KR20000010478A - 모세관 전극 방전 플라스마 디스플레이 패널 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제 1 및 제 2 기판과, 제 1 기판 상의 제 1 전극과, 제 2 기판 상의 제 2 전극과, 제 1, 2 기판을 연결하는 한 쌍의 격벽과, 격벽에 의해 정의되는 제 1, 2 기판 사이의 방전 영역과, 그리고 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판 상의 유전층을 포함하여 이루어지고, 유전층은 방전 영역 내에 정상(steady state) UV 방출을 제공하기 위해 모세관을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 플라스마 디스플레이 패널 장치 (plasma display panel device) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전극을 연결하는 모세관이나 마이크로채널(micro-channels)을 갖는 플라스마 디스플레이 패널 장치에 관한 것이다. 본 발명은 널리 응용될 수 있지만, 고밀도 자외선(UV) 방출을 일으키는데 특히 적합하고, 이로써 구동 전압 및 턴온(turn-on) 시간을 크게 줄일 수 있다.
플라스마 디스플레이 패널("PDP") 장치는 전기 에너지를 빛으로 변환시키기 위해 가스 방전을 이용한다. PDP 장치의 각 픽셀은 단일의 시그널 가스-방전 지점에 해당하고 각 픽셀로부터 방출된 빛은 이미지를 표시하는 영상 시그널에 의해 전기적으로 제어된다.
칼라 플라스마 디스플레이에 대한 많은 구조가 1980년대 이후 제시되어 왔으나, 3개만이 아직 논쟁 중에 있다: 교류 매트릭스 유지(sustain) 구조; 교류 코플라나 유지 구조; 그리고 펄스-메모리(pulse-memory)를 갖는 직류 구동 구조.
일반적으로, PDP는 평면 패널 디스플레이 기술에서 보통 대각선이 40인치 이상 되는 큰 사이즈의 디스플레이 장치에 선택된다. 프로토형(proto-type)의 PDP가 개발된 이후로 장치의 응답 시간을 줄이고, 구동 전압을 낮추고, 그리고 휘도(brightness)를 높이기 위해 PDP 장치에 대한 광범위한 연구가 행해져 왔다. 이들 목표는 글로 방전(glow discharge)으로부터의 UV 방출 효율을 극대화함으로써 달성될 수 있다.
대부분의 PDP 장치는 고압 AC 배리어(barrier) 유형의 방전을 이용한다. 종래의 고압 AC 배리어 유형 방전의 한 예가 미국 특허 제 5,701,056 호에 개시되었고 도 1에 나타나 있다. 종래의 플라스마 디스플레이 패널 장치는 서로 마주 보는 투명의 전면 기판(101)과 후면 기판(110)을 갖는다. 다수의 투명 전극(102)이 각 전면 기판(101)상에 형성되고, 버스(bus) 전극(111)이 각 투명 전극(102)상에 형성된다. 투명 전극(102) 및 버스 전극(111)은 두꺼운 절연층(103), 보호층(104)의 순서로 덮여 있다. 투명 절연층(103)과 보호층(104)은 저융점 및 산화 마그네슘(MgO)을 갖는 납유리를 포함한다.
다수의 데이터 전극(108)이 후면 기판(110)상에 형성된다. 다수의 방전 영역(112)이 제 1, 2, 3 격벽 (105a, 105b(미도시), 106)에 의해서 정의되고, 제 1 및 제 3 격벽은 각각 폭 WH, WD를 갖는다. 화이트-칼라 절연층(107)이 데이터 전극(108)을 포함하는 후면 기판(110)상에 형성된다. 또, 형광체가 제 3 격벽(106)과 화이트-칼라 절연층(107)상에 형성된다.
미국 특허 제 5,414,324 호는 도 2에 나타난 바와 같이 고압 글로 방전 플라스마를 발생시키기 위한 또다른 구조를 제시하였다. 전극(10)이 직사각형 평면 치수가 25 cm × 25 cm 인 구리 금속판으로 만들어진다. 금속판(10) 및 관(tubing, 11)을 포함하는 일체형 금속 유닛(unit)은 고유전성(high dielectric) 절연층(14)으로 덮인다. 이 구조에서, 유전성 고절연층(14)은 방전으로부터 고전류 아크(arc) 방식을 보호하기 위한 것이다. 그러나, 고유전성 절연층(14)은 많은 전계를 소모한다. 게다가, 전계의 상당 부분이 유전성 절연층을 가로질러 인가되므로, 전계는 PDP 장치 전체에 효과적으로 인가될 수 없다.
따라서, 본 발명은 종래 기술의 문제점을 극복하기 위한 플라스마 디스플레이 패널 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 AC 또는 DC 방식으로 작동되는 PDP 에서 고밀도 UV 방출을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 구동 전압을 낮추고 응답 시간을 줄이는데 있다.
본 발명의 다른 특징 및 이점들은 뒤따르는 상세설명에서 명백히 이해될 것이고, 또는 본 발명의 실행으로 그 이점이 얻어질 것이다. 본 발명의 목적 및 이점들은 본 명세서의 상세설명 및 청구항 그리고 첨부 도면에서 특히 지적된 구조에 의해서 구현되고 달성될 것이다.
본 발명의 목적에 따른 이점들을 얻기 위해, 상세히 기술된 바와 같이, 플라스마 디스플레이 패널 장치는 제 1 및 제 2 기판, 제 1 기판 상의 제 1 전극, 제 2 기판 상의 제 2 전극, 제 1, 2 기판을 연결하는 한 쌍의 격벽(barrier ribs), 격벽에 의해 정의되는 제 1, 2 기판 사이의 방전 영역(electric charge chamber), 그리고 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판 상의 유전층을 포함하며, 유전층은 방전 영역 내에 정상(steady state) UV 방출을 제공하기 위한 채널을 갖는다.
본 발명의 또다른 면에서, 플라스마 디스플레이 패널 장치는 제1 및 제 2 기판, 제 1 기판 상의 제 1 전극, 제 2 기판 상의 제 2 전극, 제 1, 2 기판을 연결하는 한 쌍의 격벽, 제 1, 2 기판 사이의 방전 영역, 그리고 제 1, 2 기판 사이의 UV-가시 광선 변환층을 포함하며, UV-가시 광선 변환층은 방전 영역 내에 정상 UV 방출을 제공하기 위해 적어도 하나의 채널을 갖는다.
본 발명의 또다른 면에서, 플라스마 디스플레이 패널 장치는 제 1 및 제 2 기판, 제 1 기판 상의 제 1 전극, 제 1 전극 상의 제 1 유전층, 제 1 유전층 상의 제 2 전극, 제 2 전극 상의 제 2 유전층, 제 2 기판 상의 제 3 전극, 제 3 전극을 포함하는 제 2 기판 상의 UV-가시 광선 변환층, 제 1, 2 기판을 연결하는 한 쌍의 격벽, 그리고 격벽에 의해 정의되는 제 1, 2 기판 사이의 제 1 및 제 2 방전 영역을 포함한다.
본 발명의 또다른 면에서, 플라스마 디스플레이 패널 장치는 제 1 및 제 2 기판, 제 1 기판 상의 제 1 및 제 2 전극, 제 1, 2 전극을 포함하는 제 1 기판 상의 제 1 유전층, 제 1 유전층 상의 제 3 전극, 제 2 기판 상의 제 4 전극, 제 4 전극을 포함하는 제 2 기판 상의 UV-가시 광선 변환층, 제 1, 2 기판을 연결하는 한 쌍의 격벽, 격벽에 의해 정의되는 제 1, 2 기판 사이의 제 1 방전 영역, 그리고 제 1 유전층 내의 제 1, 2 전극 사이의 제 2 방전 영역을 포함한다.
본 발명의 또다른 면에서, 제 1 및 제 2 기판을 갖는 플라스마 디스플레이 패널 장치를 제조하는 방법은 제 1 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계, 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판 상에 유전층을 형성하는 단계, 그리고 제 1 전극을 노출시키기 위해 유전층에 적어도 한 개의 채널을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또다른 면에서, 제 1 및 제 2 기판을 갖는 플라스마 디스플레이 패널 장치를 제조하는 방법은 제 1 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계, 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판 상에 UV-가시 광선 변환층을 형성하는 단계, 그리고 제 1 전극을 노출시키기 위해 UV-가시 광선 변환층에 적어도 하나의 채널을 형성하는 단계를 포함한다.
전술한 개략적인 기술과 다음에 오는 상세설명은 모두 예시적이고 설명적인 것이며 청구된 것과 같이 본 발명에서의 그 이상의 설명을 제공하기 위한 것임을 이해해야 한다.
본 발명의 이해를 돕기 위해 본 명세서에 포함되어 일부를 이루는 첨부 도면은 본 발명의 실시예를 예시하며 상세설명과 함께 본 발명의 원리를 설명한다.
도 1은 배경 기술에 따른 플라스마 디스플레이 패널 장치의 개략도이다.
도 2는 또다른 배경 기술에 따른 플라스마 디스플레이 패널 장치의 개략도이다.
도 3A 내지 3C는 종래 PDP 장치 및 본 발명에 따라 AC로 작동되는 PDP 의 플라스마 방전을 나타내는 사진이다.
도 4A 내지 4C는 본 발명에 따른 플라스마 방전의 전개를 보여주는 개략도이다.
도 5A 와 5B는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널 장치의 수평 및 수직 단면도이다.
도 6A 와 6B는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널 장치의 수평 및 수직 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널 장치의 단면도이다.
도 8A 와 8B는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널 장치의 단면도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
501 : 전면 유리 패널 502 : 전극
503 : 유전층 504 : 격벽
505 : UV-가시 광선 변환층 506 : 대향 전극
507 : 후면 유리 패널 508 : 방전 영역
509 : 채널
첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 설명될 것이다.
본 발명의 모세관 플라스마 전극 방전(Capillary Plasma Electrode Discharge; "CPED") PDP 장치는 전극이 고밀도 플라스마를 만들어 내는 새로운 형태의 가스 전기 방전을 이용한다. 플라스마는 금속 전극에 수직한 축을 따라 그 앞에 위치한 모세관 튜브에서 발생된다. 플라스마 전극의 직경은 병렬로 결합된 모세관의 수와 그 분리에 의해 결정된다. 모세관의 밀도와 직경은 방전 특징을 최적화하기 위해 변화가 가능하다.
도 3A 내지 3C 는 종래의 AC 배리어 유형과 본 발명의 모세관 전극 방전 사이의 플라스마 방전의 강도를 비교한 것을 나타낸다. 교류 펄스와 단극성 펄스는 전극에 전원을 공급하는데 이용된다. 도 3B와 3C에 보이는 바와 같이, 모세관으로부터 발산되는 플라스마 제트(jet)는 또렷이 눈에 보이고 도 3A 보다 훨씬 더 밝다. 따라서, 방전의 강도는 같은 상황에서 종래의 AC 배리어 방전의 강도보다 더욱 크다.
본 발명의 모세관 방전의 이러한 특징은 도 4A에서 4C까지 개략적으로 나타나 있다. 도 4A는 금속 전극에서 시작되는 고전계의 방전을 발생시키는 모세관 내의 전계이다. 모세관의 고밀도 플라스마는 모세관의 말단에서 나와 주 방전(main discharge)의 전극 역할을 하는 갭(gap)으로 들어간다. 모세관 내의 전계는 스트리머(streamer) 방전을 형성한 후에 붕괴되지 않는다. 이는 전류를 유지하기 위해 축에 상당한 생산률(따라서 고전계)을 필요로 하는 격벽에서의 전자-이온 재결합(recombination)이 높기 때문이다. 모세관 플라스마와 주 방전의 계면에는 이중의 층이 존재한다. 모세관 튜브 길이 L 에 대한 모세관 직경 d 의 비를 선택함으로써, 도 4C에 보인 바와 같이, 정상 플라스마 방전이 유지될 수 있다. 단극성 구동이 바람직하다면 양극(anode)을 덮는데 유전층은 필요하지 않다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널 (PDP) 장치가 도 5A 를 참조로 하여 기술한다. 도 5A에 보인 바와 같이, PDP 장치는 서로 마주 보도록 배치된 전면 유리 패널(501)과 후면 유리 패널(507)을 포함한다. 전극(502)이 전면 유리 패널(501)상에 형성된다. 유전층(503)이 전극(502)을 포함하는 전면 유리 패널(501)상에 형성된다. 만약 필요하다면, 산화 마그네슘(MgO) 층이 유전층(503)상에 형성될 수 있다. 후면 유리 패널(507)상에 대향 전극(506)이 형성된다. 대향 전극(506)은 후면 유리 패널(507)의 중심에 배치될 수 있다. 한 쌍의 격벽(504)이 전면 유리 패널(501)과 후면 유리 패널(507)을 연결한다. UV-가시 광선 변환층(505), 예를 들어, 형광층(phosphor layer)이 전면 유리 패널(501)과 후면 유리 패널(507) 사이의 대향 전극(506)을 덮도록 형성된다. 방전 영역(508)이 전면 유리 패널(501)과 후면 유리 패널(507) 사이에서 격벽(504)에 의해 정의된다. 보통, 방전 영역(508)은 크세논(Xenon, Xe)과 같은 불활성 기체 혼합물로 채워져 UV 방출을 일으킨다. 게다가, 본 실시예에서, 유전층(503)은 채널(509)을 가지고 있어서 전극(502)을 방전 영역(508)으로 노출시키므로, 방전 영역에서 정상 UV 방출이 얻어진다. 도 5B 에 보인 바와 같이, 채널(509)의 수평 단면은 원형이거나 다각형이고, 수직 단면은 직선 또는 굽은 형이다. 채널의 치수는 다음의 식으로 정의될 수 있다:
1/100 < D/L < 1
여기에서 D 는 채널의 최대 단면 폭이고 L 은 유전층의 길이이다.
또는, 채널의 치수는 전자 평균 자유 행정(electron mean free path)과 비슷하거나 전자 평균 자유 행정보다 크다.
도 6A 는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 PDP 장치를 보여주는 단면도이다. 본 발명의 제 2 실시예는 전면 유리 패널(601), 후면 유리 패널(609), 그리고 전면 유리 패널(601)상의 제 1 및 제 2 전극 (602, 603)을 포함한다. 투명 유전층(604)이 제 1, 2 전극(602, 603)을 포함하는 전면 유리 패널(601)상에 형성된다. 본 발명에서는 산화 마그네슘층(605)이 필요하지 않더라도, 산화 마그네슘층(605)이 투명 유전층(604)상에 형성될 수도 있다. 한 쌍의 격벽(606)이 제 1, 2 유리 패널(601, 609)을 연결하고 방전 영역(610)을 정의한다. 어드레스 전극(608)이 후면 유리 패널(609)의 중심에 위치된다. 게다가, 형광층과 같은 UV-가시 광선 변환층이 어드레스 전극(608)을 포함하는 제 2 유리 패널(609)상에 형성된다. 본 실시예에서, 도 4A 에서 4C 까지 기술된 바와 같이 투명 유전층(604)을 통과하는 제 1 및 제 2 채널(611, 612)이 형성되어 정상 UV 방출을 공급하도록 제 1, 2 전극(602, 603)을 노출시킨다. 채널(602, 603)의 치수는 제 1 실시예에서 개시된 것과 동일할 수 있다. 도 6B 에 보인 바와 같이, 채널(611)의 수평 단면은 원형이거나 다각형이고, 수직 단면은 직선이거나 굽은 형이다. 방전 영역(610)은 크세논(Xe)과 같은 불활성 가스로 채워져 있다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 PDP 장치의 단면을 나타낸다. 본 실시예는 서로 마주 보는 전면 및 배면 유리 패널(701, 702), 그리고 전면 유리 패널(701)상에 산화 인듐 주석(indium tin oxide, ITO) 층과 같은 투명 전극(703)을 포함한다. 투명 전극(703)은 DC 작동에서 양전극의 기능을 한다. 전도성 전극(conductive electrode, 704)이 배면 유리 패널(702)상에 형성되어 DC 구동에서 음전극의 기능을 한다. 형광층과 같은 UV-가시 광선 변환층(705)이 전도성 전극(704)을 포함하는 배면 유리 패널(702)상에 형성된다. UV-가시 광선 변환층(705)은 약 10-50 μm 범위의 두께를 갖는다. 한 쌍의 격벽(707)이 전면 및 배면 유리 패널(701, 702)을 연결하고 방전 영역(708)을 정의한다.
본 실시예에서, 다수의 채널(706)이 UV-가시 광선 변환층(705)을 통과하도록 형성되어 전도성 전극(704)을 방전 영역(708)으로 노출시킨다. UV-가시 광선 변환층(705) 내의 채널의 수는 바람직하게 1-100 의 범위에 있다. 도 7 에 보인 바와 같이, 채널(706)의 수직 단면은 원형이거나 다각형이고, 직선이거나 굽은 형일 수도 있다. 각 채널의 치수는 다음 식으로 정의될 수 있다:
1/100 < D/L < 1
여기에서 D 는 채널의 최대 단면 폭이고 L 은 UV-가시 광선 변환층의 길이이다.
도 8A 와 8B 는 본 발명의 제 4 실시예로서 PDP 장치의 응답 시간을 훨씬 줄여주고 있다. 본 실시예는 서로 마주 보는 전면 및 후면 유리 패널(801, 802) 을 포함한다. 제 1 전극(803)이 전면 유리 패널(801)상에 형성된다. 제 1 유전층(804)이 제 1 전극(803)을 포함하는 전면 유리 패널(801)상에 형성된다. 제 1 방전 영역(805)이 제 1 유전층(804) 내에 정의된다. 제 2 전극(806)이 제 1 방전 영역(805)을 포함하는 제 1 유전층 상에 형성된다. 게다가, 제 2 유전층(807)이 제 2 전극(806)상에 형성된다. 한 쌍의 격벽(809)이 제 1, 2 유리 패널(801, 802)을 연결하고 제 2 방전 영역(812)을 정의한다. 또는, 도 8B에 보인 바와 같이 제 1 방전 영역(805)이 제 2 유전층(807) 내에 형성될 수 있다. 제 3 전극(810)이 후면 유리 패널(802)의 중심에 배치된다. 형광층과 같은 UV-가시 광선 변환층(811)이 제 3 전극(810)을 포함하는 후면 유리 패널(802)상에 형성된다. 제 2 유전층(807)과 제 2 전극(806)을 통과하는 채널(808)이 형성되어 제 1, 2 방전 영역(805, 812)을 연결한다. 본 실시예에서, 제 1 방전 영역(805)은 파일럿(pilot) 방전을 제공하므로 정상 UV 방출에서 턴온 시간이 감소된다. 채널(808)의 단면은 이전 실시예에서 설명된 것과 똑같은 치수와 모양을 가질 수 있다. 채널(808)을 통해 연결된 제 1, 2 방전 영역은 크세논(Xe)과 같은 불활성 가스로 채워진다.
도 9 는 본 발명의 제 5 실시예로 PDP 장치에서 턴온 시간을 줄이는 또다른 구조를 보여준다. 본 실시예에 따른 PDP 장치는 제 1 및 제 2 유리 패널(801, 802), 제 1 유리 패널(801)상의 제 1 및 제 2 전극(803a, 803b), 그리고 제 1, 2 전극(803a, 803b)을 포함하는 제 1 유리 패널(801)상의 제 1 유전층(804)을 포함한다. 제 1 방전 영역(805)이 제 1 유전층(804) 내에 형성되어 파일럿 방전을 제공하므로, 주 방전에서의 턴온 시간을 줄이게 된다. 본 실시예에 따른 PDP 장치는 제 1 방전 영역(805)을 포함하는 제 1 유전층(804)상에 제 3 전극(806)과 제 3 전극(806)상에 제 2 유전층(807)을 더 포함한다. 제 2 유전층(807)과 제 3 전극(806)을 통과하는 다수의 채널(808)이 제 1 방전 영역(805)과 연결되므로, 채널은 PDP 장치에서 정상 UV 방출을 제공한다. 한 쌍의 격벽(809)이 제 1, 2 유리 패널(801, 802)을 연결함으로써 제 2 방전 영역(812)을 정의한다. 제 4 전극(810)이 제 2 유리 패널(802)상에 형성된다. UV-가시 광선 변환층(811)이 제 4 전극(810)을 포함하는 제 2 유리 패널(802)상에 형성된다.
본 발명에 따라 플라스마 디스플레이 패널 장치를 제조하는 방법은 다음과 같이 기술된다:
예를 들어, 플라스마 디스플레이 패널 장치를 제조하는 한가지 방법은 도 5A 를 참조로 하여 기술된다. 우선, 제 1 전극(502)이 제 1 기판(501)상에 형성된다. 다음, 유전층이 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판 상에 형성된다. 유전층 내에 적어도 1 개의 채널(509)이 형성되어 제 1 전극(502)을 방전 영역(508)으로 노출시킨다. 이 과정에서, 채널은 레이저 가공(laser machining), 습식 식각(wet etching), 또는 건식 식각(dry etching) 중 한가지 방법으로 형성된다.
플라스마 디스플레이 패널 장치를 제조하는 또다른 방법은, 도 7 에 보인 바와 같이 제 1 전극(704)이 처음에 제 1 기판(702)상에 형성된다. 제 1 전극(704)은 금속 전극으로 형성될 수 있다. 다음, UV-가시 광선 변환층, 예를 들어 형광층이 제 1 전극(704)을 포함하는 제 1 기판 상에 형성된다. 그리고 나서, 적어도 하나의 채널(706)이 UV-가시 광선 변환층 내에 형성되어 제 1 전극을 방전 영역(708)에 노출시킨다. 마찬가지로, UV-가시 광선 변환층 내의 채널(706)은 레이저 가공, 습식 식각, 또는 건식 식각 중 한 방법으로 형성된다.
본 발명의 플라스마 디스플레이 패널 장치 및 그 제조 방법은 다음과 같은 이점이 있다.
모세관의 전계가 붕괴되지 않기 때문에, 높은 전계를 갖는 방전이 모세관 내에 유지된다. 결과적으로, 본 발명의 CPED 플라스마 디스플레이 패널 장치로 훨씬 강화된 휘도가 얻어진다.
본 발명의 PDP 는 AC 나 DC 방식으로 둘다 작동되며 방전 작동 전압이 200 V 미만이다. 이는 모세관 내의 전자 사태(electron avalanches)를 발생시키는 사이클의 초기 위상(phase)에서 유전층을 가로지르는 큰 전계를 이용함으로써 항복 전압(breakdown voltage)이 낮아지기 때문에 가능한 것이다. 유전체 매립 전극(dielectric buried electrode)이 필요하지 않기 때문에 종래 PDP 구조에 비해 훨씬 간단한 구조를 갖는다.
본 발명에서는 산화 마그네슘층 또는 전류 제한 저항기(current limiting resistor)가 필요하지 않기 때문에 장치의 수명이 보다 향상된다. 게다가, 종래 AC로 작동되는 PDP와는 달리, 응답 시간으로부터 유전체 충전(dielectric charging) 시간이 배제되기 때문에 응답 시간이 매우 짧아진다. 따라서, 본 발명은 보다 간단한 구조와 정상 UV 방출을 발생시키는데 보다 양호한 효율을 가지므로 제조 비용이 상당히 감소된다.
본 발명의 정신이나 영역을 벗어남이 없이, 본 발명의 플라스마 디스플레이 패널 장치 및 그 제조 방법에서 많은 개량이나 변형이 가능함은 당업자에게 명백할 것이다. 그러므로, 첨부된 청구항 및 그 상당하는 범위 내에 있는 한 본 발명의 개량이나 변형은 본 발명에 포함된다.
Claims (43)
- 제 1 및 제 2 기판과;상기 제 1 기판 상의 제 1 전극과;상기 제 2 기판 상의 제 2 전극과;상기 제 1, 2 기판을 연결하는 한 쌍의 격벽과;상기 격벽에 의해 정의된 상기 제 1, 2 기판 사이의 방전 영역과; 그리고상기 제 1 전극을 포함하는 상기 제 1 기판 상의 유전층을 포함하여 이루어지고, 상기 유전층은 방전 영역 내에 정상 UV 방출을 제공하기 위해 모세관을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 유전층 상에 산화 마그네슘(MgO)층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1, 2 기판 사이에 UV-가시 광선 변환층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 UV-가시 광선 변환층은 형광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 모세관은 수평 단면의 모양에서 원형이나 다각형을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 모세관은 수직 단면의 모양에서 직선이나 굽은 형을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 모세관의 크기는1/100 < D/L < 1의 식으로 정의되고, 여기서 D는 모세관의 최대 단면 폭이고 L은 유전층의 길이임을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 방전 영역은 크세논(Xe)을 포함하는 불활성 가스 혼합물로 채워짐을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 상기 제 2 기판의 사실상 중심에 위치됨을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 어드레스 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 제 1 기판 상에 적에도 두 개의 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 모세관의 크기는 전자 평균 자유 행정(electron mean free path)과 비슷하거나 전자 평균 자유 행정보다 더 큰 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 및 제 2 기판과;상기 제 1 기판 상의 제 1 전극과;상기 제 2 기판 상의 제 2 전극과;상기 제 1, 2 기판을 연결하는 한 쌍의 격벽과;상기 제 1, 2 기판 사이의 방전 영역과; 그리고상기 체 1, 2 기판 사이의 UV-가시 광선 변환층을 포함하여 이루어지고, 상기 UV-가시 광선 변환층은 상기 방전 영역 내에 정상 UV 방출을 제공하기 위해 적어도 하나의 모세관을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 모세관의 크기는1/100 < D/L < 1의 식으로 정의되고, 여기서 D 는 모세관의 직경이고 L 은 UV-가시 광선 변환층의 두께임을 특징으로 하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 방전 영역은 크세논(Xe)을 포함하는 불활성 가스 혼합물로 채워짐을 특징으로 하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 2 전극은 제 2 기판의 사실상 중심에 위치됨을 특징으로 하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 2 전극은 음전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 2 전극은 전도성 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 1 전극은 양전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 1 전극은 ITO 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 UV-가시 광선 변환층은 약 10 - 50 μm 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 UV-가시 광선 변환층은 약 1 - 100 개 범위의 다수 채널을 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 UV-가시 광선 변환층은 형광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 장치는 200 V 미만의 방전 작동 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 모세관은 수평 단면의 모양에서 원형이나 다각형을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 모세관은 수직 단면의 모양에서 직선이나 굽은 형을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 및 제 2 기판과;상기 제 1 기판 상의 제 1 전극과;상기 제 1 전극 상의 제 1 유전층과;상기 제 1 유전층 상의 제 2 전극과;상기 제 2 전극 상의 제 2 유전층과;상기 제 2 기판 상의 제 3 전극과;상기 제 3 전극을 포함하는 상기 제 2 기판 상의 UV-가시 광선 변환층과;상기 제 1, 2 기판을 연결하는 한 쌍의 격벽과; 그리고상기 격벽에 의해 정의되는 상기 제 1, 2 기판 사이의 제 1 및 제 2 방전 영역을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널 장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 제 1 유전층과 제 2 전극은 적어도 하나의 모세관을 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 제 2 유전층과 제 2 전극은 적어도 하나의 모세관을 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 제 1 방전 영역은 제 1 유전층 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 제 1 방전 영역은 제 2 유전층 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 UV-가시 광선 변환층은 형광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 모세관은 수평 단면의 모양에서 원형이나 다각형을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 모세관은 수직 단면의 모양에서 직선이나 굽은 형을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 및 제 2 기판과;상기 제 1 기판 상의 제 1 및 제 2 전극과;상기 제 1, 2 전극을 포함하는 상기 제 1 기판 상의 제 1 유전층과;상기 제 1 유전층 상의 제 3 전극과;상기 제 2 기판 상의 제 4 전극과;상기 제 4 전극을 포함하는 상기 제 2 기판 상의 UV-가시 광선 변환층과;상기 제 1, 2 기판을 연결하는 한 쌍의 격벽과;상기 격벽에 의해 정의되는 상기 제 1, 2 기판 사이의 제 1 방전 영역과; 그리고 상기 제 1 유전층 내의 상기 제 1, 2 전극 사이의 제 2 방전 영역을 포함하여 이루어지는것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널 장치.
- 제 35 항에 있어서,상기 제 1, 2 방전 영역은 상기 제 3 전극과 제 2 유전층 내의 적어도 한 개의 모세관을 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 36 항에 있어서,상기 모세관은 수평 단면의 모양에서 원형이나 다각형을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 36 항에 있어서,상기 모세관은 수직 단면의 모양에서 직선이나 굽은 형을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 35 항에 있어서,상기 UV-가시 광선 변환층은 형광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 및 제 2 기판을 포함하는 플라스마 디스플레이 패널 장치를 제조하는 방법에 있어서,상기 제 1 기판 상에 제 1 전극을 형성하고;상기 제 1 전극을 포함하는 상기 제 1 기판 상에 유전층을 형성하고; 그리고상기 제 1 전극을 노출시키도록 상기 유전층 내에 적어도 한 개의 모세관을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 40 항에 있어서,상기 유전층 내에 적어도 한 개의 모세관을 형성하는 상기 단계는 레이저 가공, 습식 식각, 또는 건식 식각 중 한가지 방법으로 수행됨을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 및 제 2 기판을 포함하는 플라스마 디스플레이 패널 장치를 제조하는 방법에 있어서,상기 제 1 기판 상에 제 1 전극을 형성하고;상기 제 1 전극을 포함하는 상기 제 1 기판 상에 UV-가시 광선 변환층을 형성하고; 그리고상기 제 1 전극을 노출시키도록 상기 UV-가시 광선 변환층 내에 적어도 한 개의 모세관을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 42 항에 있어서,상기 유전층 내에 적어도 한 개의 모세관을 형성하는 단계는 레이저 가공, 습식 식각, 또는 건식 식각 중 한가지 방법으로 수행됨을 특징으로 하는 방법.
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