KR19990077031A - 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 폴리에스테르 수지가 화학식 I 및(또는) II의 구조 단위를 함유하는, 단량체가 없고 불포화 또는 포화된 폴리에스테르 수지 또는 포화 및 불포화된 폴리에스테르 수지 혼합물의, 전기 및 전자 부품용 및 시트형 절연재의 담체용 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물으로서의 용도에 관한 것이다.
<화학식 I>
<화학식 II>
상기 식에서, n은 1 내지 10이다.

Description

함침, 캐스팅 및 코팅 조성물
본 발명은 전기 및 전자 부품용 및 시트형 절연재를 위한 지지체 재료용 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물로서 단량체 무함유 폴리에스테르 수지의 용도에 관한 것이다.
모터 와인딩, 변압기 와인딩 등과 같은 전기 부품용의 공지된 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물의 중합체 매트릭스는 자유 라디칼적으로 개시되는 공중합에 의한 스티렌, 비닐톨루엔, 알릴 프탈레이트, 및 단량체 또는 저중합체 아크릴 또는 비닐 에스테르와 같은 비닐 불포화물을 함유하는 화합물에 용해된 불포화 폴리에스테르로 구성된다. 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물이란 용어는 감압, 과압 또는 이의 조합을 사용하여 지원될 수 있는, 침액 함침, 점적 기술, 침액-롤링 기술, 플러딩 (flooding) 기술 및 와인딩의 함침을 위한 캐스팅 방법의 일반적으로 공지된 방법에 의해 전기 공학에서 사용되는 수지 조성물을 일컫는다. 또한 이 용어는 유리 섬유, 운모 테이프 및 다른 흡수성 재료 및 그의 배합물과 같은 시트형 절연재용의 지지체 재료의 함침을 포함하는데, 이와 관련하여 선택될 수 있는 하나의 방안은 B-단계에서 경화를 종결시켜 경화성 프리프레그를 생성하는 것이다.
종래 기술 방법의 단점은 조성물의 신속하고 완전한 경화에 절대적으로 필요한 불포화 단량체로부터 유래한다. 그러한 물질의 예로는 단량체 형태이거나 저분자량 저중합체로서, 아크릴레이트, 알릴 프탈레이트, 스티렌, α-메틸스티렌 및 비닐톨루엔이 있다. 이들 물질은 건강에 유해하고 피부 자극적이다. 이들 물질을 사용하는 함침 조성물의 공지된 적용 분야는 20 내지 30%의 질량 손실을 수반한다. 이런 상당한 양은 작업장으로부터 제거되어서 작업자들의 건강에 끼칠 위험을 피해야 한다. 흡인에 의해 뽑아낸 증발 물질은 일반적으로 폐공기 소각로에서 폐기되어 원치않는 방출을 일으킨다. 또한 소각된 물질은 상당한 경제적 손실을 일으킨다. 더욱이, 이들 단량체 물질들이 경화 과정에서 완전하게 혼입되지 않는 위험이 존재한다. 경화된 조성물 중에 남아 있는 잔류 단량체는 사용시 일반적으로 고온이 되는 전기 절연 조성물로부터 빠져나와, 악취 또는 건강의 손상을 끼치거나, 단량체들이 조성물 중에서 점진적인 후경화를 거쳐서, 상기 조성물의 사용 특성에 원치않는 변화를 가져올 수 있다.
디히드로디시클로펜타디엔 (=DCPD)의 구조 단위를 함유하는 불포화 폴리에스테르 수지는 많은 특허의 대상이다.
독일 특허 공개 제31 07 450호에는 에틸렌적으로 불포화된 단량체 중의 용액의 형태로 몰딩 및 코팅을 생산하는데에 사용되는, 말단기로서 시클로펜타디엔 저중합체를 함유하는 불포화 폴리에스테르가 개시되어 있다.
유럽 특허 공개 제101 585호는 폴리에스테르의 이중 결합상에 시클로펜타디엔을 첨가함으로써 개질시킨 다음 비닐 단량체 중에 용해시킨 불포화 폴리에스테르 수지에 관한 것이다.
유럽 특허 공개 제118 786호는 디시클로펜타디엔에 의해 개질되고, 비닐 또는 알릴 단량체 중의 용액으로서 내고온성의 몰딩 화합물을 형성하기 위해 2 단계 공정으로 경화되는 불포화 폴리에스테르 수지에 관한 것이다. 이 공정의 제2단계는 한 시간 이상 동안 200℃ 이상, 바람직하게는 24시간 동안 250℃를 초과하는 온도의 사용, 또는 300 내지 1000 kV의 가속 전압에 의한 가속 전자에 대한 조사를 필요로 한다. 그러한 조성물의 양호한 특성으로 인하여 조성물은 전기 부문에서의 용도에 적합하다. 그러나, 전기 및 전자 부품의 조합을 포함하는, 보다 최신의 전기 조립품은 그러한 고온으로 파괴되므로, 후경화 조건은 주요 적용 분야에 있어서 캐스팅 조성물로서의 사용을 배제할 것을 필요로 한다. 더욱이, 긴 경화 시간은 부품의 효과적인 대량 생산에 부적합하다.
유럽 특허 공개 제260 688호는 유럽 특허 공개 제118786호의 개량 발명이고, 또한 비닐 단량체에 용해된 폴리에스테르 수지에 관한 것이다. 또한, 종래 기술의 단점, 즉 제2단계에서의 후경화에 관련된 200℃를 초과하는 고온이 특정 자유 라디칼 개시제를 선택함으로써 200℃에서 120 내지 200℃, 바람직하게는 150 내지 180℃로 감소됨으로써 완화되는 2 단계 경화 공정이 사용된다.
독일 특허 공개 제32 30 924호에는 시클로펜타디엔 구조를 포함하고 비닐 단량체에 용해된, 폴리에스테르 수지 제조를 위한 특별한 방법이 기재되어 있다.
유럽 특허 제0 684 284-A1호에는 스티렌에 용해되고 과산화 촉매의 존재하에서 경화되는 불포화 폴리에테르 에스테르 수지 및 디시클로펜타디엔 폴리에스테르 수지의 상승 작용 혼합물이 개시되어 있다.
독일 특허 공개 제26 48 351호 및 독일 특허 공개 제26 48 352호는 유리 섬유와 같은 충전제가 혼입되고 촉매가 혼입된 분진이 없는 고체 과립 형태로 스티렌과 같은 불포화된 단량체를 사용하지 않고도 실온 저장시 안정한 불포화 폴리에스테르 수지 배합물 (몰딩 배합물)에 관한 것이다. 공정에서 그들을 짧은 기간 동안 공정을 위해 충분히 안정한 용융물로 용융시킨 다음, 열 작용하에서 경화시킨다. 사출 성형이 바람직한 공정 기술이다.
공지된 종래 기술의 상기 단점들을 제거하는 것이 본 발명의 목적이다.
놀랍게도, 본 발명자들은 폴리에스테르의 제조 동안 디히드로디시클로펜타디엔 구조물의 신규 채용 및 그들의 특정 전체 구조에 의해 이 목적이 성취되고, 이로써 저장시 안정하고 심지어 실온에서도 액체인 시스템 또는 즉시 가공할 수 있는 용융물이 매우 장기간 동안 불변 형태로 저장시 안정하게 남아 있을 정도로 낮은 연화점을 가지는 시스템이 비닐계 불포화물을 함유하는 단량체 없이도 생성된다는 것을 본 발명에서 발견하였다. 더욱이, 이들 시스템은 UV 및 열에 의한 경화를 병용하는데 적합하다.
본 발명은 폴리에스테르 수지가 화학식 I 및(또는) II의 구조 단위를 함유하는, 단량체, 특히 스티렌이 없고 불포화 또는 포화된 폴리에스테르 수지 또는 포화 및 불포화된 폴리에스테르 수지 혼합물의, 전기 및 전자 부품용 및 시트형 절연재의 지지체 재료용 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물으로서의 용도를 제공한다.
상기 식에서, n은 1 내지 10이다.
화학식 I 및(또는) II의 구조 단위는 화학식 III의 기를 포함하는, 디히드로디시클로펜타디에놀과 단량체 또는 중합체 카르복시산과의 에스테르 형태 및(또는) 화학식 IV의 기를 포함하는, 올리고디히드로디시클로펜타디에놀과 단량체 또는 중합체 카르복시산과의 에스테르 형태로 혼입되는 것이 바람직하다.
상기 식에서, n은 1 내지 10이다.
화학식 I 및(또는) II의 구조 단위는 화학식 V 및(또는) VI의 화합물, 즉 말레산 및 푸마르산의 디히드로디시클로펜타디에놀 모노에스테르 및(또는) 말레산 및 푸마르산과 디히드로디시클로펜타디에놀의 저중합체와의 모노에스테르를 사용하여 도입하는 것이 바람직하다.
상기 식에서, n은 1 내지 10이다.
또한 에톡실화되거나 프로폭실화된 알콜 및 폴리올을 사용하여 합성된 폴리에스테르, 및 폴리에스테르폴리올 또는 폴리에테르폴리올형, 예컨대 폴리에틸렌 옥시드, 폴리프로필렌 옥시드 또는 폴리테트라히드로푸란의 일관능가 또는 다관능가 알콜을 사용하여 합성된 폴리에스테르를 사용하는 것이 바람직하다.
폴리에스테르의 합성에 있어서, 에틸렌적으로 불포화된 구조 단위, 특히 말레산 및 푸마르산을 사용하는 것이 또한 유리하다.
본 발명의 또 다른 유리한 양태는 조성물이 크산톤, 티오크산톤 및(또는) 페논 구조물을 함유하는 화학적으로 결합된 광개시제를 포함하고, 축합에 의해 폴리에스테르 수지로 혼입된 화학적으로 결합된 광개시제가 바람직하게는 히드록시벤조페논 및(또는) 벤조페논테트라카르복시산일 수 있다는 것이다.
신규의 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물은 가능한한 무엇보다도 먼저, 나중에 경화를 완료하기 전의 부분적으로 경화되는 B-단계에 이르기까지, 반응 촉진 보조개시제의 존재 또는 부재하에 실온 또는 승온에서 과산화물로 경화시킬 수 있다. 유사하게 신규의 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물은 필요한 광개시제를 조성물 중에 화학적으로 결합시키거나 조성물에 첨가하여 화학선 조사하거나, 또는 별법으로 화학적으로 결합되고 첨가된 광개시제를 사용하여 경화시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 바람직한 양태는 화학식 V 및(또는) VI의 화합물과 예를 들어 일관능가 알콜, 다관능가 알콜, 그의 알콕실화 생성물, 폴리에테르폴리올, 폴리에스테르폴리올, 폴리에틸렌 옥시드, 폴리프로필렌 옥시드, 폴리테트라히드로푸란 및(또는) 폴리카프로락톤과의 에스테르화 생성물이 또한 사용되는 것이다.
함침, 캐스팅 및 코팅 조성물은 실온에서 액체이거나, DIN 53180에 따른 연화점 범위가 130℃ 미만, 바람직하게는 90℃ 미만, 특히 바람직하게는 40℃ 미만이고, 점도가 100℃에서 100,000 mPas 미만, 바람직하게는 75℃에서 30,000 mPas 미만, 특히 바람직하게는 50℃에서 5000 mPas 미만이고, 동시에 점도가 10,000 mPas 이하, 바람직하게는 2000 mPas 이하인 온도에서 24시간 이상 동안 점도 측면에서 안정한 것이 바람직하다. 이들 범위는 상기 에스테르화 생성물을 사용하여 바람직하게 이룩된다.
또한 화학선 조사에 의한 경화와 과산화물 또는 C-C-불안정한 물질에 의한 경화를 병용하는 것도 가능하다.
또한, 화학식 V 및(또는) VI의 화합물과 예를 들어 독일 특허 공개 제1570273호에 따른 일관능가 이미도-함유 알콜 또는 산 및(또는) 예를 들어 독일 특허 공개 제17 20 323호에 따른 다관능가 이미도-함유 알콜 또는 산 및(또는) 이미도-함유 히드록시산과의 에스테르화 생성물이 또한 특별한 잇점이 있다.
함침, 캐스팅 및 코팅 조성물의 점도를 감소시키기 위해, 사용시 그들을 가열하거나, 고체 상태인 경우, 그들을 용융시키는 것이 유리하다.
특별한 경우에는, 통상의 올레핀적으로 불포화된 반응성 희석제를 또한 본 발명에 따라 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물에 첨가하여 사용할 수 있다.
신규의 단량체가 없는 전기 절연용 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물은 실온에서 고에너지 방사선, 바람직하게는 UV 광선, 및 자유 라디칼을 사용하여, 과산화물 및 보조개시제 (예. 중금속염)의 공지된 배합물로 경화시킬 수 있고, 또한 과산화물, 아조 개시제 또는 C-C-불안정한 화합물과 같은 자유 라디칼 개시제를 사용하여 열적으로 경화시킬 수 있다. 또한 상기 방법들의 모든 조합이 경화에 사용될 수 있다. 바람직한 것은 열적으로 생성된 자유 라디칼 및 UV 생성된 자유 라디칼을 병용한 경화이다. 또한 B 단계, 즉 경화가 방해되고 적시보다 늦게 재시작될 수 있는 부분적으로 경화되는 단계까지 경화를 수행하는 것도 가능하다.
놀랍게도, 화학식 I 및(또는) II의 구조 단위를 함유하고 융점 및 점도 범위에 있어서 상기 조건을 만족시키는 포화 및 불포화 폴리에스테르를 비닐 불포화물을 함유하는 단량체를 사용하지 않으면서 열적 및 조사, 바람직하게는 이들 방법의 조합에 의해 경화시키는 것이 모두 가능하고, 경화성 폴리에스테르는 고등급 전기 절연 조성물의 제조에 적합하다. 또한 중요한 점은 그러한 재료들이 약간 개질되거나 개질되지 않고도 현존하는 설비에서 처리될 수 있다는 것이다.
본 발명의 전기 절연 조성물은 비닐 불포화물을 함유하는 다른 화합물을 사용하지 않고도 경화시킬 수 있고, 실온에서 고에너지 방사선, 바람직하게는 UV 광선을 사용하고 자유 라디칼을 사용하여 과산화물 및 예를 들어 중금속염과 같은 보조개시제의 공지된 배합물로 경화시키거나, 또한 과산화물, 아조 개시제 또는 C-C-불안정한 화합물과 같은 자유 라디칼 개시제를 사용하여 열적으로 경화시킬 수 있는, 디시클로펜타디엔 구조 단위를 함유하는 특정 포화 및 불포화 폴리에스테르 수지를 사용함으로써 상기 단점들을 피한다. 또한 상기 방법의 모든 바람직한 조합을 경화에 사용할 수도 있다. 수지는 바람직하게는 무엇보다도 먼저, UV 광선에 의해 전체 표면을 경화시킨 다음 자유 라디칼을 형성함으로써 열에 반응하는 물질을 사용하여, 가열로 완전히 경화시킨다. 또 다른 중요한 방법은 예를 들어 전기 와인딩과 같은 절연 조성물을 무엇보다도 먼저, 전류 유도 열 (Jouoe heat)에 의해 부품 내부 경화시키고, 어떤 경우 약하게 경화되었을 수 있는 표면을 UV 광성을 사용하여 후가교결합시키는 것이다.
아래의 상세한 설명은 본 발명에 따라 사용되는 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물의 조성에 관한 것이다.
포함되는 폴리에스테르는 화학식 III 및(또는) IV의 폴리카르복시산-기에 바람직하게 담지-결합되는 화학식 I 및(또는) II의 구조 단위를 가지는 것들이다.
본 발명에 따라 불포화된 폴리에스테르가 사용되는 경우, 조성물의 합성에 추가로 사용될 수 있는, 화학식 V 및 VI의 DCPD와 말레산 무수물 및 물과의 부가 생성물이 아주 용이하게 생성된다.
더욱이, 화학식 VII의 디히드로디시클로펜타디에놀은 구입이 가능하며, 폴리에스테르의 합성에 사용될 수 있는데, 그에 따라서 화학식 I 및 II의 구조가 똑같이 도입될 수 있고, 포화된 폴리에스테르가 생성될 수 있다.
본 발명에 따라 사용되는 폴리에스테르 수지는 폴리에스테르 제조에서 공지된 종래 기술, 일반적으로 승온에서 다관능가 히드록시 화합물의 다관능가산 및(또는) 그들의 무수물과의 중축합에 의해 합성된다. 더욱이, 승온 상태에서 상기 물질의 에스테르로부터 출발하여 에스테르 교환 반응에 의해 폴리에스테르를 생성하는 것이 몇몇 경우에 보다 용이하고 직접 에스테르화에 비해 보다 빨리 진행되므로, 보통 유리하다. 더욱이, 다관능가 아민을 사용함으로써, 아미드 구조를 가지는 폴리에스테르를 생성하는 것이 가능하다. 예를 들어 분자량을 조절하기 위해, 일관능가의 출발 물질을 사용하는 것도 가능하다. 아래에 열거된 출발 물질들은 본 발명을 이들로 제한하려는 것이 아니라, 단지 예시를 위한 예를 제시하는 것이다.
적합한 출발 물질은 디-, 트리- 및 테트라카르복시산, 예를 들어 아디프산, 수베르산, 프탈산 이성질체, 테트라히드로프탈산, 엔도메틸렌테트라히드로프탈산, 헥사히드로프탈산, 푸마르산, 말레산, 이타콘산, 시트라콘산, 트리멜리트산, 피로멜리트산, 디올, 예를 들어 에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 부탄디올 이성질체, 헥산디올, 네오펜틸글리콜, 트리올과 폴리올, 예를 들어 트리메틸올프로판, 글리세롤, 펜타에리트리톨, 및 또한 비스페놀 A, 수소화된 비스페놀 A, OH-다관능가 중합체, 예를 들어 히드록실-개질 폴리부타디엔 또는 히드록실-담지 폴리우레탄 전중합체, 에폭시 수지, 다관능가 천연 물질 또는 그의 유도체, 예를 들어 아마인유 지방산, 이량체 및 중합체 아마인유 지방산, 피마자유 및 피마자유 지방산이다.
또한 독일 특허 제15 70 273호 및 독일 특허 제17 20 323호에 따른 아미드 및 이미드 구조를 폴리에스테르 수지에 도입하는 것도 가능하다. 그러한 폴리에스테르아미드 또는 폴리에스테르이미드는 많은 경우 순수한 폴리에스테르에 비해 열적 안정도와 관련한 특별한 요구에 더 양호하게 부합할 수 있다.
화학식 I 및 II의 구조는 중축합 과정에서 화학식 VI의 화합물에 대해 화학식 III의 산 에스테르를 사용함으로써 바람직하게 도입될 수 있다.
올리고-DCPD 혼합물은 과압하의 170 내지 300℃에서 시클로펜타디엔의 폴리시클로부가에 의한 공지의 방법으로 생성된다. 이들 혼합물은 증류로 마무리 조작하거나, 예를 들어 말레산 무수물 및 물과 직접 반응시켜 화학식 VI의 물질을 형성할 수 있다.
더욱이, 과량의 산으로 폴리에스테르를 제조한 다음 이들을 DCPD와 반응시키는 것이 가능하다. 여기서 높은 전환율은 삼불화붕소 에테레이트와 같은 촉매의 사용을 필요로 한다.
과압하의 비교적 고온에서, 올리고-DCPD 구조도 또한 이 반응에서 형성된다.
이 반응에서 폴리에스테르가 예를 들어 말레산 에스테르 또는 푸마르산 에스테르 형태로, 중합체쇄 중에 이중 결합을 함유하는 경우, 시클로펜타디엔과 그래프팅시키면 화학식 VIII의 엔도메틸렌테트라히드로프탈산 구조가 생성된다.
예를 들어, 경도, 탄성, 점도 및 연화점에 관한 특정 요구 사항들을 만족시키는, 본 발명과 관련한 폴리에스테르의 합성은 예를 들어, 경화된 폴리에스테르 수지의 탄성이 폴리올 또는 폴리카르복시산의 사슬 길이에 따라 다양할 수 있음을 인식하는 숙련자에게 익숙한 방법에 따라 수행된다. 예를 들어, 헥산디올 또는 아디프산을 사용하여 합성되는 폴리에스테르 수지는 프탈산 및 에틸렌 글리콜을 기재로한 것들보다 더 유연하다. 또한 숙련자들은 트리멜리트산 또는 트리메틸올프로판과 같은 폴리에스테르 분자중에 분지를 형성하는 다관능가 물질을 사용함으로써 특성을 조절할 수 있음을 알고 있다.
화학식 I 및 II의 기들이 실질적으로 반응성을 결정하고 일반적으로 말단기이므로, 고분자량 폴리에스테르가 합성될 경우 반응성은 점차 감소된다. 그러므로, 본 발명의 특징은 화학식 V 및 VI의 모노카르복시산과 완전히 또는 부분적으로 에스테르 반응하지만 또한 다른 물질과도 부분적으로 에테르 또는 에스테르 반응할 수 있는 일관능가 알콜, 또는 분자당 2개 이상의 히드록시기를 가지는 다관능가 히드록시 화합물을 부분적으로 사용하는 것이다. 이들 물질은 예를 들어, 저급 알콜 또는 디올의 모노에스테르의 경우에, 화학식 I 또는 II의 반응성 기를 높은 몰 농도로 2배 이상 담지한다. 따라서 그들은 반응성이 높은 가교결합제이고 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물의 단독 성분을 구성할 수 있으나, 선형이거나 낮은 수준의 분지를 함유하는 통상적인 폴리에스테르 수지의 단지 일부로서 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 특징은 본 발명에 따라 상기 한정한 융점 및 점도를 갖추게 하는 반응성 희석제로서 일부가 낮은 점도 및 아주 높은 비점의 액체인 물질을 사용한다는 것이다.
예를 들어, 본 발명에 있어서 이들 물질을 첨가함으로써, 비교적 높은 용융 점도 및 고연화점의 폴리에스테르를 사용할 수 있고, 요구되는 낮은 용융 점도 및 요구되는 저연화점을 이루는 것이 가능하다. 그러므로 이들 물질들은 신규 시스템에 알맞는 반응성 희석제임을 의미하고, 예를 들어 스티렌과 같은 공지의 에틸렌적으로 불포화된 반응성 희석제의 단점을 가지지 않는다.
예로서 언급될 수 있는 이 종류의 물질들은 화학식 V 및 VI의 물질과, 모노알콜 및 폴리 알콜, 예를 들어 부탄올, 헥사놀, 부탄디올, 헥산디올, 폴리에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르, 폴리프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨 또는 더 높은 관능가의 히드록시 화합물과의 에스테르이다. 또한 특히 중요한 것은 그러한 다관능가 히드록시 화합물의 에톡실화 및 프로폭실화 생성물의 에스테르, 및 또한 폴리에틸렌 옥시드, 폴리프로필렌 옥시드, 폴리테트라히드로푸란 및 폴리카프로락톤 형태의 폴리에스테르폴리올 및 폴리에테르폴리올이다. 후자의 물질들은 주로 저점도의 액체이다.
알콕실화제의 성질 및 알콕실화 정도를 통해서, 최종 생성물의 특성, 예컨대 경도, 친수성 및 탄성을 조절할 수 있다. 또한 그러한 폴리올은 화학식 V 및 VI의 물질과 단지 부분적으로 에스테르 반응시킬 수 있고, 별법으로 잔류 히드록실 기를 유리시키거나, 다른 물질로 그들을 에스테르화 또는 에테르화시키거나, 히드록실 기와 반응하는 다른 물질과 그들을 반응시키는 것이 가능하다. 이 목적에 적합한 물질의 예는 이소시아네이트 또는 에폭시드이다. 또한 예를 들어 피마자유와 같은 히드록실-함유 천연유도 중요하다.
이들 물질을 사용하여 조성물의 연화 온도 및 용융 점도를 갖추는 것은 신규 용도에 아주 중요하다. 이에 의해, 그리고 폴리에스테르의 DCPD 구조의 특정 반응성에 의해, 반응을 위해 촉매 준비가 되어 있고, 심지어 실온에서도 스티렌, 비닐톨루엔, α-메틸스티렌, 알릴 에스테르 및 (메트)아크릴산 에스테르와 같은 공지의 반응성 희석제를 사용하지 않고도 액체 형태로 처리될 수 있거나, 가열에 의해 특별한 사용에 적합한 점도로 조정될 수 있는 물질을 제공할 수 있다.
이 요구에 부합하는 조성물은 실온에서 고체 또는 액체이고, 강성 및(또는) 유연성이며, DIN 53180에 따른 연화점 범위가 130℃ 미만, 바람직하게는 90℃ 미만, 특히 바람직하게는 40℃ 미만이고, 점도가 100℃에서 100,000 mPas 미만, 바람직하게는 75℃에서 30,000 mPas 미만, 특히 바람직하게는 50℃에서 5000 mPas 미만이고, 점도가 1000 mPas 이하, 바람직하게는 2000 mPas 이하인 온도에서 24시간 이상 동안 점도면에서 안정한 수지이다.
본 발명에 따른 용도의 결정적인 잇점인 이들 제한치는 상기 물질들, 즉 화학식 V 및(또는) VI의 화합물과 일관능가 알콜 및 다관능가 알콜, 그의 알콕실화 생성물, 폴리에테르폴리올 및 폴리에스테르폴리올, 예를 들어 폴리에틸렌 옥시드, 폴리프로필렌 옥시드, 폴리테트라히드로푸란 및(또는) 폴리카프로락톤과의 에스테르화 생성물의 사용에 의해 이룩될 수 있다.
이들 반응성 및 점도 조절제는 별도로 제조한 다음 폴리에스테르, 촉매, 착색제, 안료, 충전제 및 다른 보조제와 혼합하여, 즉시 사용 가능하고 저장시 안정한 조성물을 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 또한 많은 경우, 화학양론비를 적절하게 조절함으로써 폴리에스테르 제조 동안에 그 자리에서 상기 반응성 및 점도 조절제를 제조하는 것도 가능하다.
더욱이, 예를 들어 스티렌과 같은 공지의 에틸렌적으로 불포화된 반응성 희석제를 미량으로 사용하는 것이 기술적으로 가능하다. 따라서, 신규 물질의 다른 양호한 특성을 보유하면서 예를 들어 스티렌의 농축 또는 방출시 법규의 제한치에 부합하도록, 저급 스티렌 조성물을 배합할 수도 있다.
본 발명에 따라 사용되는 폴리에스테르 수지는 가열시 자유 라디칼을 형성하는 물질을 첨가한 다음 열적으로 경화시킬 수도 있다. 공지의 자유 라디칼 개시제의 예로는 과산화물, 아조 화합물, 아지드 및 C-C-불안정한 물질 등이 있다. 경화 시간의 상당한 감소 또는 경화 온도의 저하는 코발트 화합물, 망간 화합물, 철 화합물, 니켈 화합물 또는 납 화합물과 같은 금속 보조개시제에 의해 가능하다. α-절단형 (노리쉬형 (Norrish type) 1) 또는 H-도너/수용체 시스템 (노리쉬형 2)의 UV 개시제의 존재하에서, 본 발명에 따라 사용되는 폴리에스테르 수지는 높은 UV 감도를 나타낸다.
H-수용체 기를 유도하는 바람직한 방식은 폴리에스테르 수지의 중축합 과정에서 축합에 의해 혼입되는 페논 화합물, 예를 들어 히드록시- 또는 비스히드록시-벤조페논 또는 벤조페논테트라카르복시산을 부분적으로 사용하는 것이다.
아래의 실시예에 나타낸 부 및 %는 다른 설명이 없는한 중량을 기준으로 한다.
<실시예 1>
디히드로디시클로펜타디에놀 317.1 g (2.1 몰)
아디프산 292.3 g (2.0 몰)
1.6-헥산디올 101.3 g (1.0 몰) 및
디부틸주석 디라우레이트 (DBTL) 0.7 g을 정량하여 가열 및 증류 장치를 갖춘 교반 플라스크에 담았다. 이 혼합물을 완만한 질소류하에서 120℃로 급속히 가열하였다. 그 다음 이 온도를 4시간에 걸쳐 190℃로 점차 상승시키고 생성된 응축수를 증류 제거하였다.
산가가 11이고 점도가 25℃에서 1540 mPas 및 50℃에서 260 mPas인 수지를 생성하였다.
<실시예 2>
디시클로펜타디엔 661.10 g (5.0 몰) 및
말레산무수물 490.30 g (5.0 몰)을 정량하여 가열 장치 및 환류 응축기를 갖춘 교반 플라스크에 담았다. 이 혼합물을 완만한 질소류하에서 125℃로 가열한 다음, 물 95.00 g (5.0 몰 + 5 g)을 1시간에 걸쳐 적가 깔대기로부터 첨가하였다. 반응을 125℃에서 1시간 동안 계속하였다. 화학식 V의 모노카르복시산을 형성하였다. 플라스크의 내용물을 70℃로 냉각시킨 다음,
말레산무수물 245.15 g (2.5 몰)
1,6-헥산디올 557.15 g (5.5 몰)
디부틸주석 디라우레이트 (DBTL) 4.00 g 및
히드로퀴논 0.50 g을 첨가하였다. 혼합물을 완만한 질소류하에서 120℃로 급히 가열하였다. 그 다음 온도를 6시간 동안 190℃로 점차 상승시키고 생성된 응축수를 증류 제거하였다.
산가가 18이고 점도가 50℃에서 7840 mPas 및 75℃에서 2016 mPas인 고점성 수지를 생성하였다.
<실시예 3>
디시클로펜타디엔 1586.52 g (12.0 몰) 및
말레산무수물 1176.72 g (12.0 몰)을 정량하여 가열 장치 및 환류 응축기를 갖춘 교반 플라스크에 담았다. 이 혼합물을 완만한 질소류하에서 125℃로 가열한 다음, 물 226.00 g (12.0 몰 + 10 g)을 1시간에 걸쳐 적가 깔대기로부터 첨가하였다. 반응을 125℃에서 1시간 동안 계속하였다. 화학식 V의 모노카르복시산을 형성하였다.
플라스크의 내용물을 70℃로 냉각시킨 다음,
1,6-헥산디올 715.00 g (6.05 몰)
디부틸주석 디라우레이트 (DBTL) 4.00 g 및
히드로퀴논 0.50 g을 첨가하였다. 혼합물을 완만한 질소류하에서 120℃로 급히 가열하였다. 그 다음 온도를 6시간 동안 190℃로 점차 상승시키고 생성된 응축수를 증류 제거하였다.
산가가 24이고 점도가 50℃에서 3650 mPas 및 75℃에서 944 mPas인 유동성 수지를 생성하였다.
<실시예 4>
디시클로펜타디엔 661.10 g (5.0 몰) 및
말레산무수물 490.30 g (5.0 몰)을 정량하여 가열 장치 및 환류 응축기를 갖춘 교반 플라스크에 담았다. 이 혼합물을 완만한 질소류하에서 125℃로 가열한 다음, 물 95.00 g (5.0 몰 + 5 g)을 1시간에 걸쳐 적가 깔대기로부터 첨가하였다. 반응을 125℃에서 1시간 동안 계속하였다. 화학식 V의 모노카르복시산을 형성하였다.
플라스크의 내용물을 70℃로 냉각시킨 다음,
TP 200 1859 g (5.5 몰-OH 당량)
(TP 200은 1 몰의 트리메틸올프로판 및 20 몰의 에틸렌 옥시드의 에톡실화 생성물임)
디부틸주석 디라우레이트 (DBTL) 3.00 g 및
히드로퀴논 0.30 g을 첨가하였다. 혼합물을 완만한 질소류하에서 120℃로 급히 가열하였다. 그 다음 온도를 6시간 동안 190℃로 점차 상승시키고 생성된 응축수를 증류 제거하였다. 산가가 21이고 점도가 25℃에서 9340 mPas 및 75℃에서 1560 mPas인 고점성의 액체 수지를 생성하였다.
<실시예 5>
디시클로펜타디엔 661.10 g (5.0 몰) 및
말레산무수물 490.30 g (5.0 몰)을 정량하여 가열 장치 및 환류 응축기를 갖춘 교반 플라스크에 담았다. 이 혼합물을 완만한 질소류하에서 125℃로 가열한 다음, 물 95.00 g (5.0 몰 + 5 g)을 1시간에 걸쳐 적가 깔대기로부터 첨가하였다. 반응을 125℃에서 1시간 동안 계속하였다. 화학식 V의 모노카르복시산을 형성하였다.
플라스크의 내용물을 70℃로 냉각시킨 다음,
디에틸렌 글리콜모노에틸 에테르 683.40 g (5.1 몰)
디부틸주석 디라우레이트 (DBTL) 4.00 g
히드로퀴논 0.50 g을 첨가하였다. 혼합물을 완만한 질소류하에서 120℃로 급히 가열하였다. 그 다음 온도를 6시간 동안 190℃로 점차 상승시키고 생성된 응축수를 증류 제거하였다.
산가가 32이고 점도가 25℃에서 290 mPas 및 50℃에서 134 mPas인 저점도 물질을 생성하였다.
실시예 1 내지 5의 생성물로 경화도를 시험하였다.
실시예 1 내지 4에서 제조한 생성물을 훨씬 천천히 교반하면서 40℃로 가열하고 실시예 5에서 얻은 생성물을 70:30의 비로 혼합하였다. 그 다음 총 중량을 기준으로, 4%의 t-부틸 과벤조산염 및 3%의 벤조페논을 첨가하였다.
이들 혼합물들은 실온에서 쉽게 흐르고 40℃에서 아래의 점도를 가진다.
실시예 1 + 실시예 5 : 480 mPas
실시예 2 + 실시예 5 : 2090 mPas
실시예 3 + 실시예 5 : 1160 mPas
실시예 4 + 실시예 5 : 880 mPas
그 다음 이들 혼합물들을 각각 둘레가 높고 깊이가 약 2 cm인 금속 쟁반에 담았다. 그 다음 쟁반을 50℃의 고온 플레이트 상에서 중압 수은 전구를 사용하여 60초간 80 mW/cm2의 에너지로 조사하여 주요 조성물이 여전히 액체 상태인 두께 약 0.5 mm 이하의 약간 끈적한 껍질을 형성하였다. 그 다음 쟁반을 4시간 동안 오븐에서 140℃로 열처리하였다. 냉각시킨 후, 경화를 통해 성형체를 나타내는 수지 블록을 생성하였다.
촉매화되고, 즉시 사용할 수 있는 혼합물의 시료를 48시간 동안 40℃에서 저장하였다. 그 후, 그들의 점도 또는 그들의 경화성 중 어느 것도 변하지 않은 것으로 밝혀졌다.
혼합물의 추가 시료를 4%의 메틸 이소부틸 케톤 퍼옥시드, 2%의 코발트 옥토에이트 (톨루엔 중의 1% 농도) 및 3%의 벤조페논과 혼합하였다. 이들 혼합물을 각각 둘레가 높고 깊이가 약 2 cm인 금속 쟁반에 담았다. 쟁반을 실온에서 중압 수은 전구를 사용하여, 60초 동안 80 mW/cm2로 조사하여 주요 물질이 여전히 액체인 두께 약 0.5 mm 이하의 약간 끈적한 껍질을 형성하였다. 그 다음 쟁반을 실온 (약 25℃)에서 저장하였다. 24시간 후, 경화를 통해 성형체를 보이는 수지 블록을 생성하였다. 혼합물의 비조사 잔류물은 48시간 후에 경화되었다. 이들 실험들은 신규 물질의 저온 경화 가능성을 예시한다.

Claims (16)

  1. 폴리에스테르 수지가 화학식 I 및(또는) II의 구조 단위를 함유하는, 단량체가 없고 불포화 또는 포화된 폴리에스테르 수지 또는 포화 및 불포화된 폴리에스테르 수지 혼합물의, 전기 및 전자 부품용 및 시트형 절연재의 지지체 재료용 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물으로서의 용도.
    <화학식 I>
    <화학식 II>
    상기 식에서, n은 1 내지 10이다.
  2. 제1항에 있어서, 화학식 I 및(또는) II의 구조 단위가 화학식 III의 기를 포함하는, 디히드로디시클로펜타디에놀과 단량체 또는 중합체 카르복시산과의 에스테르 형태 및(또는) 화학식 IV의 기를 포함하는, 올리고디히드로디시클로펜타디에놀과 단량체 또는 중합체 카르복시산과의 에스테르 형태로 혼입된 것인 용도.
    <화학식 III>
    <화학식 IV>
    상기 식에서, n은 1 내지 10이다.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 화학식 I 및(또는) II의 구조 단위가 화학식 V 및(또는) VI의 화합물을 사용함으로써 도입되는 것인 용도.
    <화학식 V>
    <화학식 VI>
    상기 식에서, n은 1 내지 10이다.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리에스테르가 에톡실화되거나 프로폭실화된 알콜 및 폴리올을 사용하여 합성되는 것인 용도.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리에스테르가 폴리에스테르폴리올 또는 폴리에테르폴리올형의 일관능가 또는 다관능가 알콜을 사용하여 합성되는 것인 용도.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 에틸렌적으로 불포화된 구조 단위가 폴리에스테르의 합성에 사용되는 것인 용도.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물이 크산톤, 티오크산톤 및(또는) 페논 구조를 함유하는 화학적으로 결합된 광개시제를 포함하는 것인 용도.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 축합에 의해 폴리에스테르 수지로 혼입되는 화학적으로 결합된 광개시제가 히드록시벤조페논 및(또는) 벤조페논테트라카르복시산인 용도.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물이 가능한한 가장 먼저 나중에 경화를 완료하기 전의 부분적으로 경화된 B-단계에 이르기까지, 반응 촉진 보조개시제의 존재 또는 부재하에 실온 또는 승온상태에서 과산화물에 의해 경화되는 것인 용도.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물이 화학선 조사, 조성물 중에서 화학적으로 결합되거나 조성물에 첨가될 필요가 있는 광개시제, 또는 그 밖의 화학적으로 결합되고 첨가된 광개시제의 사용에 의해 경화되는 것인 용도.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 V 및(또는) VI의 화합물과 일관능가 알콜, 다관능가 알콜, 그의 알콕실화 생성물, 폴리에테르폴리올 또는 폴리에스테르폴리올과의 에스테르화 생성물이 또한 사용되는 것인 용도.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물이 실온에서 액체이거나 DIN 53180에 따른 연화점 범위가 130℃ 미만, 100℃에서 점도가 100,000 mPas 미만이고, 동시에 점도가 10,000 mPas 이하인 온도에서 24시간 이상 동안 점도면에서 안정한 것인 용도.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 화학선 조사에 의한 경화 및 과산화물 또는 C-C-불안정한 물질에 의한 경화가 병용된 것인 용도.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 V 및(또는) VI의 화합물과 일관능가 이미도-함유 알콜 또는 산 및(또는) 다관능가 이미도-함유 알콜 또는 산 및(또는) 이미도-함유 히드록시산과의 에스테르화 생성물이 포함되는 것인 용도.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 함침, 캐스팅 및 코팅 조성물의 점도를 감소시키기 위해, 이들을 도포시 가열하거나, 고체인 경우, 용융시키는 것인 용도.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 미량의 올레핀적으로 불포화된 반응성 희석액을 포함하는 것인 용도.
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