KR19990006635A - 산화막을 제거하기 위한 처리 방법 및 처리 장치 - Google Patents
산화막을 제거하기 위한 처리 방법 및 처리 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (15)
- 피 처리체의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 처리 방법에 있어서,N2가스, H2가스 및 NF3가스로 활성화된 가스를 형성하는 공정과,피 처리체의 표면을 상기 활성화된 가스에 노출시킴으로써, 상기 피 처리체의 표면상에서의 제거되어야 할 산화막을 상기 활성화된 가스와의 반응의 결과로서의 반응막으로 하는 공정과,상기 처리체를 소정의 온도로 가열함에 의해 상기 반응막을 승화시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 처리 방법에 의해 제거되는 산화막은, 상기 피 처리체에 대한 소정의 가공 공정들에서, 대기와의 반응에 의해 형성된 자연 산화막인 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 N2가스, 상기 H2가스 및 상기 NF3가스로부터 활성화된 가스 형성은, N2가스와 H2가스의 혼합 가스를 플라즈마화하는 동시에 활성화종을 형성하는 공정과,상기 활성화종내에 상기 NF3가스를 공급함으로써, 상기 N2가스, 상기 H2가스 및 상기 NF3가스의 활성화된 가스를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 처리 방법에 의해 제거되는 산화막은 상기 피 처리체에 대한 소정의 가공 공정들에서, 대기와의 반응에 의해 형성된 자연 산화막인 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 N2가스와 상기 H2가스의 혼합 가스의 플라즈마화는, 플라즈마 발생부에서, 상기 플라즈마 발생부에 공급된 N2가스와 H2가스의 혼합 가스에 마이크로파를 도입함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 소정의 온도는 100℃ 이상이고,상기 반응막의 형성과, 상기 활성화된 가스의 형성은 100℃ 미만의 온도로 실행되는 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 방법.
- 하나의 피 처리체를 탑재하는 하나의 탑재대(susceptor)와,상기 탑재대를 수용하는 처리실과,상기 피 처리체의 표면에 형성된 산화막들을 제거하는 기구를 포함한 산화막 제거 처리 장치에 있어서,상기 산화막을 제거하는 기구는,N2가스, H2가스 및 NF3가스로 활성화된 가스를 형성하는 활성화 가스 형성 장치와,상기 활성화 가스 형성 장치에 의해 형성된 상기 활성화된 가스를, 상기 처리실내의 상기 탑재대에 탑재된 피 처리체의 표면에 도입하는 도입 장치와,상기 피 처리체의 표면에 형성된 산화막들이 상기 처리실내에 도입된 상기 활성화된 가스와 반응하여, 그 결과로서 형성된 반응막들이 승화되는 온도로 피 처리체를 가열하는 가열 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 활성화 가스 형성 장치는,공급되는 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 발생 장치와,상기 플라즈마 발생 장치에 N2가스와 H2가스를 공급하는 가스 공급 장치와,상기 플라즈마 발생 기구로부터의 플라즈마를, 활성화된 활성화종으로 하는 활성화종 형성 장치와,상기 활성화종 형성 장치에 의해 형성되는, N2가스와 H2가스의 활성화종내에 NF3가스를 공급하여, N2가스, H2가스 및 NF3가스의 활성화된 가스를 형성하는 활성화 가스 형성 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 피 처리체의 표면에서의 제거되는 상기 산화막은, 상기 피 처리체에 대한 소정의 가공 공정들에서, 대기와의 반응에 의해 형성된 자연 산화막인 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 활성화 가스 형성 장치는,공급되는 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 발생 장치와,상기 플라즈마 발생 장치에 N2가스와 H2가스를 공급하는 가스 공급 장치와,상기 플라즈마 발생 기구로부터의 플라즈마를, 활성화된 활성화종으로 하는 활성화종 형성 장치와,상기 활성화종 형성 장치에 의해 형성되는, N2가스와 H2가스의 활성화종내에 NF3가스를 공급하여, N2가스, H2가스 및 NF3가스의 활성화된 가스를 형성하는 활성화 가스 형성 장치를 포함하며,상기 피 처리체를 가열하는 가열 장치는,상기 피 처리체의 표면에 형성된 자연 산화막들이 상기 처리실 내에 도입된 상기 활성화된 가스와 반응하여, 그 결과로서 형성된 반응막들이 승화되는 온도로 피 처리체를 가열하는 가열 장치인 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 장치는 마이크로파를 사용하여 가스를 플라즈마화하는 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 장치와 상기 활성화종 형성 장치는,마이크로파 투과성의 관과,상기 관의 입구에, 마이크로파의 공급부, 및 N2가스와 H2가스의 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 활성화된 가스를 상기 처리실 내의 상기 탑재대에 탑재된 피 처리체의 표면에 도입하는 도입 기구는,상기 활성화종 형성 장치의 유출구에 마련되며, 또한 상기 N2가스, 상기 H2가스 및 상기 NF3가스의 활성화된 가스를 피 처리체의 표면에 유도하는 가이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 활성화 가스 형성 장치, 상기 도입 기구 및 상기 처리실의, 상기 활성화 가스가 접촉하는 벽은 전기적 절연성 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 가열 장치는 상기 탑재대를 가열함으로써 상기 탑재대에 탑재된 피 처리체의 온도를 상기 반응막들이 승화되는 온도로 상승시키는 장치인 것을 특징으로 하는 산화막 제거 처리 장치.
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