큰 성형압을 필요로 하는 원인은 TiC 등의 금속탄화물의 입자만으로는 입자의 결합구조가 거칠다는것과, 금형에 분말이 균등하게 들어가지 않는것이 큰 원인으로 되어있다.
액중 방전현상을 이용한 기술에 대해서는 일본국 특개평 7-197275 호에 개시되어있다. 7-197275 호에서는 압분체 전극의 제조 방법으로서 압축성형하는데 대해 개시되어있다.
그러나, 압축성형만으로는 압력의 분포에 불균일성이 생기기 쉽고, 특히 전극 형상이 커지면 양호한 전극성형을 할 수 없다는 문제가 있었다.
본 발명은 상술한 바와같은 문제점을 해소하기위해 된것으로, 비교적 작은 성형압에 의한 성형에 의해 방전 표면 처리용 압분체 전극으로써 필요한 전극 강도나 전기 저항치를 갖고, 제조의 수율이 좋은 방전 표면 처리용 압분체 전극 및 방전 표면 처리용 압분체 전극의 제조 방법을 제공하는것을 목적으로하고 있다.
(발명의 개시)
본 발명은, 금속분말 또는 금속화합물분말을 가압성형한 압분체 전극과 워크 사이에 방전을 발생시켜, 방전 에너지에 의해 워크 표면에 전극재료 또는 전극재료가 방전 에너지에 의해 반응한 물질로된 피막을 형성하는 방전 표면 처리로 사용되는 방전 표면 처리용 압분체 전극에서, 금속분말 또는 금속화합물분말에 연질금속분말을 혼합해서 가압성형 되어있는 방전 표면 처리용 압분체 전극을 제공할 수가 있다.
따라서 압분체 전극을 가압성형할때에 금속분말 또는 금속화합물분말의 입자간의 극간에 연질금속분말이 연결제로서 들어가고 연질금속분말이 입자간 형상에 따라 소성변형해서 분체에 의해 전극을 다지고, 전극의 전기 저항을 낮게한다.
이로써, 낮은 성형압에 의한 성형으로도 방전 표면 처리용 압분체 전극으로써 필요한 전극 강도나 전기 저항치가 얻어진다.
또 본 발명은, 상기 금속화합물분말이 TiH2이고, 연질금속분말이 Ag 인 방전 표면 처리용 압분체 전극을 제공할 수가 있다.
따라서 압분체 전극을 가압성형할때, TiH2의 입자간의 간극에 비교적 유연하고 또 전기 저항이 낮은 Ag 분말이 들어가서 입자간 형상에 따라 소성변형하고, 분체에 의한 전극을 굳히고, 전극의 전기 저항을 낮게 한다. 이로써, 낮은 성형압에 의한 성형으로도 방전 표면 처리용 압분체 전극으로써 필요한 전극 강도나 전기 저항치가 얻어진다. 이 압분체 전극에서는, 방전 표면 처리에서 TiH2와 가공액중의 탄소와의 반응에 의해, TiC 에 의한 경질피막이 얻어진다.
또 본 발명은, 금속분말 또는 금속화합물분말을 가압성형한 압분체 전극과, 워크 사이에 방전을 발생시켜 방전 에너지에 의해 워크 표면에 전극재료 또는 전극재료와 방전 에너지에 의해 반응된 물질로된 피막을 형성하는 방전 표면 처리로 사용되는 방전 표면 처리용 압분체 전극에서 금속분말 또는 금속화합물분말이 접착제를 혼입해서 성형형에 의해 가압성형 되어있는 방전 표면 처리용 압분체 전극을 제공할 수가 있다.
따라서, 금속분말 또는 금속화합물분말이 접착제에 의해 접착결합하고 본체에 의한 전극을 굳히고 전극의 전기 저항을 낮게 한다. 이로써 낮은 성형압에 의한 성형으로도 방전 표면 처리용 압분체 전극으로써 필요한 전극 강도나 전기 저항치가 얻어진다.
또, 본 발명은, 상기 접착제가 에폭시 수지나 페놀 수지등, 탄소를 포함하는 고분자계의 접착제인 방전 표면 처리용 압분체 전극을 제공할 수가 있다.
따라서 방전 표면 처리에서 금속분말 또는 금속화합물분말과 가공액중의 탄소와의 반응에 더해, 금속분말 또는 금속화합물분말과 접착제중의 탄소가 반응해 경질의 탄화 금속피막이 얻어진다.
또 본 발명은 금속분말 또는 금속화합물분말을 가압성형한 압분체 전극과 워크 사이에 방전을 발생시켜 방전 에너지에 의해 워크 표면에 전극재료 또는 전극재료가 방전 에너지에 의해 반응한 물질로된 피막을 형성하는 방전 표면 처리에서 사용되는 압분체 전극의 제조 방법에서 금속분말 또는 금속화합물분말에 연질금속분말을 혼합해서 성형형에 의해 가압성형하는 방전 표면 처리용 압분체 전극의 제조 방법을 제공할 수가 있다. 따라서, 압분체 전극을 가압성형 할때에 금속분말 또는 금속화합물분말의 입자간의 극간에 연질금속분말이 연결제로써 들어가고 연질금속분말이 입자간 형상에 따라 소성변형해서 분체에 의해 전극을 굳히고 전극의 전기 저항을 낮게 한다. 이로써 낮은 성형압에 의한 성형에 의해서도 방전 표면 처리용 압분체 전극으로써 필요한 전극 강도나 전기 저항치가 얻어진다.
또, 본 발명은, 상기 금속화합물이 TiH2이고, 연질금속분말은 Ag 인 방전 표면 처리용 압분체 전극의 제조 방법을 제공할 수가 있다.
따라서 압분체 전극을 가압성형할때에 TiH2의 입자간의 극간에 비교적 유연하고 또 전기 저항이 낮은 Ag 분말이 들어가 입자간 형상에 따라 소성변형해 분체에 의한 전극을 굳히고, 전극의 전기 저항을 낮게 한다. 이로써, 낮은 성형압에 의한 성형에 의해서도 방전 표면 처리용 압분체 전극으로써 필요한 전극 강도나, 전기 저항치가 얻어진다.
이 압분체 전극에서는 방전 표면 처리에서, TiH2와 가공액중의 탄소와의 반응에 의해 TiC 에 의한 경질피막이 얻어진다.
또, 본 발명은 금속분말 또는 금속화합물분말은 가압성형한 압분체 전극과 워크 사이에 방전을 발생시켜, 방전 에너지에 의해 워크 표면에 전극재료 또는 전극재료가 방전 에너지에 의해 반응한 물질로된 피막을 형성하는 방전 표면 처리에서 사용되는 압분체 전극의 제조 방법에서 성형형에 진동을 가하면서 금속분말 또는 금속화합물분말을 성형형내에 충전하고, 성형형에 의해 가압성형하는 방전 표면 처리용 압분체 전극의 제조 방법을 제공할 수가 있다.
이러한 진동충전의 경우 예를들면 충전량으로는 수g∼수100g 진동충전시간으로는 수 10 초, 입자경으로는 1∼50㎛, 진폭 5㎛ 이상, 진동수 10㎐ 이상이다.
따라서 진동 충전에 의해 금속분말 또는 금속화합물분말의 성형형에 대한 장전 밀도가 고밀도가 되고, 성형형내에 금속분말 또는 금속화합물분말이 균등하게 들어가게 된다. 이로써, 낮은 성형압에 의한 성형에 의해서도 방전 표면 처리용 압분체 전극으로써 필요한 전극 강도나 전기 저항치가 얻어진다.
또 본 발명은 성형형이 초음파 진동을 주는 방전 표면 처리용 압분체 전극의 제조 방법을 제공할 수가 있다.
따라서 초음파 진동 충전에 의해 금속분말 또는 금속화합물분말의 성형형에 대한 장전 밀도가 효율좋게 고밀도로 되고, 성형형내에 금속분말 또는 금속화합물분말이 균등하게 들어가도록 된다. 이로써, 낮은 성형압에 의한 성형에 의해서도 방전 표면 처리용 압분체 전극으로써 필요한 전극 강도나 전기 저항치가 얻어진다.
또 본 발명은 금속분말 또는 금속화합물분말을 가압성형한 압분체 전극과 워크 사이에 방전을 발생시켜 방전 에너지에 의해 워크 표면에 전극재료 또는 전극재료가 방전 에너지에 의해 반응한 물질로된 피막을 형성하는 방전 표면 처리에서 사용되는 압분체 전극의 제조 방법에서, 금속분말 또는 금속화합물분말에 접착제를 혼입해서 성형형에 의해 가압성형하는 방전 표면 처리용 압분체 전극의 제조 방법을 제공할 수가 있다.
따라서 금속분말 또는 금속화합물분말이 접착제에 의해 접착결합하고 분체에 의한 전극을 굳히고 전극의 전기 저항을 낮게 한다. 이로써 낮은 성형압에 의한 성형에 의해서도 방전 표면 처리용 압분체 전극으로써 필요한 전극 강도나 전기 저항치가 얻어진다.
또 본 발명은 상기 접착제는 에폭시 수지나 페놀 수지등, 탄소를 포함하는 고분자계의 접착제인 방전 표면 처리용 압분체 전극의 제조 방법을 제공할 수가 있다.
따라서, 방전 표면 처리에서, 금속분말 또는 금속화합물과 가공액중의 탄소와의 반응에 더해 금속분말 또는 금속화합물분말과 접착제중의 탄소가 반응해, 경질의 탄화 금속피막이 얻어진다.
본 발명은, 방전 표면 처리용 압분체 전극 및 방전 표면 처리용 압분체 전극의 제조 방법에 관해 특히 워크의 표면에 경질피막을 형성 하기 위한 방전 표면 처리에서 사용되는 압분체 전극(방전 전극) 및 그 압분체 전극의 제조 방법에 관한것이다.
도 1 은 본 발명에 의한 방전 표면 처리용 압분체 전극의 미크로 구조의 한예를 모식적으로 표시하는 모식도.
도 2 는 본 발명에 의한 방전 표면 처리용 압분체 전극의 제조 방법의 실시에 사용하는 제조장치의 한예를 표시하는 단면도.
도 3 은 본 발명에 의한 방전 표면 처리용 압분체 전극의 제조 방법의 실시에 사용하는 제조장치의 다른예를 표시하는 단면도.
도 4 는 본 발명에 의한 방전 표면 처리용 압분체 전극의 미크로 구조를 다른예를 모식적으로 표시하는 모식도.
(발명을 실시하기위한 최량의 형태)
본 발명에 관한 호적한 실시의 형태를 첨부 도면을 참조해서 설명한다.
실시의 형태 1
도 1 은 본 발명에 의한 방전 표면 처리용 압분체 전극의 미크로 구조를 모식적으로 표시하고 있다. 본 발명에 의한 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)은 금속탄화물등, 방전 표면 처리에 의해 생성되는 경질피막의 주성분이 되는 금속 또는 금속의 화합물의 분말(이하, 금속분말이라 한다)(11)과 연질금속분말(12)의 혼합분말(13)을 성형형에 의해 전극 형상으로 가압성형한 것이다.
금속분말(11)로는 TiH2(수소화티탄) 분말이 있고 연질금속분말(12)로는 Ag 분말이 있다.
이 경우의 금속분말(11)의 입경은 1∼40㎛ 정도, 연질금속분말(12)의 입경은 1∼100㎛ 정도이면 되고, 금속분말(11)과 연질금속분말(12)의 혼합비는 중량％로 10 : 1 정도이면 된다.
이 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)의 가압성형은 도 2 에 표시된 바와같은 프레스의 펀치(50)와 다이 플레이트(51)상에 고정된 다이(52)를 사용하고, 다이(52)내에 금속분말(11)과 연질금속분말(12)과의 혼합분말(13)을 장전하고, 펀치(50)에 의해 가압해서 실시한다. TiH2등의 금속분말(11)에 Ag 의 연질금속분말 (12)이 혼입된 상태로 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)의 가압성형이 실시됨으로써, 전극성형압을 2tonf/㎠ 정도까지 내려도 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)이 확실하게 굳어지고, 방전 표면 처리용 압분체 전극으로써 필요한 전극 강도 및 전기 저항이 얻어진다.
연질금속분말(12)은 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)을 가압성형할때에 금속분말(11)의 입자간의 격간에 연결체로써 들어가, 입자간 형상에 따라 소성 변형하고 전극을 굳히는 효과, 전극의 전기 저항을 낮게 하는 효과가 있다. 특히, 전기 저항이 낮은 Ag 분말의 혼입에 의해 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)의 전기 저항이 충분히 낮은값에 유지된다.
이로써 낮은 성형압을 갖고 방전 표면 처리용 압분체 전극으로써 필요한 전극 강도나, 전기 저항치를 취하는 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)이 가압성형되고, 금형에 걸리는 압력이 저감하게되어 성형후에 압분체 전극(10)을 금형에서 빼낼때, 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)을 손상시키거나, 파손시키는 가능성이 적어지고, 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)의 제조의 수율이 개선된다.
또 전극성형압이 낮아지면, 금형에 밀어부쳐지는 힘이 작아지므로 두께가 두꺼운 압분체나 가늘고 긴 압분체 전극의 성형이 가능해 진다.
TiH2분말에 Ag 분말을 혼입한 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)에서는 방전 에너지에 의한 가공액중의 탄소와의 반응에 의해, TiC 에 의한 양질의 경질피막이 얻어진다.
또, TiH2의 분말에 Ag 분말을 혼입해서 2tonf/㎠ 정도에서 가압성형한 본 발명에 의한 압분체 전극과, Ag 를 혼입하지 않고 5tonf/㎠ 로 가압성형한 종래의 압분체 전극으로, 같은 조건으로 방전 표면 처리를 한바, 피막의 성질은 쌍방모두 빅커스경도로 2500HV 정도, 밀착력은 견고, 피막두께는 5㎛ 정도이고, 전혀 변하지 않았다.
압분체 전극(10)의 금속분말(11)로는 TiH2이외에 WC 등의 금속탄화물이 있고 금속분말(11)에 혼입하는 연질금속분말(12)로는, Ag 이외에, Au, Ag, Pb, Sn, In, Ni 등의 연질금속이 있고 또 세라믹스의 분말을 혼입할 수도 있다.
실시의 형태 2
도 3 은 본 발명에 의한 방전 표면 처리용 압분체 전극의 제조 방법의 실시에 사용되는 제조 장치의 실시의 형태를 표시하고 있다. 이 실시의 형태에서는, 다이 플레이트(51)가 가진기(53)상에 설치되어 있다.
다이(52)내에 TiH2등의 금속분말(11)을 장전할때에 가진기(53)에 의해 다이(52)에 진동을 주고 진동 시키면서 금속분말(11)을 다이(52)내에 넣는다.
이로써, 금속분말(11)의 장전 밀도가 고밀도가 되고 다이(52)내에 금속분말 (11)이 균일하게 들어가게 된다. 가진기(53)는 초음파 진동을 주는것도 하고, 더 주기가 큰 진동을 주는것도 된다.
단 초음파 진동을 준 쪽이 금속분말을 고밀도로 충전하는 효과는 크다. 또 가진기(53) 대신에 헴머등으로 금형을 두드려서 진동시키는 방식이라도 된다.
가진기(53)를 사용한 경우와 사용하지 않은 경우에서, 금형에 금속분말(11)을 가득 충전한 경우의 분말 중량을 비교하였던바, 가진기(53)를 사용한 경우에, 사용하지 않은 경우의 1.3 배의 량을 넣을수가 있었다.
이로써, 성형압을 약간 낮추어도, 소요의 압분체 전극이 깨끗이 성형 되는것이 확인 되었다. 통상, 가진기(53)를 사용하지 않고, 압분체 전극을 가압성형할때, 5tonf/㎠ 정도의 압력으로 성형할 필요가 있으나 가진기(53)를 사용한 경우에는 4tonf/㎠ 까지 성형압력을 내려도 문제 없이 압분체 전극을 성형할 수가 있다.
이로써 성형후에 압분체 전극을 금형으로부터 빼낼때 압분체 전극을 손상시키거나 파손하는 가능성이 적어지고, 압분체 전극의 제조의 수율이 개선된다.
또 이 제조 방법은, 금속분말(11)과 연질금속분말(12)과의 혼합분말(13)을 사용하는 경우에도 적용되고 같은 효과를 얻을수가 있다.
실시의 형태 3
도 4 는 본 발명에 의한 방전 표면 처리용 압분체 전극의 미크로 구조를 모식적으로 표시하고 있다. 본 발명에 의한 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)은 금속탄화물등, 방전 표면 처리에 의해 생성되는 경질피막의 주성분이 되는 금속 또는 금속의 화합물의 분말, 나아가서는 세라믹스분말을 혼입한것(이하, 금속분말이라 약칭한다) 21에 접착제(22)를 혼입해서 성형형내에 의해 전극 형상으로 가압성형한 것이다.
접착제(22)로는 에폭시 수지나 페놀 수지등, 탄소를 포함하는 고분자계의 접착제가 있다.
이 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)의 가압성형도, 도 2 에 표시한 바와같은 프레스의 펀치(50)와 다이 플레이트(51)상에 고정된 다이(52)를 사용하고 다이(52)내에 금속분말(11)에 접착제(22)를 혼입한것을 장전하고 펀치(50)에 의해 가압함으로써 실시한다.
접착제(22)는 금속분말(21)을 상호 접착결합하고 소요의 전극 강도를 얻도록 작용한다. TiH2에 의한 금속분말(11)의 경우 전극성형압을 2tonf/㎠ 이하로 내려도 접착제(22)에 의해 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)이 확실하게 굳어지고 방전 표면 처리용 압분체 전극으로 필요한 전극 강도 및 전기 저항이 얻어진다.
이로써, 낮은 성형압을 가지고 방전 표면 처리용 압분체 전극으로 필요한 전극 강도나 전기 저항치를 갖는 방전 표면 처리용 압분체 전극(20)이 가압성형되고, 금형에 걸리는 압력이 저감함으로써, 성형후에 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)을 금형에서 빼낼때 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)을 손상시키거나 파손될 가능성이 적어지고, 방전 표면 처리용 압분체 전극(10)의 제조의 수율이 개선된다.
도 접착제(22)가 혼입되면 전극을 굳히는 작용외에 방전 표면 처리에 의해 형성하는 피막의 굳기를 높게하는 작용도 있다.
예를들면, TiH2의 금속분말에 의한 압분체 전극으로 사용하는 경우에는, 피막의 주성분은 TiC 가 되나, 이는 전극중의 Ti 와 가공액중의 성분인 탄소 C 가 반응해서 TiC 를 생성하기 때문이다. 이경우 탄소의 공급량이 압분체 전극의 소모량보다 많은경우에는, TiC 가 되지않은 미반응의 Ti 가 피막중에 남아, 피막의 굳기를 저하시키는 원인이 된다.
접착제는 탄소 C, 수소 H, 산소 O 로된 물질이므로, 방전의 열 에너지에 의해 분해되어 수소는 주로 물 H2O 또는 수소가스 H2로, 산소는 물 H2O, 이산화탄소 CO2에, 탄소는 2산화탄소 CO2, 탄소 C 가 된다. 여기서 생성된 탄소가, 압분체 전극의 Ti 가 TiC 에 반응할때 사용되고 경질피막을 형성하는데 유용하다.
즉 금속분말(11)과 가공액중의 탄소와 이 반응에 더해 금속분말(11)과 접착제(22)중의 탄소와의 반응에 의해 경질의 탄화 금속피막이 얻어진다.
본 발명에 의한 압분체 전극은 경질피막을 성형하는 방전 표면 처리에서 사용하는 방전 전극에 적합하다.
Claims (3)
- 금속분말 또는 금속화합물분말을 가압성형한 압분체 전극과 워크간에 방전을 발생시켜 방전 에너지에 의해, 워크 표면에 전극재료 또는 전극재료가 방전 에너지에 의해 반응한 물질로된 피막을 형성하는 방전 표면 처리에서 사용되는 방전 표면 처리용 압분체 전극에서, 금속분말 또는 금속화합물분말에 Ag, Au, Pb, Sn, In 중 적어도 하나의 분말을 혼합해서 가압성형 되어있는것을 특징으로하는 방전 표면 처리용 압분체 전극.
- 금속분말 또는 금속화합물분말을 가압성형한 압분체 전극과 워크 사이에 방전을 발생시켜, 방전 에너지에 의해 워크 표면에 전극재료 또는 전극재료가 방전 에너지에 의해 반응한 물질로된 피막을 형성하는 방전 표면 처리에서 사용되는 방전 표면 처리용 압분체 전극에서, 금속분말 또는 금속화합물분말에 접착제를 혼입해서 성형형에 의해 가압성형 되어있는것을 특징으로하는 방전 표면 처리용 압분체 전극.
- 금속분말 또는 금속화합물분말을 가압성형한 압분체 전극과 워크 사이에 방전을 발생시켜, 방전 에너지에 의해 워크 표면에 전극재료 또는 전극재료가 방전 에너지에 의해 반응한 물질로된 피막을 형성하는 방전 표면 처리에서 사용되는 압분체 전극의 제조 방법에서, 금속분말 또는 금속화합물분말에 Ag, Au, Pb, Sn, In 중 적어도 하나의 분말을 혼합해서 성형형에 의해 가압성형 하는것을 특징으로하는 방전 표면 처리용 압분체 전극의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP1998/001006 WO1999046423A1 (fr) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | Electrode compacte pour traitement de surface par decharge et son procede de fabrication |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010041640A true KR20010041640A (ko) | 2001-05-25 |
| KR100398764B1 KR100398764B1 (ko) | 2003-09-19 |
Family
ID=14207758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-7009839A KR100398764B1 (ko) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 방전 표면 처리용 압분체 전극 및 방전 표면 처리용압분체 전극의 제조 방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6441333B1 (ko) |
| JP (1) | JP3421321B2 (ko) |
| KR (1) | KR100398764B1 (ko) |
| CN (2) | CN100506434C (ko) |
| CH (1) | CH693767A5 (ko) |
| DE (1) | DE19882983B4 (ko) |
| WO (1) | WO1999046423A1 (ko) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3227454B2 (ja) * | 1998-05-13 | 2001-11-12 | 三菱電機株式会社 | 放電表面処理用電極及びその製造方法並びに放電表面処理方法及び装置 |
| WO1999058282A1 (fr) * | 1998-05-13 | 1999-11-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrode de briquette verte pour traitement de surface par decharge, procede de production de cette electrode, procede de traitement de surface par decharge, dispositif permettant d'appliquer ce procede et procede de recyclage de l'electrode en briquette verte pour traitement de surface par decharge |
| CN1096325C (zh) * | 1998-11-13 | 2002-12-18 | 三菱电机株式会社 | 金属模放电表面处理方法、金属模放电表面处理用电极的制造方法及金属模放电表面处理用电极 |
| US6935917B1 (en) * | 1999-07-16 | 2005-08-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Discharge surface treating electrode and production method thereof |
| DE10330430A1 (de) * | 2003-07-04 | 2005-02-17 | Schott Ag | Dünnstsubstratträger |
| CN1798870B (zh) | 2003-05-29 | 2011-10-05 | 三菱电机株式会社 | 放电表面处理用电极、放电表面处理用电极的制造方法、放电表面处理装置和放电表面处理方法 |
| JP4554516B2 (ja) | 2003-05-29 | 2010-09-29 | 三菱電機株式会社 | 放電表面処理用電極および放電表面処理方法並びに放電表面処理装置 |
| WO2004108989A1 (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 放電表面処理用電極及びその製造方法並びにその保管方法 |
| CA2528091A1 (en) * | 2003-06-05 | 2004-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrode for discharge surface treatment, manufacturing method and evaluation method for electrode for discharge surface treatment, discharge surface treatment apparatus, and discharge surface treatment method |
| RU2325257C2 (ru) * | 2003-06-11 | 2008-05-27 | Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко., Лтд. | Способ производства металлического изделия, металлическое изделие, способ соединения металлических деталей и конструкция с соединением |
| JP4895477B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2012-03-14 | 三菱電機株式会社 | 放電表面処理方法および放電表面処理装置。 |
| JP4608220B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2011-01-12 | 三菱電機株式会社 | 放電表面処理用電極および放電表面処理方法 |
| JPWO2006057053A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2008-06-05 | 三菱電機株式会社 | 放電表面処理用電極及び放電表面処理方法並びに放電表面処理装置 |
| JP4857677B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2012-01-18 | 三菱電機株式会社 | 導電性粉末成形体電極およびその製造方法 |
| WO2007043102A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 放電表面処理用電極及び放電表面処理方法並びに被膜 |
| US8440931B2 (en) * | 2006-12-27 | 2013-05-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Electrode for electrical-discharge surface treatment and method of manufacturing the same |
| US20120156394A1 (en) * | 2009-09-03 | 2012-06-21 | Ihi Corporation | Discharge surface treatment |
| US20130037524A1 (en) * | 2010-04-28 | 2013-02-14 | Ihi Corporation | Electrode applied to discharge surface treatment and production method thereof |
| DE112010005590B4 (de) * | 2010-05-26 | 2022-10-27 | Mitsubishi Electric Corp. | Elektrode für eine Funkenerosionsoberflächenbehandlung und Funkenerosionsoberflächenbehandlungsbeschichtung |
| JP5898459B2 (ja) * | 2011-10-28 | 2016-04-06 | イーグル工業株式会社 | 放電表面処理用電極及び放電表面処理用電極の製造方法 |
| WO2013076761A1 (ja) * | 2011-11-22 | 2013-05-30 | 三菱電機株式会社 | 放電表面処理用電極および放電表面処理用電極の製造方法 |
| JP6762520B2 (ja) * | 2015-04-17 | 2020-09-30 | 国立大学法人 熊本大学 | ナノ粒子の製造方法 |
| CN106077656B (zh) * | 2016-07-30 | 2018-05-25 | 上海交通大学 | 一种制备具有纳米结构钛制品的方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB828336A (en) * | 1956-11-14 | 1960-02-17 | Ass Elect Ind | Improvements in and relating to metal surfaces |
| US4373127A (en) * | 1980-02-06 | 1983-02-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | EDM Electrodes |
| JPH0665733B2 (ja) * | 1985-11-26 | 1994-08-24 | 株式会社東芝 | 放電加工用電極材料およびその製造方法 |
| JP3271836B2 (ja) * | 1993-08-31 | 2002-04-08 | 科学技術振興事業団 | アルミニウム及びその合金の液中放電による表面処理方法 |
| JP3271844B2 (ja) * | 1993-12-31 | 2002-04-08 | 科学技術振興事業団 | 液中放電による金属材料の表面処理方法 |
| JP3376174B2 (ja) * | 1995-07-04 | 2003-02-10 | 三菱電機株式会社 | 放電加工による表面処理方法および装置 |
| JP3537939B2 (ja) * | 1996-01-17 | 2004-06-14 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 液中放電による表面処理方法 |
| JP3563203B2 (ja) * | 1996-06-12 | 2004-09-08 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 放電加工による表面処理方法及びその装置 |
-
1998
- 1998-03-11 JP JP2000535784A patent/JP3421321B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-11 CH CH01761/00A patent/CH693767A5/de not_active IP Right Cessation
- 1998-03-11 DE DE19882983T patent/DE19882983B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-11 CN CNB2004100685749A patent/CN100506434C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-11 WO PCT/JP1998/001006 patent/WO1999046423A1/ja active IP Right Grant
- 1998-03-11 KR KR10-2000-7009839A patent/KR100398764B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-11 CN CNB988138867A patent/CN100354454C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-15 US US09/639,767 patent/US6441333B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1597190A (zh) | 2005-03-23 |
| KR100398764B1 (ko) | 2003-09-19 |
| DE19882983B4 (de) | 2011-05-12 |
| CN1286732A (zh) | 2001-03-07 |
| US6441333B1 (en) | 2002-08-27 |
| DE19882983T1 (de) | 2001-03-08 |
| CN100354454C (zh) | 2007-12-12 |
| JP3421321B2 (ja) | 2003-06-30 |
| CN100506434C (zh) | 2009-07-01 |
| CH693767A5 (de) | 2004-01-30 |
| WO1999046423A1 (fr) | 1999-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100398764B1 (ko) | 방전 표면 처리용 압분체 전극 및 방전 표면 처리용압분체 전극의 제조 방법 | |
| EP0388549A1 (en) | Method for preparing powder metallurgical sintered product | |
| JP2003528979A (ja) | 金属部材を完成させる方法 | |
| JP3907948B2 (ja) | 金型の放電表面処理方法および金型放電表面処理用電極の製造方法および金型放電表面処理用電極 | |
| JP3657880B2 (ja) | 放電表面処理用圧粉体電極 | |
| KR100753275B1 (ko) | 방전 표면 처리용 전극, 방전 표면 처리용 전극의 제조방법과 평가 방법, 방전 표면 처리 장치 및 방전 표면 처리방법 | |
| CN1057244C (zh) | 一种钢－铜铅合金双金属柱塞缸体的制造方法 | |
| KR100385687B1 (ko) | 방전표면처리방법 및 방전표면처리장치 | |
| JP3627784B2 (ja) | 放電表面処理方法 | |
| JP3609429B2 (ja) | 放電表面処理用圧粉体電極及びその製造方法、並びに放電表面処理方法及び装置、並びに放電表面処理用圧粉体電極のリサイクル方法 | |
| WO1989003298A1 (en) | Process and device for manufacturing mouldings from particulate materials | |
| CA1244213A (en) | Dynamically loading solid materials or powders of solid materials | |
| PL375094A1 (en) | Method of preparing iron-based components by compaction with elevated pressures | |
| JPH11320272A (ja) | 放電表面処理方法およびその方法により形成される被処理体 | |
| Greulich | Rapid prototyping and fabrication of tools and metal parts by laser sintering of metal powders | |
| JP4580250B2 (ja) | 放電表面処理用電極の製造方法及び該電極並びに放電表面処理方法 | |
| JPH11229160A (ja) | コレットホルダおよびコレットホルダ保持具のチャック部の表面処理方法並びにその装置 | |
| RU2043870C1 (ru) | Способ изготовления твердосплавного инструмента | |
| DE102004026475A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers | |
| DE10009142A1 (de) | Formkörper mit Nanofeinpartikeln in gezielter Schichtstruktur | |
| RU2198070C2 (ru) | Способ изготовления составных изделий | |
| JP4119461B2 (ja) | 放電表面処理用電極の製造方法 | |
| JPH06287609A (ja) | 段付超硬合金材の製法 | |
| Egan et al. | Sintering: Electro Discharge Sintering (EDS) As A Method Of Manufacturing Diamond Tools | |
| JP2001181705A (ja) | 粉末成形方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120821 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130822 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140825 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150730 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160818 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170823 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Expiration of term |