KR102576991B1 - 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102576991B1
KR102576991B1 KR1020220050073A KR20220050073A KR102576991B1 KR 102576991 B1 KR102576991 B1 KR 102576991B1 KR 1020220050073 A KR1020220050073 A KR 1020220050073A KR 20220050073 A KR20220050073 A KR 20220050073A KR 102576991 B1 KR102576991 B1 KR 102576991B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
led chip
recess
substrate
electrode pad
Prior art date
Application number
KR1020220050073A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220060506A (ko
Inventor
배종성
김무겸
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020220050073A priority Critical patent/KR102576991B1/ko
Publication of KR20220060506A publication Critical patent/KR20220060506A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102576991B1 publication Critical patent/KR102576991B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/95053—Bonding environment
    • H01L2224/95085—Bonding environment being a liquid, e.g. for fluidic self-assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 일 측면에 따르면, (a) LED 칩을 베이스 기판에서 에칭하여 분리함; (b) 상기 LED 칩을 용액에 담금; (c) 제1 전극이 형성된 기판에 마이너스 전압을 인가하여 상기 용액에 담금; (d) 상기 LED 칩을 제1 전극에 안착시킴; 및 (e) 상기 용액에서 상기 LED 칩이 안착된 기판을 꺼내고 용액을 건조시킴;을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.

Description

표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법{Display apparatus and method of manufacturing the same}
본 발명의 실시예들은 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 만들어진 표시 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 PN 접합 다이오드에 순방향으로 전압을 인가하면 정공과 전자가 주입되고, 그 정공과 전자의 재결합으로 생기는 에너지를 빛 에너지로 변환시키는 반도체 소자이다.
무기 화합물을 이용하여 발광하는 무기 LED는 LCD TV의 백라이트, 조명, 전광판 등에 널리 사용되고 있고, 유기 화합물을 이용하여 발광하는 유기 LED는 최근 핸드폰과 같은 소형 전자기기로부터 대형 TV에 까지 사용되고 있다. 　
무기 LED는 유기 LED에 비하여 가격이 저렴하고, 더 밝고, 수명이 길지만, 유기 LED와 같이 박막 공정을 이용하여 플렉서블 기판 위에 직접 형성할 수 없는 문제가 있다. 본 발명의 실시예들은 무기 LED를 플렉서블 기판에 이송(transfer)하여 풀컬러(full color) 표시 장치를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, (a) LED 칩을 베이스 기판에서 에칭하여 분리함; (b) 상기 LED 칩을 용액에 담금; (c) 제1 전극이 형성된 기판에 마이너스 전압을 인가하여 상기 용액에 담금; (d) 상기 LED 칩을 제1 전극에 안착시킴; 및 (e) 상기 용액에서 상기 LED 칩이 안착된 기판을 꺼내고 용액을 건조시킴;을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 LED 칩은 제1 콘택 패드 및 제2 콘택 패드가 같은 방향으로 형성된 플립(flip) 칩일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 기판 상에 상기 제1 전극과 이격되고 절연된 제2 전극을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 전극에 제1 마이너스 전압을 인가하고, 상기 제2 전극에 제2 마이너스 전압을 인가할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 마이너스 전압 및 상기 제2 마이너스 전압은 직류로 인가할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 콘택 패드는 상기 제1 전극에 결합하고, 상기 제2 콘택 패드는 상기 제2 전극에 결합할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 (e) 공정 후에 상기 LED 칩을 봉지하는 공정을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 LED 칩을 하나씩 개별 봉지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 LED 칩 복수 개를 한번에 공통으로 봉지 할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 (e) 공정 뒤에, 상기 (d) 공정에서 상기 제1 전극에 안착된 LED 칩을 패시베이션으로 커버하고, 상기 (a)공정의 LED 칩이 방출하는 색과 다른 색을 방출하는 LED 칩을 이용하여 상기 (b) 내지 (e) 공정을 반복할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, (a) 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩을 각 베이스 기판에서 에칭하여 분리함; (b) 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩을 용액에 담금; (c) 상기 복수의 LED 칩의 형상에 대응되는, 서로 다른 형상을 가진 복수의 제1 전극이 형성된 기판에 마이너스 전압을 인가하여 상기 용액에 담금; (d) 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩을 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 제1 전극에 안착시킴; 및 (e) 상기 용액에서 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩이 안착된 기판을 꺼내고 용액을 건조시킴;을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩은 제1 콘택 패드 및 제2 콘택 패드가 같은 방향으로 형성된 플립 칩일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 기판 상에, 상기 복수의 제1 전극과 이격되고 절연된 복수의 제2 전극을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 기판 상에, 상기 복수의 제1 전극에 제1 마이너스 전압을 인가하고, 상기 복수의 제2 전극에 제2 마이너스 전압을 인가할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 마이너스 전압 및 상기 제2 마이너스 전압은 직류로 인가할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩의 제1 콘택 패드는 상기 제1 전극에 결합하고, 상기 제2 콘택 패드는 상기 제2 전극에 결합할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 (e) 공정 후에 상기 복수의 LED 칩을 봉지하는 공정을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 복수의 LED 칩을 하나씩 개별 봉지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 복수의 LED 칩을 한번에 공통으로 봉지할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 상술한 제조 방법으로 만들어진 표시 장치를 제공한다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
상술한 본 발명의 실시예에 따르면, 정전기력을 이용하여 LED의 이송 및 정렬을 비교적 간단하게 진행할 수 있다.
또한, LED 칩의 형상을 색에 따라 다르게 하고, 서로 다른 색의 LED 칩이 안착되는 영역의 기판의 형상을 LED 칩의 형상에 정합되도록 형성함으로써, 서로 다른 색의 LED 칩을 한번의 공정으로 기판에 안착시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법을 나타낸 플로우챠트이다.
도 2는 복수의 LED 칩(100)이 베이스 기판(101) 위에 형성된 모습을 도시한 단면도이다.
도 3은 어레이 기판(200)을 용액에 담그고, 상기 어레이 기판(200) 위로 복수의 LED 칩(100)을 투하하는 모습을 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3의 일부를 확대한 확대도이다.
도 5a 내지 도 5f는 풀컬러 LED 표시 장치를 제조하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제조 방법을 개략적으로 나타낸 플로우 챠트이다.
도 7a 내지 도 7d는 풀컬러 LED 표시 장치를 제조하는 다른 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 8은 녹색 LED 칩(700G)을 예를 도시한 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법을 개략적으로 나타낸 플로우 챠트이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, LED 칩을 베이스 기판에서 에칭하여 분리하고(10), 상기 LED 칩을 용액에 담그고(20), 제1 전극이 형성된 기판에 마이너스 전압을 인가하여 상기 용액에 담그고(30), 상기 LED 칩을 제1 전극에 안착시키고(40), 상기 용액에서 상기 LED 칩이 안착된 기판을 꺼내고 용액을 건조시키는 단계(50)를 포함한다.
도 2 내지 도 5f를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법을 보다 상세히 설명한다.
도 2는 복수의 LED 칩(100)이 베이스 기판(101) 위에 형성된 모습을 도시한 단면도이다.
베이스 기판(101)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(101)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
LED 칩(100)은 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(104), 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1 전극 패드(106) 및 제2 전극 패드(107)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(102), 활성층(103), 및 제2 반도체층(104)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
제1 반도체층(102)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2 반도체층(104)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(102)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(104)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.
활성층(103)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층(103)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
제1 반도체층(102)에는 제1 전극 패드(106)가 형성되고, 제2 반도체층(104)에는 제2 전극 패드(107)가 형성될 수 있다. 본 실시예의 LED 칩(100)은 제1 전극 패드(106)와 제2 전극 패드(017)는 같은 방향을 향해 배치된 수평형 또는 플립(flip)형이다.
베이스 기판(101) 위에 형성된 복수의 LED 칩(100)을 커팅 라인(CL1, CL2)을 따라 레이저 등을 이용하여 커팅하고, 레이저 리프트 오프 공정으로 복수의 LED 칩(100)을 베이스 기판(101)으로부터 분리 가능한 상태가 되도록 할 수 있다.
도 3은 어레이 기판(200)을 용액(301)에 담그고, 상기 어레이 기판(200) 위로 복수의 LED 칩(100)을 투하하는 모습을 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3의 일부를 확대한 확대도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 어레이 기판(200)은 기판(201) 상에 적어도 하나의 박막 트래지스터(TFT)를 구비한다. 상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에 평탄화층(205)이 형성될 수 있고, 평탄화층(205)에는 비아홀(210)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 제1 전극(211)이 형성될 수 있다. 또한, 어레이 기판(200)은 제1 전극(211)의 일부를 덮도록 배치되는 뱅크층(206)을 포함할 수 있다.
기판(201)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(201)은 유리 재질, 또는 플라스틱 재질로 형성될 수 있다.
기판(201) 상에 버퍼층(202)이 형성될 수 있다. 버퍼층(202)은 기판(201)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 기판(201)을 통하여 침투하는 것을 차단할 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(207), 게이트 전극(208), 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)을 포함할 수 있다. 이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(207), 게이트 전극(208), 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 적용될 수 있다.
활성층(207)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)등을 포함할 수 있다. 활성층(207)은 유기 반도체 물질, 산화물 반도체 물질 등을 함유할 수 있다.
활성층(207) 상에 게이트 절연막(203)이 형성된다. 게이트 절연막(203)의 상부에 게이트 전극(208)이 형성된다. 게이트 전극(208)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.
게이트 전극(208) 상에 층간 절연막(204)이 형성되고, 층간 절연막(204) 상에 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)이 형성된다.
박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 제1 전극(211)은 평탄화층(205) 상에 형성되고, 제2 전극(213)은 뱅크층(206) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(211)과 제2 전극(213)은 서로 이격되어 배치되어 있다.
어레이 기판(200)이 용액(301)에 잠겨 있는 상태에서, 제1 전극(211)에 제1 전압(V1)을 인가하고, 제2 전극(213)에 제2 전압(V2)을 인가한다. 제1 전압(V1) 및 제2 전압(V2)은 각각 마이너스 전압으로 직류로 인가한다.
제1 전극(211) 및 제2 전극(213)에 마이너스 직류 전압이 걸려 있기 때문에, 용액에 잠긴 LED 칩(200)의 자유 전자는 제1 전극(211) 및 제2 전극(213)에서 멀어지는 방향으로 이동하고, 정전기 유도 현상에 의해, 마이너스 전압이 걸린 제1 전극(211)과 제2 전극(213)에 가까운 LED 칩(100)의 영역은 상대적으로 플러스 전위가 유도된다. 즉, 제1 전극 패드(106) 및 제2 전극 패드(107)는 상대적으로 플러스 전위가 유도된다.
어레이 기판(200)의 제1 전극(211) 및 제2 전극(213)과, LED 칩(100)의 제1 전극 패드(106) 및 제2 전극 패드(107) 사이에 정전기력에 의한 인력이 작용하고, LED 칩(100)은 어레이 기판(200) 측으로 이동 할 수 있다.
이때, LED 칩(100)의 제1 전극 패드(106)와 제2 전극 패드(107)이 형상과 어레이 기판(200)의 제1 전극(211) 및 제2 전극(213)이 정합되는 형상이기 때문에, LED 칩(100)의 제1 전극 패드(106)는 어레이 기판(200)의 제1 전극(211)에, LED 칩(100)의 제2 전극 패드(107)은 어레이 기판(200)의 제2 전극(213)에 연결된다.
도 5a 내지 도 5f는 풀컬러 LED 표시 장치를 제조하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다. 도 5a 내지 도 5f는 전술한 도 3 및 4에서 설명한 공정을 복수 회 반복하는 공정이다.
도 5a를 참조하면, 적색 발광 LED 칩(100R)이 어레이 기판(200)에 정렬되어 있다. 적색 발광 LED 칩(100R)는 전술한 도 3 및 도 4의 공저에 의해 어레이 기판(200)에 정렬된 것으로 간주한다.
도 5b를 참조하면, 적색 발광 LED 칩(100R)을 페시베이션막(401)으로 커버하고, 녹색 발광 LED 칩(100G, 도 5c 참조)이 놓일 영역에 리세스(402)를 형성한다.
도 5b에는 상세히 도시되어 있지 않으나, 리세스(402)에는 박막 트랜지스터에 연결된 제1 전극(미도시)과, 제1 전극에 이격된 제2 전극(미도시)이 녹색 발광 LED 칩(100G)의 형상에 정합되도록 형성되어 있다.
제1 전극(미도시)과 제2 전극(미도시)에 각각 마이너스 전압을 인가하고, 도 2와 같은 방법으로 베이스 기판(101)에서 분리된 녹색 발광 LED 칩(100G)을 용액이 담긴 용기에 투하한다.
도 5c를 참조하면, 녹색 발광 LED 칩(100G)가 리세스(402)에 정합된다.
도 5d를 참조하면, 적색 발광 LED 칩(100R)와 녹색 발광 LED 칩(100G)를 페시베이션막(403)으로 커버하고, 청색 발광 LED 칩(100B, 도 5e 참조)이 놓일 영역에 리세스(404)를 형성한다.
도 5d에는 상세히 도시되어 있지 않으나, 리세스(404)에는 박막 트랜지스터에 연결된 제1 전극(미도시)과, 제1 전극에 이격된 제2 전극(미도시)이 청색 발광 LED 칩(100B)의 형상에 정합되도록 형성되어 있다.
제1 전극(미도시)과 제2 전극(미도시)에 각각 마이너스 전압을 인가하고, 청색 발광 LED 칩(100B)에 용액에 투하한다.
도 5e를 참조하면, 청색 발광 LED 칩(100B)이 리세스(404)에 정합된다.
도 5f를 참조하면, LED 칩(100)과 어레이 기판(200)의 정렬이 끝난 후, 복수의 각 LED 칩(100R, 100G, 100B)에 봉지 부재(500)를 형성하는 봉지 공정을 진행한다.
도 5f에는 각 LED 칩(100R, 100G, 100B)을 개별 봉지하는 실시예를 도시하였으나 각 LED 칩(100R, 100G, 100B) 전부를 한번에 공통으로 형성 할 수 있다.
이로써 LED를 포함하는 풀컬러 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제조 방법을 개략적으로 나타낸 플로우 챠트이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩을 각 베이스 기판에서 에칭하여 분리하고(11), 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩을 용액에 담그고(21), 상기 복수의 LED 칩의 형상에 대응되는, 서로 다른 형상을 가진 복수의 제1 전극이 형성된 기판에 마이너스 전압을 인가하여 상기 용액에 담그고(31), 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩을 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 제1 전극에 안착시키고(41), 상기 용액에서 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩이 안착된 기판을 꺼내고 용액을 건조시키는 단계(51)를 포함한다.
본 실시예에서는 전술한 실시예와 비교할 때 풀컬러를 구현하기 위해 복수의 에칭/이송/접합 공정을 반복하는 것이 아니라, 한번의 에칭/이송/접합 공정으로 구현할 수 있다.
도 7a 내지 도 7d는 풀컬러 LED 표시 장치를 제조하는 다른 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 7a를 참조하면, 본 실시예에서는 서로 다른 형상을 갖는 복수의 리세스(601, 602, 603)가 형성된 어레이 기판(600)을 도시하고 있다.
도 7b를 참조하면, 상술한 도 7a의 어레이 기판(600)을 용액(301)이 담긴 용기(300)에 넣고, 복수의 적색 LED 칩(700R), 복수의 녹색 LED 칩(700G), 및 복수의 청색 LED 칩(700B)을 용액(301)이 담긴 용기(300)에 넣는다.
상기 도면에는 상세히 도시되어 있지 않으나, 각 리세스(601, 602, 603)에는 박막 트랜지스터에 연결된 제1 전극(미도시)과 제1 전극과 이격된 제2 전극(미도시)이 형성되어 있고, 각 리세스에 형성된 제1 전극(미도시)과 제2 전극(미도시)에 각각 마이너스 직류 전압이 인가되고 있다.
도 8은 녹색 LED 칩(700G)을 예를 도시한 도면이다. 도 8을 참조하면, 녹색 LED 칩(700G)의 제1 전극 패드(701)는 돌출되어 있고, 제2 전극 패드(702)는 수평으로 이격되어 약간 뒤로 후퇴되어 있다.
대응되는 어레이 기판(600)의 리세스(602)에는 제1 전극(604)과 제2 전극(605)이 녹색 LED 칩(700G)의 제1 전극 패드(604) 및 제2 전극 패드(605)에 정합되는 형상으로 형성되어 있다.
제1 전극(604)과 제2 전극(605)에 마이너스 직류 전압이 흐르고, 녹색 LED 칩(700G)의 제1 전극 패드(604) 및 제2 전극 패드(605)에 플러스 전하가 유도되어, 어레이 기판(600)의 제1 전극(604) 및 제2 전극(605)과, 녹색 LED 칩(700G)의 제1 전극 패드(701) 및 제2 전극 패드(702) 사이에 정전기력에 의한 인력이 작용하고, 녹색 LED 칩(700G)은 어레이 기판(600) 측으로 이동 할 수 있다.
도 7c를 참조하면, 복수의 적색 LED 칩(700R), 녹색 LED 칩(700G), 및 청색 LED 칩(700B)가 한번의 정전기 유도 공정에서 어레이 기판(600)에 정합된다.
도 7d를 참조하면, 복수의 LED 칩(100)과 어레이 기판(600)의 정렬이 끝난 후, 복수의 각 LED 칩(700R, 700G, 700B)에 봉지 부재(800)를 형성하는 봉지 공정을 진행한다.
도 7f에는 각 LED 칩(700R, 700G, 700B)을 개별 봉지하는 실시예를 도시하였으나 각 LED 칩(700R, 700G, 700B) 전부를 한번에 공통으로 형성 할 수 있다.
이로써 LED를 포함하는 풀컬러 표시 장치를 한번의 정전기 유도 공정으로 제조할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: LED 칩
101: 베이스 기판
102: 제1 반도체층
103: 활성층
104: 제2 반도체층
106: 제1 전극 패드
107: 제2 전극 패드
300: 용기
301: 용액
401: 페시베이션막
500: 봉지 부재

Claims (11)

  1. 제1 리세스 및 제2 리세스를 포함하는 기판;
    제1 색을 방출하고 상기 제1 리세스에 실장된 제1 LED칩;
    상기 제1 색과 다른 제2 색을 방출하고, 상기 제2 리세스에 실장된 제2 LED칩; 및
    상기 제1 LED 칩 및 상기 제2 LED칩을 봉지하는 봉지부재;를 포함하며,
    상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스 각각에는 제1 전극과 제2 전극이 서로 이격되어 배치되고, 상기 제2 전극은 상기 기판의 저면에 대해 상기 제1 전극보다 멀리 배치되며,
    상기 제1 LED칩 및 상기 제2 LED칩은 각각 서로 이격되어 배치된 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드를 포함하고, 상기 제2 전극 패드는 상기 기판의 저면에 대해 상기 제1 전극 패드보다 멀리 배치된, 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스는 동일한 형상인 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스는 서로 다른 형상인 표시장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 제1 전극 패드와 콘택하고,
    상기 제2 전극은 상기 제2 전극 패드와 콘택하는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제1 및 제2 리세스 사이에 배치된 박막트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나는 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터와 상기 제1 전극 사이에 배치되고 상기 제1 전극의 가장자리를 커버하는 뱅크를 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 봉지부재는 상기 제1 LED칩 및 상기 제2 LED칩 각각을 개별적으로 봉지하는 표시장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 봉지부재는 상기 제1 LED칩 및 상기 제2 LED칩 전체를 공통으로 봉지하는 표시장치.
  11. 제1 리세스, 제2 리세스 및 제3 리세스를 포함하는 기판;
    상기 제1 리세스에 실장된 제1 LED칩;
    상기 제2 리세스에 실장된 제2 LED칩;
    상기 제3 리세스에 실장된 제3 LED칩; 및
    상기 제1 LED 칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩을 봉지하는 봉지부재;를 포함하고,
    상기 제1 LED칩은 제1 색을 방출하고,
    상기 제2 LED칩은 상기 제1 색과 다른 제2 색을 방출하고,
    상기 제3 LED칩은 상기 제1 및 제2 색과 다른 제3 색을 방출하고,
    상기 제1, 제2, 및 제3 색을 혼합하면 백색이 방출되고,
    상기 제1 내지 제3 리세스 각각에는 제1 전극과 제2 전극이 서로 이격되어 배치되고, 상기 제2 전극은 상기 기판의 저면에 대해 상기 제1 전극보다 멀리 배치되며,
    상기 제1 내지 제3 LED칩은 각각 서로 이격되어 배치된 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드를 포함하고, 상기 제2 전극 패드는 상기 기판의 저면에 대해 상기 제1 전극 패드보다 멀리 배치된, 표시장치.
KR1020220050073A 2015-08-31 2022-04-22 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법 KR102576991B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220050073A KR102576991B1 (ko) 2015-08-31 2022-04-22 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150123194A KR102393374B1 (ko) 2015-08-31 2015-08-31 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법
KR1020220050073A KR102576991B1 (ko) 2015-08-31 2022-04-22 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150123194A Division KR102393374B1 (ko) 2015-08-31 2015-08-31 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220060506A KR20220060506A (ko) 2022-05-11
KR102576991B1 true KR102576991B1 (ko) 2023-09-12

Family

ID=58095844

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150123194A KR102393374B1 (ko) 2015-08-31 2015-08-31 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법
KR1020220050073A KR102576991B1 (ko) 2015-08-31 2022-04-22 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150123194A KR102393374B1 (ko) 2015-08-31 2015-08-31 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9911764B2 (ko)
KR (2) KR102393374B1 (ko)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10516084B2 (en) 2014-10-31 2019-12-24 eLux, Inc. Encapsulated fluid assembly emissive elements
US11251166B2 (en) * 2014-10-31 2022-02-15 eLux, Inc. Fluidic assembly emissive display using axial light emitting diodes (LEDs)
US11908841B2 (en) * 2014-10-31 2024-02-20 eLux, Inc. Back emission display
US11145787B2 (en) * 2014-10-31 2021-10-12 eLux, Inc. System and method for light emitting diode (LED) display repair
US20170095582A1 (en) * 2015-10-01 2017-04-06 Sensor Electronic Technology, Inc. Integrated Flip Chip Device Array
US10593657B2 (en) * 2016-11-01 2020-03-17 Innolux Corporation Display devices and methods for forming the same
KR102060471B1 (ko) * 2017-02-01 2019-12-30 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US10361337B2 (en) * 2017-08-18 2019-07-23 Intel Corporation Micro light-emitting diode (LED) display and fluidic self-assembly of same
CN109727880A (zh) * 2017-10-30 2019-05-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒的检测方法
CN110494993B (zh) 2018-03-14 2022-12-16 京东方科技集团股份有限公司 将多个微型发光二极管转移至目标基板的方法、阵列基板及其显示设备
EP3547368B1 (en) * 2018-03-29 2021-01-13 InnoLux Corporation Electronic device
CN113410218A (zh) * 2018-03-29 2021-09-17 群创光电股份有限公司 电子装置
KR102685403B1 (ko) * 2018-10-11 2024-07-18 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
KR102657129B1 (ko) * 2018-10-11 2024-04-16 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
KR20200099037A (ko) * 2019-02-13 2020-08-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN110034061B (zh) * 2019-04-24 2021-05-14 京东方科技集团股份有限公司 芯片转移方法、芯片及目标基板
CN110289279B (zh) * 2019-06-04 2021-09-24 上海天马微电子有限公司 一种转移方法、阵列基板、其制作方法及显示装置
WO2020251070A1 (ko) * 2019-06-11 2020-12-17 엘지전자 주식회사 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN110349989B (zh) * 2019-07-17 2022-05-03 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管、显示基板和转移方法
KR20190092330A (ko) * 2019-07-19 2019-08-07 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
TWI736982B (zh) * 2019-09-17 2021-08-21 李蕙如 主動式rgb發光二極體像素元件
CN110611018A (zh) * 2019-10-21 2019-12-24 深圳市思坦科技有限公司 Led芯片的转移方法、基板及系统
CN112489570B (zh) * 2019-12-26 2022-09-09 伊乐视有限公司 具有发光元件修复界面的显示屏及其修复方法
KR20200026838A (ko) * 2020-01-08 2020-03-11 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20200023316A (ko) * 2020-01-16 2020-03-04 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
TWI726648B (zh) * 2020-03-09 2021-05-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板及其製造方法
CN113394153B (zh) * 2020-03-13 2024-03-15 东莞市中麒光电技术有限公司 Led芯片的混晶方法
CN112992754B (zh) * 2020-05-22 2022-02-25 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种巨量转移装置及其转移方法
WO2021243615A1 (zh) 2020-06-03 2021-12-09 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微型发光二极管巨量转移装置及方法
CN112967972B (zh) * 2020-06-03 2022-03-25 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微型发光二极管巨量转移装置及方法
CN112002792B (zh) * 2020-07-06 2022-02-22 深圳市隆利科技股份有限公司 一种电泳组装制备led显示器的方法
KR20220021325A (ko) * 2020-08-13 2022-02-22 삼성전자주식회사 마이크로 발광소자 정렬 방법 및 디스플레이 전사 구조물
CN112289907A (zh) * 2020-09-11 2021-01-29 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 一种快速且精淮的芯片巨量转移工艺
US20220285188A1 (en) * 2021-03-02 2022-09-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Display transfer structure including light emitting elements and transferring method of light emitting elements
CN113178513B (zh) * 2021-04-29 2023-01-03 上海天马微电子有限公司 一种发光器件、显示面板和显示装置
EP4443507A1 (en) * 2021-12-08 2024-10-09 LG Electronics Inc. Display device comprising semiconductor light emitting element
WO2023113198A1 (ko) * 2021-12-14 2023-06-22 (주)랩엔트 유체를 마이크로 ｌｅｄ의 소프트 랜딩 매개로 이용하여 마이크로 ｌｅｄ를 디스플레이에 조립하는 방법
KR20240136968A (ko) * 2022-01-19 2024-09-19 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
WO2024085288A1 (ko) * 2022-10-21 2024-04-25 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012069308A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Sharp Corp Ｌｅｄ駆動回路、ｌｅｄ照明灯具、ｌｅｄ照明機器並びにｌｅｄ照明システム
US20120098505A1 (en) * 2008-03-25 2012-04-26 Microsemi Corporation Phase-cut dimming circuit
JP2013033651A (ja) * 2011-08-02 2013-02-14 Rohm Co Ltd 発光体駆動装置及びこれを用いた照明機器
JP2013065487A (ja) * 2011-09-20 2013-04-11 Hitachi Appliances Inc Ｌｅｄ点灯装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
AU4139101A (en) 1999-12-03 2001-06-12 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
JP3906653B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP3693051B2 (ja) * 2001-12-20 2005-09-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の輝度設計方法と電気光学装置の輝度設計プログラム、及び電子機器
US7732233B2 (en) * 2006-07-24 2010-06-08 Touch Micro-System Technology Corp. Method for making light emitting diode chip package
KR101396588B1 (ko) * 2007-03-19 2014-05-20 서울반도체 주식회사 다양한 색온도를 갖는 발광 장치
CN101771025A (zh) * 2008-12-26 2010-07-07 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管
KR101809472B1 (ko) * 2009-01-14 2018-01-18 삼성전자주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 장치
US20100181582A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
KR20100087932A (ko) * 2009-01-29 2010-08-06 삼성전기주식회사 자기 조립 단분자막을 이용한 다이 어태치 방법 및 자기 조립 단분자막을 이용하여 다이가 어태치된 패키지 기판
US9329433B2 (en) * 2010-03-12 2016-05-03 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device manufacturing method, light-emitting device, lighting device, backlight, liquid-crystal panel, display device, display device manufacturing method, display device drive method and liquid-crystal display device
JP2011198697A (ja) 2010-03-23 2011-10-06 Sharp Corp 発光装置、発光装置の製造方法、照明装置およびバックライト
US9281451B2 (en) * 2012-02-17 2016-03-08 Industrial Technology Research Institute Light emitting element and fabricating method thereof
KR20140059627A (ko) * 2012-11-08 2014-05-16 서울반도체 주식회사 교류 ｌｅｄ 구동 및 조광 제어장치와 그 방법
US9583466B2 (en) 2013-12-27 2017-02-28 Apple Inc. Etch removal of current distribution layer for LED current confinement

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120098505A1 (en) * 2008-03-25 2012-04-26 Microsemi Corporation Phase-cut dimming circuit
JP2012069308A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Sharp Corp Ｌｅｄ駆動回路、ｌｅｄ照明灯具、ｌｅｄ照明機器並びにｌｅｄ照明システム
JP2013033651A (ja) * 2011-08-02 2013-02-14 Rohm Co Ltd 発光体駆動装置及びこれを用いた照明機器
JP2013065487A (ja) * 2011-09-20 2013-04-11 Hitachi Appliances Inc Ｌｅｄ点灯装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170062492A1 (en) 2017-03-02
KR20220060506A (ko) 2022-05-11
US20180197899A1 (en) 2018-07-12
US10453875B2 (en) 2019-10-22
KR102393374B1 (ko) 2022-05-03
KR20170026956A (ko) 2017-03-09
US9911764B2 (en) 2018-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102576991B1 (ko) 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법
CN103579429B (zh) 发光器件
KR101979944B1 (ko) 발광소자
US10109658B2 (en) LED chip mounting apparatus and method of manufacturing display apparatus by using the LED chip mounting apparatus
CN105679902A (zh) 微型发光二极管
EP2804226B1 (en) Light emitting device
KR20090010623A (ko) 발광다이오드 소자
US8829538B2 (en) Light emitting device package
KR20140144549A (ko) 발광소자
CN102623481B (zh) 发光器件及其制造方法
US20130320293A1 (en) Semiconductor light emitting device package and method of manufacturing the same
KR101283233B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
KR102548860B1 (ko) 디스플레이 장치 제조 방법
KR20160003378A (ko) 발광구조물 및 이를 포함하는 발광소자
KR102113104B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR101983292B1 (ko) 발광소자
US20230125745A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
KR20170109904A (ko) 발광소자 및 조명장치
KR102520536B1 (ko) 반도체 소자, 이를 포함하는 표시패널, 표시장치, 통신장치
KR20160121837A (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR102175315B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR20150006631A (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR20230114562A (ko) 마이크로 발광소자
KR20150140938A (ko) 발광소자 및 발광 소자 패키지
CN116247071A (zh) 集成光电器件和电子器件的半导体器件及其集成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant