KR19990015058A - 리프트 오프에 의한 멀티레이어 제조 공정 - Google Patents

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KR19990015058A
KR19990015058A KR1019970036946A KR19970036946A KR19990015058A KR 19990015058 A KR19990015058 A KR 19990015058A KR 1019970036946 A KR1019970036946 A KR 1019970036946A KR 19970036946 A KR19970036946 A KR 19970036946A KR 19990015058 A KR19990015058 A KR 19990015058A
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한성욱
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윤종용
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 액정 제조 공정에 있어서 서로 상이한 2층 이상의 멀티레이어를 형성할 때 리프트 오프에 의해 멀티레이어를 제조하는 공정에 관한 것으로, 액정 패널의 글래스 기판의 상부에 폴리머를 도포하는 폴리머 도포 단계; 상기 폴리머의 상부에 유기실리콘이나 금속을 증착하는 유기실리콘/금속 증착 단계; 상기 유기실리콘이나 금속을 증착층의 상부의 일부에 포토레지스트를 도포하고 현상하는 포토레지스트 도포 및 현상 단계; 상기 포토레지스트 이외의 부분에서 글래스의 상부까지 폴리머를 식각하는 폴리머 식각 단계; 상기 폴리머 식각 단계 후에, 전면에 제1 및 제2 메탈층을 순서대로 증착하는 메탈층 증착 단계; 그리고 상기 포토레지스트 부분을 제거하는 리프트 오프를 사용하여 멀티레이어를 형성하는 리프트 오프 단계로 이루어지며, 본 발명의 효과는 액정 제조 공정에서 식각 공정 없이 리프트 오프를 이용하여 멀티레이어를 형성함으로써 생산 원가를 절감하고, 또한 식각성이 서로 다른 이종 레이어 간의 적층 구조 형성을 가능하게 할 수 있는 리프트 오프에 의한 멀티레이어 제조 공정을 제공할 수 있다.

Description

리프트 오프에 의한 멀티레이어 제조 공정
본 발명은 리프트 오프에 의한 멀티레이어 제조 공정에 관한 것으로, 특히 액정 제조 공정에 있어서 서로 상이한 2층 이상의 멀티레이어(Multi layer)를 형성할 때 리프트 오프(Lift off)에 의해 멀티레이어를 제조하는 공정에 관한 것이다.
도 1a 내지 도 1c에서, 종래의 멀티레이어를 갖는 액정의 제조 공정에서는, 포토레지스트 도포 단계(도 1a), 제1 식각 단계(도 1b), 그리고 제2 식각 단계(도 1c)로 이루어져 있다.
도 1a에서는 액정 패널의 글래스(Glass) 기판(1)의 상부에 제1 금속층(Metal layer)(2), 제2 금속층(3)을 순서대로 증착하고, 상기 제2 금속층(3)의 상부에 원하는 포토레지스트(Photo resist)(4)를 도포하게 된다.
다음에 도 1b에서는 제1 식각액(Etchant)을 사용하여, 원하는 패턴 형성을 위해 제2 금속층(3)의 일부를 식각하고, 도 1c에서는 식각액을 변경하여, 상기 글래스 기판(1)의 상부까지 제1 금속층(2)의 일부를 식각하여 원하는 패턴을 얻게 되어 있다.
따라서, 종래에는 패드 구조 형성 및 데이터 라인의 오픈을 방지하기 위해서 적용하는 2층 이상의 서로 다른 메탈 레이어인 멀티레이어를 갖는 액정 공정에 있어서, 상층과 하층 레이어, 즉 상기 제1 금속층(2)과 제2 금속층(3)이 동일 식각액에 대한 식각성(Etchability)이 서로 상이할 경우, 먼저 상층 레이어를 식각한 후에 식각액을 변경하여 하층 레이어를 식각해야만 한다.
종래 멀티레이어 액정 제조 공정에 있어서, 상층과 하층 레이어의 동일 식각액에 대한 식각성이 서로 상이할 경우, 상층 레이어를 식각한 후 식각액을 변경하여 하층 레이어를 식각해야 한다는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 액정 제조 공정에서 식각 공정 없이 리프트 오프에 의해 포토레지스트 도포, 노광, 현상 공정에 의해 멀티레이어를 형성함으로써, 생산 원가를 절감하고 식각성이 서로 다른 이종 레이어간의 적층 구조 형성을 가능하게 하는 리프트 오프에 의한 멀티레이어 제조 공정을 제공하기 위한 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 기술에 따른 멀티레이어 제조 공정의 동작흐름도.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 리프트 오프에 의한 멀티레이어 제조 공정의 동작흐름도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 글래스 기판 20 : 폴리머 30 : 유기실리콘/금속
40 : 포토레지스트 50 : 제1 금속층 60 : 제2 금속층
상기 목적을 달성하기 위한 수단으로서, 본 발명의 구성은,
액정 패널의 글래스 기판의 상부에 폴리머를 도포하는 폴리머 도포 단계;
상기 폴리머의 상부에 유기실리콘이나 금속을 증착하는 유기실리콘/금속 증착 단계;
상기 유기실리콘이나 금속을 증착층의 상부의 일부에 포토레지스트를 도포하고 현상하는 포토레지스트 도포 및 현상 단계;
상기 포토레지스트 이외의 부분에서 글래스의 상부까지 폴리머를 식각하는 폴리머 식각 단계;
상기 폴리머 식각 단계 후에, 전면에 제1 및 제2 메탈층을 순서대로 증착하는 메탈층 증착 단계; 그리고
상기 포토레지스트 부분을 제거하는 리프트 오프를 사용하여 멀티레이어를 형성하는 리프트 오프 단계로 이루어진다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예를 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2f를 참고로 하여, 본 발명의 실시예에 따른 리프트 오프에 의한 멀티레이어 제조 공정의 구성은, 폴리머 도포 단계(도 2a), 유기실리콘(Organnosilicon)/금속 증착 단계(도 2b), 포토레지스트 도포 및 현상 단계(도 2c), 폴리머 식각 단계(도 2d), 메탈층 증착 단계(도 2e), 그리고 리프트 오프 단계(도 2f)로 이루어진다.
상기 구성에 의한 본 발명의 실시예에 따른 리프트 오프에 의한 멀티레이어 제조 공정의 작용은 다음과 같다.
반도체 공정중에 리프트 오프 공정이란, 식각에서 이용되는 제거(removal)에 반대되는 추가 공정(Additive process)에 의해 웨이퍼 표면에 패턴을 형성하는 기술을 말한다. 즉, 리프트 오프 공정에서는 먼저 글래스 기판의 상부에 형판층(Stencil layer)이라 부르는 인버스 패턴(Inverse pattern)을 형성하고, 다음에 특정 위치에 기판을 노출하게 된다. 다음에 패턴을 형성할 필름을 상기 인버스 패턴인 형판층과 글래스 기판의 상부에 증착시키게 된다. 상기 형판층의 상부에 증착되는 부위는 상기 형판층을 분리시킬 수 있는 액체 속에 글래스 기판을 넣어 녹임으로써 제거되게 된다. 다시 말하면, 상기 형판층 상부에 증착된 필름이 형판이 분리되는 동안에 들려 올려지는(Lift-off) 것이다.
상기 리프트 오프 공정의 장점으로는 1) 식각 공정에서 여러 번의 식각 단계에 의해 제거되는 것과는 반대로, 한 번의 리프트 오프에 의해 복합층이 순서적으로 증착되어 패턴이 형성될 수 있고, 2) 패턴 필름이 완만한 측벽(Side wall)을 형성할 수 있기 때문에 스텝 커버리지(Step Coverage)가 좋다는 것이다.
도 2a 내지 도 2f를 참고로 하여, 폴리머 도포 단계(도 2a)에서 액정 패널의 글래스 기판(10)의 상부에 폴리머(20)를 도포하게 되고, 유기실리콘/금속 증착 단계(도 2b)에서 상기 폴리머(20)의 상부에 유기실리콘이나 금속(30)을 증착하며, 포토레지스트 도포 및 현상 단계(도 2c)에서는 상기 유기실리콘이나 금속(30)을 증착층의 상부의 일부에 포토레지스트(40)를 도포하고 현상하게 된다.
다음에 폴리머 식각 단계(도 2d)에서는 상기 포토레지스트 이외의 부분에서 글래스(10)의 상부까지 폴리머(20)를 식각하고, 메탈층 증착 단계(도 2e)에서는 상기 폴리머 식각 단계 후에, 노출된 전면에 제1 및 제2 메탈층(50, 60)을 순서대로 증착하게 되며, 리프트 오프 단계(도 2f)에서는 상기 포토레지스트 부분을 제거하는 리프트 오프를 사용하여 멀티레이어를 형성하게 된다.
한편, 상기 포토레지스트(40)가 내열 포토레지스트일 경우에는 상기 폴리머 도포 단계(도 2a), 유기실리콘/금속 증착 단계(도 2b), 그리고 메탈층 증착 단계(도 2e)를 사용하지 않고도, 멀티레이어를 형성할 수도 있다. 즉, 내열 포토레지스트만을 이용하여 패턴을 형성할 수 있다.
결국, 본 발명은 액정표시소자 제조 공정에 있어서, 서로 상이한 2층 이상의 레이어를 리프트 오프 방법을 이용하여 연속 성막하여 멀티레이어를 형성할 때, 폴리머, 유기실리콘/금속, 포토레지스트를 이용하여 패턴을 형성하거나, 내열 포토레지스트만을 이용하여 패턴을 형성하게 된다.
본 발명의 효과는 액정 제조 공정에서 식각 공정 없이 리프트 오프를 이용하여 멀티레이어를 형성함으로써 생산 원가를 절감하고, 또한 식각성이 서로 다른 이종 레이어간의 적층 구조 형성을 가능하게 할 수 있는 리프트 오프에 의한 멀티레이어 제조 공정을 제공할 수 있다.

Claims (2)

  1. 액정 제조 공정에 있어서,
    액정 패널의 글래스 기판의 상부에 폴리머를 도포하는 폴리머 도포 단계;
    상기 폴리머의 상부에 유기실리콘이나 금속을 증착하는 유기실리콘/금속 증착 단계;
    상기 유기실리콘이나 금속을 증착층의 상부의 일부에 포토레지스트를 도포하고 현상하는 포토레지스트 도포 및 현상 단계;
    상기 포토레지스트 이외의 부분에서 글래스의 상부까지 폴리머를 식각하는 폴리머 식각 단계;
    상기 폴리머 식각 단계 후에, 전면에 제1 및 제2 메탈층을 순서대로 증착하는 메탈층 증착 단계; 그리고
    상기 포토레지스트 부분을 제거하는 리프트 오프를 사용하여 멀티레이어를 형성하는 리프트 오프 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트 오프에 의한 멀티레이어 제조 공정.
  2. 내열 포토레지스트를 사용하는 액정 제조 공정에 있어서,
    액정 패널의 글래스 기판의 상부의 일부에 내열 포토레지스트를 도포하고 현상하는 포토레지스트 도포 및 현상 단계;
    상기 포토레지스트 도포 및 현상 단계 후에, 전면에 제1 및 제2 메탈층을 순서대로 증착하는 메탈층 증착 단계; 그리고
    상기 내열 포토레지스트 부분을 제거하는 리프트 오프를 사용하여 멀티레이어를 형성하는 리프트 오프 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트 오프에 의한 멀티레이어 제조 공정.
KR1019970036946A 1997-08-01 1997-08-01 리프트 오프에 의한 멀티레이어 제조 공정 KR19990015058A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010063289A (ko) * 1999-12-22 2001-07-09 박종섭 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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