KR20000006271A - 확산반사판및그제조방법과반사형표시장치 - Google Patents

확산반사판및그제조방법과반사형표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000006271A
KR20000006271A KR1019990022834A KR19990022834A KR20000006271A KR 20000006271 A KR20000006271 A KR 20000006271A KR 1019990022834 A KR1019990022834 A KR 1019990022834A KR 19990022834 A KR19990022834 A KR 19990022834A KR 20000006271 A KR20000006271 A KR 20000006271A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin film
layer
substrate
display device
gap
Prior art date
Application number
KR1019990022834A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100775685B1 (ko
Inventor
후지오까다까유끼
가따오까히데오
우라베데쯔오
Original Assignee
이데이 노부유끼
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이데이 노부유끼, 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 이데이 노부유끼
Publication of KR20000006271A publication Critical patent/KR20000006271A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100775685B1 publication Critical patent/KR100775685B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/021—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures
    • G02B5/0221—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures the surface having an irregular structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0268—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the fabrication or manufacturing method
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0273—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
    • G02B5/0284—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use used in reflection
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/13356—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors characterised by the placement of the optical elements
    • G02F1/133565—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors characterised by the placement of the optical elements inside the LC elements, i.e. between the cell substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

광에 대한 고확산 효율과 우수한 반사 특성을 보장하는 확산 반사판 제조 방법을 제공한다.
일단, 감광성을 갖는 수지막을 기판(2) 상에 형성한다. 다음, 수지막을 포토리소그래피로 패터닝함으로써 상호 분리된 기둥 형상체 집합을 제공한다. 이어서, 기둥 형상체 각각을 열처리에 의해 완만하게 변형시킴으로써 최대 경사각이 12。 미만인 요철층을 형성한다. 또한, 완만하게 변형된 요철층을 수지로 코팅하여 이산적으로 배열된 기둥 형상체들 사이에 있는 평탄한 틈(flat openings)을 매립함으로써 경사각을 완화시킨다. 최종적으로, 완만하게 변형된 요철층 위에 금속막(13)이 형성된다.

Description

확산 반사판 및 그 제조 방법과 반사형 표시 장치{DIFFUSING REFLECTOR AND MANUFACTURE OF THE SAME AND REFLECTION TYPE DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 확산 반사판(diffusing reflector) 및 그 제조 방법과, 이러한 확산 반사판을 사용하는 반사형 표시 장치에 관한 것이다.
전기 광학층(electro-optical layer)으로서 액정을 사용하는 표시 장치는 경량 박형 구조로 특징지어지는 플랫 패널 형상으로 형성되어 저전력 소비를 보장한다. 따라서, 이러한 표시 장치는 휴대용 기기의 표시 등과 같이 광범위한 분야의 애플리케이션에 개발되어 왔다. 액정 등의 전기 광학 물질은 자발광형(self light generating type)은 아니지만 외광을 선택적으로 투과(transmitting) 또는 차단(shielding)시킴으로써 화상을 표시한다. 이러한 수동형 표시 장치는 조명 방식(lighting system)에 따라 투과형과 반사형으로 분류될 수 있다.
투과형 표시 장치에서, 예를 들어, 투명한 한쌍의 기판 사이의 전기 광학층으로서 액정을 유지하는 패널이 제조되고, 패널의 배면에 조명용의 광원(백 라이트)이 배치되며, 화상은 패널의 정면으로부터 관찰될 수 있다. 이러한 투과형의 경우, 백 라이트는 필수적이고 예를 들어 형광 램프(fluorescent lamp)가 광원으로서 사용된다.
표시 장치 전체를 본 경우, 백 라이트가 대부분의 전력을 소비하기 때문에, 휴대용 기기의 표시기로서는 적합하지 않다. 한편, 반사형의 경우, 반사판은 패널의 배면에 배치하는 한편, 자연광 등의 외광은 정면측으로 입사되고 화상 또한 그의 반사광을 이용함으로써 정면으로부터 관찰될 수 있다. 반사형 표시 장치는 투과형과는 달리 배면 조광용 광이 사용되지 않기 때문에, 투과형에 비해 소비 전력량이 적고 따라서 휴대용 기기의 표시기에 적합하다.
반사형 표시 장치에서, 주변 환경으로부터의 입사광을 사용함으로써 표시가 이루어지며, 입사광을 효율적으로 사용하므로써 휘도(brightness)의 향상을 지향하는 것이 필수적이다. 또한, 소위 페이퍼 화이트(paper white)라는 백색 표시(white display)를 실현하기 위해 기본적으로 패널내에서의 입사광을 확산 반사시킬 필요가 있다. 따라서, 종래의 반사형 표시 장치는 패널 내에 확산 반사층을 내장하고 있는 경우가 많다. 이러한 확산 반사층은 표면 내에 미세한 요철이 있고 또한 페이퍼 화이트의 외관을 가능한 한 보여주도록 완전 확산에 가까운 특성을 갖는다. 그러나, 이러한 반사 특성이 실용적으로 사용되기에 충분한지 결정짓기는 어려우며, 종래 기술의 반사형 표시 장치의 문제를 고려해보면 반사 특성을 향상시킨다는 관점에서 설계 및 공정 단계에서 요철 상태를 향상시켜야 하는 문제가 있었다.
본 발명은 종래 기술의 문제점들을 해결하고 다음의 목적을 달성하기 위해 제공된다. 즉, 본 발명에 따르면, 다음의 공정에 의해 확산 반사판을 제조할 수 있다.
제1 공정에서, 감광성을 갖는 수지막을 기판 상에 형성한다. 다음 공정에서, 포토리소그래피에 의해 수지막을 패터닝하여 상호 분리된 기둥 형상체 집합(a gathering of a pillar-shaped bodies)을 제공한다. 이어서, 다음 공정에서, 기둥 형상체 각각을 완만하게 변형시키도록 열처리를 행하여 최대 경사각이 12。 미만인 요철면을 갖는 층을 형성하게 된다. 최종 공정에서, 완만하게 변형된 요철층 상에 금속막이 형성된다. 바람직하게는, 완만하게 변형된 요철층을 수지로 피복시켜 상호 분리된 각 기둥 형상체 사이에 있는 평탄한 틈을 매립시킴으로써 최대 경사각을 완화시키는 공정을 포함한다. 바람직하게는, 각 기둥 형상체는 대략 220 ℃에서 열처리를 실시함으로써 완만하게 변형된다. 바람직하게는, 수지막은 포토리소그래피를 통한 패터닝에 의해 분할되므로써 상호 분할된 다각형의 기둥 형상체의 집합으로 제공된다. 또한, 바람직하게는 수지막이 상기 패터닝에 의해 분할되므로써 다각형의 기둥 형상체 간 갭의 크기가 포토리소그래피의 최소 분해능과 거의 같아지게 된다.
본 발명은 확산 반사판 구조 자체를 포함한다. 즉, 본 발명의 확산판은 퇴적 영역을 형성하는 수지막과 이러한 퇴적 영역의 표면 상에 형성된 금속막으로 구성된다. 즉, 본 발명은 기둥 형상체들 사이에 미리 틈을 남겨둔 채 상호 패터닝된 기둥 형상체들의 집합으로 이루어진 수지막을 리플로우시킴으로써, 최대 경사각이 12。 미만으로 제어되는 퇴적 영역이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 방법에 의해 제조되는 확산 반사판은 확산형 표시 장치 내에 포함될 수 있다. 이러한 경우, 기본 구조로서, 입사측에 배치된 제1 투명 기판과, 소정 갭을 통해 상기 제1 기판과 결합하고 대향측에 배치되는 제2 기판, 갭 내에서 상기 제1 기판측에 위치하는 전기 광학층, 갭 내에서 상기 제2 기판측에 위치된 확산 반사층 및 상기 제1 및 제2 기판 사이의 적어도 하나의 기판측에 형성된 전기 광학층에 전압을 인가하기 위한 전극을 갖는 구조로 제공된다. 확산 반사층은 퇴적 영역을 형성하는 수지막과 이 퇴적 영역 상에 형성된 금속막으로 구성된다. 이러한 반사형 표시 장치의 특성으로서, 최대 경사각이 12。 미만으로 제어되는 퇴적 영역은 기둥 형상체들 간에 소정 갭을 유지한 채 패터닝을 통해 분할된 기둥 형상체 집합으로 이루어지는 수지막을 리플로우시킴으로써 형성된다.
바람직하게는, 완만한 퇴적 영역은 기둥 형상체 집합으로 구성된 수지막을 리플로우시킴으로써 형성하고, 다른 수지막에 의해 틈을 매립하게 된다. 바람직하게는, 기둥 형상체 집합으로 구성된 수지막을 리플로우시킨 다음 남겨진 틈은 다른 수지막으로 매립되어 완만한 기복을 갖는 요철면을 형성하게 된다. 이러한 구조를 갖는 반사형 표시 장치의 바람직한 실시예에서, 편광판이 제1 기판측에 배치되고전압 인가 조건에 따라 (1/4) 파장판으로서 기능하는 액정층은 전기 광학층으로서 사용된다. 이러한 경우, (1/4) 파장판은 편광판과 액정층 사이에 배치되고, 액정층은 정(positive)의 유전체 이방성(dielectric anisotropy) 및 트위스트된 배향을 갖는 네마틱 액정층으로 구성된다. 이러한 액정층은 전압이 인가되지 않을 경우 (1/4) 파장판으로서 기능하고, 전압이 인가될 경우 (1/4) 파장판의 기능을 상실한다.
본 발명에 따르면, 확산 반사판의 반사 특성을 향상시킨다는 관점에서, 요철면을 갖는 층의 입사각이 최적화된다. 즉, 확산 반사판의 반사 특성은 최대 경사각을 12。 미만으로 제어함으로써 향상될 수 있다. 일반적으로, 최대 경사각이 커지게 되면, 반사광 빔의 각도 분포가 넓어진다. 최대 경사각이 12。 미만이고 특히 10。에 근접하면, 대각선으로 입사한 외광이 장치의 정면에 위치하는 관찰자측으로 반사되는 성분이 증가된다. 따라서, 밝은 화상이 얻어질 수 있음이 증명된다. 최대 경사각이 12。 이상이 되면, 패널 내에서 전반사되는 반사광의 성분은 증가한다. 따라서, 이러한 최대 경사각은 바람직하지 않다.
도 1a 내지 1e는 본 발명의 확산 반사판의 제조 방법을 설명하는 공정도.
도 2는 확산 반사판 상에 형성된 기둥 형상체의 집합의 패턴을 도시하는 평면도.
도 3은 도 2에 도시된 패턴 설계 방법을 도시하는 개략도.
도 4는 본 발명의 방법에 의해 제조된 확산 반사판의 요철층의 경사각 분포를 도시하는 그래프.
도 5는 본 발명에 의해 제조된 확산 반사판의 반사 특성을 시뮬레이션한 측정 시스템을 도시하는 개략도.
도 6은 본 발명의 확산 반사판의 시뮬레이션에 사용된 정현파형을 도시하는 그래프.
도 7은 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프.
도 8은 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프.
도 9는 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프.
도 10은 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프.
도 11은 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프.
도 12는 본 발명에 의해 제조된 확산 반사판를 포함하는 반사형 표시 장치의 바람직한 실시예를 도시하는 개략적 부분 단면도.
도 13은 도 12에 도시된 반사형 표시 장치의 동작을 설명하는 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
2 : 기판
10 : 확산 반사층
11 : 수지막
12 : 수지
13 : 금속막
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다.
도 1a 내지 1e는 본 발명의 확산 반사판의 제조 공정을 설명하는 흐름도이다. 도 1a에서 도시된 바와 같이, 예를 들어, 유리 재료 등으로 구성된 기판(2)를 준비한다. 다음, 도 1b에서 도시된 바와 같이, 감광성을 갖는 수지막(11)을기판(2) 상에 형성한다. 수지막(11)으로서 예를 들어 포토레지스트를 사용할 수 있다. 본 실시예에서, 스핀 코팅법(spin coating method)에 의해 포토레지스트를 코팅함으로써 대략 1.0 ㎛의 두께의 막이 형성된다. 다음, 공정(1c)에서 포토리소그래피에 의해 수지막(11)을 패터닝함으로써 상호 분리된 기둥 형상체 집합을 제공한다. 포토리소그래피법에서, 자외선을 조사함으로써 노광 공정(exposing process)을 수행한 다음 현상 공정을 수행한다. 자외선의 조사 에너지 범위는 150 mJ 내지 250 mJ가 적절하다. 조사 에너지가 150 mJ 미만이면 에너지는 너무 낮고, 조사 에너지가 250 mJ를 초과하면, 에너지는 너무 높아 사이드 에칭(side etching)이 생길 수 있다. 이어서, 공정(1d)에서, 각 기둥 형상체는 열 처리에 의해 완만하게 변형되고 따라서 최대 경사각이 12。 미만인 요철면을 갖는 층이 형성될 수 있다. 이러한 리플로우 공정은 예를 들어 대략 220℃에서 수행된다. 즉, 기둥 형상체가 수지막(11)의 연화점(softening point) 또는 융점(meltiong point) 이상의 온도까지 가열됨으로써 기둥 형상체 상에 패터닝된 수지막(11)은 일단 용해되고, 기둥 형상체는 표면 장력의 영향으로 완만하게 변형된다. 특히, 기둥 형상체의 상단부가 완만하게 변형되고 각진 영역이 제거되어 원하는 경사면이 제공된다. 또한, 예를 들어 포토레지스트로 구성되는 다른 수지(12)는 완만하게 변형된 요철층상에 코팅되고 상호 분리된 기둥 형상체 간에 있는 평탄한 틈(2a)이 매립되어 최대 경사각을 완화시킨다. 따라서, 기판(2) 표면 상에 형성된 요철층으로부터 평탄한 영역이 제거되어 미러 표면 반사(mirror-surface reflection)가 발생할 염려는 없다. 전면 방향으로부터 관찰된 확산 반사판의 반사 휘도는 미러 표면 반사를 억제함으로써 향상될 수 있다. 이러한 수지(12)는 예를 들어 대략 500 ㎚ 두께로 코팅된다. 이러한 수지(12)는 감광성을 갖고, 수지(12)는 확산 반사판이 패널 내에 포함될 때 사후 공정(post process) 및 다양한 공정에 의해 패터닝될 수 있다. 결국, 공정(1e)에서, 금속막(13)이 완만하게 변형된 요철층 상에 형성되어 완화된 최대 경사각을 가질 수 있다. 따라서, 수지막 상에 수지막(11)과 금속막(13)으로 구성된 확산층(10)이 형성될 수 있다. 확산 반사판(10)은 확산 반사층(10)이 기판(2) 상에 형성된 구조를 갖는다. 금속막(13)은 예를 들어, 알루미늄, 은 등의 금속 재료를 스퍼터링 또는 진공 증착에 의해 기판(2) 상에 증착시킴으로써 형성된다.
도 2는 포토리소그래피에 의해 수지막을 패터닝함으로써 상호 분리된 기둥 형상체를 도시하는 평면도이다. 본 실시예에서, 포토리소그래피에 의해 수지를 분할적으로 패터닝함으로써 상호 분리된 다각형의 기둥 형상체 집합을 제공한다. 수지막의 분할적 패터닝은 상호 분리된 다각형의 기둥 형상체 간의 갭 크기가 포토리소그래피의 최소 분해능과 거의 동일해지는 방법으로 도입된다. 확산 반사판의 반사 특성을 향상시키기 위해, 요철층을 갖는 패턴은 요철면 층의 최대 경사각 만큼 중요하다. 즉, 확산 반사판의 단위 형상으로서 요철층을 갖는 기둥 형상체는 포토리소그래피에 사용되는 마스크 패턴에 의해 그 형상이 결정된다. 고밀도의 요철층이 확산 반사판의 휘도를 향상시키기 위해서는 필수적이다. 이러한 점에서, 마스크 패턴 상에 도시될 요철층의 단위 형상은 본 발명에서 다각형 형상으로서 결정되고 확산 반사판의 요철층은 고밀도로 형성된다.
도 3은 마스크 패턴 설계법의 예를 도시하는 개략도이다. 도면에서 도시된 바와 같이, 예를 들어 직경 11 ㎛의 원이 상호 접촉하도록 그려져 있다. 접촉 상태에 있는 원의 경계는 직선으로 연속하여 연결한 다음 상호 분리되어 있다. 분리를 위한 경계 폭 즉, 인접하는 다각형의 기둥 형상체들 사이의 갭 크기는 대략 1 ㎛이며 이는 포토리소그래피 공정의 최소 분해능과 거의 같아진다. 기본 원의 직경은 평균 11 ㎛이며, 다각형의 기둥 형상체 간의 갭 크기는 1 ㎛이다. 이와는 대조적으로, 마스크 패턴의 밀도가 변할 경우에도, 인접하는 다각형 패턴 간의 거리의 최소값은 분해능에 의해 결정되기 때문에, 다각형의 밀도가 상승하는 것과는 대조적으로 최대 경사각이 증가하게 된다. 양호한 반사 특성을 얻기 위해, 최대 경사각을 12 。 미만으로 제어하는 것이 필수적이다. 특히, 바람직한 각도는 대략 10。이다. 실험에 의해 입증된 최대 경사각은 단위 원의 직경을 대략 11 ㎛으로 설정함으로써 얻어질 수 있으며, 인접하는 다각형들 간의 캡 크기는 1 ㎛로서 포토리소그래피의 최소 분해능과 거의 같아진다.
요철층의 경사각의 최적화는 마스크 패턴 설계 뿐아니라 공정에 의해서도 제어될 수 있다. 상술한 바와 같이, 포토레지스트는 예를 들어 1.0 ㎛ 두께의 스핀법에 의해 코팅된 다음 도 2에 도시된 마스크를 사용하여 150 mJ 이상의 조사 에너지에 의해 노광 및 현상된다. 여기서, 리플로우를 목적으로 220 ℃의 온도에서 한시간 동안 열 처리를 행하게 된다. 그 다음, 예를 들어 포토레지스트로 이루어진 수지는 대략 500 ㎚ 두께로 스핀 코팅된다. 베이킹 후, 예를 들어 금속 알루미늄 또는 은이 대략 400 또는 500 ㎚로 스퍼터링된다.
상술한 조건하에서 얻어지는 확산 반사판의 각도 분포를 도 4에서 도시한다. 도 4의 그래프는 흑색 원과 흑색 사각형으로 나타낸 한 쌍의 샘플로 요철층의 경사각의 분포를 나타낸다. 임의의 샘플에서, 경사각은 12。 미만으로 분포되어 있고, 요철층으로 된 최대 경사각은 12。 미만의 값으로 제어될 수 있음을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 요철층의 최대 경사각은 12 。 미만으로 제어되어 제조 공정 및 마스크 공정을 개선함으로써 확산 반사판의 반사 특성을 향상시키게 된다. 이하에서 설명하는 바와 같이, 반사형 표시 장치용으로 적합한 확산 반사판은 최대 경사각을 12。 또는 바람직하게는 대략 10。로 제어함으로써 구해질 수 있다. 이는 시뮬레이션에 의한 결과이다. 도 5는 시뮬레이션에 의해 설정된 관찰자의 방위를 도시한 것이다. 실제 애플리케이션 환경을 고려하면, 외광은 패널의 상방향으로부터 법선 방향으로 30。 각도로 입사되고 관찰자는 법선 방향으로 패널(0)의 방향에서 관찰한다. 패널(0)는 예를 들어 기판(1, 2) 쌍 간의 전기 광학층으로서 액정층(3)을 유지하는 평탄한 구조를 갖는다.
도 6에 도시된 바와 같이, 시뮬레이션의 전제 조건으로서 확산 반사판의 요철면의 단면 형상은 삼각 함수(trigonometric function)로 근사화하고 여기서는 그 1 주기만을 고려한다. 삼각 함수의 파장이 일정한 것으로 유지되고 진폭이 변화되면, 입사각을 반영하는 미분 계수가 자연스럽게 변화되고 그 절대값의 최대값은 예를 들면 정현파의 경우에서 θ= 0.2π로서 구해진다. 내부 패널은 액정으로 충전되고, 다중 산란이 발생하지 않을 정도의 입사각을 고려하고 또한 입사광의 입사각을 측정 시스템의 실제 광원에 대응하는 27。 또는 33。로 설정된다. 여기서, 법선 방향으로 부터 관찰되는 반사각 θd는 도 6에 도시된 바와 같이 단면이 정현파로 표시되는 요철 패턴으로 입사된다. 요철면의 단면 프로파일을 f(x) = R·sin2πx로 정의한다. 액정층의 굴절을 고려할 경우, 법선 방향으로 ±42。 범위 내에 있는 광 빔의 입사각 θ를 프로세스하기에 충분하고 이러한 범위 내에 있는 진폭 조건은 간단한 계산에 의해 R= 0.177 이하로 구해질 수 있다. 이러한 시스템에서 반사각 θd는 θd= π/2- θin + arctan(2πR·cos2πx)로 주어진다. 여기서, x는 0 내지 1의 범위에서 변화된다. x는 0.01 간격으로 눈금이 그려지고, 액정의 굴절을 고려하면 입사광의 입사각은 68.7。 내지 72.4。의 범위내에서 취해진다. 이러한 조건하에서 파라미터로서 R이 변화될 경우 각 θd의 분포를 도 7 내지 도 11의 그래프로 도시한다. 이러한 그래프에서, 이해를 쉽게하기 위해 R의 값을 대신하여 최대 경사각을 파라미터로서 도시한다.
도 7은 미러 면 반사의 데이타를 도시한다. 반사각(각도)의 분포는 27。 내지 33。 사이에서 극히 강한 방향성을 나타내는 플랫한 최대값을 도시한다. 도 8은 최대 경사각이 5。인 경우의 반사각 분포를 도시한 것이다. 피크(peak)는 대략 15。 및 45。의 반사각에서 발생된다. 도 9는 최대 경사각이 7。인 경우의 데이타를 나타낸다. 반사각은 10。로부터 60。 까지 산란된다. 도 10은 최대 경사각이 10。인 경우의 데이타를 도시하고 반사각이 0。에서 높은 피크치를 나타낸다. 즉, 법선 방향으로부터 이탈하여 대각선으로 입사한 광은 정면 방향에서 반사되어 관찰자에 도달한다. 그러므로써, 휘도 표시가 구해질 수 있다. 도 11은 최대 경사각이 12。일 경우 데이타를 도시한다. 상기 그래프로부터 명백한 바와 같이, 최대 경사각이 커지게 되면, 반사광의 각속도 분포가 넓어지게 되지만, 이러한 그래프는 최대 입사각이 10。인 경우 광빔이 가장 효율적으로 관찰자쪽으로 반사되는 경우를 제안한다. 최대 입사각이 12。 이상인 경우, 다량의 광빔이 대향측에 있는 기판(1)과 액정층(3)의 경계에서 전반사된다. 상기 시뮬레이션에 기초하여, 본 발명의 요철층의 최대 경사각은 12。 미만으로 설정되고 바람직하게는 대략 10。의 각도이다.
도 12는 본 발명의 반사형 표시 장치의 실제예를 도시하는 개략적 부분 단면도이다. 본 예에서, TN-ECB(Twist Nematic-Electrically Controlled Birefringence) 모드 액정 패널(0)가 사용된다. 도시된 바와 같이, 편광판(70) 예를 들어, 광학 이방성을 갖는 폴리머 막과 (1/4)- 파장판(80)이 본 발명의 반사형 표시 장치의 패널(0)의 표면에 배치되어 있다. 패널(0)는 예를 들어 외광의 입사측에 위치한 투명 유리판으로 구성된 제1 기판(1)과, 예를 들어, 소정 갭을 두고 대향측에 위치한 유리판으로 구성된 제2 기판(2)을 접합함으로써 형성된다. 기판(1, 2) 간의 갭에는, 예를 들면 전기 광학층으로서 네마틱 액정층(3)이 유지된다. 액정층 분자(4)는 예를 들면 폴리이미드로 구성된 상부 및 하부 배향막(도시 안됨)이 트위스트 배향되어 제공된다. 예를 들면 ITO로 구성된 전극은 각각 기판(1, 2)의 내부면에 형성되어 매 화소의 네마틱 액정층(3)에 전압을 인가하게 된다. 본 실시예는 소위 대향 전극(7)이 제1 기판(1) 측에 형성되는 한편, 화소 전극(13)이 제2 기판(2) 측에 형성되는 액티브 매트릭스형이다. 화소 전극은 예를 들면 폴리실리콘으로 구성된 박막 트랜지스터(50)로 구성된 스위칭 소자에 의해 구동된다. 대향 전극(7)과 화소 전극은 상호 대향하여 제공되고, 이러한 전극들 간의 화소를 규정한다. 대향측에 위치한 제2 기판(2)의 내부 면에 본 발명에 따른 확산 반사층(10)이 형성된다. 확산 반사층(10)은 수지막(11, 12)과 금속막(13)으로 적층 구성된다. 본 실시예에서, 금속막(12)은 또한 화소 전극으로서 동작한다. 상술한 구조의 반사형 표시 장치는 통상 백색 모드인 TN-ECB 시스템으로 된다. 즉, 인가되는 전압이 없으면, 네마틱 액정층(3)은 트위스트된 배향을 유지함으로써 (1/4) 파장판으로서 동작하고 편광판(70) 및 (1/4) 파장판(80)과 협동하여 외광을 통과시킴으로써 백색 표시를 행한다. 전압이 인가되면, 네마틱 액정층(3)은 수직 방향으로 이동하고 외광을 편광판(70)과 (1/4)- 파장판(80)이 협동하여 외광을 차단함으로써 흑색 표시를 행한다.
이어서, 도 12를 참조하면, 각 구조 소자를 이하에서 설명하기로 한다. 상술한 바와 같이, 편광판(70)은 패널(0)의 제1 기판(1)의 표면에 배치된다. 또한, (1/4) 파장판(80)은 편광판(70)과 제1 기판(1) 사이에 제공된다. 이러한 (1/4)- 파장판(80)은 예를 들어, 통상의 광빔과 부정형의 광빔간에 (1/4)- 파장 길이 만큼의 위상차를 제공하도록 일축이 연장되는 폴리머 막으로 형성된다. (1/4) 파장판(80)의 광축은 편광판(70)의 편광축(투과축)에 대해 45。 각도로 형성되도록 배치된다. 외광은 편광판(70)을 통과하여 직선 편광빔(linearly polarized light beam)이 된다. 또한, 이러한 광빔은 (1/4)-파장판을 통과할 때 직선 편광빔으로 변환된다. 이러한 경우에서, 편광 방향은 원래의 편광 방향에서 90。 회전한다. 상술한 바와 같이, (1/4)-파장판은 편광판과 조합하여 편광 방향으로 회전할 수 있고 이러한 공정을 표시 함수에 이용한다.
패널(0)는 전기 광학층으로서, 수평으로 정렬된 정의 유전체 이방성을 갖는 네마틱 액정층 분자(4)로 구성된 네마틱 액정층(3)을 사용한다. 이러한 네마틱 액정층(3)은 그 두께를 적절한 값으로 설정함으로써 (1/4) 파장판으로서 동작한다. 본 실시예에서, 네마틱 액정층(3)의 굴절율 이방성 Δn은 대략 0.7이고, 이 네마틱 액정층(3)의 두께는 대략 3 ㎛이다. 따라서, 네마틱 액정층(3)의 리타데이션 Δn·d는 0.2 내지 0.25 ㎛이다. 도면에서 도시된 바와 같이, 네마틱 액정 분자(4)가 트위스트된 배향으로 제공되기 때문에, 리타데이션값은 실제로 대략 0.15 ㎛(150 ㎚)이다. 이 값은 외광의 중심 파장(600 ㎚)의 1/4과 거의 같고 그러므로써 네마틱 액정층(3)은 (1/4) 파장판으로서 광학적으로 동작할 수 있다. 네마틱 액정층(3)을 상부 및 하부 배향막으로 유지함으로써 원하는 트위스트 배향이 구해질 수 있다. 제1 기판(1) 측에서, 액정 분자(4)는 배향막의 러빙 방향(rubbing direction)을 따라 직선 상에 제공되고, 액정 분자(4)는 또한 제2 기판(2) 측에서도 배향막의 방향을 따라 제공된다. 상부 및 하부 배향막의 러빙 방향을 60。 내지 70。 정도로 시프트시킴으로써 원하는 트위스트 배향이 얻어질 수 있다.
컬러 필터(9)는 예를 들어 색소가 분산된 음의 레지스트로 구성된 투명한 제1 기판(1) 측에 형성된다. 한편, 확산 반사층(10)은 반사측에 위치한 제2 기판측에 형성된다. 확산 반사층(10)은 광 산란 특성을 갖는 요철층으로 제공된다. 그러므로, 이러한 층은 페이퍼 화이트의 외관을 도시하고 따라서, 백그라운드의 표시에 적합할 뿐 아니라 시야각이 넓어져 용이한 표시를 보장하고 넓어진 시야각 범위에서 표시 휘도가 증가한다. 도면에서 도시된 바와 같이, 확산 반사층(10)은 완만한 퇴적 영역을 형성하는 수지막(11, 12)과 그 표면 상에 형성된 금속막(13)으로 구성된다. 앞서 설명한 바와 같이, 금속막(13)은 화소 전극으로서 동작한다. 확산 반사층(10)은 본 발명에 따라 형성되고, 미리 틈을 남기고 이산적으로 패터닝된 기둥 형상체 집합으로 구성된 수지막(11)을 리플로우시킴으로써 완만한 퇴적 영역을 갖는 요철층으로 제공된다. 또한, 남겨진 틈은 기둥 형상체 집합으로 구성된 수지막(11)의 리플로우 이후 다른 수지막(12)으로 매립된다. 요철층의 최대 경사각은 12。 미만의 각도로 제어된다.
화소 전극을 구동하기 위한 박막 트랜지스터(50)는 집적되어 제2 기판(2) 표면 상에 형성된다. 박막 트랜지스터(50)는 예를 들어, Mo으로 구성된 게이트 전극(51)과, 예를 들어 SiO2및 SiN으로 구성된 이중층 게이트 절연막(52, 53)과, 예를 들어 다결정 실리콘이 하측으로터 순차 적층되어 구성된 반도체 박막(54)의 적층 구조로 된 하부 게이트 구조를 갖는다. 박막 트랜지스터는 한쌍의 게이트 전극(51)을 포함하는 이중 게이트 구조를 갖는다. 채널 영역은 각 게이트 전극(51) 위에 바로 위치한 반도체 박막(54)의 영역에 제공된다. 각 채널 영역은 스토퍼(55)에 의해 보호된다. 보조 용량(60)은 이러한 박막 트랜지스터(50)와 동일한 층 구조로 형성된다. 상술한 구조를 갖는 박막 트랜지스터(50) 및 보조 용량(60)은 예를 들어 PSG로 구성된 층간 절연막(59)으로 피복된다. 층간 절연막(59) 상에, 박막 트랜지스터의 소스 영역과 드레인 영역과 통신하는 컨택트홀이 개구되어 있다. 층간 절연막(59) 상에, 예를 들어 Al로 구성된 배선(57)이 형성되고, 컨택트 홀을 통해 박막 트랜지스터의 소스 영역과 드레인 영역에 접속된다. 배선(57)은 상술한 수지막(12)으로 피복된다. 또한, 상술한 화소 전극(13)이 패터닝된다. 화소 전극은 상기 수지막(12)과 배선(57)에 개구된 컨택트 홀을 통해 박막 트랜지스터(50)의 드레인 영역에 전기적으로 접속된다.
도 13을 참조하면, 도 12에 도시된 반사형 표시 장치의 동작을 설명하기로 한다. 이러한 도면에서,(OFF)는 전압이 인가되지 않는 상태를 나타내고, (ON)은 전압이 인가되는 상태를 나타낸다. 상태(OFF)에서 도시된 바와 같이, 본 발명의 반사형 표시 장치는 편광판(70), (1/4) 파장판(80), 네마틱 액정층(3)과 확산 반사층(10)을 관찰자측으로 부터 순차 적층함으로써 형성된다. 편광판(70)의 편광축(투과축)은 70P로서 규정된다. (1/4)-파장판(80)의 광축(80S)은 투과축(70P)에 대해 45。 각도로 형성된다. 또한, 제1 기판측에서 액정 분자(4)의 배향 방향 3R은 편광판(70)의 편광축(투과축)(70p)에 평행이다.
입사광(201)은 편광판(70)을 통과할 때 직선 편광(202)으로 변환된다. 편광 방향은 투과축(70P)에 병렬이고 이러한 편광을 이하에서 병렬 직선 편광이라 한다. 그 다음 병렬 직선 편광(202)이 (1/4) 파장판(80)을 통과하면 원형 편광(203)으로 변환된다. 원형 편광(203)은 (1/4) 파장판으로서 기능하는 네마틱 액정층(3)을 통과하면 직선 편광으로 변환된다. 그러나, 직선 편광의 편광 방향은 90。 회전하여 병렬 직선 편광(202)과 직교한다. 이하에서, 이러한 편광을 직교 직선 편광이라 한다. 직교 직선 편광(203)은 확산 반사층(10)에 의해 반사되고 (1/4) 파장판으로서 동작하는 네마틱 액정층(3)을 다시 통과하여 원형 편광(204)이 된다. 또한, 원형 편광(204)은 (1/4) 파장판(80)을 통과하므로써 원래의 병렬 직선 편광빔(205)으로 변환된다. 이러한 병렬 직선 편광(205)은 편광판(70)을 통과한 다음 출사광(206)으로서 관찰자에 도달하면 백색 표시가 얻어진다.
전압이 인가되는 상태(ON)에서, 액정 분자(4)는 트위스트된 배향으로부터 수직 배향으로 시프트되어, (1/4) 파장판으로서 기능을 상실한다. 외광(201)이 편광판(70)을 통과하면 병렬 직선 편광(202)으로 변환된다. 병렬 직선 편광(202)은 (1/4) 파장판(80)을 통과할 때 원형 편광(203)으로 변환된다. 원형 편광(203)은 네마틱 액정층(3)을 직접 통과한 다음 확산 반사층(10)에 의해 반사된 다음, 원형 편광(204a)으로서 (1/4) 파장판(80)에 도달한다. 여기서, 원형 편광(204a)은 직교하는 직선 편광(205a)으로 변환된다. 직교 직선 편광(205a)은 편광판(70)을 통과할 수 없어 흑 표시로 된다.
본 발명에 따르면, 확산 반사판은 기판 상에 감광성을 갖는 수지막을 형성하는 공정과, 포토리소그래피로 수지막을 패터닝함으로써 상호 분리된 기둥 형상체 집합을 제공하는 공정과, 열처리에 의해 각각 기둥 형상체를 완만하게 변형함으로써 최대 경사각을 12。 미만으로 갖는 요철층을 형성하는 공정과, 완만하게 변형된 요철층 상에 금속막을 형성하는 공정에 의해 제조될 수 있다. 정면에서 관찰될 수 있는 반사 휘도는 향상될 수 있고, 이러한 확산 반사판을 반사형 표시 장치에 포함시킴으로써 표시의 질을 향상시킬 수 있는 최적의 설계를 구현할 수 있다.

Claims (20)

  1. 확산 반사판(diffusing reflector) 제조 방법에 있어서,
    기판을 마련하는 공정;
    상기 기판 상에 감광성을 갖는 수지막을 형성하는 공정;
    상기 수지막을 포토리소그래피로 패터닝함으로써 상호 분리된 기둥 형상체의 집합(gathering of pillar-shaped bodies)을 제공하는 공정;
    상기 기둥 형상체 각각을 리플로우에 의해 완만하게 변형시킴으로써 최대 경사각이 12。 미만인 요철층을 형성하는 공정;
    상기 완만하게 변형된 요철층의 집합 상에 금속막을 형성하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 확산 반사판 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 최대 경사각은 대략 10。인 것을 특징으로 하는 확산 반사판 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 완만하게 변형된 요철층을 수지로 코팅하여 상호 분리된 상기 요철층 간의 평탄한 틈을 매립시킴으로써 상기 최대 경사각을 완화시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 확산 반사판 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 리플로우 공정은 대략 220 ℃ 미만의 온도에서의 열처리인 것을 특징으로 하는 확산 반사판 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 수지막을 상기 포토리소그래피에 의해 분할 패터닝(divided patterning)함으로써 상호 분리된 다각형의 기둥 형상체의 집합을 제공하는 것을 특징으로 하는 확산 반사판 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상호 분리된 상기 다각형 기둥 형상체들 사이의 갭 크기가 포토리소그래피의 최소 분해능과 거의 같아지도록 상기 수지막을 상기 분할 패터닝 수단에 의해 패터닝하는 것을 특징으로 하는 확산 반사판 제조 방법.
  7. 확산 반사판에 있어서,
    기판;
    퇴적 영역을 형성하는 수지막;
    상기 수지막 상에 형성된 금속막을 포함하되,
    상기 퇴적 영역을 형성하는 상기 수지막은 미리 틈을 남기고 패터닝된 상호 분리되어 있는 기둥 형상체의 집합을 리플로우함으로써 얻어질 수 있고, 상기 퇴적 영역의 최대 경사각은 12。 미만으로 제어되는 것을 특징으로 하는 확산 반사판.
  8. 제7항에 있어서, 상기 최대 경사각은 대략 10。인 것을 특징으로 하는 확산 반사판.
  9. 제7항에 있어서, 상기 기둥 형상체의 상기 틈의 크기는 포토리소그래피의 최소 분해능과 거의 같은 것을 특징으로 하는 확산 반사판.
  10. 제7항에 있어서, 상기 완만한 퇴적 영역은 기둥 형상체의 집합으로 이루어진 상기 수지막을 리플로우한 다음에, 남겨진 갭을 다른 수지막으로 매립함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 확산 반사판.
  11. 제7항에 있어서, 상기 리플로우는 대략 220℃ 미만의 온도에서 열 처리되는 것을 특징으로 하는 확산 반사판.
  12. 제7항에 있어서, 상기 퇴적 영역을 형성하는 상기 수지막의 단면도는 다각형 형상인 것을 특징으로 하는 확산 반사판.
  13. 확산형 표시 장치에 있어서,
    입사측에 배열되어 있는 투명한 제1 기판;
    소정의 갭을 두고 상기 제1 기판과 결합되어 있고 반사측에 배치된 제2 기판;
    상기 갭 내에서 상기 제1 기판측에 위치된 전기 광학층;
    상기 갭내에서 상기 제2 기판측에 위치된 확산 반사층; 및
    전압을 상기 전기 광학층에 인가하기 위해 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 하나에 형성된 전극을 포함하되,
    퇴적 영역을 형성하는 수지막으로 구성된 상기 확산 반사층은 미리 틈을 남겨두고 패터닝된 상호 분리된 기둥 형상체의 집합을 리플로우함으로써 얻어질 수 있고, 상기 퇴적 영역의 최대 경사각은 12。 미만으로 제어되는 것을 특징으로 하는 확산형 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 최대 경사각은 대략 10。 인 것을 특징으로 하는 확산형 표시 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 기둥 형상체의 상기 틈의 크기는 포토리소그래피의 최소 분해능과 거의 같은 것을 특징으로 하는 확산형 표시 장치.
  16. 제13항에 있어서, 완만한 퇴적 영역은 기둥 형상체 집합으로 이루어진 상기 수지막에 상기 리플로우 공정을 행하고, 상기 남겨진 틈을 다른 수지막으로 매립시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 확산형 표시 장치.
  17. 제13항에 있어서, 상기 리플로우 공정은 대략 220℃ 미만의 온도에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 반사형 표시 장치.
  18. 제13항에 있어서, 상기 퇴적 영역을 형성하는 상기 수지막의 단면도는 다각형 형상인 것을 특징으로 하는 반사형 표시 장치.
  19. 제13항에 있어서, 편광판(polarizing plate)이 상기 제1 기판측에 제공되고, 전압 인가 조건에 따라 (1/4)- 파장판으로서 기능을 갖는 액정층이 전기 광학층으로서 사용되는 것을 특징으로 하는 반사형 표시 장치.
  20. 제13항에 있어서, 상기 (1/4)- 파장판은 상기 편광판과 상기 액정층 사이에 제공되고, 상기 액정층은 정의 유전체 이방성(positive dielectric anisotropy) 및 트위스트된 배향을 갖는 네마틱 액정층으로 구성되고, 전압이 인가되지 않을 때 (1/4) 파장으로서 기능하거나 전압이 인가될 때는 (1/4) 파장판의 기능을 상실하는 것을 특징으로 하는 반사형 표시 장치.
KR1019990022834A 1998-06-19 1999-06-18 확산 반사판 및 그 제조 방법과 반사형 표시 장치 KR100775685B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1998-189654 1998-06-19
JP18965498A JP4292596B2 (ja) 1998-06-19 1998-06-19 拡散反射板及びその製造方法と表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000006271A true KR20000006271A (ko) 2000-01-25
KR100775685B1 KR100775685B1 (ko) 2007-11-09

Family

ID=16244943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990022834A KR100775685B1 (ko) 1998-06-19 1999-06-18 확산 반사판 및 그 제조 방법과 반사형 표시 장치

Country Status (6)

Country Link
US (3) US6525792B1 (ko)
EP (1) EP0965863B1 (ko)
JP (1) JP4292596B2 (ko)
KR (1) KR100775685B1 (ko)
DE (1) DE69924184T2 (ko)
TW (1) TW387083B (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100701067B1 (ko) * 2000-05-31 2007-03-29 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 반사형 액정표시장치의 반사전극 형성방법
KR100705618B1 (ko) * 2003-04-01 2007-04-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100713886B1 (ko) * 2003-06-25 2007-05-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100798528B1 (ko) * 2006-04-07 2008-01-28 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반사형 액정표시장치의 제조방법
KR100972534B1 (ko) * 2002-07-05 2010-07-28 치메이 이노럭스 코포레이션 산란 반사판 및 그 제조 방법, 디스플레이 장치

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1174359C (zh) * 1999-03-04 2004-11-03 三星电子株式会社 反射型液晶显示器及其制造方法
GB0010697D0 (en) * 2000-05-03 2000-06-28 Microsharp Corp Limited Reflective light diffuser
TW594218B (en) * 2000-07-03 2004-06-21 Alps Electric Co Ltd Reflector and reflective liquid crystal display device
US7215393B2 (en) * 2000-07-28 2007-05-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflective plate and display device using the plate
US6469304B2 (en) * 2000-12-28 2002-10-22 Raytheon Company Pseudo-randomized infrared blurring array
KR20020057228A (ko) * 2000-12-30 2002-07-11 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 하프톤 패터닝을 이용한 반사형 엘시디의 반사판 제조방법
US7480019B2 (en) * 2001-01-25 2009-01-20 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a substrate for an lcd device
TW548689B (en) * 2001-01-25 2003-08-21 Fujitsu Display Tech Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2002258272A (ja) 2001-02-28 2002-09-11 Nec Corp 反射板並びに反射型液晶表示装置
KR100483979B1 (ko) 2001-06-22 2005-04-18 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 반사판, 그 제조방법, 액정표시장치 및 그 제조방법
EP1271187A3 (en) 2001-06-28 2004-09-22 Alps Electric Co., Ltd. Reflector and reflective liquid crystal display
JP2003068076A (ja) * 2001-08-27 2003-03-07 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置の電力制御方法及び半導体記憶装置
JP5181317B2 (ja) * 2001-08-31 2013-04-10 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP2003091004A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Seiko Epson Corp 液晶表示装置および電子機器
JP3949924B2 (ja) * 2001-10-15 2007-07-25 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置用基板およびそれを用いた反射型液晶表示装置
JP4195217B2 (ja) 2001-11-29 2008-12-10 ティーピーオー ホンコン ホールディング リミテッド 反射体形成方法、反射構造体及び液晶表示装置
GB2383641A (en) * 2001-12-21 2003-07-02 Nokia Corp Reflective displays
TWI292849B (ko) * 2001-12-31 2008-01-21 Prime View Int Corp Ltd
EP1521984B1 (en) * 2002-07-05 2006-05-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a diffusing reflector
TW200600825A (en) * 2004-03-16 2006-01-01 Tomoegawa Paper Co Ltd Anisotropic light diffusion medium and production method therefor
US20100079871A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Malzbender Thomas G Reflective surfaces capable of displaying different images under various lighting conditions
US20120268964A1 (en) * 2011-04-20 2012-10-25 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Diffuser film with controlled light collimation
JP5850312B2 (ja) * 2011-09-30 2016-02-03 大日本印刷株式会社 光学シートおよび画像表示装置
KR102262757B1 (ko) * 2014-03-11 2021-06-09 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 터치 패널, 표시 장치 및 광학 시트, 광학 시트의 선별 방법 및 광학 시트의 제조 방법
CN109712997B (zh) * 2019-02-21 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58125084A (ja) 1982-01-21 1983-07-25 株式会社東芝 液晶表示装置およびその製造方法
WO1990000756A1 (en) * 1988-07-14 1990-01-25 Seiko Epson Corporation Reflection-type liquid crystal electro-optical device and projection-type display device using the same
JPH078425Y2 (ja) * 1989-03-22 1995-03-01 株式会社テンヨー 箱
JP2698218B2 (ja) * 1991-01-18 1998-01-19 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JPH0515836A (ja) 1991-07-16 1993-01-26 Dainippon Printing Co Ltd 方向選択性光線調整シートの製造方法
US5245454A (en) 1991-12-31 1993-09-14 At&T Bell Laboratories Lcd display with microtextured back reflector and method for making same
DE69321523T2 (de) * 1992-06-26 1999-05-06 Sharp Kk Reflektive Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
JP2892913B2 (ja) 1992-09-30 1999-05-17 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
JP2630714B2 (ja) 1992-10-08 1997-07-16 茶谷産業株式会社 面照明装置
JPH0784252A (ja) 1993-09-16 1995-03-31 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH08166605A (ja) 1994-10-14 1996-06-25 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH08129902A (ja) 1994-10-31 1996-05-21 R D S Kk 面光源フラッドライト
US6094252A (en) * 1995-09-05 2000-07-25 Sharp Kabushiki Kaisha GH LCD having particular parameters and characteristics
JPH09292504A (ja) 1996-02-27 1997-11-11 Sharp Corp 反射板及びその作製方法及びその反射板を用いた反射型液晶表示装置
JPH1031231A (ja) 1996-07-15 1998-02-03 Sony Corp 反射型ゲストホスト液晶表示装置及びその製造方法
JPH1031321A (ja) 1996-07-15 1998-02-03 Canon Inc 画像形成装置
JP3149793B2 (ja) * 1996-07-22 2001-03-26 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP3402138B2 (ja) 1996-09-27 2003-04-28 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6108064A (en) * 1997-11-06 2000-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Reflective-type liquid crystal display device including a single polarizer plate
US6324011B1 (en) * 1997-12-11 2001-11-27 Casio Computer Co., Ltd. Reflection plate having directivity and a display apparatus using the same
JP3376308B2 (ja) * 1998-03-16 2003-02-10 株式会社東芝 反射板および液晶表示装置
US6275277B1 (en) * 1999-05-17 2001-08-14 Colorado Microdisplay, Inc. Micro liquid crystal displays having a circular cover glass and a viewing area free of spacers

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100701067B1 (ko) * 2000-05-31 2007-03-29 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 반사형 액정표시장치의 반사전극 형성방법
KR100972534B1 (ko) * 2002-07-05 2010-07-28 치메이 이노럭스 코포레이션 산란 반사판 및 그 제조 방법, 디스플레이 장치
KR100705618B1 (ko) * 2003-04-01 2007-04-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100713886B1 (ko) * 2003-06-25 2007-05-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100798528B1 (ko) * 2006-04-07 2008-01-28 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반사형 액정표시장치의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7656478B2 (en) 2010-02-02
US20070085966A1 (en) 2007-04-19
US20060158583A1 (en) 2006-07-20
KR100775685B1 (ko) 2007-11-09
TW387083B (en) 2000-04-11
DE69924184T2 (de) 2006-03-23
EP0965863A3 (en) 2000-08-16
US7602461B2 (en) 2009-10-13
US6525792B1 (en) 2003-02-25
EP0965863B1 (en) 2005-03-16
JP2000009911A (ja) 2000-01-14
EP0965863A2 (en) 1999-12-22
DE69924184D1 (de) 2005-04-21
JP4292596B2 (ja) 2009-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100775685B1 (ko) 확산 반사판 및 그 제조 방법과 반사형 표시 장치
KR100394023B1 (ko) 반투과 반사형 액정표시장치
US6888678B2 (en) Irregular-shape body, reflection sheet and reflection-type liquid crystal display element, and production method and production device therefor
JPH0627481A (ja) 反射型アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置
KR20030031401A (ko) 반사형 액정표시장치용 기판 및 그것을 이용한 반사형액정표시장치
KR100663850B1 (ko) 확산 반사판, 그 제조 방법 및 반사형 표시 장치
TWI391759B (zh) 液晶顯示器及其製造方法
KR20060018773A (ko) 반투과형 표시장치 및 그 형성 방법
JPH06175126A (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
KR20000039482A (ko) 반사형 액정표시장치
KR100344185B1 (ko) 액정표시장치
JP4238399B2 (ja) 拡散反射板及びその製造方法と反射型表示装置
JP3752784B2 (ja) 拡散反射板及びその製造方法と反射型ゲストホスト液晶表示装置
KR100463598B1 (ko) 반사형액정표시소자및그반사판
JP3046730B2 (ja) 反射拡散板および反射型液晶表示装置
KR19990083350A (ko) 반사형액정표시장치
WO2003032063A1 (en) Liquid crystal displays with multi-domains effect formed by surface gratings
KR100565735B1 (ko) 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4872983B2 (ja) 拡散反射板及び表示装置
KR100705618B1 (ko) 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100701092B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR100922785B1 (ko) 반사형 액정표시장치의 제조방법
KR100943281B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
JPH11160507A (ja) 拡散反射板及びその製造方法と反射型表示装置
KR20030058228A (ko) 반투과 액정표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
E902 Notification of reason for refusal
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121029

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131025

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141024

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151023

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161028

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee