KR102597115B1 - 콘택트 프로브 - Google Patents

콘택트 프로브 Download PDF

Info

Publication number
KR102597115B1
KR102597115B1 KR1020180051167A KR20180051167A KR102597115B1 KR 102597115 B1 KR102597115 B1 KR 102597115B1 KR 1020180051167 A KR1020180051167 A KR 1020180051167A KR 20180051167 A KR20180051167 A KR 20180051167A KR 102597115 B1 KR102597115 B1 KR 102597115B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
contact probe
concentration
mass
heat resistance
Prior art date
Application number
KR1020180051167A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180129636A (ko
Inventor
마사미 야마모토
노리히로 오타
시게키 사카이
Original Assignee
니덱 어드밴스 테크놀로지 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니덱 어드밴스 테크놀로지 가부시키가이샤 filed Critical 니덱 어드밴스 테크놀로지 가부시키가이샤
Publication of KR20180129636A publication Critical patent/KR20180129636A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102597115B1 publication Critical patent/KR102597115B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06755—Material aspects
    • G01R1/06761—Material aspects related to layers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716—Elastic
    • G01R1/06722—Spring-loaded
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C25D5/14—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/627—Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716—Elastic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R35/00—Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/42—Coating with noble metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/20—Separation of the formed objects from the electrodes with no destruction of said electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Abstract

(과제) 고온 환경하에서 스프링부를 수축, 해방한 경우에도 스프링부의 내열성을 향상시키는 콘택트 프로브를 제공한다.
(해결 수단) Ni-P 층을 갖고 있고, Ni-P 층의 두께 방향의 위치에 따라 P 의 농도가 상이하다. Ni-P 층의 두께 방향으로, Ni-P 층의 내측으로부터 순서대로 제 1 부분 및 제 2 부분을 갖고, 제 2 부분은, 제 1 부분보다 P 의 농도가 낮은 것이 바람직하다.

Description

콘택트 프로브{CONTACT PROBE}
본 발명은, 반도체 집적 회로 등의 검체의 검사에 사용되는 콘택트 프로브에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자를 사용한 집적 회로 (IC) 나 대규모 집적 회로 (LSI), 플랫 패널 디스플레이 (FPD) 등의 전자 부품은, 전기적 특성을 평가하기 위해, 통전 검사, 절연 검사 등의 검사를 실시한다. 이 통전 검사는, 다수의 콘택트 프로브를 갖는 검사 장치를 사용하여, 콘택트 프로브를 반도체 집적 회로 등의 검체의 전극에 접촉시켜 실시한다. 검체의 소형화, 고밀도화, 고성능화가 진행됨에 있어서, 검사시에 검체에 탄성적으로 접촉시키는 콘택트 프로브도 세경화가 요구되고 있다.
예를 들어, 특허문헌 1 에는, 심재의 외주에 도금에 의해 금 도금층을 형성한 후, 형성된 금 도금층의 외주에 전주 (電鑄) 에 의해 Ni 전주층을 형성하고, Ni 전주층의 외주에 레지스트층을 형성한 후, 레이저로 노광하여 레지스트층에 나선상의 구조 (溝條) 를 형성하고, 레지스트층을 마스킹재로 하여 에칭을 실시하고, 레지스트층에 나선상의 구조 (溝條) 가 형성되어 있었던 부분의 Ni 전주층을 제거하고, 레지스트층을 제거함과 함께, Ni 전주층이 제거된 나선상의 구조 (溝條) 부분의 금 도금층을 제거하고, 금 도금층을 Ni 전주층의 내주에 남긴 채 심재만을 제거하여 전주제의 스프링 구조를 구비하고 있는 통전 검사 지그용 접촉자를 제조하는 방법이 기재되어 있다. 이 제조 방법에 의하면, 전주제의 스프링 구조를 구비하고 있는 극세, 육박의 통전 검사 지그용 접촉자를, 보다 정밀도 높고, 보다 정밀하게 제조할 수 있다.
일본 특허공보 제4572303호
그러나, 검사는 120 ℃ 이상이라는 고온 환경하에서 실시되는 경우가 있으며, 특허문헌 1 에 기재되어 있는 구조의 콘택트 프로브에서는, 검사시에 검체에 콘택트 프로브의 스프링부를 수축시켜 탄성적으로 접촉시키고, 수축 상태를 해방하였을 때에 스프링부가 원래의 형상으로 돌아오지 않고 수축된 상태인 채가 되어, 스프링부에 소성 변형이 가해지는, 즉, 스프링부의 길이에 히스테리시스 현상 (소성 변형) 이 발생한다는 문제가 있었다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 고온 환경하에서 스프링부를 수축, 해방한 경우에도 스프링부의 소성 변형을 경감시키는, 즉 내열성을 향상시킨 콘택트 프로브를 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결할 수 있었던 본 발명의 콘택트 프로브는, Ni-P 층을 갖고 있고, Ni-P 층의 두께 방향의 위치에 따라 P 의 농도가 상이한 것을 특징으로 하는 것이다.
상기 콘택트 프로브에 있어서, Ni-P 층의 두께 방향으로, Ni-P 층의 내측으로부터 순서대로 제 1 부분 및 제 2 부분을 갖고, 제 2 부분은, 제 1 부분보다 P 의 농도가 낮은 것이 바람직하다.
상기 콘택트 프로브에 있어서, Ni-P 층의 두께 방향으로, Ni-P 층의 내측으로부터 순서대로 제 1 부분, 제 2 부분, 및 제 3 부분을 갖고, 제 2 부분은, 제 1 부분 및 제 3 부분보다 P 의 농도가 낮은 것이 바람직하다.
상기 콘택트 프로브에 있어서, Ni-P 층의 두께 방향으로, Ni-P 층의 내측으로부터 순서대로 제 1 부분, 제 2 부분, 제 3 부분, 제 4 부분 및 제 5 부분을 갖고, 제 2 부분 및 제 4 부분은, 제 1 부분, 제 3 부분 및 제 5 부분보다 P 의 농도가 낮은 것이 바람직하다.
상기 콘택트 프로브에 있어서, 제 1 부분의 P 의 평균 농도는, 1.0 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 콘택트 프로브에 있어서, 제 2 부분은, Ni-P 층의 최내측으로부터 Ni-P 층의 두께의 1/4 이상 떨어진 위치에 있고, 제 2 부분의 P 의 평균 농도는, 0.5 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 콘택트 프로브에 있어서, Ni-P 층의 소정 지점의 두께 방향에 있어서의 P 의 최대 농도는, 두께 방향에 있어서의 P 의 최소 농도의 1.2 배 이상인 것이 바람직하다.
상기 콘택트 프로브에 있어서, Ni-P 층의 최내측으로부터의 거리가 Ni-P 층의 두께의 1/8 이상 1/4 이하인 부분의 P 의 평균 농도는, Ni-P 층의 최내측으로부터의 거리가 Ni-P 층의 두께의 5/8 이상 3/4 이하인 부분의 P 의 평균 농도보다 높은 것이 바람직하다.
상기 콘택트 프로브에 있어서, Ni-P 층의 바깥쪽에 Ni-P 층과는 상이한 층을 추가로 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 콘택트 프로브는, Ni-P 층을 갖고 있고, Ni-P 층의 두께 방향의 위치에 따라 P 의 농도가 상이한 것을 특징으로 한다. 콘택트 프로브가 이와 같은 구성임으로써, P 의 농도가 높은 부분에 의해 내열성을 높여 스프링부의 수축량을 저감시키고, P 의 농도가 낮은 부분에 의해 인성을 높여 스프링부의 소성 변형이 발생하기 어려운 콘택트 프로브로 할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 실시형태에 있어서의 콘택트 프로브의 측면도를 나타낸다.
도 2 는 본 발명의 실시형태에 있어서의 콘택트 프로브의 축 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3 은 본 발명의 실시형태에 있어서의 콘택트 프로브의 직경 방향의 단면의 확대도를 나타낸다.
도 4 는 본 발명의 실시형태에 있어서의 Ni-P 층의 제조에 대해, Ni-P 층이 형성된 심재의 모식도를 나타낸다.
도 5 는 본 발명의 실시형태에 있어서의 Ni-P 층의 제조에 대해, 스프링부가 형성된 Ni-P 층의 모식도를 나타낸다.
도 6 은 본 발명의 실시형태에 있어서의 Ni-P 층의 제조에 대해, 심재를 제거한 모식도를 나타낸다.
도 7 은 본 발명의 실시형태에 있어서의 Ni-P 층의 내열성의 평가 시험에 사용하는 지그 (하우징) 의 사시도를 나타낸다.
도 8 은 본 발명의 실시형태에 있어서의 Ni-P 층의 내열성의 평가 시험에서의 콘택트 프로브 부근의 단면도를 나타낸다.
도 9 는 본 발명의 실시형태에 있어서의 Ni-P 층의 내열성의 평가 시험에서의 콘택트 프로브를 수축시킨 상태에서의 콘택트 프로브 부근의 단면도를 나타낸다.
이하, 하기 실시형태에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 원래 하기 실시형태에 의해 제한을 받는 것이 아니고, 전·후기의 취지에 적합할 수 있는 범위에서 적당히 변경을 가하여 실시하는 것도 물론 가능하며, 그것들은 모두 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 또한, 각 도면에 있어서, 편의상, 해칭이나 부재 부호 등을 생략하는 경우도 있지만, 이러한 경우, 명세서나 다른 도면을 참조하는 것으로 한다. 또, 도면에 있어서의 여러 가지 부재의 치수는, 본 발명의 특징의 이해에 이바지하는 것을 우선하고 있기 때문에, 실제의 치수와는 상이한 경우가 있다.
본 발명에 관련된 콘택트 프로브는, Ni-P 층을 갖고 있고, Ni-P 층의 두께 방향의 위치에 따라 P 의 농도가 상이한 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성으로 되어 있음으로써, 콘택트 프로브의 내열성과 인성을 양립시키는 것이 가능해진다.
본 발명에 있어서의 Ni-P 층의 내열성이란, 약 120 ℃ 이상의 고온 환경하에서의 콘택트 프로브의 사용에 있어서, Ni-P 층의 스프링부를 수축, 해방하였을 때에 스프링부의 소성 변형이 일어나기 어려운 것이다. 콘택트 프로브의 내열성의 평가 방법에 대해서는 후술한다.
본 발명에 있어서, 콘택트 프로브의 일방 단측으로부터 타방 단측으로의 방향을 축 방향이라고 칭한다. 직경 방향이란 콘택트 프로브의 반경 방향을 가리키고, 직경 방향에 있어서 안쪽이란 콘택트 프로브의 축 중심측을 향하는 방향을 가리키고, 직경 방향에 있어서 바깥쪽이란 안쪽과 반대측을 향하는 방사 방향을 가리킨다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 있어서의 콘택트 프로브 (1) 는, Ni-P 층 (10) 을 갖고 있다. 콘택트 프로브 (1) 는, 적어도 일부에 코일 형상의 스프링부 (14) 를 갖고 있다. 콘택트 프로브 (1) 가 스프링부 (14) 를 구비하고 있음으로써, 콘택트 프로브 (1) 의 축 방향의 길이를 신축시키는 것이 가능해진다. 이하, 본 발명에 있어서의 Ni-P 층에 대해 설명한다.
Ni-P 층 (10) 은, Ni (니켈) 도금층에 합금 성분으로서 P (인) 를 함유하고 있고, Ni-P 층 (10) 의 두께 방향의 위치에 따라 P 의 농도가 상이하다. Ni-P 층 (10) 의 두께 방향이란, Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터 표층 (10b) 으로의 방향을 가리킨다. 즉, Ni-P 층 (10) 의 표층 (10b) 으로부터의 깊이에 따라 P 의 농도가 상이하다.
Ni-P 층 (10) 의 P 의 농도가 높은 부분은, 콘택트 프로브 (1) 의 내열성을 높일 수 있다. 그 결과, 고온 환경하에 있어서, 콘택트 프로브 (1) 의 스프링부 (14) 를 수축시키고, 수축 상태를 해방하였을 때에, 스프링부 (14) 의 소성 변형을 경감시킬 수 있다.
Ni-P 층 (10) 에 있어서의 P 의 농도는, Ni-P 층 (10) 의 표면을 에너지 분산형 X 선 분석 (EDX) 에 의해 측정할 수 있다. 이 측정 방법은, Ni-P 층 (10) 의 소정의 포인트를 설정하고, 복수의 포인트의 평균에 의해 산출한다. 소정의 포인트는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, Ni-P 층 (10) 의 길이 방향으로 등간격으로 정한 포인트로 설정할 수도 있다. Ni-P 층 (10) 의 두께 방향으로 연마 혹은 에칭을 실시하고, 두께가 상이한 지점을 측정함으로써, Ni-P 층의 두께 방향의 조성을 확인할 수 있다. 측정 전에, 대상물의 표면을 에탄올 세정하고, Ni-P 층 (10) 이 노출된 상태에서 표면을 EDX 측정한다. 측정은 예를 들어, SEM 과 EDX 를 조합한 장치를 사용할 수 있다. 전자빔은, 15 ㎸, 80 ㎂ 로 한다. P 의 농도는, 길이 방향 (Ni-P 층 (10) 의 축 방향) 으로 5 포인트 측정하고, 그 평균값으로서 산출한다.
Ni-P 층 (10) 의 P 의 농도가 낮은 부분은, 콘택트 프로브 (1) 의 인성을 높일 수 있다. Ni-P 합금의 P 의 농도가 높으면 내열성을 높일 수 있지만, 인성이 낮아져, 물러지기 쉬워지는 경우가 있다. 그 때문에, Ni-P 층 (10) 에 있어서, P 의 농도가 높은 부분뿐만 아니라, P 의 농도가 낮은 부분도 형성함으로써, 콘택트 프로브 (1) 의 내열성을 확보하면서, 콘택트 프로브 (1) 의 인성을 높일 수 있다.
또, Ni-P 합금의 P 의 농도가 낮은 부분은, Ni-P 합금의 P 의 농도가 높은 부분보다 도금의 형성이 빨라진다. 이것은, Ni-P 합금의 P 의 농도가 낮은 부분은, 도금 형성시의 전류 밀도가 높아지고, 전류 밀도가 높아짐으로써 도금이 두껍게 부착되는 것에 의한다. 따라서, Ni-P 층 (10) 에 있어서, P 의 농도가 높은 부분뿐만 아니라, P 의 농도가 낮은 부분도 형성함으로써, P 의 농도가 낮은 부분은 도금 형성시에 전류 밀도가 높아져, 도금이 두껍게 부착되기 때문에 Ni-P 층 (10) 의 형성을 빠르게 할 수 있고, Ni-P 층 (10) 의 생산성을 높일 수 있다.
Ni-P 층 (10) 을 갖는 콘택트 프로브 (1) 의 내열성의 평가는, 이하와 같이 하여 실시한다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 하우징 (50) 은, 금속제이고 상자형의 형상을 갖고, 하나의 면에 콘택트 프로브 (1) 를 수용하기 위한 구멍 (51) 이 복수 형성되어 있다. 도 8 에 나타내는 바와 같이, 콘택트 프로브 (1) 를 플런저 (20) 가 개구측이 되도록 구멍 (51) 에 수용한다. 이 때, 플런저 (20) 의 선단은 구멍 (51) 으로부터 돌출된다.
구멍 (51) 의 개구부를 하측으로 하여, 하우징 (50) 을 소정의 평가 온도로 설정한 핫 플레이트 (60) 에 올린다. 구멍 (51) 으로부터 돌출되는 길이는, Ni-P 층 (10) 이 거의 최대 스트로크량 (즉, 330 ㎛) 만큼 수축되도록 설정되어 있다. 이로써, 예를 들어 하우징 (50) 상에 소정의 무게의 추 (도시 생략) 를 올려 둠으로써, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 콘택트 프로브 (1) 를 최대 스트로크량만큼 수축시킨 상태에서 유지해 둘 수 있다.
이 상태에서 20 시간 유지한다. 유지 후, 콘택트 프로브 (1) 를 상온 환경에서 꺼내고, 무부하 수평 상태에서 콘택트 프로브 (1) 의 전체 길이를 측정한다. 유지 전의 콘택트 프로브 (1) 의 전체 길이와의 차를, 그 평가 온도에 있어서의「수축량」이라고 정의한다. 수축량이 작을수록, 고온에서의 내구성이 높은 것을 의미한다.
각 평가 온도에 있어서의 수축량은, 30 개의 콘택트 프로브 (1) 에 대해 측정을 실시하고, 그 평균값으로서 구하였다. 본 평가 시험에서는, 소정의 온도에 있어서의 수축량이 50 ㎛ 이하 (0.05 ㎜ 이하) 가 되는 것을 지표로 하고, 50 ㎛ 이하이면 검사에서 요구되는 온도 환경에서 사용 가능으로 판단하였다.
Ni-P 층 (10) 의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 원통 형상, 다각통 형상 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 원통 형상이 바람직하다. Ni-P 층 (10) 의 형상이 이와 같이 되어 있음으로써, Ni-P 층 (10) 의 제조가 용이하고, 또한 Ni-P 층 (10) 의 내열성 및 인성을 Ni-P 층 (10) 전체에서 일정하게 할 수 있다. 또, Ni-P 층 (10) 의 축 방향으로 슬릿이 들어가 있어도 된다. Ni-P 층 (10) 을 이와 같은 형상으로 함으로써, Ni-P 층 (10) 의 표면적이 커짐으로써, Ni-P 층 (10) 에 가해진 열을 빠져나가게 하기 쉬워져, 콘택트 프로브 (1) 에 소성 변형이 발생하기 어려워진다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, Ni-P 층 (10) 의 두께 방향으로, Ni-P 층 (10) 의 내측으로부터 순서대로 제 1 부분 (11), 제 2 부분 (12), 및 제 3 부분 (13) 을 갖고, 제 2 부분 (12) 은, 제 1 부분 (11) 및 제 3 부분 (13) 보다 P 의 농도가 낮은 것이 바람직하다. Ni-P 층 (10) 의 두께 방향에 있어서, Ni-P 층 (10) 의 내측에 있고, Ni-P 층의 최내측으로부터 Ni-P 층의 두께의 1/8 의 두께의 범위에서의 P 의 평균 농도가, 바깥쪽의 Ni-P 층의 두께의 1/8 의 범위 및 안쪽의 Ni-P 층의 두께의 1/8 의 범위보다 높은 부분을 제 1 부분 (11) 으로 한다. 제 1 부분 (11) 의 바깥쪽에 있고, Ni-P 층의 두께의 1/8 의 범위의 P 의 평균 농도가 제 1 부분 (11) 보다 낮은 부분을 제 2 부분 (12) 으로 한다. 제 2 부분 (12) 의 바깥쪽에 있고, Ni-P 층의 두께의 1/8 의 범위의 P 의 평균 농도가 제 2 부분 (12) 보다 높은 부분을 제 3 부분 (13) 으로 한다.
제 1 부분 (11) 은, 제 2 부분 (12) 의 안쪽에 접하고 있어도 되고, 제 1 부분 (11) 과 제 2 부분 (12) 사이에 제 1 부분 (11) 및 제 2 부분 (12) 과 상이한 부분이 존재하고 있어도 된다. 제 1 부분 (11) 이 제 2 부분 (12) 의 안쪽과 접하고 있음으로써, 제 1 부분 (11) 과 제 2 부분 (12) 이 위치하는 Ni-P 층 (10) 의 부분에 있어서, 내열성과 인성의 양립을 도모할 수 있다. 제 1 부분 (11) 과 제 2 부분 (12) 사이에 제 1 부분 (11) 및 제 2 부분 (12) 과 상이한 부분이 존재하고 있음으로써, Ni-P 층 (10) 의 제 1 부분 (11) 이 위치하는 부분으로부터 제 2 부분 (12) 이 위치하는 부분까지의 범위에 있어서, 내열성이 양호한 부분으로부터, 인성이 양호한 부분으로의 변이가 완만해지고, 내열성과 인성의 밸런스를 취할 수 있다.
제 3 부분 (13) 도 마찬가지로, 제 2 부분 (12) 의 바깥쪽에 접하고 있어도 되고, 제 2 부분 (12) 과 제 3 부분 (13) 사이에 제 2 부분 (12) 및 제 3 부분 (13) 과 상이한 부분이 존재하고 있어도 된다. 제 3 부분 (13) 이 제 2 부분 (12) 의 바깥쪽과 접하고 있음으로써, 제 2 부분 (12) 과 제 3 부분 (13) 이 위치하는 Ni-P 층 (10) 의 부분에 있어서, 내열성과 인성의 양립을 도모할 수 있다. 제 2 부분 (12) 과 제 3 부분 (13) 사이에 제 2 부분 (12) 및 제 3 부분 (13) 과 상이한 부분이 존재하고 있음으로써, Ni-P 층 (10) 의 제 2 부분 (12) 이 위치하는 부분으로부터 제 3 부분 (13) 이 위치하는 부분까지의 범위에 있어서, 내열성은 양호하지만 인성이 떨어지는 부분으로부터, 인성은 양호하지만 내열성이 떨어지는 부분으로의 변이가 완만해지고, 내열성과 인성의 밸런스를 취할 수 있다.
Ni-P 층 (10) 의 두께 방향으로, Ni-P 층 (10) 의 내측으로부터 순서대로 제 1 부분 (11) 및 제 2 부분 (12) 을 갖고, 제 2 부분 (12) 은, 제 1 부분 (11) 보다 P 의 농도가 낮은 것도 바람직하다. 또, Ni-P 층 (10) 의 두께 방향으로, Ni-P 층 (10) 의 내측으로부터 순서대로 제 1 부분 (11), 제 2 부분 (12), 제 3 부분 (13), 제 4 부분 및 제 5 부분을 갖고, 제 2 부분 (12) 및 제 4 부분은, 제 1 부분 (11), 제 3 부분 (13) 및 제 5 부분보다 P 의 농도가 낮은 것도 바람직하다.
제 1 부분 (11) 의 P 의 평균 농도는, 제 2 부분 (12) 의 P 의 평균 농도보다 높고, 또한 1.0 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 1.5 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 2.0 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. P 의 평균 농도의 하한값을 이와 같이 설정함으로써, Ni-P 층 (10) 의 내측 부분의 내열성을 확보할 수 있고, Ni-P 층 (10) 의 직경 방향 안쪽의 공간으로부터 전달되는 열에 대해, Ni-P 층 (10) 의 내구성을 향상시킬 수 있다. 또, 제 1 부분 (11) 의 P 의 평균 농도는, 5.0 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 4.5 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 4.0 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. P 의 평균 농도의 상한값을 이와 같이 설정함으로써, Ni-P 층 (10) 의 내측 부분의 내열성을 확보하면서, 인성도 양립시킬 수 있다. 또, 제 1 부분 (11) 은, 제 2 부분 (12) 의 안쪽에 형성되어 있으면 되는데, Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터 Ni-P 층의 두께의 1/8 이상 떨어진 위치에 있는 것이 바람직하고, 3/20 이상 떨어진 위치에 있는 것이 보다 바람직하고, 3/16 이상 떨어진 위치에 있는 것이 더욱 바람직하다. 제 1 부분 (11) 이 이와 같은 위치에 있음으로써, Ni-P 층 (10) 의 내측 부분의 내열성과 인성의 양방을 충분한 것으로 하는 것이 가능해진다.
제 2 부분 (12) 의 P 의 평균 농도는, 제 1 부분 (11) 의 P 의 평균 농도보다 낮고, 또한 0.5 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.7 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.0 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. P 의 평균 농도의 하한값을 이와 같이 설정함으로써, Ni-P 층 (10) 의 두께 방향의 중간부에도 내열성을 확보할 수 있다. 또, 제 2 부분 (12) 의 P 의 평균 농도는, 5.0 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 3.0 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 2.0 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 1.8 질량％ 이하인 것이 한층 바람직하고, 1.5 질량％ 이하인 것이 특히 바람직하다. P 의 평균 농도의 상한값을 이와 같이 설정함으로써, Ni-P 층 (10) 의 두께 방향의 중간부의 인성을 높일 수 있고, 내열성은 높은 제 1 부분 (11) 및 제 3 부분 (13) 을 제 1 부분 (11) 과 제 3 부분 (13) 사이부터 지지하여, Ni-P 층 (10) 전체의 내열성과 인성의 밸런스를 양호한 것으로 할 수 있다. 또, 제 2 부분 (12) 은, 제 1 부분 (11) 과 제 3 부분 (13) 사이에 형성되어 있으면 되는데, Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터 Ni-P 층의 두께의 1/4 이상 떨어진 위치에 있는 것이 바람직하고, Ni-P 층의 두께의 3/8 이상 떨어진 위치에 있는 것이 보다 바람직하고, Ni-P 층의 두께의 7/16 이상 떨어진 위치에 있는 것이 더욱 바람직하다. 제 2 부분 (12) 이 이와 같은 위치에 있음으로써, 제 1 부분 (11) 과 제 3 부분 (13) 을 제 2 부분 (12) 에 의해 지지할 수 있어, Ni-P 층 (10) 의 내열성이 양호한 것으로 하면서, 인성도 양호한 것으로 할 수 있다.
제 3 부분 (13) 의 P 의 평균 농도는, 1.0 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 1.5 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 2.0 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. P 의 평균 농도의 하한값을 이와 같이 설정함으로써, Ni-P 층 (10) 의 표층 (10b) 의 내열성을 확보할 수 있고, Ni-P 층 (10) 의 직경 방향 바깥쪽으로부터 전달되는 열에 대해, Ni-P 층 (10) 의 내열성을 확보하게 할 수 있다. 또, 제 3 부분 (13) 의 P 의 평균 농도는, 5.0 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 4.5 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 4.0 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. P 의 평균 농도의 상한값을 이와 같이 설정함으로써, Ni-P 층 (10) 의 표층 (10b) 의 내열성을 확보하면서, 인성도 양립시킬 수 있다. 또, 제 3 부분 (13) 은, 제 2 부분 (12) 의 바깥쪽에 형성되어 있으면 되는데, Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터 Ni-P 층의 두께의 3/4 이상 떨어진 위치에 있는 것이 바람직하고, Ni-P 층의 두께의 13/16 이상 떨어진 위치에 있는 것이 보다 바람직하고, Ni-P 층 (10) 의 두께의 7/8 이상 떨어진 위치에 있는 것이 더욱 바람직하다. 제 3 부분 (13) 이 이와 같은 위치에 있음으로써, Ni-P 층 (10) 의 표층 (10b) 부분의 내열성과 인성을 충분하게 하는 것이 가능해진다.
또한, 제 3 부분 (13) 의 P 의 평균 농도는, 제 1 부분 (11) 의 P 의 평균 농도와 동일해도 되고, 상이해도 된다. 제 1 부분 (11) 의 P 의 평균 농도와 제 3 부분 (13) 의 P 의 평균 농도가 동일하면, Ni-P 층 (10) 의 내측 부분과 표층 (10b) 의 내열성 및 인성을 동일한 정도의 것으로 할 수 있고, Ni-P 층 (10) 전체의 내열성과 인성의 밸런스가 양호해진다. 제 1 부분 (11) 의 P 의 평균 농도를 제 3 부분 (13) 의 P 의 평균 농도보다 높게 함으로써, Ni-P 층 (10) 의 내측 부분의 내열성을 Ni-P 층 (10) 의 표층 (10b) 보다 높게 할 수 있고, 예를 들어, 후술하는 플런저 (20) 에 열이 가해지는 경우 등, Ni-P 층 (10) 의 표층 (10b) 보다 내측 부분에 열이 가해지기 쉬운 경우에 적합한 콘택트 프로브 (1) 로 할 수 있다. 반대로, 제 1 부분 (11) 의 P 의 평균 농도를 제 3 부분 (13) 의 P 의 평균 농도보다 낮게 함으로써, Ni-P 층 (10) 의 표층 (10b) 의 내열성을 Ni-P 층 (10) 의 내측 부분보다 높게 할 수 있고, 예를 들어, 플런저 (20) 보다 Ni-P 층 (10) 의 열전도율이 높은 경우 등, Ni-P 층 (10) 의 내측 부분보다 표층 (10b) 에 열이 가해지기 쉬운 경우에 적합한 콘택트 프로브 (1) 로 할 수 있다.
제 4 부분의 P 의 평균 농도는, 제 1 부분 (11), 제 3 부분 (13), 제 5 부분의 P 의 평균 농도보다 낮고, 또한 0.5 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.7 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.0 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또, 제 4 부분의 P 의 평균 농도는, 5.0 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 3.0 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 2.0 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 1.8 질량％ 이하인 것이 한층 바람직하고, 1.5 질량％ 이하인 것이 특히 바람직하다. 제 4 부분의 P 의 평균 농도는, 제 2 부분 (12) 의 P 의 평균 농도와 동일해도 되고, 상이해도 된다.
제 5 부분의 P 의 평균 농도는, 제 2 부분 (12) 및 제 4 부분보다 P 의 농도가 높고, 또한 1.0 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 1.5 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 2.0 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또, 제 5 부분의 P 의 평균 농도는, 5.0 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 4.5 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 4.0 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 제 5 부분의 P 의 평균 농도는, 제 1 부분 (11) 및 제 3 부분 (13) 의 P 의 평균 농도와 동일해도 되고, 상이해도 된다.
Ni-P 층 (10) 전체의 P 의 평균 농도는, 0.5 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 1.0 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 2.0 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. P 의 평균 농도의 하한값을 이와 같이 설정함으로써, 콘택트 프로브 (1) 에 충분한 내열성을 부여할 수 있다. 또 Ni-P 층 (10) 전체의 P 의 평균 농도는, 10 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 5.0 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 4.0 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. P 의 평균 농도의 상한값을 이와 같이 설정함으로써, 콘택트 프로브 (1) 의 내열성을 확보하면서, 콘택트 프로브 (1) 에 인성도 부여하는 것이 가능해진다.
Ni-P 층 (10) 의 소정 지점의 두께 방향에 있어서의 P 의 최대 농도는, 동일한 소정 지점의 두께 방향에 있어서의 P 의 최소 농도의 1.2 배 이상인 것이 바람직하고, 1.5 배 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.8 배 이상인 것이 더욱 바람직하다. 소정 지점의 P 의 최대 농도와 최소 농도의 하한값을 이와 같이 설정함으로써, Ni-P 층 (10) 의 내열성을 확보하게 할 수 있다. 또, Ni-P 층 (10) 의 소정 지점의 두께 방향에 있어서의 P 의 최대 농도는, 동일한 소정 지점의 두께 방향에 있어서의 P 의 최소 농도의 3.5 배 이하인 것이 바람직하고, 3.3 배 이하인 것이 보다 바람직하고, 3.0 배 이하인 것이 더욱 바람직하다. 소정 지점의 P 의 최대 농도와 최소 농도의 상한값을 이와 같이 설정함으로써, Ni-P 층 (10) 의 내열성과 인성을 양립시킬 수 있다.
Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터의 거리가 Ni-P 층 (10) 의 두께의 1/8 이상 1/4 이하인 부분의 P 의 평균 농도는, Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터의 거리가 Ni-P 층 (10) 의 두께의 5/8 이상 3/4 이하인 부분의 P 의 평균 농도보다 높은 것이 바람직하다. Ni-P 층 (10) 의 P 의 평균 농도가 이와 같이 되어 있음으로써, Ni-P 층 (10) 의 내열성을 확보하면서, 인성도 높일 수 있다.
Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터의 거리가 Ni-P 층 (10) 의 두께의 1/8 이상 1/4 이하인 부분의 P 의 평균 농도는, Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터의 거리가 Ni-P 층 (10) 의 두께의 5/8 이상 3/4 이하인 부분의 P 의 평균 농도의 1.2 배 이상인 것이 바람직하고, 1.5 배 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.8 배 이상인 것이 더욱 바람직하다. Ni-P 층 (10) 의 P 의 평균 농도의 하한값을 이와 같이 설정함으로써, Ni-P 층 (10) 의 내열성을 확보하는 것이 가능해진다. 또, Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터의 거리가 Ni-P 층 (10) 의 두께의 1/8 이상 1/4 이하인 부분의 P 의 평균 농도는, Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터의 거리가 Ni-P 층 (10) 의 두께의 5/8 이상 3/4 이하인 부분의 P 의 평균 농도의 3.5 배 이하인 것이 바람직하고, 3.3 배 이하인 것이 보다 바람직하고, 3.0 배 이하인 것이 더욱 바람직하다. Ni-P 층 (10) 의 P 의 평균 농도의 상한값을 이와 같이 설정함으로써, Ni-P 층 (10) 의 내열성과 인성의 밸런스를 적절한 것으로 할 수 있다.
Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터의 거리가 Ni-P 층 (10) 의 두께의 1/4 이상 5/8 이하인 부분에 있어서의 P 의 농도의 감소율은, 0.15 질량％/㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.20 질량％/㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.25 질량％/㎛ 이상인 것이 더욱 바람직하다. Ni-P 층 (10) 의 P 의 농도의 감소율의 하한값을 이와 같이 설정함으로써, Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터의 거리가 Ni-P 층 (10) 의 두께의 1/4 이상 5/8 이하인 부분에 있어서, Ni-P 층 (10) 의 내측 부분은 내열성을 충분히 확보하게 하고, Ni-P 층 (10) 의 중간 부분은 인성을 충분히 향상시킬 수 있다. 또, Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터의 거리가 Ni-P 층 (10) 의 두께의 1/4 이상 5/8 이하인 부분에 있어서의 P 의 농도의 감소율은, 0.70 질량％/㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.65 질량％/㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.6 질량％/㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. Ni-P 층 (10) 의 P 의 농도의 감소율의 상한값을 이와 같이 설정함으로써, Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 으로부터의 거리가 Ni-P 층 (10) 의 두께의 1/4 이상 5/8 이하인 부분에 있어서, 내열성의 차 및 인성의 차를 작게 할 수 있고, 내열성과 인성의 밸런스를 취할 수 있다.
Ni-P 층 (10) 을 구성하는 재료는, Ni 와 P 의 합금을 갖고 있으면 되고, 이들 이외의 합금 성분을 함유할 수도 있다. 또한, 원료 중에 제조 공정 등에서 기인하여 불가피적으로 혼입되는 불순물 등은 적은 편이 바람직하다. Ni-P 층 (10) 에 함유되는 Ni 및 P 이외의 성분으로는, C (탄소), O (산소) 등을 들 수 있다.
본 발명의 실시형태에 있어서의 Ni-P 층 (10) 은, 축 방향을 따라 직경 방향의 안쪽에 공간을 갖고 있고, 그 공간에 플런저 (20) 가 삽입 통과되어 있고, Ni-P 층 (10) 과 플런저 (20) 가 접합되어 있다.
콘택트 프로브 (1) 의 플런저 (20) 의 선단에 검체를 접촉시키면, 콘택트 프로브 (1) 에 검체와는 반대의 방향으로 압력이 가해진다. 이 압력에 의해 Ni-P 층 (10) 의 스프링부 (14) 가 수축된다. 이 때의 스프링부 (14) 가 수축된 상태로부터 원래 상태로 돌아오려고 하는 복원력에 의해, 플런저 (20) 의 선단과 검체가 소정의 압력으로 접촉한다. 이로써, 콘택트 프로브 (1) 와 검체를 탄성적으로 접촉시키는 것이 가능해진다.
1 개의 Ni-P 층 (10) 이 갖는 스프링부 (14) 의 수는, 1 개의 Ni-P 층 (10) 에 대해 스프링부 (14) 가 1 개 형성되어 있어도 되고, 1 개의 Ni-P 층 (10) 의 축 방향으로 복수의 스프링부 (14) 가 형성되어 있어도 된다. 1 개의 Ni-P 층 (10) 이 갖는 스프링부 (14) 의 수는, 검체의 형상이나, 콘택트 프로브 (1) 와 검체의 접촉 압력 등에 따라 선택하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 1 개의 Ni-P 층 (10) 이 갖는 스프링부 (14) 가 1 개이면, 콘택트 프로브 (1) 와 검체의 접촉 압력을 일정하게 할 수 있다. 1 개의 Ni-P 층 (10) 이 갖는 스프링부 (14) 가 복수이면, 각각의 스프링부 (14) 에 가해지는 가중을 분산시킬 수 있어, 스프링부 (14) 에 소성 변형이 가해지기 어려워진다.
플런저 (20) 의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 원기둥 형상, 원통 형상, 원뿔 형상, 다각기둥 형상, 다각통 형상, 다각뿔 형상 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 원기둥 형상인 것이 바람직하다. 플런저 (20) 의 형상이 이와 같이 되어 있음으로써, Ni-P 층 (10) 과 플런저 (20) 의 슬라이딩을 매끄럽게 할 수 있다.
플런저 (20) 의 선단의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 원뿔 형상, 반원 형상, 평탄 형상, 왕관 형상 등을 들 수 있고, 용도에 따라 형상을 적절히 선택할 수 있다.
플런저 (20) 를 구성하는 재료는, 도전체이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, Pt (백금), Rh (로듐), Pt-Rh 합금, Ni 도금 상에 Au (금) 도금을 실시한 W (텅스텐), Be (베릴륨)-Cu (구리) 합금 등을 들 수 있다.
Ni-P 층 (10) 과 플런저 (20) 의 접합 방법은, Ni-P 층 (10) 의 직경 방향 안쪽의 공간에 플런저 (20) 를 삽입 통과하고, Ni-P 층 (10) 과 플런저 (20) 의 접합 지점 (30) 에서 Ni-P 층 (10) 을 코킹하거나, Ni-P 층 (10) 과 플런저 (20) 를 용접하거나, Ni-P 층 (10) 과 플런저 (20) 을 접착하거나 하는 방법을 들 수 있지만, 특별히 한정되지 않는다. 그 중에서도, 접합 지점 (30) 에서 Ni-P 층 (10) 을 용접하여 플런저 (20) 와 접합하는 방법이 바람직하다. 이와 같이 하여 Ni-P 층 (10) 과 플런저 (20) 가 접합되어 있음으로써, 용이하게 접합할 수 있고, 또 고온하에서의 사용에 있어서도 접합을 풀리기 어렵게 할 수 있다.
콘택트 프로브 (1) 는, Ni-P 층 (10) 의 표층 (10b) 에, Ni-P 층 (10) 과는 상이한 층을 추가로 구비하고 있어도 된다. 예를 들어, Ni-P 층 (10) 의 표층 (10b) 에 Ni 도금층을 가짐으로써, 콘택트 프로브 (1) 의 외관을 Ni 광택으로 할 수 있다. 이와 같은 Ni 도금층으로는, 순 Ni 도금층 외에, P 이외의 합금 성분을 함유하는 Ni 합금 도금 (예를 들어, Ni-B (붕소) 도금층, Ni-N (질소) 도금층 등) 을 들 수 있다. 또, 콘택트 프로브 (1) 의 사용 대상이나 사용 환경 등에 따라, Ni 도금층을 대신하여 Au, Ag (은), Rh 등의 도금을 실시해도 되고, Ni 도금층의 바깥쪽 및 안쪽 중 적어도 어느 일방에 Au, Ag, Rh 등의 도금을 실시해도 된다.
또, 콘택트 프로브 (1) 는, Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 에, Au 도금층을 추가로 구비하고 있어도 된다. Ni-P 층 (10) 의 최내측 (10a) 에 Au 도금층을 가짐으로써, 후술하는 Ni-P 층 (10) 의 제조가 용이해진다.
이하에 Ni-P 층 (10) 의 제조 방법의 일례를 상세하게 설명한다. 단, Ni-P 층 (10) 의 제조 방법은 이것에 한정되지 않는다.
먼저, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 심재 (40) 를 준비하고, 심재 (40) 의 외주에, 전해 도금에 의해 Ni-P 층 (10) 을 형성한다. 전해 도금 방법은 특별히 한정되지 않는다. 심재 (40) 는, 예를 들어, 스테인리스나 알루미늄 등의 금속선 등을 들 수 있다.
Ni-P 층 (10) 에 P 를 함유시키려면, 예를 들어, Ni 함유 도금액에 인산이나 아인산 등의 인 화합물을 배합하면 된다. 구체적으로는, 아인산을 사용할 수 있고, 아인산의 배합량은, 예를 들어, 35.0 g/ℓ 이하의 배합량의 것을 사용할 수 있다. Ni 함유 도금액에는, 예를 들어, 술팜산니켈 등을 사용할 수 있다.
Ni 함유 도금액에 배합하는 아인산의 농도에 의해, Ni-P 층 (10) 의 P 의 농도를 조정할 수 있다. 그 때문에, Ni-P 층 (10) 의 P 의 농도를 증가시키는 방법으로는, Ni 함유 도금액에 배합하는 아인산의 농도를 증가시키는 방법 등을 들 수 있다.
다음으로, 도 5 에 나타내는 바와 같이, Ni-P 층 (10) 를 패터닝하여, 스프링부 (14) 를 형성한다. 패터닝은, 예를 들어, 포토리소그래피 기술을 사용하여 실시할 수 있다. 구체적으로는, 먼저, Ni-P 층 (10) 의 외주에 레지스트층 (도시 생략) 을 형성한다. 그리고, 심재 (40) 를 회전시키면서 레이저를 노광하고, 레지스트층에 나선상의 구조 (溝條) 를 형성한다. Ni-P 층 (10) 의 외주에 남아 있는 레지스트층을 마스킹재로 하여 Ni-P 층 (10) 을 에칭한다. 이로써, Ni-P 층 (10) 에 스프링부 (14) 가 형성된다.
이어서, 도 6 에 나타내는 바와 같이, Ni-P 층 (10) 에 스프링부 (14) 를 형성한 후, 심재 (40) 를 제거한다. 심재 (40) 의 제거 방법은, 예를 들어, 심재 (40) 를 일방 또는 양방으로부터 인장하여 심재 (40) 의 단면적이 작아지도록 변형시키고, 이 상태에서 심재 (40) 를 인발하면 된다.
이상의 공정에 의해, 스프링부 (14) 를 갖고 있는 콘택트 프로브 (1) 의 Ni-P 층 (10) 을 제조할 수 있다.
또한, Ni-P 층 (10) 을 형성하기 전에, 심재 (40) 의 외주에 도금 등에 의해 얇게 금 함유층 (도시 생략) 을 형성해 두는 것이 바람직하다. 즉, 심재 (40) 의 외주에 금 함유층을 형성하고, 금 함유층의 외주에 Ni-P 층 (10) 을 형성하는 것이 바람직하다. 금 함유층을 형성함으로써, 패터닝할 때, Ni-P 층 (10) 의 내주에 에칭액이 돌아 들어가는 것을 억제할 수 있다. 또, 심재 (40) 가 스테인리스제인 경우, 스테인리스와 금 함유층의 밀착성이 낮기 때문에, 심재 (40) 를 인발하는 것이 용이해진다. 금 함유층의 두께는, 예를 들어, 0.2 ㎛ 이상 1 ㎛ 이하인 것을 들 수 있지만, 특별히 한정되지 않는다.
심재 (40) 의 외주에 금 함유층을 형성하는 경우, 심재 (40) 로서 나일론, 폴리에틸렌 등의 합성 수지선을 사용해도 된다. 이 경우, 무전해 도금에 의해 금 함유층을 형성하면 된다. 또, 심재 (40) 의 제거는, 예를 들어, 강알칼리액 등에 침지함으로써 실시할 수 있다.
이상, Ni-P 층 (10) 의 제조 방법의 일례를 설명하였다. 이 예에서는, 전주에 의해 Ni-P 층 (10) 을 제조하는 경우를 설명하였지만, 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등의 전주 이외의 방법에 의해 Ni-P 층 (10) 을 제조해도 된다.
이상과 같이, 본 발명의 콘택트 프로브는, Ni-P 층을 갖고 있고, Ni-P 층의 두께 방향의 위치에 따라 P 의 농도가 상이한 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성임으로써, P 의 농도가 높은 부분에 의해 내열성을 높여 스프링부의 수축량을 저감시키고, P 의 농도가 낮은 부분에 의해 인성을 높여 스프링부의 강도를 향상시켜, 소성 변형이 발생하기 어려운 콘택트 프로브로 할 수 있다.
1 : 콘택트 프로브
10 : Ni-P 층
10a : Ni-P 층의 최내측
10b : Ni-P 층의 표층
11 : 제 1 부분
12 : 제 2 부분
13 : 제 3 부분
14 : 스프링부
20 : 플런저
30 : Ni-P 층과 플런저의 접합 지점
40 : 심재
50 : 하우징
51 : 구멍
60 : 핫 플레이트

Claims (9)

  1. 스프링부를 갖고, 축 방향으로 연장되고, 안쪽에 공간을 갖는 Ni-P 층과,
    상기 공간에 삽입 통과되고, 검사 대상에 접촉 가능한 플런저를 구비하고,
    상기 Ni-P 층의 두께 방향의 위치에 따라 P 의 농도가 상이한, 콘택트 프로브.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 Ni-P 층의 두께 방향으로, 상기 Ni-P 층의 내측으로부터 순서대로 제 1 부분 및 제 2 부분을 갖고,
    상기 제 2 부분은, 상기 제 1 부분보다 P 의 농도가 낮은, 콘택트 프로브.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 Ni-P 층의 두께 방향으로, 상기 Ni-P 층의 내측으로부터 순서대로 제 1 부분, 제 2 부분, 및 제 3 부분을 갖고,
    상기 제 2 부분은, 상기 제 1 부분 및 상기 제 3 부분보다 P 의 농도가 낮은, 콘택트 프로브.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 Ni-P 층의 두께 방향으로, 상기 Ni-P 층의 내측으로부터 순서대로 제 1 부분, 제 2 부분, 제 3 부분, 제 4 부분 및 제 5 부분을 갖고,
    상기 제 2 부분 및 상기 제 4 부분은, 상기 제 1 부분, 상기 제 3 부분 및 상기 제 5 부분보다 P 의 농도가 낮은, 콘택트 프로브.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부분의 P 의 평균 농도는, 1.0 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하인, 콘택트 프로브.
  6. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 부분은, 상기 Ni-P 층의 최내측으로부터 상기 Ni-P 층의 두께의 1/4 이상 떨어진 위치에 있고,
    상기 제 2 부분의 P 의 평균 농도는, 0.5 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하인, 콘택트 프로브.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Ni-P 층의 소정 지점의 두께 방향에 있어서의 P 의 최대 농도는, 상기 두께 방향에 있어서의 P 의 최소 농도의 1.2 배 이상인, 콘택트 프로브.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Ni-P 층의 최내측으로부터의 거리가 상기 Ni-P 층의 두께의 1/8 이상 1/4 이하인 부분의 P 의 평균 농도는, 상기 Ni-P 층의 최내측으로부터의 거리가 상기 Ni-P 층의 두께의 5/8 이상 3/4 이하인 부분의 P 의 평균 농도보다 높은, 콘택트 프로브.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Ni-P 층의 바깥쪽에 상기 Ni-P 층과는 상이한 층을 추가로 구비하는, 콘택트 프로브.
KR1020180051167A 2017-05-25 2018-05-03 콘택트 프로브 KR102597115B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017104033A JP7005939B2 (ja) 2017-05-25 2017-05-25 コンタクトプローブ
JPJP-P-2017-104033 2017-05-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180129636A KR20180129636A (ko) 2018-12-05
KR102597115B1 true KR102597115B1 (ko) 2023-11-01

Family

ID=64401045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180051167A KR102597115B1 (ko) 2017-05-25 2018-05-03 콘택트 프로브

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10782317B2 (ko)
JP (1) JP7005939B2 (ko)
KR (1) KR102597115B1 (ko)
CN (2) CN115236369A (ko)
TW (1) TWI775857B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD847757S1 (en) * 2017-08-30 2019-05-07 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Probe pin
JP7101608B2 (ja) * 2018-12-21 2022-07-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2024071311A (ja) * 2022-11-14 2024-05-24 株式会社ヨコオ 電鋳バネの製造方法及び電鋳バネ

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090051382A1 (en) 2005-03-07 2009-02-26 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Probe for electrical test and electrical connecting apparatus using it
US20090160473A1 (en) 2007-12-21 2009-06-25 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Contactor for electrical test, electrical connecting apparatus using the same, and method for manufacturing contactor
JP2010174322A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Alps Electric Co Ltd 弾性接点及びその製造方法、ならびに、接点基板及びその製造方法
US20110115515A1 (en) 2009-11-19 2011-05-19 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Probe for electrical test, electrical connecting apparatus using the same, and method for manufacturing probe
JP2011117882A (ja) 2009-12-07 2011-06-16 Rika Denshi Co Ltd コンタクトプローブ
US20160146885A1 (en) 2014-11-26 2016-05-26 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Probe and contact inspection device
JP2016151060A (ja) 2015-02-19 2016-08-22 富士通株式会社 電子デバイス及びその製造方法
JP2018096944A (ja) 2016-12-16 2018-06-21 日本電産リード株式会社 コンタクトプローブ及び電気接続治具

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04237809A (ja) 1991-01-22 1992-08-26 Kobe Steel Ltd コイルバネ
JP2003142189A (ja) * 2001-11-05 2003-05-16 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｉｃソケット用コンタクトピン
JP3837434B2 (ja) 2003-06-20 2006-10-25 アルプス電気株式会社 接続装置
JP3795898B2 (ja) 2003-06-20 2006-07-12 アルプス電気株式会社 接続装置
JP2005332830A (ja) 2003-06-20 2005-12-02 Alps Electric Co Ltd 接続装置の製造方法
CN100441749C (zh) * 2004-10-29 2008-12-10 中国科学院兰州化学物理研究所 耐磨镍磷功能梯度镀层的制备方法
US7356920B2 (en) 2004-11-12 2008-04-15 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-machined structure production using encapsulation
JP2009094080A (ja) 2005-03-16 2009-04-30 Alps Electric Co Ltd 接触子の製造方法、ならびに前記接触子を用いた接続装置の製造方法
CN200981359Y (zh) * 2006-08-23 2007-11-28 中国第一汽车集团公司 钢铁工件上的双层镍磷合金层膜
JP2008066076A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方導電性シート，その形成方法，積層シート体および検査ユニット
WO2008155864A1 (ja) 2007-06-21 2008-12-24 Luzcom Inc. Ｎｉ電鋳製コイル状超微細スプリング及びコイル状スプリング構造を一部に備えているＮｉ電鋳パイプ並びにこれらの製造方法
KR20090034656A (ko) * 2007-10-04 2009-04-08 삼성전기주식회사 기판 및 그 제조방법
CN101684552A (zh) * 2008-09-26 2010-03-31 联鼎电子科技有限公司 无电镀镍的方法及由该方法制得的电路板
KR101017180B1 (ko) * 2008-12-30 2011-02-25 두산중공업 주식회사 스테인리스 스틸 분리판 및 그 코팅방법
JP2010281607A (ja) 2009-06-02 2010-12-16 Luzcom:Kk 基板検査用プローブ及び基板検査用治具
JP4572303B1 (ja) 2010-02-12 2010-11-04 株式会社ルス・コム 通電検査治具用接触子の製造方法及び、これにより製造した通電検査治具用接触子、並びにこれを備えている通電検査治具
JP2012042330A (ja) * 2010-08-19 2012-03-01 Micronics Japan Co Ltd プローブカードの製造方法
JP2012225865A (ja) 2011-04-22 2012-11-15 Shinshu Univ プローブ針の製造方法、プローブ針およびプローブ装置
CN102644067A (zh) * 2012-03-28 2012-08-22 广州鸿葳科技股份有限公司 一种化学镀双层Ni-P镀层的方法
JP6006793B2 (ja) 2012-06-25 2016-10-12 山一電機株式会社 電気テスト用コンタクトおよびそれを用いた電気テスト用ソケット
JP2014025737A (ja) 2012-07-25 2014-02-06 Nidec-Read Corp 検査用治具及び接触子
JP2014028343A (ja) 2012-07-31 2014-02-13 National Institute Of Advanced Industrial & Technology マイクロ反応器における外部配管の接合方法並びに該方法により接合された接合構造を有するマイクロ反応器、そのバンドル並びにモジュール構造
CN102773432B (zh) * 2012-08-01 2015-04-22 西峡龙成特种材料有限公司 一种镍磷合金镀层连铸结晶器铜板及其制备工艺
JP2015056532A (ja) * 2013-09-12 2015-03-23 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
KR101582634B1 (ko) * 2013-09-13 2016-01-08 한국기계연구원 프로브 모듈 및 프로브 모듈의 제조 방법
JP6484137B2 (ja) * 2014-11-26 2019-03-13 株式会社日本マイクロニクス プローブ及び接触検査装置
SG11201704433TA (en) * 2014-12-30 2017-07-28 Technoprobe Spa Contact probe for testing head
TWI567207B (zh) * 2015-03-31 2017-01-21 日本發條股份有限公司 合金材料、接觸探針及連接端子
KR101859388B1 (ko) * 2016-09-19 2018-06-28 피엠피(주) 수직 프로브 카드
KR101869044B1 (ko) * 2016-11-10 2018-07-19 윌테크놀러지(주) 스크럽 현상이 저감된 수직형 프로브 카드용 니들유닛 및 이를 이용한 프로브 카드
KR102015798B1 (ko) * 2016-11-21 2019-08-29 리노공업주식회사 검사장치용 프로브

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090051382A1 (en) 2005-03-07 2009-02-26 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Probe for electrical test and electrical connecting apparatus using it
US20090160473A1 (en) 2007-12-21 2009-06-25 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Contactor for electrical test, electrical connecting apparatus using the same, and method for manufacturing contactor
JP2010174322A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Alps Electric Co Ltd 弾性接点及びその製造方法、ならびに、接点基板及びその製造方法
US20110115515A1 (en) 2009-11-19 2011-05-19 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Probe for electrical test, electrical connecting apparatus using the same, and method for manufacturing probe
JP2011117882A (ja) 2009-12-07 2011-06-16 Rika Denshi Co Ltd コンタクトプローブ
US20160146885A1 (en) 2014-11-26 2016-05-26 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Probe and contact inspection device
JP2016151060A (ja) 2015-02-19 2016-08-22 富士通株式会社 電子デバイス及びその製造方法
JP2018096944A (ja) 2016-12-16 2018-06-21 日本電産リード株式会社 コンタクトプローブ及び電気接続治具

Also Published As

Publication number Publication date
CN108931673A (zh) 2018-12-04
US10782317B2 (en) 2020-09-22
KR20180129636A (ko) 2018-12-05
CN115236369A (zh) 2022-10-25
TWI775857B (zh) 2022-09-01
TW201901161A (zh) 2019-01-01
JP7005939B2 (ja) 2022-01-24
JP2018200194A (ja) 2018-12-20
US20180340960A1 (en) 2018-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102597115B1 (ko) 콘택트 프로브
JP6221031B1 (ja) コンタクトプローブ及び電気接続治具
KR101783382B1 (ko) 통전 검사 지그용 접촉자의 제조 방법 및 이것에 의해 제조한 통전 검사 지그용 접촉자 및 이것을 구비하고 있는 통전 검사 지그
KR101235228B1 (ko) 워크 부재, 전기 접점 부재, 콘택트 프로브 및 전기 접점 부재의 제조방법
TWI491883B (zh) 通電試驗用探針
US20020153913A1 (en) Probe for the probe card
US20150197834A1 (en) Ag-Pd-Cu-Co ALLOY FOR USES IN ELECTRICAL/ELECTRONIC DEVICES
CN103575939A (zh) 检查用工具以及接触器
US11408915B2 (en) Cylindrical body and method for producing same
JP2004093355A (ja) Ｐｄ合金系プローブピンおよびそれを用いたプローブピン装置
JP2010223852A (ja) 電気検査用プローブ及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法
KR20210100018A (ko) 클래드 와이어 및 클래드 와이어의 제조 방법
JP7008541B2 (ja) プローブ針
JPH1038918A (ja) プローブピン及びそれを有するコンタクター
KR20210121010A (ko) 플런저 및 컨택트 프로브
JP5614917B2 (ja) 金属プローブ
JP2016217919A (ja) プローブ
Tunaboylu Performance of Ni-alloy MEMS-probes coated with PdCo films in semiconductor wafer test
JP2011022051A (ja) プローブピン及びプローブピンの製造方法
JP2007232704A (ja) コンタクトプローブ
JP2005300391A (ja) 金属構造体およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant