JP3107795B2 - 毛細管電極放電プラズマディスプレイパネル装置及びその製造方法。 - Google Patents
毛細管電極放電プラズマディスプレイパネル装置及びその製造方法。Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル装置及びその製造方法に関し、より詳しくは
電極を連結する毛細管やマイクロチャネルを有するプラ
ズマディスプレイパネル装置に関する。
レイパネル装置及びその製造方法に関し、より詳しくは
電極を連結する毛細管やマイクロチャネルを有するプラ
ズマディスプレイパネル装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
装置は、電気エネルギーを光に変換するためにガス放電
を利用する。ＰＤＰ装置の各ピクセルは、単一のシグナ
ルガス−放電支点に当たり、各ピクセルから放出された
光は、イメージを表示する映像シグナルによって電気的
に制御される。
装置は、電気エネルギーを光に変換するためにガス放電
を利用する。ＰＤＰ装置の各ピクセルは、単一のシグナ
ルガス−放電支点に当たり、各ピクセルから放出された
光は、イメージを表示する映像シグナルによって電気的
に制御される。
【０００３】１９８０年代以来、カラープラズマディス
プレイに関する構造が数多く提案されてきたが、今日で
も検討されているのは、交流マトリクス維持構造、交流
コプラナー（coplana)維持構造、そして、パルス−メモ
リを有する直流駆動構造の三つだけである。
プレイに関する構造が数多く提案されてきたが、今日で
も検討されているのは、交流マトリクス維持構造、交流
コプラナー（coplana)維持構造、そして、パルス−メモ
リを有する直流駆動構造の三つだけである。
【０００４】一般に、ＰＤＰは平面パネルディスプレイ
技術において、対角線が４０インチ以上の大きなサイズ
のディスプレイ装置に選択される。プロトタイプのＰＤ
Ｐが開発されてから、装置の応答時間を短縮し、駆動電
圧を低減し、かつ輝度を高めるためにＰＤＰ装置に対す
る広範囲な研究が行われてきた。これらの目標は、グロ
ー放電からのＵＶ放出効率を極大化することによって達
成することができる。
技術において、対角線が４０インチ以上の大きなサイズ
のディスプレイ装置に選択される。プロトタイプのＰＤ
Ｐが開発されてから、装置の応答時間を短縮し、駆動電
圧を低減し、かつ輝度を高めるためにＰＤＰ装置に対す
る広範囲な研究が行われてきた。これらの目標は、グロ
ー放電からのＵＶ放出効率を極大化することによって達
成することができる。
【０００５】多くのＰＤＰ装置は、高圧ＡＣバリヤーに
類似型の放電を利用する。従来の高圧ＡＣバリヤー類似
型の放電の一例が米国特許第５、７０１、０５６号に開
示されており、その一例を図１に示す。図１に示すよう
に、従来のＰＤＰ装置は、対向する透明の前面基板１０
１及び後面基板１１０を有する。前面基板１０１下には
多数の透明電極１０２が形成され、各透明電極１０２下
にはバス電極１１１が形成されている。透明電極１０２
及びバス電極１１１は、厚い絶縁層１０３及び保護層１
０４により順序に覆われている。透明絶縁層１０３及び
保護層１０４は、低融点の鉛ガラスと酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）とから構成される。
類似型の放電を利用する。従来の高圧ＡＣバリヤー類似
型の放電の一例が米国特許第５、７０１、０５６号に開
示されており、その一例を図１に示す。図１に示すよう
に、従来のＰＤＰ装置は、対向する透明の前面基板１０
１及び後面基板１１０を有する。前面基板１０１下には
多数の透明電極１０２が形成され、各透明電極１０２下
にはバス電極１１１が形成されている。透明電極１０２
及びバス電極１１１は、厚い絶縁層１０３及び保護層１
０４により順序に覆われている。透明絶縁層１０３及び
保護層１０４は、低融点の鉛ガラスと酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）とから構成される。
【０００６】多数のデータ電極１０８が後面基板１１０
上に形成される。多数の放電領域１１２は第１隔壁１０
５ａ、第２隔壁（図示しない）、及び第３隔壁１０６に
より定義され、第１及び第３隔壁１０５ａ，１０６はそ
れぞれ幅ＷH、ＷDを有する。ホワイトカラー絶縁層１０
７は、データ電極１０８を含む後面基板１１０上に形成
されている。又、蛍光体１１４は第３隔壁１０６及びホ
ワイトカラー絶縁層１０７上に形成されている。
上に形成される。多数の放電領域１１２は第１隔壁１０
５ａ、第２隔壁（図示しない）、及び第３隔壁１０６に
より定義され、第１及び第３隔壁１０５ａ，１０６はそ
れぞれ幅ＷH、ＷDを有する。ホワイトカラー絶縁層１０
７は、データ電極１０８を含む後面基板１１０上に形成
されている。又、蛍光体１１４は第３隔壁１０６及びホ
ワイトカラー絶縁層１０７上に形成されている。
【０００７】一方、米国特許第５、４１４、３２４号
は、図２に示すように、高圧グロー放電プラズマを発生
させるための別の構造を開示している。一対の正方形の
電極０は、平面寸法が２５cm×２５cmの銅の金属板から
なる。電極１０及び管１１を含む一体型の金属ユニット
は、高誘電性絶縁層１４で覆われている。この構造にお
いて、高誘電性絶縁層１４は、高電流アーク方式を放電
から保護するためのものである。
は、図２に示すように、高圧グロー放電プラズマを発生
させるための別の構造を開示している。一対の正方形の
電極０は、平面寸法が２５cm×２５cmの銅の金属板から
なる。電極１０及び管１１を含む一体型の金属ユニット
は、高誘電性絶縁層１４で覆われている。この構造にお
いて、高誘電性絶縁層１４は、高電流アーク方式を放電
から保護するためのものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高誘電
性絶縁層１４は、多量の電界を消耗する。さらに、電界
の相当部分が誘電性絶縁層１４を介して印加されるの
で、電界がＰＤＰ装置全体に効果的に印加されない。
性絶縁層１４は、多量の電界を消耗する。さらに、電界
の相当部分が誘電性絶縁層１４を介して印加されるの
で、電界がＰＤＰ装置全体に効果的に印加されない。
【０００９】本発明は、従来の技術の問題点を解決する
ためのプラズマディスプレイパネル装置及びその製造方
法に関するものであり、その目的は、ＡＣ又はＤＣ方式
で駆動されるＰＤＰにおいて高密度ＵＶ放出を提供する
ことにある。
ためのプラズマディスプレイパネル装置及びその製造方
法に関するものであり、その目的は、ＡＣ又はＤＣ方式
で駆動されるＰＤＰにおいて高密度ＵＶ放出を提供する
ことにある。
【００１０】又、本発明の別の目的は、駆動電圧を低減
し、かつ応答時間を短縮することにある。
し、かつ応答時間を短縮することにある。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【課題を解決するための手段】 上記の目的を達成するた
め 本発明のプラズマディスプレイパネル装置は、互いに
対向するように配置された第１及び第２基板と、第１基
板の第２基板に対する対向面に配置された第１電極と、
第１電極の第１基板に対する対向面に配置された第１誘
電層と、第１誘電層上に配置された第２電極と、第２電
極上に配置された第２誘電層と、第２基板上に配置され
た第３電極と、第３電極を含む第２基板上に配置された
ＵＶー可視光線変換層と、第１及び第２基板を連結する
一対の隔壁と、隔壁により定義される第１及び第２基板
間の第１放電領域と、前記第１誘電層内に形成された第
２の放電領域とを備え、前記第２誘電層及び第２電極に
は前記第１及び第２放電領域を連通する少なくとも一つ
の毛細管が形成されている。
め 本発明のプラズマディスプレイパネル装置は、互いに
対向するように配置された第１及び第２基板と、第１基
板の第２基板に対する対向面に配置された第１電極と、
第１電極の第１基板に対する対向面に配置された第１誘
電層と、第１誘電層上に配置された第２電極と、第２電
極上に配置された第２誘電層と、第２基板上に配置され
た第３電極と、第３電極を含む第２基板上に配置された
ＵＶー可視光線変換層と、第１及び第２基板を連結する
一対の隔壁と、隔壁により定義される第１及び第２基板
間の第１放電領域と、前記第１誘電層内に形成された第
２の放電領域とを備え、前記第２誘電層及び第２電極に
は前記第１及び第２放電領域を連通する少なくとも一つ
の毛細管が形成されている。
【００１４】又、本発明のプラズマディスプレイパネル
装置は、互いに対向するように配置された第１及び第２
基板と、第１基板の第２基板に対する対向面に配置され
た第１及び第２電極と、第１及び第２電極を含む第１基
板の対向面に配置された第１誘電層と、第１誘電層上に
配置された第３電極と、第２基板の第１基板に対する対
向面に配置された第４電極と、第４電極を含む第２基板
の対向面に配置されたＵＶー可視光線変換層と、第１及
び第２基板を連結する一対の隔壁と、隔壁により定義さ
れる第１及び第２基板の間の第１放電領域と、第１誘電
層内の第１及び第２電極間に形成された第２放電領域と
を備え、前記第１及び第２放電領域は前記第３電極と第
２誘電層内に形成された少なくとも一つの毛細管を通じ
て連通される。
装置は、互いに対向するように配置された第１及び第２
基板と、第１基板の第２基板に対する対向面に配置され
た第１及び第２電極と、第１及び第２電極を含む第１基
板の対向面に配置された第１誘電層と、第１誘電層上に
配置された第３電極と、第２基板の第１基板に対する対
向面に配置された第４電極と、第４電極を含む第２基板
の対向面に配置されたＵＶー可視光線変換層と、第１及
び第２基板を連結する一対の隔壁と、隔壁により定義さ
れる第１及び第２基板の間の第１放電領域と、第１誘電
層内の第１及び第２電極間に形成された第２放電領域と
を備え、前記第１及び第２放電領域は前記第３電極と第
２誘電層内に形成された少なくとも一つの毛細管を通じ
て連通される。
【００１５】又、本発明の第１及び第２基板を有するプ
ラズマディスプレイパネル装置を製造する方法は、第１
基板上に第１電極を形成する段階と、第１電極を含む第
１基板上に誘電層を形成する段階と、第１電極を露出さ
せるため誘電層に少なくとも一つの毛細管を形成する段
階とを備える。
ラズマディスプレイパネル装置を製造する方法は、第１
基板上に第１電極を形成する段階と、第１電極を含む第
１基板上に誘電層を形成する段階と、第１電極を露出さ
せるため誘電層に少なくとも一つの毛細管を形成する段
階とを備える。
【００１６】又、本発明の第１及び第２基板を有するプ
ラズマディスプレイパネル装置を製造する方法は、第１
基板上に第１電極を形成する段階と、第１電極を含む第
１基板上にＵＶー可視光線変換層を形成する段階と、第
１電極を露出させるためＵＶー可視光線変換層に少なく
とも一つの毛細管を形成する段階とを備える。
ラズマディスプレイパネル装置を製造する方法は、第１
基板上に第１電極を形成する段階と、第１電極を含む第
１基板上にＵＶー可視光線変換層を形成する段階と、第
１電極を露出させるためＵＶー可視光線変換層に少なく
とも一つの毛細管を形成する段階とを備える。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
添付の図面を参照して詳述する。まず、本発明の概略を
説明すると、毛細管プラズマ電極放電（Capillary Plas
ma Electrode Discharge;ＣＰＥＤ)ＰＤＰ装置は、電極
が高密度プラズマを生成する新規の形態のガス電気放電
を利用する。プラズマは、金属電極に対して垂直な軸に
沿って、且つその前方に位置する毛細管チューブで発生
する。プラズマ電極の直径は、並列に結合された毛細管
の数とその間隔によって決定される。毛細管の密度及び
直径は、放電の特徴の最適化のために変更可能である。
添付の図面を参照して詳述する。まず、本発明の概略を
説明すると、毛細管プラズマ電極放電（Capillary Plas
ma Electrode Discharge;ＣＰＥＤ)ＰＤＰ装置は、電極
が高密度プラズマを生成する新規の形態のガス電気放電
を利用する。プラズマは、金属電極に対して垂直な軸に
沿って、且つその前方に位置する毛細管チューブで発生
する。プラズマ電極の直径は、並列に結合された毛細管
の数とその間隔によって決定される。毛細管の密度及び
直径は、放電の特徴の最適化のために変更可能である。
【００１８】図３Ａ乃至図３Ｃは、従来のＡＣバリヤー
類型と本発明の毛細管電極放電の間のプラズマ放電の強
度の比較を示す。交流パルス及び単極性パルスは電極に
電源を供給するに利用される。図３Ｂ、３Ｃに示すよう
に、毛細管から発散するプラズマジェットははっきりと
視認されるし、その明るさは図３Ａよりずっと明るい。
従って、放電の強度は、同じ状況における従来のＡＣバ
リヤーの放電の強度よりはるかに大きい。
類型と本発明の毛細管電極放電の間のプラズマ放電の強
度の比較を示す。交流パルス及び単極性パルスは電極に
電源を供給するに利用される。図３Ｂ、３Ｃに示すよう
に、毛細管から発散するプラズマジェットははっきりと
視認されるし、その明るさは図３Ａよりずっと明るい。
従って、放電の強度は、同じ状況における従来のＡＣバ
リヤーの放電の強度よりはるかに大きい。
【００１９】本発明の毛細管放電のこのような特徴は、
図４Ａから図４Ｃに概略的に示されている。図４Ａは金
属電極から始まる高電界の放電を発生させる毛細管内の
電界を示す。毛細管の高密度プラズマは、毛細管の末端
から出て、主放電電極の役割をするギャップに入る。毛
細管内の電界はストリマ放電を形成した後に崩壊しな
い。これは、電流を維持するための、軸にかなりの生産
率（従って、高電界）を必要とする隔壁での高い電子ー
イオンの再結合のためである。毛細管プラズマと主放電
との界面には二重の層が存在する。毛細管チューブの長
さＬに対する毛細管直径ｄの比を選択することで、図４
Ｃに示すように、定常のプラズマ放電が維持できる。単
極性駆動が望ましい場合、陽極を覆う誘電層は必要な
い。
図４Ａから図４Ｃに概略的に示されている。図４Ａは金
属電極から始まる高電界の放電を発生させる毛細管内の
電界を示す。毛細管の高密度プラズマは、毛細管の末端
から出て、主放電電極の役割をするギャップに入る。毛
細管内の電界はストリマ放電を形成した後に崩壊しな
い。これは、電流を維持するための、軸にかなりの生産
率（従って、高電界）を必要とする隔壁での高い電子ー
イオンの再結合のためである。毛細管プラズマと主放電
との界面には二重の層が存在する。毛細管チューブの長
さＬに対する毛細管直径ｄの比を選択することで、図４
Ｃに示すように、定常のプラズマ放電が維持できる。単
極性駆動が望ましい場合、陽極を覆う誘電層は必要な
い。
【００２０】本発明の第１実施形態によるＰＤＰ装置を
図５を参照して説明する。図５Ａに示すように、ＰＤＰ
装置は、向き合って配置された前面ガラスパネル５０１
と後面ガラスパネル５０７とを含む。前面ガラスパネル
５０１（基板）の下面（後面ガラスパネル５０７との対
向面）に電極（第１電極）５０２が形成されている。電
極５０２を含む前面ガラスパネル５０１の下面に誘電層
５０３が形成されている。必要であれば、酸化マグネシ
ウム（ＭｇＯ）層が誘電層５０３の下面に形成されても
よい。後面ガラスパネル５０７上には対向電極（第２電
極）５０６が形成されている。この時、対向電極５０６
は、後面ガラスパネル５０７のほぼ中心に配置される。
一対の隔壁５０４により前面ガラスパネル５０１と後面
ガラスパネル５０７とは連結される。ＵＶー可視光線変
換層５０５、例えば蛍光層は、前面ガラスパネル５０１
と後面ガラスパネル５０７との間の対向電極５０６を覆
うように形成される。放電領域５０８は、前面ガラスパ
ネル５０１と後面ガラスパネル５０７との間で隔壁５０
４により定義される。一般に、放電領域５０８は、キセ
ノン（Ｘｅ）のような不活性気体混合物で満たされ、Ｕ
Ｖ放出を起こす。さらに、本実施形態において、誘電層
５０３はチャネル（毛細管）５０９を有しており、電極
５０２を放電領域５０８に露出させるので、放電領域５
０８で定常のＵＶ放出が得られる。図５Ｂに示したよう
に、チャネル５０９の横断面は円形又は多角形であり、
縦断面は直線形状又は折れ線形状である。チャネル５０
９の寸法は次の式で定義される。
図５を参照して説明する。図５Ａに示すように、ＰＤＰ
装置は、向き合って配置された前面ガラスパネル５０１
と後面ガラスパネル５０７とを含む。前面ガラスパネル
５０１（基板）の下面（後面ガラスパネル５０７との対
向面）に電極（第１電極）５０２が形成されている。電
極５０２を含む前面ガラスパネル５０１の下面に誘電層
５０３が形成されている。必要であれば、酸化マグネシ
ウム（ＭｇＯ）層が誘電層５０３の下面に形成されても
よい。後面ガラスパネル５０７上には対向電極（第２電
極）５０６が形成されている。この時、対向電極５０６
は、後面ガラスパネル５０７のほぼ中心に配置される。
一対の隔壁５０４により前面ガラスパネル５０１と後面
ガラスパネル５０７とは連結される。ＵＶー可視光線変
換層５０５、例えば蛍光層は、前面ガラスパネル５０１
と後面ガラスパネル５０７との間の対向電極５０６を覆
うように形成される。放電領域５０８は、前面ガラスパ
ネル５０１と後面ガラスパネル５０７との間で隔壁５０
４により定義される。一般に、放電領域５０８は、キセ
ノン（Ｘｅ）のような不活性気体混合物で満たされ、Ｕ
Ｖ放出を起こす。さらに、本実施形態において、誘電層
５０３はチャネル（毛細管）５０９を有しており、電極
５０２を放電領域５０８に露出させるので、放電領域５
０８で定常のＵＶ放出が得られる。図５Ｂに示したよう
に、チャネル５０９の横断面は円形又は多角形であり、
縦断面は直線形状又は折れ線形状である。チャネル５０
９の寸法は次の式で定義される。
【００２１】１/１００＜Ｄ/Ｌ＜１ ここで、Ｄはチャネル５０９の最大断面幅で、Ｌは誘電
層５０３の厚さである。
層５０３の厚さである。
【００２２】又は、チャネル５０９の寸法は電子平均自
由路以上に設定されている。図６は本発明の第２実施形
態によるＰＤＰ装置を示す断面図である。図６Ａに示す
ように、本発明の第２実施形態は、前面ガラスパネル６
０１、後面ガラスパネル６０９、および前面ガラスパネ
ル６０１下の第１及び第２電極６０２、６０３を含む。
透明誘電層６０４は、第１及び第２電極６０２、６０３
を含む前面ガラスパネル６０１の下面（後面ガラスパネ
ル６０９との対向面）に形成されている。本実施形態で
は、不必要時であっても酸化マグネシウム層６０５が透
明誘電層６０４上に形成されてもよい。一対の隔壁６０
６が、前面及び後面ガラスパネル６０１、６０９を連結
し、放電領域６１０を定義する。アドレス電極６０８は
後面ガラスパネル６０９のほぼ中心に位置する。さら
に、蛍光層のようなＵＶー可視光線変換層６０７はアド
レス電極６０８を含む後面ガラスパネル６０９上に形成
されている。本実施形態では、図４Ａ〜４Ｃについての
説明と同様に、透明誘電層６０４を通過する第１及び第
２チャネル６１１、６１２を形成して、定常ＵＶの放出
を供給するように第１及び第２電極６０２、６０３を露
出させる。チャネル６１１、６１２の寸法は第１実施形
態のものと同一である。図６Ｂに示すように、チャネル
６１１、６１２の横断面は円形又は多角形であり、縦断
面は直線形状又は折れ線形状である。放電領域６１０は
キセノン（Ｘｅ）のような不活性ガスで満たされてい
る。また、図６Ｂに示すように、各電極６０１、６０２
に複数のチャネル６１１，６１２，６１３が形成されて
もよい。
由路以上に設定されている。図６は本発明の第２実施形
態によるＰＤＰ装置を示す断面図である。図６Ａに示す
ように、本発明の第２実施形態は、前面ガラスパネル６
０１、後面ガラスパネル６０９、および前面ガラスパネ
ル６０１下の第１及び第２電極６０２、６０３を含む。
透明誘電層６０４は、第１及び第２電極６０２、６０３
を含む前面ガラスパネル６０１の下面（後面ガラスパネ
ル６０９との対向面）に形成されている。本実施形態で
は、不必要時であっても酸化マグネシウム層６０５が透
明誘電層６０４上に形成されてもよい。一対の隔壁６０
６が、前面及び後面ガラスパネル６０１、６０９を連結
し、放電領域６１０を定義する。アドレス電極６０８は
後面ガラスパネル６０９のほぼ中心に位置する。さら
に、蛍光層のようなＵＶー可視光線変換層６０７はアド
レス電極６０８を含む後面ガラスパネル６０９上に形成
されている。本実施形態では、図４Ａ〜４Ｃについての
説明と同様に、透明誘電層６０４を通過する第１及び第
２チャネル６１１、６１２を形成して、定常ＵＶの放出
を供給するように第１及び第２電極６０２、６０３を露
出させる。チャネル６１１、６１２の寸法は第１実施形
態のものと同一である。図６Ｂに示すように、チャネル
６１１、６１２の横断面は円形又は多角形であり、縦断
面は直線形状又は折れ線形状である。放電領域６１０は
キセノン（Ｘｅ）のような不活性ガスで満たされてい
る。また、図６Ｂに示すように、各電極６０１、６０２
に複数のチャネル６１１，６１２，６１３が形成されて
もよい。
【００２３】図７は本発明の第３実施形態によるＰＤＰ
装置の断面を示す。本実施形態は、対向する前面及び後
面ガラスパネル（基板）７０１、７０２、そして、前面
ガラスパネル７０１の下面（後面ガラスパネル７０２と
の対向面）の酸化インジウム（indium tin oxide, ＩＴ
Ｏ）錫層のような透明電極７０３を含む。透明電極７０
３はＤＣ駆動において陽極として機能する。伝導性電極
７０４は、後面ガラスパネル７０２上に形成され、ＤＣ
駆動において陰極として機能する。蛍光層のようなＵＶ
ー可視光線変換層７０５が、伝導性電極７０４を含む後
面ガラスパネル７０２上に形成されている。ＵＶー可視
光線変換層７０５は、１０〜５０μｍ範囲の厚さを有す
る。一対の隔壁７０７は前面及び後面ガラスパネル７０
１、７０２を連結し、放電領域７０８を定義する。
装置の断面を示す。本実施形態は、対向する前面及び後
面ガラスパネル（基板）７０１、７０２、そして、前面
ガラスパネル７０１の下面（後面ガラスパネル７０２と
の対向面）の酸化インジウム（indium tin oxide, ＩＴ
Ｏ）錫層のような透明電極７０３を含む。透明電極７０
３はＤＣ駆動において陽極として機能する。伝導性電極
７０４は、後面ガラスパネル７０２上に形成され、ＤＣ
駆動において陰極として機能する。蛍光層のようなＵＶ
ー可視光線変換層７０５が、伝導性電極７０４を含む後
面ガラスパネル７０２上に形成されている。ＵＶー可視
光線変換層７０５は、１０〜５０μｍ範囲の厚さを有す
る。一対の隔壁７０７は前面及び後面ガラスパネル７０
１、７０２を連結し、放電領域７０８を定義する。
【００２４】本実施形態において、多数のチャネル７０
６（毛細管）がＵＶー可視光線変換層７０５を通過する
ように形成され、これらチャネル７０６を通じて伝導性
電極７０４が放電領域７０８に露出される。ＵＶー可視
光線変換層７０５内のチャネル７０６の数は望ましくは
１〜１００の範囲である。第１及び第２実施形態と同様
に、チャネル７０６の横断面は円形又は多角形であり、
縦断面は直線形状又は折れ線形であってもよい。各チャ
ネル７０６の寸法は次の式のように定義できる。
６（毛細管）がＵＶー可視光線変換層７０５を通過する
ように形成され、これらチャネル７０６を通じて伝導性
電極７０４が放電領域７０８に露出される。ＵＶー可視
光線変換層７０５内のチャネル７０６の数は望ましくは
１〜１００の範囲である。第１及び第２実施形態と同様
に、チャネル７０６の横断面は円形又は多角形であり、
縦断面は直線形状又は折れ線形であってもよい。各チャ
ネル７０６の寸法は次の式のように定義できる。
【００２５】１/１００＜Ｄ/Ｌ＜１ ここで、Ｄはチャネル７０６の最大断面幅であり、Ｌは
ＵＶー可視光線変換層７０５の厚さである。
ＵＶー可視光線変換層７０５の厚さである。
【００２６】図８は本発明の第４実施形態であって、Ｐ
ＤＰ装置の応答時間を遥かに短くする。図８Ａに示すよ
うに、本実施形態は、対向する前面及び後面ガラスパネ
ル（基板）８０１、８０２を含む。第１電極８０３が前
面ガラスパネル８０１の下面（後面ガラスパネル８０２
との対向面）に形成されている。第１誘電層８０４は、
第１電極８０３を含む前面ガラスパネル８０１の下面に
形成されている。第１放電領域８０５は第１誘電層８０
４内に定義されている。第２電極８０６は第１放電領域
８０５を含む第１誘電層８０４下に形成されている。さ
らに、第２誘電層８０７は第２電極８０６下に形成され
ている。一対の隔壁８０９は、前面及び後面ガラスパネ
ル８０１、８０２を連結し、第２放電領域８１２を定義
する。或いは、図８Ｂに示すように、第１放電領域８０
５が第２誘電層８０７内に形成されてもよい。第３電極
８１０は後面ガラスパネル８０２のほぼ中心に配置され
る。蛍光層のようなＵＶー可視光線変更線８１１は、第
３電極８１０を含む後面ガラスパネル８０２上に形成さ
れている。第２誘電層８０７と第２電極８０６とを通過
するチャネル（毛細管）８０８を形成して、第１及び第
２放電領域８０５、８１２を連結する。本実施形態で、
第１放電領域８０５はパイロット放電を提供するので、
定常のＵＶ放出でターンオン時間が短縮する。チャネル
８０８の断面形状は、第１〜第４の実施形態と同様な大
きさ及び形状を有する。チャネル８０８を通じて連結さ
れた第１及び第２放電領域８０５，８１２はキセノン
（Ｘｅ）のような不活性ガスで満たされる。
ＤＰ装置の応答時間を遥かに短くする。図８Ａに示すよ
うに、本実施形態は、対向する前面及び後面ガラスパネ
ル（基板）８０１、８０２を含む。第１電極８０３が前
面ガラスパネル８０１の下面（後面ガラスパネル８０２
との対向面）に形成されている。第１誘電層８０４は、
第１電極８０３を含む前面ガラスパネル８０１の下面に
形成されている。第１放電領域８０５は第１誘電層８０
４内に定義されている。第２電極８０６は第１放電領域
８０５を含む第１誘電層８０４下に形成されている。さ
らに、第２誘電層８０７は第２電極８０６下に形成され
ている。一対の隔壁８０９は、前面及び後面ガラスパネ
ル８０１、８０２を連結し、第２放電領域８１２を定義
する。或いは、図８Ｂに示すように、第１放電領域８０
５が第２誘電層８０７内に形成されてもよい。第３電極
８１０は後面ガラスパネル８０２のほぼ中心に配置され
る。蛍光層のようなＵＶー可視光線変更線８１１は、第
３電極８１０を含む後面ガラスパネル８０２上に形成さ
れている。第２誘電層８０７と第２電極８０６とを通過
するチャネル（毛細管）８０８を形成して、第１及び第
２放電領域８０５、８１２を連結する。本実施形態で、
第１放電領域８０５はパイロット放電を提供するので、
定常のＵＶ放出でターンオン時間が短縮する。チャネル
８０８の断面形状は、第１〜第４の実施形態と同様な大
きさ及び形状を有する。チャネル８０８を通じて連結さ
れた第１及び第２放電領域８０５，８１２はキセノン
（Ｘｅ）のような不活性ガスで満たされる。
【００２７】図９は、本発明の第５実施形態のＰＤＰ装
置であって、ターンオン時間を短縮する別の構造を示
す。本実施形態によるＰＤＰ装置は、前面及び後面ガラ
スパネル（基板）８０１、８０２と、前面ガラスパネル
８０１の下面（後面ガラスパネル８０２との対向面）の
第１及び第２電極８０３ａ、８０３ｂと、第１及び第２
電極８０３ａ、８０３ｂを含む前面ガラスパネル８０１
の下面の第１誘電層８０４とを含む。第１放電領域８０
５は第１誘電層８０４内に形成され、パイロット放電を
提供するので、主放電でのターンオン時間が短縮され
る。本実施形態によるＰＤＰ装置は、第１放電領域８０
５を含む第１誘電層８０４下の第３電極８０６と、第３
電極８０６下上の第２誘電層８０７とをさらに含む。第
２誘電層８０７と第３電極８０６を通過する多数のチャ
ネル８０８を第１放電領域８０５と連結するので、チャ
ネルはＰＤＰ装置で定常のＵＶ放出を提供する。一対の
隔壁８０９は、前面及び後面ガラスパネル８０１、８０
２を連結し、第２放電領域８１２を定義する。第４電極
８１０は後面ガラスパネル８０２上に形成されている。
ＵＶー可視光線変化層８１１は第４電極８１０を含む後
面ガラスパネル８０２上に形成されている。
置であって、ターンオン時間を短縮する別の構造を示
す。本実施形態によるＰＤＰ装置は、前面及び後面ガラ
スパネル（基板）８０１、８０２と、前面ガラスパネル
８０１の下面（後面ガラスパネル８０２との対向面）の
第１及び第２電極８０３ａ、８０３ｂと、第１及び第２
電極８０３ａ、８０３ｂを含む前面ガラスパネル８０１
の下面の第１誘電層８０４とを含む。第１放電領域８０
５は第１誘電層８０４内に形成され、パイロット放電を
提供するので、主放電でのターンオン時間が短縮され
る。本実施形態によるＰＤＰ装置は、第１放電領域８０
５を含む第１誘電層８０４下の第３電極８０６と、第３
電極８０６下上の第２誘電層８０７とをさらに含む。第
２誘電層８０７と第３電極８０６を通過する多数のチャ
ネル８０８を第１放電領域８０５と連結するので、チャ
ネルはＰＤＰ装置で定常のＵＶ放出を提供する。一対の
隔壁８０９は、前面及び後面ガラスパネル８０１、８０
２を連結し、第２放電領域８１２を定義する。第４電極
８１０は後面ガラスパネル８０２上に形成されている。
ＵＶー可視光線変化層８１１は第４電極８１０を含む後
面ガラスパネル８０２上に形成されている。
【００２８】本発明によるプラズマディスプレイパネル
装置の製造方法は次のようである。例えば、プラズマデ
ィスプレイパネル装置を製造する一方法を図５Ａを参照
して説明する。まず、第１電極５０２が前面ガラスパネ
ル（基板）５０１の下面（後面ガラスパネル５０７との
対向面）に形成される。次に、誘電層５０３が第１電極
５０２を含む前面ガラスパネル５０１の下面に形成され
る。誘電層５０３内に少なくとも一つのチャネル５０９
が形成され、これにより第１電極５０２が放電領域５０
８に露出される。この工程において、チャネル（毛細
管）５０９はレーザー加工、湿式食刻、及び乾式食刻の
うち一つの方法で形成される。
装置の製造方法は次のようである。例えば、プラズマデ
ィスプレイパネル装置を製造する一方法を図５Ａを参照
して説明する。まず、第１電極５０２が前面ガラスパネ
ル（基板）５０１の下面（後面ガラスパネル５０７との
対向面）に形成される。次に、誘電層５０３が第１電極
５０２を含む前面ガラスパネル５０１の下面に形成され
る。誘電層５０３内に少なくとも一つのチャネル５０９
が形成され、これにより第１電極５０２が放電領域５０
８に露出される。この工程において、チャネル（毛細
管）５０９はレーザー加工、湿式食刻、及び乾式食刻の
うち一つの方法で形成される。
【００２９】図７を参照してプラズマディスプレイパネ
ル装置の別の製造方法を説明すると、まず伝導性電極
（第１電極）７０４が後面ガラスパネル（基板）７０２
上に形成される。伝導性電極７０４は金属電極で形成さ
れる。次に、ＵＶ−可視光線変換層７０５、例えば蛍光
層が、伝導性電極７０４を含む第１基板７０２上に形成
される。それから、少なくとも一つのチャネル７０６が
ＵＶー可視光線変換層７０５内に形成され、これにより
チャネル７０６を通じて伝導性電極７０４が放電領域７
０８に露出される。同様に、ＵＶー可視光線変換層７０
５内のチャネル７０６はレーザー加工、湿式食刻、及び
乾式食刻のうち一つの方法で形成される。
ル装置の別の製造方法を説明すると、まず伝導性電極
（第１電極）７０４が後面ガラスパネル（基板）７０２
上に形成される。伝導性電極７０４は金属電極で形成さ
れる。次に、ＵＶ−可視光線変換層７０５、例えば蛍光
層が、伝導性電極７０４を含む第１基板７０２上に形成
される。それから、少なくとも一つのチャネル７０６が
ＵＶー可視光線変換層７０５内に形成され、これにより
チャネル７０６を通じて伝導性電極７０４が放電領域７
０８に露出される。同様に、ＵＶー可視光線変換層７０
５内のチャネル７０６はレーザー加工、湿式食刻、及び
乾式食刻のうち一つの方法で形成される。
【００３０】以上説明したように、上記各ＰＤＰ装置及
びその製造方法は次のような効果を奏する。毛細管の電
界が崩壊されないため、高い電界の放電が毛細管内に維
持される。結果的に、本発明のＣＰＥＤプラズマディス
プレイパネル装置により遥かに強化された輝度が得られ
る。
びその製造方法は次のような効果を奏する。毛細管の電
界が崩壊されないため、高い電界の放電が毛細管内に維
持される。結果的に、本発明のＣＰＥＤプラズマディス
プレイパネル装置により遥かに強化された輝度が得られ
る。
【００３１】上記実施形態のＰＤＰ装置は、広く応用可
能であり、高密度紫外線（ＵＶ）放出を起こすのに特に
適しており、駆動電圧及びターンオン時間を大幅に低減
することができる。詳しくは、ＰＤＰは、ＡＣ又はＤＣ
方式で作動し、放電作動電圧は２００Ｖ未満に低減され
ている。これは、チャネル内の電子雪崩を発生させるサ
イクルの初期位相で誘電層を横切る大きな電界を利用す
ることにより降伏電圧を低下させているためである。
又、誘電体埋込電極が不要であるため、従来のＰＤＰ構
造に比べ構造を大幅に簡略化することができる。
能であり、高密度紫外線（ＵＶ）放出を起こすのに特に
適しており、駆動電圧及びターンオン時間を大幅に低減
することができる。詳しくは、ＰＤＰは、ＡＣ又はＤＣ
方式で作動し、放電作動電圧は２００Ｖ未満に低減され
ている。これは、チャネル内の電子雪崩を発生させるサ
イクルの初期位相で誘電層を横切る大きな電界を利用す
ることにより降伏電圧を低下させているためである。
又、誘電体埋込電極が不要であるため、従来のＰＤＰ構
造に比べ構造を大幅に簡略化することができる。
【００３２】また、酸化マグネシウム層又は電流制限抵
抗器が不要であるため、装置の寿命を向上させることが
できる。さらに、従来のＡＣで駆動されるＰＤＰとは異
なり、応答時間から誘電体充電時間が排除されるので応
答時間が非常に短くなる。従って、簡単な構造及び定常
のＵＶ放出の発生により一層良好な効率を有する。その
結果、ＰＤＰ装置の製造費用を低減することができる。
抗器が不要であるため、装置の寿命を向上させることが
できる。さらに、従来のＡＣで駆動されるＰＤＰとは異
なり、応答時間から誘電体充電時間が排除されるので応
答時間が非常に短くなる。従って、簡単な構造及び定常
のＵＶ放出の発生により一層良好な効率を有する。その
結果、ＰＤＰ装置の製造費用を低減することができる。
【００３３】本発明の精神や領域から逸脱しない範囲内
で、上記実施形態には多様な改良且つ変更が可能であ
る。従って、添付した請求範囲内における改良且つ変更
が本発明に含まれるということは言うまでもない。
で、上記実施形態には多様な改良且つ変更が可能であ
る。従って、添付した請求範囲内における改良且つ変更
が本発明に含まれるということは言うまでもない。
【００３４】
【発明の効果】上述した本発明のプラズマディスプレイ
パネル装置及びその製造方法は次のような効果を奏す
る。毛細管の電界が崩壊されないため、高い電界の放電
が毛細管内に維持される。結果的に、本発明のＣＰＥＤ
プラズマディスプレイパネル装置は高い輝度を有する。
また、本発明は、ＡＣ又はＤＣ方式で作動し広く応用可
能である。高密度紫外線（ＵＶ）放出を起こすのに特に
適し、駆動電圧を低減し、かつ応答時間を大幅に短縮す
ることができる。
パネル装置及びその製造方法は次のような効果を奏す
る。毛細管の電界が崩壊されないため、高い電界の放電
が毛細管内に維持される。結果的に、本発明のＣＰＥＤ
プラズマディスプレイパネル装置は高い輝度を有する。
また、本発明は、ＡＣ又はＤＣ方式で作動し広く応用可
能である。高密度紫外線（ＵＶ）放出を起こすのに特に
適し、駆動電圧を低減し、かつ応答時間を大幅に短縮す
ることができる。
【図１】 従来のプラズマディスプレイパネル装置の概
略図である。
略図である。
【図２】 別の従来のプラズマディスプレイパネル装置
の概略図である。
の概略図である。
【図３】 従来のＰＤＰ装置及び本発明によってＡＣ駆
動されるＰＤＰのプラズマ放電を示す写真である。
動されるＰＤＰのプラズマ放電を示す写真である。
【図４】 本発明によるプラズマ放電の展開を示す概略
図である。
図である。
【図５】 本発明の第１実施形態によるプラズマディス
プレイパネル装置の横及び縦断面図である。
プレイパネル装置の横及び縦断面図である。
【図６】 本発明の第２実施形態によるプラズマディス
プレイパネル装置の横及び縦断面図である。
プレイパネル装置の横及び縦断面図である。
【図７】 本発明の第３実施形態によるプラズマディス
プレイパネル装置の断面図である。
プレイパネル装置の断面図である。
【図８】 本発明の第４実施形態によるプラズマディス
プレイパネル装置の断面図である。
プレイパネル装置の断面図である。
【図９】 本発明の第５実施形態によるプラズマディス
プレイパネル装置の断面図である。
プレイパネル装置の断面図である。
５０１：基板としての前面ガラスパネル ５０２：
電極 ５０３：誘電層 ５０４：
隔壁 ５０５：ＵＶー可視光線変換層 ５０６：
対向電極 ５０７：基板としての後面ガラスパネル ５０８：
放電領域 ５０９：毛細管としてのチャネル
電極 ５０３：誘電層 ５０４：
隔壁 ５０５：ＵＶー可視光線変換層 ５０６：
対向電極 ５０７：基板としての後面ガラスパネル ５０８：
放電領域 ５０９：毛細管としてのチャネル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 キム、ソン アイ. アメリカ合衆国 07647 ニュージャー ジー州 ノースベイル アンドレ アベ ニュー 438 (56)参考文献 特開 昭50−159246（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−176699（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−65180（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−142964（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−136172（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−90899（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−85371（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 11/00 - 11/02 H01J 17/49 H01J 9/02 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (5)
- 【請求項１】 互いに対向するように配置された第１及
び第２基板と、 前記第１基板の第２基板に対する対向面に配置された第
１電極と、 前記第１電極の第１基板に対する対向面に配置された第
１誘電層と、 前記第１誘電層上に配置された第２電極と、 前記第２電極上に配置された第２誘電層と、 前記第２基板上に配置された第３電極と、 前記第３電極を含む前記第２基板上に配置されたＵＶー
可視光線変換層と、 前記第１及び第２基板を連結する一対の隔壁と、 前記隔壁により定義される前記第１及び第２基板間の第
１放電領域と、 前記第１誘電層内に形成された第２の放電領域と を備
え、前記第２誘電層及び第２電極には前記第１及び第２
放電領域を連通する少なくとも一つの毛細管が形成され
ていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル装
置。 - 【請求項２】 互いに対向するように配置された第１及
び第２基板と、 前記第１基板の第２基板に対する対向面に配置された第
１及び第２電極と、 前記第１及び第２電極を含む前記第１基板の対向面に配
置された第１誘電層と、 前記第１誘電層上に配置された第３電極と、 前記第２基板の第１基板に対する対向面に配置された第
４電極と、 前記第４電極を含む前記第２基板の対向面に配置された
ＵＶー可視光線変換層と、 前記第１及び第２基板を連結する一対の隔壁と、 前記隔壁により定義される前記第１及び第２基板の間の
第１放電領域と、 前記第１誘電層内の前記第１及び第２電極間に形成され
た第２放電領域とを備え、前記第１及び第２放電領域は
前記第３電極と第２誘電層内に形成された少なくとも一
つの毛細管を通じて連通されることを特徴とするプラズ
マディスプレイパネル装置。 - 【請求項３】 前記毛細管は横断面形状が円形又は多角
形であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラ
ズマディスプレイパネル装置。 - 【請求項４】 前記毛細管は縦断面形状が直線形状又は
折れ線形状であることを特徴とする請求項１又は２に記
載のプラズマディスプレイパネル装置。 - 【請求項５】 前記ＵＶー可視光線変換層は蛍光層を含
むことを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマデ
ィスプレイパネル装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/108,403 US6255777B1 (en) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | Capillary electrode discharge plasma display panel device and method of fabricating the same |
| US09/108403 | 1998-07-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021319A JP2000021319A (ja) | 2000-01-21 |
| JP3107795B2 true JP3107795B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=22321991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11132650A Expired - Fee Related JP3107795B2 (ja) | 1998-07-01 | 1999-05-13 | 毛細管電極放電プラズマディスプレイパネル装置及びその製造方法。 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1099234A1 (ja) |
| JP (1) | JP3107795B2 (ja) |
| KR (1) | KR100347791B1 (ja) |
| CN (1) | CN1155043C (ja) |
| CA (1) | CA2336614A1 (ja) |
| WO (1) | WO2000002225A1 (ja) |
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| KR100341313B1 (ko) * | 1998-11-16 | 2002-06-21 | 구자홍 | 플라즈마 디스플레이 패널과 구동장치 및 방법 |
| KR100322071B1 (ko) * | 1999-03-31 | 2002-02-04 | 김순택 | 플라즈마 표시장치 및 그의 전계집중부를 가진 유전체층 제조방법 |
| US7595774B1 (en) | 1999-04-26 | 2009-09-29 | Imaging Systems Technology | Simultaneous address and sustain of plasma-shell display |
| US7619591B1 (en) | 1999-04-26 | 2009-11-17 | Imaging Systems Technology | Addressing and sustaining of plasma display with plasma-shells |
| US7094322B1 (en) | 1999-12-15 | 2006-08-22 | Plasmasol Corporation Wall Township | Use of self-sustained atmospheric pressure plasma for the scattering and absorption of electromagnetic radiation |
| US7029636B2 (en) * | 1999-12-15 | 2006-04-18 | Plasmasol Corporation | Electrode discharge, non-thermal plasma device (reactor) for the pre-treatment of combustion air |
| US6923890B2 (en) * | 1999-12-15 | 2005-08-02 | Plasmasol Corporation | Chemical processing using non-thermal discharge plasma |
| KR20030031879A (ko) * | 1999-12-15 | 2003-04-23 | 스티븐스 인스티튜트 오프 테크놀로지 | 구획된 전극 모세관 방전, 비열 플라스마 장치 및화학반응 촉진 방법 |
| US6955794B2 (en) | 1999-12-15 | 2005-10-18 | Plasmasol Corporation | Slot discharge non-thermal plasma apparatus and process for promoting chemical reaction |
| US7192553B2 (en) * | 1999-12-15 | 2007-03-20 | Plasmasol Corporation | In situ sterilization and decontamination system using a non-thermal plasma discharge |
| US7923930B1 (en) | 2000-01-12 | 2011-04-12 | Imaging Systems Technology | Plasma-shell device |
| US7969092B1 (en) | 2000-01-12 | 2011-06-28 | Imaging Systems Technology, Inc. | Gas discharge display |
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