KR20010015285A - 편광 변환 소자 및 투사형 표시장치, 및 편광 변환 소자제조 방법 - Google Patents
편광 변환 소자 및 투사형 표시장치, 및 편광 변환 소자제조 방법 Download PDFInfo
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- 입사된 비편광인 광을 소정의 편광 광으로 변환하기 위한 편광 변환 소자의 제조방법에 있어서,(a) 복수 매의 제 1 투광성 판재를 준비하는 공정과,(b) 복수 매의 제 2 투광성 판재를 준비하는 공정과,(c) 상기 복수 매의 제 1 투광성 판재와 상기 복수 매의 제 2 투광성 판재를 교대로 배열하여 접합하였을 경우, 복수의 편광 분리막 및 복수의 반사막이 각 투광성 판재의 각 경계면에 교대로 배치되도록, 상기 제 1 또는 제 2 투광성 판재의 일부의 표면상에 상기 복수의 편광 분리막 및 상기 복수의 반사막을 형성하는 공정과,(d) 상기 복수 매의 제 1 투광성 판재와 상기 복수 매의 제 2 투광성 판재를 교대로 배열하여 접합하고, 상기 복수의 편광 분리막 및 상기 복수의 반사막이 각 투광성 판재의 각 경계면에 교대로 설치된 복합 판재를 제작하는 공정과,(e) 상기 복합 판재를 상기 복합 판재의 평면에 대하여 소정의 각도를 갖는 평면에 평행한 절단면에서 절단하고, 상기 절단면에 평행한 광 입사면과 광 사출면을 갖는 투광성 블록을 제작하는 공정을 가지며,상기 공정(d)은, 상기 편광 분리막의 투과율이, 상기 편광 분리막의 막면에 대하여 입사각 약 0도로 입사하는 특정 파장 영역의 자외광에 대하여 약 40% 이상으로 되도록, 편광 분리막을 형성하는 공정을 포함하는, 편광 변환 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 특정 파장 영역은 365nm±30nm의 범위인, 편광 변환 소자의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 편광 분리막을 형성하는 공정은,상기 투광체의 굴절율과 비교하여, 보다 작은 굴절율을 갖는 제 1 층과, 보다 큰 굴절율을 갖는 제 2 층을 교대로 적층시킨 다층 구조부를 형성하는 공정을 포함하며,상기 투광체는, 약 1.48 내지 약 1.58의 굴절율을 가지고,상기 편광 분리막의 상기 제 1 층은 MgF2로 형성되어 있고, 상기 제 2 층은 MgO로 형성되어 있는, 편광 변환 소자의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공정(d)은, 상기 반사막의 투과율이, 상기 반사막의 막면에 대하여 입사각 약 0도로 입사하는 특정 파장 영역의 자외광에 대하여 약 40% 이상으로 되도록, 상기 반사막을 형성하는 공정을 포함하는, 편광 변환 소자의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 특정 파장 영역은 365nm±30nm의 범위인, 편광 변환 소자의 제조방법.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 반사막을 형성하는 공정은,상기 투광체의 굴절율과 비교하여, 보다 작은 굴절율을 갖는 제 3 층과, 보다 큰 굴절율을 갖는 제 4 층을 교대로 적층시킨 다층 구조부를 형성하는 공정을 포함하고,상기 투광체는, 약 1.48 내지 약 1.58의 굴절율을 가지며,상기 반사막의 상기 제 3 층은 SiO2로 형성되어 있고, 상기 제 4 층은 TiO2또는 Ta2O5로 형성되어 있는, 편광 변환 소자의 제조방법.
- 입사된 비편광인 광을 소정의 편광 광으로 변환하기 위한 편광 변환 소자의 제조방법에 있어서,(a) 복수 매의 제 1 투광성 판재를 준비하는 공정과,(b) 복수 매의 제 2 투광성 판재를 준비하는 공정과,(c) 상기 복수 매의 제 1 투광성 판재와 상기 복수 매의 제 2 투광성 판재를 교대로 배열하여 접합하였을 경우, 복수의 편광 분리막 및 복수의 반사막이 각 투광성 판재의 각 경계면에 교대로 배치되도록, 상기 제 1 또는 제 2 투광성 판재의 일부의 표면상에 상기 복수의 편광 분리막 및 상기 복수의 반사막을 형성하는 공정과,(d) 상기 복수 매의 제 1 투광성 판재와 상기 복수 매의 제 2 투광성 판재를 교대로 배열하여 접합하고, 상기 복수의 편광 분리막 및 상기 복수의 반사막이 각 투광성 판재의 각 경계면에 교대로 설치된 복합 판재를 제작하는 공정과,(e) 상기 복합 판재를 상기 복합 판재의 평면에 대하여 소정의 각도를 갖는 평면에 평행한 절단면에서 절단하고, 상기 절단면에 평행한 광 입사면과 광 사출면을 갖는 투광성 블록을 제작하는 공정을 가지며,상기 공정(d)은, 형성된 반사막의 투과율이, 상기 반사막의 막면에 대하여 입사각 약 0도로 입사하는 특정 파장 영역의 자외광에 대하여 약 40% 이상으로 되도록, 상기 반사막을 형성하는 공정을 포함하는, 편광 변환 소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 특정 파장 영역은 365nm±30nm의 범위인, 편광 변환 소자의 제조방법.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 반사막을 형성하는 공정은,상기 투광체의 굴절율과 비교하여, 보다 작은 굴절율을 갖는 제 3 층과, 보다 큰 굴절율을 갖는 제 4 층을 교대로 적층시킨 다층 구조부를 형성하는 공정을 포함하고,상기 투광체는, 약 1.48내지 약 1.58의 굴절율을 가지며,상기 반사막의 상기 제 3 층은 SiO2로 형성되어 있고, 상기 제 4 층은 TiO2또는 Ta2O5로 형성되어 있는, 편광 변환 소자의 제조방법.
- 입사된 비편광인 광을 소정의 편광 광으로 변환하기 위한 편광 변환 소자에 있어서,소정의 방향에 따라서 배열된 복수의 투광체와,상기 복수의 투광체의 사이에 교대로 배치된 복수의 편광 분리막과 복수의 반사막을 구비하고,상기 편광 분리막은, 상기 편광 분리막의 막면에 대하여 입사각 약 0도로 입사하는 특정 파장 영역의 자외광의 투과율이 약 40% 이상인, 편광 변환 소자.
- 제 10 항에 있어서,상기 특정 파장 영역은 365nm±30nm의 범위인, 편광 변환 소자.
- 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 투광체는, 약 1.48 내지 약 1.58의 굴절율을 가지고,상기 편광 분리막은, 상기 투광체의 굴절율과 비교하여, 보다 작은 굴절율을 갖는 제 1 층과, 보다 큰 굴절율을 갖는 제 2 층을 교대로 적층시킨 다층 구조부를 가지며,상기 편광 분리막의 상기 제 1 층은 MgF2로 형성되어 있고, 상기 제 2 층은 MgO로 형성되어 있는, 편광 변환 소자.
- 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반사막은, 상기 반사막의 막면에 대하여 입사각 약 0도로 입사하는 특정 파장 영역의 자외광의 투과율이 약 40% 이상인, 편광 변환 소자.
- 제 13 항에 있어서,상기 특정 파장 영역은 365nm±30nm의 범위인, 편광 변환 소자.
- 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 투광체는, 약 1.48 내지 약 1.58의 굴절율을 가지고,상기 반사막은, 상기 투광체의 굴절율과 비교하여, 보다 작은 굴절율을 갖는 제 3 층과, 보다 큰 굴절율을 갖는 제 4 층을 교대로 적층시킨 다층 구조부를 가지며,상기 반사막의 상기 제 3 층은 SiO2로 형성되어 있고, 상기 제 4 층은 TiO2또는 Ta2O5로 형성되어 있는, 편광 변환 소자.
- 입사된 비편광인 광을 소정의 편광 광으로 변환하기 위한 편광 변환 소자로서,소정의 방향에 따라서 배열된 복수의 투광체와,상기 복수의 투광체의 사이에 교대로 배치된 복수의 편광 분리막과 복수의 반사막을 구비하며,상기 반사막은,상기 반사막의 막면에 대하여 입사각 약 0도로 입사하는 특정 파장 영역의 자외광의 투과율이 약 40% 이상인, 편광 변환 소자.
- 제 16 항에 있어서,상기 특정 파장 영역은 365nm±30nm의 범위인, 편광 변환 소자.
- 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 투광체는, 약 1.48 내지 약 1.58의 굴절율을 가지고,상기 반사막은,상기 투광체의 굴절율과 비교하여, 보다 작은 굴절율을 갖는 제 3 층과, 보다 큰 굴절율을 갖는 제 4 층을 교대로 적층시킨 다층 구조부를 가지며,상기 반사막의 상기 제 3 층은 SiO2로 형성되어 있고, 상기 제 4 층은 TiO2또는 Ta2O5로 형성되어 있는, 편광 변환 소자.
- 화상을 투사하여 표시하는 투사형 표시장치에 있어서,비편광인 광을 사출하는 광원부와,상기 광원부로부터의 광을 소정의 편광 광으로 변환하기 위한 편광 변환 소자와,상기 편광 변환 소자로부터의 사출광을 주어진 화상신호에 기초하여 변조하는 광 변조장치와,상기 광변조 장치에 의해서 변조된 광을 투사하는 투사 광학계를 구비하고,상기 편광 변환 소자는,소정의 방향에 따라서 배열된 복수의 투광체와,상기 복수의 투광체 사이에 교대로 배치된 복수의 편광 분리막과 복수의 반사막을 구비하며,상기 편광 분리막은, 상기 편광 분리막의 막면에 대하여 입사각 약 0도로 입사하는 특정 파장 영역의 자외광의 투과율이 약 40% 이상인, 투사형 표시장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 반사막은, 상기 반사막의 막면에 대하여 입사각 약 0도로 입사하는 특정 파장 영역의 자외광의 투과율이 약 40% 이상인, 투사형 표시장치.
- 화상을 투사하여 표시하는 투사형 표시장치에 있어서,비편광인 광을 사출하는 광원부와,상기 광원부로부터의 광을 소정의 편광 광으로 변환하기 위한 편광 변환 소자와,상기 편광 변환 소자로부터의 사출광을 주어진 화상신호에 기초하여 변조하는 광 변조장치와,상기 광변조 장치에 의해서 변조된 광을 투사하는 투사 광학계를 구비하며,상기 편광 변환 소자는,소정의 방향에 따라서 배열된 복수의 투광체와,상기 복수의 투광체 사이에 교대로 배치된 복수의 편광 분리막과 복수의 반사막을 구비하고,상기 반사막은,상기 반사막의 막면에 대하여 입사각 약 0도로 입사하는 특정 파장 영역의 자외광의 투과율이 약 40% 이상인, 투사형 표시장치.
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