KR20010039691A - 다중 패스 형으로 매칭 네트워크를 갖는 매립된 변환기어레이 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 세정 컨테이너를 통과하는 병렬 메가소닉 파의 칼럼을 발생하는 한쌍의 병렬 메가소닉 변환기를 제공한다. 반도체 웨이퍼는 그 칼럼에 교차하여 앞뒤로 움직인다. 본 변환기는 부식을 막기 위해 그 지지면을 실리콘 탄성중합체로 매립하게 된다. 또 다른 실시예에 있어서, 원통형 수정 막대로 직렬 변환기에서 나온 메가소닉 파는 분산된다. 압력으로 오존을 필터를 통해서 탈이온화된 물의 밀봉된 하우징으로 펌프함으로써 물은 오존으로 농축된다.
Description
본 발명은 변환기 어셈블리에 관한 것이며, 특히 메가소닉 반도체 웨이퍼 세정 방법 및 장치에 관한 것이다.
메가소닉 에너지 및 파는 (소자 그리고 집적회로로 들어가는) 웨이퍼 공정시 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 입자를 세정 및 제거하기 위해 이용된다. 0.5㎒에서 2㎒ 또는 그 이상의 범위의 주파수에 대한 고주파 음향 에너지는 메가소닉 (megasonic)이라고 불린다. 주파수가 20㎑에서 0.5㎒까지의 범위일 때 음향 에너지는 초음파라고 불린다.
메가소닉 세정은 서로 다른 용매 및 탈지 용액을 이용하여 입자 및 포토레지스트의 제거, 탈유, 그리고 탈지를 하기 위한 제조 공정의 많은 단계에서 이용된다. 또한, 웨이퍼 표면에 타이트하게 붙은 미립자(≥0.1㎛)의 제거에 있어서, 메가소닉 에너지가 도움이 될 것이라고 한다. 메가소닉 세정의 주 이점은 화학 세정의 비용을 절약하고, 월등한 청결함을 주며, 그리고 동시에 웨이퍼의 양면을 깨끗이 하는 것인데, 이로 인해 핸들링이 덜 필요하게 된다.
현존하는 메가소닉 세정 시스템은 몇가지 결함이 있다. 통상적인 메가소닉 변환기에 있어서, 단사정계 수정 압전 결정이 수정 판에 설치된다. 그 결정에서 나온 메가소닉 에너지는 수정 판을 통해 그 세정 용액으로 전송된다. 수정 판은 세정 용액에 노출되거나 메가소닉 에너지를 탱크 바닥을 통해 전송한다. 통상적인 탱크는 쉽게 메가소닉 에너지를 전송하지 못하는 천연 폴리프로필렌으로 만들어 진다. 수정 판의 두께는 메가소닉 에너지를 세정 용액으로 최대 전송을 하는데 중요하다.
수정 압전 결정의 지지면은 케이블로부터 전기 에너지를 받는 버스 바(bus bar)를 갖는다. 버스 바 및 케이블 접속은 통상적으로 오픈되어 있고 절연되어 있지 않다. 시간을 오버한 경우 오픈 탱크에서 세정 용액으로부터 새어나오는 부식성 연무가 버스 바와 케이블 접속을 부식시킨다는 것를 관찰해 왔다. 다른 것들은 수정 압전 소자를 완전히 보호하는 반면, 미국 특허 제 5,355,048호의 명세서에 개시된 바와 같이, 음향 에너지가 세정 용액으로 적절하게 전송되도록, 수정판과 마주하는 압전 소자의 표면의 보호가 그 판의 크기에 있어서 실질적인 수정을 필요로 한다.
통상적인 메가소닉 세정 장치에 있어서, 하나 또는 그 이상의 변환기가 세정 탱크의 밑에 위치하고 실질적으로 서로 직렬이다. 이런 변환기는 탱크의 밑에서 위까지 뻗어 나가는 정재파 메가소닉 에너지의 칼럼을 발생시킨다. 연구에 의하면 이런 정재파는 메가소닉 에너지가 감소된 파워를 갖는 곳에서 불감대 (dead zone) 또는 정체 영역을 갖는다고 한다. 웨이퍼 또는 그 일부분이 그런 정체 영역에 처리된다면, 웨이퍼의 나머지뿐만 아니라 그런 웨이퍼 또는 그 일부분은 세정되지 않을 것이다. 이 문제를 치유하기 위해, 미국 특허 제 5,427,662호 및 제 5,520,205호의 명세서에 개시된 바와 같이 웨이퍼를 옆으로 움직이게 하거나, 웨이퍼를 회전시킬 것이 제안되었다. 미국 특허 제 4,869,278호 및 제 4,998,549호의 명세서에 개시된 바와 같이, 상응하는 압전 결정을 갖는 속이 빈 원통형 수정 판을 만들어 왔거나, 그 소닉 에너지를 분산시키기 위해 탱크의 밑에 고정된 반 고체인 원통형 수정판을 제공해 왔다.
일단 웨이퍼가 세정되면, 제조하는 동안 웨이퍼의 오염을 막기 위해 가능한 빨리 웨이퍼상에 얇은 천연 산화층을 제공하는 것이 중요하다. 오존이 있든 없든 발가벗은 실리콘 웨이퍼 표면에 쉽게 천연 산화물이 쉽게 생겨난다. 그러나, 산화물이 천천히 또는 제어되지 않고 형성된 경우, 산화물은 높은 레벨의 SiOx입자 또는 다른 오염물질와 섞이는 경향이 있다. 높은 레벨의 오존(>7ppm)의 이용은 빠르고 깨끗한 천연 산화물을 형성하는데 일조한다. 웨이퍼를 오존이 풍부한 물의 욕조에 넘겨줌으로써 그런 천연 산화층이 제공된다. 그러나, 물을 오존화시키는 현재의 기술은 부적절하다. 그 오존이 그 물 욕조에서 빨리 떠나기(승화하기) 때문에, 웨이퍼가 소정의 천연 산화층을 수용하지 못한다.
본 발명은 바닥, 네개의 벽, 그리고 오픈된 상면을 갖는 직사각 형태로 이루어지고, 세정액과 다수의 반도체 웨이퍼를 담는 컨테이너 및 적어도 하나 또는 그 이상의 변환기를 담는 프레임을 포함하고, 컨테이너 바닥에 설치된 메가소닉 변환기 어레이, 각각의 변환기는 압전 소자에서 세정액으로 들어가는 메가소닉 에너지를 결합하기 위한 전송 판에 붙은 압전 소자를 포함하며, 압전 소자에 접속되고 상기 수정 판, 압전 소자, 컨테이너에서 물의 침투를 막는 실리콘을 포함하는 물질로 보호된 모든 케이블로의 상기 접속을 그 소자에서 전기 에너지 원까지 확장하는 하나 또는 그 이상의 전기 케이블을 포함하는 메가소닉 세정 장치를 포함한다.
본 발명은 또한 컨테이너내의 세정액 전면에 층 에너지 파를 갖는 메가소닉 파를 발생시키고, 컨테이너내에 그 발생된 파를 막고 다양한 식으로 그 파를 분산시키는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 메가소닉 세정 방법을 포함한다.
편리하게도, 본 발명의 특징은 버스 바와 케이블사이의 접속의 지지면을 매립하거나 보호하는 실리콘 탄성중합체이다. 본 발명은 압전 결정과 수정판사이에 절연물을 제공하는 난점을 피한다. 버스 바와 케이블 접속의 지지면을 매립함으로써, 수정 파 판과 수정 결정의 전송 구조는 바뀌지 않은채 존재한다. 이 매립으로 연무가 부식하는 것을 막거나, 그렇지 않으면 케이블과 버스바 자체 그리고 수정 변환기사이의 전기 접속을 손상시키는 것을 막는다.
본 발명은 웨이퍼상에 소닉 에너지를 분산시키는 두가지 해결책을 제공한다. 제 1의 해결책은 이중 패스 구조와 방법을 제공한다. 본 해결책에 있어서, 변환기는 탱크의 밑을 따라 서로 병렬로 배열되고 세정될 웨이퍼 또는 제품의 수직 위치에 직교배열된 둘 또는 그 이상의 변환기를 포함한다. 그 웨이퍼는 탱크로 삽입되고 나서 병렬 변환기에 의해 생성된 메가소닉 에너지의 칼럼에 실질적으로 수직한 경로를 따라 적어도 두 배로 상호적으로 움직이게 된다. 본 방법은 메가소닉 에너지를 통해서 전송하는 동안 각 웨이퍼는 어떤 점에서 최대 메가소닉 에너지를 통과하는 것을 확실히 보증한다.
메가소닉 에너지를 분산시키는 제 2의 해결책은 구조에 있어서 통상적인 직렬 변환기 및 원통형 수정 막대를 이용하는 것을 규정한다. 원형 수정 막대는 세정 장치내에 처리되고 변환기로부터 분리된다. 원통형 막대는 메가소닉 파가 탱크의 밑에 있는 수정판으로부터 발산되는 것을 막고, 의도한 수직 경로로부터 파를 분산하여 방향을 고친다.
최종적으로, 본 발명은 오존-포획하는 장치와 방법을 제공한다. 본 장치와 방법은 폴리테트라플로로에틸렌(테프론) 역전 필터를 이용한다. 필터는 물의 하우징에 잠입하게 된다. 오존의 역류를 막기 위해 압력으로 체크 밸브가 있는 필터에 오존이 펌프된다. 수용 하우징은 물로 채워지고 또한 밀봉된다. 압력하의 오존은 테프론 필터에서 나와 주위의 물로 들어가게 된다. 오존화된 물은 하우징의 기저에서 인출되어, 오존화된 물을 웨이퍼에 대기 위해, 웨이퍼 오존 욕조로 가게 된다. 오존화된 물을 웨이퍼에 대면서, 웨이퍼는 사실상 오염물질이 없는 천연 산화물의 얇은층을 빨리 얻는다. 추가 웨이퍼 공정을 하는 동안, 천연 산화물 층은 웨이퍼를 오염물질로부터 보호하는데 있어서도 도움이 된다. 천연 산화물은, 주위 온도 및 압력에 따라 최종 두께(보통 < 50℃)를 갖으면서, 그 성장에 있어서 자체-한계를 갖는다.
도 1은 병렬 변환기를 갖는 매립된 변환기 및 메가소닉 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 메가소닉 장치의 평면도이다.
도 3은 도 1의 변환기의 확대 단면도이다.
도 4는 도 3에 나타난 변환기의 확대 평면도이다.
도 5는 직렬 매립된 변환기의 부분 투영도이다.
도 6은 도 5에 나타난 변환기의 단면도이다.
도 7은 원통형 분산 막대가 있는 메가소닉 장치의 단면도이다.
도 8은 도 7의 분산 막대 및 변환기의 부분 투영도이다.
도 9는 웨이퍼 및 원통형 막대에서 변환기에 의해 발생된 분산된 메가소닉 파를 보여주는 단부도이다.
도 10은 오존화된 물 장치의 개략적인 도이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호와 설명)
5:콘테이너 52, 54:수정판
9:세정액 71:탱크
10:세정 장치 86:웨이퍼
18, 19:버스 바 101:체크 밸브
38, 39:케이블 104:입구 선
42,44:압전 결정 105:출구 선
72:원통형 막대
도 1 및 2는 종단벽(12, 14) 및 사이드벽(13F,13R)이 있는 컨테이너(5)를 포함하는 메가소닉 장치(10)를 도시한다. 컨테이너는 세정액(9)으로 채워져 있다. 다수의 반도체 웨이퍼(22)는 종래의 운반대 또는 로봇 팔(도시되지 않음)에 의해 탱크위에서 지지되는 웨이퍼 보트(20)에 담겨 있다. 변환기(30)는 컨테이너의 바닥(16)에 부착된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 수정 판(52, 54)은 컨테이너의 바닥(16)과 마주한다. 수정 판은 압전 변환기(42,44)에 부착된다. 그런 변환기는 전기 에너지를 메가소닉 음파로 변환시킨다. 전기 에너지는 버스 바(18, 19) 각각에 의해 변환기에 공급된다. 버스 바는 케이블(38, 39)을 경유하여 압전 결정(42, 44)을 활성화시키기 위해, 전기 신호를 발생시키는 오실레이터에 연결된다. 스크류(33a, 33b, 및 32a, 32b)는 변환기 프레임(30)을 바닥(16)에 연결시킨다.
도 3 및 4 는 변환기(30)의 위 표면의 외주 주위에 배열된 게스킷(45)을 도시한다. 변환기(30)는 사이드벽(31, 35), 종단벽(36, 37) 및 중앙벽(34)을 포함한다. 게스킷(45)은 임의의 적당하고 유연한 절연 물질로 만들어 지는 것이 바람직하다. 바람직한 게스킷은 상거래에서 고텍스(Gortex)로 알려진 물질로 만들어 진다. 수정 판, 결정 및 버스 바 어셈블리는 프레임의 윗면에 부착된다. 버스 바(18, 19) 아래에 남아있는 공동(cavity)은 적당한 절연 물질(55)로 채워져 있다. 절연 물질(55)은 임의의 매립 물질, 예를 들어, 실리콘 탄성중합체일 수 있다. 실리콘 탄성중합체 물질은 컨테이너(5)의 오픈된 상면에서 스며나오는 부식성 연무로부터 버스 바 및 케이블 접속을 밀봉한다.
작동에 있어서, 메가소닉 변환기(30)는 메가소닉 정재파의 병렬 칼럼을 발생시킨다. 웨이퍼 보트(20)에 있는 웨이퍼(22)는 세정액(9)으로 내려가게 된다. 운반대 또는 로봇 팔은 화살(6) 방향으로 웨이퍼를 병진시킨다. 이 방향은 메가소닉 정재파의 칼럼에 교차한다. 첫번째 방향 그리고 나서 그 반대 방향으로 메가소닉 정재파를 통해 지나감으로써 웨이퍼는 모두 실질적인 메가소닉 에너지에 노출되고, 어떤 웨이퍼도 정체 영역에 영구적으로 상주하지 않는다.
본 발명의 교번 매립 실시예가 도 5 및 6에 도시된다. 여기서, 직렬 변환기(60.1, 60.2)는 압전 소자(61.2, 61.2)를 포함한다. 압전 소자위에는 각각 수정판(62.1, 62.2)이 있다. 버스 바(63.1, 63.2)는 전기 에너지를 케이블(64.1, 64.2)에서 압전 소자(61.2, 61.2)로 운반한다. 실리콘 탄성중합체(65)와 같은 매립 물질은 변환기 프레임의 공동의 지지면을 채운다.
상기 두 실시예에 있어서, 수정판은 메가소닉 파의 약 1/4 파장에 상응하는 두께의 크기이다. 약 1/4 파장은 그 수치가 하나로 시작하여 두개씩 세는 일련의 자연수의 하나인 곳에서 분기 파장의 수치이며, 둘로 나눌 수 없다. 본 실시예에 있어서, 약 1/4 파장은 0.177인치의 수치인 것이 바람직하고, 0.150인치에서 0.200인치 또는 그 배수의 범위가 바람직하다. 수정판은 압전 결정, 메가소닉 파, 및 세정액(9) 사이에 소정의 음향 매칭을 제공하기 위해, 약 1/4 파장인 것을 선택한다. 약 1/4 파장을 선택함으로써, 에너지 흡수가 거의 없거나 전혀 없이 수정판에 의한 최대 에너지 이전이 행해진다.
도 7-9에서, 메가소닉 에너지를 컨테이너 전체에 분산시키는 교번 실시예가 도시된다. 본 실시예에 있어서, 원통형 막대(72)가 탱크(71)의 바닥으로 부터 일정 간격으로 유지되고, 그 막대 반대 끝에 위치한 지지대(73, 74)에 의해 지지된다. 수정판(76)을 갖는 변환기(75)는 막대(72) 아래에 위치한다. 단지 하나의 변환기가 도면에 보여지지만, 본 기술에서 숙련이 필요한 것들은 둘 또는 그 이상의 변환기가 도 5 및 6에 나타난 바와 같이 서로 직렬로 배열되는 것이다. 작동에 있어서, 수정판(76)에서 발산된 메가소닉 에너지는 막대(72)에 의해 차단된다. 도 9에 나타난 바와 같이, 막대(72)는 세정액내의 탱크 바닥과 웨이퍼(86) 사이에 위치한다. 막대(72)가 메가소닉 파를 차단시킬 때 그 파들을 세정액(9)전체에 분산시킨다. 이런 분산은 정재파 본래의 문제를 피한다. 따라서, 메가소닉 에너지는 세정액(9) 전체에 분산되고, 웨이퍼(86) 모두가 실질적으로 고르게 세정되지만, 매우 집중된 층 파워 분산의 제 1 해결책에 의해서 실현될 수 있는 것보다 더 낮은 파워 밀도에서 세정된다.
도 10에서는, 오존을 물로 용해하는 개선된 장치가 도시된다. 종래 기술에 있어서, 표면 보호막은 과수산화물에 의해 제공된다. 그러나, 과수산화물은 바람직하지 않은 금속 오염물질을 함유할 수 있다는 것으로 밝혀졌다. 실리콘 표면이 천연 산화물로의 빠른 변환을 이루기 위해 오존대 물의 비는 7ppm이상이어야 바람직하다. 적절치 못한 오존 레벨은 규산염 미립자를 초래한다.
본 발명의 장치에 있어서, 테프론 필터(103)는 밀봉된 물 하우징(102)에 가라앉게 된다. 오존은 직렬 체크 밸브(101)를 갖는 입구(inlet) 선(104)을 통해 전해진다. 테프론 필터(103)는 하우징에 있는 물에 오존이 용해하게 해 준다. 그리고 나서, 오존화된 물은 방출 출구(outlet)(105)를 통해 방출된다. 그리고 나서, 그 물은 실제로 금속 또는 유기 오염이 없는 산화 층을 남겨둔채 웨이퍼가 급속히 산화되는 컨테이너로 들어간다. 입구(104)는 높게 탈이온화된 물을 운반한다. 오존은 0.1㎛의 테프론 카트리지를 함유한 높은 순도의 테프론 필터 하우징을 통해 물로 전해진다. 필터 구멍은 오존이 그 구멍을 통해서 하우징(103)으로 흐르게 할 정도로 커야 한다. 오존과 물은 밀봉된 환경(102)에서 혼합되기 때문에, 방출액에 있어서 유리된 오존이 거의 없거나 전혀 없다. 오존화 작용은 20℃에서 ±2℃의 온도에서 수행된다. 더 낮은 온도에서는 더 많은 오존이 물에 용해된다. 바람직한 실시예에 있어서, 구멍(130)으로부터의 방출액은 적어도 7ppm의 오존이다.
본 발명은 세정 컨테이너를 가로질러 메가소닉 파의 병렬 결정을 발생시키는 한 쌍의 병렬 메가소닉 변환기를 제공한다. 반도체 웨이퍼는 칼럼과 교차하여 앞 뒤로 움직인다. 변환기는 부식을 막기 위해 그 지지면을 실리콘 탄성중합체로 매립시킨다. 또 다른 실시예에 있어서, 직렬 변환기에서 나온 메가소닉 파가 원통형 수정 막대로 분산된다. 물은 압력하의 오존을 필터를 통해 탈이온화된 물의 밀봉된 외피으로 펌프함으로써 오존으로 농축된다.
Claims (10)
- 바닥, 네개의 벽, 그리고 오픈된 상면을 갖는 직사각 형태로 이루어지고, 세정액과 다수의 반도체 웨이퍼를 담는 컨테이너;적어도 하나 또는 그 이상의 변환기를 담는 프레임을 포함하고, 컨테이너 바닥에 설치된 메가소닉 변환기 어레이, 각각의 변환기는 압전 소자에서 세정액으로 들어가는 메가소닉 에너지를 결합하기 위한 전송 판에 붙은 압전 소자를 포함하며; 및압전 소자에 접속되고 상기 수정 판, 압전 소자, 컨테이너에서 물의 침투를 막는 실리콘을 포함하는 물질로 보호된 모든 케이블로의 상기 접속을 그 소자에서 전기 에너지 원까지 확장하는 하나 또는 그 이상의 전기 케이블을 포함하는 메가소닉 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서, 메가소닉 변환기는 약 1/4 파장의 수정판에 결합된 압전 소자를 포함하며, 상기 약 1/4 파장의 수정판은 수정판의 두께만큼 서로 분리된 제 1 및 2 플레이너 표면을 가지며, 상기 제 1 플레이너 표면은 변환기로부터 탱크내의 세정액으로 들어가는 소닉 에너지를 결합하기 위해 탱크의 바닥과 마주하고, 제 2 플레이너 표면은 압전 소자에 결합되며, 변환기는 바람직하게는 서로 병렬이거나 서로 직렬인 것이 메가소닉 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서, 각각의 변환기는 약 1/4 파장의 수정판에 결합된 압전 소자 및 압전 소자에 연결되고 소자에서 전기 에너지원까지 확장하는 하나 또는 그 이상의 전기 케이블을 포함하며, 상기 약 1/4 파장의 수정판은 수정판의 두께만큼 서로 분리된 제 1 및 2 플레이너 표면을 가지며 , 상기 제 1 플레이너 표면은 변환기로부터 탱크내의 세정액으로 들어가는 소닉 에너지를 결합하기 위해 탱크의 바닥과 마주하고, 제 2 플레이너 표면은 압전 소자에 결합되며, 상기 수정판, 압전 소자, 및 컨테이너내에 액체로부터 침입을 막는 물질로 보호된 모든 게이블로의 상기 연결인 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정 장치.
- 제 3 항에 있어서, 변환기의 표면에 연결되고 변환기에 의해 전송된 음파의 약 1/4 파장의 두께를 갖는 약 1/4 파판을 포함하여, 변환기 어레이는 또한 1/4 파판을 지지하는 직사각형 프레임 및 압전 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정 장치.
- 제 4 항에 있어서, 메가소닉 전기신호를 발생시키는 메가소닉 발생기, 변환기의 표면에 연결되고 변환기에 의해 전송된 소정의 메가소닉 파의 약 1/4 파장의 두께를 갖는 약 1/4 파판, 그리고 소정의 음파에 상응하는 전기 신호를 발생하기 위해 메가소닉 발생기를 조정하는 수단을 특징으로 하며, D급 증폭기 및 세정액에서 메가소닉 음파를 발생시키는 변환기의 전기 소닉 특성에 매치되는 전기 신호를 발생시키는 매칭 변압기를 포함하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정 장치.
- 세정액에서, 둘 또는 그 이상의 병렬 메가소닉 파의 세트를 발생시키고, 반도체 소자를 세정액에 잠입시키며, 메가소닉 파에 교차하는 경로를 따라 세정액내의 웨이퍼를 이동시키고, 그리고 상기 경로를 두 배 또는 그 이상으로 교차시키는 단계를 포함하며, 메가소닉 파가 세정액의 병렬 영역을 가로질러 발생되고 웨이퍼를 이동시키는 단계는 상기 병렬 영역을 통해 웨이퍼를 왕복시키는 것을 포함하는 반도체 웨이퍼의 메가소닉 세정 방법.
- 컨테이너내의 세정액 전면에 층 에너지 파를 갖는 메가소닉 파를 발생시키고, 컨테이너내에 그 발생된 파를 막고 다양한 방식으로 그 파를 분산시키는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 메가소닉 세정 방법.
- 바닥, 네개의 벽, 그리고 오픈된 상면이 있는 직사각 형태로 이루어지고, 세정액과 다수의 반도체 웨이퍼를 담는 컨테이너;적어도 하나 또는 그 이상의 변환기를 담는 프레임을 포함하고, 컨테이너 바닥에 설치된 메가소닉 변환기 어레이, 각각의 변환기는 압전 소자에서 세정액으로 들어가는 메가소닉 에너지를 결합하기 위한 전송 판에 붙은 압전 소자를 압전 소자에 연결된 전기 케이블을 포함하며, 전송판은 압전 소자에 의해 발생된 메가소닉 파의 약 1/4 파장에 상응하는 두께를 갖는 수정판, 변환기로부터 나와 규칙적인 형태로 전송된 층 소닉 에너지를 막고 다양한 형태로 상기 소닉 에너지를 컨테이너의 나머지 부분으로 재분배하는 컨테이너내 변환기위에 처리된 원통형 막대; 및압전 소자에 연결되고 소자에서 전기 에너지원으로 확장하는 하나 또는 그이상의 전기 케이블을 포함하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정 장치.
- 오존화된 물을 발생시키 위해, 액체를 담고 제 1 및 2 입구를 갖는 하우징, 물을 수용하는 제 1 입구, 제 2 입구에 연결되고 컨테이너에 오존을 분산하여 물에 들어가게 하기 위한 컨테이너에 처리된 오존 분산 필터 및 컨테이너로부터 오존화된 물을 제거하기 위해 컨테이너에 연결된 출구를 포함하며, 그 필터가 폴리테트라플로로에틸렌을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 9 항에 있어서, 오존화된 물을 발생하기 위해 탈이온화된 물을 밀봉된 하우징으로 펌프하고, 수압보다 더 큰 압력으로 오존을 하우징내의 필터로 펌프하며, 7ppm과 같거나 더 큰 양으로 오존을 물로 용해시키기 위한 하우징에서의 압력을 유지시키기 위해 하우징으로부터 한정된 구멍을 통해 오존화된 물을 인출하는 단계를 포함하고, 수온이 약 20℃에서 ±2℃인 것을 특징으로 하는 방법.
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