JPH10306396A - 錫又は錫合金電気メッキ浴、およびそれを用いた電気メッキ方法 - Google Patents
錫又は錫合金電気メッキ浴、およびそれを用いた電気メッキ方法Info
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- JPH10306396A JPH10306396A JP34507697A JP34507697A JPH10306396A JP H10306396 A JPH10306396 A JP H10306396A JP 34507697 A JP34507697 A JP 34507697A JP 34507697 A JP34507697 A JP 34507697A JP H10306396 A JPH10306396 A JP H10306396A
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Abstract
且つ、電流密度を高くしても、絶縁体部への金属析出が
起こらないようにする。 【解決手段】 (1)第1錫塩、または第1錫塩と、
鉛、銅、亜鉛、コバルト、ニッケルの中から選ばれる1
種以上の金属塩と、(2)錯化剤と、(3)光沢剤とし
て、一般式[A]、[B]のいずれかで示されるポリオ
キシエチレンアルキルアミンもしくはポリオキシエチレ
ンアルキルアミド(ただし、Rは炭素数6〜18のアル
キル基、m+nは2〜11の整数)と、(4)pH3〜
pH10の条件を具備する。
Description
程に用いられる錫又は錫合金電気メッキ浴、およびそれ
を用いた電気メッキ方法に関するものである。
ク等を素材とした電子部品には、その電極の半田濡れ性
の向上等を目的として、錫もしくは錫合金メッキが施さ
れるが、金属をメッキする場合とは異なり、様々な問題
が発生する。
浴、硫酸浴、有機スルホン酸浴等の強酸浴(pH1以
下)を用いて、鉛ガラス被覆したIC部品やある種のセ
ラミックを用いたチップ部品をメッキした場合、本来絶
縁体であるガラスやセラミックにメッキが付くと言った
現象が生じるものがある。
ため、クエン酸、グルコン酸、ピロリン酸やこれらの塩
等を使用したpH2〜pH10の浴(特公昭59−48
875号、特公昭57−63689号、特公昭57−1
6192号)も検討されている。しかしながら、鉛ガラ
スやセラミックへのメッキ液の浸食は抑えられるもの
の、鉛ガラスやセラミック上への金属析出は完全には抑
え切れていない。特に電流密度を高くした場合には顕著
となる。
れたもので、電子部品がメッキ液で浸食されることな
く、且つ、電流密度を高くしても、絶縁体部への金属析
出が起こらないような錫又は錫合金電気メッキ浴および
それを用いた電気メッキ方法を提供することを目的とす
る。
解決するために錫又は錫合金電気メッキ浴およびそれを
用いた電気メッキ方法を完成するに至った。本願第1の
発明の錫又は錫合金電気メッキ浴は、(1)第1錫塩、
または第1錫塩と鉛、銅、亜鉛、コバルト、ニッケルの
中から選ばれる少なくとも1種類の金属塩と、(2)錯
化剤と、(3)光沢剤として、上記一般式[A]、
[B]のいずれかで示されるポリオキシエチレンアルキ
ルアミンもしくはポリオキシエチレンアルキルアミド
と、(4)pH3〜pH10とを具備することに特徴が
ある。
メッキ浴においては、前記(2)の錯化剤は、クエン
酸、グルコン酸、ピロリン酸、及びこれらの塩、または
グルコノラクトンのうち少なくとも1種類を用いること
が好ましい。
気メッキ方法は、上記の錫又は錫合金電気メッキ浴を用
いて電子部品を電気メッキすることに特徴がある。
気メッキ浴が上記のような構成により、本発明の目的を
達成できる理由は次の通りである。すなわち、以下のよ
うな現象(1)〜(2)を突き止め、下記の一般式で示
されるような光沢剤(ポリオキシエチレンアルキルアミ
ンもしくはポリオキシエチレンアルキルアミド)を加
え、pH3〜pH10の錫又は錫合金電気メッキ浴が、
上記課題に対して極めて有効となることを見い出した。
クやガラスの溶出は、pHに大きく依存し、特にpH2
以下またはpH10以上の領域で顕著となる。 (2)絶縁体部への金属析出は、絶縁体部の浸食度合い
と、メッキ浴の光沢剤の種類に大きく影響される。
基、m+nは2〜11の整数) 一般式[B]
基、m+nは2〜11の整数)。
性剤として上記課題に対して有効に作用する詳細な機構
は明らかでないが、下記(1)〜(2)のような構造で
あることが上記金属析出の抑制に作用しているものと思
われる。 (1)Rで示されるアルキル基がある程度の大きさを持
つ(直鎖状の場合は炭素数8以上、環状の場合は炭素数
6以上)。 (2)窒素原子が被メッキ物に対して接近でき、且つ、
界面活性剤同士が密に詰まって吸着できるように、m+
nで示されるエチレンオキサイド基の付加数が小さい
(2〜16)。
8、好適には12〜16であって、直鎖でも分岐を持っ
ていてもまたは環状であっても良い。炭素数が6より小
さい場合には抑制効果を失い、18より大きい場合には
還元分解されやすくなる。
チレンオキサイド基の付加数は重要で、多過ぎる場合に
は、溶解性は高まるものの抑制効果が失われる。具体的
な範囲としては、通常、m+nは11以下、より好まし
くは4以下である。
m+nが少ない場合には、分散剤を併用してやる必要が
ある。よって、溶解度の点では上記一般式[A]の方が
有利である。
分解されにくい性質を持つため、有効範囲は極めて広
い。ただ、多量に加え過ぎると気泡性が高くなるため作
業上の問題が出てくる。このため、添加量は多くし過ぎ
ないことが望ましく、通常、0.1〜20g/l、より
好ましくは0.5〜5g/lである。
下(1)〜(2)のような理由からメッキ浴がpH3〜
pH10の領域内であれば、特に限定されない。 (1)ガラスやセラミックの浸食は、錯化剤種よりも浴
のpHに影響される。 (2)ガラスやセラミック上への金属析出は、本発明に
よって示される光沢剤によって抑制される。
のような金属塩のうち少なくとも1種類であれば特に限
定されない。
ることがより好適であることを示している。
体的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定さ
れるものではない。
とpHと浴温(℃)を示す。
し、鉛ガラスを焼き付けた(3φ)5×5mmニッケル
単板に電流密度(A/dm2)とメッキ時間(min)
を変えてメッキ処理した。そのときの鉛ガラスの浸食状
態と鉛ガラス上へのメッキの付き方を表2に示す。
示したものは浸食が観察されない状態を表し、△と示し
たものは僅かに浸食が観察される状態を表し、×と示し
たものははっきりと浸食が観察される状態を表してい
る。また、表2のガラス部のメッキの中で、○と示した
ものはガラス上に金属析出がほとんど認められない状態
を表し、△と示したものはガラス上に金属析出がわずか
に認められる状態を表し、×と示したものはガラス上に
著しい金属析出が認められる状態を表している。
れる強酸浴では、ガラス部の浸食もガラス部への金属析
出も認められる。これに対し、試料10、11で示され
るような弱酸性の浴では、ガラス部の浸食は抑えられる
ものの、電流密度が高くなった場合にはガラス部への金
属析出が認められる。
合、電流密度を高くしてもガラス部の浸食もガラス部へ
の金属析出も認められない。
度が異なるため、操作温度を25℃、60℃に変えて同
様の実験を行ったが、40℃で得られた結果と同様の良
好な結果が得られた。
で浸食されることなく、且つ、電流密度を高くしても、
絶縁体部への金属析出が起こらないようにすることが可
能である。
Claims (3)
- 【請求項1】 以下の構成を具備する錫又は錫合金電気
メッキ浴。 (1)第1錫塩、または第1錫塩と鉛、銅、亜鉛、コバ
ルト、ニッケルの中から選ばれる少なくとも1種類の金
属塩 (2)錯化剤 (3)光沢剤として、下記一般式[A]、[B]のいず
れかで示されるポリオキシエチレンアルキルアミンもし
くはポリオキシエチレンアルキルアミド 一般式[A] 【化式1】 (ただし、Rは炭素数6〜18のアルキル基、m+nは
2〜11の整数) 一般式[B] 【化式2】 (ただし、Rは炭素数6〜18のアルキル基、m+nは
2〜11の整数) (4)pH3〜pH10 - 【請求項2】 前記(2)の錯化剤は、クエン酸、グル
コン酸、ピロリン酸、及びこれらの塩、またはグルコノ
ラクトンのうち少なくとも1種類を用いることを特徴と
する請求項1に記載の錫又は錫合金電気メッキ浴。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の錫又は
錫合金電気メッキ浴を用いて電子部品を電気メッキする
ことを特徴とする錫又は錫合金の電気メッキ方法。
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JP34507697A JP3627484B2 (ja) | 1997-03-03 | 1997-12-15 | 錫又は錫合金電気メッキ浴、およびそれを用いた電気メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (3)
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JP9-48036 | 1997-03-03 | ||
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JPH10306396A true JPH10306396A (ja) | 1998-11-17 |
JP3627484B2 JP3627484B2 (ja) | 2005-03-09 |
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- 1997-12-15 JP JP34507697A patent/JP3627484B2/ja not_active Expired - Lifetime
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CN110462108A (zh) * | 2017-03-27 | 2019-11-15 | 三菱综合材料株式会社 | 电镀液 |
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