KR19990071827A - 탄성 표면파를 사용하여 동작하는 전자 소자 - Google Patents
탄성 표면파를 사용하여 동작하는 전자 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990071827A KR19990071827A KR1019980704108A KR19980704108A KR19990071827A KR 19990071827 A KR19990071827 A KR 19990071827A KR 1019980704108 A KR1019980704108 A KR 1019980704108A KR 19980704108 A KR19980704108 A KR 19980704108A KR 19990071827 A KR19990071827 A KR 19990071827A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metallization region
- cover
- region
- sheet metal
- pad
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
전기적 구조물(3)을 가지는 SW 소자는 캡 형상의 커버(2)로 외부 환경으로부터 밀봉되며, 도전성 구조물(3)의 본딩 패드의 커버(2)내 윈도우(7)내의 금속화된 영역(4) 및 커버(2) 상부의 땜납 가능한 금속화 영역(6)이 존재하며, 상기 금속화 영역(6)은 관통 홀(5)을 통해 PAD 금속화 영역(4)에 접속된다.
Description
기판 상의 소자 구조물을 밀봉하는 캡을 사용하여 전자 소자를 위한 캡슐화는 종래의 독일 특허 출원 제 P 44 12 411.9호에 개시되어 있으며, 상기 캡슐화의 경우에 상기 캡은 기판 상에 제공된 커버로 형성되며, 소자 구조물의 영역에서는 이들을 수용하기 위한 오목부가 제공된다. 이같은 캡슐화는 소자 구조물을 주변 환경으로부터 보호하므로, 이같은 방식으로 캡슐화된 전자 소자는 어떠한 추가의 케이스 작업을 필요하지 않고 직접적으로 사용될 수 있다.
소형화가 증가하는 추세에 따라, 최소의 케이스 체적를 가지고 낮은 물리적 높이를 가지는 소자를 제공하는 것이 필요하게 되었다. 예를 들어 전화 카드 또는 신용 카드와 같은 스마트 카드에 전자 소자가 사용될 경우에, 이같은 요구가 증가한다. 앞서 언급한 종래의 독일 특허 출원에 따른 캡슐화가 수행된 소자는 최적의 방식으로 이러한 요구를 만족시킨다.
본 발명은 SMD 장착에 적합한 방법에 따른 타입의 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
초기에 언급된 타입의 소자의 경우, 상기 목적은 본 발명에 따라 특허 청구항 제 1 항의 특징부, 즉 금속화 영역(4)은 윈도우(7)내에 할당된 전기적 도전성 구조물(3)의 접속 표면-패드- 상부의 상기 커버(20)내 윈도우(7)내에 제공되고 상기 금속화 영역은 이러한 윈도우(7)내에 위치되고 땜납될 수 있는 금속화 영역(6)이 상기 커버(2)에 제공되며, 상기 땜납될 수 있는 금속화 영역(6)은 판금된 관통 홀(5)을 통해 상기 패드 금속화 영역(4)에 접속되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 SMD 장착 기술에 적합한 콘택을 가지고 각각 기판(1)상에 제공된 전기적으로 도전성의 구조물(3)은 캡 형식의 커버(2)에 의해 주변 환경으로부터 밀봉 방식으로 캡슐화되는, 탄성 표면파를 사용하여 동작하는 전자 소자에 의해 달성된다.
본 발명의 개선점들은 종속항에 개시된다.
본 발명의 상기 기술들은 도면을 참조한 아래와 같은 상세한 설명을 고려하여 쉽게 이해될 수 있다.
본 발명은 특허 청구항 제 1 항의 전제부에 따른 전자 소자에 관한 것이며, 특히, 탄성 표면파를 사용하여 동작하는 소자-SAW 소자-에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따르고 SMD 장착에 적합한 SAW 소자를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 도 1에 따른 소자를 개략적으로 도시한 부분 평면도.
도 1에 따라, 일반적으로 SAW 소자는 압전 기판(1)과 상기 압전 기판의 상부에 제공된 도전성 구조물(3)을 포함하며, 상기 도전성 구조물(3)은 예를 들어 인터디지털 컨버터, 공진기 또는 반사기의 전극 핑거가 될 수 있다. 앞서 언급된 종래의 독일 특허 출원에서 개시된 바와 같이, 전기적 도전성의 구조물(3)은 캡(2)으로 커버되고, 상기 캡(2)은 상기 구조물을 주변 환경으로부터 보호한다. 상기 소자는 커버(2) 및 기판(1)을 가지고 "케이싱"으로 직접적으로 재사용될 수 있다.
본 발명에 따라, SMD 장착에 적합한 콘택이 제공되어 도전 기판(3)과 전기적 접촉을 형성한다. 도 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 윈도우(7)가 커버(2)에 제공되고 상기 윈도우(7)에서는 도전성 구조물(3)의 접속 표면과의 콘택내에 존재하는 금속화 영역(4)-패드-이 위치된다. 게다가, SMD 장착에 적합하고 땜납된 금속화 영역(6)이 상기 커버(2)에 제공되며, 판금된 관통 홀(5)을 통해 패드 금속화 영역(4)에 접속된다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 패드 금속화 영역(4), 판금된 관통 홀(5)과, 상기 커버(2) 상에 땜납될 수 있는 금속화 영역(6)은 동일한 물질로 구성되며, 이에 따라 유용하고 비싸지 않게 제작된다.
적어도 상기 커버(2)상에 땜납될 수 있는 금속화 영역(6)은 티타늄, 텅스텐, 니켈 및 금의 순차적 물질 층으로 형성될 수 있으며, 상기 티타늄 및 텅스텐은 상기 커버에 대한 부착력을 보장하며, 니켈은 땜납 능력을 보장하고, 금은 산화 방지를 보장한다. 티타늄과 텅스텐의 층 두께는 0.1㎛ 미만이 바람직하고, 니켈의 두께는 약 0.1㎛이며, 금의 두께는 약 0.1㎛이다.
특히 비용 효율적인 변형이 TiW, Cu 또는 Ni 및 Au의 순차적 물질 층의 기상 증착에 의해 달성되며, 상기 층의 전체 두께는 10㎛ 미만이고, 바람직하게는 0.3㎛와 동일하며, 이러한 층은 펄스식 레이저 방사 및 Cu를 사용한 비전기적 보강에 의해 구조화된다. 상기 판금된 관통 홀(5)도 역시 동시에 제조된다. 마지막으로, Au는 패시베이션을 위해 0.1㎛의 두께로 증착된다.
상기 판금된 관통 홀(5)이 여러 소자 시스템을 포함하는 기판 웨이퍼 상에 형성되기 때문에, 상기 관통 홀들은 판금된 관통홀의 일부가 하나의 소자 시스템에 각각 할당되도록, 즉 하나의 판금된 관통 홀이 두 개의 소자 시스템을 위해 충분하도록 위치될 수 있다.
유사하게, 신뢰성은 리던던시 방식으로 판금된 관통 홀을 설계하므로써, 즉 하나의 패드에 두개의 판금된 관통홀을 할당시키므로써, 향상될 수 있다.
본 발명은 바람직한 실시예를 참조하여 도시되고 기술되고, 다양한 형태의 변화 및 변형이 첨부된 청구범위에 의해 한정된 바와같은 본 발명의 정신 및 범위로부터 벗어나지 않고 이루어진다는 것이 당업자에게 이해된다.
Claims (10)
- SMD 장착 기술에 적합한 콘택을 가지고 각각 기판(1)상에 제공된 전기적으로 도전성의 구조물(3)은 캡 형식의 커버(2)에 의해 주변 환경으로부터 밀봉 방식으로 캡슐화되는, 탄성 표면파를 사용하여 동작하는 전자 소자-SAW 소자-에 있어서,금속화 영역(4)은 윈도우(7)내에 할당된 전기적 도전성 구조물(3)의 접속 표면-패드- 상부의 상기 커버(20)내 윈도우(7)내에 제공되고 상기 금속화 영역은 이러한 윈도우(7)내에 위치되고 땜납될 수 있는 금속화 영역(6)이 상기 커버(2)에 제공되며,상기 땜납될 수 있는 금속화 영역(6)은 판금된 관통 홀(5)을 통해 상기 패드 금속화 영역(4)에 접속되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 패드 금속화 영역(4), 상기 판금된 관통 홀(5) 및 상기 커버 상에 땜납 될 수 있는 금속화 영역(6)은 동일한 물질로 형성되는 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 1 항에 있어서, 적어도 상기 커버(2)상에 땜납될 수 있는 상기 금속화 영역(6)은 티타늄, 텅스텐, 니켈 및 금의 순차적 물질 층에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 3 항에 있어서, 상기 티타늄 및 텅스텐은 < 0.1㎛의 층 두께를 가지며, 상기 니켈은 약 1㎛의 층 두께를 가지고 상기 금은 약 0.1㎛의 층 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 전자 소자를 제조하기 위한 방법에 있어서,금속화 영역(6)은 TiW, Cu 또는 Ni 및 금의 순차적 층을 기상 증착하고 펄스식 레이저 방사 및 Cu를 사용한 비전기적 보강에 의해 구조화되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 순차적 층은 총 0.1㎛의 층 두께를 가지고 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 순차적 층에 0.1㎛의 두께를 가지고 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 0.1㎛의 두께를 가지는 금은 상기 순차적 층 상부에 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 판금된 관통 홀(5)에 상기 금속화 영역(6)이 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 5 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 각 패드(3)는 적어도 두개의 판금된 관통 홀(5)에 할당되는 것을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19548048A DE19548048C2 (de) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement (OFW-Bauelement) |
| DE19548048.1 | 1995-12-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990071827A true KR19990071827A (ko) | 1999-09-27 |
| KR100456932B1 KR100456932B1 (ko) | 2005-01-15 |
Family
ID=7780958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0704108A KR100456932B1 (ko) | 1995-12-21 | 1996-12-16 | 탄성표면파를사용하여동작하는전자소자 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6310420B1 (ko) |
| EP (1) | EP0868779B1 (ko) |
| JP (1) | JP4060360B2 (ko) |
| KR (1) | KR100456932B1 (ko) |
| CN (1) | CN1171322C (ko) |
| CA (1) | CA2241147A1 (ko) |
| DE (2) | DE19548048C2 (ko) |
| WO (1) | WO1997023952A1 (ko) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6242842B1 (en) * | 1996-12-16 | 2001-06-05 | Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg | Electrical component, in particular saw component operating with surface acoustic waves, and a method for its production |
| DE19818824B4 (de) | 1998-04-27 | 2008-07-31 | Epcos Ag | Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP3974346B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-09-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
| DE10125746C1 (de) * | 2001-05-21 | 2003-02-06 | Siemens Ag | Verfahren zur Abschirmung einer auf einer Leiterplatte realisierten elektrischen Schaltung und eine entsprechende Kombination einer Leiterplatte mit einer Abschirmung |
| US6930364B2 (en) * | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
| KR100446258B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2004-09-01 | 쌍신전자통신주식회사 | 압전단결정을 이용한 고주파 체적음향파소자 및 그 제조방법 |
| US6846423B1 (en) | 2002-08-28 | 2005-01-25 | Silicon Light Machines Corporation | Wafer-level seal for non-silicon-based devices |
| AU2003243451A1 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-19 | Silicon Light Machines Corporation | Wafer-level seal for non-silicon-based devices |
| US6877209B1 (en) * | 2002-08-28 | 2005-04-12 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for sealing an active area of a surface acoustic wave device on a wafer |
| DE10329329B4 (de) * | 2003-06-30 | 2005-08-18 | Siemens Ag | Hochfrequenz-Gehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US7608789B2 (en) * | 2004-08-12 | 2009-10-27 | Epcos Ag | Component arrangement provided with a carrier substrate |
| DE102005008512B4 (de) | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
| DE102005008511B4 (de) | 2005-02-24 | 2019-09-12 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon |
| DE102005053767B4 (de) | 2005-11-10 | 2014-10-30 | Epcos Ag | MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau |
| DE102005053765B4 (de) | 2005-11-10 | 2016-04-14 | Epcos Ag | MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung |
| US7551819B2 (en) * | 2006-03-02 | 2009-06-23 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Multiple-core photonic-bandgap fiber with coupling between the cores |
| JP5807413B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2015-11-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス用パッケージ、電子デバイスおよび電子機器 |
| DE102013106353B4 (de) * | 2013-06-18 | 2018-06-28 | Tdk Corporation | Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement |
| JP2021016035A (ja) * | 2019-07-10 | 2021-02-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5478693A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-22 | Matsushima Kogyo Co Ltd | Crystal vibrator |
| DE3138743A1 (de) * | 1981-09-29 | 1983-04-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | In einem dichten gehaeuse montiertes oberflaechenwellenfilter und dergleichen |
| US4639631A (en) | 1985-07-01 | 1987-01-27 | Motorola, Inc. | Electrostatically sealed piezoelectric device |
| JPS62109420A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JPH01213018A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-25 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイスの構造 |
| US5438305A (en) * | 1991-08-12 | 1995-08-01 | Hitachi, Ltd. | High frequency module including a flexible substrate |
| JPH0590872A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
| KR100648751B1 (ko) * | 1994-05-02 | 2007-03-02 | 지멘스 마츠시타 컴포넌츠 게엠베하 운트 콤파니 카게 | 전자부품용밀봉장치 |
| US5939817A (en) * | 1994-09-22 | 1999-08-17 | Nippon Electric Co | Surface acoustic wave device |
| JP2872056B2 (ja) * | 1994-12-06 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| JP3301262B2 (ja) * | 1995-03-28 | 2002-07-15 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
| DE69718693T2 (de) * | 1996-03-08 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elektronisches Bauteil und Herstellungsverfahren |
-
1995
- 1995-12-21 DE DE19548048A patent/DE19548048C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-16 CA CA002241147A patent/CA2241147A1/en not_active Abandoned
- 1996-12-16 DE DE59605263T patent/DE59605263D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-16 WO PCT/DE1996/002411 patent/WO1997023952A1/de active IP Right Grant
- 1996-12-16 JP JP52321197A patent/JP4060360B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-16 CN CNB961991585A patent/CN1171322C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-16 EP EP96946195A patent/EP0868779B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-16 KR KR10-1998-0704108A patent/KR100456932B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-06-22 US US09/103,158 patent/US6310420B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0868779A1 (de) | 1998-10-07 |
| DE19548048C2 (de) | 1998-01-15 |
| WO1997023952A1 (de) | 1997-07-03 |
| DE59605263D1 (de) | 2000-06-21 |
| CN1205808A (zh) | 1999-01-20 |
| JP2000502237A (ja) | 2000-02-22 |
| DE19548048A1 (de) | 1997-06-26 |
| CN1171322C (zh) | 2004-10-13 |
| KR100456932B1 (ko) | 2005-01-15 |
| JP4060360B2 (ja) | 2008-03-12 |
| US6310420B1 (en) | 2001-10-30 |
| CA2241147A1 (en) | 1997-07-03 |
| EP0868779B1 (de) | 2000-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6449828B2 (en) | Method of producing a surface acoustic wave component | |
| KR19990071827A (ko) | 탄성 표면파를 사용하여 동작하는 전자 소자 | |
| EP0485151B1 (en) | Surface acoustic wave device | |
| KR100445569B1 (ko) | 플립-칩어셈블리에적합한전기소자의콘택을제조하기위한방법 | |
| US20040026361A1 (en) | Surface acoustic wave device its manufacturing method and electronic circuit device | |
| US20040237299A1 (en) | Method for hermetically encapsulating a component | |
| KR20010042990A (ko) | 전자 부품 | |
| KR20010067344A (ko) | 전자 부품 및 그 조립 방법 | |
| KR20010020699A (ko) | 전자 부품 | |
| KR100563852B1 (ko) | 전자 부품, 특히 표면 음파로 작동하는 부품 | |
| KR20020070378A (ko) | 전자 장치, 이 전자 장치를 포함하는 반도체 장치와 이반도체 장치의 제조 방법 | |
| EP0878905B1 (en) | Surface acoustic wave element having a bump electrode and surface acoustic wave device comprising the same | |
| GB2297424A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPH08274575A (ja) | 素子複合搭載回路基板 | |
| JP3268581B2 (ja) | 電子部品、特に弾性表面波により作動する部品―ｓａｗ部品並びにその製造方法 | |
| US11621693B2 (en) | Acoustic wave device | |
| JP3372065B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH0817966A (ja) | 半導体パッケージおよび回路装置 | |
| JPH07312396A (ja) | 半導体装置及びそれに用いるシールカバー | |
| JPH1174393A (ja) | 電子部品収納用パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121023 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131025 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141030 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151026 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161027 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Expiration of term |