KR19990034662A - 열 응력을 제공하기 위한 점 열원을 사용하여 부서지기 쉬운 물질을 쪼개는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 방법은 스트립의 크랙 선단으로부터 스트립위에 조사되는 펄스 레이저 점 열원의 펄스 비임 스폿의 중심 위치의 최적의 거리 "D"와, 상기 펄스 레이저 점 열원의 최적의 펄스 시간 "t"를 기초로 하는 펄스 레이저 점 열원의 펄스 가열 위치를 시프트함으로써 펄스 레이저 점 열원에 의하여 적용되는 인장 응력에 의하여 스트립을 쪼갬으로써 제공되고, 여기에서 최적의 거리 "D"와, 최적의 펄스 시간 "t"은 다음의 단계에 의하여 결정된다: 4kt/W2의 값을 찾기 위하여 "t"를 미리 결정하는 단계와, "k"는 스트립의 열 확산성이고, "W"는 쪼개짐이 있는 선과 스트립 측부 모서리 사이의 거리로서 형성되는 폭이며, D/W의 최적의 값과 4kt/W2의 값 사이의 미리 얻어진 관계를 참고로 하여 4kt/W2의 값으로 부터 D/W의 최적의 값을 찾아서 최적의 거리 "D"를 찾는 단계를 포함한다. 상기 최적의 거리 "D"은 4kt/W2의 값이 0.0001-0.05이면, D/W의 값은 0.1이며, 4kt/W2의 값이 0.005-1.0의 범위이면, D/W의 최적의 값은 0.2이며, 4kt/W2의 값이 1.0이하이면, D/W의 최적의 값은 0.4일 수 있도록 결정된다.

Description

열 응력을 제공하기 위한 점 열원을 사용하여 부서지기 쉬운 물질을 쪼개는 방법
본 발명은 부서지기 쉬운 물질에 열 응력을 제공할 수 있는 점 열원을 사용하여 부서지기 쉬운 물질을 쪼개는 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼, 세라믹 및 유리와 같은 부서지기 쉬운 물질을 열원을 사용하여 쪼개는 종래의 방법은 일본 특허공보 3-13040에 기재되어 있다.
상기 종래의 쪼개는 방법은 도 1, 도 2 및 도 3를 참고로 하여 보다 상세히 설명될 것이다.
상기 부서지기 쉬운 물질은 쪼개짐 선(3)을 따라 쪼개지려는 성질을 가지고 있다. 리세스(2)는 쪼개짐 선(3)의 교차점으로써 형성되는 쪼개짐 시작점과, 부서지기 쉬운 물질의 측부 모서리에 형성된다. 열원(4)은 쪼개짐 선과 리세스(3)의 근처에 위치되는 점에 국부적으로 열을 적용함으로써, 인장 응력은 실질적인 등온선(5)의 접선을 따른 방향에서 발생된다.
이러한 이유로 인하여, 상기 인장 응력은 크랙(6)을 발생시킨다.
상기 크랙(6)은 리세스(2)의 선단으로부터 열원(4)의 점을 향하여 확산된다.
도3에 도시된 바와 같이, 온도 분포선은 부서지기 쉬운 물질의 온도가 열원(4)의 점위에서 피크를 가진다는 것을 지시한다. 응력 분포선은 압축 응력이 열원(4)의 점위에 나타나는 것을 지시하는 반면에, 인장 응력은 열원(4)의 점주위에 나타나게 된다.
이러한 이유로 인하여, 크랙(6)의 선단은 리세트(2)로부터 열원(4)의 점을 향하여 확산됨으로써, 상기 크랙(6)은 열원(4)의 점으로부터 이격되지만 근접된 위치로 연장된다.
그러나, 상기 크랙(6)은 열원(4)의 점에 도달하지 않는데, 왜냐하면 어떠한 인장 응력도 열원(4)의 점위에 나타나지 않기 때문이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 열원(4)의 점은 쪼개짐 선(3)을 따라서 이동함으로써, 상기 응력 분포는 열원(4)의 점의 이동을 따라 이동하게 된다.
결과적으로, 상기 압축 응력과 인장 응력은 열원(4)의 점의 이동을 따라 이동하게 된다.
이러한 이유로 인하여, 상기 크랙(6)의 선단은 쪼개짐 선(3)을 따라 열원(4)의 이동점을 향하여 부가로 확산된다.
상기 열원(4)의 점은 A, B로부터 C로 연속적으로 이동함으로써, 상기 크랙(6)의 선단은 P, P1으로부터 P2로 이동하게 된다.
상기 열원(4)의 점의 이동 위치는 쪼개짐 선(6)으로부터 서로 다르게 되는데, 왜냐하면 상기 크랙(6)의 선단은 열원(4)의 점을 향하여 확산된다.
상술된 종래의 쪼개는 방법에서, 열원(4)의 점은 시도 및 오차 방법에 의하여 얻어지는데, 여기에서 가열 시간은 물론, 상기 크랙(6)의 선단과, 열원(4)의 점 사이의 거리는 부서지기 쉬운 물질의 스트립 크랙에 인장 응력을 효과적이며 효율적으로 부가하기 위하여 최적의 가열 점과 최적의 가열 시간을 결정하도록 변화된다.
상기 최적의 가열 점과 최적의 가열 시간은 부서지기 쉬운 스트립 물질과 그 물질의 폭에 따른다.
이러한 점은 최적의 가열 시간은 물론, 상기 크랙(6)의 선단과, 열원(4)의 점 사이의 최적의 거리는 부서지기 쉬운 스트립의 물질과 이 물질의 폭에 따르는데, 왜냐하면 최적의 가열 시간은 물론, 크랙(6)의 선단과 열원(4)의 점 사이의 최적의 거리는 부서지기 쉬운 스트립의 서로 다른 물질과, 이것의 서로 다른 폭을 결정하는데 요구된다. 가열 시간은 물론이고 크랙(6)의 선단과 열원(4)의 점 사이의 거리가 시도 및 오차 방법에 의하여 요구될지라도, 이들 거리와 가열 시간은 실질적인 최적의 거리와 가열 시간으로부터 조금 틀릴 수가 있다.
이러한 종래의 쪼개는 작업은 시간을 소비하는 방법이 된다.
이러한 점은 레이저 비임 가공의 자동화를 실현하기 어렵게 만든다.
이러한 점으로부터, 상술된 문제점이 없는 부서지기 쉬운 물질의 스트립을 쪼개는 새로운 방법을 발전시킬 것을 요구한다.
따라서, 본 발명의 목적은 상술된 문제점이 없는 부서지기 쉬운 물질의 스트립을 쪼개는 새로운 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 레이저 비임 가공의 자동화를 실현할 수 있는 부서지기 쉬운 물질의 스트립을 쪼개는 새로운 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 최적의 가열 시간은 물론, 크랙의 선단과, 열원의 점 사이의 최적 거리를 찾는데 필요한 시간을 단축시킬 수 있는 부서지기 쉬운 물질의 스트립을 쪼개는 새로운 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 쪼개는데 필요한 시간은 단축시킬 수 있는 부서지기 쉬운 물질의 스트립을 쪼개는 새로운 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 부서지기 쉬운 판을 쪼개는 종래의 방법을 도시하는 평면도.
도 2는 상기 종래의 쪼개는 방법에서 크랙 확산 기구를 도시하는 확대 평면도.
도 3은 종래의 쪼개는 방법에서 압축 응력 및 인장 응력과 온도 분포를 도시하는 도면.
도 4는 점 열원을 사용하여 세미-인퍼너트(semi-infinite) 스트립의 쪼개짐을 도시하는 평면도.
도 5는 상기 스트립에서 온도 필드의 분석하는 방법을 도시하는 도면.
도 6은 응력 필드의 중첩을 도시하는 도면.
도 7은 바디 포스 방법(body force method)에서 분석하기 위한 경계의 불연속성을 도시하는 평면도.
도 8a는 4kt/W2=1.0에서 인퍼너트 판(우측)과 스트립(좌측)에서의 온도 분포를 비교하는 도면.
도 8b는 4kt/W2=10.0에서 인퍼너트 판(우측)과 스트립(좌측)에서의 온도 분포를 비교하는 도면.
도 8c는 4kt/W2=100.0에서 인퍼너트 판(우측)과 스트립(좌측)에서의 온도 분포를 비교하는 도면.
도 9는 점 열원으로 인하여 열 응력 필드위에 중첩되는 경계를 따라 수축력의 분포를 도시한 도면.
도 10은 모서리 크랙의 선단에서 열 응력 세기 상수가 시간에 따라 변화하는 것을 도시하는 그래프.
도 11은 실리콘 판이 쪼개짐으로써 발생되는 실험적인 결과를 도시하는 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
2 : 쪼개짐 선 3 : 열원
5 : 등온선 6 : 크랙
본 발명의 상술된 목적과 다른 목적, 특징 및 장점은 다음의 설명으로부터 분명하게 될 것이다.
본 발명은 펄스레이저 점 열원에 의하여 적용되는 인장 응력에 의하여 스트립을 쪼개는 목적을 위하여, 스트립의 크랙 선단으로부터 스트립위에 조사되는 펄스 레이저 점 열원의 펄스 비임 스폭의 중심 위치의 최적의 거리 "D"와, 상기 펄스 레이저 점 열원의 최적의 펄스 시간 "t"를 결정하는 방법을 제공하고, 여기에서 상기 방법은 다음의 단계를 포함한다: 4kt/W2의 값을 찾기 위하여 "t"를 미리 결정하는 단계와, 여기에서 "k"는 스트립의 열 확산성이고, "W"는 쪼개짐이 있는 선과 스트립 측부 모서리 사이의 거리로서 형성되는 폭이며, D/W의 최적의 값과 4kt/W2의 값 사이의 미리 얻어진 관계를 참고로 하여 4kt/W2의 값으로부터 D/W의 최적의 값을 찾아서 최적의 거리 "D"를 찾는 단계를 포함한다.
상기 최적의 거리 "D"은 4kt/W2의 값이 0.0001-0.05이면, D/W의 값은 0.1이며, 4kt/W2의 값이 0.005-1.0의 범위이면, D/W의 최적의 값은 0.2이며, 4kt/W2의 값이 1.0이하이면, D/W의 최적의 값은 0.4일 수 있도록 결정된다.
본 발명은 스트립의 크랙 선단으로부터 스트립위에 조사되는 펄스 레이저 점 열원의 비임 스폭의 중심 위치의 최적 거리 "D"와, 상기 펄스 레이저 점 열원에 의하여 적용되는 인장 응력에 의하여 스트립을 쪼개는 목적을 위한 상기 펄스 레이저 점 열원의 최적의 펄스 시간 "t"을 결정하는 방법을 제공하고, 상기 방법은 다음의 단계를 포함한다: 4kt/W2의 값을 찾기 위하여 "t"를 미리 결정하는 단계와, 여기에서 "k"는 스트립의 열 확산성이고, "W"는 쪼개짐이 있는 선과 스트립 측부 모서리 사이의 거리로서 형성되는 폭이며, D/W의 최적의 값과 4kt/W2의 값 사이의 미리 얻어진 관계를 참고로 하여 4kt/W2의 값으로부터 D/W의 최적의 값을 찾아서 최적의 거리 "D"를 찾는 단계를 포함한다. 4kt/W2의 값이 0.0001-0.05이면, D/W의 값은 0.1이며, 4kt/W2의 값이 0.005-1.0의 범위이면, D/W의 최적의 값은 0.2이며, 4kt/W2의 값이 1.0이하이면, D/W의 최적의 값은 0.4일 수 있도록 상기 최적의 거리 "D"가 결정된다.
또한, 본 발명은 스트립의 크랙 선단으로부터 스트립위에 조사되는 펄스 레이저 점 열원의 펄스 비임 스폭의 중심 위치의 최적의 거리 "D"와, 상기 펄스 레이저 점 열원의 최적의 펄스 시간 "t"를 기초로 하는 펄스 레이저 점 열원의 펄스 가열 위치를 시프트함으로써 펄스 레이저 점 열원에 의하여 적용되는 인장 응력에 의하여 스트립을 쪼개는 방법을 제공하고, 여기에서 최적의 거리 "D"와, 최적의 펄스시간 "t"은 다음의 단계에 의하여 결정된다: 4kt/W2의 값을 찾기 위하여 "t"를 미리 결정하는 단계와, "k"는 스트립의 열 확산성이고, "W"는 쪼개짐이 있는 선과 스트립 측부 모서리 사이의 거리로서 형성되는 폭이며, D/W의 최적의 값과 4kt/W2의 값 사이의 미리 얻어진 관계를 참고로 하여 4kt/W2의 값으로부터 D/W의 최적의 값을 찾아서 최적의 거리 "D"를 찾는 단계를 포함한다. 4kt/W2의 값이 0.0001-0.05이면, D/W의 값은 0.1이며, 4kt/W2의 값이 0.005-1.0의 범위이면, D/W의 최적의 값은 0.2이며, 4kt/W2의 값이 1.0이하이면, D/W의 최적의 값은 0.4일 수 있도록 상기 최적의 거리 "D"은 결정된다.
도 4를 참고로 하여, 연속적인 점 열원을 사용하는 세미-인퍼너트 스트립의 분활을 설명한다. 얇은 인퍼너트 탄성 판에 적용되는 연속적인 점 열원으로 인한 비대칭 온도 분포(T0(r, t))와, 합성 열 응력 필드(σr(r, t))은 다음과 같이 된다.
[수학식 1]
여기에서, r은 점 열원으로부터의 거리이고, t은 가열 시간이며, Q는 단위 시간과 단위 두께당 열원의 크기이며, λ은 열 전도성이며, E는 탄성 계수이며, k는 열 확산성이고, α은 선 팽창 계수이다.
상기 판의 두께가 충분히 얇다면, 판 두께의 방향에서의 온도는 균일하게 되는 것으로 간주될 수 있으므로, 합성 열 응력 필드는 이상적인 판 응력 상태로 될 수 있다.
상기 스트립 단부의 상부 및 하부 모서리는 열 절연되는 것을 간주된다.
상기 스트립의 온도 필드를 얻기 위하여, 상술된 수학식 1은 도 5에 도시된 바와 같이 주기적으로 중첩될 수 있다. 열 절연된 경계는 대칭성으로 인하여 파선으로 표현될 수 있다.
도 5는 도시된 바와 같이 무한하게 주기적인 열원으로 인한 열 탄성 필드는 (±L, ±2nW) (n=1, 2 ...)에서 작용하는 점 열원으로 인하여 열탄성 필드를 중첩시킴으로써 단순하게 얻어질 수 있다.
상기 필드의 마지막 표현은 다음과 같이 좌표 시스템으로 쓰여질 수 있다.
[수학식 2]
[수학식 3]
[수학식 4]
[수학식 5]
여기에서, X1=(X-L), X2=(x+L), Yn=y-2nW, 그리고 r2 1, n=X+Y이다. El(u)은 다음과 같이 정의되는 적분 포텐셜 함수이다.
[수학식 6]
상기 판 표면으로부터 열확산의 영향은 상기 분석이 가열의 시작에서 열탄성 현상이며, 가열 시간(t)은 상당히 짧게 제한되기 때문에 단순히 생략된다. 큰 값의 u로 인하여, El(u)은 빠르게 수렴되며, 이러한 이유로 인하여 n에 대한 ±∞의 합계는 몇몇 한정된 수(N)로 합계될 수 있다. 상기 수학식 5와 6에서 포함된 나머지 용어는 다음의 공식을 사용하여 계산될 수 있다.
[수학식 7]
여기에서 점 가열원의 인퍼너트 어레이에 의하여 유도되는 크랙 개방 변위는 상당히 작게되고, 그래서 상기 온도 필드는 크랙이 개방될 지라도 변하지 않게 된다.
열원의 인퍼너트 어레이로 인한 열 응력 필드는 상기 응력 경계 상태를 만족 시키지 못한다. 상기 응력을 경계를 따라 제거시키기 위하여, 등온 탄성 필드는 도 6에 도시된 바와 같이 중첩되어야만 한다. 응력 세기 계수는 등온 필드에서 계산되는데, 응력 경계값은 중첩이후에 경계를 따라 있는 수축력이 0으로 되는 상태로부터 얻어진다.
상기 등온 문제를 해결하기 위하여, 2차원 탄성 문제의 바디 포스 방법이 사용된다.
상기 바디 포스 방법은 에이취. 니시타니(H. Nisitani)에 의하여 제안된 응력 분석용의 경계형 수치 기술중의 하나이다.
상기 바디 포스 방법은 크랙의 분석을 위한 최적의 수치 방법으로 간주된다.
또한, 높은 정밀도의 해답이 쉽게 얻어질 수 있다.
상기 바디 포스 방법에서, 상기 바디의 경계는 일반적인 경계 요소 방법에서와 같은 방법으로 몇몇 경계 요소에 의하여 근접된다. 바디포스 방법용의 경계 불연속성은 도 7에 도시되는데, 여기에서 선형 요소는 15W의 범위에서 상부 요소용으로 사용되고, 하나의 세미-인퍼너트 경계 요소는 나머지 부분으로 사용된다.
도 8a 내지 도 8c는 x/W=1.0이고, y/W=0.0에서 적용되는 고립된 점 열원으로 인한 인퍼너트 판의 동일한 영역에서의 온도 분포와, 세미-인퍼너트 스트립에서의 온도 분포사이의 차이를 도시한다. 가열의 초기에서 (4kt/W2=1.0), 상기 온도 분포는 2가지 경우사이에서 거의 동일하게 된다.
이러한 형태는 가열 점에서 기인된 동심 사이클로써 나타난다.
상기 가열 시간이 증가함에 따라서, 상기 2개 사이의 차이는 크게 된다. 비대칭 분포는 가열 시간과는 관계 없이 인퍼너트 판에 유지된다. 그럼에도 불구하고, 상기 비 대칭 분포의 특성는 상기 세미-인퍼너트 스트립으로 보존되지 않는다. 온도의 현저한 상승은 상기 단부(x/W=0)에서 나타난다.
도 9는 점열원으로 인하여 열 응력 필드에 중첩되는 경계를 따라 있는 수축력 분포를 도시하는데, 여기에서 실질적인 선에 의하여 표시되는 스트립의 수직 응력은 대응 위치에서 점선에 의하여 표현되는 인퍼너트 판의 하나와 비교된다.
수축력의 차이는 가열 초기(4kt/W2)에서는 작게 되지만, 이러한 차이는 가열 시간이 증가함에 따라서 크게된다. 상부 모서리를 따라 있는 수직 응력은 인장성이지만, x-축을 따라 있는 응력은 가열점에서 특이하게 압축성으로 된다. 도 9로부터, 열응력 세기 상수가 시간에 따라 변화하는 것은 스트립의 모서리 크랙의 선단에 나타나게 된다.
또한, 발생된 응력 세기 상수가 일단 물질의 파단 인성에 도달한다면, 상기 크랙은 발생된 응력 세기 상수가 열원으로부터 작은 거리를 남기는 어떤 점에 도달할 때 까지 열원을 향하여 확산된다.
도 7은 모서리 크랙의 선단의 열 응력 세기 상수가 시간에 따라 변화하는 것을 도시한다. 비 차원적인 가열 시간 4kt/W2가 0.5보다 크다면, 가장 효과적인 가열 위치는 D/W=0.4으로 된다.
이러한 관계는 상기 크랙 길이가 0.5<c/W<10.0의 범위내에서 넓게 변화될 수 있다.
상기 응력 세기 상수와 4kt/W2사이의 관계에 따른 크랙 길이는 c/W>5.0용으로 감소하게 된다.
점 열원의 열 응력으로 인하여 세미-인퍼너트 스트립에서의 모서리 크랙용의 응력 세기 상수의 계산 방법이 도시되고, 상기 계산은 다양한 기학학적인 형태와 가열 시간 상태하에서 이루어진다. 대부분의 효과적인 가열 위치는 크랙 길이에 관계 없이 스트립 폭 반쪽에 약 0.4배로서 크랙 팁의 앞쪽의 점에 있다.
상기 가열 점은 상술된 관계가 가장 효과적인 쪼갬을 실현하는데 만족스럽게 될 수 있도록 시프트된다.
이러한 점은 상기 레이저 처리 장치의 자동화를 용이하게 한다.
상기 레이저 펄스의 시간 간격이 너무 짧게 된다면, 이전의 레이저 펄스에 의하여 적용되는 잔류 열로 인하여 스트립의 필요한 온도 기울기를 얻게 되기 어렵고, 따라서 작거나 불충분한 열 응력이 다음의 레이저 펄스에 의하여 얻어질 수 있다.
이러한 문제점을 피하기 위하여, 충분한 열 방사 효과를 얻는 5밀리초 이상에서 레이저 펄스의 시간 간격을 설정하는 것이 양호하다.
상기 분석을 명백하도록 하기 위하여, 열원이 실행될 때 실리콘 스트립의 쪼개짐 시험은 Nd:YAG를 사용한다.
다음의 표 1은 사용된 물질의 열-기계적인 성질을 나타낸다.
[표 1]
실온에서 실리콘의 열-기계적인 성질
상기 판의 두께는 0.36 밀리미터이고, 이것의 폭은 10.0밀리미터이다. 레이저 스폿의 직경은 0.4밀리미터로 설정된다.
상기 가열 시간은 0.3초로 고정된다. 크랙확장에 요구되는 레이저 출력의 최소 량은 30W로 설정됨으로써 출력 단계를 증가하여 측정된다. 쪼개짐 시험의 결과는 상기 표 1에 도시되어 있다. 크랙 확장용 레이저 출력의 흡수량(Q)은 오류 바아를 가진 가열 위치(D/W)로 플롯된다. 넓은 선은 실험적인 데이터의 평균 값을 나타낸다. 열 응력 쪼개짐의 가장 효과적인 가열 위치는 크랙 길이 비 c/W=1.0과 5.0의 두가지 경우에 D/W~0.4로 된다.
이러한 결과는 도 10에 도시된 4kt/W2에서 수적인 결과와 일치된다.
상기 실험적인 결과는 GaAs, InP와 같은 다른 합성 반도체용으로 얻어진다.
당업자는 본 발명의 변경이 가능하며, 본원에서 도시되고 설명된 실시예는 한정하는 의미로 의도되지 않는다.
따라서, 모든 변경은 본원의 청구범위에 의하여 본 발명의 정신과 범위내에서 이루어질 수 있다.
내용 없음.

Claims (22)

  1. 펄스 레이저 점 열원에 의하여 적용되는 인장 응력에 의하여 스트립을 쪼개는 목적을 위하여, 스트립의 크랙 선단으로부터 스트립위에 조사되는 펄스 레이저 점 열원의 펄스 비임 스폿의 중심 위치의 최적의 거리 "D"와, 상기 펄스 레이저 점 열원의 최적의 펄스 시간 "t"를 결정하는 방법에 있어서,
    상기 방법은,
    4kt/W2의 값을 찾기 위하여 "t"를 미리 결정하는 단계와, 여기에서 "k"는 스트립의 열 확산성이고, "W"는 쪼개짐이 있는 선과 스트립 측부 모서리 사이의 거리로서 형성되는 폭이며,
    D/W의 최적의 값과 4kt/W2의 값 사이의 미리 얻어진 관계를 참고로 하여 4kt/W2의 값으로부터 D/W의 최적의 값을 찾아서 최적의 거리 "D"를 찾는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서 상기 최적의 거리 "D"은 4kt/W2의 값이 0.0001-0.05이면, D/W의 값은 0.1이며, 4kt/W2의 값이 0.005-1.0의 범위이면, D/W의 최적의 값은 0.2이며, 4kt/W2의 값이 1.0이하이면, D/W의 최적의 값은 0.4일 수 있도록 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 펄스 레이저 비임 조사의 시간 간격은 상기 스트립을 쪼개기 위하여 충분히 높은 인장 응력을 적용시키도록 다음의 펄스 비임 조사에서 충분한 온도 기울기를 발생토록 스트립을 냉각시켜서 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 시간 간격은 5밀리초 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 스트립은 부서지기 쉬운 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 스트립은 반도체 칩인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 스트립의 크랙 선단으로부터 스트립위에 조사되는 펄스 레이저 점 열원의 펄스 비임 스폭의 중심 위치의 최적 거리 "D"와, 상기 펄스 레이저 점 열원의 최적의 펄스 시간 "t"를 기초로 하는 펄스 레이저 점 열원의 펄스 가열 위치를 시프트함으로써 펄스 레이저 점 열원에 의하여 적용되는 인장 응력으로 스트립을 쪼개는 방법에 있어서,
    상기 방법은,
    4kt/W2의 값을 찾기 위하여 "t"를 미리 결정하는 단계와, 여기에서 "k"는 스트립의 열 확산성이고, "W"는 쪼개짐이 있는 선과 스트립 측부 모서리 사이의 거리로서 형성되는 폭이며,
    D/W의 최적의 값과 4kt/W2의 값 사이의 미리 얻어진 관계를 참고로 하여 4kt/W2의 값으로부터 D/W의 최적의 값을 찾아서 최적의 거리 "D"를 찾는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 최적의 거리 "D"는 4kt/W2의 값이 0.0001-0.05이면, D/W의 최적의 값은 0.1이며, 4kt/W2의 값이 0.005-1.0의 범위이면, D/W의 최적의 값은 0.2이며, 4kt/W2의 값이 1.0이하이면, D/W의 최적의 값은 0.4일 수 있도록 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 7항에 있어서, 펄스 레이저 비임 조사의 시간 간격은 상기 스트립을 쪼개기 위하여 충분히 높은 인장 응력을 적용시키도록 다음의 펄스 비임 조사에서 충분한 온도 기울기를 발생토록 스트립을 냉각시켜서 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 시간 간격은 5밀리초 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 스트립은 부서지기 쉬운 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 스트립은 반도체 칩인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 펄스 레이저 점 열원에 의하여 적용되는 인장 응력에 의하여 스트립을 쪼개기 위하여, 상기 스트립의 크랙 선단으로부터 스트립위에 조사되는 펄스 레이저 점 열원의 펄스 비임 스폿의 중심 위치의 최적의 거리 "D"와, 상기 펄스 레이저 점 열원의 최적의 펄스 시간 "t"를 결정하기 위한 방법에 있어서,
    상기 방법은,
    최적의 D/W 값을 찾기 위하여 "D"를 미리 결정하는 단계와, (여기에서 "W"는 쪼개짐이 있는 선과 스트립 측부 모서리 사이의 거리로서 형성되는 폭이다),
    D/W의 최적의 값과 4kt/W2의 값 사이의 미리 얻어진 관계를 참고로 하여 D/W의 최적의 값으로부터 4kt/W2의 값을 찾아서 상기 최적의 거리 "t"를 찾는 단계(여기에서 "k"는 상기 스트립의 열 확산성이다)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 13항에 있어서, 펄스 레이저 비임 조사의 시간 간격은 상기 스트립을 쪼개기 위하여 충분히 높은 인장 응력을 적용시키도록 다음의 펄스 비임 조사에서 충분한 온도 기울기를 발생토록 스트립을 냉각시켜서 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 시간 간격은 5밀리초 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 스트립은 부서지기 쉬운 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 스트립은 반도체 칩인 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 스트립의 크랙 선단으로부터 스트립위에 조사되는 펄스 레이저 점 열원의 펄스 비임 스폿의 중심 위치의 최적의 거리 "D"와, 상기 펄스 레이저 점열원의 최적의 펄스 시간 "t"를 기초로 하여 펄스 레이저 점 열원의 펄스 가열 위치를 시프트함으로써 펄스 레이저 점 열원에 의하여 적용되는 인장 응력에 의하여 스트립을 쪼개는 방법에 있어서,
    상기 최적의 거리 "D"와 최적의 펄스 시간 "t"은
    최적의 D/W 값을 찾기 위하여 "D"를 미리 결정하는 단계(여기에서, "W"는 쪼개짐 선과 스트립의 측부 모서리 사이의 거리로 형성된 폭이다)와,
    상기 최적의 값 D/W와 4kt/W2사이의 미리 얻어진 관계를 참고로 하여 최적의 D/W의 값으로 4kt/W2의 최적의 값을 찾아서 최적의 펄스 시간 "t"를 찾는 단계(여기에서 "k"는 상기 스트립의 열 확산성이다)에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 18항에 있어서, 펄스 레이저 비임 조사의 시간 간격은 상기 스트립을 쪼개기 위하여 충분히 높은 인장 응력을 충분히 적용시키도록 다음의 펄스 비임 조사에서 충분한 온도 기울기를 발생시켜 스트립을 냉각시키도록 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 시간 간격은 5밀리초 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 18항에 있어서, 상기 스트립은 부서지기 쉬운 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 스트립은 반도체 칩인 것을 특징으로 하는 방법.
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