KR20010024921A - 핀 가열기의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 핀 가열기(6)의 제조를 위한 방법에 관한 것이고, 상기 핀 가열기는 내부 절연층 및 외부 전도층을 포함하며, 이 두 개의 층은 세라믹 혼합 구조를 구비한다. 상기 핀 가열기(6)는 소결 전에, 세라믹 사출 성형 기술 또는 결합식 저온 축방향-아이소스테틱 성형에 의해 그 성형이 이루어진다.
Description
DE 35 10 437 C2 및 DE 37 34 274 C 에 4 질화 3 규소(Si3N4) 및 2 규화 몰리브덴(MoSi2)을 기본으로 한 혼합물로 이루어진 핀 가열기의 제조 방법이 별도의 소결된 전류 리드 와이어에 의한 축방향 열 가압 기술로 공지되어있다. 이러한 핀 가열기에 있어서, 핀의 생산 가공이 소결 전에는 일어날 수 없고, 단지 소결 후에 다이아몬드 공구에 의한 경질 가공이 가능한, 복잡한 구조 및 비용이 많이드는 제조 방법은 단점으로 간주된다.
EP 0 721 925 에 짙은 농도의 질화 규소 혼합 재료의 제조 방법이 기술되어 있다. 상기 재료가 고 내열성이기는 하지만, 상기 제조 방법에 의해 어떠한 전도성 혼합물도 구현될 수 없다.
EP 0 601 727 에는 Si3N4/ MoSi2혼합물로 이루어진 핀 가열기의 제조 방법이 기술되어있다. 상기 핀 가열기는 고온 프레스 또는 소결을 통해, 105Pa 질소 이하로 1600 ℃ 에서 제조될 수 있다. 상기 온도에서 혼합 재료가 소결됨으로써, 상대적으로 낮은 강도값이 야기된다. 상기 핀 가열기의 사용시, 예컨대 디젤 시동 보조 기구로서 사용될 경우에, 이러한 강도 레벨은 충분하지 않다. EP 0 601 727 에 기술된 제조 조건하에서 완전 소결이 일어날 가능성은 없다. 따라서 예컨대 핀형 글로 플러그로서 사용될 경우에 채워져야만 하는, 상기 핀의 기밀성도 보장되지 않는다.
비공개 독일 특허 197 22 321.4 에, 세라믹 결합 구조로 이루어진 세팅 가능한 전도성을 가진 성형물의 제조 방법이 기술되고, 상기 결합 구조는 Si3N4및 금속 규화물과 같은 상이한 전도성을 가진 적어도 두 개의 구성 성분을 포함하고, 이 경우 소결 전에 저온 등압의 몰딩 프레스 단계에 의해 성형물이 생성된다. 그러나 핀 가열기의 제조 방법은 여기서 언급되지 않는다.
본 발명은 핀 가열기의 제조를 위한 방법에 관한 것이고, 상기 핀 가열기는 특히 내부에 있는 절연층 및 외부에 있는 전도층을 포함하고, 이 두 개의 층은 세라믹 결합 구조를 둘러싼다.
본 발명에 따른 방법은 하기의 도면에 의해 더 자세히 설명된다.
도 1a 내지 도 1d는 결합 프레싱에 의한 Si3N4복합체를 기초로 하는 핀 가열기의 제조 단계를 도시하는 도면.
도 2는 핀 가열기의 성형을 위한 단계를 도시하는 도면.
도 3a 내지 도 3e는 오목하게 형성된 프레스 매트릭스에 의한 Si3N4복합체를 기초로 하는 핀 가열기의 제조 단계를 도시하는 도면.
도 4는 개별 전도성의 Si3N4/MoSi2복합체의 제조시 온도에 따라 조절되어야만 하는 주 소결(2)에 따른 압축 단계의 디스플레이를 도시하는 도면.
도 5는 실시예 1에 따른, 본 발명에 따라 제조된 세라믹 핀 가열기의 가열 방식을 도시하는 도면.
본 발명의 목적은 핀 가열기의 제조 방법을 제공하는 것이고, 상기 핀 가열기는 내부에 있는 절연층 및 외부에 있는 전도층을 포함하고, 신속하게 가열하고, 적어도 1400℃ 까지 열에 의해 그리고 기계적으로 높은 하중을 받을 수 있고, 기밀된다. 또한 본 발명에 따라 제조된 핀 가열기에 의해, 10-15 V의 전압 인가 후에, 900℃ 까지 300 K/s 이상의 가열 비율이 구현될 수 있어야한다. 1400℃ 부터 상기 핀 가열기는 조정 동작을 나타내야만 한다. 또한 이렇게 제조된 핀 가열기의 전력 수용은 초기 위상 120 W 를 초과해서는 안된다.
상기 목적은 본 발명에 따라 핀 가열기의 제조 방법에 의해 달성되고, 상기 핀 가열기는 특히 내부에 있는 절연층 및 외부에 있는 전도층을 포함하고, 이 두 개의 층은 세라믹 결합 구조를 둘러싸고, 상기 방법은 소결 전에 세라믹 사출 성형 기술 또는 결합된 저온 축방향-등압에 의해 그 성형이 이루어짐으로써 특징지워진다.
상기 방법의 바람직한 실시예에서 세라믹 결합 구조의 규화물로서 4 질화 3 규소의 구성 성분 및 금속이 사용된다.
특히 바람직하게 이 경우 세라믹 결합 구조의 구성 성분으로서 30-70 Ma.% Si3N4, 25-65 Ma.% MoSi2, 0-5 Ma.% Al2O3, 2-9 Ma.% Y2O3가 사용되는 방법이 나타난다.
신속하게 가열된 높은 강도를 가진 핀 가열기의 제조는 성형의 단계 및 소결을 포함한다.
성형은 세라믹 사출 성형 기술 또는 결합된 저온 축방향-등압에 의해 성형이 이루어진다.
1. 세라믹 사출 성형 기술에 의한 성형
(CIM = 세라믹 주입 몰딩)
이 경우 Al2O3, Y2O3와 같은 상응하는 소결 첨가제가 제공된, 미리 조건이 결정된 Si3N4-분말이 제조된다. 이러한 분말은 0-5 Ma.% , 바람직하게 4.3 Ma.% 의 Al2O3및 2-9 Ma.%, 바람직하게 5.7 Ma.% 의 Y2O3를 포함한다. 여기에 MSi2가 혼합되고, 몰리브덴, 니오븀, 텅스텐 및 티탄이 상이한 질량으로 혼합될 수 있다.
MSi2의 혼합이 이루어짐으로써, 소결 연소 후에 높은 절연 성분 및 매우 전도성이 좋은 성분이 생성된다. 이 경우 절연 성분인 25-45 Ma.% 범위의 MoSi2성분을 포함하고, 50-65 Ma.% 범위의 전도성 성분을 포함한다.
여기에 사출 성형이 가능한 두 개의 성분으로 이루어진 중합체 화합물의 선광이 추가된다. 이 가운데 모든 첨가제 및 증량제를 가진 중합체의 가공을 할 수 있는 혼합물이 이해되고, 상기 혼합물은 최종 생산물의 제조시 요구된다. 이러한 화합물은 적합한 유기질 결합제 시스템을 가진, 미리 조건이 설정된 두 개의 세라믹 분말 혼합물로부터 제조되고, 상기 결합제 시스템은 본 발명에 따라 시클로 도데칸 및/또는 시클로 도데카놀로 결합된 덩어리진 폴리프로필렌으로 이루어진다. 또한 사출 성형할 수 있는 화합물의 제조를 위한 결합 시스템으로 티코나 게엠베하의 호스타몬트트렉 583 과 같은 폴리올레핀 왁스, 또는 베아쎄페 아게의 카타몰드와 같은 폴리옥시메틸렌의 결합이 적합하다.
사출 성형이 가능한 분말 화합물은 많이 채워진 분산물을 의미한다. 분말 사출 성형에 적합한 결합 시스템은 다음의 요구들을 충족시켜야만 한다.
- 분말의 집적을 방지하기 위한 분산 효과,
- 사출 성형시 융해된 화합물의 우수한 유동성,
- 제 2 화합물을 가진 성형체의 초과 사출 성형시 충분한 본딩(접착),
- 탄소가 소결된 성형품의 특성에 불리한 영향을 미칠 때, 불활성 가스 대기 및 공기에서 열에 의한 분리가 일어날 경우 열분해 탄소의 소량 형성물 및
- 결함 형성없는 신속한 분리.
상기 방식의 결합 시스템은 예컨대 시클로도데칸 및/또는 시클로도데카놀로 결합된 덩어리진 폴리프로필렌을 의미한다. 아크릴 산 또는 말레산 무수물과 같은 폴리프로필렌 사슬 상에 접목된 다중 결합이 분말의 표면에서 결합된다.
마지막으로 절연될 성분을 포함하는 화합물로 이루어진 절연체의 사출이 이루어진다. 이러한 절연체는 전도되는 성분을 포함한 화합물로 결합 사출 성형에 의해 압출되고, 두 개의 부분체의 접착이 이루어진다. 또한 반대 방법으로도 실시될 수 있다.
바람직하게 핀 가열기내에 형성된 절연 및 도전층의 사출은 성분 두개의 사출 성형에 의해 이루어진다.
여기에 바람직하게 105Pa 에서 1200℃ 까지 열에 의한 분리 과정 및 불활성 가스에서의 이전 소결이 추가된다.
2. 결합된 저온 축방향 등압에 의한 성형
결합된 저온 축방향 등압에 의한 성형은 이 경우 다음에 기술될 두 가지 방법으로 실행될 수 있다.
방법 2.1
우선 미리 조건지워진 Si3N4-분말이 제조된다. 이것은 Al2O3, Y2O3와 같은 소결 첨가제를 포함한다. 상기 분말에 MSi2가 혼합되고, M 몰리브덴, 니오븀, 텅스텐 및 티탄이 상이한 질량으로 혼합될 수 있다. 또한 경우에 따라 폴리비닐부티르알, 폴리비닐알코올, 또는 폴리비닐아세테이트, 폴리에틸렌글리콜과 같은 유기질의 압력 및/또는 결합 보조제가 마멸 분쇄기내에서 에탄올, 프로파놀, 또는 이소프로파놀과 같은 유기질 용매 내에 첨가된다. 미리 조건지워진 Si3N4-분말은 0-5 Ma.-% , 바람직하게 4.3 Ma.-% 의 Al2O3및 2-9 Ma.-%, 바람직하게 5.7 Ma.-% 의 Y2O3를 포함한다.
이어서 마멸된 현탁액이 회전 증발기에서 건조된다. MSi2의 혼합은 소결 연소 후 높은 절연성 성분 및 소결 연소후 높은 전도성 성분이 생성되는 방식으로 이루어진다. 이 경우 처음 언급된 성분은 예컨대 25-45 Ma.% 의 MoSi2성분을, 마지막에 언급된 성분은 예컨대 50-65 Ma.% 의 MoSi2성분을 포함한다.
상기 가열기의 제조가 이루어짐으로써, 먼저 축방향 프레스 공구 내에서 절연 성분의 직 6면체꼴 프레스 바디가 적은 압력으로 축방향으로 미리 가압된다. 이어서 전도성 성분의 부분량이 분말 적층으로서 제 6면체 프로필을 가진 추가의 축방향 프레스 공구 내로 유입되고, 가압 방향에 대해 가로로 얇은 면의 치수는 대략 2-5% 만큼 제 1 프레스 공구에 비해 더 크다. 이 경우에 미리 가압된 직사각형 부분이 전도 가능한 성분으로 삽입됨으로써, 한 면에는 평면의 차단된 공간이 생성되고, 다른 면에는 전도 가능한 성분의 제 2 부분량으로 채워질 자유 공간이 생성된다. 이제 마지막에 언급된 부분량으로 채워지고, 층결합은 4·107Pa 의 압력으로 축방향으로 미리 가압된다. 여기에 200MPa 의 혼합층 저온 등압식의 재가압이 이어진다. 재 가압된 혼합층은 분리 및/또는 이전 소결의 전 또는 후에 프로필 연마 또는 회전에 의해 105Pa 의 아르곤 및 1200℃ 에서 최종적으로 회전 대칭 바디로 형성된다.
방법 2.2
미리 경계지워진, 거의 회전 대칭 가열기의 구성은 절연 성분의 사각형의 프레스 바디가 적은 프레스 압력에서 축방향으로 미리 압축되도록 이루어진다. 이어서 오목한 형태의 하부 압출 다이를 가진 축방향 사출 성형 다이가 전도 가능한 성분의 분말 적층으로 채워진다. 그래서 절연될 성분의 미리 가압된 부분은 미리 가압된 부분이 한 면에서 평면으로 차단되고, 다른 면에서는 공동부가 생성되도록 설계되고, 여기서 공구는 다시 한번 전도 가능한 성분으로 채워진다. 이러한 층 결합은 오목하게 형성된 상부 사출 성형 다이를 사용하여, 4·107Pa 의 압력에 의해 함께 가압된다.
이 다음에는 2·108Pa 의 압력에서 층 결합의 저온 등압 가압이 이어진다. 그리고 나서, 가열기가 분배되거나 및/또는 105Pa 에서 불활성 가스 하에 1200 ℃ 까지 소결된다.
이 다음에는 단부 구조까지의 프로필 루우핑 또는 가열기의 회전이 이어진다.
3. 소결 방식
모든 성형 프로세스에 있어서, 분배 및/또는 이전 소결 후에는 주 소결 과정이 이어진다. 이러한 주 소결 과정은 하기에 기술된 두 개의 방식으로 이루어질 수 있다.
주 소결(1)은 정해진 N2- 부분 압력 하에 이루어지며, 소결 가스 내에 있는 상기 N2- 부분 압력은 1000 ℃ 와 1900 ℃ 보다 크지 않는 소결 온도 사이에 놓여 있다. 상기 N2- 부분 압력은 106Pa 보다 크지 않으며, 전체 소결 압력은 불활성 가스, 예컨대 아르곤의 혼합에 의해 107Pa 까지 상승된다.
주 소결(2)은 정해진 N2- 부분 압력 하에 이루어지며, 상기 N2- 부분 압력은 온도에 의해, 하기의 함수들에 의해 제한되고 전체 압력이 불활성 가스, 예컨대 아르곤의 혼합에 의해 107Pa 까지 상승되는 영역 내에 부분 압력이 놓여있도록 변경되어야만 한다. 즉,
상부 한계는 log p(N2) = 7.1566 ln(T) - 52.719 이고,
하부 한계는 log p(N2) = 9.8279 ln(T) - 73.988 이다.
T 의 표시는 ℃ 로, p(N2)의 표시는 105Pa 로 이루어진다. 소결 온도는 1900 ℃ 미만이다.
본 발명에 따른 방법에 의해 얻어지는 복합체는 재료 두께의 95 % 이상의 밀도를 달성하고 표로 요약된 강성 수준을 표시한다.
표
25 ℃ 와 1000 ℃ 에서, 그리고 공기 중의 1300 ℃ 에서 전위에 따른 25 ℃ 에서 측정된, 4-포인트-휨 강도
본 발명의 장점
본 발명에 따라 제조된 회전 대칭의 세라믹 핀 가열기는 적어도 1400 ℃ 까지 열적으로, 그리고 기계적으로 높이 보유될 수 있고 기밀 방식이다. 이러한 세라믹 가열기에 의해, 10-15 V의 설비에 따라 900 ℃ 까지 300 K/s 이상의 가열율이 구현될 수 있다. 상기 가열기는 1400 ℃ 까지 조정 방법을 표시한다. 상기 가열기의 출발 단계에서의 전력 수용은 100 W를 초과하지 않는다.
종래 기술에 비해, 본 발명에 따른 방법에 따라 제조된 핀 가열기의 장점은 불활성 가스 압력 소결 방식의 사용에 의해 가능해지며, 이에 따라 축 방향으로 고온 프레싱된 결합 바디에 비해 더 큰 형성의 자유 공간이 가능해진다. 핀 가열기의 요구된 구조가 생 가공에 의해, 또는 개별 프레스 공구 또는 사출 성형에 의해 최종 윤곽에 가깝게 실현될 수 있는 가능성에 의해, 고온 프레싱에 의해 제조된 핀 가열기에서 요구되는 것과 같은 값비싼 경질 가공은 생략된다.
도 1.1은 정방형으로 미리 가압된 절연 성분(1)을 보여주며, 도 1.2 는 도전형 성분(2)의 정방형 분말 진동에서 상기 성분(1)이 삽입된 것을 보여준다. 도 1.3은 도전형 성분(2)에 의한 충전, 그리고 도 1.4는 저온 등압식 압축을 보여준다.
도 2는 본 발명에 따른 핀 가열기(6)의 성형을 위한 단계를 보여주며, 이는 프로필 루우핑 또는 회전에 의해 달성된다. 상기 핀 가열기(6)는 도전형 성분(2)으로 이루어지는 외부 전도층 및 절연 성분(1)으로 이루어지는 내부에 놓인 절연층을 갖는다. 상기 전도층은 콘택팅(3)을 갖는다. 도 2는 본 발명에 따른 핀 가열기(6)의 상이하게 형성된 두 개의 디자인을 보여준다.
도 3.1은 미리 압축된 절연 성분(1)을 개략적으로 도시한 것이다. 도 3.2 는 오목하게 형성된 하부의 사출 성형 다이(4)를 보여주며, 상기 사출 성형 다이(4)는 도전형 성분(2)에 의해 채워진다. 도 3.3 은 성분(2)위에 절연 성분(1)의 삽입을 보여준다. 도 3.4 는 상기 성분(2)에 의한 충전을 보여주고, 도 3.5 는 상부의 압축 성형 다이(5)를 보여준다.
실시예 1
도전형 성분(2)으로 이루어진 합성물의 제조를 위해, 12 Ma.-% 폴리본드1001 및 6 Ma.-% 시클로도데켄을 갖는 도전형 성분(1)의 미리 정해진 분말 혼합물의 82 Ma. -% 가 보호 가스 하에 180 ℃에서 반죽되고 냉각에 의해 작동 반죽 장치에서 모양이 만들어진다. 사용된 폴리프로필렌 폴리본드1001 에서는 6 %의 아크릴 산으로 채워진 Fa. Uniroyal Chemical의 호모 폴리프로필렌이 다루어진다.
이러한 방식으로 절연 성분(1)을 갖는 화합물이 제조되며, 상기 성분(1)의 증량제 함량은 두 화합물로부터 사출 성형된 분리된 샘플 바디는 동일한 소결 조건하에서 동일한 소결 수축을 갖도록 도전형 성분(2)을 갖는 화합물 중 하나에 매칭된다. 이에 따라, 상기 절연 성분(1)을 갖는 화합물은 성분 1, 11 Ma.-% 폴리본드및 6 Ma.-% 실리클로도데캔의 미리 정해진 분말의 83 Ma.-% 로 이루어진다.
결합 사출 성형에 의해, 절연 성분(1)의 화합물 및 도전형 성분(2)의 화합물로부터 이루어진 핀 가열기(6)의 부분 바디가 형성되고 여기서 서로 서로 용접된다. 두 성분 중 우선 사출 성형되는 성분이 사출 성형 공구의 선택된 구조에 따라 정렬된다.
주 소결(2)에 따른 열적 분리 및 소결후에, 상기 절연 성분(1)을 포함하는 화합물이 107Ω㎝ 의 특수 저항을 가지며, 도전형 성분(2)을 포함하는 화합물은 6·10-3Ω㎝ 의 특수 저항을 갖는다.
실시예 2
54 Ma.-% Si3N4, 2.58 Ma.-% Al2O3, 3.42 Ma.-% Y2O3및 40 Ma.-% MoSi2으로 이루어진 절연 부품(1)이 제조되며, 삽입된 Si3N4평균 입자 크기는 0.7 ㎛ 이고, MoSi2의 평균 입자 크기는 1.8 ㎛ 이다. 상기 부품(1)은 폴리비닐부티르알 프레스 보조제의 0. 5 Ma.-%의 첨가에 축방향 프레스 공구에서 30 MPa 로 가압되고 제 2 축방향 프레스 공구에는 도 1에 상응하는 도전형 성분(2)의 분말 진동에서 놓여져 있다. 여기서, 상기 절연 성분(1)은 36 Ma.-% Si3N4, 1.72 Ma.-% Al2O3, 2.28 Ma.-% Y2O3및 60 Ma.-% MoSi2로 구성된다. 사용된 Si3N4의 평균 입자 크기는 0.7 ㎛이며, 삽입된 MoSi2의 평균 입자 크기는 1.8 ㎛ 이다. 도전형 성분(2)에는 마찬가지로 0.5 Ma.-% 폴리비닐부티르알이 첨가된다. 미리 압축된 절연 성분(1)의 삽입 이후에, 도전형 성분(2)으로 채워지고 축방향 프레스에 의해 층 결합이 제조된다. 상기 두 성분(1 및 2)으로 이루어진 층 결합은 200 MPa 의 압력하에 저온 등압에 의해 추가 압축된다. 이러한 층 결합은 이전 소결 연소 후에 1200 ℃에서 회전에 의해 회전 대칭적인 바디로 처리된다. 이러한 소결은 주 소결(1) 이후에 이루어지며, 소결 가스의 전체 압력은 106Pa 이고 4 시간의 소결 국면은 1800 ℃에서 유지된다. 상기 절연 성분(1)은 절연 이후 1·107Ω㎝의 특수한 전기 저항을 가지며, 도전형 성분(2)은 실온에서 4·10-4Ω㎝의 저항을 갖는다.
실시예 3
58.5 Ma.-% Si3N4, 2.79 Ma.-% Al2O3, 3.70 Ma.-% Y2O3및 35 Ma.-% MoSi2으로 이루어진 절연 성분(1)이 제공되며, 삽입된 Si3N4평균 입자 크기는 0.7 ㎛ 이고, MoSi2의 평균 입자 크기는 1.8 ㎛ 이다. 상기 성분(1)은 실시예 2에 기술된 바와 같이 프레스 보조제로서 0. 5 Ma.-%의 폴리비닐부티르알의 첨가 후에 30 MPa 로 미리 압축된다. 45.0 Ma.-% Si3N4, 1.94 Ma.-% Al2O3, 2.57 Ma.-% Y2O3및 50 Ma.-% MoSi2로 구성된 도전형 성분(2)은 삽입된 Si3N4의 평균 입자 크기는 0.7 ㎛이며, 삽입된 MoSi2의 평균 입자 크기는 1.8 ㎛ 이다. 상기 도전형 성분(2)은 축방향 프레스 매트릭스 내로 오목하게 형성된 하부 사출 성형 다이(4)로 채워진다. 그 이후, 미리 압축된 절연 성분(1)이 삽입되고, 상기 도전형 성분(2)의 추가 분말이 채워지고 오목하게 형성된 상부 사출 성형 다이(5)에 의해 축방향으로 미리 압축되고 저온 등압식으로 추후 압축된다. 소결은 주 소결(2)에 따라 이루어지며, 소결 국면에서 106Pa 이고 4 시간의 소결 국면은 1800 ℃에서 유지된다. 상기 절연 성분(1)은 절연 이후 1·108Ω㎝의 특수한 전기 저항을 가지며, 도전형 성분(2)은 실온에서 6·10-3Ω㎝의 저항을 갖는다.
도 5는 11V 의 전압을 인가한 이후 이러한 실시예에 따라 제조된 핀 가열기의 온도-시간 곡선을 보여준다. 저항은 1.2 Ω이고, 전류 세기는 스타트에서는 대략 8 Å이고, 종결점에는 4.4 Å이며, 온도(T)는 2초 후 1073 ℃이며, 최대 온도는 1383 ℃이고, 1.6 초 후에는 950 ℃의 온도에 도달된다.
Claims (8)
- 내부 절연층 및 외부 전도층을 가지며, 상기 두 층이 세라믹 복합 구조를 구비하는 핀 가열기(6)의 제조 방법에 있어서,상기 핀 가열기(6)가 소결 전에 세라믹 사출 성형 기술 또는 결합식 저온 축방향 아이소스테틱 프레싱에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 핀 가열기의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 세라믹 복합 구조의 부품으로서 4 질화 3 규소 및 규화 금속이 사용되는 것을 특징으로 하는 핀 가열기의 제조 방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 세라믹 복합 구조의 부품으로서 30-70 Ma.-% Si3N4, 25-65 Ma.-% MoSi2, 0-5 Ma.-% Al2O3및 2-9 Ma.-% Y2O3가 사용되는 것을 특징으로 하는 핀 가열기의 제조 방법.
- 성형물이 세라믹 사출 성형 기술에 의해 이루어지는, 상기 항 중 어느 한 항에 따른 핀 가열기(6)의 제조 방법에 있어서,25-45 Ma.-%의 결합 구조의 규화 금속 부분을 통한 소결후 절연되는 결합 구조의 제조, 및 50-65 Ma.-%의 결합 구조의 규화 금속 부분을 통한 소결후 전도되는 결합 구조의 제조 단계와,절연 결합 구조를 갖는 결합 시스템으로부터 사출 성형 방식의 혼합 제조, 및 전도 결합 구조를 갖는 결합 시스템으로부터 사출 성형 방식의 혼합 제조 단계와,2성분의 사출 성형을 통한 절연층 및 전도층의 사출 단계와,층 결합의 분리 및 이전 소결 단계, 및층 결합의 주 소결 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 핀 가열기의 제조 방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 결합 시스템은 폴리올레핀 왁스, 폴리옥시메틸렌 또는 채워진 폴리프로필렌이 시클로도데캔 및/또는 시클로도데캐놀에 결합되어 포함되는 것을 특징으로 하는 핀 가열기의 제조 방법.
- 성형물이 결합식 저온 축방향-아이소스테틱 프레싱에 의해 이루어지는 제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서,25-45 Ma.-%의 결합 구조의 규화 금속 부분을 통한 소결후 절연되는 결합 구조의 제조, 및 50-65 Ma.-%의 결합 구조의 규화 금속 부분을 통한 소결후 전도되는 결합 구조의 제조 단계와,절연 결합 구조의 축방향 이전 프레스 단계와,절연 및 전도 결합 구조로부터 층 결합의 제조 단계와,층 결합의 이전 프레스 단계와,층 결합의 저온 아이소스테틱 추후 프레스 단계와,분리 또는 이전 소결 전 또는 후의 층 결합의 프로필 루우핑 또는 회전 단계와,층 결합의 주 소결을 포함하는 것을 특징으로 하는 핀 가열기의 제조 방법.
- 제 6항에 있어서, 정방향 구조를 갖는 축방향 프레스 공구가 사용되는 것을 특징으로 하는 핀 가열기의 제조 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 축방향 프레스 공구로서 오목하게 형성된 사출 성형 다이(4; 5)가 사용되는 것을 특징으로 하는 핀 가열기의 제조 방법.
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