KR19980067839A - 격리막 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 필드 산화막이 활성 영역을 침범하지 않기 위한 격리막 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명의 격리막 형성 방법은 격리 영역이 정의된 기판상에 제 1, 제 2 절연막을 차례로 형성하는 단계; 상기 제 1, 제 2 절연막을 패터닝하여 상기 격리 영역의 기판을 노출시키는 단계; 상기 제 1, 제 2 절연막 측면에 제 3 절연막 측벽을 형성하는 단계; 상기 제 2 절연막을 마스크로 상기 격리 영역의 기판 표면에 제 4 절연막을 성장시키는 단계; 상기 제 1, 제 2 절연막과 제 3 절연막 측벽을 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 격리막 형성 방법에 관한 것으로, 특히 고집적 소자의 격리 특성을 향상시키는 격리막 형성 방법에 관한 것이다.
종래 기술에 따른 격리막 형성 방법은 도 1a에서와 같이, 격리 영역이 정의된 반도체 기판(11)상에 열산화 공정으로 산화막(12)을 형성한다.
도 1b에서와 같이, 상기 산화막(12)상에 실리콘 질화막(Si3N4)(13)을 형성한다.
도 1c에서와 같이, 상기 실리콘 질화막(13)상에 감광막(14)을 도포한 다음, 상기 감광막(14)을 상기 격리 영역 상측에만 제거되도록 선택적으로 노광 및 현상한 후, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 감광막(14)을 마스크로 이용하여 상기 실리콘 질화막(13)과 산화막(12)을 선택적으로 식각한다.
도 1d에서와 같이, 상기 감광막(14)을 제거한 다음, 상기 실리콘 질화막(13)을 마스크로 이용하여 전면에 열산화 공정으로 상기 격리 영역의 반도체 기판(11) 표면에 필드 산화막(15)을 성장 시킨다.
도 1e에서와 같이, 상기 반도체 기판(11)상에 형성된 실리콘 질화막(13) 및 산화막(12)을 제거한다.
종래의 격리막 형성 방법은 필드 산화막을 성장시키면 실리콘 질화막 가장자리 쪽으로 버즈빅(Bird's Beak)이 발생되어 상기 필드 산화막이 활성 영역을 침범하기 때문에 활성 영역이 줄어듬으로써 설계마진이 감소되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 필드 산화막이 활성 영역을 침범하지 않는 격리막 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a 내지 도 1e는 종래 기술에 따른 격리막 형성 방법을 나타낸 공정 단면도
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 실시예에 따른 격리막 형성 방법을 나타낸 공정 단면도
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
31 : 반도체 기판 32 : 산화막
33 : 실리콘 질화막 34 : 감광막
35 : HLD막 36 : 필드 산화막
본 발명의 격리막 형성 방법은 격리 영역이 정의된 기판상에 제 1, 제 2 절연막을 차례로 형성하는 단계; 상기 제 1, 제 2 절연막을 패터닝하여 상기 격리 영역의 기판을 노출시키는 단계; 상기 제 1, 제 2 절연막 측면에 제 3 절연막 측벽을 형성하는 단계; 상기 제 2 절연막을 마스크로 상기 격리 영역의 기판 표면에 제 4 절연막을 성장시키는 단계; 상기 제 1, 제 2 절연막과 제 3 절연막 측벽을 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 격리막 형성 방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 실시예에 따른 격리막 형성 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 2a에서와 같이, 격리 영역이 정의되며 p형인 반도체 기판(31)상에 열산화 공정으로 산화막(32)을 형성한다.
도 2b에서와 같이, 상기 산화막(32)상에 실리콘 질화막(33)을 형성한다.
도 2c에서와 같이, 상기 실리콘 질화막(33)상에 감광막(34)을 도포한 다음, 상기 감광막(34)을 상기 격리 영역 상측에만 제거되도록 선택적으로 노광 및 현상한 후, 상기 선택적으로 노광 및 현상된 감광막(34)을 마스크로 이용하여 상기 실리콘 질화막(33)과 산화막(32)을 선택적으로 식각한다.
도 2d에서와 같이, 상기 감광막(34)을 제거한 다음, 상기 실리콘 질화막(33)을 포함한 전면에 에치엘디(HLD:High-temperature Low Dielectric)막(35)을 형성한다.
도 2e에서와 같이, 상기 HLD막(35)을 에치백하여 상기 실리콘 질화막(33)과 산화막(32)의 측면에 HLD 측벽을 형성한다.
도 2f에서와 같이, 상기 실리콘 질화막(33)을 마스크로 이용하여 전면에 열산화 공정으로 상기 격리 영역의 반도체 기판(31) 표면에 필드 산화막(36)을 성장 시킨다.
도 2g에서와 같이, 상기 반도체 기판(31)상에 형성된 HLD 측벽, 실리콘 질화막(33) 및 산화막(32)을 제거한다.
본 발명의 반도체 장치의 격리막 형성 방법은 공정에서 실리콘 질화막과 산화막 측면에 HLD막 측벽을 형성하고 필드 산화막을 성장시키므로써 실리콘 질화막 가장자리 쪽으로 필드 산화막이 적게 성장되어 상기 필드 산화막이 활성 영역을 침범하지 않기 때문에 설계마진이 증가하는 효과가 있다.
Claims (1)
- 격리 영역이 정의된 기판상에 제 1, 제 2 절연막을 차례로 형성하는 단계;상기 제 1, 제 2 절연막을 패터닝하여 상기 격리 영역의 기판을 노출시키는 단계;상기 제 1, 제 2 절연막 측면에 제 3 절연막 측벽을 형성하는 단계;상기 제 2 절연막을 마스크로 상기 격리 영역의 기판 표면에 제 4 절연막을 성장시키는 단계;상기 제 1, 제 2 절연막과 제 3 절연막 측벽을 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 격리막 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970004151A KR19980067839A (ko) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | 격리막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970004151A KR19980067839A (ko) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | 격리막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980067839A true KR19980067839A (ko) | 1998-10-15 |
Family
ID=65984300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970004151A KR19980067839A (ko) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | 격리막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980067839A (ko) |
-
1997
- 1997-02-12 KR KR1019970004151A patent/KR19980067839A/ko not_active Application Discontinuation
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