KR19980064279A - 수직 오버플로우 드레인 및 저항성 게이트 전하 전송소자를 가지는 고체촬상소자 및 그 제어방법 - Google Patents
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Abstract
고체촬상소자는 각각 이미지-이송 광으로부터 전하패킷을 생성하기위한 포토다이오드(36), 포토다이오드의 아래에 형성되는 수직 오버플로우 드레인(32/33), 전송게이트 트랜지스터(50)를 통하여 포토다이오드에 선택적으로 접속되는 전하전송채널영역(37), 전하전송채널영역에 용량적으로 접속되는 저항성 게이트 전극(49a) 및 수평전하전송소자(46)에 밀접한 저항성 게이트 전극의 근단부와 저항성 게이트 전극의 원단부에 접속되는 펄스신호 소오스(RG1/RG2)를 가지며, 펄스신호 소오스는 전하패킷이 커다란 수평전하전송신호 없이 수평전하전송소자를 통하여 이송되도록 전하전송채널영역으로 전하패킷의 이송후에 전하전송채널영역에 전위경사를 생성한다.
Description
본 발명은 고체촬상소자(solid-state impage pick-up device) 및 이 소자를 제어하는 방법에 관한 것으로, 특히 저항성 게이트 수직 전하 전송 소자를 가지는 고체촬상소자와 그 제어방법에 관한 것이다.
인터라인(inter-line)형 전하 접속 소자는 고체촬상소자의 전형적인 예이다. 인터라인형 전하 접속 소자는 포토다이오드 어레이, 수직 시프트 레지스터 및 수평 시프트 레지스터를 포함한다. 이 포토다이오드 에러이는 복수의 포토다이오드의 열을 가지며 수직 시프트 레지스터는 포토다이오드들의 열 사이에 끼워진다. 전하 전송 영역 및 전하 전송 영역상의 전송전극은 수직 시프트 레지스터를 형성하고, 전하 전송 신호는 전송전극 아래의 전위 레벨을 연속적으로 변화시키기 위하여 전송전극에 공급되고 수직 시프트 레지스터는 관련 포토다이오드 열들로 부터 수평 시프트 레지스터로 모든 전하 패킷 또는 모든 다른 전하 패킷을 이송한다.
수직 시프트 레지스터는 스테이지에서 스테이지로 전하 패킷을 전송하고, 관련 포토다이오드 열로부터 공급되는 모든 전하 패킷을 축적하는 것이 예상된다. 그러나, 셀이 줄어들 때, 셀에 충분한 커패시턴스를 주는 것이 불가능해진다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 접근중의 하나가 1978년 2월자 헨드릭 헤인즈에 의하여 개시된다(IEEE Transaction on Electron Device, vol, ED-25, No. 2, 135 내지 139쪽). 논문에 따라, 정전위차가 저항성 게이트를 따라서 경사 전하 전송 채널을 생성하기 위하여 저항성 게이트의 양단에 인가되고, 전하 패킷은 경사 전하 전송 채널을 통하여 전송된다. 전하 전송은 포토다이오드의 각 행을 위하여 이루어지고, 각 수직 전하 전송 소자는 하나의 포토다이오드로부터 전하 패킷을 전송할 것이 예상된다. 이러한 이유 때문에, 수직 전하 전송 소자에 할당되는 영역을 줄이는 것이 가능하다. 이것은 포토다이오드에 할당된 영역의 확장을 가져온다.
도 1 및 도 2 는 저항성 게이트 전하 전송 소자 또는 소자를 가지는 종래기술의 영역 이미지 센서를 예시하며, 도 3 및 도 4 는 수직 전하 전송 소자와 포토다이오드를 예시한다. 차광판은 보다 나은 이해를 위하여 도 1 및 도 3 에 도시된 배치 설계 및 도 2 에 도시된 구조로부터 제거된다. 종래기술의 영역 이미지 센서는 p-형 반도체 칩(1)상에서 제조되고, 포토다이오드(2) 및 n-형 전하전송영역(3)이 p-형 반도체칩(1)의 표면부에 형성된다. 포토다이오드(2)는 MOS(금속-산화물-반도체) 구조를 가지며 포토다이오드(2)는 행 및 열의 형태로 정렬된다. 포토다이오드(2)의 열과 n-형 전하전송영역(3)은 교대로 배열되고, 포토다이오드의 각 열들은 n-형 전하전송영역(3)중의 하나와 연관된다. n-형 전하전송영역(3)은 도 3 에서 해칭되어 표시된다. 고농도로 도핑된 p-형 채널 스톱퍼(4)는 관련되지않은 n-형 전하전송영역(3)으로부터 포토다이오드(2)를 전기적으로 절연시켜 광전하를 발생하기 위한 p-n 접합을 제공한다. 채널전위는 2 볼트 정도로 설계된다.
p-형 반도체기판(1)의 대부분의 표면은 절연층(5)으로 덮혀지고, 고저항성 폴리실리콘의 저항성 게이트전극(6)은 절연층(5)상에서 패턴된다. 저항성 게이트 전극(6)은 n-채널 전하전송영역(3)상에서 겹쳐지는 경사전위전극부(6a) 및 경사전위전극부(6a) 와 정전위 소오스(7a/7b)사이에 접속되는 공통전극부(6b/6c)를 가진다. 정전위 소오스(7a)는 공통전극부(6b)를 통하여 경사전위전극부(6a)에 고전위레벨을 인가하고, 다른 정전위 소오스(7b)는 다른 공통전극부(6c)를 통하여 경사전위전극부(6a)의 다른쪽 단에 저전위레벨을 인가한다. 결과적으로, 경사전위는 경사전위전극부(6a)를 따라서 발생한다. 경사전위전극부(6a), 절연층(5) 및 n-형 전하전송영역(3)은 결합하여 각각 수직 전하 전송 소자를 형성한다.
저항성 게이트 전극(6)은 절연층(8)으로 덮히고, 축적전극(9)은 절연층(8)상에서 패턴된다. 축적전극(9)은 경사전위전극부(6a)에 수직하게 연장되고, 각각이 포토다이오드(2)의 열과 연관된다. 각각의 축적전극(9)은 간격으로 관련 행의 포토다이오드(2)상에서 절연층(5)과 접촉하여 지지되고, 이미지-이송 광은 포토다이오드(2)의 공핍영역상으로 입사된다. 입사광은 전하 패킷을 발생하고 전하 패킷은 절연층(5)과 접촉하여 지지되는 축적전극(9)아래의 전위웰에 축적된다.
축적전극(9)은 수직 시프트 레지스터(10)에 접속되고 판독 전위 레벨로 선택적으로 구동된다. 수직 시프트 레지스터(10)가 축적 전극(9)중의 하나를 판독 전위 레벨로 바꿀 때, 전하패킷은 관련 행의 포토다이오드(2)로부터 n-형 전하전송영역(3)으로 각각 판독되고, 전극부(6a)에서의 경사전위는 수평전하전송소자(11)쪽으로 전하 패킷을 이동시킨다.
전송게이트전극(12a/12b)은 수평전하전송소자(11)의 근처에서 n-형 전하전송영역(3)상으로 연장되고, 축적전극(13)은 전송게이트전극들(12a/12b)사이로 연장된다. 축적전극(13)은 절연층(8)으로 덮히고 경사전위전극부(6a)로부터 이격되며 전송전극(12a/12b)은 축적전극(13)의 양측상에 제공된다.
축적전극(9) 및 전송전극(12a/12b)은 투명절연층(14)(도 4 참조)으로 덮히고 알루미늄의 차광층(15)은 투명절연층(14)상에서 패턴된다. 차광층(15)은 개구부(15a)를 가지며, 포토다이오드(2)는 개구부(15a)로 노출된다. 차광층(15)은 입사광으로부터 n-형 전하전송영역(3)이 노출되는 것을 방지한다.
n-형 전하전송영역(3)은 블루밍(blooming) 억제 드레인영역(16)에 접속되고, 블루밍 억제전극(17)은 n-형 전하전송영역(3)에서 블루밍 억제 드레인영역(16)으로의 초과 광전하를 씻어낸다. 수평전하전송소자(11)은 출력회로(18)에 접속되고 이미지 신호는 출력회로(18)로부터 출력된다.
공통전극부들(6c 및 6b)사이의 전위차는 경사전위전극부(6a)를 따라서 경사전위를 생성하고 경사전위는 전송게이트(12a)쪽으로 점진적으로 높은 전위웰을 만든다. 전하패킷(CP)은 포토다이오드(2)로부터 n-형 전하전송영역(3)으로 전송되고 경사전위레벨 때문에 n-형 전하전송영역(3)을 따라서 전송된다. 전송게이트(12a)는 먼저 전위레벨을 하이 이하로 만들고, 전하패킷(CP)은 축적전극(13)아래서 전위웰에 축적된다. 그후에, 전송게이트(12b)는 전위레벨을 하이 이하로 만들고 축적 전극(13)은 전위레벨을 전송게이트(12b) 아래의 전위레벨보다 더욱 낮게 만든다. 그래서, 전하패킷(CP)이 수평전하전송소자(11)로 흐른다. 수평전하전송소자(11)는 전하패킷(CP)을 출력회로(18)로 전송하고 출력회로(18)는 전하패킷(CP)을 해당 출력전위로 변환시킨다.
경사전위전극부(6a)가 4㎜ 이고 전극(6a) 아래에서 생성되는 채널의 양단 사이의 전위차가 10볼트라면, 수직 전하 전송 소자는 20밀리초이내에 모든 전하패킷을 전송한다. 20밀리초의 시간기간은 NTSC 표준에서 정의하는 63.5 밀리초의 수평주사시간보다 더욱 짧다.
도 6 은 종래기술의 영역 이미지 센서의 전하 전송 동작을 예시한다. P-STE, P-AB, P-TGA, P-Select, P-STG, P-TGB 및 P-H 는 각각, 포토다이오드(2)에서의 축적 웰의 전위레벨을 변화시키기 위하여 모든 축적전극(9)에 인가되는 전위신호, 블루밍 억제전극(17)에 인가되는 불루밍 억제신호, 전송전극(12a)에 인가되는 전위신호, 축적전극(9)에 선택적으로 인가되는 전위신호, 전송전극(12b)에 인가되는 전위신호 및 수평전하전송소자(11)의 게이트 전극에 인가되는 전하전송신호를 나타낸다.
전위신호(P-TGB)는 저레벨(VL-TGB)에서 하이레벨(VH-TGB)로 변화되고, T1 시간기간에서 하이레벨(VH-TGB)로 유지된다. VH-TGB 에서의 전위신호(P-TGB)는 전위레벨을 하이 이하로 만들고, 이전의 수평귀선기간에서 판독된 전하패킷은 수평전하전송소자(11)로 전송된다. 전위신호(P-TGB)는 저레벨로 회복되고 축적전극(13)아래의 전위웰은 수평전하전송소자(11)로부터 전기적으로 절연된다.
이미지-이송 광은 포토다이오드 어레이(2)상으로 떨어지고, 포토다이오드(2)는 이미지-이송 광의 강도에 비례하여 광 캐리어를 발생하여, 광 캐리어가 거기에 축적된다.
블루밍 억제신호(P-AB)는 T2 시간에서 하이레벨(VH-AB)에서 로우레벨(VL-AB)로 변환되고, n-형 전하전송영역(3)은 블루밍 억제 드레인영역(16)으로부터 격리된다. 전위신호(P-TGA)도 또한 T2 시간에서 로우레벨(VL-TGA)에서 하이레벨(VH-TGA)로 변화되고 전위장벽이 n-형 전하전송영역(3)과 전송게이트(12a)아래의 전위웰사이로부터 제거된다.
행선택신호는 T2 시간에서 하이레벨(VH-Select)에서 로우레벨(VL-Select)로 변환되고, 광캐리어는 포토다이오드(2)의 전하패킷으로써 선택행으로부터 n-형 전하전송영역(3)으로 판독된다. 경사전위는 n-형 전하전송영역(3)을 따라서 전하패킷을 전송하고, 전하패킷은 축적전극(13)아래의 전위웰에 축적된다. 전송게이트(12b) 아래의 전위장벽은 전하패킷이 수평전하전송소자(11)로 유입되는 것을 허용하지 않는다.
전하전송신호(P-H)는 T3 시간기간동안 수평전하전송소자(11)의 게이트 전극에 반복적으로 인가되고, 이전의 전하패킷은 출력회로(18)로 전송된다.
이전의 전하패킷이 출력회로(18)로 전송되는 동안, 전위신호(P-TGA)는 T4 시간에서 하이레벨(VH-TGA)로 회복되고, 블루밍 억제신호(P-AB)는 동시에 로우레벨(VL-AB)로 변화되고, 전위신호(P-STE)도 T4 시간에서 로우레벨(VL-STE)로 변환된다. 전송게이트(12a) 아래의 전위장벽은 n-형 전하전송영역(3)으로부터 축적전극(13) 아래의 전위웰을 고립시키고, n-형 전하전송영역(3)은 블루밍 억제 드레인영역(16)에 접속된다. 포토다이오드(2)에서의 전위웰은 낮으며, 초과 포토 캐리어는 n-형 전하전송영역(3)으로 휩쓸려간다. 경사전위는 n-형 전하전송영역(3)을 따라서 잔류 광캐리어를 전송하고 초과 광캐리어는 블루밍 억제 드레인영역(16)으로 휩쓸려간다.
전위신호(P-STE)는 T5 시간에서 하이레벨(VH-STE)로 복원되어, 포토다이오드(2)에서의 전위웰을 하이로 만든다. 그러면, 이미지-이송 광은 광캐리어를 발생하고 광캐리어는 다시 포토다이오드(2)에 축적된다.
전하패킷은 T6 시간기간동안 축적전극(13) 아래의 전위웰로부터 수평전하전송영역(11)으로 전송되고, T7 시간기간동안 출력회로(18)로 전송된다.
종래기술의 이미지 센서는 출력회로(18)로 부터의 출력전위신호의 왜곡의 문제에 직면한다. 도 6 에 도시된 것처럼, 수평전하전송소자(11)가 전하패킷을 출력회로(11)로 전송하는동안, 블루밍 억제신호(P-AB)는 잔류 광캐리어를 불루밍 억제드레인영역(16)으로 쓸어버리고, 블루밍 억제신호(P-AB)와 전위신호(P-TAG/PSTE)의 전위변화는 출력회로(18)로 부터의 출력전위신호에 영향을 미친다. 출력전위신호는 변형되고 포토다이오드 어레이(2)로 떨어지는 이미지를 나타낼 수 없다.
따라서, 본 발명의 중요한 목적은 블루밍 억제동작의 영향으로부터 무관한 고체촬상소자를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 중요한 목적은 고체촬상소자를 제어할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명자는 이러한 문제점을 숙고하여 수직 오버플로우 드레인이 그 문제점을 해결한다는 점을 인지했다. 수직 오버플로우 드레인은 포토다이오드로부터의 광캐리어를 반도체기판으로 직접 쓸어버린다. 그러나, 수직 오버플로우 드레인이 저항성 게이트 전극을 가지고 수직 전하 전송 소자와 결합될 때, 그 결합은 하이레벨 구동신호를 요구한다. 상세하게, 수직 오버플로우 드레인을 구비하는 고체촬상소자는 포토다이오드로부터 수직시프트레지스터로 판독된 전위신호가 행선택신호보다 더욱 높을 것을 요한다. 만약 큰 커패시턴스가 포토다이오드를 위하여 요구되면, 판독된 전위신호가 더욱 크게된다. 더욱 높은 판독전위신호는 축적전극아래의 전위웰과 종래기술의 경우보다 전위레벨에서 더욱 높은 수평전하전송소자의 전하전송영역에 기인하며, 따라서, 출력회로는 리세트 드레인에서 더욱 높은 전위레벨을 요한다. 리세트 드레인에서의 전위레벨을 유지하기 위하여, 축적전극상의 전위신호의 진폭과 수평전하전송소자용 전하전송신호의 진폭을 종래기술의 전하전송소자의 경우보다 더욱 넓게하는 것이 필요하다.
이러한 상황에서, 본 발명자는 수직 오버플로우 드레인과 저항성 게이트전하전송소자를 구비하는 고체촬상소자를 제어하기 위한 방법에 노력을 집중하였다.
본 발명의 한 측면에 따라, 이미지-이송 광으로부터 전하패킷을 생성하기 위한 복수의 광전변환수단; 각각이 전하전송채널영역 및 전하전송채널영역에 용량적으로 접속되는 각각의 저항성게이트전극을 가지는 복수의 저항성 게이트전하전송소자, 복수의 광전변환수단과 전하전송채널영역사이에 접속되며 특정 전하패킷을 전하전송채널영역으로 전송하기 위하여 각각 온상태 및 오프상태사이에서 선택적으로 변화되는 제 1 게이트채널영역을 가지는 복수의 제 1 전송게이트소자, 전하패킷을 축적하기위하여 전하전송채널영역에 접속가능한 복수의 전하축적전위웰, 전하패킷을 출력회로로 전송하기 위하여 복수의 전하축적전위웰에 전기적으로 접속가능한 수평전하전송소자, 저항성 게이트의 전극의 제 1 단과 제 1 단 보다 수평전하전송소자에 더욱 밀접한 저항성 게이트 전극의 제 2 단에 접속되는 전위경사생성수단, 및 복수의 광전변환수단으로 부터 초과 전위를 수신하기 위하여 복수의 광전변환수단아래에 형성되는 수직 오버플로우 드레인을 포함하는 반도체장치상에서 제조되는 고체촬상소자가 제공된다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 이미지-이송 광으로부터 전하패킷을 생성하기 위한 복수의 광전변환수단, 각각이 전하전송채널영역 및 전하전송채널영역에 용량적으로 접속되는 각각의 저항성게이트전극을 가지는 복수의 저항성 게이트전하전송소자, 복수의 광전변환수단과 전하전송채널영역사이에 접속되며 특정 전하패킷을 전하전송채널영역으로 전송하기 위하여 각각 온상태 및 오프상태사이에서 선택적으로 변화되는 제 1 게이트채널영역을 가지는 복수의 제 1 전송게이트소자, 전하패킷을 축적하기위하여 전하전송채널영역에 접속가능한 복수의 전하축적전위웰, 전하패킷을 출력회로로 전송하기 위하여 복수의 전하축적전위웰에 전기적으로 접속가능한 수평전하전송소자, 저항성 게이트의 전극의 제 1 단과 제 1 단 보다 수평전하전송소자에 더욱 밀접한 저항성 게이트 전극의 제 2 단에 접속되는 전위경사생성수단, 및 복수의 광전변환수단으로 부터 초과 전위를 수신하기 위하여 복수의 광전변환수단아래에 형성되는 수직 오버플로우 드레인을 포함하는 반도체장치를 제조하는 방법이, a) 제 1 전송게이트채널영역을 통하여 전하전송채널영역으로 특정 전하패킷을 각각 전송하기 위하여 온상태에서 제 1 단하에서의 전하전송채널영역에서의전위 레벨을 제 1 전송게이터채널영역에서의 전위레벨보다 더욱 높게 만드는 단계, b) 제 1 전송게이트소자를 오프상태로 변환시키는 단계, 및 c) 전위웰을 축적하는 복수의 전하로 특정 전하 패킷을 전송하기 위하여 a) 단계에서의 제 1 단 아래의 전하전송채널영역에서의 전위레벨을 제 1 단 아래의 전하전송채널영역에서의 전위레벨보다 더욱 낮은 특정 레벨로, 그리고 제 2 단 아래의 전하전송채널영역에서의 전위레벨을 오프상태에서 제 1 전하전송게이트채널영역에서의 전위레벨보다 더욱 높게 변화시키는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따라, 입사광으로부터 전하패킷을 생성하기 위한 복수의 광전변환소자, 각각 전하전송채널영역과 전하전송채널영역에 용량적으로 결합되는 각각의 저항성 게이트전극을 가지는 복수의 저항성 게이트 수직 전하 전송 소자, 복수의 광전변환소자와 전하전송채널영역들 사이에 접속되는 제 1 채널영역과 제 1 채널영역에 용량적으로 접속되는 제 1 전송게이트전극를 각각 가지며, 선택된 광전변환소자로 부터의 특정 전하패킷을 전하전송채널영역으로 각각 전송하기 위한 복수의 제 1 전송게이트소자, 전하전송채널영역에 전기적으로 접속가능하며, 전하패킷을 출력회로로 전송하기 위한 수평전하전송소자, 및 저항성 게이트전극의 제 1 단과 상기 제 1 단보다 수평전하전송소자에 보다 밀접한 저항성 게이트 전극의 제 2 단에 접속되는 제어수단을 포함하는 고체촬상소자를 제어하는 방법이, a) 선택된 광전변환소자와 전하전송채널영역사이의 전위차를 증가시키기 위하여 제어수단으로부터 제 1 단 및 제 2 단으로 각각 제 1 전위레벨 및 제 2 전위레벨(VL-RG2; VH-RG2)를 공급하는 단계, b) 전하패킷이 제 1 채널영역을 통하여 선택된 광전변환수단으로부터 전하전송채널영역으로 전송되도록 제어수단으로부터 제 1 전송게이트전극으로 제 3 전위레벨을 공급하는 단계, 및 c) 전하전송채널영역을 따라서 전위경사를 증가시키기 위하여 제어수단으로부터 제 1 단으로 제 4 전위를 공급하는 단계를 포함하여, 복수의 저항성 게이트 수직 전하 전송 소자가 수평전하전송소자로 전하패킷을 전송하도록 하는 고체촬상소자의 제어방법이 제공된다.
도 1 은 종래기술의 영역 이미지 센서의 배치를 도시하는 평면도이다.
도 2 는 도 1 의 A-A 라인을 따라서 취해진 종래기술의 영역 이미지 센서의 구조를 도시한 횡단면도이다.
도 3 은 종래기술의 영역 이미지 센서에 통합된 포토다이오드와 수직 전하 전송 소자의 배치를 도시하는 평면도이다.
도 4 는 도 3 의 B-B 라인을 따라서 취해진 수직 전하 전송 소자와 포토다이오드의 구조를 도시하는 횡단면도이다.
도 5 는 수직 전하 전송 소자상에서 생성되는 도전밴드의 바닥에지를 도시하는 전위도이다.
도 6 은 종래기술의 영역 이미지 센서에서 수행되는 전하전송을 도시하는 타이밍도이다.
도 7 은 본 발명에 따른 고체촬상소자의 배치를 도시하는 평면도이다.
도 8 은 도 7 의 C-C 라인을 따라서 취해진 포토다이오드, 수직 오버플로우 드레인 및 수직 전하 전송 소자의 구조를 도시하는 횡단면도이다.
도 9 는 도 7 의 D-D 라인을 따라서 취해진 수직 전하 전송 소자의 구조를 도시하는 횡단면도이다.
도 10 은 본 발명에 따른 고체촬상소자를 제어하기위한 방법을 도시하는 타이밍도이다.
도 11 은 전하 전파 경로를 따라서 전위레벨의 변화를 도시하는 도이다.
도 12 는 본 발명에 따른 고체촬상소자를 제어하기 위한 다른 방법을 도시하는 타이밍도이다.
도 13 은 전하 전파 경료를 따라서 전위레벨의 변화를 도시하는 도이다.
도 14 는 본 발명에 따른 다른 고체촬상소자의 배치를 도시하는 평면도이다.
도 15 는 도 14 에 도시된 고체촬상소자를 제어하기위한 방법을 도시하는 타이밍도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 ... 반도체기판 2, 36 ... 포토다이오드
3 ... n-형 전하전송영역 4 ... p-형 채널 스톱퍼
5, 8 ... 절연층 6 ... 저항성 게이트 전극
9, 13, 42 ... 축적전극 10 ... 수직 시프트 레지스터
11, 46 ... 수평전하전송소자 12a/12b ... 전송게이트전극
14 ... 투명절연층 15 ... 차광층
16 ... 블루밍억제 드레인영역 17 ... 블루밍 억제전극
18 ... 출력회로
32,33 ... 수직 오버플로우 드레인
37 ... 전하전송채널영역 40 ... 경사전위전극
41 ... 저항성 게이트 수직 전하 전송 소자
43 ... 최종 전하전송전극 44 ... n-형 전하전송채널영역
45 ... 전하전송전극 47, 52 ... 층간레벨 절연층
49 ... 행선택라인 50 ... 전송게이트 트랜지스터
51 ... 행선택기
이하, 첨부도면을 참조하여 고체촬상소자의 특징 및 장점과 그 방법이 더욱 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 7, 8 및 9를 참조하여, 본 발명을 구현하는 고체촬상소자가 n-형 실리콘 기판(31)상에 제조된다. 차광층과 층간절연층들이 보다 나은 이해를 위하여 도 7에 도시된 배치설계로부터 제거된다. 차광층, 층간절연층 및 전송전극이 동일한 목적을 위하여 도 9에서 도시된 배치설계로부터 제거된다.
p-형 웰(32)이 n-형 실리콘 기판(31)의 표면부에 형성되고, n-형 웰(33)과 p-형 웰(34)이 빗모양처럼 n-형 웰(33)사이에 연장된다. 고농도로 도핑된 p-형 불순물 영역(35)이 n-형 웰(33)에 형성되고, n-형 웰(33)과 고농도로 도핑된 p-형 불순물영역(35)이 포토다이오드(36)를 형성한다. 포토다이오드(36)는 행 및 열의 형태로 정렬되고, 이미지-이송 광을 광캐리어로 변환한다. n-형 전하전송채널영역(37)이 p-형 웰(34)의 표면부에 형성되고, 각각 포토다이오드(36)의 열과 연관된다. 포토다이오드(36)의 열은 p-형 웰(32)의 포면부를 통하여 관련 n-형 전하전송채널영역(37)에 각각 전기적으로 접속가능하며, 고농도로 도핑된 p-형 채널 스토퍼 영역(38)에 의하여 비관련 n-형 전하전송채널영역(37)과는 전기적으로 절연된다.
n-형 전하전송채널영역(37), 고농도로 도핑된 p-형 채널 스토퍼 영역(38), 고농도로 도핑된 p-형 불순물영역(35) 및 p-형 웰(32)의 표면부가 실리콘 산화물층(39)으로 덮히고, 실리콘 산화물층(39)은 이미지-이송 광에 투명하다.
저항성 폴리실리콘의 경사전위전극(40)은 실리콘 산화물층(39)상에 패턴되고, n-형 전하전송채널영역(37)은 각각 경사전위전극(40)으로 중첩된다. 각각의 경사전위전극, 실리콘 산화물층(39) 및 p-형 웰(34)에 형성되는 각각의 n-형 전하전송채널영역(37)은 전체적으로 저항성 게이트 수직 전하 전송 소자(41)를 구성하고, 저항성 게이트 수직전하채널소자(41)는 포토다이오드(36)의 열과 교차한다.
제 1 펄스라인(RG1)은 각 경사전극(40)의 일단에 접속되고, 제 2 펄스라인(RG2)는 경사전극(RG2)의 타단에 접속된다. 도 7 에는 도시되지 않았지만, 펄스소오스는 제 1 펄스라인(RG1)과 제 2 펄스라인(RG2)에 접속되고, 경사전극(40)상에서 경사전위를 생성한다. 저항이 더 커질수록, 전기소모는 더 줄어든다. 그러나, 만약 경사전극(40)의 저항이 너무 커진다면, 경사전위는 경사전극(40)에서 즉각적으로 생성되지 않는다. 이러한 이유 때문에, 경사전극(40)을 위하여 사용되는 물질의 저항을 조절할 필요가 있다. 지금 경사전극(40)이 2 밀리오옴·㎝ 정도의 저항을 가지는 인으로 도핑된 폴리실리콘으로 형성되고, 전위전극(40)은 폭이 1 마이크론, 길이가 4㎜ 및 두께가 0.4마이크론이며 저항은 200㏀이다. 10볼트의 전위차가 전위전극(40)에 인가될 때, 전위전극(40)은 50 마이크론-암페어의 전류가 전위전극(40)을 통하여 흐르도록한다. 실리콘 산화물층(39)은 70 나노미터의 두께로 가정되고, 2㎊의 커패시턴스가 전위전극(40)에 접속되고, 시정수는 0.4㎲ 이다. 이러한 방법으로, 펄스 상승시간과 펄스 감쇄시간이 경사전극의 크기, 저항, 게이트 절연층의 물질 및 게이트 절연층의 두께를 변화시킴으로써 조절될 수 있다.
비록 제 1 펄스신호(PRG1)의 전위레벨과 제 2 펄스신호(PRG2)의 전위레벨이 수직귀선주기동안에 변할지라도, 가능한한 시정수를 작게 설계하는 것이 추천된다.
n-형 전하전송채널영역(37)은 제 2 전위공급라인(RG2)에 접속되는 전위전극(40)의 단부상으로 연장되고, 축적전극(42)과 최종 전하전송전극(43)은 n-형 전하전송채널영역(37)에 수직한 방향으로 실리콘 산화물층(39)상으로 연장된다.
n-형 전하전송채널영역(37)은 p-형 웰(34)에서 형성되는 n-형 전하전송채널영역(44)로 몰입되고, 전하전송전극(45)은 n-형 전하전송채널영역(44)을 따라서 실리콘 산화물층(39)상에 형성된다. n-형 전하전송채널영역(44), 실리콘 산화물층(39) 및 전하전송전극(45)이 전체적으로 수평전하전송소자(46)를 구성한다. 축적전극(42)와 전하전송전극(45)은 층간레벨 절연층(47)으로 덮히고, 층간레벨 절연층(47)은 경사전극(40)과 최종 전하전송전극(43)으로 부터 축적전극(42) 및 전하전송전극(45)를 전기적으로 절연시킨다. 경사전극(40)과 최종 전송전극(43)은 층간레벨 절연층(48)으로 덮힌다.
폴리실리콘의 행선택라인(49)은 층간레벨 절연층(48)상에서 패턴되고 경사전극(40)에 수직한 방향으로 연장된다. 각각의 행선택라인(49)은 띄엄띄엄 전송전극부(49a)를 가지며, 전송전극부(49a)는 고농도로 도핑된 p-형 불순물영역(35)과 n-형 전하전송채널영역(37)사이의 p-형 웰(32)의 표면부(32a)상에 위치된다. 표면부(32a)는 도 7 에서 해칭선으로 표시되고, 실리콘 산화물층(39)과 전송전극부(49a)와 함께 전하트랜지스터(50)로써 역할을 한다.
행선택라인(49)은 행선택기(51)에 접속되고, 행선택기(51)는 행선택라인(49)을 활성레벨로 선택적으로 변화시킨다. 행선택라인(49)중 하나가 활성레벨로 변화될 때, 현재 관련된 전송트랜지스터(50)가 턴온되고, 포토다이오드(36)의 행을 저항성 게이트 수직 전하 전송 소자(41)에 전기적으로 접속한다.
포토다이오드(36)의 수직 불순물 단면은 특정 전위의 존재하에 전적으로 공핍되도록 하기위하여 적절하게 제어될 수 있다. 전위장벽은 p-형 웰(32)과 n-형 웰(33)사이에 형성되고, p-형 웰(32)의 전위레벨은 전송트랜지스터(50)의 채널영역(32a)보다 더욱 높게 채택된다. 이러한 경우에, n-형 웰(33), p-형 웰(32) 및 n-형 기판(31)은 전체적으로 수직 오버플로우 드레인(Overflow drain ; OFD)를 구성한다.
광캐리어가 포토다이오드(36)에서 과도하게 발생될 때, 초과 광캐리어가 n-형 웰(33)과 p-형 웰(32)사이의 전위장벽을 초과한다. 그래서, 초과 광캐리어는 포토다이오드(36)에 전혀 축적되지않으며, n-형 웰(33)과 기판(31)사이의 전위장벽이 블루밍 억제 현상을 효율적으로 제한한다.
행선택라인(49)은 층간레벨 절연층(52)으로 덮히고, 알루미늄의 차광층(53)이 이미지-이송 광으로부터 저항성 게이트 수직전하소자(41)를 차단하며, 개구부(53a)를 가진다. 포토다이오드(36)는 개구부(53a)로 노출되고, 이미지-이송 광은 개구부(53a)를 통하여 포토다이오드(36)의 어레이로 입사된다.
수평전하전송소자(46)는 출력회로(54)에 전기적으로 접속되며, 전하패킷을 출력회로(54)로 전송하기 위하여 수평전하전송신호에 반응한다. 출력회로는 각각의 전하패킷의 양을 표시하는 출력전압신호(OUT)를 발생하며, 스크린상에 이미지를 재생하기 위하여 비디오신호 발생회로를 통하여 적당한 디스플레이로 공급된다.
이러한 예에서, 제 1/제 2 펄스신호(RG1/RG2)의 소오스와 행선택기(51)는 전체적으로 제어수단을 구성한다.
제 1 실시예
이하에서는 도 10 을 참조하여 본 발명을 구현하는 고체촬상소자를 제어하는 방법에 대한 기술이 이루어진다. PRG1, PRG2, PTr, PSTG, PVLG 및 PH 는 제 1 펄스라인(RG1)으로 부터 공급되는 펄스신호, 제 2 펄스라인(RG2)로 부터 공급되는 펄스신호, 행선택라인(49)중 하나로 공급되는 행선택신호, 축적전극(42)에 인가되는 축적신호, 최종 전송전극(43)에 인가되는 전송신호 및 수평전하전송소자(46)의 게이트전극(45)에 공급되는 전하전송신호를 각각 나타낸다. 이러한 신호들(PRG1, PRG2, PTr, PSTG, PVLG 및 PH)은 하이레벨(VH-RG1/VH-RG2/VH-Tr/VH-VLG/VH-PH) 및 로우레벨(VL-RG1/VL-RG2/VL-Tr/VL-VLG/VL-PH)사이에서 변화된다. 하이레벨(VH-RG1)은 로우레벨(VL-RG2)보다 더 낮으며 다른 하이레벨/로우레벨은 전극아래의 도펀트 농도에 의존하는 전하패킷을 축적 또는 전송하기 위하여 적절하게 조절된다. 도 11 은 도 9에서 도시된 전하패킷을 위한 전파경로하에서 도전밴드의 바닥에지의 변화를 예시한다. 다음의 설명에서, 제 1 펄스공급라인(RG1)으로 접속하에 n-형 전하전송채널영역(37)의 단은 원단부(far end)로, 그리고 제 2 펄스공급라인(RG2)로의 접속하의 다른 단은 근단부(near end)로 언급된다.
전송신호(PVLG)는 t1 시간에서 로우레벨(VL-VLG)에서 하이레벨(VH-VLG)로 변화되고, 축적신호(PTSG)는 하이레벨(VH-STG)에서 로우레벨(VL-STG)로 상보적으로 변화된다. 최종 전송게이트(43)는 축적전극(42)아래의 전위웰에 저장된 이전의 전하패킷이 수평전하전송소자(46)의 n-형 전하전송채널영역(44)으로 흐르도록한다. 전송신호(PVLG)는 t2 시간에서 로우레벨(VL-VLG)로 회복되고 축적신호(PSTG)는 동일한 시간에 하이레벨(VH-STG)로 변화된다. 그래서, 이전의 전하패킷이 T1 시간기간에서 수평전하전송소자(46)로 전송된다.
제 1 펄스신호(PRG1)는 t3 시간에서 로우레벨(VL-RG1)에서 하이레벨(VH-RG1)으로 변화되고, 제 2 펄스신호(PRG2)도 로우레벨(VL-RG2)에서 하이레벨(VH-RG2)로 변화된다. 원단부에서의 채널전위레벨은 하이레벨(VH-Tr)의 인가시에 전송트랜지스터(50)의 표면부(32a)에서의 전위레벨보다 더욱 높게된다. 하이레벨(VH-RG1)은 하이레벨(VH-RG2)보다 낮으며 바닥에지는 도 11에서 t3로 표시되는 것처럼 기울어진다.
이미지-이송 광은 포토다이오드 어레이(36)상으로 떨어지고, 포토다이오드(36)는 이미지-이송 광들의 강도에 따라서 광캐리어를 생성한다. 광캐리어는 포토다이오드(36)에 축적되고, 초과하는 광캐리어는 수직 오버플로우 드레인상으로 흐른다.
행선택기(51)는 t4 시간에 행선택신호(P-Tr)을 가지고 행선택라인(49)중의 하나를 하이레벨(VH-Tr)로 변화시키고, 그와 관련된 전송트랜지스터(50)는 광캐리어를 n-형 전송전하채널영역(37)으로 전송하기 위하여 턴온된다. 광캐리어는 n-형 전하전송채널영역(37)에서 전하패킷을 형성한다. 선택된 행선택라인(49)은 t5 시간에 로우레벨(VL-Tr)로 복원된다. 그래서, 전하패킷은 T2 시간기간동안에 저항성 게이트 수직전하 전송장치(41)로 공급된다.
제 1 펄스신호(PRG1)는 t6 시간에 로우레벨(VL-RG1)로 변화되고 원단부에서의 채널전위레벨은 t3 시간에 더욱 낮게되고 로우레벨(VL-Tr)의 인가시에 표면부(32a)에서의 전위레벨보다 더욱 높게된다. 바닥 에지는 t6으로 표시된 것처럼 더욱 기울어진다. 전하패킷은 n-형 전하전송채널영역(37)을 통하여 축적전극(42)아래의 전위웰로 전송된다. 이전에 기술된 것처럼, 로우레벨(VL-RG2))은 하이레벨(VH-RG1)보다 더욱 높으며, 원단부와 근단부사이의 전위차는 제 1 펄스신호(P-RG1)의 진폭과 제 2 펄스신호(P-RG2)의 진폭의 합계에 해당하는 채널 전위차이보다 더욱 넓다. 이러한 이유 때문에, 전하패킷은 축적전극(42) 아래의 전위웰로 이송된다.
전하전송신호는 수평전하전송소자(46)의 게이트 전극(45)에 반복적으로 인가되고, 이전의 전하패킷은 T3 시간기간동안, 즉 t7 및 t8 시간사이에 출력회로(54)로 전송된다. 출력회로(54)는 전하패킷으로부터 출력전압신호(OUT)를 생성하여 이를 고체촬상소자의 외부로 공급한다.
제 2 펄스신호(PRG2)는 t9 시간에서 하이레벨(VH-RG2)에서 로우레벨(VL-RG2)로 변환되고 축적전극(42) 아래의 근단부와 전위엘사이의 전위 불연속성이 증가된다.
전송신호(PLVG)는 t10 시간에서 로우레벨(VL-VLG)에서 하이레벨(VH-VLG)로 변화되고, 축적신호(PSTG)는 t10 시간에서 또한 하이레벨(VH-STG)에서 로우레벨(VL-STG)로 변환된다. 최종 전송게이트(43)는 축적전극(42)하에의 전위웰에 저장되는 전하패킷이 수평전하전송소자(46)의 n-형 전하전송채널영역(44)으로 흐르도록한다. 전하신호(PVLG)는 t11 시간에서 로우레벨(VL-VLG)로 회복되고, 축적신호(PSTG)도 t11 시간에서 하이레벨(VH-STG)로 변화된다. 그래서, 축적전극(42)아래의전위웰과 n-형 전하전송채널영역(44)사이의 전위장벽(PB)은 T4 시간기간에서 제거되고 전하패킷은 수평전하전송소자(46)로 전송된다.
제 1 펄스신호(P-RG1)와 제 2 펄스신호(P-RG2)도 t3에서 경우와 유사하게 변화되고, 전하패킷은 t3 시간에서 출력회로(54)로 전송된다.
이전의 설명에서 이해되는 것처럼, 제 1 및 제 2 펄스신호(P-RG1/P-RG2)는 t0 시간과 t3 시간사이 그리고 t3 시간과 t6 시간사이의 채널전위레벨을 변환시킨다. 하이레벨(VH-RG1)의 제 1 펄스신호(P-RG1)와 하이레벨의 제 2 펄스신호(P-RG2)는 n-형 전하전송채널영역(37)의 에너지 레벨을 깊게하고 포토다이오드(36)와 n-형 전하전송채널영역(37)의 전위웰들사이의 전위차를 증가시킨다. 결과적으로, 광캐리어가 n-형 전하전송채널영역(37)로 원만하게 흘러간다. 로우레벨(VL-RG1)에서의 제 1 펄스신호(PRG1)는 원단부아래의 전하전송채널에서의 전위레벨을 낮게만들며, n-형 전하전송채널영역(37)을 따라서 전위경사를 증가시킨다. 결과적으로, 전하패킷이 전하전송채널로 이송된다.
더욱이, 제 2 펄스신호(PRG2)는 t9 시간에서 로우레벨(VL-RG2)로 변환되고 로우레벨(VL-RG2)에서의 제 2 펄스신호(PRG2)는 근단부아래의 전하전송영역에서의전위레벨을 낮게만든다. 이것은 n-형 전하전송채널영역(37)과 축적전극(42)아래의 전위웰사이의 전위장벽의 높이를 감소시킨다. 이러한 이유 때문에, 제조업자는 전송신호(PVLG)의 펄스높이와 축적신호(PSTG)의 펄스높이를 증가시킬 필요가 없다. 제 1 및 제 2 펄스신호(PRG1/PRG2)를 위한 제어순서는 제조업자가 전하전송신호(PH)의 진폭을 증가시킴이 없이 출력회로(54)의 리세트 드레인에서의 전위레벨을 감소시키는 것을 허용한다.
제 2 실시예
도 12 및 13 은 도 7 내지 도 9에서 도시되는 고체촬상소자를 제어하기위한 다른 방법을 예시한다. 이 방법은 제 2 펄스신호(PRG2)의 작용을 제외하고는 제 1 실시예와 유사하다. 이러한 이유 때문에, 설명은 제 2 펄스신호(PRG2)에 초점을 맞춘다. 제 2 펄스신호(PRG2)는 제 1 펄스신호(PRG1)의 하이레벨(VH-RG1)과 동일한 로우레벨(VL-RG2)를 가진다.
제 1 실시예에서, 제 2 펄스신호(PRG2)는 t3 시간에서 로우레벨(VL-RG2)에서 하이레벨(VH-RG2)로 변환된다. 그러나, 제 2 실시예의 제 2 펄스신호(PRG2)는 t6 시간까지 로우레벨에서 전위레벨을 유지한다. 이러한 이유 때문에, 도전밴드의 바닥에지는 t3 시간에서 수평이며, 전위경사는 도 13 에 도시되는 것처럼 t6 시간에서 발생한다. 제 2 펄스신호(PRG2)는 n-형 전하전송채널영역(370과 축적전극(42)아래의 전위웰 사이의 전위장벽높이를 줄이기위하여 t9 시간에서 로우레벨(VL-RG2)로 복원된다. t3, t6 및 t9 시간에서의 바닥에지는 도 13에서 t3, t6 및 t9로 표시된다.
이러한 경우에, 광캐리어는 수평바닥에지(t3)시에는 광다이오드(36)로부터 n-형 전하전송채널영역(37)로 전송된다. 포토다이오드(36) 및 전하트랜지스터(50)는 아래로 스케일되고, 전송트랜지스터(50)는 n-형 전하전송채널영역(37)을 따라서 전위차에 덜 영향을 받기 때문에, 수평바닥에지(t3)는 바람직하다. 환언하면, 전송트랜지스터(50)는 포토다이오드(36)에서부터 저항성 게이트 수직 전하 전송 소자(41)까지의 전하전송특성이 일정하다.
제 2 실시예를 구현하는 방법은 제 1 실시예의 장점과 함께 위에서 기술된 장점을 이룬다.
제 3 실시예
제 3 실시예를 구현하는 방법은 도 14에서 도시된 고체촬상소자를 위하여 사용된다. 도 14 에 도시된 고체촬상소자는 전송전극(60)을 제외하고는 도 7에서 도시된 고체촬상소자와 유사하다. 이러한 이유 때문에, 다른 전극, 포토다이오드 및 영역들이 제 1 실시예의 대응 전극, 포토다이오드 및 영역에서와 같은 부재번호로 표시되며, 간략하게하기위하여 이후에 더 이상의 설명은 없다.
고체촬상소자는 도 15 에 도시된 것처럼 제어된다. 도 15 에 도시된 제어방법은 다음의 도 10에서 도시된 제어방법과는 다르다. 제 2 펄스신호(PRG2)는 항상 하이레벨(VH-RG2)에서 유지되며, 하이레벨(VH-RG2)는 하이레벨(VH-RG1)보다 더 높다.
n-형 전하전송채널영역(37)에서의 채널전위레벨은 제 1 펄스신호(PRG1)을 가지고 변환된다. 제 1 펄스신호(PRG1)는 T1 시간기간동안에 하이레벨(HV-RG1)에서 유지되고, 전송전극(60)에 인가되는 펄스인, 전송펄스(PTGA)는 n-형 전하전송채널영역(37)로부터 축적전극(42) 아래의 전위웰을 격리시키기 위하여 T1 시간기간에서 저레벨(VL-TGA)로 유지된다.
행선택신호(PTr)는 T2 시간기간에서 행선택라인(49)중 하나를 하이레벨(VH-Tr)로 유지하고 행선택라인(49)과 관련되는 전송트랜지스터(50)는 광캐리어를 n-형 전하전송채널영역(37)으로 전송하기 위하여 턴온된다. 경사전위는 저항성 게이트 수직 전하 전송 소자(41)가 전송전극(60) 아래의 전위장벽으로 전하패킷을 고속으로 전송하도록한다. 그러나, 로우레벨(VL-TGA)의 전송신호(PTGA)는 전하패킷이 축적전극(42)아래의 전위웰로 들어가는 것을 허용하지 않는다.
축적신호는 T2 시간기간에서 전위레벨을 로우레벨(VL-STG)로 유지하고, 전송신호(PVLG)는 T2 시간기간에서 전위레벨을 하이레벨(VH-VLG)로 유지한다. 이전의 싸이클에서 판독된 전하패킷은 수평전하전송소자(46)로 전송되고 T3 시간기간에서 출력회로(54)로 전송된다.
제 1 펄스신호(PRG1)는 t10 시간에서 전위레벨을 로우레벨(VL-RG1)로 변화시키고 전송신호(PTGA)도 하이레벨(VH-TGA)로 복원된다. 그러면, 전하패킷은 축적전극(42) 아래의 전위웰로 흐른다.
이러한 방법으로, 전송전극(60)은 축적전극(42)아래의 전위웰로부터 n-형 전하전송채널영역(37)을 격리시키고, n-형 전하전송채널영역(37)을 전위웰에 연결한다. 전송신호(PTGA 및 PVLG)를 사용하여, 고체촬상소자는 포토다이오드로부터 n-형 전하전송채널영역(37)으로 전하패킷과 축적전극(42) 아래의 전위웰로부터 n-형 전하전송채널영역(44)으로 이전의 전하패킷을 동시에 전송한다. 결과적으로, 저항성 게이트 수직 전하 전송 소자(41)의 시정수가 확대되어도, 전하전송은 수평귀선기간내에 완결된다. 저항성게이트 수직 전하 전송 소자941)의 큰 시정수는 전류소모를 감소시킨다.
제 3 실시예에서, 고체촬상소자는 제 2 펄스신호(PRG2)를 항상 하이레벨(VH-RG2)로 유지시킨다. 그러나, 제 2 펄스신호(PRG2)는 펄스높이를 감소시키기위하여 도 10 또는 12에 도시된 것처럼 제 2 펄스신호(PRG2)와 유사하게 변한다.
전송게이트전극(60/43)과 축적전극(42)은 신호라인(TGA, VLG 및 STG)를 통하여 적당한 펄스발생기에 접속되고, 펄스발생기, 펄스신호(RG1/RG2)의 소오스 및 행선택기(51)는 전체적으로 제어수단을 구성한다.
비록 본 발명의 특정 실시예들이 도시되고 기술되었지만, 다양한 변화와 수정이 본 발명의 정신과 범위를 벗어남이없이 이루어질 수 있다는 것이 동 기술분야에 속하는 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
예를 들어, 전하패킷은 양 전기 전하에 의하여 형성될 수도 있다. 이 경우에, 전위사이의 관계가 반전되면, 이전의 기술내용이 이미지 픽업장치에 적용된다.
Claims (11)
- 이미지-이송 광으로부터 전하패킷을 생성하기 위한 복수의 광전변환수단(36);각각이 전하전송채널영역(37) 및 상기 전하전송채널영역에 용량적으로 접속되는 각각의 저항성게이트전극(40)을 가지는 복수의 저항성 게이트전하전송소자(41);상기 복수의 광전변환수단과 상기 전하전송채널영역사이에 접속되며 상기 특정 전하패킷을 상기 전하전송채널영역으로 전송하기 위하여 각각 온상태 및 오프상태사이에서 선택적으로 변화되는 제 1 게이트채널영역(32a)을 가지는 복수의 제 1 전송게이트소자(50);상기 전하패킷을 축적하기위하여 상기 전하전송채널영역에 접속가능한 복수의 전하축적전위웰; 및상기 전하패킷을 출력회로(54)로 전송하기 위하여 상기 복수의 전하축적전위웰에 전기적으로 접속가능한 수평전하전송소자(46)를 포함하며,상기 상기 전하전송채널영역은 각각 제 1 단(RG1)과 각각이 상기 제 1 단보다 상기 수평전하전송소자에 더욱 밀접한 제 2 단을 가지는 고체촬상소자를 제어하는 방법이a) 상기 제 1 전송게이트채널영역을 통하여 상기 전하전송채널영역으로 상기 특정 전하패킷을 각각 전송하기 위하여 상기 온상태에서 상기 제 1 단(RG1)하에서의 상기 전하전송채널영역에서의전위 레벨을 상기 제 1 전송게이터채널영역(32a)에서의 전위레벨보다 더욱 높게 만드는 단계;b) 상기 제 1 전송게이트소자(50)를 오프상태로 변환시키는 단계; 및c) 전위웰을 축적하는 상기 복수의 전하로 상기 특정 전하 패킷을 전송하기 위하여 상기 a) 단계에서의 상기 제 1 단(RG1)아래의 상기 전하전송채널영역에서의 전위레벨을 상기 제 1 단 아래의 상기 전하전송채널영역에서의 상기 전위레벨보다 더욱 낮은 특정 레벨로, 그리고 상기 제 2 단(RG2) 아래의 상기 전하전송채널영역에서의 전위레벨을 상기 오프상태에서 상기 제 1 전하전송게이트채널영역(32a)에서의 상기 전위레벨보다 더욱 높게 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제어방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단 아래의 상기 전하전송채널영역에서의 상기 전위레벨은 상기 a)단계에서의 상기 제 2 단 아래의 상기 전하전송채널영역에서의 상기 전위레벨과 동일한 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제어방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고체촬상소자는 상기 복수의전하전송채널영역과 상기 복수의 축적전위웰 사이에 접속되는 제 2 전하게이트채널영역을 가지는 제 2 전송게이트소자(60)를 더 포함하며,상기 제 1 단 아래의 상기 전하전송채널영역에서의 상기 전위레벨은 상기 a)단계에서의 상기 제 2 전송게이트소자의 상기 제 2 전송게이트채널영역에서의전위레벨보다 더욱 높은 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제어방법.
- 입사광으로부터 전하패킷을 생성하기 위한 복수의 광전변환소자(36);각각 전하전송채널영역(37)과 상기 전하전송채널영역에 용량적으로 결합되는 각각의 저항성 게이트전극(40)을 가지는 복수의 저항성 게이트 수직 전하 전송 소자(41);상기 복수의 광전변환소자와 상기 전하전송채널영역들 사이에 접속되는 제 1 채널영역(32a)과 상기 제 1 채널영역에 용량적으로 접속되는 제 1 전송게이트전극(49a)를 각각 가지며, 선택된 광전변환소자로 부터의 특정 전하패킷을 상기 전하전송채널영역으로 각각 전송하기 위한 복수의 제 1 전송게이트소자(50);상기 전하전송채널영역에 전기적으로 접속가능하며, 상기 전하패킷을 출력회로로 전송하기 위한 수평전하전송소자(46); 및상기 저항성 게이트전극(40)의 제 1 단과 상기 제 1 단보다 상기 수평전하전송소자(46)에 보다 밀접한 상기 저항성 게이트 전극의 제 2 단에 접속되는 제어수단(RG1/RG2/51)을 포함하는 고체촬상소자를 제어하는 방법이,a) 상기 선택된 광전변환소자와 상기 전하전송채널영역사이의 전위차를 증가시키기 위하여 상기 제어수단으로부터 상기 제 1 단 및 상기 제 2 단으로 각각 제 1 전위레벨(VH-RG1) 및 제 2 전위레벨(VL-RG2; VH-RG2)를 공급하는 단계;b) 전하패킷이 상기 제 1 채널영역을 통하여 상기 선택된 광전변환수단으로부터 상기 전하전송채널영역으로 전송되도록 상기 제어수단으로부터 상기 제 1 전송게이트전극으로 제 3 전위레벨(VH-Tr)을 공급하는 단계; 및c) 상기 전하전송채널영역을 따라서 전위경사를 증가시키기 위하여 상기 제어수단으로부터 상기 제 1 단으로 제 4 전위(VL-RG1)를 공급하는 단계를 포함하여, 상기 복수의 저항성 게이트 수직 전하 전송 소자가 상기 수평전하전송소자로 상기 전하패킷을 전송하도록 하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제어방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 전위(VH-RG1)는 상기 제 1 단으로부터 상기 제 2 단으로 상기 전하패킷을 이송하기 위하여 상기 초기 전위경사를 생성하도록 상기 제 2 전위(VH-RG2)와 다르며, 상기 c) 단계에서의 상기 전위경사는 상기 초기 전위경사보다 더욱 큰 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제어방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 전위(VH-RG1)는 상기 전하전송채널영역을 따라서 어떠한 전위경사도 발생하지 않도록 상기 제 2 전위(VL-RG2)와 동일한 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제어방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 고체촬상소자는상기 전하전송채널영역에 인접한 각각의 전위웰과 상기 전위웰에 용량적으로 접속되는 축적전극(42)을 가지는 복수의 전하축적소자; 및상기 전하전송채널영역과 상기 전위웰사이에 접속되는 제 2 전송게이트채널영역과 상기 제 2 전송게이트채널영역에 용량적으로 접속되는 제 2 전송게이트전극(43)을 더 포함하며,상기 방법은d) 상기 제 2 단과 상기 제 2 전송게이트채널영역사이의 전위차를 감소시키기위하여 상기 제어수단으로부터 상기 제 2 단으로 제 5 전위레벨(VL-RG2)를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제어방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 고체촬상소자는각각 상기 전하전송채널영역에 인접한 각각의 전위웰과 상기 전위웰들에 용량적으로 접속되는 축적전극(42)을 가지는 복수의 전하축적소자;각각 상기 전하전송채널영역과 상기 전위웰사이에 접속되는 제 2 전송게이트채널영역 및 상기 제 2 전송게이트채널영역에 용량적으로 접속되는 제 2 전송게이트전극(43)을 가지는 제 2 전송게이트소자; 및상기 전위웰과 상기 수평전하전송소자사이에 접속되는 제 3 전송게이트채널영역과 상기 제 3 전송게이트채널영역에 용량적으로 접속되는 제 3 전송게이트전극(60)을 가지는 제 3 전송게이트소자를 포함하며,상기 제어수단은 상기 a)단계전에 축적된 전하패킷을 상기 수평전하전송소자에 전송하기 위하여 상기 제 5 전위레벨(VL-STG)와 제 6 전위레벨(VH-VLG)을 상기 축적전극 및 상기 제 3 전송게이트전극에 더 공급하며, 그리고상기 제어수단은 상기 전하패킷이 상기 전위웰로 흐르도록하기 위하여 상기 c)단계에서의 제 2 전송게이트전극으로 제 7 전위(VH-TGA)를 더 공급하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제어방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 고체촬상소자는 상기 복수의 광전변화소자아래에 형성되는 수직 오버플로우 드레인(31/32/33)를 더 포함하여, 초과 전하가 상기 광전변화소자로부터 상기 광전변환소자와 상기 수직 오버플로우 드레인사이의 경계선을 따라서 생성된 전위웰상으로 흐르도록 하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제어방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 전위레벨(VH-RG2)는 a), b) 및 c) 단계에서 일정한 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제어방법.
- 이미지-이송 광으로부터 전하패킷을 생성하기 위한 복수의 광전변환수단(36);각각의 전하전송채널영역 및 상기 전하전송채널영역에 용량적으로 접속되는 각각의 저항성 게이트전극을 가지는 복수의 저항성 게이트 전하전송소자;각각 상기 복수의 광전변환수단과 상기 전하전송채널영역사이에 접속되는각각의 제 1 전송게이트채널영역을 가지며 특정 전하패킷을 상기 전하전송채널영역으로 전송하기 위하여 온상태와 오프상태사이에서 선택적으로 변화되는 복수의 제 1 전송게이트소자(50);상기 전하패킷을 축적하기위하여 상기 전하전송채널영역에 접속가능한 복수의 전하축적전위웰;상기 전하패킷을 출력회로(54)에 전송하기위하여 상기 복수의 전하축적전위웰에 전기적으로 접속가능한 수평전하전송소자;상기 저항성 게이트 전극의 제 1 단과 상기 제 1 단보다 상기 수평전하전송소자에 더욱 밀접한 상기 저항성 게이트 전극의 제 2 단에 접속되는 전위경사생성수단; 및상기 복수의 광전변환수단으로부터의 초과 전하를 수신하기 위하여 상기 복수의 광전변환수단아래에 형성되는 수직 오버플로우 드레인(31/32/33)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치상에 제조되는 고체촬상소자.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100686100B1 (ko) * | 2005-07-20 | 2007-02-26 | 엘지전자 주식회사 | 이동통신기기용 액정표시장치의 충격 테스트용 지그 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704050B1 (en) | 1999-04-23 | 2004-03-09 | Polaroid Corporation | Active-pixel image sensing device with linear mode voltage to current conversion |
| US6853044B1 (en) * | 1999-06-29 | 2005-02-08 | Hynix Semiconductor Inc. | Image sensor with improved dynamic range by applying negative voltage to unit pixel |
| JP4231327B2 (ja) | 2003-04-23 | 2009-02-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2005116754A (ja) | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体エネルギー線検出素子 |
| JP4086798B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2008-05-14 | シャープ株式会社 | 増幅型固体撮像装置 |
| EP1583150A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-05 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA | Image sensor with large-area, high-sensitivity and high-speed pixels |
| JP4229884B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2009-02-25 | シャープ株式会社 | 増幅型固体撮像装置 |
| JP2006120743A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP4802520B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2011-10-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| EP2093801B1 (en) * | 2006-11-28 | 2016-11-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state imaging element |
| JP5270835B2 (ja) * | 2006-12-29 | 2013-08-21 | パナソニック株式会社 | 光検出素子、空間情報の検出装置 |
| TWI374539B (en) * | 2007-03-30 | 2012-10-11 | Panasonic Corp | Spatial information detecting apparatus and method for taking out received-light output from the same device |
| JP5350659B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-11-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5452511B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2014-03-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5680979B2 (ja) | 2011-01-20 | 2015-03-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
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| JPS5657367A (en) | 1979-10-15 | 1981-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state image pickup device |
| JPS61164383A (ja) | 1985-01-16 | 1986-07-25 | Matsushita Electronics Corp | 電荷転送装置及びその駆動方法 |
| US5182623A (en) * | 1989-11-13 | 1993-01-26 | Texas Instruments Incorporated | Charge coupled device/charge super sweep image system and method for making |
| JP3033671B2 (ja) | 1995-01-30 | 2000-04-17 | 日本電気株式会社 | 画像信号のアダマール変換符号化・復号化方法およびその装置 |
-
1996
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1997
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- 1997-12-17 CN CN97121720A patent/CN1097315C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100686100B1 (ko) * | 2005-07-20 | 2007-02-26 | 엘지전자 주식회사 | 이동통신기기용 액정표시장치의 충격 테스트용 지그 |
Also Published As
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