JP2009536450A - プレート状基材を湿式処理するための装置と方法 - Google Patents
プレート状基材を湿式処理するための装置と方法 Download PDFInfo
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 86
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 67
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011225 non-oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
Description
−第一プレート、
−前記の第一プレートに実質的に平行な単一のプレート状物体を保持するための保持手段、
−処理される時、前記の第一プレートとプレート状物体の間の第一ギャップ内に液体を導入するための第一分配手段、
この場合、第一プレートはシリコン・プレートであり、少なくとも99重量%のシリコンから成っている。プレート状物体を処理する時、シリコン・プレートは処理液と接触している。
シリコン・ウエハーを用いるべきである。費用節減の目的のためには、回収ウエハーを第一プレートとして使用できる。しかしながら、回収ウエハーは半導体産業のために製造されたウエハーであるが、ICを作るための正確な仕様を満たしていないウエハーである。
える材料で特にカバーできる。
−単一のプレート状物体を保持すること、
−前記プレート状物体に実質的に平行に第一プレートを配置すること、
−処理時に前記の第一プレートとプレート状物体の間の第一ギャップに液体を導入すること、
この場合、第一プレートがシリコン・プレートで、少なくとも99重量%のシリコンから成り、そのシリコン・プレートが処理液に接触すること。
ていて、結合液と処理液Fの混合を避けている。る。共鳴プレート11はそれによって処理タンク3の底面プレートを形成する。共鳴プレート11が、例えばPVDFから作られたクランピング・リング(図示せず)を用いて超音波タンク10にクランプされる。結合液Cが超音波タンクに供給される。そして、図示されていないパイプを通じて超音波タンク10から排出させる。そのような配管系を使用して、結合液の温度を一定に維持する。
Transmission through Silicon in Mega−sonic Single Wafer Cleaning System”presented at Hawaii conference of the Electrochemical Society(ECS)in 1999)参照)。
供給部M1及びM2を通って流れて、選定値で平均の液面を有するように制御される。
図6に示す本発明の第六の実施例は第五の実施例に基づいている。しかしながら、結合プレート18が形成されてトランスジューサー15が共鳴プレート13に平行して配置され
る。代わりに、結合プレート18が省略され、トランスジューサーが直接にシリコン共鳴プレートに直接接着される。トランスジューサーを結合プレートに、又は、シリコン共鳴プレートに接着するのに適当な接着剤は、有機樹脂(例えばエポキシ樹脂)又は、焼結又はガラス化しうる無機材料(例えば、ガラス)である。
Claims (17)
- プレート状物体の湿式処理のための装置で、
1.1 第一プレート
1.2 ひとつのプレート状物体を前記の第一プレートと実質的に平行に保持するための保持手段、
1.3 処理時に第一プレートとプレート状物体の間の第一のギャップ内に液体を導入するための第一の分配手段、
この場合、第一プレートはシリコン・プレートであり、そのプレートが少なくとも99重量%のシリコンから成り、プレート状物体の処理時にそのシリコン・プレートが処理液に接触すること、
から成る装置。 - さらに、少なくともシリコン・プレートに音響的に結合した少なくとも1個の超音波トランスジューサーから成る請求項1に記載の装置。
- さらに、前記第一プレートに実質的に垂直な軸の回りにお互いに対して前記保持手段と前記第一プレートを回転するための回転手段から成る請求項1に記載の装置。
- そのシリコン・プレートが単結晶シリコンから作られていることから成る請求項1に記載の装置。
- その第一分配手段が、シリコン・プレート内に形成される少なくとも1個所の液体供給用開口部から成る請求項1に記載の装置。
- 共鳴プレートが超音波トランスジューサーに結合し、第一分配手段が少なくとも1個所の液体供給用開口部を含み、その開口部がシリコン・プレート内に形成され、共鳴プレートがそのシリコン・プレートに平行に配置され、それにより、共鳴プレートとシリコン・プレートの間の第二のギャップを形成し、その第二のギャップが処理液供給路の一部であることから成る請求項2に記載の装置。
- シリコン・プレート内に開口部を設けないことから成る請求項1に記載の装置。
- さらに、第一プレートと向かい合っていないプレート状物体の側面の上に液体を供給するための第二液体供給手段から成る請求項1に記載の装置。
- さらに、第二プレートが実質的に前記第一プレートに平行で、それにより処理時にその第二の液体供給手段が第二プレートとプレート状物体の間のギャップに液体を導入することから成る請求項8に記載の装置。
- 超音波トランスジューサーがシリコン・プレートに直接取付けられることから成る請求項2に記載の装置。
- 超音波トランスジューサーがシリコン・プレートに、固体及び液体から成るグループから選ばれた結合媒体を通じて間接的に結合されていることから成る請求項2に記載の装置。
- 結合媒体が結合液体であることから成る請求項11に記載の装置。
- 結合液が、処理液の固有インピーダンスより5%未満低い固有インピーダンスZを有す
ることから成る請求項11に記載の装置。 - 超音波トランスジューサーがシリコン・プレートに結合し、その超音波トランスジューサーとシリコン・プレートが5°から50°の範囲の角度に共存していることから成る請求項2に記載の装置。
- プレート状物体の湿式処理のための方法で、
1.1 単一のプレート状物体を保持すること、
1.2 第一プレートを実質的に前記プレート状物体に平行にすること、
1.3 処理時に、前記第一プレートとプレート状物体の間の第一ギャップに液体を導入すること、
から成っていて、
第一プレートがシリコン・プレートであり、少なくとも99重量%のシリコンであり、そのシリコン・プレートが処理液と接触していること、
から成る方法。 - 超音波エネルギーがプレート状物体にシリコン・プレートを通じて加えられることから成る請求項15に記載の方法。
- 前記第一プレートと実質的に垂直な軸の回りに、プレート状物体と前記第一プレートがお互いに対して回転することから成る請求項15に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT7842006 | 2006-05-05 | ||
PCT/EP2007/053768 WO2007128659A1 (en) | 2006-05-05 | 2007-04-18 | Device and method for wet treating plate-like substrates |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009536450A true JP2009536450A (ja) | 2009-10-08 |
Family
ID=38110318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009508300A Pending JP2009536450A (ja) | 2006-05-05 | 2007-04-18 | プレート状基材を湿式処理するための装置と方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090235952A1 (ja) |
EP (1) | EP2018659A1 (ja) |
JP (1) | JP2009536450A (ja) |
KR (1) | KR20090029693A (ja) |
CN (1) | CN101438383A (ja) |
TW (1) | TWI373800B (ja) |
WO (1) | WO2007128659A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5151343B2 (ja) | 2006-12-13 | 2013-02-27 | パナソニック株式会社 | 非水電解質二次電池用負極とその製造方法およびそれを用いた非水電解質二次電池 |
US10233556B2 (en) | 2010-07-02 | 2019-03-19 | Lam Research Corporation | Dynamic modulation of cross flow manifold during electroplating |
US8795480B2 (en) | 2010-07-02 | 2014-08-05 | Novellus Systems, Inc. | Control of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating |
US9624592B2 (en) | 2010-07-02 | 2017-04-18 | Novellus Systems, Inc. | Cross flow manifold for electroplating apparatus |
US9523155B2 (en) | 2012-12-12 | 2016-12-20 | Novellus Systems, Inc. | Enhancement of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating |
US10094034B2 (en) | 2015-08-28 | 2018-10-09 | Lam Research Corporation | Edge flow element for electroplating apparatus |
CN103828032B (zh) * | 2011-09-22 | 2016-08-17 | Ev集团E·索尔纳有限责任公司 | 用于处理衬底表面的装置以及方法 |
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-
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- 2007-04-18 EP EP07728230A patent/EP2018659A1/en not_active Withdrawn
- 2007-04-18 CN CNA2007800162979A patent/CN101438383A/zh active Pending
- 2007-04-18 WO PCT/EP2007/053768 patent/WO2007128659A1/en active Application Filing
- 2007-04-18 JP JP2009508300A patent/JP2009536450A/ja active Pending
- 2007-04-18 KR KR1020087027147A patent/KR20090029693A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-04-20 TW TW096114014A patent/TWI373800B/zh not_active IP Right Cessation
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TWI373800B (en) | 2012-10-01 |
WO2007128659A1 (en) | 2007-11-15 |
US20090235952A1 (en) | 2009-09-24 |
CN101438383A (zh) | 2009-05-20 |
TW200746285A (en) | 2007-12-16 |
KR20090029693A (ko) | 2009-03-23 |
EP2018659A1 (en) | 2009-01-28 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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A02 | Decision of refusal |
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