KR20000058014A - Ｓｎ-Ｂｉ합금 도금 베스 및 이것을 사용한 도금 방법 - Google Patents

Ｓｎ-Ｂｉ합금 도금 베스 및 이것을 사용한 도금 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 Sn-Bi합금 도금 베스는 pH가 약 2.0∼9.0이며, 또한 Bi3+이온, Sn2+이온, 착화제(Ⅰ) 및 착화제(Ⅱ)를 포함한다.
착화제(Ⅰ)는 (a)알킬기의 탄소수가 1∼3인 지방족 디카르본산, (b)알킬기의 탄소수가 1∼3인 지방족 히드록시모노카르본산, (c)알킬기의 탄소수가 1∼4인 지방족 히드록시폴리카르본산, (d)단당류, 이 단당류를 부분적으로 산화하여 생성된 폴리히드록시카르본산 및 이들의 환형상 에스테르 화합물, (e)축합 인산이 될 수 있다. 착화제(Ⅱ)는 (s)에틸렌디아민테트라초산(EDTA), (t)니트릴로트리초산(NTA) 및 (u)트랜스-1,2-시클로헥산디아민테트라초산(CyDTA)이 될 수 있다.

Description

Ｓｎ-Ｂｉ합금 도금 베스 및 이것을 사용한 도금 방법{Sn-Bi ALLOY PLATING BATH AND METHOD OF PLATING USING THE SAME}
본 발명은 Sn-Bi합금 도금 베스에 관한 것으로, 특히 피도금물을 침식하지 않으며 또한 높은 안정성을 갖는 Sn-Bi합금 도금 베스에 관한 것이다.
전자 공업 분야에 있어서, Sn-Pb합금 도금은 솔더링 전극으로서 폭넓게 사용되고 있다. 최근, Sn-Pb 합금 도금에 포함되는 Pb가 환경에 미치는 영향이 염려되고 있다. Pb를 함유하지 않는 Sn합금 도금이 요구되고 있다. 따라서, Sn-Bi합금 도금은, 낮은 융점을 가지며 솔더링성이 우수하기 때문에 큰 주목을 받고 있다.
그러나, 대부분의 Sn-Bi합금 도금 베스는, 다량의 비스무스를 용해시키기 위하여, 강산성, 즉 pH가 1.0이하이다. 그런데, 피도금물이 되는 전자 부품은, 세라믹스, 유리, 페라이트 등을 복합화한 것이 많기 때문에, 이와 같은 강산성 베스에 의해 전자 부품이 침식되어, 특성의 열화를 일으킨다고 하는 문제가 있었다.
이와 같은 침식성의 문제를 개선하기 위하여, 일본국 특허공개 평6-340994, 특허공개 평7-138782에서는, 여러가지의 착화제(complexing agents)를 함유하며 pH가 2.0∼9.0인 Sn-Bi합금 도금 베스를 개시하고 있다. 착화제를 첨가함으로써 비스무스 이온 및 주석 이온을 베스중에서 안정화한다. 그 결과, 약산성으로부터 중성의 범위내의 도금 베스를 실현하고 있다. 그러나, 이들 도금 베스는 아직 안정성에 문제가 있으며, 공업적으로 사용하기에는 더욱 개선이 필요하다.
본 발명은 전자 공업 분야에서 연속하여 사용할 수 있을 정도로 안정된 Sn-Bi합금 도금 베스 및 이 Sn-Bi합금 도금 베스를 사용한 도금 방법에 관한 것이다. Sn-Bi합금 도금 베스는 pH가 약 2.0∼9.0이며, Bi3+이온, Sn2+이온, 착화제(Ⅰ) 및 착화제(Ⅱ)를 포함한다.
착화제(Ⅰ)는 (a)알킬기의 탄소수가 1∼3인 지방족 디카르본산, (b)알킬기의 탄소수가 1∼3인 지방족 히드록시모노카르본산, (c)알킬기의 탄소수가 1∼4인 지방족 히드록시폴리카르본산, (d)단당류, 이 단당류를 부분적으로 산화하여 생성된 폴리히드록시카르본산 및 이들의 환형상 에스테르 화합물, 및 (e)축합 인산으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
착화제(Ⅱ)는 (s)에틸렌디아민테트라초산(EDTA), (t)니트릴로트리초산(NTA) 및 (u)트랜스-1,2-시클로헥산디아민테트라초산(CyDTA)로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
Sn-Bi합금 도금 베스는 pH가 약 2.0∼9.0이며, Bi3+이온, Sn2+이온, 착화제(Ⅰ) 및 착화제(Ⅱ)를 포함한다.
착화제(Ⅱ)(mol/l)와 Bi3+이온(mol/l)의 농도비는 약 10이상이며, 착화제(Ⅱ)(mol/l)와 Sn2+이온(mol/l)의 농도비는 약 1이상이며, 착화제(Ⅰ)(mol/l)와 Sn2+이온(mol/l)의 농도비는 약 0.1이상인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 세라믹스, 유리, 페라이트 등으로 이루어지는 피도금물인 전자 부품을, 침식하지 않고 높은 음극 전류 밀도에서 도금할 수 있다. 본 발명의 도금 베스는 높은 베스 안정성을 가지며, 베스 분해(bath decomposition)를 일으키지 않고 장기간 사용할 수 있다.
본 발명의 발명자들은 심도 깊게 연구한 결과, 도금 베스의 착화제로서, 후술하는 (a)∼(e)로부터 선택되는 착화제(Ⅰ) 및 후술하는 (s)∼(u)의 아민카르본산으로부터 선택되는 착화제(Ⅱ)를 베스에 첨가함으로써, 약산성 범위에서의 베스의 안정성을 현저하게 향상할 수 있다는 것을 발견하였다. 세라믹스, 유리, 페라이트 등으로 이루어지는 피도금물인 전자 부품을 침식하지 않고, 또한 비교적 높은 음극 전류 밀도에서 사용할 수 있으며, 우수한 베스 안정성을 갖는 Sn-Bi합금 도금 베스의 실용화를 가능하게 하였다.
착화제(Ⅰ)에 관해서는, (a)알킬기의 탄소수가 1∼3인 지방족 디카르본산, (b)알킬기의 탄소수가 1∼3인 지방족 히드록시모노카르본산, (c)알킬기의 탄소수가 1∼4인 지방족 히드록시폴리카르본산, (d)단당류, 이 단당류를 부분적으로 산화하여 생성된 폴리히드록시카르본산 및 이들의 환형상 에스테르 화합물, (e)축합 인산을 사용할 수 있다.
착화제(Ⅱ)에 관해서는, (s)에틸렌디아민테트라초산(EDTA), (t)니트릴로트리초산(NTA) 및 (u)트랜스-1,2-시클로헥산디아민테트라초산(CyDTA)을 사용할 수 있다.
착화제(Ⅰ)로서 (a)∼(e)의 바람직한 예는 다음과 같다. (a)의 알킬기의 탄소수가 1∼3인 지방족 디카르본산으로서는, 말론산, 호박산 등을 예시할 수 있으며, (b)의 알킬기의 탄소수가 1∼3인 지방족 히드록시모노카르본산으로서는, 글리콜산, 젖산 등을 예시할 수 있으며, (c)의 알킬기의 탄소수가 1∼4인 지방족 히드록시폴리카르본산으로서는, 구연산, 주석산(tartaric acid), 사과산(malic acid) 등을 예시할 수 있으며, (d)의 단당류, 이 단당류를 부분적으로 산화하여 생성된 폴리히드록시카르본산 및 이들의 환형상 에스테르 화합물로서는, 글루콘산, 글루코헵톤산, δ-글루코락톤 등을 예시할 수 있으며, (e)의 축합 인산으로서는, 피로인산, 트리폴리인산 등을 예시할 수 있다.
본 도금 베스에 있어서, 착화제(Ⅱ)(mol/l)와 Bi3+(mol/l)의 농도비는 약 10이상이며, 착화제(Ⅱ)(mol/l)와 Sn2+(mol/l)의 농도비는 약 1이상이며, 착화제(Ⅰ)(mol/l)와 Sn2+(mol/l)의 농도비는 약 0.1이상인 것이 바람직하다. 상술한 농도비로 함으로써, 높은 베스 안정성을 가지며 높은 전류 밀도에서 사용할 수 있는 도금 베스를 실현할 수 있다.
Bi의 산화의 표준 수소 전극에 대한 표준 전극 전위(Bi3+/Bi E0= +0.215V)는, Sn2+의 Sn4+로의 산화의 표준 수소 전극에 대한 표준 전극 전위(Sn4+/Sn2+E0= 0.154V)보다도 귀하다. 따라서, Sn-Bi합금 도금 베스중에서는, Bi3+가 Sn2+에 의하여 환원되어, Bi의 석출(deposition) 등의 베스의 분해가 발생하기 쉽다. 그러므로, 베스의 안정화를 위해서는, 베스 중에서 생성되는 착이온(complex ions)의 종류와 비율의 선택이 중요하다. Sn 및 Bi와 본 발명에서 사용되는 착화제(Ⅰ) 및 착화제(Ⅱ) 간의 착안정도 정수의 크기의 순서는
착화제(Ⅱ)-Bi＞착화제(Ⅱ)-Sn＞＞
착화제(Ⅰ)-Bi＞착화제(Ⅰ)-Sn이다.
이 착안정도 정수의 대소 관계 및 각 금속과 착화제의 농도비에 의하여, 베스중에서 생성되는 각 착이온의 비율이 결정된다. 착안정도 정수가 큰 착체일수록 우선적으로 형성되며, 또한 형성되는 착체의 안정성은 높아진다.
본 발명의 도금 베스의 조성에서는, Bi3+의 거의 전량이 착화제(Ⅱ)와 우선적으로 착체를 형성한다. Bi3+에 배위하지 않은 나머지 착화제(Ⅱ)는 Sn2+와 착체를 형성한다. 착화제(Ⅱ)와 착체를 형성하지 않고 남은 Sn2+는 착화제(Ⅰ)와 착체를 형성한다. 따라서, 3종류의 착체, 즉 착화제(Ⅱ)와 Bi의 착제, 착화제(Ⅱ)와 Sn의 착체, 및 착화제(Ⅰ)와 Sn의 착체가 주로 형성된다. 착화제(Ⅱ)는 착화제(Ⅰ)에 비교하여 매우 높은 착화력을 갖기 때문에, 착화제(Ⅱ)-Bi의 착체는 매우 높은 안정도를 갖는다. 따라서, Bi3+가 Sn2+에 의하여 환원되는 것을 방지할 수 있으며, 즉 베스의 분해를 방지할 수 있다.
이 도금 베스에 있어서, 착화제(Ⅰ) 없이, 착화제(Ⅱ)만을 사용한 경우, 착화제(Ⅱ)-Sn의 착체 및 착화제(Ⅱ)-Bi의 착체는 용해도가 낮으므로, 그 대부분이 착염(complex salts)으로서 석출된다. 따라서, 베스 중의 금속 이온 농도를 높게 할 수 없으며, 이에 따라서 높은 전류 밀도에서 베스를 사용하는 것이 곤란해진다. 한편, 본 발명과 같이, 착화제(Ⅱ)와 함께 착화제(Ⅰ)를 사용함으로써, 착화제(Ⅱ)-Sn의 착체 및 착화제(Ⅱ)-Bi의 착체의 용해도가 높아진다. 그 결과, 베스 중의 금속 이온 농도를 높일 수가 있으며, 높은 전류 밀도에서 베스를 사용할 수가 있다.
이상과 같은 이유로부터, 본 발명의 도금 베스에 있어서, 착화제(Ⅱ)(mol/l)/Bi3+(mol/l)의 농도비는 약 10이상이고, 착화제(Ⅱ)(mol/l)/Sn2+(mol/l)의 농도비는 약 1이상이고, 또한 착화제(Ⅰ)(mol/l)/Sn2+(mol/l)의 농도비는 약 0.1이상인 것이 바람직하다. 착화제(Ⅱ)(mol/l)/Bi3+(mol/l)의 농도비가 약 10미만인 경우에는, Bi염의 용해도가 낮아서, Bi염의 필요량을 용해할 수 없음과 아울러, 착화제(Ⅱ)-Bi의 착체를 안정되게 형성할 수 없으며, 즉 베스의 안정도를 얻을 수 없다. 또한, 착화제(Ⅱ)(mol/l)/Sn2+(mol/l)의 농도비가 약 1미만인 경우, 안정도가 낮은 착화제(Ⅰ)-Sn의 착체의 비율이 증가하고, 베스의 안정도를 얻을 수 없다. 게다가, 착화제(Ⅰ)(mol/l)/Sn2+(mol/l)의 농도비가 약 0.1미만인 경우, 착화제(Ⅱ)-Sn의 착체 및 착화제(Ⅱ)-Bi의 착체의 용해도가 낮아지므로, 베스중의 금속 이온 농도를 높일 수가 없다. 따라서, 높은 전류 밀도에서 베스를 사용하는 것이 곤란하다. 도금 베스의 금속 이온 농도에 관해서는, Sn2+의 농도가 약 0.1∼0.5(mol/l), 바람직하게는 약 0.2∼0.4(mol/l)이고, Bi3+의 농도가 약 0.005∼0.2(mol/l), 바람직하게는 약 0.01∼0.1(mol/l)이다.
또한, 본 발명의 Sn-Bi합금 도금 베스의 pH는 약 2.0∼9.0인 것이 바람직하다. pH가 약 2.0미만인 경우에는, 산성이 너무 강해서, 세라믹스, 유리, 페라이트 등으로 이루어지는 피도금물인 전자 부품이 침식되기 때문이다. pH가 약 9.0보다 높은 경우에는, 착체의 안정도가 감소한다. 따라서, 베스의 안정성이 열화되며, 전자 부품에 대한 침식성이 증대된다.
본 발명에서는 Sn2+의 공급원으로서는, 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면 황산주석, 염화주석, 술파민산주석, 메탄술폰산주석, 산화주석, 수산화주석 등을 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. Bi3+의 공급원으로서는, 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면 황산비스무스, 염화비스무스, 술파민산비스무스, 메탄술폰산비스무스, 산화비스무스, 수산화비스무스 등을 단독으로 또는 적절히 혼합하여 첨가할 수 있다. 착화제(Ⅰ) 이온 및 착화제(Ⅱ) 이온의 공급원으로서는, 각각 공지의 것을 사용할 수 있다. 산, 알칼리금속염, 암모늄염, 2가의 주석염, 3가의 비스무스염 등을 단독으로 또는 적절히 혼합하여 첨가할 수 있다. 착화제(Ⅰ)이온 및/또는 착화제(Ⅱ)이온을 2가의 주석염 및 3가의 비스무스염으로서 공급한 경우에는, 착화제(Ⅰ)이온 및 착화제(Ⅱ)이온의 쌍이온인 Sn2+및 Bi3+은 각각 상술한 금속 이온 공급을 위하여 첨가된 Sn2+및 Bi3+의 농도의 일부를 구성한다.
또한, 본 발명의 도금 베스에는, 도금의 통전성을 향상시키기 위하여, 도전염을 첨가할 수 있다. 도전염으로서는 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면 염화칼륨, 염화암모늄, 황산암모늄 등을 단독으로 또는 혼합하여 첨가할 수 있다. 게다가, 본 발명의 도금 베스에는, 베스의 pH 변동을 감소하기 위하여, pH 완충제를 첨가할 수 있다. pH완충제로서는 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 붕산 및 인산의 알칼리금속염, 암모늄염 등을 단독으로 또는 적절히 혼합하여 첨가할 수 있다. 게다가, 본 발명의 도금 베스에는, 상술한 성분뿐만 아니라, 광택제를 첨가할 수 있다. 광택제로서는, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 알킬나프톨 등의 비이온성 계면활성제, 라우릴디메틸아미노초산 베타인, 이미다졸리늄 베타인 등의 양성 계면활성제, 도데실트리메틸암모늄염, 헥사도데실피리디늄염 등의 양이온성 계면활성제, 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산염, 알킬벤젠술폰산염 등의 음이온성 계면활성제를 사용할 수 있다. 또한 Sn2+의 산화를 방지하기 위하여, 산화방지제를 첨가할 수 있다. 산화방지제로서는 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면 하이드로퀴논, 아스코르빈산, 카테콜, 레조르신 등을 첨가할 수 있다.
본 발명의 Sn-Bi합금 도금 베스는 칩 커패시터, 칩 저항기, 칩 코일 등의 전자 부품에 도금을 실시할 때, 유리하게 적용할 수 있다. 양극으로서, 예를 들면 Sn금속, Bi금속, Sn-Bi합금, 백금 도금을 실시한 티타늄 또는 카본 등을 사용할 수 있다. 도금 온도는 약 10∼50℃, 바람직하게는 약 25∼30℃이다. 음극 전류 밀도는 약 0.1∼3.0A/d㎡이다.
실시예
실시예 1∼8
먼저, 동판을 탈지하고, 산수로 세척하였다. 그 후, 표 1에 나타낸 조건하에서 도금을 행하고, 두께가 약 5㎛인 도금 피막을 형성하였다. 도금 베스를 조정하기 위하여 사용한 금속 화합물은 메탄술폰산 주석 및 메탄술폰산 비스무스이다. 광택제로서는, 에틸렌옥사이드 및 도데실아민의 2몰 부가물을 사용하였다.
도금 베스의 안정성을 평가하여 위하여, 베스를 생성한 후 도금 베스를 실온에서 30일간 방치하였다. 그리고, 베스의 혼탁도 및 침전의 생성을 관찰하였다. 도금 피막의 합금 조성의 분석은, 피막을 산으로 용해한 후, ICP 발광 분광 분석에 의하여 분석하였다. 솔더링성은, 솔더 온도 230℃에서 로진계 플럭스를 사용하여 메니스코그래프법(meniscograph method)에 의해 제로 크로스 타임(zero cross time)을 측정하였다. 침식성은, 유전체 세라믹과 Ag전극을 포함하는 복합 부품을 피도금물로 하여, 동판의 경우와 동일한 방법으로 도금을 행하였다. 도금후, 세라믹 표면을 현미경에 의하여 관찰하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예
성분 1 2 3 4 5 6 7 8
Sn2+(mol/l) 0.2 0.2 0.4 0.4 0.4 0.4 0.2 0.2
Bi3+(mol/l) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0
4 4 2 2 4 4 4 4
착화제(Ⅱ)(mol/l) 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4
착화제(Ⅰ)(mol/l) 0.8 0.8 0.4 0.4 0.2 0.2 0.4 0.4
광택제(g/l) 1 1 1 1 1 1 1 1
pH 4 4 4 4 5 5 6 6
착화제(Ⅱ)(mol/l)/Bi3+(mol/l) 10 10 20 20 10 10 10 10
착화제(Ⅱ)(mol/l)/Sn2+(mol/l) 2 2 1 1 1 1 2 2
착화제(Ⅱ)(mol/l)/Sn2+(mol/l) 4 4 1 1 0.5 0.5 2 2
베스 안정성 안정 안정 안정 안정 안정 안정 안정 안정
음극 전류 밀도(A/d㎡) 0.5 3.0 0.5 3.0 0.5 3.0 0.5 3.0
베스 온도(℃) 25 25 25 25 25 25 25 25
Bi함유율(%) 28.7 26.3 12.4 9.1 15.4 13.4 25.1 23.3
솔더링성(초) 0.6 0.6 0.7 0.7 0.6 0.6 0.6 0.6
침식의 유무 없음 없음 없음 없음 없음 없음 없음 없음
실시예 1 및 2는 착화제(Ⅰ)로서 구연산을, 착화제(Ⅱ)로서 EDTA를 사용하였다. 실시예 3 및 4는 착화제(Ⅰ)로서 글루콘산을, 착화제(Ⅱ)로서 CyDTA를 사용하였다. 실시예 5 및 6은 착화제(Ⅰ)로서 피로인산을, 착화제(Ⅱ)로서 NTA를 사용하였다. 실시예 7 및 8은 착화제(Ⅰ)로서 말론산을, 착화제(Ⅱ)로서 EDTA를 사용하였다.
상기 실시예에 있어서, 착화제는 착화제(Ⅰ) 및 착화제(Ⅱ)로부터 각각 한종류를 선택하였으나, 이것에 한정되지 않는다. 착화제(Ⅰ) 및 착화제(Ⅱ)로부터 각각 2종류 이상의 착화제를 선택하여도 된다.
비교예 1∼6
표 2에 나타낸 조성을 갖는 도금 베스를 준비하였다. 도금 베스의 안정성은 실시예 1∼8의 경우와 동일한 방법으로 관찰하였다. 이들 결과를 표 2에 나타낸다.
비교예
성분 1 2 3 4 5 6
Sn2+(mol/l) 0.4 0.4 0.2 0.2 0.2 0.2
Bi3+(mol/l) 0.02 0.02 0.04 0.04 0.04 0.04
착화제(Ⅱ)(mol/l) 0.2 0.2 0.2 0.2 0 0.4
착화제(Ⅰ)(mol/l) 0.4 0.4 0.8 0.8 0.8 0
광택제(g/l) 1 1 1 1 1 1
pH 4 5 4 6 4 4
착화제(Ⅱ)(mol/l)/Bi3+(mol/l) 10 10 5 5 0 10
착화제(Ⅱ)(mol/l)/Sn2+(mol/l) 0.5 0.5 1 1 0 2
착화제(Ⅱ)(mol/l)/Sn2+(mol/l) 1 1 4 4 4 0
베스 안정성 침전 침전 침전 침전 침전 침전
비교예 1 및 2는 착화제(Ⅰ)로서 구연산을, 착화제(Ⅱ)로서 EDTA를 사용하였다. 비교예 3 및 4는 착화제(Ⅰ)로서 글루콘산을, 착화제(Ⅱ)로서 CyDTA를 사용하였다. 비교예 5는 착화제(Ⅰ)로서 피로인산을 사용하였다. 비교예 6은 착화제(Ⅱ)로서 NTA를 사용하였다.
이상 본 발명의 바람직한 실시 형태를 개시하였으나, 여기에 개시된 원리를 실행하기 위한 여러가지 모드가 다음의 특허청구범위의 범위내에서 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 청구범위에 의해서만 한정된다는 것을 알 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 Sn-Bi합금 도금 베스를 사용하면, 세라믹스, 유리, 페라이트 등으로 이루어지는 피도금물인 전자 부품을 침식하지 않고, 높은 음극 전류 밀도에서 도금을 행할 수가 있다. 또한 본 발명에 따른 도금 베스는 우수한 베스 안정성을 가지므로, 베스의 분해를 일으키지 않고 장기간에 걸쳐서 사용할 수가 있다.

Claims (20)

  1. 약 2.0∼9.0의 pH를 가지며, 또한
    Bi3+이온;
    Sn2+이온;
    (a)알킬기의 탄소수가 1∼3인 지방족 디카르본산, (b)알킬기의 탄소수가 1∼3인 지방족 히드록시모노카르본산, (c)알킬기의 탄소수가 1∼4인 지방족 히드록시폴리카르본산, (d)단당류, 이 단당류를 부분적으로 산화하여 생성된 폴리히드록시카르본산 및 이들의 환형상 에스테르 화합물, 및 (e)축합 인산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 착화제(Ⅰ); 및
    (s)에틸렌디아민테트라초산(EDTA), (t)니트릴로트리초산(NTA) 및 (u)트랜스-1,2-시클로헥산디아민테트라초산(CyDTA)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 착화제(Ⅱ);를 포함하는 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  2. 제 1항에 있어서, 착화제(Ⅱ)(mol/l)/Bi3+이온(mol/l)의 농도비는 약 10이상이고, 착화제(Ⅱ)(mol/l)/Sn2+이온(mol/l)의 농도비는 약 1이상이고, 또한 착화제(Ⅰ)(mol/l)/Sn2+이온(mol/l)의 농도비는 약 0.1이상인 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  3. 제 2항에 있어서, Bi3+의 농도는 약 0.005 내지 0.2mol/l이고, Sn2+의 농도비는 약 0.1 내지 0.5mol/l인 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  4. 제 3항에 있어서, 착화제(Ⅰ)는 구연산, 말론산, 글루콘산 및 피로인산으로이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  5. 제 4항에 있어서, Bi3+의 농도는 약 0.001 내지 0.1mol/l이고, Sn2+의 농도는 약 0.2 내지 0.4mol/l인 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  6. 제 3항에 있어서, 착화제(Ⅱ)는 EDTA인 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  7. 제 3항에 있어서, 착화제(Ⅱ)는 NTA인 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  8. 제 3항에 있어서, 착화제(Ⅱ)는 CyDTA인 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  9. 제 1항에 있어서, Bi3+의 농도는 약 0.005 내지 0.2mol/l이고, Sn2+의 농도비는 약 0.1 내지 0.5mol/l인 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  10. 제 9항에 있어서, 착화제(Ⅰ)는 구연산, 말론산, 글루콘산 및 피로인산으로이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  11. 제 1항에 있어서, Bi3+의 농도는 약 0.001 내지 0.1mol/l이고, Sn2+의 농도비는 약 0.2 내지 0.4mol/l인 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  12. 제 11항에 있어서, 착화제(Ⅰ)는 구연산, 말론산, 글루콘산 및 피로인산으로이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  13. 제 1항에 있어서, 착화제(Ⅰ)는 구연산, 말론산, 글루콘산 및 피로인산으로이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 Sn-Bi합금 도금 베스.
  14. 제 13항에 기재된 Sn-Bi합금 도금 베스에서 Sn-Bi합금을 전자 부품에 도금하는 방법.
  15. 제 11항에 기재된 Sn-Bi합금 도금 베스에서 Sn-Bi합금을 전자 부품에 도금하는 방법.
  16. 제 9항에 기재된 Sn-Bi합금 도금 베스에서 Sn-Bi합금을 전자 부품에 도금하는 방법.
  17. 제 4항에 기재된 Sn-Bi합금 도금 베스에서 Sn-Bi합금을 전자 부품에 도금하는 방법.
  18. 제 3항에 기재된 Sn-Bi합금 도금 베스에서 Sn-Bi합금을 전자 부품에 도금하는 방법.
  19. 제 2항에 기재된 Sn-Bi합금 도금 베스에서 Sn-Bi합금을 전자 부품에 도금하는 방법.
  20. 제 1항에 기재된 Sn-Bi합금 도금 베스에서 Sn-Bi합금을 전자 부품에 도금하는 방법.
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