KR19980052406A - 반도체 소자의 보호막 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 보호막 형성 방법 Download PDF

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
반도체 소자 제조 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
소자가 고집적화됨에 따라 매우 협소한 금속 배선 사이의 공간으로 인해, 종래의 보호막으로 사용되는 실리콘 질화막에서 종종 발생되는 보이드나 크랙을 제거할 수 있는 기저층/갭 충전층/상부층으로 된 3층 구조의 보호막을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
기저층으로서 실리콘 산화 질화막을 증착하고, 그 위에 갭 충전층으로 실리콘 산화막을 증착할 때 반응 온도를 점차로 상승시키면서 증착하여 충분한 갭 충전 효과를 얻고, 그 위에 수분이나 이온 등의 침투를 방지할 수 있는 실리콘 산화막을 PECVD 방식으로 증착함.
4. 발명의 중요한 용도
고집적 반도체 소자의 보호막 제조에 이용됨.

Description

반도체 소자의 보호막 형성 방법
본 발명은 일반적으로 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자의 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, DRAM과 같은 반도체 소자 제조 공정을 보면, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(1)상에 소정의 하부층 및 층간절연막(2)을 형성한 구조위에 최종 금속 배선(3)을 형성한 후, 소자의 보호막으로 실리콘 산화막(SiO2)/실리콘 질화막(Si3N4) 또는 PSG(Phospho-Silicate-Glass : SiO2/P2O5) 등의 물질을 PECVD 방식으로 증착하여 제 1 보호막(4)/제 2 보호막(5) 구조를 형성하였다. 그런데, 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 금속 배선(3)의 폭과 금속 배선간의 공간이 상당히 축소되기 때문에, 소자 보호막 형성시 도 1에 도시된 바와 같이, 오버행(overhang)에 의한 보이드(void)(6) 및 구조가 취약한 부분에서의 크랙(crack)(7) 등의 결함이 발생할 가능성이 높다는 문제점이 있었다.
따라서, 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명은, APL 공정을 이용하여 금속 배선 사이의 공간을 채움으로써 보이드 및 크랙의 발생을 억제할 수 있는 안정한 소자 보호막을 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 종래 기술에 따라 형성된 반도체 소자의 보호막에서 발생되는 결함을 도시하는 도면.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자의 보호막 형성 공정의 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
11 : 반도체 기판12 : 하부층 및 절연막
13 : 금속 배선14 : 기저층
15 : 갭 충전층16 : 상부층
17 : 제 2 보호막
본 발명은, 반도체 기판상에 소정의 하부층 및 최종 금속 배선이 형성된 구조상의 소자의 보호막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 금속 배선 구조상의 SiH4가스와 N2O 가스를 이용하여 실리콘 산화 질화막을 형성하는 단계; 상기 실리콘 산화 질화막상에 SiH4가스와 H2O2가스를 이용하여, 소정의 온도에서 시작하여 점차로 반응 온도를 상승시키면서 제 1 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 실리콘 산화막상에 SiH4가스와 O2가스를 이용하여 제 2 실리콘 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이제, 본 발명은 첨부 도면을 참조하여, 실시예에 대해 상세하게 설명되게 된다. 도 2는 본 발명에 따라 반도체 소자의 보호막을 형성하는 공정의 단면도를 도시하고 있다. 먼저, 반도체 기판(11)상에 소정의 하부층 및 층간절연막(12)이 형성된 구조상의 최종 금속 배선(13)을 형성한 후, APL(Advanced Planarization Layer) 공정을 이용하여, 기저층/갭 충전층/상부층으로 된 3층 구조의 제 1 보호막을 형성한다. APL 형성 공정을 보면, 먼저 SiH4가스와 N2O 가스를 이용하여 PECVD 방식으로 실리콘 질화막(SiON)으로 된 기저층(base layer)(14)을 형성한다. 이 기저층은 후속으로 증착되는 갭 충전층의 수분 확산을 방지하는 역할을 한다. 다음에는, SiH4가스와 H2O2가스를 이용하여 실리콘 산화막으로 된 갭 충전층(flow fill layer)(15)을 형성하여 배선(13)간의 공간을 채운다. 이때, SiH4가스와 H2O2가스를 약 0℃의 온도에서 반응시키기 시작하여 반응로의 온도를 약 300℃까지 점차로 증가시키게 되면, 처음에는 갭 충전 특성이 양호한 SiOH4가스가 형성되어, 배선 사이의 공간을 채우게 된다. 이 SiOH4는 반응로의 온도가 상승함에 따라 SiOxHy를 거쳐 실리콘 산화막을 형성하게 된다. 이렇게 형성된 갭 충전층에 의해 보이드나 크랙 등의 발생이 억제될 수 있다. 다음에는 SiH4가스와 O2가스를 이용하여 PECVD 방식으로 실리콘 산화막으로 된 상부층(cap layer)(16)을 형성한다. 이 층은 외부로부터 수분 및 이온이 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 다음에는 제 2 보호막으로서, PECVD 방식으로 실리콘 질화막(Si3N4)(17)을 증착한다. 본 발명의 다른 실시예로서, 이 제 2 보호막(17)을 증착하지 않고 전술한 APL 공정에 의한 3층 구조의 제 1 보호막으로도 충분한 소자의 보호를 이룰 수 있으며, 또한 전술한 APL 공정에서 상부층(16)을 증착하지 않고, 갭 충전층(15)위에 곧바로 제 2 보호막(17)을 형성하는 것도 가능하다.
비록 본 발명의 특정 실시예에 관해 설명 및 도시되었지만, 이것은 본 발명을 제한하고자 의도된 것은 아니며, 이 기술에 숙련된 사람은 본 발명의 정신 및 범위내에서 여러 가지 변형 및 수정이 가능하다는 것을 알 수 있는 것이다.
반도체 소자 제조시 전술한 바와 같은 본 발명을 이용하므로써, 소자 보호막에서 보이드나 크랙 등의 결함 발생을 억제하여 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 반도체 기판상에 소정의 하부층 및 최종 금속 배선이 형성된 구조상의 소자의 보호막을 형성하는 방법에 있어서,
    상기 금속 배선 구조상의 SiH4가스와 N2O 가스를 이용하여 실리콘 산화 질화막을 형성하는 단계;
    상기 실리콘 산화 질화막상에 SiH4가스와 H2O2가스를 이용하여, 소정의 온도에서 시작하여 점차로 반응 온도를 상승시키면서 제 1 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 실리콘 산화막상에 SiH4가스와 O2가스를 이용하여 제 2 실리콘 산화막을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 보호막 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 실리콘 산화막을 형성하는 단계 이후에, 실리콘 질화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 형성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 실리콘 산화막을 형성하는 단계는, 0℃에서 300℃까지 반응 온도를 상승시키면서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 형성 방법.
  4. 반도체 기판상에 소정의 하부층 및 최종 금속 배선이 형성된 구조상에 소자의 보호막을 형성하는 방법에 있어서,
    SiH4가스와 N2O 가스를 이용하여 실리콘 산화 질화막을 형성하는 단계;
    SiH4가스와 H2O2가스를 이용하여, 소정의 온도에서 시작하여 점차로 반응 온도를 상승시키면서 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및
    실리콘 질화막을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 보호막 형성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 실리콘 산화막을 형성하는 단계는, 0℃에서 300℃까지 반응 온도를 상승시키면서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 보호막 형성 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000074693A (ko) * 1999-05-25 2000-12-15 김영환 반도체 소자의 수분 침투 방지층 형성방법

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