KR19980703530A - 광선명화 가능한 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 메시틸렌에 용해된 수지 주성분으로서 올리고머성 디비닐테트라메틸디실록산 비스벤조사이클로부텐 및 감광제로서 혼합물을 광자 방사선에 노출시켜 유기 불용성 고체로 전환시키기에 충분한 양의 적어도 2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-에틸사이클로헥사논을 함유하는 광선명화 가능한 혼합물에 관한 것이다. 이들 중합체 조성물은 멀티칩 모듈, 집적 회로 및 인쇄 회로판과 같은 전자 적용에서 얇은 필름 유전체로서 유용하다.

Description

광선명화 가능한 조성물
본 발명은 광선명화 가능한 중합체(photodefineable polymer)에 관한 것이다.
1992년 12월 10일에 출원되고 1993년 6월 24일에 제93/12,055호로 공개된 PCT 특허원 제92/10,649호, 1994년 4월 25일에 출원되고 1994년 11월 10일에 제94/25,903호로 공개된 PCT 특허원 제94/04,535호, 모이어(Moyer) 등의 문헌(참조:Proceedings, IEPS, Austin, 1992, p.37) 및 루터(Rutter) 등의 문헌(참조:Proceedings, ISHM/IEPS, Denver, April 1992, p.394)에는 혼합물을 광자 방사선에 노출시켜 유기 불용성 고체로 전환시키기에 충분한 양으로 감광제 하나 이상을 첨가함으로써 광경화성으로 된 DVS 수지가 기재되어 있다.
이들 DVS 수지 조성물은 얇은 필름 유전체(thin film dielectrics)로서 멀티칩 모듈(multichip module), 집적 회로 및 인쇄 회로판 등과 같은 전자 적용에 유용하다.
이들 참조 문헌에는 화학식
의 단량체의 중합체가 비스 아지드와 같은 감광제의 첨가에 의해 광경화성으로 될 수 있다고 기재되어 있다.
본원에서 이 단량체에 대한 설명은 에틸렌 이중 결합에 대한 어떠한 특정 기하 이성체 또는 공간 배향을 정의한다고 해석되지 않아야 한다. 본원에 기술된 방법으로 제조된 조성물은 다른 화합물 뿐만 아니라 이들 이중 결합에 대한 위치 이성체를 함유한다. 이들 단량체는 이하 DVS 비스 BCB로 나타낸다. 부분적으로 중합된 DVS 비스 BCB 단량체는 이하 DVS 수지로 나타낸다.
DVS 비스 BCB 단량체는 미국 특허 제4,812,588호, 제5,136,069호, 제5,138,081호 및 제5,264,646호에 기재되어 있는 방법으로 제조할 수 있다.
가장 바람직한 DVS 비스 BCB 단량체를 제조하는 기재된 방법 중의 하나를 따르면, 주성분으로서 디비닐테트라메틸디실록산-비스-벤조사이클로부텐 단량체를 함유하는 혼합물을 수득한다. 이 단량체는 감광제의 첨가 전에 부분적으로 중합되거나 B 단계화 된다.
DVS 수지를 광선명화 가능하도록 하는 기재된 가장 바람직한 감광제의 그룹은 아지드이다. 광선명화 가능한 중합체를 제조한다고 기술된 아지드는 화학식 Q-(N3)x(여기서, Q는 x 가의 유기 잔기이고, x는 2 이상의 정수이다)에 상응한다.
다른 것들 중에서 화학식
2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-메틸사이클로헥사논
(BAC-M)
2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-이소프로필사이클로헥사논
2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-에틸사이클로헥사논의 비스 아지드가 기술되어 있다.
2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-메틸사이클로헥사논(BAC-M)은 가장 바람직한 감광제의 예이다.
이들 성분을 함유하는 제제(formulation)는 광자 방사선에 민감할 뿐만 아니라, 실온에서 또한 불안정하다. 비스 아지드는 반응하여 더 이상 중합체를 광선명화 가능하게 하지 않는 종을 형성한다. 실온에서, 제제 특성에서의 실질적인 변화는 겨우 3일만에 발생한다. 이 때문에, 제제는 냉동 하에 저장한다. 침전물은 냉동 하에 제제를 저장한 후 발견된다. 분석하면, 이 침전물은 대체로 BAC-M 비스 아지드로 이루어져 있음이 밝혀진다. 제제 성분의 침전은 제제로부터 일정하고 예상 가능한 작용을 필요로 하는 제제의 다수의 사용자들에게는 허용할 수 없다.
본 발명은 혼합물을 광자 방사선에 노출시켜 유기 불용성 고체로 전환시키기에 충분한 양으로 메시틸렌에 용해된 이의 수지 주성분으로서 DVS 수지 및 감광제로서 적어도 2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-에틸사이클로헥사논을 포함하는 광선명화 가능한 유기 가용성 혼합물에 관한 것이다.
본 발명의 혼합물을 광자 방사선에 노출시켜 광자 방사선으로부터 혼합물의 일부를 마스킹(masking)함으로써 패턴화될 수 있는 유기 불용성 고체 중합체를 형성할 수 있다. 그다음 이들 광가교결합된 중합체를 열경화시킬 수 있다. 이들 광경화/열경화된 중합체는 집적 회로, 멀티칩 모듈, 인쇄 회로판 및 다른 마이크로 전자공학 장치에서의 얇은 필름 유전체, 마이크로 전자공학에서의 표면 안정화 층(passivation layer) 또는 오버코트 층(overcoat layer), 평판 디스플레이(plat pannel display)에서의 평탄화층(planarization layer), 전도성 접착제용 바인더(binder)와 같은 많은 적용에서 유용하다.
본 발명의 특징은 광선명화 가능한 혼합물이 메시틸렌에 용해된 수지 주성분으로서 DVS 수지 및 감광제로서 적어도 2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-에틸사이클로헥사논을 함유하고 있다는 것이다.
본 발명의 이점은 광선명화 가능한 혼합물이 저온에서 수 개월 동안 제제의 성능의 일관성을 보존할 수 있고 침전물을 형성하지 않을 수 있다는 점이다.
본 발명의 혼합물에 사용되는 DVS 수지는 위에서 인용된 참조문헌에 기재되어 있다. 제제의 DVS 수지 함유 부분은 취급성, 가공성(processing), 및 성능 특성을 개선시키는데 사용하기 전에 올리고머화화거나 B 단계화할 수 있다.
높은 용해도 수준을 유지하면서 가능한 한 가장 큰 분자량을 갖는 것이 가장 바람직하다. 이는 웨이퍼(wafer) 또는 지지체를 덮는 중합체 필름의 노출된 영역과 노출되지 않은 영역 사이에서 최대 용해도 차이를 초래한다.
1993년 6월 24일에 공개된 PCT 공개 공보 제93/12,055호에 기재된 바와 같이, 순수한 DVS 비스 BCB 단량체를 B 단계화하고 혼화성 용매에 용해한 다음, 목적하는 고분자량 종을 침전시킴으로써 불용성 겔에 신속하게 가교결합하는 DVS 수지를 수득할 수 있다. 또는, 1994년 11월 10일에 공개된 PCT 공개 공보 제94/25,903호에 기재된 바와 같이 DVS 비스 BCB 단량체 25중량%의 농도에서 메시틸렌에 용해된 DVS 비스 BCB 단량체를 B 단계화함으로써 불용성 겔에 신속하게 가교결합하는 DVS 수지를 수득할 수 있디.
필요한 비스 아지드는 화학식
2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-에틸사이클로헥사논
(BAC-E)을 갖고, CAS# 제114391-97-8호인 공지된 물질이다.
패턴화된 DVS 수지의 층의 두께에 따라 BAC-E와 결합한 다른 비스 아지드를 사용할 수 있다. BAC-E는 365㎚에서 빛을 흡수한다. 더 두꺼운 층에서, 이는 광자 방사선이 필름의 전체 깊이를 관통하는 것을 방지할 수 있다. 유일한 비스 아지드로서 사용되는 BAC-E는 5μ이하와 같은 얇은 층에 대한 우수한 선택이다. 10μ과 같은 두꺼운 층에서는, 이러한 파장에서 흡수하지 않는 또다른 비스 아지드와 결합하여 BAC-E를 사용할 수 있다. 바람직한 제2 비스 아지드는 4,4'- 또는 3,3'-디아지도페닐 설폰, 4,4'- 또는 3,3'-디아지도페닐 에테르, 2,2-비스[4-(4-아지도페녹시)페닐]프로판 또는 2,2-비스[4-(3-아지도페녹시)페닐]프로판을 포함한다. 가장 바람직한 것은 2,2-비스[4-(4-아지도페녹시)페닐]프로판이다. BAC-E 및 2,2-비스[4-(4-아지도페녹시)페닐]프로판을 함유하는 혼합물은 BAC-M 및 4,4'- 또는 3,3'-디아지도페닐 설폰을 함유하는 혼합물보다 실온에서 더 긴 가사시간을 가질 수 있다. 본 발명의 혼합물은 바람직하게는 어떠한 다른 비스 아지드 치환된 사이클로헥사논도 함유하지 않는다.
본 발명의 광선명화 가능한 혼합물을 제조하는데 사용된 DVS 수지 및 BAC-E의 양은 변화할 수 있다. 적합한 양은 주성분으로서 DVS 수지를 함유하고 광선명화된 유기 불용성 중합체가 제조될 수 있는 광선명화 가능한 혼합물을 제공하는 양이다. BAC-E의 적합한 양은 혼합물의 광자 노출된 부분에서 이를 현상 용매에서 불용성이도록 하기에 충분한 경화를 제공하는 양이다. 감광제의 바람직한 중량% 범위는 감광제와 DVS 수지의 총중량을 기준으로 하여 0.1 내지 20중량%이다. 감광제의 더욱 바람직한 중량%는 1 내지 6중량%이다. 가장 바람직한 감광제의 중량%는 2 내지 4중량%이다. DVS 수지의 바람직한 중량% 범위는 감광제와 DVS 수지의 총 중량을 기준으로 하여 80 내지 99.9중량%이다. DVS의 더욱 바람직한 중량% 범위는 94 내지 99중량%이다. DVS의 가장 바람직한 중량%는 96 내지 98중량%이다.
감광제는 교반, 초음파 처리 및 가열과 같은 통상적인 방법으로 부분적으로 중합된 DVS 수지/용매 시스템에서 용해될 수 있다. DVS 수지/감광제 혼합물의 모든 처리는 바람직하게는 광자 방사선에 의한 감광성 반응의 이른 개시를 방지하기 위하여 어두운 환경에서 수행한다. 적합한 환경을 제공하는 하나의 방법은 500㎚ 미만의 파장을 여과하는 호박 여과된(황색) 광을 구비한 작업장을 사용하는 것이다.
본 발명의 혼합물에서 메시틸렌의 비율(%)은 DVS 수지를 용해하기에 충분하고, 감광제 및 기타 제제 성분이 존재하는 것이다. DVS 수지 및 메시틸렌은 상이한 점도를 갖는다. 혼합물의 점도를 조정하는 메시틸렌의 양을 변화시키는 것은 통상적이다. 더 낮은 점도가 예를 들면, 스핀 피복(spin-coating)에 의해 더 얇은 필름을 수득하는데 사용될 수 있다.
용액 중의 DVS 수지의 농도 및 DVS 수지의 분자량은 혼합물의 점도를 결정한다. 스핀 시간 및 속도를 사용하여 특정 제제 점도에서의 필름의 질 및 두께를 조절할 수 있다. DVS 수지 필름으로 지지체를 도포하는 세부사항은 문헌(참조:Journal of Electronic Materials, Vol. 19, No. 12, 1990)에서 찾을 수 있다.
DVS 수지 제제가 25℃에서의 점도가 1100±50cSt인 바람직한 공정에서, 500rpm에서 10초의 살포 시간 및 2800rpm에서 30초의 스핀 시간으로 45 내지 55%의 상대습도로 68 내지 70℉에서 DVS 수지 제제를 스핀 피복할 수 있다. 이는 통상적으로 두께 10 내지 12μ의 피막을 수득한다. 크실렌의 스트림(stream)은 건조된 수지(코튼 캔디, cotton candy)가 지지체의 가장자리에 접착하는 것을 피하도록 도포된 지지체의 후면으로 향할 수 있다.
DVS 수지, 메시틸렌 및 감광제 외에, 본 발명의 몇가지 양태는 본 발명의 특징에 맞게 첨가하여 조절할 수 있는 임의의 성분 하나 이상을 함유한다.
산화방지제를 첨가하여 경화된 수지 뿐만 아니라 가공 중에 제제의 산화 안정성을 증가시킬 수 있다. 페놀, 설파이드, 포스파이트 및 아민형의 산화방지제가 본 발명에 사용될 수 있다. 장애된 아민은 바람직한 산화방지제이다. 지방족 및 방향족 잔기로 장애된 아민은 더욱 바람직한 산화방지제이다. 가장 바람직한 산화방지제는 CAS 등록번호 제26780-96-1호인 중합된 1,2-디하이드로-2,2,4-트리메틸퀴놀린이다.
이 산화방지제는 화학식
(여기서, R은 수소, 전자 구인 그룹 또는 전자 공여 그룹이고, n은 0 내지 6이다)의 올리고머로서 사용 가능하다. 바람직하게는 R은 수소이지만, 또한 화합물의 산화방지 활성과 접촉하지 않는 어떠한 치환기라도 될 수 있다.
R이 수소인, 2,2,4-트리메틸-1,2-디하이드로퀴놀린은 중합도가 3 또는 4인 올리고머로서 알. 티. 밴더빌트(R. T. Vabderbilt)에서 제조한 아지라이트R(AgeRiteR) MA로서 사용 가능하다(n은 1 또는 2이다).
바람직하게는, 임의의 산화방지제는 8중량% 미만, 바람직하게는 7중량% 미만, 가장 바람직하게는 0.001 내지 6의 중량% 범위에서 사용된다.
바람직하게는, 용매 및 DVS 비스 BCB 단량체는 최종 전체 경화된 필름의 유전 특성에 영향을 주는 이온이 없다. 이온의 예는 알칼리 금속 및 전이 금속 이온과 같은 금속 이온 및 할로겐화물, 황산염 및 질산염과 같은 음이온은 배제한다.
DVS 수지 함유 제제의 얇은 필름은 접착 촉진제를 사용하지 않고 지지체에 도포할 수 있다. 바람직한 경우, 임의의 접착 촉진제는 DVS 수지 함유 제제를 도포하기 전에 즉시 도포되는 분무 용액 또는 스핀 온(spin-on) 용액으로서 배합된다. 또다른 방법으로, 접착 촉진제를 DVS 수지/광가교결합제 제제에 첨가한다.
접착 촉진제는 분자의 한 말단이 공유 결합하거나 금속, 산화 금속, 또는 세라믹 지지체 표면에 흡수되는 반면, 분자의 제2 말단은 DVS 수지 중합체 매트릭스와 반응하도록 발명되었다. 적합한 접착 촉진제는 트리알콕시비닐실란 및 트리알콕시비닐실릴 벤조사이클로부탄을 포함한다. 트리알콕시비닐실릴 벤조사이클로부탄의 제조 및 특성은 미국 특허 제4,831,172호 및 제5,002,808호에 기재되어 있다.
더욱 바람직한 접착 촉진제는 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-APS), 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란(MOPS)(CAS 제02530-85-0호), 트리메톡시비닐실란, 트리에톡시비닐실란(TEVS), 트리메톡시비닐실릴 벤조사이클로부탄 및 트리에톡시비닐실릴 벤조사이클로부탄을 포함한다. 가장 바람직한 접착 촉진제는 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-APS)이다.
적합한 지지체는 규소, 알루미나, 세라믹 재료, 예를 들면, 질화알루미늄, 유리, 공점화된(co-fired) 세라믹, 구리 시트, 인쇄 회로판, 다결정성 다이아몬드 필름, GaAs, 즉, 8족 내지 15족 반도체, 질화규소 필름, 유리 세라믹 및 고온 중합체 필름, 예를 들면, 폴리이미드 및 폴리벤즈아졸을 포함한다. 더욱 바람직한 지지체는 알루미나 및 규소를 포함한다. 가장 바람직한 지지체는 규소이다.
스핀 피복, 분무 피복, 메니스커스(meniscus) 피복, 압축 피복 및 다른 넓은 영역 가공 방법으로 본 발명의 혼합물을 도포할 수 있다. 스핀 피복은 조절하기 용이하고, 예상 가능하며 널리 공지되어 있어, 단일 웨이퍼(single wafer)로 바람직하게 사용된다.
캐스팅(casting) 용매의 대부분은 스핀 피복 공정 도중에 제거된다. 소프트베이크 사이클(softbake cycle)은 잔류하는 용매를 제거하는데 사용할 수 있다. 소프트베이크는 또한 중합체 필름의 유동의 결과인 응력을 완화시키고, 필름의 지지체에 대한 접착성을 증가시키며, 공정 도중에 더욱 편리한 취급성을 위하여, 예를 들면, 경질 접촉 모드에서 인쇄시 마스크에 접착되는 것을 방지하기 위하여, 필름을 경화시킨다.
소프트베이크는 대류 오븐, 벨트 오븐 또는 열판에서 수행한다. 바람직한 소프트베이크 온도는 잔류하는 용매를 제거하고 중합체의 유리 전이 온도 초과의 온도가 필요한 응력 완화를 제공하기에 충분하지만, 수지의 산화 또는 열경화 또는 제제 첨가제의 불필요한 반응을 피하기에 충분히 낮고, 수지를 평탄화를 촉진하기에 충분히 유동하도록 한다. 바람직한 소프트베이크 온도는 일부는 DVS 수지 함유 제제의 성분에 따라 변화한다. DVS 수지에 대한 바람직한 소프트베이크 온도는 70 내지 120℃이다. 가장 바람직한 소프트베이크 온도는 열판에서 90℃이고 박스 오븐(box oven)에서 75℃이다. 소프트베이크 시간은 온도에 좌우된다. 온도가 높을수록, 소프트베이크하기에 더 적은 시간이 필요하다. 120℃의 열판에서의 1분은 80℃의 오븐에서의 20 내지 30분과 동일한 결과를 달성할 수 있다. BAC-E를 사용하는 경우, 이의 열 불안정성 때문에 20분 동안 박스 오븐 안에서 75℃로 소프트베이크하는 것이 바람직하다.
바람직한 소프트베이크 시간은 잔류하는 용매를 제거하고, 응력 완화를 제공하기에 충분하지만, 수지 성분의 산화 또는 열 반응을 피하기에 충분히 짧은 시간이다. 바람직한 소프트베이크 시간은 사이클로부타렌 수지 함유 제제의 성분에 따라 일부 변화한다. DVS에 대한 바람직한 소프트베이크 시간은 15초 내지 60분이다. 가장 바람직한 소프트베이크 시간은 처리량을 최대화하는 균형 잡힌 목적하는 성능 결과에 따르고, 15초 내지 30분으로 변화한다. 처리량을 최대화하기 위하여, 최소 시간이 최선이다.
적합한 소프트베이크 대기는 진공, 용매 증기, 공기, 질소, 아르곤 및 헬륨을 포함한다. 질소가 가장 바람직한 대기이다. 산소는 피해야 한다.
그다음 소프트베이크된 필름은 광자 공급원(photon source)에 노출되어 필름의 일부가 유기물질 불용성으로 될 수 있다. 적합한 광자 공급원은 BAC-E에 의해 흡수되는 파장을 포함하는 광자 공급원을 포함한다. 바람직한 광자 공급원은 가시광선, 자외선, X-레이 및 전자 빔을 포함한다. 더욱 바람직한 광자 공급원은 자외선 및 가시광선이다. 가장 바람직한 광자 공급원은 초고압 수은 아크(arc)이다. 초고압 수은 광자 공급원의 다양한 성분의 선택적인 제거는 탁월한 막 성능을 제공할 수 있다. 용량은 필름 두께 및 사용된 감광제의 유형에 따라 변화한다. 10μ 두께 필름에 대하여, l-라인(365㎚)에서의 적합한 용량은 250 내지 800mJ/㎠이다.
통상적인 방법으로 주입, 근접 또는 연성 접촉 모드에서 사이클로부타렌 수지 제제 필름을 마스크를 통하여 통과시킴으로써 이를 패턴화할 수 있다.
광자 노출 후, 소프트베이크 사이클이 사용될 수 있다. 이러한 사이클은 수명이 긴 광화학적으로 발생하는 중간체의 반응 속도를 증가시킨다. 이들 중간체는 이러한 사이클 도중에 운동성을 증가시켜 이동하여 반응 종을 찾을 수 있다. 이들 반응성 중간체의 운동성을 증가시키는 또다른 방법은 광자 노출 동안에 가열하는 것이다. 이러한 방법은 감광제의 감도를 증가시킬 수 있다.
일단 광자 노출이 완료되면, 필름을 용매 현상한다. 용매 현상은 광자 노출된 수지가 약간만 가용성이고 광자 노출되지 않은 수지는 가용성이어서 광자 노출되지 않은 수지를 용해하는 용매의 사용을 포함한다. 이어서 용해된 수지를 제거한다.
적합한 현상 용매는 광자 노출된 필름의 팽윤을 최소화하면서 선택적으로 광자 노출되지 않은 필름 성분을 용해하는 용매이다.
DVS 수지 필름 시스템에 대한 가장 바람직한 용매는 아이소파TM(IsoparTM) L 또는 노파TM(NorparTM) 12와 같은 탄화수소와 함께 스토다드(Stoddard) 용매 및 프로글라이드TM(ProglideTM) DMM 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르의 제제이다. 스토다드 용매는 더 우수한 필름 보유성을 제공하지만 노출되지 않은 DVS 수지를 용해하고 낮은 플래쉬 포인트(flash point)를 갖는다. 프로글라이드TMDMM 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르는 더 낮은 필름 보유를 제공하지만 더 높은 플래쉬 포인트를 갖고 예를 들면, 디글라임보다 덜 유독하고 테타토제닉(tetatogenic)하다. n-부틸 n-부티레이트는 두께가 8μ 미만인 필름에 대한 우수한 선택이지만, 더 두꺼운 필름에서는 균열(crazing)을 초래한다. 트리이소프로필 벤젠은 더 넓은 가공 윈도우를 제공하지만, 사용후 이의 느린 증발 때문에 다른 용매를 사용한 추가의 세정이 필요하다. 현상 용매의 선택은 이들의 특성 사이에서 사용자의 선택에 의해 어느 정도로 조절된다.
바람직한 용매 현상 방법은 분무, 퍼들(puddle) 또는 침지 기술을 포함한다. 분무 현상은 이의 대량 생산에 적합하기 때문에 바람직한 기술이다. 한가지 바람직한 양태는 용매를 실험에 의하여 측정될 수 있는 시간 동안 침투하도록 용매를 웨이퍼에서 퍼들링하는 것이다. 노출되지 않은 수지가 용해하는 경우, 웨이퍼는 현상 용매에서 세정하고, 용매 및 용매 침투된 필름을 제거하는 높은 속도에서 회전시킨다. 바람직한 현상 방법은 용매에 따를 수 있다.
10μ 두께 필름에 대한 바람직한 제제에 대하여, 프로글라이드TMDMM 32.5%/아이소파TM67.5%를 65초 동안 스핀 피복기에 위치한 웨이퍼에서 퍼들링한다. 그다음 동일한 현상 용매의 스트림을 표면에 분무하면서, 웨이퍼를 10초 동안 500rpm에서 회전시킨다. 회전 속도를 30초 동안 5,000rpm으로 증가시켜 웨이퍼를 부분적으로 건조시킨다.
기술된 단량체 합성을 사용하여 제조된 DVS 비스 BCB 단량체로부터 제조된 DVS 수지를 사용할 수 있고, 이어서 이를 25% 고체의 초기 농도로, 용매 B 단계화 공정을 사용하여 용매 B단계화하여 140,000 내지 150,000의 Mw를 달성한다. DVS 수지를 기준으로 하여, BAC-E 3.11중량% 및 아지라이트RMA 4.0%로 배합된 수지를 사용하여 두께 5 내지 7μ 정도로 피막을 제조할 수 있다. 그다음 이를 추가적인 메시틸렌으로 25℃에서 350±17cSt의 점도(DVS 수지 약 40%)로 희석시킨다. DVS 비스 BCB 수지를 기준으로 하여, BAC-E 2.3중량%, 2,2-비스[4-(4-아지도페녹시)페닐]프로판 5.0중량% 및 아지라이트RMA 4.0중량%로 배합된 수지를 사용하여 8 내지 10μ 두께 정도의 피막을 제조할 수 있다. BAC-E 1.5중량%, 2,2-비스[4-(4-아지도페녹시)페닐]프로판 5.0중량% 및 아지라이트RMA 4.0중량%로 배합된 수지를 사용하여 20μ 이상의 두께 정도의 피막을 제조할 수 있다.
두께 20+μ의 필름을 제조하기 위하여, 회전 속도는 예를 들면, 저 점도 용액에 대하여 850rpm으로 낮춰야 하고, 또는 고속에서 점도 및 회전을 증가시킬 수 있다. 이들 선택사항 중의 어떤것에서도, 수지의 일부는 600 내지 1000mJ/㎠에 대하여 365㎚ 파장의 광으로 광경화된다. 회전을 중단시키기 전에 프로글라이드TMDMM 현상 용액을 90초 이상 동안 웨이퍼에서 퍼들링한다. 5μ 피막에 대하여, 스토다드 용매 또는 n-부틸 n-부티레이트는 효과적인 용매이다. 10 내지 20μ 피막에 대하여, 스토다드 용매가 바람직하다.
용매 현상 필름을 포스트베이크(postbake)하여 용매를 제거시킬 수 있다. 포스트베이크는 0.5 내지 2분 동안 120 내지 140℃로 온도의 상승을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 10μ 필름이 100℃에서 1분 동안 공기 중의 열판에서 포스트베이크된다.
본 방법의 이러한 점에서, 예를 들면, 광학 검사를 통과한 후, 패턴화된 얇은 필름은 추가적인 마이크로회로 및 이에 적용된 광선명화된 유전층을 갖거나, 추가로 열경화될 수 있다.
다층 상호접속(interconnect) 단위 또는 멀티칩 모듈을 제조하는 방법은 문헌 [참조: J. J. Reche,Fabrication of High Density Multichip Modules,IEEE/CMT 1989 IEMT Symposium, p. 104; T. Tessier et al.,Process Considerations in Fabricationg Thin Film MCM'sIEPS, 1989, P. 294; S. F. Hahn et al., The Fabricarion and Properties of Thermoset Films Derived from Bisbenzocyclobutene for Multilayer Applications,Proceedinhs of the ACS Division of Polymeric Materials: Science and Engineering, 59, 190, 1988; P. H. Townsend et al., The Processing and Properties of Multilayer Interconnection Strucrures Using Thermoset Films Derived From Bisbenzocyclobutene,Proceedings of the Materials Research Society, p. 47, 1989; J. Reche et al., High Density Multichip Module Fabrication,The International Journal for Hybrid Microelecronics, Vol. 13, No. 4, 1990]에 기재되어 있다. 멀티칩 모듈을 제조하는데 대한 추가의 정보는 문헌[Benzocyclobutene Processing Guide For Multilayer Interconnect Fabrication(Multichip Modules), The Dow Chemical Company, Midland, Michigan, 1991]에서 찾을 수 있다.
잔존하는 수지는 현상되고 스핀 건조되거나 또는 포스트베이크된 후, 다음 계획중 하나를 사용하여 질소 대기하에서 경화할 수 있다.
추가의 금속 또는 중합체 층이 형성되는 연성 경화된 필름에 대하여, 210℃에서 40분 동안 가열할 수 있다.
경질 또는 최종 경화된 필름에 대하여, 다음 계획에 따라 가열할 수 있다:
50℃에서 5분 동안,
50 내지 100℃에서 15분 이상 램핑(ramping),
100℃에서 15분 동안,
100 내지 150℃에서 15분 이상 램핑,
150℃에서 60분 동안,
150 내지 250℃에서 60분 이상 램핑,
250℃에서 1시간 동안,
20℃로 계속.
바람직한 10μ 두께의 필름은 250℃에서 60분 동안 전체적으로 경화될 수 있다.
또한 적외선 벨트 노(furnace)에서 수지 필름을 경화시킬 수도 있다. 적합한 노 및 방법은 문헌[P. E. Garrou et, al., Rapid Thermal Cure of BCB Dielectrics,Proceedings ECTC, San Diego, May 1992, pp. 770-776]에 기재되어 있다. 라디안트 테크놀러지 코포레이션 모델 번호 제LA-306호 적외선 벨트 오븐은 질소 대기로 사용할 수 있다. 연성 경화는 260℃에서 1.5분 체류로 수득할 수 있다. 경질 경화는 280℃에서 30초 체류로 수득될 수 있다.
DVS 수지 제제의 개별적인 층을 경화시킨 후, 도포된 지지체를 30초 동안 300와트, 200mTorr에서 O2/CF4(90/10) 플라즈마에 노출시킴으로써 상호 접속 바이아스(vias)에서 잔존하는 어떠한 스컴(scum)도 제거할 수 있다. 이에 대한 필요성은 바이아스의 크기와 형상 및 잔존하는 스컴의 양에 따른다.
패턴화된 경화된 수지 필름을 제조하기 위해서, 다음이 권장된다. DVS 비스 BCB 단량체는 165℃에서 46시간 동안 및 145℃에서 충분한 시간 동안 메시틸렌에서 25중량% 단량체에서 B 단계화되어 140,000±10,000의 Mw에 상당해야 하는 145℃에서 4.4cp(또는 25℃에서 35cSt)의 점도를 수득한다. DVS 수지는 진공 스트리핑에 의하여 54중량% 고체(25℃에서 점도 4,000 cp)로 농축된다. DVS 수지는, 모두 수지의 중량을 기준으로 하여, BAC-E 2.3중량%, 2,2-비스[4-(4-아지도페녹시)페닐]프로판 5.0중량% 및 아지라이트RMA 산화방지제 4.0중량%를 첨가함으로써 배합되고 25℃에서 1100±50cSt의 점도로 메시틸렌으로 희석한다.
이러한 제제는 지지체에 SiO2, 기초를 이루는 부분적으로 열경화된 DVS 수지 제제 또는 구리를 스핀 피복하여 두께 10μ의 패턴화된, 경화된 최종 필름을 형성한다. 68 내지 70℉ 및 상대습도 45 내지 55%에서 스핀 피복한다. 500rpm에서 10초 동안 살포되고 2800rpm에서 30초 동안 회전한다. 크실렌으로 후면을 헹구어 회전 하는 동안 지지체의 가장자리에 접착하는 코튼 캔디의 형성을 막는다.
75℃에서 20분 동안 박스 오븐에서 프리베이크한다. 초고압 수은 아크를 사용한 마스크를 통한 광노출은 300 내지 600mJ/㎠의 조사선량(dose)에서 I-라인(365㎚)이다. 68℉에서 2분 동안 스토다드 용매의 퍼들을 형성한 다음, 500rpm에서 회전시키면서 10초 동안 세정한다.
5,000rpm과 같은 더 빠른 회전 속도에서 우선 회전시킨 후 100℃에서 1분 동안 포스트베이킹함으로써 잔사 현상 용매를 제거한 다음, 경화시킨다. 추가적인 층을 첨가시키기 원하는 경우, N2에서 210℃에서 40분 동안 연성 경화시킨다. 최종 경화를 위하여 N2에서 60분 동안 250℃에서 경질 경화한다. 30 내지 60초 동안 300와트, 200mTorr에서 O2/CF4(90/10) 플라즈마에 도포된 지지체를 노출시킴으로써 이를 필요로하는 어떠한 바이아스도 데스컴한다.
이는 두께 10μ의 패턴화된 필름을 수득할 수 있어야 한다.
중합체성 절연체를 멀티칩 모듈 제작에서 유용하게 하는 한가지 특성은 이들의 형태상의 특성을 평면화시키는 능력이다. 감광성 내식막(photoresist)에서 수득 가능한 선명도는 사용된 광자 공급원의 파장에 의해 한정되어 있고, 따라서 두께 변화는 생성된 모듈의 품질로 측정될 수 있다. 이러한 이유로, 우수한 평면화를 갖는 것은 중요하다.
다음 실시예는 본 발명을 설명하기위하여 제공되었고, 여하튼 본 발명을 제한하는 것으로 해석하여서는 안된다. 다른 방법으로 진술되지 않는다면, 모든 부와 백분율은 중량부와 중량%이다. 모든 기술된 중량%는 다른 기술이 없다면, 용매 및 다른 첨가제를 제외하고는 시스템에 존재하는 수지의 중량을 기준으로 한 것이다. 혼합물에서 %수지는 %를 수득하기 위하여 수지 + 용매의 중량으로 나뉘고, 100을 곱한 수지의 중량을 기준으로 한다.
다른 설명이 없다면, 주어진 분자량은 표준물로서 선형 폴리스티렌을 사용한 크기 배제 크로마토그래피로 수득되는 명백한 분자량이다. DVS 수지는 선형이 아니고 검출 수단에 대하여 상이한 반응 감도를 가질 수 있기 때문에, 분자량은 명백하다.
실시예 1- DVS 수지/메시틸렌 제제에서 BAC-E의 용해도
다양한 비스 아지드의 용해도를 25℃에서 메시틸렌 중에서, 및 10℃에서 메시틸렌 중에서 DVS 수지 45%의 혼합물에서 측정한다. 결과는 표 1에 나타낸다. BAC-M은 2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-메틸사이클로헥사논이고, 사이클로헥사논 환에 에틸 대신 메틸 치환기를 가짐으로써 본 발명의 비스 아지드와는 상이하다. BAC-P는 2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-n-프로필 사이클로헥사논이고, 사이클로헥산 환에 에틸 대신 n-프로필 치환기를 가짐으로써 본 발명의 비스 아지드와는 상이하다. 혼합물에서의 중량%는 혼합물의 총 중량을 기준으로 측정한다.
비스 아지드 용해도
메시틸렌 중에서(g/100mL) 혼합물 중에서(중량%)
BAC-M* 1.7 1.0
BAC-E 14 10.4
BAC-P* 3.5 1.7
*본 발명의 예가 아니다.
실시예 2- 실온에서의 본 발명의 혼합물의 저장 안정성
모두 수지의 중량을 기준으로 하고, 메시틸렌으로 25℃에서 1100±50cSt의 점도로 희석된, BAC-E 2.3중량%, 2,2-비스[4-(4-아지도페녹시)페닐]프로판 5.0중량% 및 아지라이트RMA 산화방지제 4.0중량%를 첨가함으로써 고체 DVS 수지 54중량%를 배합한다. 샘플을 주기적으로 취하여 균일한 조건에서 웨이퍼에서 회전시킨다. 가사시간은 필름의 초기 두께가 5%로 변하는 경우 종료된다고 본다. BAC-M 2중량%, 3,3'-디아지도페닐 설폰 0.75중량% 및 아지라이트RMA 산화방지제 0.75중량%를 첨가하고 메시틸렌으로 25℃에서 1100±50cSt의 점도로 희석시킴으로써 동일한 DVS 수지를 배합한다. 이러한 기준하에서 이 혼합물의 가사시간은 3일이다. 차이점은 3,3'-디아지도페닐 설폰에서 2,2-비스[4-(4-아지도페녹시)페닐]프로판으로의 변화 및 BAC-M(실시예 4)과 비교한 BAC-E의 높은 용해 속도에 기인한다.
실시예 3- -15℃에서의 BAC-E의 용해도
메시틸렌 중의 DVS 수지 45중량%의 혼합물에 BAC-E 3.6중량%를 함유하는 제제를 -15℃에서 5개월 이상 동안 저장한다. 어떠한 침전물도 형성하지 않는다. 메시틸렌 중의 DVS 수지 45중량%의 혼합물에 BAC-M 4.05중량%를 함유하는 제제를 -15℃에서 저장한다. 3일 내에 침전물이 형성된다. 메시틸렌 중의 DVS 수지 45중량%의 혼합물에 BAC-M 2.0중량%를 함유하는 제제를 -15℃에서 저장한다. 10일 내에 침전물이 형성된다.
실시예 4- BAC-E의 용해 속도
4중량% 이하의 BAC-E를 메시틸렌 중의 DVS 수지 45중량%의 혼합물에 첨가하고 실온에서 교반한다. BAC-E는 30분내에 용해한다. BAC-M을 2.0중량%에서 메시틸렌 중의 DVS 수지 45중량%의 혼합물에 첨가하고 실온에서 교반한다. BAC-M은 8시간 이상 교반하여야 용해된다.
실시예 5- 두께 5μ의 필름에 대한 광선명화 가능한 혼합물
메시틸렌 중의 DVS 수지 38중량%를 함유하는 혼합물에 수지의 중량을 기준으로 하여, 아지라이트RMA 4.0중량% 및 BAC-E 3.11중량%를 첨가한다. 용해 후, 혼합물을 2,000rpm에서 2개의 깨끗한 노출된 직경 4in의 규소 웨이퍼에 스핀 피복시킨다. 웨이퍼를 75℃에서 2분 동안 열판 위에서 프리베이크한다. 프로필로메트리(profilometry)에 의하여 측정된 평균 초기 필름 두께는 7.43μ이다. 필름을 365㎜에서 측정할때 175mJ/㎠의 노출 조사선량을 수득하는 석영 및 크롬 시험 마스크를 통하여 350 내지 450㎜의 파장의 빛에 노출시킨다. 75초 동안 각각의 상부에서 프로글라이드TMDMM 32.5%/아이소파TML 67.5%의 약 8mL를 퍼들링함으로써 필름을 스핀 피복기에서 퍼들 현상한다. 그다음 동일한 현상 용매의 스트림을 웨이퍼의 표면에 분무하면서, 웨이퍼를 10초 동안 500rpm에서 회전시킨다. 회전 속도는 30초 동안 5,000rpm으로 증가시켜 웨이퍼를 부분적으로 건조시킨다. 그다음, 필름을 250℃에서 1시간 동안 경화시킨다.
경화후, 평균 필름 두께는 5.59μ 또는 초기 필름 두께의 75%를 보유한다. 10μ 라운드 바이아스만큼 작은 특성이 성공적으로 필름에 패턴화된다.
실시예 6- 두께 10μ의 필름에 대한 광선명화 가능한 혼합물
메시틸렌 중의 DVS 수지 46중량%를 함유하는 혼합물에 수지의 중량을 기준으로 하여, 아지라이트RMA 4.0중량%, BAC-E 2.3중량% 및 2,2-비스[4-(4-아지도페녹시)페닐]프로판 5.0중량%를 첨가한다. 용해 후, 혼합물을 2,700rpm에서 8개의 깨끗한 노출된 직경 4in의 규소 웨이퍼에 스핀 피복시킨다. 웨이퍼를 75℃에서 2분 동안 열판 위에서 프리베이크한다. 프로필로메트리(profilometry)에 의하여 측정된 평균 초기 필름 두께는 12.6μ이다. 필름을 365㎜에서 측정할때 다양한 노출 조사선량에서, 석영 및 크롬 시험 마스크를 통하여 350 내지 450㎜의 파장의 빛에 노출시킨다. 65초 동안 각각의 상부에서 프로글라이드TMDMM 32.5%/아이소파TML 67.5%의 약 8mL를 퍼들링함으로써 필름을 스핀 피복기에서 퍼들 현상한다. 그다음, 동일한 현상 용매의 스트림을 웨이퍼의 표면에 분무하면서, 웨이퍼를 10초 동안 500rpm에서 회전시킨다. 회전 속도는 30초 동안 5,000rpm으로 증가시켜 웨이퍼를 부분적으로 건조시킨다. 그다음, 필름을 250℃에서 1시간 동안 경화시킨다. 경화 후, 최종 필름 두께를 측정한다. 두께 25μ 라운드 바이아스만큼 작은 특성은 필름의 다수에서 성공적으로 패턴화된다. 필름 보유율을 표 2에 나타내었다.
노출 조사선량mJ/㎠ 필름 보유율%
1,500 86.7
900 84.3
500 80.4
275 73.7

Claims (10)

  1. 메시틸렌에 용해된 수지 주성분으로서의 DVS 수지 및 감광제로서 혼합물을 광자 방사선에 노출시켜 유기 불용성 고체로 전환시키는데 충분한 양의 적어도 2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-에틸사이클로헥사논을 함유하는 광선명화 가능한 혼합물(photodefineable mixture).
  2. 제1항에 있어서, 총 혼합물의 중량을 기준으로 하여, 2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-에틸사이클로헥사논을 1중량% 이상 포함하는 혼합물.
  3. 제1항에 있어서, 4,4'- 또는 3,3'-디아지도페닐 설폰, 4,4' 또는 3,3'-디아지도페닐 에테르, 2,2-비스[4-(4-아지도페녹시)페닐]프로판 또는 2,2-비스[4-(3-아지도페녹시)페닐]프로판으로부터 선택된 제2 비스 아지드를 포함하는 혼합물.
  4. 제3항에 있어서, 제2 비스 아지드로서 2,2-비스[4-(4-아지도페녹시)페닐]프로판을 포함하는 혼합물.
  5. 제1항에 있어서, 산화방지제를 포함하는 혼합물.
  6. 제5항에 있어서, 1,2-디하이드로-2,2,4-트리메틸퀴놀린으로부터 유도된 산화방지제를 포함하는 혼합물.
  7. 제2항에 있어서, 1,2-디하이드로-2,2,4-트리메틸퀴놀린으로부터 유도된 산화방지제를 포함하는 혼합물.
  8. 제4항에 있어서, 1,2-디하이드로-2,2,4-트리메틸퀴놀린으로부터 유도된 산화방지제를 포함하는 혼합물.
  9. 메시틸렌에 용해된 수지 주성분으로서의 DVS 수지 및 둘 다 감광제로서 혼합물을 광자 방사선에 노출시켜 유기 불용성 고체로 전환시키는데 충분한 양이고, 1,2-디하이드로-2,2,4-트리에틸퀴놀린으로부터 유도된 산화방지제를 함유하는, 총 혼합물의 중량을 기준으로 하여, 2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-에틸사이클로헥사논 1중량% 이상 및 제2 비스 아지드로서 2,2-비스[4-(4아지도페녹시)페닐]프로판을 포함하는 광선명화 가능한 혼합물.
  10. 제9항에 있어서, -15℃에서 1개월 동안 암실에서 저장하는 경우, 고체가 존재하지 않는 혼합물.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19600305C2 (de) * 1996-01-05 2001-05-03 Siemens Ag Herstellverfahren für eine Siliziumdioxid-Schicht auf einer Topographie sowie eine nach diesem Verfahren hergestellte Siliziumdioxidschicht
US6479411B1 (en) * 2000-03-21 2002-11-12 Angela T. Hui Method for forming high quality multiple thickness oxide using high temperature descum
US7019093B2 (en) * 2002-10-18 2006-03-28 Dow Global Technologies Inc. Aqueous developable, photosensitive benzocyclobutene-based oligomers and polymers with high moisture resistance
US7164197B2 (en) 2003-06-19 2007-01-16 3M Innovative Properties Company Dielectric composite material
JP2005220270A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Dow Global Technologies Inc 樹脂付きキャリアフィルムおよび多層回路板
JP4623515B2 (ja) * 2005-03-14 2011-02-02 国立大学法人京都大学 オリゴチオフェンを用いた光記憶媒体

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62165644A (ja) * 1986-01-17 1987-07-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 感光性樹脂組成物とパタ−ン形成方法
JP3213001B2 (ja) * 1991-12-10 2001-09-25 ザ ダウ ケミカル カンパニー 光硬化性シクロブタレーン組成物
US5426164A (en) * 1992-12-24 1995-06-20 The Dow Chemical Company Photodefinable polymers containing perfluorocyclobutane groups
US5854302A (en) 1993-04-29 1998-12-29 The Dow Chemical Company Partially polymerized divinylsiloxane linked bisbenzocyclobutene resins and methods for making said resins

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Publication number Publication date
WO1996031805A1 (en) 1996-10-10
TW455742B (en) 2001-09-21
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