KR19990063474A - 반사형 액정 표시 장치, 이의 제조 방법, 및회로 기판 제조 방법 - Google Patents

Abstract

제1 기판, 제2 기판 및 제1 기판과 제2 기판 사이에 삽입되어 있는 표시 매체층을 포함하는 반사형 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 제공한다. 제1 기판은 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 제1 전극을 포함하고, 제2 기판은 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 제2 전극을 포함하며, 제1 기판은 제2 기판을 통해서 반사형 액정 표시 장치상에 입사되는 광을 반사하기 위해 표시 매체층의 부근에 광 반사부를 포함하며, 또한 제1 전극 및 제2 전극에 전압을 제공하기 위한 복수의 단자부를 포함하고, 복수의 단자부중 적어도 하나는 ITO로 형성된 상부층을 갖고 있으며, 이 상부층의 상부 표면 중 평탄한 영역만이 노출된다. 이 방법은, 제1 기판내에 ITO층을 형성하는 단계; 적어도 하나의 단자부내에 상부층이 형성되도록 ITO층을 패턴닝하는 단계; 상부층이 덮혀지도록 제1 보호층을 형성하는 단계; 제1 보호층이 덮혀지도록 주로 알루미늄으로 이루어진 금속층을 형성하는 단계; 및 금속층으로 반사부가 형성되고 적어도 하나의 단자부내의 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되도록 금속층 및 제1 보호층을 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함한다. 제1 보호층을 형성하는 단계 전에는, 평탄한 영역을 따라서만 제1 보호층이 상부층과 접촉되도록 단자부들중 적어도 한 단자부내의 상부층의 상부 표면의 평탄한 영역만이 노출된다.

Description

반사형 액정 표시 장치, 이의 제조 방법, 및 회로 기판 제조 방법

본 발명은 예를 들어, 퍼스널 컴퓨터, 휴대 단말 기기, AV 기기, 및 카-네비게이션 장치에 널리 이용되는 반사형 액정 표시 장치, 및 이들을 제조하는 방법 그리고 회로 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 명세서에서는 액정 표시 장치를 LCD 장치로 부르기로 한다.

종래에는 백라이트로 배면으로 부터 광을 공급하는 투과형 LCD 장치가 주류를 이루어 왔다. 최근에는, 저 소비 전력, 중량 감소 및 두께 감소 요구를 충족시키기 위해서 주위광을 이용하는 반사형 LCD 장치가 활발하게 개발되어 왔다.

반사판을 유리 기판 외측에 설치하는 반사형 LCD 장치의 경우에는 상(像)이 흐릿해지는 문제가 발생한다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 대부분의 반사형 LCD 장치는 액정층과 접촉되도록 유리 기판 내부에 반사판을 설치하고 있다.

반사형 장치는 LCD 패널을 구동하기 위해 ICs 또는 회로 기판의 접속용 단자부와, LCD 패널을 검사하기 위한 단자부를 갖고 있다.

종래의 단자부의 구조는 예를 들어 일본국 공개 공보 제7-325295호에 개시되어 있다. 또한 정밀한 액정 표시 장치를 제조하기 위해 제조 공정(특히 막형성 공정)의 건식 처리화가 진행되는 요즘에는 도 14a에 도시된 바와 같은 단차를 갖고 있는 다층 구조가 많이 이용되고 있다. 고정밀도를 요하지 않는 종래의 LCD 장치를 제조하는데 있어서는 습식 처리로 게이트 절연층을 소정 위치에 형성할 수 있다. 그러므로, 단자부에 층간 절연층이 존재하지 않는다. 이에 반해서, 건식 처리의 경우에는 층간 절연층이 기판의 거의 전면에 형성되므로 단자부는 단차를 갖는 다층 구조가 된다.

도 14a를 참조하여 게이트 신호선과 게이트 구동 IC를 서로 접속하기 위한 종래의 단자부가 설명될 것이다. 단자부는 절연판(120), 이 절연판상에 설치된 게이트 신호선(122), 및 유리판(120)의 거의 전체에 제공된 게이트 절연층(124)을 포함하고 있다. 절연층(124)은 건식 처리에 의해서 형성된다. 게이트 절연층(124)은 게이트 신호선(122)과 소스 신호선(도시안됨) 간의 층간 절연층으로서 작용한다. 단자부는 게이트 절연층(124)의 단부에 중첩되도록 게이트 신호선(122)상에 설치된 전도층(126)을 더 포함한다. 전도층(126)은 소스 신호선과 동일한 재료로 형성되며 소스 신호선으로 부터 분리된다. ITO층(128)은 전도층(126)상에 형성된다. 여기에 도시된 바와 같이, 종래의 단자부는 단차를 갖고 있는 다층 구조로 되어 있으며 ITO층(128)은 상부에 형성되어 있다.

그러한 종래의 단자부를 반사형 LCD 장치에 적용하는 경우, 다음과 같은 문제가 발생한다. Al로 형성되며 반사판과 등가인 (화소 전극으로서 작용하는)반사층은 표시 영역(도시안됨) 이외에도 단자부에 형성된다. 반사층을 소정 패턴으로 형성할 때, 단자부내의 ITO층(128)은 반사층과 함께 적어도 부분적으로 제거되므로 많은 불편함이 야기된다.

이러한 불편함을 해결하기 위해서, 제14b에 도시된 바와 같이, ITO층(128) 상에 절연 수지층(130)을 형성하여 ITO층(128)과 반사층(14c) 간의 직접적인 접촉을 방지한다. 반사층(132)은 도 14c에 도시된 바와 같이 절연 수지층(130)상에 형성된다. 이와 같은 구조를 취해도 ITO층(128)이 고르지 않은 표면을 갖고 있기 때문에, ITO층(128)의 일부가 절연 수지층(130)에 의해 덮히지 않아 반사층(132)과 직접 접촉하게 된다.

반사층(132)을 제거할 때, 전해 부식이 ITO층(128)을 적어도 부분적으로 제거하기 때문에 수율이 상당히 떨어진다.

도 1은 본 발명에 따른 반사형 LCD 장치의 평면도.

도 2a 내지 2h는 도 1에 도시된 반사형 LCD 장치를 제조하는 방법을 설명하는 단면도.

도 3a 내지 3f는 본 발명에 따른 다른 반사형 LCD 장치를 제조하기 위한 방법을 보여주는 단면도.

도 4a 및 4b는 본 발명에 따른 제1 실시예의 반사형 LCD 장치의 단면도.

도 5는 도 4에 도시된 반사형 LCD 장치의 게이트 단자부의 평면도.

도 6은 도 5에 도시된 게이트 단자부의 단면도.

도 7a 내지 7f는 제1 실시예에 도시된 반사형 LCD 장치를 제조하기 위한 방법을 보여주는 단면도.

도 8은 본 발명에 따른 대안적인 구조를 갖고 있는 단자부의 단면도.

도 9는 본 발명에 따른 제2 실시예의 반사형 LCD 장치의 단면도.

도 10은 도 9에 도시된 공통 투과 단자부의 평면도.

도 11은 도 10에 도시된 공통 투과 단자부의 단면도.

도 12a 내지 12f는 본 발명에 따른 대안적인 구조를 갖고 있는 단자부의 단면도.

도 13a 내지 13e는 본 발명에 따른 대안적인 구조를 갖고 있는 단자부의 단면도.

도 14a 내지 14c는 종래의 반사형 LCD 장치를 제조하기 위한 방법을 보여주는 단면도.

도 15a는 본 발명이 적용되는 반사 및 투과 LCD 장치의 단면도.

도 15b는 도 15a에 도시된 반사 및 투과 LCD 장치의 평면도.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

8 : 개구부

9 : 평탄부

11 : 표시 영역

20 : 제1 기판

22 : 제1 단자 전극층

24 : 게이트 절연층

26 : 제2 단자 전극층

28 : ITO층

29 : 단차

30 : 제1 보호층

32 : 금속층

36 : 대향 전극의 단자

38 : 도전 페이스트

50 : 제2 보호층

95 : 주변 영역

202 : 게이트 단자부

204 : 소스 단자부

206 : 회로 기판 단자부

208 : 공통 투과 단자부

본 발명의 한 양태에 따르면, 제1 기판, 제2 기판 및 제1 기판과 제2 기판 사이에 삽입되어 있는 표시 매체층을 포함하는 반사형 액정 표시 장치를 제조하는 방법이 제공된다. 제1 기판은 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 제1 전극을 포함한다. 제2 기판은 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 제2 전극을 포함한다. 제1 기판은 제2 기판을 통해서 반사형 액정 표시 장치상에 입사되는 광을 반사하기 위해 표시 매체층 부근에 설치된 반사부를 포함하며, 또한 제1 전극 및 제2 전극에 전압을 제공하기 위한 다수의 단자부를 포함한다. 다수의 단자부중 적어도 하나는 ITO로 형성된 상부층을 갖고 있으며, 이 상부층의 상부 표면 중 평탄한 영역만이 노출된다. 이 방법은 제1 기판내에 ITO층을 형성하는 단계, 적어도 하나의 단자부내에 상부층이 형성되도록 상기 ITO층을 패턴닝하는 단계, 이 상부층이 덮혀지도록 제1 보호층을 형성하는 단계, 상기 제1 보호층이 덮혀지도록 주로 알루미늄으로 이루어진 금속층을 형성하는 단계, 및 상기 금속층으로 반사부가 형성되고 상기 적어도 하나의 단자부내의 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되도록 상기 금속층 및 상기 제1 보호층을 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함한다. 제1 금속층을 형성하는 단계 전에, 상기 적어도 하나의 단부 내의 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되어, 상기 제1 보호층이 단지 평탄한 영역을 따라서만 상기 상부층과 접촉하게 된다.

본 발명의 다른 양태에 따르면, 제1 기판, 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 삽입된 표시 매체층을 포함하는 반사형 액정 표시 장치를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 제1 기판은 상기 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 복수의 반사 화소 전극을 포함하고 있다. 상기 제2 기판은 상기 복수의 반사 화소 전극에 대향되게 위치한 대향 전극을 포함하고 있다. 상기 제1 기판은 절연판을 포함하고 있고, 또한 상기 표시 매체층에 대향되게 배치된 상기 절연판의 표면 위에, 상기 복수의 반사 화소 전극에 각각 접속된 복수의 박막 트랜지스터, 상기 각각의 박막 트랜지스터에 접속된 복수의 게이트 신호선 및 복수의 소스 신호선, 상기 게이트 신호선에 주사 신호를 제공하기 위한 게이트 단자부, 상기 소스 신호선에 표시 신호를 제공하기 위한 소스 단자부, 및 상기 대향 전극에 공통 신호를 제공하기 위한 공통 투과 단자부를 포함하고 있다. 상기 박막 트랜지스터 각각은 상기 각각의 게이트 신호선에 접속된 게이트 전극, 상기 각각의 소스 신호선에 접속된 소스 전극, 및 상기 각각의 반사 화소 전극에 접속된 드레인 전극을 포함하고 있다. 상기 게이트 단자부, 상기 소스 단자부 및 상기 공통 투과 단자부중 적어도 하나는 ITO로 이루어진 상부층을 포함하며, 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출된다. 본 발명은 상기 절연판상에 제1 도전층을 형성하는 단계; 상기 게이트 신호선과 상기 게이트 전극을 형성하기 위하여 상기 제1 도전층을 패턴닝하는 단계; 적어도 상기 게이트 신호선과 상기 게이트 전극이 덮혀지도록 상기 절연판의 거의 전면에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연판 위에 ITO층을 형성하는 단계; 상기 단자부들중 적어도 하나에 상기 상부층을 형성하기 위하여 상기 ITO층을 패턴닝하는 단계; 상기 상부층을 듈 위하여 제1 보호층을 형성하는 단계; 상기 제1 보호층을 듈 위하여 주로 알루미늄으로 이루어진 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층으로 상기 반사 화소 전극이 형성되고 상기 단자부들중 적어도 상기 하나의 단자부 내의 상기 상부층의 상부 표면의 평탄한 영역만이 노출되도록 상기 금속층과 상기 제1 보호층을 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함한다. 상기 제1 보호층을 형성하는 단계 전에는, 상기 평탄한 영역을 따라서만 상기 제1 보호층이 상기 상부층과 접촉되도록 상기 단자부들중 적어도 한 단자부내의 상기 상부층의 상부 표면의 평탄한 영역만이 노출된다.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 제1 기판, 제2 기판, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 삽입된 표시 매체층을 포함하는 반사형 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 제공된다. 상기 제1 기판은 상기 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 복수의 반사 화소 전극을 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 복수의 반사 화소 전극에 대향되게 배치된 대향 전극을 포함한다. 제1 기판은 절연판을 포함하며, 또한 상기 표시 매체에 대향되게 배치된 상기 절연판의 표면 위에, 상기 복수의 반사 화소 전극에 각각 접속된 복수의 박막 트랜지스터, 상기 각각의 박막 트랜지스터에 접속된 복수의 게이트 신호선 및 복수의 소스 신호선, 상기 게이트 신호선에 주사 신호를 인가하기 위한 게이트 단자부, 상기 소스 신호선에 표시 신호를 제공하기 위한 소스 단자부, 및 상기 대향 전극에 공통 신호를 제공하기 위한 공통 투과 단자부를 포함하고 있다. 상기 박막 트랜지스터 각각은 상기 각각의 게이트 신호선에 접속된 게이트 전극, 상기 각각의 소스 신호선에 접속된 소스 전극, 및 상기 각각의 반사 화소 전극에 접속된 드레인 전극을 포함하고 있다. 상기 게이트 단자부, 상기 소스 단자부, 및 상기 공통 투과 단자부중 적어도 하나는 ITO로 이루어진 상부층을 포함하며, 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출된다. 상기 방법은 상기 절연판상에 제1 도전층을 형성하는 단계; 상기 게이트 신호선 및 상기 게이트 전극이 형성되도록 상기 제1 도전층을 패턴닝하는 단계; 적어도 상기 게이트 신호선 및 상기 게이트 전극이 덮혀지도록 상기 절연판의 거의 전면에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 단자부들중 적어도 하나에 있는 상기 게이트 절연층을 통해서 개구를 형성하는 단계; 상기 절연판위에 ITO층을 형성하는 단계; 상기 단자부들중 적어도 하나의 단자부내에 상기 상부층이 형성되도록 상기 ITO층을 패턴닝하는 단계; 상기 상부층이 덮혀지도록 제1 보호층을 형성하는 단계; 상기 제1 보호층이 덮혀지도록 주로 알루미늄으로 이루어진 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 반사 화소 전극이 상기 금속층으로 형성되고 상기 단자부들 중 적어도 하나의 단자부 내의 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되도록 상기 금속층과 상기 제1 보호층을 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함한다. 상기 제1 보호층을 형성하는 단계전에, 상기 단자부들중 적어도 하나의 단자부내의 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되어 상기 제1 보호층이 상기 평탄한 영역만을 따라서 상기 상부층과 접촉하게 된다. 상기 상부층은 상기 개구내에 형성된다.

본 발명의 한 실시예에 있어서, 상기 상부층을 형성하는 단계는 상기 게이트 전연층상에 상기 상부층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 상부층은 상기 단자부들중 상기 적어도 하나의 단자부 이외의 영역에 형성된 관통 홀을 통해서 상기 게이트 신호선에 전기적으로 접속되어 있다.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 절연판과 상기 절연판상에 형성된 단자부 - 이 단자부는 ITO로 이루어진 상부층을 포함하고 이 상부층의 상부 표면의 평탄한 영역만이 노출된다 - 을 포함하는 회로 기판을 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 상기 절연판 위에 ITO층을 형성하는 단계; 상기 단자부내에 상기 상부층이 형성되도록 상기 ITO층을 패턴닝하는 단계; 상기 상부층이 덮히도록 제1 보호층을 형성하는 단계; 상기 제1 보호층이 덮히도록 주로 알루미늄으로 형성된 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 단자부내의 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되도록 상기 금속층 및 상기 제1 보호층을 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함한다. 상기 제1 보호층을 형성하는 단계 전에, 상기 단자부내의 상부층의 상기 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되어, 상기 제1 보호층이 상기 평탄한 영역만을 따라서 상기 상부층과 접촉하게된다.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 반사형 액정 표시 장치는 제1 기판, 제2 기판, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 삽입된 표시 매체층을 포함한다. 상기 제1 기판은 상기 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 복수의 반사 화소 전극을 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 복수의 반사 화소 전극에 대향되게 배치된 대향 전극을 포함한다. 상기 제1 기판은 절연판을 포함하며, 또한 상기 표시 매체층에 대향 배치된 상기 절연 판의 표면위에, ITO층, 제1 보호층; 주로 알루미늄을 함유하는 금속층으로 이루어지며 상기 제1 보호층상에 제공된 복수의 박막 트랜지스터 - 이들 박막 트랜지스터는 상기 복수의 반사 화소 전극에 접속되어 있음 - ; 상기 박막 트랜지스터에 접속된 게이트 신호선 및 소스 신호선; 상기 게이트 신호선에 주사 신호를 제공하기 위한 게이트 단자부, 상기 소스 신호선에 표시 신호를 제공하기 위한 소스 단자부 및 상기 대향 전극에 공통 신호를 제공하기 위한 공통 투과 단자부를 포함한다. 상기 게이트 단자부, 상기 소스 단자부 및 공통 투과 단자부들 중 적어도 하나는 ITO로 이루어진 상부층을 포함하고, 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출된다. 상기 제1 기판은 적어도 상기 게이트 신호선과 게이트 전극을 듈 위한 게이트 절연층을 더 포함하고 있다. 상기 게이트 절연층은 상기 단자부들중 상기 적어도 하나의 단자부 내에 개구를 갖고 있다. 상기 상부층은 상기 개구내에 형성된다.

본 발명의 한 실시예에서, 상기 상부층은 단차 주변부를 갖고 있으며, 상기 반사형 액정 표시 장치는, 상기 단차 주변부는 덮고 상기 상부층의 상기 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되게 하는 제2 보호층을 더 포함한다.

본 발명의 한 실시예에서, 상기 반사형 액정 표시 장치는 상기 소스 신호선의 재료와 동일한 재료로 이루어진 다른 도전층을 더 포함하고, 상기 상부층은 상기 다른 도전층상에 형성된다.

본 발명의 한 실시예에서, 상기 상부층은 상기 상부층의 외주변이 상기 게이트 절연층의 내주변으로 부터 0 보다는 크고 2㎛ 이하인 거리 만큼 이격되도록 상기 게이트 절연층 내에 형성된다.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 반사형 액정 표시 장치는 제1 기판, 제2 기판, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 삽입된 표시 매체층을 포함하고 있다. 상기 제1 기판은 상기 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 복수의 반사 화소 전극을 포함하고 있다. 상기 제2 기판은 상기 복수의 반사 화소 전극에 대향 배치된 대향 전극을 포함하고 있다. 상기 제1 기판은 절연판을 포함하고 있으며, 또한 상기 표시 매체층에 대향 배치된 상기 절연판의 표면위에, ITO층; 제1 보호층; 주로 알루미늄을 함유하는 금속층으로 이루어지며 상기 제1 보호층상에 형성되는 복수의 박막 트랜지스터 - 상기 복수의 박막 트랜지스터는 상기 복수의 반사 화소 전극에 접속되어 있음 - ; 상기 박막 트랜지스터들에 접속되어 있는 게이트 신호선 및 소스 신호선; 상기 게이트 신호선에 주사 신호를 제공하는 게이트 단자부, 상기 소스 신호선에 표시 신호를 제공하는 소스 단자부 및 상기 대향 전극에 공통 신호를 제공하기 위한 공통 투과 단자부를 포함하고 있다. 상기 게이트 단자부, 상기 소스 단자부 및 상기 공통 투과 단자부중 적어도 하나는 ITO로 이루어진 상부층을 포함하며, 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출된다. 상기 제1 기판은 적어도 상기 게이트 신호선과 게이트 전극을 듈 위한 게이트 절연층을 더 포함하고 있다. 상기 상부층은 상기 게이트 절연층상에 형성되며 상기 단자부들중 상기 적어도 하나의 단자부 이외의 영역에 형성된 관통 홀을 통해서 상기 게이트 신호선에 접속되어 있다.

본 발명에 따르면, 회로 기판은 ITO로 이루어진 상부층을 갖고 있다. 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 제1 보호층의 형성전에 노출되어, 상기 제1 보호층이 상기 평탄한 영역만을 따라서 상기 상부층과 접촉하게 된다. 상기 제1 보호층이 형성된 후에, 금속층이 상기 제1 보호층을 덮도록 형성된다. 이후, 상기 제1 보호층과 상기 금속층은 상기 상부층의 상기 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되도록 적어도 분적으로 제거된다. 따라서, 전해 부식에 기인한 ITO층의 제거를 방지할 수 있다.

상기 단자부의 상기 상부층이 절연층(예를 들어, 게이트 절연층)상에 형성되어 상기 절연층내에 형성된 상기 관통 홀을 통해서 상기 절연층 아래의 상기 신호선(예를 들어, 게이트 신호선)에 접속되어 있는 경우, 상기 상부층은 상기 회로 기판내의 단자 전극에 용이하게 접속된다. 신호선과 단자부간의 위치 관계에 관한 설계의 자유도가 향상된다.

ITO로 이루어진 상기 상부층은 단차 주변부를 가질 수 있으며, 상기 단차 주변부를 덮으며 상기 상부층의 평탄한 영역만을 노출시키는 제2 보호층은 상기 제1 보호층이 형성되기 전에 형성될 수 있다. 그러한 경우에, 제2 보호층은 ITO층 및 상기 제2 보호층에 형성되는 신호선을 보호하고, 상기 제1 보호층은 노출된 평탄한 영역만을 따라서 상기 상부층과 접촉한다. 따라서, 상기 금속층과 상기 제1 보호층이 적어도 부분적으로 제거되는 경우, 전해 부식으로 인한 ITO의 제거를 방지할 수 있다.

상기 제2 도전층이 게이트 절연층을 사이에 두고 상기 제1 도전층 위에 형성되고, 상기 제2 보호층은 소스 신호선 및 소스 전극이 되도록 패턴닝되고, 그리고 상기 단자부들 중 상기 적어도 하나의 상부층은 상기 제2 도전층 상에 형성되는 경우에, 전기 접속이 향상되어 신호 공급이 보장된다.

주로 알루미늄을 함유하는 금속층으로 형성되는 반사부(반사 화소 전극)와 본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 포함하는 액티브 매트릭스 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 상기 게이트 단자부, 소스 단자부, 및 공통 투과 단자부는 상기 박막 트랜지스터, 상기 반사부 및 상기 신호선을 형성하는 단계와 공통의 단계에 의해서 형성된다. 그러므로, 앞서 설명한 특징을 갖고 있는 단자부들은 제조 단계의 수를 최소화해서 형성된다.

그러므로, 본 발명에 따르면, 단자부내에 포함된 ITO층의 제거에 의해 야기되는 단점을 방지하는 반사형 LCD 장치, 이를 제조하는 방법, 및 회로 기판을 제조하는 방법을 제공할 수 있게 된다.

본 발명의 상기 장점 및 다른 장점은 본 기술 분야에 숙련된 자이면 첨부된 도면을 참조해서 설명된 다음의 상세한 설명으로 부터 명백하게 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 구동 ICs와 구동 회로가 설치되기 전의 상태에 있는 본 발명에 따른 반사형 LCD 장치(100)의 평면도이다.

반사형 LCD 장치(100)는 제1 절연판(20)을 포함하는 제1 기판(소위 기저판 또는 액티브 매트릭스 판이라 불림), 제2 절연판(25)을 포함하는 제2 기판(소위 대향판이라 불림), 및 상기 제1 및 제2 절연판(20 및 25) 사이에 삽입된 매체 표시층(도시 안됨)을 구비하고 있다. 2차원적으로, 제1 절연판(20)은 제2 절연판(25) 보다 크다. 제1 기판은 제1 절연판 위에 형성된 복수의 화소 전극(도시안됨)을 구비하고 있고, 제2 기판은 화소 전극들과 마주하며 제2 절연판(25)상에 형성된 단일 대향 기판(도시 안됨)을 구비하고 있다.

도 1에는 도시되지 않았을 지라도, 제1 기판은 제1 절연판(20)과 표시 매체층 사이에 형성된 다음과 같은 구조를 갖고 있다. 복수의 게이트 신호선 및 복수의 소스 신호선은 서로 교차한다. 박막 트랜지스터(이하 TFT라 부르기로 함)는 게이트 신호선과 소스 신호선의 교차점 각각에 형성된다. 각각의 TFT는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 구비하고 있다. TFT는 각각 앞서 언급한 복수의 화소 전극에 대응한다. 각각의 TFT의 드레인 전극은 각각의 화소 전극에 전기적으로 접속된다. 각각의 TFT의 게이트 전극은 각각의 소스 신호선에 접속된다.

제1 절연판(20)은 제2 절연판(25)에 의해서 덮혀지지 않은 주변 영역(95)을 갖고 있다. 예를 들어, 주변 영역(95)상에는 주사 신호를 게이트 신호선에 제공하기 위한 게이트 단자부(202), 표시 신호를 소스 신호선에 제공하기 위한 소스 단자부(204), 게이트 단자부(202)와 소스 단자부(204)에 접속되어 있는 게이트 신호선 및 소스 신호선에 전기적으로 접속되어 있고 구동 회로 기판(도시안됨)에 접속되어 있는 회로 기판 단자부(206) 및 공통 신호를 대향 전극에 제공하기 위한 공통 투과 단자부가 형성되어 있다.

대향 전극이 복수의 화소 전극과 마주하는 영역은 표시 영역(11)을 형성한다.

이하 설명되는 본 발명에 따른 예에서, 단자부(202, 204, 206 및 208) 각각은 ITO로 이루어진 상부층을 갖고 있으며, 상부층의 평탄한 영역만이 노출된다. 본 발명의 장점을 얻기 위해서는 단자부(202, 204, 206 및 208) 중 적어도 하나가 ITO로 이루어진 상부층을 갖고 있고 상부층의 평탄한 영역만이 노출되는 것으로 충분하다. ITO로 이루어진 상부층이 단차 구조의 상부 표면을 갖고 있는 경우에, 이 단차는 평탄한 영역만이 노출되도록 보호층에 의해서 덮혀진다. ITO로 이루어진 상부층이 평탄한 상부 표면을 갖고 있는 경우에는 상부면과 측면을 포함하는 전체 상부층이 노출될 수 있다.

반사형 LCD 장치(100)를 제조하는 방법은 도2a 내지 2h를 참조하여 설명될 것이다. 도 2a 내지 2h는 단지 단자부만을 도시하고 있다. 도 2a 내지 2h에 도시된 단자부의 구조는 단자부(202, 204, 206 및 208)에 공통일 수 있다

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 제1 도전층을 제1 절연판(20)상에 형성한 후 패턴닝하여 게이트 신호선과 이에 접속된 게이트 전극(도시안됨)을 형성한다. 이 패턴닝은 또한 제1 단자 전극층(22)(도1의 단자부에 포함되어 있는 모든 도전층들 중에서 제1 절연판(20)에 가장 가까운 도전층)을 형성한다. 제1 단자 전극층(22)은 게이트 단자부(202)의 일부가 되도록 형성될 수 있고, 이 경우에 제1 단자 전극층(22)은 게이트 신호선 및 게이트 전극으로 부터 연속적으로 되어 있다. 제1 도전층은 또한 다른 단자부(즉, 소스 단자부(204), 회로 기판 단자부(206) 또는 공통 투과 단자부; 도1)의 일부로서 다른 제1 단자 전극층이 되게 패턴닝될 수 있고, 이 경우에, 제1 도전층은 게이트 신호선에 대해 전기적으로 분리된다. 제1 도전층은 또한 단자부(202, 204, 206 및 208)와 이들 단자부에 접속된 IC들을 빛으로 부터 보호하기 위한 광 차단층으로서 이용될 수 있다.

이후, 도 2b에 도시된 바와 같이, 게이트 신호선, 게이트 전극 및 제1 단자 전극층(22)을 듈 위해 절연층을 제1 절연 기판(20)상에 형성하고 나서 건식 에칭으로 패턴닝하여 게이트 절연층(24)을 형성한다. 이후에는, 표시 영역(11)(도 1)에 아모포스 실리콘을 이용해서 반도체 층의 피착, 패턴닝 및 불순물 주입을 행하여 TFT를 형성한다.

도 2c에 도시된 바와 같이, ITO층을 게이트 절연층(24)상에 형성하고 패턴닝하므로써 상부 단자 전극층(28)이 형성된다. 상부 단자 전극층(28)은 평탄한 상부 표면을 갖고 있다. 이 때, 소스 전극과 소스 신호선을 형성하는데 ITO층을 이용할 수 있다. 티타늄(Ti)으로 이루어진 제2 도전층(도시안됨)을 제1 단자 전극층(22)과 상부 단자 전극층(28) 사이에 형성할 수도 있다.

도 2d에 도시된 바와 같이, 감광성 수지로 이루어진 제1 보호층(30)을 제1 절연판(20)의 거의 전면에 형성하여 게이트 전연층(24) 및 상부 단자 전극층(28)을 덮는다. 이후, 주로 알루미늄(Al)으로 이루어진 금속층(32)을 제1 절연판(20)의 거의 전면에 형성하여 게이트 절연층(24), 상부 단자 전극층(28) 및 제1 보호층(30)을 덮는다. 금속층(32)은 LCD 장치(100)에 입사하는 광을 반사하는 반사부(통상은, 반사 화소 전극)을 형성하기 위한 층이다. 제1 보호층(30)은 표시 영역(11)내의 반사부의 표면의 반사 특성을 최적화하기 위한 요철(凹凸)을 반사부내에 형성하기 위한 층이다.

이후에는, 금속층(32)과 제1 보호층(30)을 적어도 부분적으로 제거한다. 그 결과, 금속층(32)은 표시 영역(도시안됨)내의 반사 화소 전극이 된다. 도 2f에 도시된 바와 같이, 단자부내의 상부 단자 전극층(28)이 노출된다. 상부 단자 전극층(28)의 상부 표면은 평탄하다. 상부 단자 전극층(28)과 제1 단자 전극층(22)(선택적으로는, 제2 단자 전극층; 도시안됨) 사이의 전기 접속을 단자부 이외의 영역에서 실행해도 좋다.

예를 들어, 도 2g에 도시된 바와 같이, 상부 단자 전극층(28)과 제1 단자 전극층(22)은 게이트 절연층(24)내의 관통 홀(24a)을 통해서 서로 접속해도 좋다.

도 2h에 도시된 바와 같이, 구동 회로 기판(21)의 돌기 전극(19)이 개구(8)를 갖고 있는 게이트 절연층(24)을 구비하는 반사형 LCD 장치에서 이방성 도전막(ACF)에 의해 제1 단자 전극층(22)에 접속되어 있는 경우에, 게이트 절연층의 두께(예로, 약 300㎚)가 상부 단자 전극층(28)의 두께(예로, 약 70㎚) 보다 크면, 이방성 도전막(80)의 도전 입자(80a)가 돌기 전극(19)과 충분하게 접촉되지 않는다. 따라서, 돌기 전극(19)과 제1 단자 전극층(22) 사이에서 불충분한 접촉이 발생할 수 있다.

그러나, 도 2g에 도시된 바와 같이 게이트 절연층(24)이 관통 홀(24a)을 갖고 있고 보호층(50)이 개구(50a)를 갖고 있는 경우에는, 상부 단자 전극층(28)은 관통 홀(24a)을 통해서 제1 단자 전극층(22)에 접속되고 상부 단자 전극층(28)은 개구(50a)을 통해서 구동 회로 기판(21; 도 2h)에 접속된다. 이 경우에, 보호층(50)이 야호하게 약 100㎚의 두께를 갖는다. 보호층(50)을 생략할 수도 있다. 보호층(50)의 두께는 양호하게는 약 700㎚ 이하이다.

특정한 조건에서는 게이트 절연층(24)이 소스 단자부(204; 도 1)내에 관통 홀을 갖지 않는 것이 바람직하다. 예를 들어, (게이트 전극 및 게이트 신호선은 물론이고) 제1 도전층(22)이 양극산화 가능한 금속(예를 들어, Ta)으로 형성된 경우에는, 게이트 절연층(24)은 제1 도전층(22)과 그 위에 형성된 절연층을 양극 산화해서 얻은 절연층을 포함할 수 있으므로 고밀도가 성취된다. 게이트 절연층(24)이 그러한 양극 산화층을 포함하고 있는 경우에, 소스 단자부(204)의 게이트 절연층의 구조는 게이트 단자부(202)내의 게이트 절연층의 구조와 다르다. 게이트 단자부(202)의 제1 도전층(22)이 게이트 전극과 게이트 신호선에 전기적으로 접속되어 있으므로, 제1 도전층(22)은 게이트 전극과 게이트 신호선의 양극산화와 동시에 양극산화된다. 이와 대조적으로, 게이트 전극과 게이트선으로 부터 분리된 아일랜드(island)에 형성된 소스 단자부의 제1 도전층은 양극산화되지 않는다. 따라서, 소스 단자부(204)내의 영역에 있는 게이트 절연층(24)은 양극산화된 층을 포함하지 않는다. 상술한 바와 같이, 특정 조건하에서는, 내부에 관통 홀이 형성될 필요가 있는 게이트 절연층(24)은 게이트 단자부(202) 내에 있는 영역과 소스 단자부(204)내에 있는 영역에서 구조가 서로 다르다. 관통 홀을 형성하는데 건식 에칭을 이용할 때, 절연층(24)의 서로 다른 영역에 대한 건식 에칭 조건을 최적화하기는 다소 어려움이 따른다. 이들 영역중 한 영역에 대해 최적화된 건식 에칭 조건이 다른 영역에 대해서는 최적이 아닐 수 있다. 그 결과, 만족스런 관통 홀을 형성할 수 없거나 또는 관통 홀의 형성에 따라 이 관통 홀의 저면을 형성하는 제1 도전층(22)에 손상이 생긴다. 이러한 문제를 해결하기 위하여, 게이트 단자부(202) 내에 포함되어 있는 게이트 절연층(24)의 영역에만 관통 홀을 형성하고 소스 단자부(204)내에 포함되어 있는 영역에는 관통 홀을 형성하지 않는 것이 좋다.

특정 조건하에서는, 도 4a 및 4b에 도시된 바와 같이, 게이트 단자부(202) 및 소스 단자부(204) 내에 포함되어 있는 영역에 있는 게이트 절연층(24) 내에 관통 홀을 형성할 수 있다. 그러한 구조는, 예를 들어, 게이트 및 소스 단자부(202 및 204) 내에 동일한 구조의 게이트 절연층을 형성하거나 또는 절연층(24)의 서로 다른 영역에 대한 건식 에칭 조건을 최적적화하므로써 형성할 수 있다.

본 발명에 따른 다른 반사형 LCD 장치를 제조하는 방법은 도 3a 내지 3f를 참조해서 설명될 것이다. 도 1 내지 2h를 참조로 설명된 것과 동일한 요소에는 동일한 참조 부호를 부여하고 그에 대한 설명을 생략한다. 이러한 반사형 LCD 장치에 있어서, 게이트 절연층(24)는 개구를 갖고 있다. 도 3a 내지 3f는 단지 단자부만을 도시하고 있다.

도 3a에 도시되나 같이, 제1 단자 전극층(22)은 제1 절연판(20)상에 형성된다.

다음에는 도 3b에 도시된 바와 같이, 게이트 절연층(24)이 제1 단자 전극층(22)을 덮도록 제1 절연판(20)의 거의 전면에 형성된다. 게이트 절연층(24)은 개구(8)가 형성되게 패턴닝된다.

도 3c에 도시된 바와 같이, 상부 단자 전극층(28)은 패턴닝하므로써 제1 단자 전극층(22)상의 개구(8)내에 ITO로 형성된다. 상부 단자 전극층(28)은 평탄한 상부 표면을 갖고 있다.

도 3d에 도시된 바와 같이, 제1 보호층(30)은 상부 단자 전극층(28)을 덮도록 게이트 절연층(24)상에 형성된다. 이후, 도 3e에 도시된 바와 같이, 금속층(32)은 제1 보호층(30)상에 형성된다. 제1 보호층(30)의 표면은 요철을 갖도록 형성되어, 반사부(또는 반사 화소 전극)의 표면이 표시 영역(도시안됨)에 요철을 갖게 한다.

도 3f에 도시된 바와 같이, 금속층(32) 및 제1 보호층(30)은 적어도 부분적으로 제거된다. 그 결과, 금속층(32)은 표시 영역 내의 반사 화소 전극이 된다. 적어도 하나의 단자부의 상부 단자 전극층(28)이 노출된다.

본 발명에 따르면, 제1 보호층(30)을 형성하기 전에, 상부 단자 전극층(28)의 상부 표면의 평탄한 영역만이 노출되어 이 영역만이 제1 보호층(30)과 접촉하게 한다. 상부 단자 전극층(28)은 다양한 방법으로 제1 단자 전극층(22)(또는 제2 단자 전극층; 도시안됨)에 접속할 수 있다. 단자부의 이용에 따라서 적절한 방법을 선택할 수 있다. 특정 방법이 다음예에서 설명될 것이다.

상술한 제조 방법에 따르면, 금속층(32)과 상부 단자 전극층(28)과의 직접적인 접촉은 없다. 그 결과, 금속층(32)과 제1 보호층(30)을 적어도 부분적으로 제거할 때, 전해 부식에 의한 상부 단자 전극층(28)의 소실을 방지할 수 있다.

이하, 본 발명에 따른 특정예를 설명하기로 한다.

〔실시예 1〕

본 발명에 따른 실시예 1의 반사형 LCD 장치는 도 1에 도시된 반사형 LCD 장치(100)와 거의 동일한 구조를 갖고 있다. 편의상, 이 실시예의 반사형 LCD 장치를 참조 번호 100으로 표기하고 도 1을 참조해서 설명하기로 한다.

도 1에 도시된 바와 같이, 반사형 LCD 장치(100)은 제1 절연판(20)(액티브 매트릭스 판이라고도 함), 제2 절연판(25)(대향 판이라고도 함) 및 제1 및 제2 절연판(20 및 25) 사이에 삽입된 표시 매체층(도시안됨)을 구비하고 있다. 제1 절연판(20)은 2차원적으로 제2 절연판(25) 보다 크다. 제1 절연판(20)은 복수의 화소 전극(도시안됨)을 갖고 있으며, 제2 절연판(25)은 화소 전극과 마주보는 단일 대향 전극을 갖고 있다.

도 1에는 도시되어 있지 않을 지라도, 제1 절연판(20)과 표시 매체층 사이에는 다음의 구조가 제공된다. 복수의 게이트 신호선과 복수의 소스 신호선은 서로 교차한다. TFT는 게이트 신호선과 소스 신호선의 각 교차점에 형성된다. 각각의 TFT는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고 있다. TFT는 각각 앞서 언급한 복수의 화소 전극에 대응한다. 화소 전극 각각은 도 2e 및 3e에 도시된 금속층(32)에 대응한다. TFT 각각의 드레인 전극은 각각의 화소 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 게이트 전극은 각각의 게이트 신호선에 접속되어 있으며 소스 전극은 각각의 소스 신호선에 접속되어 있다.

제1 절연판(20)은 제2 절연판(25)에 의해 덮혀있지 않은 주변 영역(95)을 갖고 있다. 주변 영역(95) 상에는 예를 들어 주사 신호를 게이트 신호선에 제공하는 게이트 단자부(202), 표시 신호를 소스 신호선에 제공하기 위한 소스 단자부(204), 회로 기판 단자부(206), 및 공통 신호를 대향 전극에 제공하기 위한 공통 투과 단자부(208)가 제공된다.

도 4a는 반사형 LCD 장치(100)의 단면도로서, 구체적으로는 게이트 단자부(202), 회로 기판 단자부(206) 및 그의 주변을 도시하고 있다. 도 4b는 반사형 LCD 장치(100)의 단면도로서, 구체적으로는 소스 단자부(204), 회로 기판 단자부(206) 및 그의 주변을 도시하고 있다. 도 5는 게이트 단자부(202)의 평면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 게이트 단자부(202)의 단면도이다. 도 4a 및 4b는 도 5의 화살표 A의 방향에서 본 단면도이다. 도 5에서, 참조 번호 22a, 24a 및 26a는 각각 게이트 신호선으로 부터 연속되는 제1 단자 전극층(22)의 에지, 게이트 절연층(24)의 에지 및 제2 단자 전극층(26)의 에지를 나타낸다. 선들을 포함하는 모든 도전층은 주변 영역(95)(도 4a 및 4b)상의 단자부를 제외하고 게이트 절연층(24)에 의해 덮혀 있기 때문에, 부식의 문제가 없으므로 반사형 LCD 장치(100)의 신뢰성이 향상된다.

도 4a에 도시된 바와 같이, 게이트 단자부(202)는 제1 절연판(20)상에 형성된 제1 단자 전극층(22), 적어도 게이트 전극과 게이트 신호선을 덮도록 제1 절연판상에 형성된 게이트 절연층(24), 게이트 절연층(24)의 단부를 덮도록 제1 단자 전극층(22)상에 형성된 도전층(26)(즉, 제2 단자 전극층), 및 제2 단자 전극층(26)상에 형성된 ITO로 이루어진 상부 단자 전극층(28)을 포함하고 있다. 제2 단자 전극층(26)은 소스 신호선의 재료와 동일한 재료로 형성되며, 상부 단자 전극층(28)은 노출되는 평탄한 상부 표면을 갖고 있다. 게이트 절연층(24)은 개구(8)을 갖고 있다. 도전층(26) 및 상부 단자 전극층(28)은 각각의 개구(8) 내에 형성된다.

상술한 바와 같이, 제1 단자 전극층(22)은 게이트 단자부(202) 내의 게이트 신호선으로부터 연속된다. 제2 단자 전극층(26)은 소스 신호선의 재료(예를 들어, Ti)와 동일한 재료로 형성되지만 소스 신호선으로 부터 분리되는 아일랜드로 형성되어 있다.

게이트 단자부(202), 소스 단자부(204) 및 회로 기판 단자부(206)은 각각 제1 단자 전극층(22), 제2 단자 전극층(26) 및 상부 단자 전극층(28)을 구비하는 3층 구조로 되어 있다. 제2 단자 전극층(26)은 전기 접속도를 향상시켜주므로, 상부 단자 전극층(28)이 제1 단자 전극층(22) 바로 위에 형성되어 있는 구조와 비교해서 단자부(202, 204, 206 및 208)을 통한 전기 공급을 공고히 해준다. 그러나, 3층 구조는 반드시 필요한 것은 아니다. 제1 단자 전극층(22)과 제2 단자 전극층(26) 중에서 하나와 상부 단자 전극층(28)을 포함하는 2층 구조를 사용해도 좋다.

도 4b에 도시된 바와 같이, 소스 단자부(204)는 게이트 단자부(202)의 구조와 유사하다. 이 실시예에서, 제1 단자 전극층(22)은 소스 단자부(204) 내의 소스 신호선으로서 작용한다. 제2 단자 전극층(26)은 게이트 절연층(24) 내의 개구(8)을 통해 제1 단자 전극층(22)에 전기적으로 접속된다.

도 4a 및 4b에 되시된 바와 같이, 회로 기판 단자부(206)은 게이트 단자부(202) 및 소스 간자부(204)의 구조와 유사하다. 회로 기판 단자부(206)의 주변에는, 선들이 제1 도전층으로 형성되며, 회로 기판 단자부(206)의 제1 도전층은 제1 단자 전극층(22)으로서 작용한다. 제2 단자 전극층(26)은 게이트 전극층(24) 내의 개구(8)을 통해서 제1 단자 전극층(22)에 전기적으로 접속된다.

상술한 바와 같이, 게이트 단자부(202), 소스 단자부(204) 및 회로 기판 단자부(206)은 단자 전극층들이 그의 이용에 따라서 다른 기능을 갖고 있지만, 구조는 유사하다.

다음에는, 반사형 LCD 장치(100)을 제조하는 방법이 도 7a 내지 7f를 참조해서 설명될 것이다. 도 7a 내지 7f는 단자부만을 도시하고 있다. 도 7a 내지 7f에 도시된 단자부의 구조는 단자부(202, 204, 206 및 208)과 공통일 수 있다. 다음의 설명이 액티브 매트릭스 반사형 LCD 장치에 대해 이루어질 지라도, 본 발명이 간단한 매트릭스 반사형 LCD 장치에 적용될 수 있다. 본 발명은 또한 상부 단자 전극층을 형성한 후에 절연층을 형성하고, 절연층 상에 주로 알루미늄으로 이루어진 금속층을 형성하고 나서 적어도 상부 단자 전극층의 일부가 노출되도록 금속층을 부분적으로 제거하는 회로 기판 제조 방법에 적용할 수 있다.

먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이, 예를 들어, Ta로 이루어지는 제1 도전층(두께: 약 300nm)을 스퍼터링해서 제1 절연판(20)상에 형성한 후 포토리소그래피로 패턴닝하여, 게이트 신호선 및 그에 접속된 게이트 전극(도시안됨)은 물론이고 제1 단자 전극층(22)을 형성한다.

이후에는, 도 7b에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 실리콘 질화물로 이루어지는 절연층을 플라즈마 CVD를 이용하여 게이트 신호선, 게이트 전극 및 제1 단자 전극층(22)이 덮혀지도록 제1 절연층(20)상에 형성한 후, 건식 에칭으로 패턴닝하여 게이트 절연층(24)을 형성한다. 게이트 절연층(24)은 더 패턴닝되어 개구(8)를 형성한다. 개구(8)는, 게이트 절연층(24)의 내부 주변이 제1 단자 전극층(22)의 외단부 내에 존재하고 게이트 절연층(24)이 제1 단자 전극층(22)의 단부에 거리 a = 약 5㎛ 만큼 떨어져 중첩되도록 형성된다(도 5 및 7b). 게이트 절연층(24)이 제1 단자 전극층(22)의 단부에 중첩하지 않으면, 제1 절연판(20)의 표면은 패턴닝 정밀도에 따라서 부분적으로 노출된다. 그러므로, 제1 절연판(20)의 노출된 표면은 게이트 절연층(24)이 형성되도록 건식 에칭에 의해서 패턴닝된다. 요즘에는 패턴닝 정밀도 및 에칭 정밀도를 고려해서 중첩 거리 a를 약 5 ㎛가 되도록 설계한다. 거리 a는 양호하게는 0 보다는 크고 약 5㎛ 이하이다.

도시되지는 않았을 지라도, 아모포스 실리콘으로 이루어진 반도체층 및 n⁺아모포스 실리콘으로 이루어진 콘택트층은 플라즈마 CVD에 의해서 형성된 후 패턴닝되어 표시 영역(도시안됨)에 TFT가 형성된다.

도 7c에서 나타낸 바와 같이, Ti(두께: 약 300㎚)로 형성된 제2 도전층은 개구(8)에서 제1 단자 전극층(22) 상에서 스퍼터링에 의해 형성되어 게이트 절연층(24)에 중첩되게 된다. 제2 도전층이 패턴닝되어, 소스 신호선과 소스 전극(도시안됨) 뿐만 아니라 제2 단자 전극층(26)을 형성한다. 상술한 바와 같이, 제2 단자 전극층(26)은 개구(8)의 외측으로 연장되어 게이트 절연층(24) 위에 중첩됨으로써, 제1 단자 전극층(22)과 제2 단자 전극층(26)의 접촉 면적을 최대화한다. 제1 및 제2 단자 전극층(22 및 26)의 접촉 면적이 최대화되면, 상부 단자 전극층(28)의 면적을 확장시킬 수 있으므로, 이들 도전층의 접촉 상태를 개선시킬 수 있다. 현재, 중첩 거리 c를 패턴닝 정밀도와 에칭 정밀도를 고려하여 약 3㎛이도록 설계하고 있다. 거리 c는 0보다는 크고 약 3㎛ 이하인 것이 바람직하다.

도시하지는 않았지만, TFT의 채널 영역의 접촉 면적을 제거하여 TFT를 형성한다.

도 7d에서 도시한 바와 같이, ITO층이 스퍼터링에 의해 제2 단자 전극층(26) 상에 형성된다. ITO층을 패턴닝하여 제2 단자 전극층(26)의 내주와 게이트 절연층(24)의 내주 내에 외주를 갖는 상부 전극 단자층(28)을 형성한다. 따라서, 평탄면 상에 형성된 단자 전극층(28)이 평탄한 상부 표면을 갖는다. 단차의 형성을 방지하면서 상부 단자 전극층(28)의 면적을 최대화하기 위해서는, 게이트 절연층(24)의 내주와 상부 단자 전극층(28)의 외주 사이의 거리 b를 현재 약 2㎛이도록 설계하고 있다. 거리 b는 0보다는 크고 약 2㎛ 이하인 것이 바람직하다. 도 4a 및 도 4b에서 나타낸 바와 같이, 상부 단자 전극층(28)은 회로 기판 단자부(206)와 유사한 방식으로 형성된다.

도 7e에서 나타낸 바와 같이, 예를 들어 아크릴 감광성 수지로 형성된 제1 보호층(30)이 게이트 절연층(24) 상에 형성되어 제2 단자 전극층(26)과 상부 단자 전극층(28)을 피복하도록 한다. 제1 보호층(30)은 그 평탄한 상부 표면을 따라 단자 전극층(28)에 접촉한다. 제1 보호층(30)은 표시 영역의 반사부 표면의 반사 특성을 최적화하기 위해서 요철 표면을 갖는 반사부를 형성하는 하지층으로 작용하는 요철을 갖도록 형성되어 있다.

다르게는, 제1 보호층(30)이 예를 들어 몰리브뎀(Mo) 및 Ti와 같은 금속으로 형성될 수 있다. 제1 보호층(30)이 이러한 금속으로 형성되는 경우, 제1 보호층(30)은 에칭 조건을 조절하여 주로 Al의 금속층(32)을 그 위에 형성하여 패턴닝될 수 있다. 따라서, 제1 보호층(30)을 제거하는 개별 단계가 필요 없어, 제조 방법을 간소화할 수 있다.

도 7f에서 나타낸 바와 같이, 주로 Al로 형성된 금속층(32)을 제1 보호층(30)을 피복하도록 스퍼터링에 의해 형성한다. 금속층(32)은 순수 Al 또는 예를 들어, Al-W 합금과 같은 Al 함유 합금으로 형성될 수 있다.

다음에, 금속층(32)과 제1 보호층(30)이 부분적으로 제거되어, 표시 영역에 보호부(또는 보호 화소 전극)을 형성하고 게이트 단자부(202; 도 6) 뿐만 아니라 그 외 단자부에서 상부 단자 전극층(28)의 평탄면을 노출시킨다.

이 예에서, 층간 절연층으로 작용하는 게이트 절연층(24)은 포지티브 감광성 수지(OFPR-800, Tokyo Ohka Kogyo Kabyshiki Kaisha)로 형성된다. 현상제로서, TMAH(테트라메틸 암모늄 히드록사이드, Tokyo Ohka Kogyo Kabyshiki Kaisha)를 사용한다. TMAH는 또한 금속층(32)을 패턴닝하기 위한 레지스트 현상제로서 사용된다. 에칭제로서는, 질산, 아세트산 및 황산의 혼합 용액을 사용한다.

도 7d에서 나타낸 바와 같이, 상부 단자 전극층(28)은 평탄층이다. 본 발명은 이러한 구조에만 제한되지 않는다. 예를 들어, ITO층을 패턴닝하여 형성된 상부 단자 전극층(28)이 그 주변부에 단차부를 가질 수 있다. 예를 들어, 상부 단자 전극층(28)의 주변부는 Ti로 형성된 제2 단자 전극층(26)의 돌출 주변부(도 7d, 게이트 절연층(24)의 개구로 형성된 요부를 둘러쌈)와 중첩될 수 있다. 이 경우, 도 12a에서 나타낸 바와 같이, 제1 보호층(30)을 형성하기 전에 상부 단자 전극층(28)의 단차부를 피복하고 그 상부면의 평탄부만을 노출시키는 제2 보호층(50)을 형성하는 것이 바람직하다.

표시 영역에서, 상술한 바와 같이 반사부의 표면의 반사 특성을 최적화하기 위해서 제1 보호층(30)은 반사부에 요철을 형성하는 데에 사용한다. 제1 보호층(30)은 다른 목적으로도 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1 보호층(30)을 TFT, 소스 신호선 및 게이트 신호선 위에 제공하여, 제1 보호층(30) 위에 형성된 화소 전극을 그 내에 형성된 관통 홀을 거쳐 제1 보호층(30) 아래에 형성된 TFT의 드레인 전극에 접속한 형태로 해도 좋다.

반사형 LCD 장치(100)는 도 4a 및 도 4b에서 ACF(80)에 의해 나타낸 바와 같이, 상술한 소자를 위에 가지고 있는 활성 매트릭스판(20)과 대향 전극(도시안됨)을 갖는 대향판(25)을 결합시키고, 표시 매체(즉, 액정 재료)를 이들 판(20 및 25) 사이의 갭 내로 주입하고, 구동용 IC와 구동용 회로 기판(21)을 단자부(202, 204, 206 등)에 부착하여 형성된다. 반사형 LCD 장치(100)가 색상 표시용인 경우에는, 대향판(25)이 대향 전극 뿐만 아니라 컬러 필터를 위에 가지고 있는 상태에서 결합된다.

이 예의 반사형 LCD 장치(100)에서는, 단자부, 예를 들어 게이트 단자부(202) 중 적어도 하나에 ITO로 형성된 상부 단자 전극층(28)이 도 7d에서 나타낸 바와 같이 제2 단자 전극층(26)의 평탄 상부면 상에 형성된다. 따라서, 상부 단자 전극층(28)은 평탄 상부면이 될 수 있다. 도 7e에서 나타낸 바와 같이, 제1 보호층(30)은 상부 단자 전극층(28)을 완전히 피복하도록 제공된다. 이러한 구조에 의하면, 상부 단자 전극층(28)은 제1 보호층(30) 상에 형성된 금속층(32)과 직접 접촉되지 않는다. 따라서, 제1 보호층(30)과 금속층(32)의 일부 제거 동안에, 상부 단자 전극층(28)의 전해 부식은 발생하지 않으므로, 상부 단자 전극층(28)의 소실을 방지할 수 있다.

〔실시예 2〕

제2 실시예는 본 발명이 적용되는 반사형 LCD 장치의 공통 전이 단자부(208)에 관한 것이다. 제2 실시예의 반사형 LCD 장치는 제1 실시예의 구조와 유사한 구조를 갖는다. 도 1 내지 도 7f와 관련하여 설명되는 것과 동일한 요소에는 동일한 참조 부호를 붙히고 그 상세한 설명은 생략한다.

도 9는 공통 전이 단자부(208), 회로 기판 단자부(206) 및 반사형 LCD 장치의 주변부를 나타내는 단면도이다. 도 10은 공통 전이 단자부(208)의 평면도이고, 도 11은 도 10에서 나타낸 공통 전이 단자부(208)의 단면도이다. 공통 전이 단자부(208)는 활성 매트릭스판(20) 상의 라인을 대향판(25) 상의 대향 전극(36)에 접속한다.

도 9에서 나타낸 바와 같이, 회로 기판 단자부(206)는 저부로부터 순차적으로 제1 단자 전극층(22), 제2 단자 전극층(26) 및 상부 단자 전극층(28)을 포함한다. 공통 전이 단자부(208)는 제2 단자 전극층(26)을 생략하고 있다.

공통 전이 단자부(208)는 제1 단자 전극층(22), 게이트 전극과 게이트 신호선(도시안됨) 뿐만 아니라 제1 단자 전극층을 최소한 피복하도록 제1 절연판(20) 상에 제공되는 게이트 절연층(24), 및 제1 단자 전극층(22) 상에 제공되는 상부 단자 전극층(28)을 포함한다. 게이트 절연층(24)은 상부 단자 전극층(28)이 내부에 제공되어 있는 개구(8)을 가지고 있다. 게이트 절연층(24)이 공통 전이 단자부(208) 내에 반드시 개구(8)를 가질 필요는 없고, 단자부(202, 204, 206 및 208) 중 적어도 하나 내에 개구를 가지면 충분하다. 예를 들어, 게이트 전극(202)은 도 8에서 나타낸 바와 같이 제2 단자 전극층(26)을 생략할 수 있다. 다르게, 공통 전이 단자부(208)는 제2 단자 전극층(26)을 가지고 있어 도 6에서 나타낸 바와 같이, Ta의 제1 단자 전극층(22), Ti의 제2 단자 전극층(26) 및 ITO의 상부 단자 전극층(28)을 포함하는 삼층 구조를 가질 수 있다.

공통 전이 단자부(208)는 표시 영역(11)(도 1)의 네 각부 중 하나 이상에 또는 네 각부중 적어도 하나를 따라 설치될 수 있다.

도 11에서 잘 나타내고 있는 바와 같이, 상부 단자 전극층(28) 및 대향 전극(36)은 도전 페이스트(38)을 통해 서로 전기적으로 접속되어 있다.

이 예에서는 또한, 상부 단자 전극층(28)이 단자 전극층(28) 위에 설치된 금속층(32)과 직접 접촉되어 있지 않다. 따라서, 제1 보호층(30)과 금속층(32)의 부분 제거 동안에, 상부 단자 전극층(28)의 전해 부식이 발생하지 않으므로, 상부 단자 전극층(28)의 소실을 방지할 수 있다. 이러한 구조는 반사형 LCD 장치의 유효 제조률을 높은 수율로 실현할 수 있게 한다.

상술한 예에서, 본 발명은 접속선 등의 단자부에 적용된다. 본 발명은 표시 영역의 내측과 외측에 제공되어 있는 여러 소자가 정상적으로 동작하는지의 여부를 조사하기 위한 검사 단자부에 적용할 수 있다.

본 발명은 상기 예에서 설명한 반사형 LCD 장치 뿐만 아니라 각종 구조의 반사형 LCD 장치에도 적용할 수 있다.

〔변형예〕

도 12a 내지 도 12f는 게이트 절연층(24)에 개구(9)를 갖는 여러 반사형 LCD 장치를 나타낸다. 도 13a 내지 도 13e는 게이트 절연층(24)에 개구를 갖지 않는 여러 반사형 LCD 장치를 나타내고 있다. 도 13a 내지 도 13e에서 나타낸 반사형 LCD 장치에서는, 관통 홀이 도 2g에서 나타낸 바와 같이 단자부 이외의 영역에서 게이트 절연층(24)에 형성되어 제1 단자 전극층(22)과 상부 단자 전극층(28)을 전기적으로 접속한다. 단자부 뿐만 아니라 표시 영역에 포함되는 소자(예를 들어, TFT, 라인 및 화소 전극)와 같은 각종 소자의 구조, 이들 재료, 이들 제조 방법(여러 다른 단계의 순서를 포함함)이 적당한 방식으로 결합되어 효과를 성취할 수 있다.

도 12a 내지 도 12d, 12f, 13b, 13d 및 13e에서 각각 나타낸 반사형 LCD 장치는 예를 들어 실리콘 질화물로 형성된 제2 보호층(50)을 포함한다. 도 12a 및 도 12b에서, ITO로 형성된 상부 단자 전극층(28)은 단차 주변부(29)를 가지고 있으므로, 제2 보호층(50)이 단차 주변부(29)을 피복하고 상부 단자 전극층(28)의 평탄면만을 노출시키도록 제공된다. 제2 단자 전극층(26)이 신호선을 형성하도록 제공되어 있는 경우, 제2 보호층(50)은 신호선의 형성 후 실행되는 각종 처리에 대해서 그리고 최종 제품이 노출되게 되는 환경에 대해서 신호선을 보호하도록 제공되어, 내부식성을 신뢰 가능하게 개선할 수 있다. 제2 보호층(50)은 신호선의 형성 후의 처리(예를 들어, 부가 저항의 생성이나 그 외 층의 형성 처리)에서 필요로 하지 않는 경우 형성하지 않아도 좋다. 절연층이 신호선을 형성하는 제2 단자 전극층(26)을 피복하도록 제공되는 경우(예를 들어, 금속층과 금속 산화층으로 된 2층 구조)에, 제2 보호층(50)이 수지로 형성될 수 있다.

상술한 바로부터 이해할 수 있는 바와 같이, 단자 전극층(28)이 단차 주변부(29)을 갖고 있을 때에도, 상부 단자 전극층(28)의 상부면의 평탄 영역만이 제2 보호층(50)에 의해 단차 주변부(29)을 피복함으로써 제1 보호층(도시안됨)과 접촉하게 된다. 결과적으로, 상부 단자 전극층(28)의 상부면이 제1 보호층에 의해 완전히 피복되므로 상부 단자 전극층(28)의 전해 부식을 방지할 수 있다.

도 12c 및 도 13d에서, 제2 보호층(50)이 게이트 절연층(24) 상에 설치된다. 도 12a, 12b, 12d, 12f, 13b 및 13e에서는, 제2 보호층(50)이 게이트 절연층(24)과 상부 단자 전극층(28)의 일부를 피복하도록 설치된다. 도 12c, 12e 및 13a 내지 13e에서, 상부 단자 전극층(28)은 평탄층이다.

도 12b는 예를 들어, 소스 단자부를 나타낸다. 제1 단자 전극층(22)은 게이트 신호선과 함께 형성되어 소스 단자부에 접속된 IC를 광으로부터 차폐시킨다. 소스 단자부가 ITO/Ta/TaN의 구조를 포함하는 경우, Ta/TaN의 제2 단자 전극층(26)은 개구(9)에서 ITO의 상부 단자 전극층(28)의 평탄면을 노출시키도록 제거된다. Ta/TaN층(26)은 소스 신호선과 소스 단자부의 전기접 접속을 개선하기 위해서, 개구(9)를 둘러싸는 상부 단자 전극층(28)의 주변부 상에 남겨져 있다.

도 12d에서, 예를 들어, 제2 단자층(26)이 Ti로 형성되며 ITO의 상부 단자 전극층(28)과 Ta의 제2 단자 전극층(22) 사이에 제공된다. 따라서, 상부 단자 전극층(28)과 제1 단자 전극층(22)의 전기적 접속이 안정화된다. 제2 단자 전극층(26)이 제2 보호층(50)을 패턴닝하는 데에 사용되는 에천트에 의해 에칭되기 때문에, 제2 단자 전극층(26)이 게이트 절연층(24)의 개구(8)을 피한 위치에 배치되어 있다.

제1 및 제2 실시예에서, 소스 신호선은 Ti로 형성되며 게이트 신호선은 Ta로 형성된다. 소스 신호선은 TaN/Ta/TaN 또는 ITO로 형성될 수 있다. 게이트 신호선은 Ta/TaN, ITO 또는 Ti로 형성될 수 있다. 이들 재료는 어느 결합물로도 사용될 수 있다.

본 발명은 도 6, 12b, 및 12d에서 나타낸 바와 같이 삼층 구조로 제한되는 것은 아니지만, 일층 구조(도 13c 및 도 13e), 이층 구조(도 12a, 12c, 12e, 12f, 13a, 13b 및 13d) 또는 네층 이상의 구조에 적용할 수도 있다.

본 발명에 따른 단자부가 각 화소 영역에 반사 영역과 투과 영역을 갖는 반사 및 투과형 LCD 장치에 적용될 수 있다. 이러한 LCD 장치에서는, 투과광을 사용한 표시를 실행하는 영역을 투과 영역으로 언급하고, 반사광을 사용한 표시를 실행하는 영역을 반사 영역으로 언급한다. 이 투과 영역은 한 쌍의 기저판과 투과 전극 사이에 개재된 액정층 영역과 기저판들중 하나 상에 설치된 투과 전극 영역을 포함한다. 반사 영역은 한 쌍의 기저판과 기저판들 중 하나 상에 설치된 반사 전극 영역 사이에 개재된 액정층 영역을 포함한다. 투과 전극 영역과 반사 전극 영역 각각은 투과 영역과 반사 영역의 이차원적인 영역을 규정한다. 투과 전극 영역은 통상 투명 전극으로 정의된다. 반사 전극 영역은 반사 전극이나 투명 전극과 반사 전극의 결합으로 규정될 수 있다.

도 15a는 예시의 반사 및 투과 LCD 장치(300)의 부분 단면도이다. 도 15b는 반사 및 투과 LCD 장치(300)의 활성 매트릭스 기판(70)의 평면도이다. 도 15a는 도 15b에서의 선 A-A'을 따른 것이다.

도 15a에서 나타낸 바와 같이, 반사 및 투과 LCD 장치(300)는 활성 매트릭스 기판(70), 대향 기판(160), 및 기판(70 및 160) 사이에 개재된 액정층(140)을 포함한다. 반사 및 투과 LCD 장치(300)는 또한 활성 매트릭스 기판(70)과 대향 기판(160)의 액정층(140)과는 반대측 표면에 각각 위상차 보상 소자(180 및 170)(예를 들어, 위상판, 위상막 또는 위상판, 위상막 등을 포함하는 적층물)가 설치되어 있다. 반사 및 투과 LCD 장치(300)는 또한 위상차 보상 소자(180 및 170) 외측에 편광 소자(182 및 172)을 포함한다.

도 15a 및 도 15b에서 나타낸 바와 같이, 활성 매트릭스 기판(70)은 유리판(61), 및 주사선으로서의 복수의 게이트 버스선(72) 및 유리판(61) 상에 설치된 신호선으로서의 복수의 소스 버스선(74)을 포함한다. 게이트 버스선(72) 및 소스 버스선(74)는 서로 교차한다. 두 인접 게이트 버스선(72)과 두 인접 소스 버스선(74)와의 교차부로 형성된 각 장방형 영역에는, 높은 광 반사율의 재료(예를 들어, Al, Ag 또는 Ta)로 형성된 반사 전극(69) 및 높은 광 투과성의 재료(예를 들어, ITO)로 형성된 투명 전극(68)이 모두 설치된다. 화소 전극은 반사 전극(69) 및 투명 전극(68)을 포함한다. 반사 전극(69) 아래에는 높은 절연층(64a), 낮은 절연층(64b) 및 이들 높고 낮은 절연층(64a 및 64b)에 설치된 폴리머 수지층(65)이 설치된다. 따라서, 반사 전극(69)의 표면은 연속적으로 파형의 상면을 갖는다. 절연층은 동일한 높이를 가질 수 있다. 폴리머 수지(65)는 생략할 수 있다. 절연층(64a 및 64b)만이 연속적인 파형의 상면을 갖는 층간 절연층을 형성하도록 구성할 수 있다.

반사 전극(69)이 관통 홀(79)을 통해 TFT(71)의 드레인 전극(76)에 접속된다. TFT(71)는 게이트 전극(73)을 피복하는 게이트 절연층(61a) 상에 설치된 반도체층(77)을 포함한다. TFT(71)의 게이트 전극(73)과 소스 전극(75)는 각 게이트 버스선(72)와 각 소스 버스선(74)로부터 각각 분기된 것이다.

도 15a에서 나타낸 바와 같이, 대향 기판(160)은 유리판(162), 컬러 필터층(164) 및 ITO로 형성된 투명 전극(166)을 포함한다.

수평 배향층(도시안됨)은 액정층(140)과 활성 매트릭스 기판(70) 사이에 및 액정층(140)과 대향 기판(160) 사이에 설치되어 있다. 배향층은 러빙 등으로 처리되어 바람직한 액정 분자의 트위스트 각을 제공한다. 액정층(140)은 정의 유전 이방성을 갖는 네마틱 액정 재료로 형성된다. 액정층(140)의 액정 분자에는 수평 배향층의 러빙 결과로 유리판(61 및 162)의 표면에 대해 약 0.1 내지 5도의 경사각이 주어진다. 액정 분자는 전압이 인가되지 않을 때 유리판(61 및 162)에 평행하며 전압이 인가될 때에는 유리판(61 및 162)의 법선 방향으로 경사지게 된다.

반사 및 투과 LCD 장치(300)의 표시용 최소 단위인 화소 영역은 반사 전극(69)으로 규정되는 반사 영역(120R)과 투명 전극(68)으로 규정되는 투과 영역(120T)을 포함한다. 액정층(140)의 두께는 반사 영역(120R)에 의해 반사된 광의 광로 길이와 투과 영역(120T)을 통해 투과된 광의 광로 길이를 거의 동일하게 하기 위해서, 반사 영역(120R)에서는 dr로 설정하고 투과 영역(120T)에서는 dt로 설정한다(dtdr). dt=2dr이 바람직하지만, dt와 dr는 표시 특성에 따라서 적당히 설정될 수 있다. 적어도 dtdr이면 충분하다. 통상, dt는 약 4 내지 6㎛이고 dr은 약 2 내지 3㎛이다. 다시 말해, 약 2 내지 3㎛의 단차가 활성 매트릭스 기판(70)의 화소 영역에 형성된다. 반사 전극(69)이 도 15a에서 나타낸 바와 같이 불균일한 표면을 가지고 있는 경우, dr이 액정층(140)의 평균 두께가 된다. 상술한 바와 같이, 반사 및 투과 LCD 장치(300)가 비균일한 두께를 갖는 액정층(140)(반사 영역(120R)과 투과 영역(120T)을 포함)을 갖는다.

본 발명을 반사 및 투과 LCD 장치(300)의 단자부의 형성에 적용할 때, 다음의 효과를 제공할 수 있다. 예를 들어, 반사 전극을 형성하는 Al로 형성되는 금속층과, 반사 전극의 표면에 요철을 형성하기 위해 예를 들어 폴리머 수지층(도 15a에서 폴리머 수지층(65)에 대응)으로 형성되는 제1 보호층을 적어도 부분적으로 제거할 때, 금속층은 투명 전극을 형성하는 ITO층과 접촉하지 않게 된다. 따라서, 전해 부식으로 인한 ITO층의 소실을 방지할 수 있다. 따라서, 반사 및 투과 LCD 장치(300)를 효율 좋게 고 수율로 실현할 수 있다.

본 발명에 따르면, 상술한 바와 같이, 금속층과 제1 보호층을 LCD 장치의 주변 영역의 적어도 한 단자부에서 적어도 부분적으로 제거할 때, 금속층과 ITO로 형성된 상부 단자 전극층의 직접적인 접속을 방지할 수 있다. 이러한 구조에 의해서, 전해 부식으로 인한 상부 단자 전극층의 소실을 방지할 수 있으며, ITO로 형성된 상부 단자 전극층을 포함하는 단자부를 고수율로 제조할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 고수율로 제조되는 반사형 LCD 장치와 이를 제조하는 방법, 및 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 회로 기판을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명은 ITO로 형성된 상부층을 포함하며, 그 상부면의 평탄 영역만이 노출되게 되는 어느 회로 기판에나 적용될 수 있다.

각종 다른 변형들이 본 발명의 정신 및 영역에서 벗어나지 않고 당업자에게는 용이하게 실시될 수 있다. 따라서, 후술하는 청구범위의 영역은 여기에 개시된 설명에 제한되는 것은 아니며 청구범위는 광범위하게 해석되어야 할 것이다.

Claims (13)

1. 제1 기판, 제2 기판 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 삽입되어 있는 표시 매체층을 포함하며,

   상기 제1 기판은 상기 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 제1 전극을 포함하고, 상기 제2 기판은 상기 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 기판은 상기 제2 기판을 통해서 반사형 액정 표시 장치상에 입사되는 광을 반사하기 위해 상기 표시 매체층의 부근에 광 반사부를 포함하며, 또한 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전압을 제공하기 위한 복수의 단자부를 포함하고, 상기 복수의 단자부중 적어도 하나는 ITO로 형성된 상부층을 갖고 있으며, 이 상부층의 상부 표면 중 평탄한 영역만이 노출되는 반사형 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서,

   상기 제1 기판내에 ITO층을 형성하는 단계;

   상기 적어도 하나의 단자부내에 상기 상부층이 형성되도록 상기 ITO층을 패턴닝하는 단계;

   상기 상부층이 덮혀지도록 제1 보호층을 형성하는 단계;

   상기 제1 보호층이 덮혀지도록 주로 알루미늄으로 이루어진 금속층을 형성하는 단계; 및

   상기 금속층으로 반사부가 형성되고 상기 적어도 하나의 단자부내의 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되도록 상기 금속층 및 상기 제1 보호층을 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함하며,

   상기 제1 보호층을 형성하는 단계 전에는, 상기 평탄한 영역을 따라서만 상기 제1 보호층이 상기 상부층과 접촉되도록 상기 단자부들중 적어도 한 단자부내의 상기 상부층의 상부 표면의 평탄한 영역만이 노출되는

   반사형 액정 표시 장치 제조 방법.
2. 제1 기판, 제2 기판, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 삽입된 표시 매체층을 포함하며,

   상기 제1 기판은 상기 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 복수의 반사 화소 전극을 포함하고,

   상기 제2 기판은 상기 복수의 반사 화소 전극에 대향되게 위치한 대향 전극을 포함하며,

   상기 제1 기판은 절연판을 포함하고 있고, 또한 상기 표시 매체층에 대향되게 배치된 상기 절연판의 표면 위에, 상기 복수의 반사 화소 전극에 각각 접속된 복수의 박막 트랜지스터, 상기 각각의 박막 트랜지스터에 접속된 복수의 게이트 신호선 및 복수의 소스 신호선, 상기 게이트 신호선에 주사 신호를 제공하기 위한 게이트 단자부, 상기 소스 신호선에 표시 신호를 제공하기 위한 소스 단자부, 및 상기 대향 전극에 공통 신호를 제공하기 위한 공통 전이 단자부를 포함하며,

   상기 박막 트랜지스터 각각은 상기 각각의 게이트 신호선에 접속된 게이트 전극, 상기 각각의 소스 신호선에 접속된 소스 전극, 및 상기 각각의 반사 화소 전극에 접속된 드레인 전극을 포함하고,

   상기 게이트 단자부, 상기 소스 단자부 및 상기 공통 투과 단자부중 적어도 하나는 ITO로 이루어진 상부층을 포함하며, 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되는 반사형 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서,

   상기 절연판상에 제1 도전층을 형성하는 단계;

   상기 게이트 신호선과 상기 게이트 전극을 형성하기 위하여 상기 제1 도전층을 패턴닝하는 단계;

   적어도 상기 게이트 신호선과 상기 게이트 전극이 덮혀지도록 상기 절연판의 거의 전면에 게이트 절연층을 형성하는 단계;

   상기 절연판 위에 ITO층을 형성하는 단계;

   상기 단자부들중 적어도 하나에 상기 상부층을 형성하기 위하여 상기 ITO층을 패턴닝하는 단계;

   상기 상부층을 듈 위하여 제1 보호층을 형성하는 단계;

   상기 제1 보호층을 듈 위하여 주로 알루미늄으로 이루어진 금속층을 형성하는 단계; 및

   상기 금속층으로 상기 반사 화소 전극이 형성되고 상기 단자부들중 적어도 상기 하나의 단자부 내의 상기 상부층의 상부 표면의 평탄한 영역만이 노출되도록 상기 금속층과 상기 제1 보호층을 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함하며,

   상기 제1 보호층을 형성하는 단계 전에는, 상기 평탄한 영역을 따라서만 상기 제1 보호층이 상기 상부층과 접촉되도록 상기 단자부들중 적어도 한 단자부내의 상기 상부층의 상부 표면의 평탄한 영역만이 노출되는

   반사형 액정 표시 장치 제조 방법.
3. 제1 기판, 제2 기판, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 삽입된 표시 매체층을 포함하며,

   상기 제1 기판은 상기 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 복수의 반사 화소 전극을 포함하고,

   상기 제2 기판은 상기 복수의 반사 화소 전극에 대향되게 배치된 대향 전극을 포함하며,

   상기 제1 기판은 절연판을 포함하며, 또한 상기 표시 매체에 대향되게 배치된 상기 절연판의 표면 위에, 상기 복수의 반사 화소 전극에 각각 접속된 복수의 박막 트랜지스터, 상기 각각의 박막 트랜지스터에 접속된 복수의 게이트 신호선 및 복수의 소스 신호선, 상기 게이트 신호선에 주사 신호를 인가하기 위한 게이트 단자부, 상기 소스 신호선에 표시 신호를 제공하기 위한 소스 단자부, 및 상기 대향 전극에 공통 신호를 제공하기 위한 공통 투과 단자부를 포함하고 있으며,

   상기 박막 트랜지스터 각각은 상기 각각의 게이트 신호선에 접속된 게이트 전극, 상기 각각의 소스 신호선에 접속된 소스 전극, 및 상기 각각의 반사 화소 전극에 접속된 드레인 전극을 포함하고,

   상기 게이트 단자부, 상기 소스 단자부, 및 상기 공통 투과 단자부중 적어도 하나는 ITO로 이루어진 상부층을 포함하며, 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되는 반사형 액정 표시 장치 제조 방법에 있어서,

   상기 절연판상에 제1 도전층을 형성하는 단계;

   상기 게이트 신호선 및 상기 게이트 전극이 형성되도록 상기 제1 도전층을 패턴닝하는 단계;

   적어도 상기 게이트 신호선 및 상기 게이트 전극이 덮혀지도록 상기 절연판의 거의 전면에 게이트 절연층을 형성하는 단계;

   상기 단자부들중 적어도 하나에 있는 상기 게이트 절연층을 통해서 개구를 형성하는 단계;

   상기 절연판위에 ITO층을 형성하는 단계;

   상기 단자부들중 적어도 하나의 단자부내에 상기 상부층이 형성되도록 상기 ITO층을 패턴닝하는 단계;

   상기 상부층이 덮혀지도록 제1 보호층을 형성하는 단계;

   상기 제1 보호층이 덮혀지도록 주로 알루미늄으로 이루어진 금속층을 형성하는 단계; 및

   상기 반사 화소 전극이 상기 금속층으로 형성되고 상기 단자부들 중 적어도 하나의 단자부 내의 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되도록 상기 금속층과 상기 제1 보호층을 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함하며,

   상기 제1 보호층을 형성하는 단계전에, 상기 단자부들중 적어도 하나의 단자부내의 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되어 상기 제1 보호층이 상기 평탄한 영역만을 따라서 상기 상부층과 접촉하게 되고,

   상기 상부층은 상기 개구내에 형성되는

   반사형 액정 표시 장치 제조 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 상부층은 단차 주변부를 갖고 있고, 상기 방법은 상기 제1 보호층의 형성 단계전에, 상기 단차 주변부는 덮히고 상기 상층부의 상부 표면의 평탄한 영역만이 노출되도록 제2 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반사형 액정 표시 장치 제조 방법.
5. 제3항에 있어서, 상기 상부층은 단차 주변부를 갖고 있고, 상기 방법은 상기 제1 보호층의 형성 단계전에, 상기 단차 주변부는 덮히고 상기 상층부의 상부 표면의 평탄한 영역만이 노출되도록 제2 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반사형 액정 표시 장치 제조 방법.
6. 제2항에 있어서, 상기 상층부를 형성하는 단계는 상기 게이트 절연층상에 상기 상부층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 상부층은 상기 단자부들중 상기 적어도 하나의 단자부 이외의 영역에 형성된 관통 홀을 통해서 상기 게이트 신호선에 전기적으로 접속되는 반사형 액정 표시 장치 제조 방법.
7. 절연판과 상기 절연판상에 형성된 단자부 - 이 단자부는 ITO로 이루어진 상부층을 포함하고 이 상부층의 상부 표면의 평탄한 영역만이 노출됨 - 를 포함하는 회로 기판을 제조하는 방법에 있어서,

   상기 절연판 위에 ITO층을 형성하는 단계;

   상기 단자부내에 상기 상부층이 형성되도록 상기 ITO층을 패턴닝하는 단계;

   상기 상부층이 덮히도록 제1 보호층을 형성하는 단계;

   상기 제1 보호층이 덮히도록 주로 알루미늄으로 이루어진 금속층을 형성하는 단계; 및

   상기 단자부내의 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되도록 상기 금속층 및 상기 제1 보호층을 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함하며,

   상기 제1 보호층을 형성하는 단계 전에, 상기 단자부내의 상기 상부층의 상기 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되어, 상기 제1 보호층이 상기 평탄한 영역만을 따라서 상기 상부층과 접촉하게 되는

   회로 기판 제조 방법.
8. 반사형 액정 표시 장치에 있어서,

   제1 기판;

   제2 기판; 및

   상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 삽입된 표시 매체층을 포함하며,

   상기 제1 기판은 상기 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 복수의 반사 화소 전극을 포함하고,

   상기 제2 기판은 상기 복수의 반사 화소 전극에 대향되게 배치된 대향 전극을 포함하고,

   상기 제1 기판은 절연판을 포함하며, 또한 상기 표시 매체층에 대향 배치된 상기 절연 판의 표면위에, ITO층, 제1 보호층, 주로 알루미늄을 함유하는 금속층으로 이루어지며 상기 제1 보호층상에 제공된 복수의 박막 트랜지스터 - 이들 박막 트랜지스터는 상기 복수의 반사 화소 전극에 접속되어 있음 -, 상기 박막 트랜지스터에 접속된 게이트 신호선 및 소스 신호선, 상기 게이트 신호선에 주사 신호를 제공하기 위한 게이트 단자부, 상기 소스 신호선에 표시 신호를 제공하기 위한 소스 단자부, 및 상기 대향 전극에 공통 신호를 제공하기 위한 공통 투과 단자부를 포함하고,

   상기 게이트 단자부, 상기 소스 단자부 및 공통 투과 단자부들 중 적어도 하나는 ITO로 이루어진 상부층을 포함하고, 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되며,

   상기 제1 기판은 적어도 상기 게이트 신호선과 게이트 전극을 듈 위한 게이트 절연층을 더 포함하고,

   상기 게이트 절연층은 상기 단자부들중 상기 적어도 하나의 단자부 내에 개구를 갖고 있고,

   상기 상부층은 상기 개구내에 형성되는

   반사형 액정 표시 장치.
9. 제8항에 있어서, 상기 상부층은 단차 주변부를 갖고 있으며, 상기 반사형 액정 표시 장치는, 상기 단차 주변부는 덮고 상기 상부층의 상기 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되게 하는 제2 보호층을 더 포함하는 반사형 액정 표시 장치.
10. 제8항에 있어서, 상기 소스 신호선의 재료와 동일한 재료로 이루어진 다른 도전층을 더 포함하고, 상기 상부층은 상기 다른 도전층상에 형성되는 반사형 액정 표시 장치.
11. 제9항에 있어서, 상기 소스 신호선의 재료와 동일한 재료로 이루어진 다른 도전층을 더 포함하고, 상기 상부층은 상기 다른 도전층상에 형성되는 반사형 액정 표시 장치.
12. 제8항에 있어서, 상기 상부층은, 상기 상부층의 외주변이 상기 게이트 절연층의 내주변으로 부터 0 보다는 크고 2㎛ 이하인 거리 만큼 이격되도록 상기 게이트 절연층 내에 형성되어 있는 반사형 액정 표시 장치.
13. 반사형 액정 표시 장치에 있어서,

    제1 기판, 제2 기판, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 삽입된 표시 매체층을 포함하고,

    상기 제1 기판은 상기 표시 매체층에 전압을 인가하기 위한 복수의 반사 화소 전극을 포함하고,

    상기 제2 기판은 상기 복수의 반사 화소 전극에 대향 배치된 대향 전극을 포함하고,

    상기 제1 기판은 절연판을 포함하고 있으며, 또한 상기 표시 매체층에 대향 배치된 상기 절연판의 표면위에, ITO층, 제1 보호층, 주로 알루미늄을 함유하는 금속층으로 이루어지며 상기 제1 보호층상에 형성되는 복수의 박막 트랜지스터 - 상기 복수의 박막 트랜지스터는 상기 복수의 반사 화소 전극에 접속되어 있음 -, 상기 박막 트랜지스터들에 접속되어 있는 게이트 신호선 및 소스 신호선, 상기 게이트 신호선에 주사 신호를 제공하는 게이트 단자부, 상기 소스 신호선에 표시 신호를 제공하는 소스 단자부 및 상기 대향 전극에 공통 신호를 제공하기 위한 공통 투과 단자부를 포함하며,

    상기 게이트 단자부, 상기 소스 단자부 및 상기 공통 투과 단자부중 적어도 하나는 ITO로 이루어진 상부층을 포함하며, 상기 상부층의 상부 표면중 평탄한 영역만이 노출되고,

    상기 제1 기판은 적어도 상기 게이트 신호선과 게이트 전극을 듈 위한 게이트 절연층을 더 포함하고,

    상기 상부층은 상기 게이트 절연층상에 형성되며 상기 단자부들중 상기 적어도 하나의 단자부 이외의 영역에 형성된 관통 홀을 통해서 상기 게이트 신호선에 접속되어 있는 반사형 액정 표시 장치.