KR20010039784A - 반도체 집적회로 장치 - Google Patents

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KR20010039784A
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우에다다이스케
다나카츠요시
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마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 칩 면적을 작게 하면서, 균열성과 방열성이 뛰어난 반도체 집적회로 장치를 실현할 수 있도록 하는 것이다.
GaAs기판 상에, 각각이 단위 베이스 전극(11)과, 이 단위 베이스 전극(11)과 동일한 중심 위치를 갖는 부채꼴 형상의 단위 컬렉터 전극(12)과, 단위 베이스 전극(11)과 단위 컬렉터 전극(12) 사이에 형성되며 단위 베이스 전극(11)과 동일한 중심 위치를 갖는 단위 이미터 전극(13)으로 이루어지는 3개의 유니트 셀(14)을 포함하는 7열의 유니트 셀열(15)이 배설된다. 유니트 셀열(15X)에 속하며 서로 인접하는 유니트 셀(A) 및 유니트 셀(B)의 각 배치 위치는, 이 유니트 셀열(15X)과 인접하는 유니트 셀열(15Y)에 속하는 유니트 셀(C)의 배치 위치에 대하여, 이 유니트 셀열(15X)에 속하는 유니트 셀(A, B)끼리 간격의 약 2분의 1 간격만큼 열방향으로 어긋나도록 설정된다.

Description

반도체 집적회로 장치{SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT APPARATUS}
본 발명은 반도체 집적회로 장치에 관한 것으로, 특히 마이크로파 영역에서 사용되는 고출력 전력증폭기용의 헤테로 접합 양극성 트랜지스터에 관한다.
양극성 트랜지스터는 이미터 전류와 트랜지스터의 온도에 양의 상관관계를 가지므로, 트랜지스터의 온도 상승에 따라 이미터 전류가 증가한다. 이미터 전류가 증가하면 트랜지스터의 발열보다 더욱 온도가 상승하여, 소자 파괴에 이르는 열폭주의 문제가 있다.
그래서 종래, 2층 이상의 조성이 서로 다른 화합물 반도체 결정성장층을 이용한 전력증폭기용 헤테로 접합 양극성 트랜지스터(이하 파워 HBT로 약칭)에서는, 고출력화와 방열성을 병립시키기 위하여 이하에 나타내는 바와 같은 구성이 채용되어 왔다.
종래의 파워 HBT에 대하여 도면을 참조하면서 설명하기로 한다.
도 3은 종래의 파워 HBT의 평면 구성을 나타내는 것이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 상부에 화합물 반도체로 이루어지는 복수의 결정성장층이 형성된 반절연성 GaAs 기판 상에, 단위 베이스 전극(101)과, 단위 컬렉터 전극(102) 및 단위 이미터 전극(103)으로 이루어지는 유니트 셀(104)을 포함하는 복수의 유니트 셀열(105)이 형성된다. 유니트 셀열(105) 내 유니트 셀(104)끼리의 간격(셀열 내 셀 간격)(D1)은, 열폭주가 발생하지 않도록 셀간의 열적 상호 간섭이 적고 또 칩 사이즈가 커지지 않는 최적의 값(d)이 선택된다.
복수의 유니트 셀열(105)은 소정의 셀열 간격(D2)으로 서로 평행하게 배치되며, 하나의 유니트 셀열(105) 내의 유니트 셀(104) 개수 및 유니트 셀열(105)의 열수는, 필요한 출력전력과 필요한 칩 사이즈에 따라서 설계된다.
하나의 유니트 셀열(105) 내 1개의 유니트 셀(104) 중심 위치로부터, 이 유니트 셀열(105)과 기판 면내에서 수직방향으로 늘린 직선이, 하나의 유니트 셀열(105)에 인접하는 다른 유니트 셀열(105)과 교차하는 위치에 다른 유니트 셀(104)이 배치된다. 따라서 하나의 유니트 셀열(105) 내 1개의 유니트 셀(104)과, 이와 인접하는 다른 유니트 셀열(105) 내의 가장 가까운 위치에 있는 다른 유니트 셀(104)과의 셀열간 셀 간격(D3)은, 셀열 간격(D2)과 같다.
이로써 단위 이미터 전극(103)의 전극 면적이 상대적으로 작은 다수의 유니트 셀(104)이, 열방향으로는 셀열 내 셀 간격(D1)으로, 또 열방향과 수직인 방향으로는 셀열 간격(D2)을 두고 배치되므로, 1개의 유니트 셀(104) 이미터 전극(103)의 주변둘레부 길이를 크게 한 경우와 비교하여 소자의 방열성이 월등히 좋아진다.
또한 다수의 유니트 셀(104)을 병렬동작시킴으로써 이미터의 총 주변둘레부 길이가 커지기 때문에, 대전류가 흐를 수 있게 되므로 고출력화를 도모할 수 있다.
그러나 상기 종래의 파워 HBT는 셀열간 셀 간격(D3)을 최적값(d) 이상으로 유지할 필요가 있으므로, 셀열 간격(D2)을 최적값(d) 이상으로 설정해야만 한다. 따라서 유니트 셀열(105)에 대하여 수직 방향의 칩 폭을, 최적값(d)과 유니트 셀열(105)의 열수로 결정되는 값보다 작게 할 수 없다는 문제를 갖고 있다. 또 1개의 칩에 같은 간격으로 다수의 유니트 셀(104)을 설치하기 때문에, 칩 중앙부와 단부에서는 그 방열성이 다르므로 균열성이 손상된다는 문제가 있다.
본 발명은 상기 종래의 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 칩 면적을 작게 하면서 방열성 및 균열성이 뛰어난 반도체 집적회로 장치를 실현할 수 있도록 하는 데에 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 관한 반도체 집적회로 장치를 나타내는 평면도.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 반도체 집적회로 장치를 나타내는 평면도.
도 3은 종래의 파워 HBT를 나타내는 평면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11 : 단위 베이스 전극 12 : 단위 컬렉터 전극
13 : 단위 이미터 전극 14 : 유니트 셀(단위 트랜지스터)
15, 15A, 15B, 15X, 15Y : 유니트 셀열(트랜지스터열)
16 : 베이스 배선 접속부 17 : 베이스 배선
18 : 컬렉터 배선 접속부 19 : 컬렉터 배선
20 : 신호입력용 패드 21 : 신호출력용 패드
22 : 이미터 배선 23 : 접지용 패드
D1 : 셀열 내 셀 간격 D2, D21, D22 : 셀열 간격
D3 : 셀열간 셀 간격
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 관한 반도체 집적회로 장치는, 기판 상에 형성되며, 그 각각이 베이스와 이미터 및 컬렉터를 갖는 복수의 단위 트랜지스터를 포함하는 복수의 트랜지스터열을 구비하고, 하나의 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터는, 이 하나의 열에 인접하는 다른 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터에 대하여 열방향으로 어긋나도록 설치된다.
본 발명의 반도체 집적회로 장치에 의하면, 하나의 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터는 이 하나의 열에 인접하는 다른 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터에 대하여 열방향으로 어긋나도록 설치되므로, 서로 인접하는 트랜지스터열간에서 트랜지스터끼리의 간격은 종래의 경우에 비하여 커진다. 이로써 트랜지스터열간에 발생하는 국소적 발열의 집중이 완화되므로, 고집적화를 도모하면서 방열성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 반도체 집적회로는, 기판 상에, 트랜지스터열마다 형성되어 이 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터의 베이스끼리를 접속하는 베이스 배선과, 이 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터의 컬렉터끼리를 접속하는 컬렉터 배선을 추가로 구비하고, 베이스 배선과 컬렉터 배선은, 트랜지스터열이 이 트랜지스터열 양쪽에서 협재되도록 설치되는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면 본 발명의 집적회로를 베이스 입력 및 컬렉터 출력의 증폭회로로 할 경우에, 베이스 배선과 컬렉터 배선이 교차하는 일없이 신호입력용 패드부와 베이스 배선의 접속 및 신호출력용 패드부와 컬렉터 배선의 접속이 가능해지므로, 신호 입출력간의 기생용량을 저감시킬 수 있어 증폭회로의 이득이 향상된다.
또 트랜지스터열에서의 각 단위 트랜지스터가 거의 같은 간격으로 배치되는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면 트랜지스터열 내에 발생하는 국소적 발열의 집중이 완화되므로 균열성 및 방열성을 향상시킬 수 있다.
또한 하나의 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터가, 이 하나의 열에 인접하는 다른 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터에 대하여, 이 하나의 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터끼리 간격의 약 2분의 1만큼 열방향으로 어긋나도록 설치되는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면 하나의 트랜지스터열에 속하며 열방향으로 인접하는 단위 트랜지스터쌍과, 이 하나의 열에 인접하는 다른 트랜지스터열에 속하며 상기 단위 트랜지스터쌍에 대하여 열방향과 수직인 방향으로 인접하는 단위 트랜지스터의 거리가 가장 길어지므로, 방열성이 더욱 향상된다. 게다가 기판 상에서 트랜지스터끼리의 배치 위치가, 열방향으로도 이 열방향과 수직인 방향으로도 대칭성이 높아지므로 균열성이 향상된다.
또한 하나의 트랜지스터열에 속하며 서로 인접하여 이루어지는 단위 트랜지스터쌍과, 이 하나의 열에 인접하는 다른 트랜지스터열에 속하며 단위 트랜지스터쌍과 인접하는 단위 트랜지스터는, 각각이 거의 정삼각형의 정점을 이루도록 배치되는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 복수의 트랜지스터열간 간격이 모두 같은 경우에는 단위 트랜지스터간의 거리가 가장 짧아져, 기판 상에서 최밀충전구조를 얻을 수 있으므로, 칩 면적을 확실하게 작게 할 수 있다.
또 본 발명의 반도체 집적회로 장치에서, 트랜지스터 형성 영역 중앙부 트랜지스터열끼리의 간격이 이 트랜지스터 형성 영역 단부 트랜지스터열끼리의 간격보다 크게 되도록 복수의 트랜지스터열이 형성되는 것이 바람직하다. 일반적으로 기판 단부 부근은 방열성이 높고 기판 중앙부 부근은 방열성이 낮지만, 이와 같이 하면 복수의 단위 트랜지스터로부터 발생되는 열이, 복수의 트랜지스터열 중앙부 부근으로 집중하기 어려워지므로, 방열성 및 균열성이 더욱 향상된다.
본 발명의 반도체 집적회로 장치는, 기판 상을 피복하도록 형성되며 트랜지스터열에 속하는 각 단위 트랜지스터의 이미터와 전기적으로 접속되는 금속막을 추가로 구비하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면 반도체 집적회로 장치를 증폭회로로서 이용할 경우에, 이미터 전극과 접속되며 기판 상을 피복하는 금속막에 의하여 이미터 접지의 증폭방식을 쉽게 실시할 수 있는 위에, 이 금속막이 방열판으로서 기능하므로 방열성이 월등하게 향상된다.
상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통해 보다 분명해 질 것이다.
(제 1 실시예)
본 발명의 제 1 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 관한 반도체 집적회로 장치인 파워 HBT의 구조를 나타내는 도면이다. 도 1에 도시한 바와 같이 예를 들어 반절연성 GaAs 기판 상에, 각각이, 원형상의 단위 베이스 전극(11)과, 이 단위 베이스 전극(11)과 동일 중심 위치를 갖는 부채꼴 형상의 단위 컬렉터 전극(12), 그리고 단위 베이스 전극(11)과 단위 컬렉터 전극(12) 사이에 형성되며 단위 베이스 전극(11)과 동일 중심 위치를 갖는 단위 이미터 전극(13)으로 이루어지는 3개의 유니트 셀(＝단위 트랜지스터)(14)을 포함하는 7열의 유니트 셀열(트랜지스터열)(15)이 배설된다. 여기서 단위 이미터 전극의 면적은 50㎛2정도이다.
유니트 셀열(15)에서의 각 유니트 셀(14)은, 서로의 간격(셀열 내 셀 간격)(D1)이 30㎛ 정도로 열 중심선이 거의 직선이 되도록 배치된다. 이 셀열 내 셀 간격(D1)은 열폭주가 발생하지 않도록, 셀간의 열적 상호 간섭이 적고 칩 사이즈가 커지지 않는 설정값이 선택된다.
각 유니트 셀열(15)은, 셀열 내 셀 간격(D1)의 (√3/2)배 값을 갖는 셀열 간격(D2)에 의하여 배치되고, 하나의 유니트 셀열(15) 내의 유니트 셀수 및 유니트 셀열수는, 소정의 출력전력 및 소정의 칩 사이즈에 따라서 설계된다.
또 도 1에 도시한 바와 같이 유니트 셀열(15X)에 속하며 서로 인접하는 유니트 셀(A) 및 유니트 셀(B)의 각 배치 위치는, 이 유니트 셀열(15X)과 인접하는 유니트 셀열(15Y)에 속하는 유니트 셀(C)의 배치 위치에 대하여, 이 유니트 셀열(15X)에 속하는 유니트 셀(A, B)끼리 간격의 약 2분의 1(＝D1/2)만큼 열방향으로 어긋나도록 배치된다.
이상의 사실에서 셀열 내 셀 간격(D1)과, 서로 인접하는 유니트 셀 열(15)간 유니트 셀(14)끼리의 간격인 셀열간 셀 간격(D3)이 같아짐으로써, 유니트 셀(A)과 유니트 셀(B) 및 유니트 셀(C)는 거의 정삼각형의 각 정점을 이루도록 배치되게 된다.
유니트 셀열(15)의 단위 베이스 전극(11)쪽의 측방을 좇아, 베이스 배선 접속부(16)를 개재시켜 베이스 배선(17)이 형성된다. 또 유니트 셀열(15)에 대한 베이스 배선(17) 반대쪽(단위 컬렉터 전극(12)쪽)의 측방을 좇아, 컬렉터 배선 접속부(18)를 개재시켜 컬렉터 배선(19)이 형성된다. 이로써 7열의 유니트 셀열(15)은 병렬동작이 가능해진다.
각 베이스 배선(17)은, 기판에서의 유니트 셀열(15) 한쪽 단부 측에 설치된 신호입력용 패드(20)와 전기적으로 접속되고, 각 컬렉터 배선(19)은, 기판에서의 유니트 셀열(15) 다른쪽 단부 측에 설치된 신호출력용 패드(21)와 전기적으로 접속된다.
각 단위 이미터 전극(13)으로 접지전위를 공급하는 이미터 배선(22)은, 층간 절연막을 사이에 두고 베이스 배선(17) 및 컬렉터 배선(19)과 다른 층으로 형성된다. 각 이미터 배선(22)의 한쪽 단부는, 각 단위 이미터 전극(13) 상에 퇴적된 층간 절연막에 설치된 콘택트홀 내의 플래그를 통하여, 각 단위 이미터 전극(13)과 전기적으로 접속된다. 그리고 각 이미터 배선(22)의 다른쪽 단부는, 기판 상에서의 유니트 셀열(15)의 열방향과 수직인 방향의 양단부에 설치된 접지용 패드부(23)와 전기적으로 접속된다.
여기서 이미터 배선(22) 또는 플래그와 직접 전기적으로 접속되며 접지용 패드부(23)와도 전기적으로 접속되는 금속막에 의하여 기판 상 전면이 피복되는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면 금속막이 각 유니트 셀(14)로부터 발생되는 열을 방열하는 방열기로서 기능하므로, 방열성과 균열성을 더욱 향상시킬 수 있다.
이와 같이 본 실시예에 관한 파워 HBT는, 이른바 이미터 접지방식의 증폭회로를 구성한다. 본 파워 HBT는 다수개, 여기서는 21개의 유니트 셀(14)을 병렬동작시킴으로써 이미터의 총 주변둘레 길이를 상대적으로 크게 할 수 있으므로, 대전류를 흐르게 할 수 있게 되어 고출력화를 도모할 수 있다. 또 단위 이미터 전극(13)의 전극 면적이 비교적 작은 다수의 유니트 셀(14)을, 서로 간격을 두고 배치하므로, 1개의 유니트 셀의 이미터 주변둘레 길이를 크게 한 경우에 비하여 소자의 방열성이 좋아진다.
또 본 실시예에 의하면 서로 인접하는 유니트 셀(14)끼리의 간격이, 셀열 내(＝D1)와 셀열간(＝D1)에 상관없이 같아지므로, 높은 균열성을 얻을 수 있다.
또한 셀열 간격(D2)은, 셀열 내 셀 간격(D1)을 소정 값으로 하면 (√3/2)D1로 되어 가장 작아지므로, 칩 면적을 가장 작게 할 수 있다.
(제 2 실시예)
이하, 본 발명의 제 2 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 관한 반도체 집적회로 장치인 파워 HBT의 평면 구성을 나타낸다. 도 2에서 도 1에 도시한 구성요소와 마찬가지 구성요소에는 동일 부호를 부여함으로써 설명을 생략한다.
도 2에 도시한 바와 같이 제 2 실시예에 관한 파워 HBT는, 기판 상의 중앙부 부근에 배치되는 유니트 셀열(15A)과 유니트 셀열(15B)의 셀열 간격(D21)과, 기판 상의 단부 부근에 배치되는 유니트 셀열(15X)과 유니트 셀열(15Y)의 셀열 간격(D22)을 비교하여, 중앙부 부근의 셀열 간격(D21)이 단부 부근의 셀열 간격(D22)보다 커지도록 배치되는 것이 특징이다.
이로써 기판 상 중앙부 부근에 유니트 셀(14)로부터의 발열이 국소적으로 집중되는 것이 완화되므로, 방열성이 더욱 향상된다.
뿐만 아니라 기판으로부터의 방열량은, 흡열원이 되는 기판 단부로부터의 거리가 커짐에 따라 감소하므로, 발열원이 되는 각 유니트 셀(15)을, 기판 중앙부 부근의 셀열 간격(D21)이 단부 부근의 셀열 간격(D22)보다 커지도록 배치함으로써 방열량과 발열량의 위치 의존성이 상쇄되므로, 유니트 셀(15)의 열방향과 수직인 방향의 기판 중앙부 부근의 열 집중이 완화되게 되어 균열성이 더욱 향상된다.
여기서 본 실시예에서도, 이미터 배선(22) 또는 플래그와 전기적으로 접속되며 접지용 패드부(23)와도 전기적으로 접속되는 금속막에 의하여 기판 상의 전면이 피복되는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면 금속막이 각 유니트 셀(14)로부터 발생되는 열을 방열하는 방열기로서 기능하므로, 방열성과 균열성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또 제 1 실시예 또는 제 2 실시예에서의 유니트 셀(14)은 1개의 원형상 단위 베이스 전극(11)과, 1개의 부채꼴 형상 단위 컬렉터 전극(12)과, 1개의 부채꼴 형상 단위 이미터 전극(13)으로 이루어지는데, 각 전극의 형상과 개수 및 배치는 이들에 한정되지 않는다. 따라서 다른 형상과 개수 및 배치를 갖는 유니트 셀(14)이라도 된다.
또한 유니트 셀(14)에 HBT를 사용하였으나, 헤테로 접합이 아닌 양극성 트랜지스터이더라도 마찬가지 효과를 얻을 수 있음은 물론이다.
본 발명의 반도체 집적회로 장치에 의하면, 하나의 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터와, 이 하나의 열에 인접하는 다른 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터에 대하여, 열방향으로 서로 어긋나도록 각 단위 트랜지스터를 설치함으로써 기판에서의 국소적 발열 집중이 완화되므로, 고집적화를 도모하면서 방열성 및 균열성을 향상시킬 수 있다.

Claims (7)

  1. 기판 상에 형성되며, 그 각각이 베이스와 이미터 및 컬렉터를 갖는 복수의 단위 트랜지스터를 포함하는 복수의 트랜지스터열을 구비하고,
    하나의 트랜지스터열에 속하는 상기 단위 트랜지스터는, 이 하나의 열에 인접하는 다른 트랜지스터열에 속하는 상기 단위 트랜지스터에 대하여 열방향으로 어긋나도록 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 상에, 상기 트랜지스터열마다 형성되어 이 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터의 베이스끼리를 접속하는 베이스 배선과, 이 트랜지스터열에 속하는 단위 트랜지스터의 컬렉터끼리를 접속하는 컬렉터 배선을 추가로 구비하고,
    상기 베이스 배선과 상기 컬렉터 배선은, 상기 트랜지스터열이 이 트랜지스터열 양쪽에서 협재되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 트랜지스터열에서의 각 단위 트랜지스터는, 거의 같은 간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    하나의 트랜지스터열에 속하는 상기 단위 트랜지스터는, 이 하나의 열에 인접하는 다른 트랜지스터열에 속하는 상기 단위 트랜지스터에 대하여, 이 하나의 트랜지스터열에 속하는 상기 단위 트랜지스터끼리 간격의 약 2분의 1만큼 열방향으로 어긋나도록 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    하나의 트랜지스터열에 속하며 서로 인접하여 이루어지는 단위 트랜지스터쌍과, 이 하나의 열에 인접하는 다른 트랜지스터열에 속하며 상기 단위 상기 단위 트랜지스터쌍과 인접하는 단위 트랜지스터는, 각각이 거의 정삼각형의 정점을 이루도록 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  6. 제 1~4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 트랜지스터열은, 트랜지스터 형성 영역 중앙부 트랜지스터열끼리의 간격이 이 트랜지스터 형성 영역 단부 트랜지스터열끼리의 간격보다 커지도록형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  7. 제 1~6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 상을 피복하도록 형성되며 상기 트랜지스터열에 속하는 각 단위 트랜지스터의 이미터와 전기적으로 접속되는 금속막을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
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JP4024736B2 (ja) 2003-09-12 2007-12-19 株式会社東芝 ラテラル型半導体装置
JP5011549B2 (ja) * 2004-12-28 2012-08-29 株式会社村田製作所 半導体装置
JP6071009B2 (ja) 2014-11-27 2017-02-01 株式会社村田製作所 化合物半導体装置
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