KR19990047733A - 콘택 패드의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 한 번의 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 사용하므로 공정을 단순화 시키고 경제성을 향상시키기 위한 콘택 패드(Contact Pad)의 제조 방법에 관한 것이다.

본 발명의 콘택 패드의 제조 방법은 기판상에 상측 부위와 하측 부위의 습식각률이 서로 다른 절연막을 형성하는 단계, 상측 부위가 하측 부위보다 더 넓은 콘택홀이 형성되도록 상기 절연막을 선택적으로 건식각하고 습식각하는 단계와, 상기 콘택홀내에 상기 기판과 전기적으로 연결된 도전체를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

Description

콘택 패드의 제조 방법

본 발명은 콘택 패드(Contact Pad)의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 공정을 단순화시키는 콘택 패드의 제조 방법에 관한 것이다.

종래 기술에 따른 콘택 패드의 제조 방법은 도 1a에서와 같이, 반도체 기판(11)상에 산화막(12)을 형성한다.

도 1b에서와 같이, 상기 산화막(12)상에 제 1 감광막(13)을 도포한다.

그리고, 상기 제 1 감광막(13)을 콘택홀이 형성될 부위에만 제거되도록 선택적으로 노광 및 현상한다.

도 1c에서와 같이, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 제 1 감광막(13)을 마스크로 상기 산화막(12)을 선택적으로 식각하여 콘택홀(14)을 형성한 다음, 상기 제 1 감광막(13)을 제거한다.

도 1d에서와 같이, 상기 콘택홀(14)을 포함한 산화막(12)상에 다결정 실리콘(15)을 형성한다.

도 1e에서와 같이, 상기 다결정 실리콘(15)상에 제 2 감광막(16)을 도포한다.

그리고, 상기 제 2 감광막(16)을 콘택 패드가 형성될 부위에만 남도록 선택적으로 노광 및 현상한다.

도 1f에서와 같이, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 제 2 감광막(16)을 마스크로 상기 다결정 실리콘(15)을 선택적으로 식각한 다음, 상기 제 2 감광막(16)을 제거한다.

여기서, 상기 다결정 실리콘(15)의 선택적 식각으로 콘택 패드를 형성한다.

그러나 종래의 콘택 패드의 제조 방법은 두 번의 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 사용하므로, 공정이 복잡하고 또한 반도체 제조 단가가 증가하므로 경제성이 떨어진다는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 한 번의 포토리소그래피 공정을 사용하므로 공정을 단순화 시키고 경제성을 향상시키는 콘택 패드의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1a 내지 도 1f는 종래 기술에 따른 콘택 패드의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 콘택 패드의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

31: 반도체 기판 32: 산화막

33: 고농도 산화막 34: 제 1 감광막

35: 콘택홀 36: 다결정 실리콘

본 발명의 콘택 패드의 제조 방법은 기판상에 상측 부위와 하측 부위의 습식각률이 서로 다른 절연막을 형성하는 단계, 상측 부위가 하측 부위보다 더 넓은 콘택홀이 형성되도록 상기 절연막을 선택적으로 건식각하고 습식각하는 단계와, 상기 콘택홀내에 상기 기판과 전기적으로 연결된 도전체를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

상기와 같은 본 발명에 따른 콘택 패드의 제조 방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 콘택 패드의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.

본 발명의 실시예에 따른 콘택 패드의 제조 방법은 도 2a에서와 같이, 반도체 기판(31)상에 산화막(32)을 형성한다.

그리고, 상기 산화막(32)에 이온 주입 공정을 실시하여 상기 산화막(32) 표면내에 고농도 산화막(33)을 형성한다.

여기서, 상기 산화막(32)과 고농도 산화막(33)같이 상측 부위와 하측 부위의 농도가 서로 다른 절연막을 형성하는 다른 방법으로 상기 산화막(32)상에 고농도의 산화막을 증착하는 공정이 있다.

도 2b에서와 같이, 상기 산화막(32)상에 제 1 감광막(34)을 도포한다.

그리고, 상기 제 1 감광막(34)을 콘택홀이 형성될 부위에만 제거되도록 선택적으로 노광 및 현상한다.

도 2c에서와 같이, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 제 1 감광막(34)을 마스크로 상기 고농도 산화막(33)과 산화막(32)을 선택적으로 건식각하여 콘택홀(35)을 형성한다.

도 2d에서와 같이, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 제 1 감광막(34)을 마스크로 상기 고농도 산화막(33)과 산화막(32)을 습식각한 다음, 상기 제 1 감광막(34)을 제거한다.

이때, 상기 습식각 공정에서 상기 고농도 산화막(33)과 산화막(32)의 농도차이로 상기 고농도 산화막(33)이 상기 산화막(32)보다 식각률이 커 더 많이 식각되므로, 상기 콘택홀(35)의 상측 부위를 하측 부위보다 더 넓게 형성한다.

도 2e에서와 같이, 상기 상측 부위가 하측 부위보다 더 넓은 콘택홀(34)을 포함한 전면에 다결정 실리콘(36)을 형성한다.

도 2f에서와 같이, 상기 다결정 실리콘(35)을 에치백(Etch Back) 공정으로 식각한다.

여기서, 상기 다결정 실리콘(35)의 식각으로 콘택 패드를 형성한다.

본 발명의 콘택 패드의 제조 방법은 두 번의 포토리소그래피 공정 대신에 한 번의 포토리소그래피 공정을 사용하므로, 공정을 단순화 시키고 또한 반도체 제조 단가가 절감되므로 경제성을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (3)

1. 기판상에 상측 부위와 하측 부위의 습식각률이 서로 다른 절연막을 형성하는 단계;

   상측 부위가 하측 부위보다 더 넓은 콘택홀이 형성되도록 상기 절연막을 선택적으로 건식각하고 습식각하는 단계;

   상기 콘택홀내에 상기 기판과 전기적으로 연결된 도전체를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 콘택 패드의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 절연막을 상기 기판상의 산화막과 상기 산화막에 이온 주입 공정을 실시하여 상기 산화막 표면내에 형성된 고농도 산화막으로 형성함을 특징으로 하는 콘택 패드의 제조 방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 절연막을 상기 기판상의 산화막과 상기 산화막상에 증착된 고농도의 산화막으로 형성함을 특징으로 하는 콘택 패드의 제조 방법.