KR19980014220A - 1사이클동작 내부 리드/라이트 기능을 가진 반도체 메모리장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 1사이클동작 내부 리드/라이트 기능을 가진 반도체 메모리장치로서, 특히 복수의 비트라인들에 연결된 복수의 메모리셀들로 구성된 메모리셀 어레이; 상기 복수의 비트라인들과 입출력 데이터라인의 사이에 각각 연결되고, 소스 칼럼선택신호에 응답하여 대응하는 소스로부터 독출된 데이터를 상기 입출력 데이터라인에 전송하고 상기 소스 칼럼선택신호에 이어서 발생되는 목적지 칼럼선택신호에 응답하여 상기 입출력 데이터라인에 인가된 데이터를 목적지로 전송하는 복수의 칼럼선택수단들; 상기 입출력 데이터라인에 연결되어 독출된 소스 데이터를 증폭하는 데이터 증폭수단; 상기 데이터 증폭수단에서 출력된 데이터를 상기 입출력 데이터라인에 출력하는 기입구동수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명의 장치에서는 메모리셀 어레이로 부터 독출된 데이터를 래치하지 않고 즉시 목적지 어드레스로 기입하기 때문에 래치 셀이 필요하지 않게 되어 칩 사이즈가 감소하게 되고, 한 사이클 동안에 독출 및 기입 동작이 모두 이루어지기 때문에 사이클 타임이 감소하고 밴드폭이 증가하여 시스템 성능향상에 기여할 수 있다.
Description
본 발명은 1사이클동작 내부 데이터 리드/라이트 기능을 갖는 반도체 메모리장치에 관한 것으로서, 특히 종래에 사용되었던 래치를 제거함으로써, 칩 사이즈를 감소 시키고 데이터 이동 속도를 향상 시킬 수 있는 1사이클동작 내부 데이터 리드/라이트 기능을 갖는 반도체 메모리장치에 관한 것이다.
현재 비디오 램(VRAM)의 등장과 함께 많은 시스템 제작자들은 시스템의 성능 향상을 위해 비디오 램과 같은 그래픽버퍼를 사용해 왔다. 비디오 램의 등장이후 기능을 대폭 향상시킨 윈도우 램(WRAM)이 등장하여 기존의 비디오 램을 대체해 나가고 있는데 이 윈도우 램의 기능들중 고유 기능인 디램에서 래치로, 래치에서 디램으로는 스크린 디스플레이 기능들중 블럭이동이나 스크롤 등과 같은 기능에 획기적인 것으로서 윈도우 램의 대표적인 기능이다.
도 1 은 종래의 데이터 내부 리드/라이트 기능을 가진 반도체 메모리장치를 설명하기 위한 구성을 나타낸 회로도이다.
상기의 메모리장치는 복수의 비트라인들에 연결된 복수의 메모리셀들로 구성된 메모리셀 어레이(10), 복수의 비트라인들과 입출력 데이터라인(L)의 사이에 각각 연결되고, 소스 칼럼선택신호에 응답하여 대응하는 소스로부터 독출된 데이터를 입출력 데이터라인(L)에 전송하고 소스 칼럼선택신호(CSL1)에 이어서 발생되는 목적지 칼럼선택신호(CSL2)에 응답하여 입출력 데이터라인(L)에 인가된 데이터를 목적지로 전송하는 복수의 칼럼선택부(20), 입출력 데이터라인에 연결되어 독출된 소스 데이터를 증폭하는 데이터 증폭부(40), 데이터 증폭부(40)에서 출력된 데이터를 래치하는 래치부(60) 및 래치부(60)의 데이터를 입출력 데이터라인에 출력하는 기입구동부(80)로 구성된다.
상기의 메모리장치는 다음과 같이 동작한다.
픽셀 데이터(이하, 데이터라 함은 픽셀 데이터를 지칭한다)를 독출하고자 하는 소스 어드레스에 의해 메모리셀 어레이(10)의 해당 비트라인이 지정되고 컬럼선택부(20)에 소스 컬럼선택신호(CSL1)가 입력되면 스위칭 트랜지스터가 턴온되어 메모리셀 어레이의 내부 데이터는 스위칭 트랜지스터를 통해서 복수비트의 입출력버스에 실리게 된다. 입출력 버스에 실린 데이터는 데이터 증폭부(40) 즉, 센스앰프에서 일정 레벨로 증폭된후 래치부(60)에 래치된다.
스크린 상의 택스트문자 이동을 나타내는 도 2 를 참조하여 설명하면, 래치부(60)에서 출력된 데이터가 스크린상에 디스플레이 된다면, 그 데이터를 스크린상의 다른 장소로 이동(MOVE)시킬때 데이터를 저장하고 있는 프레임버퍼(즉, VRAM,WRAM 과 DRAM 등)에서는 데이터의 어드레스 이동이 필요하다.
이때, 데이터의 어드레스 이동은 데이터를 메모리에서 독출하고 다른 어드레스로 기입하는 과정을 칩 내부에서 이루어질 수 있도록 내부 이동(INTERNAL MOVE)이 프레임 버퍼의 디램에서 래치로, 래치에서 디램으로와 같은 데이터 이동경로를 제공하는 래치 셀을 통해 이루어진다.
상기의 데이터를 이동하기 바라는 어드레스인 목적지 어드레스에 저장하기 위하여 목적지 칼럼선택신호(CSL2)를 칼럼선택부(20)에 제공하면 해당하는 스위칭 트랜지스터가 턴온되고, 래치부(60)에 유지되어 있던 데이터가 기입구동부(60) 즉, 라이트 드라이브(WRDRV)를 통해서 입출력 데이터라인(L)에 실리고 스위칭 트랜지스터를 통해서 메모리셀 어레이(10)의 해당 어드레스로 데이터가 저장된다.
도 3 의 타이밍도를 참조하여 설명하면, 소스 칼럼선택신호(CSL1)와 독출구동신호(UFBR)가 액티브되고 컬럼 어드레스 스트로브(CASB) 신호가 로우로 액티브되는 한 사이클 동안 메모리셀 어레이(10)로부터 데이터가 독출되어 구동 스위칭 트랜지스터와 입출력 데이터라인과 센스앰프를 경유하여 래치부(60)에 유지된다. 다음에 무정의 상태(Don't care)를 일정구간 유지한후 목적지 칼럼선택신호(CSL2)와 기입구동신호(UFBWL)가 액티브되고 컬럼 어드레스 스트로브(CASB) 신호가 로우로 액티브되는 또 다른 사이클 동안 래치부(60)에 유지되어 있던 데이터는 기입구동부(80)와 입출력 데이터라인(L)과 구동 스위칭 트랜지스터를 경유하여 메모리셀 어레이에 저장된다. 이로써, 2 사이클동안 메모리 내부에서의 데이터 이동이 수행된다.
이러한 2 사이클 동안의 데이터 이동방법에 의해 달성된 데이터 전송량을 수치적으로 계산하기 위하여 데이터 출력이 32비트이고 4개의 메모리 코어 블럭에서 동시 선택신호(CSL) 개방이 각각이 8개이고 사이클 타임이 20 나노초(ns)인 경우를 예로들면,
한사이클에서의 내부버스를 통한 데이터 이동은 최대 1.6 GBytes/Second(8 x 32Bits/20ns)이고, 8 x 32Bits의 코어 셀내의 데이터 이동시간은 40ns(2사이클)가 필요하게 되어 1초 동안의 데이터 이동은 0.8 Giga Bytes가 된다.
전술한 바와 같이 데이터는 소스와 목적지 선택신호(CSL1,CSL2)에 의해 입출력 데이터라인에 실리게 된다. 게이팅되는 선택신호의 수와 대응하여 입출력 데이터라인(L), 데이터 증폭부(40)의 센스앰프(S/A), 기입구동부(80)의 입출력 드라이브(IODRV) 및 래치의 수가 동일하게 증가한다. 그 수가 증가할수록 데이터의 전송량은 증가하나 래이아웃의 증가로 인하여 칩 사이즈가 증가하고 코스트 또한 증가하게 된다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 종래에 사용되었던 래치를 제거함으로써, 칩 사이즈를 감소 시키고 데이터 이동 속도를 향상 시킬 수 있는 1사이클동작 내부 리드/라이트 기능을 가진 반도체 메모리장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 장치는 복수의 비트라인들에 연결된 복수의 메모리셀들로 구성된 메모리셀 어레이; 상기 복수의 비트라인들과 입출력 데이터라인의 사이에 각각 연결되고, 소스 칼럼선택신호에 응답하여 대응하는 소스로부터 독출된 데이터를 상기 입출력 데이터라인에 전송하고 상기 소스 칼럼선택신호에 이어서 발생되는 목적지 칼럼선택신호에 응답하여 상기 입출력 데이터라인에 인가된 데이터를 목적지로 전송하는 복수의 칼럼선택수단들; 상기 입출력 데이터라인에 연결되어 독출된 소스 데이터를 증폭하는 데이터 증폭수단; 상기 데이터 증폭수단에서 출력된 데이터를 상기 입출력 데이터라인에 출력하는 기입구동수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
도 1 은 종래의 데이터 내부 리드/라이트 기능을 가진 반도체 메모리장치를 설명하기 위한 구성을 나타낸 회로도.
도 2 는 스크린 상에서의 텍스트이동의 일예를 나타낸 도면.
도 3 은 종래의 데이터 내부 리드/라이트 기능을 설명하기 위한 타이밍도.
도 4 는 본 발명에 의한 데이터 내부 리드/라이트 기능을 가진 반도체 메모리장치를 설명하기 위한 구성을 나타낸 회로도.
도 5 는 본 발명에 의한 데이터 내부 리드/라이트 기능을 설명하기 위한 타이밍도.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 4 는 본 발명에 의한 1 사이클동작 데이터 내부 리드/라이트 기능을 가진 반도체 메모리장치를 설명하기 위한 구성을 나타낸 회로도이다.
상기의 메모리 장치는 복수의 비트라인들에 연결된 복수의 메모리셀들로 구성된 메모리셀 어레이(10), 복수의 비트라인들과 입출력 데이터라인(L)의 사이에 각각 연결되고, 소스 칼럼선택신호에 응답하여 대응하는 소스로부터 독출된 데이터를 입출력 데이터라인(L)에 전송하고 소스 칼럼선택신호(CSL1)에 이어서 발생되는 목적지 칼럼선택신호(CSL2)에 응답하여 입출력 데이터라인(L)에 인가된 데이터를 목적지로 전송하는 복수의 칼럼선택수단(20), 입출력 데이터라인에 연결되어 독출된 소스 데이터를 증폭하는 데이터 증폭부(40), 데이터 증폭부(40)의 데이터를 입출력 데이터라인(L)에 출력하는 기입구동부(60)로 구성된다.
다음은 본 발명에 의한 바람작한 일 실시예의 전반적인 동작에 관한 설명이다.
먼저, 데이터를 독출 하고자 하는 소스 어드레스에 의해 메모리셀 어레이(10)의 셀이 지정되고 컬럽 선택부(20)에 소스 컬럼선택신호(CSL1)가 입력되면 해당되는 스위칭 트랜지스터가 턴온되어 메모리 코어셀의 데이터는 복수 비트의 입출력버스(L)에 싣리게 된다. 입출력 버스에 실린 데이터는 데이터 증폭부(40)에 입력되어 일정 레벨로 증폭된후 상기의 데이터를 메모리셀 어레이(10)의 목적지 어드레스에 저장하기 위하여 목적지 어드레스를 지정하면 목적지 컬럼선택부(20)의 스위칭 트랜지스터가 목적지 컬럼선택신호(CSL2)에 의해서 구동되고, 데이터 증폭부(40)의 데이터가 래치되지 않고 즉각적으로 기입구동부(60)의 입출력 드라이브(IODRV)를 경유하여 메모리셀 어레이(10)의 목적지 어드레스에 저장된다.
도 5 의 타이밍도를 참조하여 설명하면, 소스 칼럼선택신호(CSL1)와 기입구부(60)의 입력을 제어하는 독출/기입 구동신호(UFBRW)가 액티브되고 컬럼 어드레스 스트로브(CASB) 신호가 로우로 액티브되는 사이클구간의 선단에서 메모리셀 어레이(10)로부터 데이터가 독출되고, 컬럼 어드레스 스트로브(CASB) 신호의 액티브 구간에서 목적지 칼럼선택신호(CSL2)가 소스 칼럼선택신호(CSL1)의 입력이후 연속적으로 액티브되면 데이터 증폭부(40)와 기입구동부(60)를 경유하여 메모리셀 어레이(10)의 목적지 어드레스에 저장된다. 이때 입출력 데이터라인(L)은 소스 칼럼선택신호(CSL1)와 목적지 칼럼선택신호(CSL2)의 각 액티브사이에 프리차지동작에 의해 프리차지되지 않는다.
결과적으로, 상기의 동작과정에서 1 사이클의 주기동안 데이터의 독출및 기입이 수행된다.
따라서, 상술한 바와 같이 본 발명의 장치에서는 메모리셀 어레이로 부터 독출된 데이터를 래치하지 않고 즉시 목적지 어드레스로 기입하기 때문에 래치 셀이 필요하지 않게 되어 칩 사이즈가 감소하게 되고, 한 사이클 동안에 독출 및 기입 동작이 모두 이루어지기 때문에 사이클 타임이 감소하고 밴드폭이 증가하여 시스템 성능향상에 기여할 수 있다.
Claims (3)
- 복수의 비트라인들에 연결된 복수의 메모리셀들로 구성된 메모리셀 어레이; 상기 복수의 비트라인들과 입출력 데이터라인의 사이에 각각 연결되고, 소스 칼럼선택신호에 응답하여 대응하는 소스로부터 독출된 데이터를 상기 입출력 데이터라인에 전송하고 상기 소스 칼럼선택신호에 이어서 발생되는 목적지 칼럼선택신호에 응답하여 상기 입출력 데이터라인에 인가된 데이터를 목적지로 전송하는 복수의 칼럼선택수단들; 상기 입출력 데이터라인에 연결되어 독출된 소스 데이터를 증폭하는 데이터 증폭수단; 상기 데이터 증폭수단에서 출력된 데이터를 상기 입출력 데이터라인에 출력하는 기입구동수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 1사이클동작 내부 리드/라이트 기능을 가진 반도체 메모리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 입출력 데이터라인은 상기 소스 칼럼선택신호와 목적지 칼럼선택신호의 각 액티브사이에 프리차지동작에 의해 프리차지되지 않는 것을 특징으로 하는 1사이클동작 내부 리드/라이트 기능을 가진 반도체 메모리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기입구동수단은 상기 목적지 칼럼선택신호의 선단에 응답하여 상기 데이터 증폭수단의 출력을 입력하는 것을 특징으로 하는 1사이클동작 내부 리드/라이트 기능을 가진 반도체 메모리장치.
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