KR102656134B1 - 가드층 시스템 및 공정 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 탄산에틸렌 및/또는 에틸렌 글리콜의 생성을 위한 반응 시스템을 제공하며, 상기 반응은 촉매적 EO 반응기의 상류에 위치된 가드층 시스템을 포함하고, 상기 가드층 시스템은 처리될 가스 공급물을 공급하는 공급 라인 및 상기 처리된 가스 공급물을 제거하도록 구성된 배출 라인 및 순차적인 순서로 직렬로 배열된 2 이상의 가드층 베셀을 포함하며, 각각의 가드층 베셀은 주입구, 가드층 물질의 층 및 배출구를 포함하되, 각각의 가드층 베셀의 주입구는 공급 라인과 순차적 순서로 그 앞에 있는 가드층 베셀의 배출구 둘 다에 밸브들에 의해 부착되고, 각각의 가드층 베셀의 배출구는 배출 라인과 순차적 순서로 그 다음의 가드층 베셀의 주입구 둘 다에 밸브들에 의해 부착되며, 순차적 순서로 마지막 가드층 베셀 다음의 가드층 베셀은 순차적 순서로 제1 가드층 베셀이다.
Description
본 발명은 가드층 시스템(guard bed system) 및 산화에틸렌 반응기의 상류의 사용을 위해 상기 시스템을 작동시키는 공정에 관한 것이다.
모노에틸렌 글리콜은 폴리에스터 섬유, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 플라스틱 및 수지의 원재료로서 사용된다. 이는 또한 자동차 부동액 액체 내로 혼입된다.
모노에틸렌 글리콜은 전형적으로 산화에틸렌으로부터 제조되는데, 이는 결국 에틸렌으로부터 제조된다. 에틸렌 및 산소는 전형적으로 10 내지 30bar의 압력 및 200 내지 300℃의 온도에서 산화은 촉매를 거쳐서 통과하여, 산화에틸렌, 이산화탄소, 에틸렌, 산소 및 물을 포함하는 생성물 스트림을 생성한다. 생성물 스트림 내 산화에틸렌의 양은 보통 약 0.5 내지 10중량%이다. 생성물 스트림은 산화에틸렌 흡수체에 공급되며, 산화에틸렌은 물을 함유하는 재순환 용매 스트림에 의해 흡수된다. 산화에틸렌-고갈 스트림은 이산화탄소 흡수 칼럼에 부분적으로 또는 전체적으로 공급되되, 이산화탄소는 재순환 흡수 스트림에 의해 적어도 부분적으로 흡수된다. 재순환 흡수 스트림에 의해 흡수되지 않는 기체는 이산화탄소 흡수 칼럼을 우회하는 임의의 기체와 다시 합쳐지고, 산화에틸렌 반응기로 재순환된다.
흡수체를 이탈하는 용매 스트림은 지방 흡수제로서 지칭된다. 지방 흡수제는 산화에틸렌 스트리퍼에 공급되되, 산화에틸렌은 지방 흡수제로부터 증기 스트림으로서 제거된다. 산화에틸렌-고갈 용매 스트림은 린 흡수제(lean absorbent)로서 지칭되며, 산화에틸렌 흡수체로 재순환되어 추가 산화에틸렌을 흡수한다.
산화에틸렌 스트리퍼로부터 얻은 산화에틸렌은 저장을 위해 정제될 수 있거나 또는 추가로 반응되어 에틸렌 글리콜을 제공할 수 있다. 하나의 잘 공지된 공정에서, 산화에틸렌은 비촉매 공정에서 매우 과량의 물과 반응된다. 이 반응은 전형적으로 거의 90중량%의 모노에틸렌 글리콜로 이루어진 글리콜 생성물 스트림을 생성하며, 나머지는 대부분 다이에틸렌 글리콜이고, 일부는 트라이에틸렌 글리콜 및 소량의 더 고급의 동족체이다. 다른 잘 공지된 공정에서, 산화에틸렌은 촉매의 존재 하에 이산화탄소와 반응되어 탄산에틸렌을 생성한다. 탄산에틸렌은 후속적으로 가수분해되어 에틸렌 글리콜을 제공한다. 탄산에틸렌을 통한 반응은 산화에틸렌의 모노에틸렌 글리콜로의 전환의 선택성을 상당히 개선시킨다.
필요한 장비를 감소시키고, 에너지 소모를 감소시켜 에틸렌으로부터 글리콜을 얻기 위한 공정을 단순화시키기 위한 노력이 있었다. GB 2107712는 모노에틸렌 글리콜을 제조하기 위한 공정을 기재하되, 산화에틸렌 반응기로부터의 가스는 반응기에 직접적으로 공급되고, 산화에틸렌은 탄산에틸렌으로 또는 에틸렌 글리콜과 탄산에틸렌의 혼합물로 전환된다.
유럽 특허 제0776890호는 산화에틸렌 반응기로부터의 가스가 흡수체에 공급되는 공정을 기재하되, 흡수 용액은 주로 탄산에틸렌 및 에틸렌 글리콜을 함유한다. 흡수 용액 중의 산화에틸렌은 카복실화 반응기에 공급되고, 카복실화 촉매의 존재 하에 이산화탄소와 반응하도록 허용된다. 흡수 용액 중의 탄산에틸렌은 후속적으로 물의 첨가와 함께 가수분해 반응기로 공급되고, 가수분해 촉매의 존재 하에 가수분해된다.
유럽 특허 제2178815호는 모노에틸렌 글리콜을 제조하기 위한 반응성 흡수 공정을 기재하되, 산화에틸렌 반응기로부터의 가스는 흡수체에 공급되고, 산화에틸렌은 카복실화 및 가수분해를 촉진시키는 1종 이상의 촉매의 존재 하에 적어도 20중량% 물을 포함하는 린 흡수제와 접촉되며, 대다수의 산화에틸렌은 흡수체 중에서 탄산에틸렌 또는 에틸렌 글리콜로 전환된다.
각각의 이들 경우에, 재순환 흡수제 스트림에 의해 흡수되지 않는 가스를 함유하는 가스 스트림은 EO 흡수체 또는 반응성 흡수체로부터 생성될 것이다. 이 가스 스트림은 이산화탄소 흡수 칼럼에서 처리되고, 이어서, 이산화탄소 흡수 칼럼을 우회하는 임의의 가스와 다시 합쳐진다. 이어서, 합쳐진 가스는 산화에틸렌 반응기로 재순환된다.
카복실화 및 가수분해를 촉진시키는 1종 이상의 촉매가 흡수체 중에 존재할 때, 이들 촉매로부터의 분해 물질 및 부산물은 지방 흡수제 스트림 및/또는 가스 스트림 중에 존재할 수 있다.
산화에틸렌 반응기에서 일반적으로 사용되는 은 기반 산화에틸렌(EO) 촉매는 촉매독, 특히 특정 할로겐-함유 물질, 예컨대 일부-요오드화물-함유 불순물 및 일부 브롬화물-함유 불순물에 민감하다. 따라서, 재순환된 가스 스트림 중에 존재하는 임의의 이러한 촉매독은 그것이 EO 촉매와 접촉되기 전에 스트림으로부터 제거될 필요가 있다. 에폭시화 반응기 상류의 정제 구역 또는 가드층의 사용은 유럽 특허 제2285795호, 유럽 특허 제2279182호 및 유럽 특허 제2155375호에 개시되어 있다.
본 발명자들은 특정 촉매독에 대한 EO 촉매의 민감성이 이전에 예상한 것보다 더 높을 수 있고, 단순한 가드층 시스템이 신뢰 가능하고 경제적인 방식으로 EO 촉매를 보호하기에 적합하지 않다는 것을 발견하였다. 효과적이고 경제적인 용액을 전달하기 위해 최적화된 설계가 필요하다. 따라서, 본 발명자들은 개선된 가드층 시스템, 및 알켄으로부터의 알킬렌 글리콜의 제조에서 EO 촉매독의 제거를 위한 공정을 제공하는 것을 추구하였다.
따라서, 본 발명은 탄산에틸렌 및/또는 에틸렌 글리콜의 생성을 위한 반응 시스템을 제공하며, 상기 반응은 촉매적 EO 반응기의 상류에 위치된 가드층 시스템을 포함하고, 상기 가드층 시스템은 처리될 가스 공급물을 공급하는 공급 라인 및 상기 처리된 가스 공급물을 제거하도록 구성된 배출 라인 및 순차적인 순서로 직렬로 배열된 2 이상의 가드층 베셀(vessel)을 포함하며, 각각의 가드층 베셀은 주입구, 가드층 물질의 층 및 배출구를 포함하되, 각각의 가드층 베셀의 주입구는 공급 라인과 순차적 순서로 그 앞에 있는 가드층 베셀의 배출구 둘 다에 밸브들에 의해 부착되고, 각각의 가드층 베셀의 배출구는 배출 라인과 순차적 순서로 그 다음의 가드층 베셀의 주입구 둘 다에 밸브들에 의해 부착되며, 순차적 순서로 마지막 가드층 베셀 다음의 가드층 베셀은 순차적 순서로 제1 가드층 베셀이다.
본 발명은 또한 본 명세서에 개시된 바와 같은 탄산에틸렌 및/또는 에틸렌 글리콜의 생성을 위한 반응 시스템에서 가드층 시스템을 작동시키기 위한 공정을 제공하며, 상기 공정은 하기 단계들을 포함한다:
(i) 공급 라인을 통해 가스 공급물을 공급하는 단계;
(ii) 직렬로 배열된 2 이상의 가드층 베셀을 통해 상기 가스 공급물을 공급하는 단계로서, 각각의 가드층 베셀은 상기 가스 공급물로부터 불순물을 제거할 수 있는 가드층 물질의 층을 포함하는, 상기 가스 공급물을 공급하는 단계;
(iii) 각각의 2 이상의 가드층 베셀에서 가스 공급물을 가드층 물질과 접촉시킴으로써 가스 공급물로부터 불순물을 제거하는 단계;
(iv) 처리된 가스 공급물을 직렬의 최종 가드층 베셀로부터 제거하는 단계;
(v) 일정 시간 후에, 가스 공급물의 유동으로부터 제1 가드층 베셀을 제거하고, 제2 및 임의의 후속적 가드층 베셀을 통해 가스 공급물이 계속해서 유동하도록 허용하는 단계;
(vi) 제1 가드층 베셀 내에 존재하는 가드층 물질을 새로 채우는 단계; 및
(vii) 제1 가드층 베셀이 가스 공급물과 접촉될 직렬의 마지막 가드층 베셀이 되도록 제1 가드층 베셀을 통해 가스 공급물의 유동을 복구시키는 단계.
도 1 내지 도 3은 예시적이지만, 본 발명의 비제한적 실시형태를 나타내는 개략적 다이어그램을 도시한 도면.
본 발명은 가드층 시스템 및 산화에틸렌 반응기의 상류의 사용을 위해 상기 시스템을 작동시키는 공정을 제공한다.
산화 에틸렌 반응기에서, 에틸렌은 산화 에틸렌을 형성하기 위한 촉매의 존재 하에 산소와 반응된다. 이러한 반응에서, 산소는 산소로서 또는 공기로서 공급될 수 있지만, 바람직하게는 산소로서 공급된다. 밸러스트 가스, 예를 들어 메탄 또는 질소는 전형적으로 가연성 혼합물을 야기하는 일 없이 높은 산소 수준에서의 작업을 허용하도록 공급된다. 산화 에틸렌 촉매 성능 제어를 위해 감속재, 예를 들어, 모노클로로에탄, 염화비닐 또는 다이클로로에탄이 공급될 수 있다. 알켄, 산소, 밸러스트 가스 및 감속재는 바람직하게는 산화 에틸렌 흡수체로부터 (바람직하게는 이산화탄소 흡수 칼럼을 통해) 산화 에틸렌 반응기로 공급된 가스를 재순환시키기 위해 공급된다.
산화 에틸렌 반응기는 전형적으로 다관, 고정층 반응기이다. 촉매는 바람직하게는 미세하게 분산된 은 및 선택적으로는 지지체 물질, 예를 들어, 알루미나 상의 촉진제 금속이다. 반응은 바람직하게는 1㎫ 초과 내지 3㎫ 미만의 압력 및 200℃ 초과 내지 300℃ 미만의 온도에서 수행된다. 산화 에틸렌 반응기로부터의 가스 조성물은 바람직하게는 하나 이상의 온도 수준에서 증기의 생성과 함께, 하나 이상의 냉각기에서 바람직하게 냉각된다.
이어서, 가스 조성물은 직접적으로 린 흡수제와 접촉되는 산화 에틸렌 흡수체를 통과한다. 린 흡수제는 적어도 20중량% 물을 포함한다. 바람직하게는, 린 흡수제는 또한 탄산에틸렌 및/또는 에틸렌 글리콜을 포함한다. 가스 조성물 중의 산화 에틸렌의 적어도 일부, 및 바람직하게는 실질적으로 모두는 린 흡수제 내로 흡수된다. 바람직하게는, 가스 조성물은 카복실화 및 가수분해를 촉진시키는 1종 이상의 촉매의 존재 하에 린 흡수제와 직접적으로 접촉된다. 적합하게, 흡수체는 유럽 특허 제2178815호에서 또는 공동 계류 중인 출원 유럽 특허 제14186273.0호에 기재된 반응성 흡수체의 부류일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 카복실화 및 가수분해를 촉진시키는 1종 이상의 촉매는 균일하며, 린 흡수제는 1종 이상의 촉매를 함유한다.
카복실화를 촉진시키는 것으로 알려진 균일 촉매는 알칼리 금속 할로겐화물, 예컨대 요오드화칼륨 및 브롬화 칼륨, 및 할로겐화된 유기 포스포늄 또는 암모늄 염, 예컨대 트라이뷰틸메틸포스포늄 아이오다이드, 테트라뷰틸포스포늄 아이오다이드, 트라이페닐메틸포스포늄 아이오다이드, 트라이페닐-프로필포스포늄 브로마이드, 트라이페닐벤질포스포늄 클로라이드, 테트라에틸암모늄 브로마이드, 테트라메틸암모늄 브로마이드, 벤질트라이에틸암모늄 브로마이드, 테트라뷰틸암모늄 브로마이드 및 트라이뷰틸메틸암모늄 아이오다이드를 포함한다. 카복실화를 촉진시키는 것으로 알려진 바람직한 균일 촉매는 요오드화알칼리 금속, 예컨대 요오트화칼륨 및 할로겐화된 유기 포스포늄 또는 암모늄 염, 예컨대 트라이뷰틸메틸포스포늄 아이오다이드, 테트라뷰틸포스포늄 아이오다이드, 트라이페닐메틸포스포늄 아이오다이드 및 트라이뷰틸메틸암모늄 아이오다이드를 포함한다.
가수분해를 촉진시키는 것으로 알려진 균일 촉매는 염기성 알칼리금속염, 예컨대 탄산칼륨, 수산화칼륨 및 중탄산칼륨 또는 알칼리 금속 메탈레이트, 예컨대 몰리브덴산칼륨을 포함한다.
바람직한 균일 촉매계는 요오드화칼륨과 탄산칼륨의 조합물 및 요오드화칼륨과 몰리브덴산칼륨의 조합물을 포함한다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 카복실화 및 가수분해를 촉진시키는 1종 이상의 촉매는 불균질하며, 불균일 촉매(들)는 수직으로 적층된 트레이에 수용된다. 카복실화를 촉진시키는 불균일 촉매는 실리카 상에 고정된 4차 암모늄 및 4차 포스포늄 할로겐화물, 불용성 폴리스타이렌 비드에 결합된 4차 암모늄 및 4차 포스포늄 할로겐화물, 및 4차 암모늄 또는 4차 포스포늄기를 함유하는 고체 지지체, 예컨대 4차 암모늄 또는 4차 포스포늄기를 함유하는 이온 교환 수지 상에 고정된 금속(예를 들어, 아연) 할로겐화물, 바람직하게는 요오드화물을 포함한다. 가수분해를 촉진시키는 불균일 촉매는 고체 지지체 상에 고정된 메탈레이트, 예를 들어 4차 암모늄 또는 4차 포스포늄기를 함유하는 이온 교환 수지 상에 고정된 몰리브데이트, 바나데이트 또는 텅스테이트, 또는 염기성 음이온, 예컨대 고체 지지체 상에 고정된 중탄산염 이온, 예를 들어 4차 암모늄 또는 4차 포스포늄기를 함유하는 이온 교환 수지 상에 고정된 중탄산염을 포함한다.
'지방 흡수제' 스트림은 산화알킬렌 흡수체로부터, 바람직하게는 산화알킬렌 흡수체 하부로부터, 즉, 수직으로 적층된 트레이 또는 패킹 아래에서 액체를 회수함으로써 회수된다. 지방 흡수제 스트림은 만약에 존재한다면 조건(셋업 및 흡수체 중의 촉매)에 따라서 알킬렌 카보네이트 및/또는 알킬렌 글리콜 및 임의의 남아있는 EO를 함유할 것이다.
임의의 촉매 분해 산물 또는 부산물을 포함하는 산화알킬렌 흡수체에서 흡수되지 않는 임의의 가스는 흡수체의 상부로부터 제거되고, 궁극적으로 에폭시화 반응기로 재순환된다. 바람직하게는, 에폭시화 반응기로 재순환될 가스의 적어도 일부는 이산화탄소 흡수 칼럼에 공급될 것이되, 이렇게 처리된 가스가 에폭시화 반응기로 공급되기 전에 이산화탄소는 적어도 부분적으로 흡수된다.
바람직하게는, 물 함량을 감소시키기 위해 가스는 에폭시화 반응기로 재순환되기 전에 냉각된다. 이는 에폭시화 반응기 내 에폭시화 촉매의 성능이 과량의 물에 의해 유해하게 영향받을 수도 있기 때문에 바람직하다. 가드층 베셀 내 가드층 물질의 성능은 또한 과량의 물에 의해 유해하게 영향받을 수 있다. 따라서, 가스는 가드층 시스템에 공급되기 전에 냉각되는 것이 바람직하다. 재순환 가스 스트림으로부터 제거된 물은 선택적으로 산화알킬렌 흡수체로 재순환될 수 있다.
카복실화 및 가수분해를 촉진시키는 1종 이상의 촉매가 흡수체 중에 존재하고, 상기 촉매가 1종 이상의 요오드화물 또는 브롬화물을 포함할 때, 재순환 가스 스트림에 의해 산화알킬렌 흡수체를 나가는 기체 요오드화물-함유 불순물 또는 브롬화물-함유 불순물이 형성된다는 것을 발견하였다. 이들 불순물, 특히 유기 요오드화물-함유 불순물은 에폭시화 반응기에서, 적은 양으로 조차 에폭시화 촉매를 오염시킨다.
요오드화물-함유 불순물 및/또는 브롬화물-함유 불순물의 양을 감소시킬 수 있는 가드층 시스템에서 재순환 가스를 처리하는 것은 재순환 가스 중의 이러한 불순물의 양을 감소시킬 수 있고, 따라서 에폭시화 촉매의 성능, 특히 선택성, 활성, 지속 시간을 보호하고, 에폭시화 촉매는, 촉매가 새로운 에폭시화 촉매로 교환되기 전에, 에폭시화 반응기에 남아있다.
본 발명자들은 에폭시화 촉매의 성능에 대해 그들의 존재에 의해 영향받지 않은 채로 남아있도록 재순환 가스에서, 특히 유기 요오드화물-함유 불순물, 및 더 특별하게는 요오드화비닐 및 요오드화알킬, 예컨대 에틸 및 메틸 요오드화물이 매우 저수준으로 감소될 필요가 있다는 것을 발견하였다. 바람직하게는, 재순환 가스 중의 요오드화메틸, 요오드화에틸 및 요오드화비닐의 양은 각각 5ppbw 이하, 더 바람직하게는 3ppbw 이하, 훨씬 더 바람직하게는 2ppbw 이하, 가장 바람직하게는 1ppbw 이하로 감소될 필요가 있다.
따라서 본 발명은 촉매적 EO 반응기의 상류에 위치된 가드층 시스템을 제공하며, 상기 가드층 시스템은 처리될 가스 공급물을 공급하는 공급 라인 및 상기 처리된 가스 공급물을 제거하도록 구성된 배출 라인 및 순차적인 순서로 직렬로 배열된 2개 이상의 가드층 베셀을 포함하며, 각각의 가드층 베셀은 주입구, 가드층 물질의 층 및 배출구를 포함하되, 각각의 가드층 베셀의 주입구는 공급 라인과 순차적 순서로 그 앞에 있는 가드층 베셀의 배출구 둘 다에 밸브들에 의해 부착되고, 각각의 가드층 베셀의 배출구는 배출 라인과 순차적 순서로 그 다음의 가드층 베셀의 주입구 둘 다에 밸브들에 의해 부착되며, 순차적 순서로 마지막 가드층 베셀 다음의 가드층 베셀은 순차적 순서로 제1 가드층 베셀이다.
바람직하게는, 처리될 가스 공급물은 EO 흡수체로부터의 재순환 가스이다. 더 바람직하게는, 처리될 가스 공급물은 이산화탄소 흡수 칼럼에서 아직 처리되지 않은 EO 흡수체로부터의 재순환 가스이다. 공정에서 이 단계에서의 가드층 시스템의 위치 결정은 가드층 시스템에 의해 제거되는 불순물에 의해 야기될 수 있는 임의의 잠재적 효과로부터 CO2 흡수체를 보호하는 부가된 이점을 가질 수 있다.
공급 라인은, 선택적으로, 가드층 시스템에 대해 최적이 되도록 가스 공급물의 온도를 변경시키기 위해, 1개 이상의 가열 또는 냉각 장치, 예컨대 열 교환기를 수용한다.
가드층 시스템은 순차적 순서로 배열된 2개 이상의 가드층 베셀을 포함한다. 본 발명의 일 실시형태에서, 가드층 시스템은 순차적 순서로 배열된 2개 초과, 예를 들어 3 또는 4개의 가드층 베셀을 포함하는 것이 바람직하다.
본 명세서에서 순차적 순서는 제1 가드층 베셀은 직렬로 제2 가드층 베셀이 이어지고; 제2 가드층 베셀은 존재한다면 제3 가드층 베셀이 이어지며; 그리고 제3 가드층 베셀은 존재한다면 제4 가드층 베셀 등이 이어진다는 것을 의미한다. 제1 가드층 베셀은 마지막 가드층 베셀 후에 순차적 순서로 생기도록 고려된다.
각각의 가드층 베셀은 가드층 물질의 층을 포함한다. 적합한 가드층 물질은 EO 촉매에 유해한 물질, 특히 유기 요오드화물-함유 불순물을 흡수할 수 있는 임의의 물질로부터 선택된다. 바람직한 물질은 유럽 특허 제2285795호 및 유럽 특허 제2155375호에 기재된 것을 포함한다. 단일 가드층 시스템 내의 모든 가드층 베셀은 동일한 가드층 물질을 함유하는 것이 바람직하다.
각각의 가드층 베셀은 공급 라인과 순차적 순서로 그 앞에 있는 가드층 베셀의 배출구 둘 다에 밸브들에 의해 부착되는 주입구를 포함한다. 임의의 시간에, 밸브는 공급 라인으로부터 또는 순차적 순서로 그 앞에 있는 가드층 베셀로부터의 공급을 허용할 것이다.
각각의 가드층 베셀은 배출 라인과 순차적 순서로 그 앞에 있는 가드층 베셀의 주입구 둘 다에 밸브들에 의해 부착되는 배출구를 포함한다. 임의의 시간에, 밸브는 배출 라인에 대해 또는 순차적 순서로 그 다음에 있는 가드층 베셀에 대한 공급을 허용할 것이다.
각각의 가드층 시스템에서 사용되는 밸브는 당업자에게 공지된 적합한 유형의 밸브일 수 있다. 이러한 밸브는 단일 밸브, 이중 밸브 및 차단 및 블리드 셋업에서의 이중 밸브를 포함하지만, 이들로 제한되지 않는다.
가드층 시스템은 처리된 가스를 시스템으로부터 제거하도록 구성된 배출 라인을 포함하고, 그것을 EO 반응기에 직접적으로 또는 간접적으로 공급한다. 배출 라인은 선택적으로 EO 반응기에 대해 최적이 되는 가스 공급물의 온도 또는 EO 반응기에 제공되기 전에 가스 공급물의 임의의 추가 처리를 변경시키기 위해 하나 이상의 가열 또는 냉각 장치, 예컨대 열 교환기를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에서, 본 발명의 가드층 시스템은 추가 가드층 장치 앞에 있을 수도 있고 또는 다음에 있을 수도 있다. 이러한 가드층 장치는 당업계에 공지된 표준 셋업, 예컨대 단순한, 단일층, 가드층 베셀 또는 둘 사이에서 공급물이 교환되도록 하기 위해 병렬로 배열된 2개의 이러한 가드층을 가질 수 있다. 본 실시형태에서, 추가 가드층 장치는 본 발명의 가드층 시스템과 동일 또는 상이한 가드층 물질을 함유할 수 있다. 그러나 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 본 발명에 따른 2 이상의 가드층 시스템은 EO 반응기 상류에 직렬로 배열될 수 있다. 본 실시형태에서, 제1 가드층 시스템의 배출 라인은 제2 가드층 시스템의 공급 라인을 공급한다. 하나 이상의 가열 또는 냉각 장치, 예컨대 열 교환기는 최적의 온도로 공급물을 제공하거나 또는 배출물을 냉각시키기 위해 공급 라인 및/또는 제1 가드층 시스템의 배출 라인에서 그리고/또는 공급 라인 에서 그리고/또는 제2 가드층 시스템의 배출 라인에서 제공될 수 있다. 또한, 본 실시형태에서, 각각의 가드층 시스템 내에 수용된 가드층 물질은 동일 또는 상이할 수 있다. 바람직하게는, 이는 상이하다. 각각의 가드층 시스템 내에 수용된 가드층의 수는 또한 동일 또는 상이할 수 있다. 추가로, 가스가 각각의 가드층 시스템에서 처리되는 조건은 또한 거기에 함유된 가드층 물질 또는 제거되어야 하는 불순물에 따라서 동일 또는 상이할 수 있다.
적합하게, 본 발명의 가드층 시스템(들)으로부터의 처리된 가스 공급물은, 상기 공급물의 적어도 일부가 공급되고 이산화탄소 흡수 칼럼에서 처리된 후에 EO 반응기에 공급된다.
본 발명은 또한 촉매적 EO 반응기의 상류에 위치된 가드층 시스템을 작동시키기 위한 공정을 제공하며, 상기 공정은 하기 단계들을 포함한다:
(i) 공급 라인을 통해 가스 공급물을 공급하는 단계;
(ii) 직렬로 배열된 2 이상의 가드층 베셀을 통해 상기 가스 공급물을 공급하는 단계로서, 각각의 가드층 베셀은 상기 가스 공급물로부터 불순물을 제거할 수 있는 가드층 물질의 층을 포함하는, 상기 가스 공급물을 공급하는 단계;
(iii) 각각의 2 이상의 가드층 베셀에서 가스 공급물을 가드층 물질과 접촉시킴으로써 가스 공급물로부터 불순물을 제거하는 단계;
(iv) 처리된 가스 공급물을 직렬의 최종 가드층 베셀로부터 제거하는 단계;
(v) 일정 시간 후에, 가스 공급물의 유동으로부터 제1 가드층 베셀을 제거하고, 제2 및 임의의 후속적 가드층 베셀을 통해 가스 공급물이 계속해서 유동하도록 허용하는 단계;
(vi) 제1 가드층 베셀 내에 존재하는 가드층 물질을 새로 채우는 단계; 및
(vii) 제1 가드층 베셀이 가스 공급물과 접촉될 직렬의 마지막 가드층 베셀이 되도록 제1 가드층 베셀을 통해 가스 공급물의 유동을 복구시키는 단계.
상기 나타낸 바와 같이, 처리될 가스 공급물은 EO 흡수체로부터의 재순환 가스이다. 바람직하게는, EO 흡수체로부터의 상기 재순환 가스는 이산화탄소 흡수 칼럼에서 아직 처리되지 않았다. 바람직하게는, 에폭시화 반응기로 재순환될 가스의 적어도 일부는 이산화탄소 흡수 칼럼에 공급될 것이되, 이렇게 처리된 가스가 에폭시화 반응기로 공급되기 전에 그리고 가스 공급물이 가드층 시스템(들)에서 처리된 후에, 이산화탄소는 적어도 부분적으로 흡수된다.
가스 공급물의 실제량은 산화 에틸렌, 탄산에틸렌 또는 에틸렌 글리콜 공정의 휴식 시 사용되는 조건에 따라 다를 것이다.
각각의 가드층 시스템 내에서, 가스 공급물은 직렬의 2 이상의 각각의 가드층 베셀을 통과하고, 각각의 가드층 베셀 내 가드층 물질과 접촉됨으로써 불순물이 제거된다. 가스 공급물의 불순물 함량에 따라서, 제1 가드층 베셀 및, 가능하게는 제2 가드층 베셀 및 임의의 이후의 가드층 베셀에서 불순물이 제거될 것이다. 처리된 가스 공급물은 직렬의 최종 가드층 베셀로부터 제거될 것이다. 상기 처리된 가스 공급물은 감소된 수준의 불순물을 가질 것이다.
일 바람직한 실시형태에서, 가드층 물질은 알루미나-계 물질 상의 은이다. 본 실시형태에서, 가드층 시스템 내 가드층 베셀은 적어도 100℃, 더 바람직하게는 적어도 115℃, 가장 바람직하게는 적어도 120℃의 온도에서 바람직하게 작동된다. 본 실시형태에서, 가드층은 145℃ 이하, 더 바람직하게는 140℃ 이하, 가장 바람직하게는 135℃ 이하의 온도에서 바람직하게 작동된다.
다른 바람직한 실시형태에서, 가드층 물질은, 바람직하게는 실리카 상에서 지지된 팔라듐/금 기반 물질이다. 본 실시형태에서, 가드층 시스템 내 가드층 베셀은 적어도 65℃, 더 바람직하게는 적어도 70℃, 가장 바람직하게는 적어도 83℃의 온도에서 바람직하게 작동된다. 본 실시형태에서, 가드층 베셀은 95℃ 이하, 더 바람직하게는 90℃ 이하, 가장 바람직하게는 87℃ 이하의 온도에서 바람직하게 작동된다.
가드층 물질의 각 층은 임의의 적합한 시스템 내 가드층 베셀 내에 함유될 수 있다. 바람직한 시스템은 축 고정층을 포함하되, 처리될 가스는 축류로서 가드층 물질의 층, 및 방사상 고정층과 접촉되고, 처리될 가스는 주입구로부터 고정층 밖으로 공급되고, 고정층을 통해 중심으로, 그 다음에 배출구로 통과한다. 방사상 고정층이 바람직하다. 이러한 층은 일반적으로 더 낮은 압력 강하를 가질 것이다.
임의의 실시형태에서, 각각의 가드층 시스템 내 압력은 전체 시스템 내 가스 루프의 압력에 의해 결정될 것이다. 바람직한 작업 압력은 1 내지 4㎫(게이지)의 범위이다. 더 바람직한 작업 압력은 2 내지 3MPa(게이지)의 범위이다.
상기 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 가드층 시스템은 추가적인 가드층 장치의 앞에 있을 수도 있고 또는 다음에 있을 수도 있다. 이러한 가드층 장치는 당업계에 공지된 표준 셋업, 예컨대 단순한, 단일층, 가드층 베셀 또는 둘 사이에서 공급물이 교환되도록 하기 위해 병렬로 배열된 2개의 이러한 가드층을 가질 수 있다. 그러나, 바람직하게는, 본 발명에 따른 2 이상의 가드층 시스템은 직렬로 작동될 수 있다. 본 실시형태에서, 각각의 가드층 시스템은 본 발명의 공정에 따라 작동될 것이다. 각각의 가드층 시스템은 바람직하게는 상이한 물질을 함유할 것이고, 바람직하게는 해당 가드층 물질에 적합한 온도 및 압력에서 작동될 것이다. 따라서 가스 공급물은 각각의 가드층 시스템에 공급되기 전에 가열되거나 또는 냉각될 수 있다.
본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 2 이상의 가드층 시스템은 직렬로 작동된다. 본 실시형태에서, 각각의 가드층 시스템은 바람직하게는 그의 가드층 베셀에서 상이한 가드층 물질을 함유할 것이다. 더 바람직하게는, 2개 이상, 바람직하게는 2개 초과의 가드층 베셀을 포함하는 직렬의 제1 가드층 시스템은 가드층 물질로서 알루미나계 물질 상의 은을 함유할 것이다. 또한 더 바람직하게는, 2 이상, 바람직하게는 2개의 가드층 베셀을 포함하는 직렬의 제2 가드층 시스템은 바람직하게는 가드층 물질로서 실리카 상에 지지된 팔라듐/금 기반 물질을 함유할 것이다. 이러한 시스템에 대한 적합한 작동 조건은 상기 나타낸다.
일정 시간 후에, 가드층 시스템 내의 제1 가드층 베셀은 가스 공급물의 유동으로부터 제거된다. 적절한 시간 기간을 결정하기 위해, 가스 공급물이 각각의 가드층 베셀을 이탈하고 유입함에 따라 가스 공급물 내 불순물 수준을 모니터링하는 것이 필요할 것이다. 일단 직렬의 제1 가드층 베셀을 이탈하는 가스 공급물 내 불순물의 양이 특정 수준, 예를 들어 제1 가드층 베셀 내 가드층 물질이 적어도 60%, 바람직하게는 적어도 70%, 더 바람직하게는 적어도 80%, 가장 바람직하게는 적어도 90% 고갈된다는 것을 나타내는 수준에 도달하면, 가드층 베셀은 밸브의 작동에 의해 가스 공급물의 유동으로부터 제거된다. 가스 공급물의 유동은 제2 가드층 베셀 및 임의의 후속적 가드층 베셀을 통해 계속된다.
이어서, 제1 가드층 베셀 내 가드층 물질은 새로 채워진다. 이는 가드층 물질의 적어도 일부를 제거함으로써 그리고 그것을 새로운 또는 재활성화된 가드층 물질로 대체함으로써 수행될 수 있다.
일단 제1 가드층 베셀 내 가드층 물질이 새로 채워지면, 상기 가드층 베셀을 통한 가스 공급물의 유동은 밸브의 작동에 의해 복구된다. 그러나, 제1 가드층 베셀이 이제 가스 공급물과 접촉될 직렬의 마지막 가드층 베셀이 되도록 복구된다.
추가 시간 기간 후에, 가스 유동에서 불순물 수준을 모니터링함으로써 다시 결정하고, 동일한 단계가 직렬의 제2 가드층 베셀에 적용된다(이 단계에서 가스 공급물과 처음으로 접촉됨). 가드층 베셀은 유동으로부터 제거되고, 가스 공급물의 유동이 제2 가드층 베셀이 이제 가스 공급물과 접촉될 직렬의 마지막 가드층이 되도록, 가드층 베셀에 함유된 가드층 물질은 가스 공급물의 유동 전에 다시 채워진다.
이 공정은 각각의 가드층 베셀에 의해 반복되어 결국 연속적 작동 및 고수준의 불순물 제거를 보장할 수 있다.
본 발명의 특정 이점은 재순환 가스 중에 존재하는 매우 고비율의 촉매독 불순물이 제거되도록 가드층 시스템이 작동되게 허용한다는 것이다. 동시에, 가드층 시스템은 신뢰 가능하고, 효율적이며, 경제적인 방식으로 사용된다. 대다수의 임의의 불순물은 직렬의 제1 가드층 베셀에서 제거된다. 그러나, 제1 가드층 베셀을 통과하는 임의의 불순물은 제2 및 임의의 후속적 가드층 베셀에서 제거될 것이다. 이는 제1 가드층 베셀에 함유된 가드층 물질이 거의 전체적으로 고갈될 때까지 제1 가드층 베셀이 현장에 남아있도록 허용한다. 이어서, 주로 새로운 가드층을 수용하는 제2 가드층 베셀은 불순물 제거의 주된 부담을 받는 반면, 제1 가드층 베셀 내 가드층 물질은 대체된다.
예를 들어, 병렬로 2개의 가드층 베셀을 수용하는 단순한 가드층 시스템에서, 제1 가드 베셀은 가스 유동으로부터 제거되어야 하며, 고수준의 불순물 제거가 유지된다는 것을 보장하기 위해 완전히 고갈되기 오래 전에 가드층 베셀 안에 함유된 가드층 물질은 대체된다. 예를 들어, 이러한 시스템에서 가드층 물질이 50%까지만 사용될 때, 가드층 베셀을 통과하는 요오드화물-함유 불순물의 양은 허용 가능하지 않은 수준으로 상승될 것이다. 이어서, 가드층 베셀은 현장 밖에서 취해질 것이고, 그 안의 가드층 물질은 대체될 것이다. 따라서, 값 비싼 가드층 물질이 낭비된다.
도면의 상세한 설명
본 발명은 이제 도면에 나타낸 비제한적 실시형태를 참고로 하여 상세하게 기재할 것이다.
도 1에서(편리함을 위해, EO 반응기는 도시하지 않음), 초기 가스 공급물(1)은 선택적으로 열 교환기(2)를 수용하는 공급 라인(3)으로 공급된다. 공급 라인(3)은 제1 가드층 베셀(6) 및 순차적 순서로 직렬로 배열된 제2 가드층 베셀(11)의 주입구(5 및 10)에 밸브(4 및 9)를 통해 연결된다. 제1 가드층 베셀(6)의 배출구(7)는 제2 가드층 베셀(11) 및 배출 라인(15)의 주입구(10) 둘 다에 밸브(8 및 16)를 통해 연결된다. 제2 가드층 베셀(11)의 배출구(12)는 배출 라인(15)과 제1 가드층 베셀(6)의 주입구(5) 둘 다에 밸브(13 및 14)를 통해 연결된다. 배출 라인(15)은 선택적으로 열 교환기(17)를 수용하여 최적의 온도에서 가스 공급물(18)을 제공한다.
사용 시, 처음에 가스 공급물(1)은 공급 라인(3)을 통해 제공된다. 밸브(4, 8 및 13)는 개방되고, 밸브(9, 14 및 16)는 닫힌다. 따라서, 가스 공급물은 제1 가드층 베셀(6)에 대한 주입구(5)를 통과하되, 이는 적합한 온도 및 압력에서 제1 가드층 베셀 내에 함유된 가드층 물질과 접촉하게 되고, 불순물은 제거된다. 후속적으로, 가스 공급물은 배출구(7)를 통과한다. 이어서, 가스 공급물은 주입구(10)를 통해 제2 가드층 베셀(11) 내로 진행되되, 이는 적합한 온도 및 압력에서 제2 가드층 베셀 내에 함유된 가드층 물질과 접촉하게 되고, 추가적인 불순물은 제거될 수 있다. 후속적으로, 가스는 배출구(12)로 통과한다. 이어서, 가스 공급물은 배출 라인(15)을 통과하여 선택적으로 열 교환기(17)를 통해, 처리된 가스 공급물(18)을 제공한다.
가드층 베셀의 배출구에서 불순물 수준에 의해 결정되는 일정 시간 후에, 밸브(4 및 8)는 폐쇄되고, 밸브(9)는 개방된다. 가스 공급물 스트림은 제2 가드층 베셀(11)만을 통과하며, 제1 가드층 베셀은 가스 공급물의 유동으로부터 제거된다. 제1 가드층 베셀(6) 내 가드층 물질은 새로 채워진다. 이어서, 밸브(13)는 폐쇄되고, 밸브(14 및 16)는 개방된다. 제1 가드층 베셀(6)을 통한 가스 공급물의 유동은 복구되지만, 상기 제1 가드층 베셀(6)은 이제 직렬의 마지막 가드층 베셀로서 작동한다.
4개의 가드층 베셀을 수용하는 시스템은 도 2에 나타낸다(편리함을 위해, EO 반응기는 도시하지 않음). 도 2에서, 초기 공급물(19)은 선택적으로 열 교환기(20)를 수용하는 공급 라인(21)으로 제공된다. 공급 라인(21)은 순차적 순서로 직렬로 배열된 제1 가드층 베셀(24), 제2 가드층 베셀(28), 제3 가드층 베셀(32) 및 제4 가드층 베셀(36)의 주입구(23, 27, 31 및 35)에 대해 밸브(22, 42, 43 및 44)를 통해 연결된다. 제1 가드층 베셀(24)의 배출구(25)는 제2 가드층 베셀(28) 및 배출 라인(39)의 주입구(27) 둘 다에 밸브(26 및 46)를 통해 연결된다. 제2 가드층 베셀(28)의 배출구(29)는 제3 가드층 베셀(32) 및 배출 라인(39)의 주입구(31) 둘 다에 밸브(30 및 47)를 통해 연결된다. 제3 가드층 베셀(32)의 배출구(33)는 제4 가드층 베셀(36) 및 배출 라인(39)의 주입구(35) 둘 다에 밸브(34 및 48)를 통해 연결된다. 제4 가드층 베셀(36)의 배출구(37)는 제1 가드층 베셀(24) 및 배출 라인(39)의 주입구(23) 둘 다에 밸브(38 및 45)를 통해 연결된다.
배출 라인(39)은 선택적으로 열 교환기(40)를 수용하여 최적의 온도에서 가스 공급물(41)을 제공한다.
사용 시, 처음에 가스 공급물(19)은 공급 라인(21)을 통해 제공된다. 밸브(22, 26, 30, 34 및 38)는 개방되고, 밸브(42, 43, 44, 45, 46, 47 및 48)는 닫힌다. 따라서, 가스 공급물은 제1 가드층 베셀(24)에 대한 주입구(23)를 통과하되, 이는 적합한 온도 및 압력에서 제1 가드층 베셀 내에 함유된 가드층 물질과 접촉하게 되고, 불순물은 제거된다. 후속적으로, 가스 공급물은 배출구(25)를 통과한다. 이어서, 가스 공급물은 주입구(27)를 통해 제2 가드층 베셀(28) 내로 진행되되, 이는 적합한 온도 및 압력에서 제2 가드층 베셀 내에 함유된 가드층 물질과 접촉하게 되고, 추가적인 불순물은 제거될 수 있다. 후속적으로, 가스는 배출구(29)로 통과한다. 이어서, 가스 공급물은 주입구(31)를 통해 제3 가드층 베셀(32) 내로 진행되되, 이는 적합한 온도 및 압력에서 제3 가드층 베셀 내에 함유된 가드층 물질과 접촉하게 되고, 추가적인 불순물은 제거될 수 있다. 후속적으로, 가스는 배출구(33)로 통과한다. 이어서, 가스 공급물은 주입구(35)를 통해 제4 가드층 베셀(36) 내로 진행되되, 이는 적합한 온도 및 압력에서 제4 가드층 베셀 내에 함유된 가드층 물질과 접촉하게 되고, 추가적인 불순물은 제거될 수 있다. 후속적으로, 가스는 배출구(37)로 통과한다. 이어서, 가스 공급물은 배출 라인(39)을 통과하여 선택적으로 열 교환기(40)를 통해, 처리된 가스 공급물(41)을 제공한다.
가드층 베셀의 배출구에서 불순물 수준에 의해 결정되는 일정 시간 후에, 밸브(22 및 26)는 폐쇄되고, 밸브(42)는 개방된다. 가스 공급물 스트림은 제2 가드층 베셀(28), 제3 가드층 베셀(32) 및 제4 가드층 베셀(36)만을 통과한다. 제1 가드층 베셀(24)은 가스 공급물의 유동으로부터 제거된다. 제1 가드층 베셀(24) 내 가드층 물질은 새로 채워진다. 이어서, 밸브(38)는 폐쇄되고, 밸브(45 및 46)는 개방된다. 제1 가드층 베셀(24)을 통한 가스 공급물의 유동은 복구되지만, 상기 제1 가드층 베셀(24)은 이제 직렬의 마지막 가드층 베셀로서 작동한다.
가드층 베셀의 배출구에서 불순물 수준에 의해 결정되는 추가적인 시간 기간 후에, 밸브(42 및 30)는 폐쇄되고, 밸브(43)는 개방된다. 가스 공급물 스트림은 제3 가드층 베셀(32), 제4 가드층(3) 베셀(6), 및 그 다음에 제1 가드층 베셀(24)만을 통과한다. 제2 가드층 베셀(28)은 가스 공급물의 유동으로부터 제거된다. 제2 가드층 베셀(28) 내 가드층 물질은 새로 채워진다. 이어서, 밸브(46)는 폐쇄되고, 밸브(26 및 47)는 개방된다. 제2 가드층 베셀(28)을 통한 가스 공급물의 유동은 복구되지만, 상기 제2 가드층 베셀(28)은 이제 직렬의 마지막 가드층 베셀로서 작동한다.
이어서, 상기 공정은 결국 제3 가드층 베셀 및 제4 가드층 베셀에 의해 반복될 수 있다.
도 3(편리함을 위해, EO 반응기는 도시하지 않음)은 2개의 가드층 시스템(하나는 4개의 가드층 베셀을 포함하고, 하나는 2개의 가드층 베셀을 포함함)이 직렬로 작동되는 실시형태를 나타낸다. 각각의 가드층 시스템은 서로 독립적으로 그리고 도 1 및 도 2에 대해 상기 기재한 공정에 의해 작동된다. 제1 가드층 시스템으로부터의 처리된 가스 공급물(41)은 제2 가드층 시스템의 공급 라인(3)으로 제공된다. 본 실시형태에서, 열 교환기(40)는 가드층 시스템에 대한 최적의 온도에서 가스 공급물을 제2 가드층 시스템으로 제공하기 위해 사용될 수 있다.
Claims (10)
- 탄산에틸렌 및/또는 에틸렌 글리콜의 생성을 위한 반응 시스템에서 가드층 시스템을 작동시키기 위한 방법으로서,
상기 반응 시스템은 촉매적 산화에틸렌(EO) 반응기, 상기 촉매적 EO 반응기의 상류에 위치된 가드층 시스템(guard bed system), 및 상기 촉매적 EO 반응기의 하류에 위치된 EO 흡수체를 포함하고,
여기서 상기 촉매적 EO 반응기로부터의 가스 조성물은 카복실화 및 가수분해를 촉진시키는 1종 이상의 촉매의 존재 하에 린(lean) 흡수제와 접촉되는 EO 흡수체를 통과하고,
EO 흡수체에 흡수되지 않는 가스는 EO 흡수체의 상부로부터 제거되어 EO 반응기로 재순환되고,
상기 EO 흡수체 내의 상기 카복실화 및 가수분해를 촉진시키는 1종 이상의 촉매는 1종 이상의 아이오다이드 또는 브로마이드를 포함하고, 재순환 가스 스트림과 함께 EO 흡수체를 빠져나가는 요오드화물-함유 불순물 또는 브롬화물-함유 불순물이 형성되고,
상기 가드층 시스템은 처리될 가스 공급물을 공급하는 공급 라인 및 상기 처리된 가스 공급물을 제거하도록 구성된 배출 라인 및 순차적인 순서로 직렬로 배열된 2 이상의 가드층 베셀(vessel)을 포함하며, 각각의 가드층 베셀은 주입구, 가드층 물질의 층 및 배출구를 포함하되, 각각의 가드층 베셀의 상기 주입구는 상기 공급 라인과 순차적 순서로 그 앞에 있는 상기 가드층 베셀의 상기 배출구 둘 다에 밸브들에 의해 부착되고, 각각의 가드층 베셀의 상기 배출구는 상기 배출 라인과 순차적 순서로 그 다음의 상기 가드층 베셀의 상기 주입구 둘 다에 밸브들에 의해 부착되며, 순차적 순서로 마지막 가드층 베셀 다음의 상기 가드층 베셀은 순차적 순서로 제1 가드층 베셀이고,
상기 방법은 하기 단계들 (i) 내지 (vii)을 포함하는 것인, 가드층 시스템을 작동시키기 위한 방법:
(i) 공급 라인을 통해 처리될 가스 공급물을 공급하는 단계, 여기서 상기 처리될 가스 공급물은 상기 EO 흡수체로부터의 재순환 가스임;
(ii) 직렬로 배열된 2 이상의 가드층 베셀을 통해 상기 가스 공급물을 공급하는 단계로서, 각각의 가드층 베셀은 상기 가스 공급물로부터 불순물을 제거할 수 있는 가드층 물질의 층을 포함하는, 상기 가스 공급물을 공급하는 단계;
(iii) 각각의 상기 2 이상의 가드층 베셀에서 상기 가스 공급물을 상기 가드층 물질과 접촉시킴으로써 상기 가스 공급물로부터 불순물을 제거하는 단계;
(iv) 처리된 가스 공급물을 직렬의 최종 가드층 베셀로부터 제거하는 단계;
(v) 일정 시간 후에, 가스 공급물의 유동으로부터 상기 제1 가드층 베셀을 제거하고, 제2 가드층 베셀 및 임의의 후속적 가드층 베셀을 통해 가스 공급물이 계속해서 유동하도록 허용하는 단계;
(vi) 상기 제1 가드층 베셀 내에 존재하는 상기 가드층 물질을 새로 채우는 단계; 및
(vii) 상기 제1 가드층 베셀이 상기 가스 공급물과 접촉될 직렬의 마지막 가드층 베셀이 되도록 상기 제1 가드층 베셀을 통해 상기 가스 공급물의 유동을 복구시키는 단계. - 제1항에 있어서, 상기 가드층 물질이 알루미나-계 물질 상의 은, 또는 실리카 상에 지지된 팔라듐/금 기반 물질인 것인, 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 가드층 물질이 알루미나-계 물질 상의 은이고, 가드층 베셀은 100℃ 이상 145℃ 이하의 온도에서 작동하는 것이거나;
상기 가드층 물질이 실리카 상에 지지된 팔라듐/금 기반 물질이고, 가드층 베셀은 65℃ 이상 95℃ 이하의 온도에서 작동하는 것인, 방법. - 제1항에 있어서, 상기 EO 흡수체에서 형성된 요오드화물-함유 불순물은 요오드화비닐, 요오드화알킬, 요오드화에틸 또는 요오드화메틸을 포함하는 것인, 방법.
- 제1항에 있어서, 가드층 물질의 각 층은 방사상 고정층인 것인, 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반응 시스템은 이산화탄소 흡수체를 추가로 포함하고, 상기 가드층 시스템은 또한 이산화탄소 흡수체의 상류에 있되, 상기 촉매적 EO 반응기의 상류인 것인, 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 방법에 의해 작동되는 2개 이상의 가드층 시스템은 직렬로 배열되고, 직렬의 상기 제1 가드층 시스템에서 상기 최종 가드층으로부터 제거된 처리된 가스 공급물 스트림은 공급 라인을 통해 상기 제2 가드층 시스템에 가스 공급물로서 공급되는 것인, 방법.
- 제7항에 있어서, 직렬로 배열된 상기 제1 가드층 시스템 내에 수용된 상기 가드층 물질은 알루미나 상의 은을 포함하는 것인, 방법.
- 제7항에 있어서, 직렬로 배열된 상기 제1 가드층 시스템은 2개 초과의 가드층 베셀을 포함하는 것인, 방법.
- 제7항에 있어서, 직렬로 배열된 상기 제2 가드층 시스템 내에 함유된 상기 가드층 물질은 실리카 상에 지지된 팔라듐 및 금을 포함하는 것인, 방법.
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