CN1171322C - 电子器件、尤其是以声表面波工作的ofw器件及其制造方法 - Google Patents
电子器件、尤其是以声表面波工作的ofw器件及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1171322C CN1171322C CNB961991585A CN96199158A CN1171322C CN 1171322 C CN1171322 C CN 1171322C CN B961991585 A CNB961991585 A CN B961991585A CN 96199158 A CN96199158 A CN 96199158A CN 1171322 C CN1171322 C CN 1171322C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cover plate
- weld metal
- hole
- metal zone
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
电子器件,具有适于表面装配器件装配的触点,盖帽形的盖板(2)气密地封闭设置在压电的基片(1)上的导电结构(3),盖板(2)具有窗口(7),导电结构的连接面位于窗口(7)中,盖板(2)上设置有可焊接金属区域(6),在盖板(2)上的窗口(7)中设有通孔(5),通孔(5)使导电的连接面与可焊接金属区域(6)导电地连接。本发明还公开了制作这种电子器件的方法。
Description
技术领域
上述发明涉及一电子器件,尤其是以声表面波工作的OFW器件及其制造方法。
背景技术
先有的德国专利申请WO 95/30276中描述了具有一个盖帽的用于电子器件的外罩,该盖帽用于封装衬底上的器件结构,在此该盖帽通过位于基体上的盖板形成,该盖板在器件结构的范围内具有用于接收的凹槽。这类外罩保护了该器件结构免受外界环境的影响,以使此类的封装的电子器件在没有其它外壳的情况下能够直接继续使用。
US-A-4639631公开了一种SMD型的OFW器件,其中,该压电的基体借助于导电的环氧树脂设在支撑板上,并且以密封方式设在支撑板上的盖帽位于基体之上。在此情况下在压电基体上的具有电启动结构的电接触通过导电环氧树脂、盖帽和支撑板上的通孔和盖帽和支撑板的外侧的金属区域。
此器件的三部分-支撑板、压电基体和盖帽-的结构是非常复杂的。另外,此器件不能以一种合理的费用进行批量生产。
为了提高小型化,目标就是生产占用最小外壳空间的器件并且其具有一低的物理高度。例如当电子器件用在智能卡,比如电话卡或信用卡中时这种要求增高。根据上述的PCT申请中的具有外罩的器件能以一有利的方式满足这些要求。
发明内容
上述发明的任务在于,给出所述技术中的器件,其适合于SMD安装和批量生产。
根据本发明的一个方面,电子器件,具有适于表面装配器件装配的触点,盖帽形的盖板气密地封闭设置在压电基体上的导电结构,盖板具有窗口,导电结构的连接面位于窗口中,盖板上设置有可焊接金属区域,在盖板上的窗口中设有通孔,通孔使导电的连接面与可焊接金属区域导电地连接。
根据本发明的另一个方面,用于制作所述的电子元件的方法,
将导电结构配置在压电基体上,为了防止外界环境对导电结构的影响,该导电结构通过盖帽形的盖板被封闭,在盖板上设置窗口,衬垫-金属区域位于窗口中,在盖板上设置可焊接金属区域,可焊接金属区域借助通孔与衬垫-金属区域连接,至少可焊接金属区域通过蒸发渗镀层序列TiW、Ni和金被生成,该层序列通过脉冲式的激光辐射和用铜的无电流加厚被生成。
本发明有利的其它改进位于后文中。
附图说明
下面借助实施例按照附图详细解释本发明。
图1为本发明的适用于SMD安装的OFW器件的示意性描述,
图2为图1的器件俯视时的示意性部分描述。
具体实施方式
参照图1,OFW器件一般由压电基体1和其上的导电结构3组成,此导电结构3例如可以是叉指换能器的电极指、谐振器或反射器。类似于开头所述的先有德国专利申请中所述的,该导电结构3通过盖帽2覆盖,其保护了该结构免受外界环境影响。该器件与盖板2和基体1作为“外壳”是可以直接使用的。
根据本发明的适用于SWD安装的触点含有用于电接触的导电结构3。按照图1,在盖板2中含有窗口7,在其底部存在衬垫-金属区域4,其与一个导电结构3的未示出的连接平面保持接触。另外,在盖板2上含有一个用于SMD安装的可焊接金属区域6,其通过通孔5与衬垫-金属区域4相连。
在本发明的改进中,衬垫-金属区域4、通孔5和可焊接金属区域6建立在由相同材料构成的盖板2上,以此达到了有效的费用降低。
盖板2上的可焊接金属区域6至少可以由金属层序列钛-钨、镍、金构成,其中钛-钨保证了盖板2上的附着量,镍保证了焊接性并且金保证了氧化性保护。钛-钨的层厚度最好小于0.1μm,镍大约1μm厚而金大约0.1μm厚。
一个特别经济的变型可以由TiW、Cu或Ni和Au的层序列以蒸发渗镀构成,它们的总厚度小于10μm,优选等于0.3μm,在一个优选的实施例中,该层序列厚度小于0.1μm。这些层的结构通过脉冲式的激光辐射和用铜的无电流的强化而构成,以此产生通孔5。最后为了钝化,可以渗镀0.1μm厚度的Au。
因为通孔5产生在含有许多器件系统的基体平板上,所以它们能够如此定位以使通孔的一部分分别设到一个器件系统,也就是说,一个通孔满足于两个器件系统。
同样的,该可靠性能够以另外的方式设计该通孔而得以提高,也就是说两个通孔位于一个衬垫上。
Claims (11)
1.电子器件,具有适于表面装配器件装配的触点,盖帽形的盖板(2)气密地封闭设置在压电基体(1)上的导电结构(3),盖板(2)具有窗口(7),导电结构的连接面位于窗口(7)中,盖板(2)上设置有可焊接金属区域(6),在盖板(2)上的窗口(7)中设有通孔(5),通孔(5)使导电的连接面与可焊接金属区域(6)导电地连接。
2.如权利要求1的电子器件,其特征在于,所述窗口(7)的底部有衬垫-金属区域(4),位于盖板(2)上的衬垫-金属区域(4)、通孔(5)和可焊接金属区域(6)是由相同材料构成的。
3.如权利要求1或2的电子器件,其特征在于,该盖板(2)上的可焊接金属区域(6)至少是由金属层序列TiW、Ni、Au组成。
4.如权利要求3的电子器件,其特征在于,TiW层的厚度小于0.1μm,镍层厚度为1μm而金层厚度为0.1μm。
5.用于制作权利要求1所述的电子器件的方法,
将导电结构(3)配置在压电基体(1)上,为了防止外界环境对导电结构(3)影响,该导电结构(3)通过盖帽形的盖板(2)被封闭,在盖板上设置窗口(7),衬垫-金属区域位于窗口(7)中,在盖板(2)上设置可焊接金属区域(6),可焊接金属区域(6)借助通孔(5)与衬垫-金属区域(4)连接,至少可焊接金属区域(6)通过蒸发渗镀层序列TiW、Ni和金被生成,该层序列通过脉冲式的激光辐射和用铜的无电流加厚被生成。
6.如权利要求5的方法,其特征在于,该层序列的总厚度小于10μm。
7.如权利要求5的方法,其特征在于,该层序列厚度小于0.1μm。
8.如权利要求5到6之一的方法,其特征在于,在该层序列上覆盖有0.1μm厚度的金。
9.如权利要求5的方法,其特征在于,通过该可焊接金属区域(6)产生通孔(5)。
10.如权利要求9的方法,其特征在于,每一个衬垫-金属区域(4)配有至少两个通孔(5)。
11.如权利要求5的方法,其特征在于,窗口(7)及其通孔(5)连同衬垫-金属区域(4)和可焊接金属区域(6)在一个包括许多个器件系统基体上被建立并被如此地定位,使得一个通孔(5)分别配属于两个器件系统。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19548048.1 | 1995-12-21 | ||
DE19548048A DE19548048C2 (de) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement (OFW-Bauelement) |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1205808A CN1205808A (zh) | 1999-01-20 |
CN1171322C true CN1171322C (zh) | 2004-10-13 |
Family
ID=7780958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB961991585A Expired - Lifetime CN1171322C (zh) | 1995-12-21 | 1996-12-16 | 电子器件、尤其是以声表面波工作的ofw器件及其制造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6310420B1 (zh) |
EP (1) | EP0868779B1 (zh) |
JP (1) | JP4060360B2 (zh) |
KR (1) | KR100456932B1 (zh) |
CN (1) | CN1171322C (zh) |
CA (1) | CA2241147A1 (zh) |
DE (2) | DE19548048C2 (zh) |
WO (1) | WO1997023952A1 (zh) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6242842B1 (en) * | 1996-12-16 | 2001-06-05 | Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg | Electrical component, in particular saw component operating with surface acoustic waves, and a method for its production |
DE19818824B4 (de) * | 1998-04-27 | 2008-07-31 | Epcos Ag | Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP3974346B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-09-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
DE10125746C1 (de) * | 2001-05-21 | 2003-02-06 | Siemens Ag | Verfahren zur Abschirmung einer auf einer Leiterplatte realisierten elektrischen Schaltung und eine entsprechende Kombination einer Leiterplatte mit einer Abschirmung |
US6930364B2 (en) * | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
KR100446258B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2004-09-01 | 쌍신전자통신주식회사 | 압전단결정을 이용한 고주파 체적음향파소자 및 그 제조방법 |
US6846423B1 (en) | 2002-08-28 | 2005-01-25 | Silicon Light Machines Corporation | Wafer-level seal for non-silicon-based devices |
KR20050044799A (ko) * | 2002-08-28 | 2005-05-12 | 실리콘 라이트 머신즈 코포레이션 | 비실리콘계 소자용 웨이퍼 레벨의 시일 |
US6877209B1 (en) * | 2002-08-28 | 2005-04-12 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for sealing an active area of a surface acoustic wave device on a wafer |
DE10329329B4 (de) * | 2003-06-30 | 2005-08-18 | Siemens Ag | Hochfrequenz-Gehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung |
US7608789B2 (en) * | 2004-08-12 | 2009-10-27 | Epcos Ag | Component arrangement provided with a carrier substrate |
DE102005008511B4 (de) | 2005-02-24 | 2019-09-12 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon |
DE102005008512B4 (de) | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
DE102005053765B4 (de) | 2005-11-10 | 2016-04-14 | Epcos Ag | MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung |
DE102005053767B4 (de) | 2005-11-10 | 2014-10-30 | Epcos Ag | MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau |
US7551819B2 (en) * | 2006-03-02 | 2009-06-23 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Multiple-core photonic-bandgap fiber with coupling between the cores |
JP5807413B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2015-11-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス用パッケージ、電子デバイスおよび電子機器 |
DE102013106353B4 (de) * | 2013-06-18 | 2018-06-28 | Tdk Corporation | Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement |
JP2021016035A (ja) * | 2019-07-10 | 2021-02-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5478694A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-22 | Matsushima Kogyo Co Ltd | Crystal vibrator |
DE3138743A1 (de) * | 1981-09-29 | 1983-04-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | In einem dichten gehaeuse montiertes oberflaechenwellenfilter und dergleichen |
US4639631A (en) | 1985-07-01 | 1987-01-27 | Motorola, Inc. | Electrostatically sealed piezoelectric device |
JPS62109420A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
JPH01213018A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-25 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイスの構造 |
US5438305A (en) * | 1991-08-12 | 1995-08-01 | Hitachi, Ltd. | High frequency module including a flexible substrate |
JPH0590872A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
CN1099158C (zh) * | 1994-05-02 | 2003-01-15 | 埃普科斯股份有限公司 | 电子部件的封闭装置 |
US5939817A (en) * | 1994-09-22 | 1999-08-17 | Nippon Electric Co | Surface acoustic wave device |
JP2872056B2 (ja) * | 1994-12-06 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 弾性表面波デバイス |
JP3301262B2 (ja) * | 1995-03-28 | 2002-07-15 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
EP0794616B1 (en) * | 1996-03-08 | 2003-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | An electronic part and a method of production thereof |
-
1995
- 1995-12-21 DE DE19548048A patent/DE19548048C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-16 DE DE59605263T patent/DE59605263D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-16 JP JP52321197A patent/JP4060360B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-16 KR KR10-1998-0704108A patent/KR100456932B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-12-16 CA CA002241147A patent/CA2241147A1/en not_active Abandoned
- 1996-12-16 EP EP96946195A patent/EP0868779B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-16 CN CNB961991585A patent/CN1171322C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-16 WO PCT/DE1996/002411 patent/WO1997023952A1/de active IP Right Grant
-
1998
- 1998-06-22 US US09/103,158 patent/US6310420B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4060360B2 (ja) | 2008-03-12 |
CA2241147A1 (en) | 1997-07-03 |
JP2000502237A (ja) | 2000-02-22 |
DE19548048C2 (de) | 1998-01-15 |
EP0868779A1 (de) | 1998-10-07 |
DE19548048A1 (de) | 1997-06-26 |
KR19990071827A (ko) | 1999-09-27 |
US6310420B1 (en) | 2001-10-30 |
DE59605263D1 (de) | 2000-06-21 |
KR100456932B1 (ko) | 2005-01-15 |
EP0868779B1 (de) | 2000-05-17 |
WO1997023952A1 (de) | 1997-07-03 |
CN1205808A (zh) | 1999-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1171322C (zh) | 电子器件、尤其是以声表面波工作的ofw器件及其制造方法 | |
US6449828B2 (en) | Method of producing a surface acoustic wave component | |
CN1169235C (zh) | 电子部件、尤其是利用声表面波工作的电子部件-ofw部件 | |
US7552532B2 (en) | Method for hermetically encapsulating a component | |
CN1191617C (zh) | 印刷电路板模件和包含该模件的印刷电路板 | |
CN1105397C (zh) | 适于倒装法组装的电气元件触极的制作方法 | |
US6519822B1 (en) | Method for producing an electronic component | |
EP1466357B1 (en) | Surface mounted package with die bottom spaced from support board | |
JP2002511188A (ja) | チップカードのための電子モジュール | |
EP3590133B1 (en) | Flexible conductive bonding | |
GB2297424A (en) | Surface acoustic wave device | |
CN1291374A (zh) | 电子元件,尤其是利用声表面波工作的元件-表面波元件 | |
CN1205809A (zh) | 电子元件,特别使用声表面波工作的元件-ofw元件,以及制造该元件的方法 | |
JP3268581B2 (ja) | 電子部品、特に弾性表面波により作動する部品―saw部品並びにその製造方法 | |
US20030080832A1 (en) | Single chip scale package | |
JP2502612Y2 (ja) | 電子部品 | |
CN1466778A (zh) | 电子部件 | |
CN115241135A (zh) | 一种晶圆级封装结构及工艺 | |
JPH07312396A (ja) | 半導体装置及びそれに用いるシールカバー | |
JPH01278054A (ja) | 電子部品の容器およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20041013 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |