KR20220060506A - 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 측면에 따르면, (a) LED 칩을 베이스 기판에서 에칭하여 분리함; (b) 상기 LED 칩을 용액에 담금; (c) 제1 전극이 형성된 기판에 마이너스 전압을 인가하여 상기 용액에 담금; (d) 상기 LED 칩을 제1 전극에 안착시킴; 및 (e) 상기 용액에서 상기 LED 칩이 안착된 기판을 꺼내고 용액을 건조시킴;을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.

Description

표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법{Display apparatus and method of manufacturing the same}
본 발명의 실시예들은 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 만들어진 표시 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 PN 접합 다이오드에 순방향으로 전압을 인가하면 정공과 전자가 주입되고, 그 정공과 전자의 재결합으로 생기는 에너지를 빛 에너지로 변환시키는 반도체 소자이다.
무기 화합물을 이용하여 발광하는 무기 LED는 LCD TV의 백라이트, 조명, 전광판 등에 널리 사용되고 있고, 유기 화합물을 이용하여 발광하는 유기 LED는 최근 핸드폰과 같은 소형 전자기기로부터 대형 TV에 까지 사용되고 있다. 　
무기 LED는 유기 LED에 비하여 가격이 저렴하고, 더 밝고, 수명이 길지만, 유기 LED와 같이 박막 공정을 이용하여 플렉서블 기판 위에 직접 형성할 수 없는 문제가 있다. 본 발명의 실시예들은 무기 LED를 플렉서블 기판에 이송(transfer)하여 풀컬러(full color) 표시 장치를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, (a) LED 칩을 베이스 기판에서 에칭하여 분리함; (b) 상기 LED 칩을 용액에 담금; (c) 제1 전극이 형성된 기판에 마이너스 전압을 인가하여 상기 용액에 담금; (d) 상기 LED 칩을 제1 전극에 안착시킴; 및 (e) 상기 용액에서 상기 LED 칩이 안착된 기판을 꺼내고 용액을 건조시킴;을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 LED 칩은 제1 콘택 패드 및 제2 콘택 패드가 같은 방향으로 형성된 플립(flip) 칩일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 기판 상에 상기 제1 전극과 이격되고 절연된 제2 전극을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 전극에 제1 마이너스 전압을 인가하고, 상기 제2 전극에 제2 마이너스 전압을 인가할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 마이너스 전압 및 상기 제2 마이너스 전압은 직류로 인가할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 콘택 패드는 상기 제1 전극에 결합하고, 상기 제2 콘택 패드는 상기 제2 전극에 결합할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 (e) 공정 후에 상기 LED 칩을 봉지하는 공정을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 LED 칩을 하나씩 개별 봉지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 LED 칩 복수 개를 한번에 공통으로 봉지 할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 (e) 공정 뒤에, 상기 (d) 공정에서 상기 제1 전극에 안착된 LED 칩을 패시베이션으로 커버하고, 상기 (a)공정의 LED 칩이 방출하는 색과 다른 색을 방출하는 LED 칩을 이용하여 상기 (b) 내지 (e) 공정을 반복할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, (a) 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩을 각 베이스 기판에서 에칭하여 분리함; (b) 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩을 용액에 담금; (c) 상기 복수의 LED 칩의 형상에 대응되는, 서로 다른 형상을 가진 복수의 제1 전극이 형성된 기판에 마이너스 전압을 인가하여 상기 용액에 담금; (d) 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩을 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 제1 전극에 안착시킴; 및 (e) 상기 용액에서 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩이 안착된 기판을 꺼내고 용액을 건조시킴;을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩은 제1 콘택 패드 및 제2 콘택 패드가 같은 방향으로 형성된 플립 칩일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 기판 상에, 상기 복수의 제1 전극과 이격되고 절연된 복수의 제2 전극을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 기판 상에, 상기 복수의 제1 전극에 제1 마이너스 전압을 인가하고, 상기 복수의 제2 전극에 제2 마이너스 전압을 인가할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 마이너스 전압 및 상기 제2 마이너스 전압은 직류로 인가할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩의 제1 콘택 패드는 상기 제1 전극에 결합하고, 상기 제2 콘택 패드는 상기 제2 전극에 결합할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 (e) 공정 후에 상기 복수의 LED 칩을 봉지하는 공정을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 복수의 LED 칩을 하나씩 개별 봉지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 복수의 LED 칩을 한번에 공통으로 봉지할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 상술한 제조 방법으로 만들어진 표시 장치를 제공한다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
상술한 본 발명의 실시예에 따르면, 정전기력을 이용하여 LED의 이송 및 정렬을 비교적 간단하게 진행할 수 있다.
또한, LED 칩의 형상을 색에 따라 다르게 하고, 서로 다른 색의 LED 칩이 안착되는 영역의 기판의 형상을 LED 칩의 형상에 정합되도록 형성함으로써, 서로 다른 색의 LED 칩을 한번의 공정으로 기판에 안착시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법을 나타낸 플로우챠트이다.
도 2는 복수의 LED 칩(100)이 베이스 기판(101) 위에 형성된 모습을 도시한 단면도이다.
도 3은 어레이 기판(200)을 용액에 담그고, 상기 어레이 기판(200) 위로 복수의 LED 칩(100)을 투하하는 모습을 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3의 일부를 확대한 확대도이다.
도 5a 내지 도 5f는 풀컬러 LED 표시 장치를 제조하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제조 방법을 개략적으로 나타낸 플로우 챠트이다.
도 7a 내지 도 7d는 풀컬러 LED 표시 장치를 제조하는 다른 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 8은 녹색 LED 칩(700G)을 예를 도시한 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법을 개략적으로 나타낸 플로우 챠트이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, LED 칩을 베이스 기판에서 에칭하여 분리하고(10), 상기 LED 칩을 용액에 담그고(20), 제1 전극이 형성된 기판에 마이너스 전압을 인가하여 상기 용액에 담그고(30), 상기 LED 칩을 제1 전극에 안착시키고(40), 상기 용액에서 상기 LED 칩이 안착된 기판을 꺼내고 용액을 건조시키는 단계(50)를 포함한다.
도 2 내지 도 5f를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법을 보다 상세히 설명한다.
도 2는 복수의 LED 칩(100)이 베이스 기판(101) 위에 형성된 모습을 도시한 단면도이다.
베이스 기판(101)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(101)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
LED 칩(100)은 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(104), 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1 전극 패드(106) 및 제2 전극 패드(107)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(102), 활성층(103), 및 제2 반도체층(104)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
제1 반도체층(102)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2 반도체층(104)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(102)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(104)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.
활성층(103)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층(103)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
제1 반도체층(102)에는 제1 전극 패드(106)가 형성되고, 제2 반도체층(104)에는 제2 전극 패드(107)가 형성될 수 있다. 본 실시예의 LED 칩(100)은 제1 전극 패드(106)와 제2 전극 패드(017)는 같은 방향을 향해 배치된 수평형 또는 플립(flip)형이다.
베이스 기판(101) 위에 형성된 복수의 LED 칩(100)을 커팅 라인(CL1, CL2)을 따라 레이저 등을 이용하여 커팅하고, 레이저 리프트 오프 공정으로 복수의 LED 칩(100)을 베이스 기판(101)으로부터 분리 가능한 상태가 되도록 할 수 있다.
도 3은 어레이 기판(200)을 용액(301)에 담그고, 상기 어레이 기판(200) 위로 복수의 LED 칩(100)을 투하하는 모습을 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3의 일부를 확대한 확대도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 어레이 기판(200)은 기판(201) 상에 적어도 하나의 박막 트래지스터(TFT)를 구비한다. 상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에 평탄화층(205)이 형성될 수 있고, 평탄화층(205)에는 비아홀(210)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 제1 전극(211)이 형성될 수 있다. 또한, 어레이 기판(200)은 제1 전극(211)의 일부를 덮도록 배치되는 뱅크층(206)을 포함할 수 있다.
기판(201)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(201)은 유리 재질, 또는 플라스틱 재질로 형성될 수 있다.
기판(201) 상에 버퍼층(202)이 형성될 수 있다. 버퍼층(202)은 기판(201)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 기판(201)을 통하여 침투하는 것을 차단할 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(207), 게이트 전극(208), 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)을 포함할 수 있다. 이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(207), 게이트 전극(208), 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 적용될 수 있다.
활성층(207)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)등을 포함할 수 있다. 활성층(207)은 유기 반도체 물질, 산화물 반도체 물질 등을 함유할 수 있다.
활성층(207) 상에 게이트 절연막(203)이 형성된다. 게이트 절연막(203)의 상부에 게이트 전극(208)이 형성된다. 게이트 전극(208)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.
게이트 전극(208) 상에 층간 절연막(204)이 형성되고, 층간 절연막(204) 상에 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)이 형성된다.
박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 제1 전극(211)은 평탄화층(205) 상에 형성되고, 제2 전극(213)은 뱅크층(206) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(211)과 제2 전극(213)은 서로 이격되어 배치되어 있다.
어레이 기판(200)이 용액(301)에 잠겨 있는 상태에서, 제1 전극(211)에 제1 전압(V1)을 인가하고, 제2 전극(213)에 제2 전압(V2)을 인가한다. 제1 전압(V1) 및 제2 전압(V2)은 각각 마이너스 전압으로 직류로 인가한다.
제1 전극(211) 및 제2 전극(213)에 마이너스 직류 전압이 걸려 있기 때문에, 용액에 잠긴 LED 칩(200)의 자유 전자는 제1 전극(211) 및 제2 전극(213)에서 멀어지는 방향으로 이동하고, 정전기 유도 현상에 의해, 마이너스 전압이 걸린 제1 전극(211)과 제2 전극(213)에 가까운 LED 칩(100)의 영역은 상대적으로 플러스 전위가 유도된다. 즉, 제1 전극 패드(106) 및 제2 전극 패드(107)는 상대적으로 플러스 전위가 유도된다.
어레이 기판(200)의 제1 전극(211) 및 제2 전극(213)과, LED 칩(100)의 제1 전극 패드(106) 및 제2 전극 패드(107) 사이에 정전기력에 의한 인력이 작용하고, LED 칩(100)은 어레이 기판(200) 측으로 이동 할 수 있다.
이때, LED 칩(100)의 제1 전극 패드(106)와 제2 전극 패드(107)이 형상과 어레이 기판(200)의 제1 전극(211) 및 제2 전극(213)이 정합되는 형상이기 때문에, LED 칩(100)의 제1 전극 패드(106)는 어레이 기판(200)의 제1 전극(211)에, LED 칩(100)의 제2 전극 패드(107)은 어레이 기판(200)의 제2 전극(213)에 연결된다.
도 5a 내지 도 5f는 풀컬러 LED 표시 장치를 제조하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다. 도 5a 내지 도 5f는 전술한 도 3 및 4에서 설명한 공정을 복수 회 반복하는 공정이다.
도 5a를 참조하면, 적색 발광 LED 칩(100R)이 어레이 기판(200)에 정렬되어 있다. 적색 발광 LED 칩(100R)는 전술한 도 3 및 도 4의 공저에 의해 어레이 기판(200)에 정렬된 것으로 간주한다.
도 5b를 참조하면, 적색 발광 LED 칩(100R)을 페시베이션막(401)으로 커버하고, 녹색 발광 LED 칩(100G, 도 5c 참조)이 놓일 영역에 리세스(402)를 형성한다.
도 5b에는 상세히 도시되어 있지 않으나, 리세스(402)에는 박막 트랜지스터에 연결된 제1 전극(미도시)과, 제1 전극에 이격된 제2 전극(미도시)이 녹색 발광 LED 칩(100G)의 형상에 정합되도록 형성되어 있다.
제1 전극(미도시)과 제2 전극(미도시)에 각각 마이너스 전압을 인가하고, 도 2와 같은 방법으로 베이스 기판(101)에서 분리된 녹색 발광 LED 칩(100G)을 용액이 담긴 용기에 투하한다.
도 5c를 참조하면, 녹색 발광 LED 칩(100G)가 리세스(402)에 정합된다.
도 5d를 참조하면, 적색 발광 LED 칩(100R)와 녹색 발광 LED 칩(100G)를 페시베이션막(403)으로 커버하고, 청색 발광 LED 칩(100B, 도 5e 참조)이 놓일 영역에 리세스(404)를 형성한다.
도 5d에는 상세히 도시되어 있지 않으나, 리세스(404)에는 박막 트랜지스터에 연결된 제1 전극(미도시)과, 제1 전극에 이격된 제2 전극(미도시)이 청색 발광 LED 칩(100B)의 형상에 정합되도록 형성되어 있다.
제1 전극(미도시)과 제2 전극(미도시)에 각각 마이너스 전압을 인가하고, 청색 발광 LED 칩(100B)에 용액에 투하한다.
도 5e를 참조하면, 청색 발광 LED 칩(100B)이 리세스(404)에 정합된다.
도 5f를 참조하면, LED 칩(100)과 어레이 기판(200)의 정렬이 끝난 후, 복수의 각 LED 칩(100R, 100G, 100B)에 봉지 부재(500)를 형성하는 봉지 공정을 진행한다.
도 5f에는 각 LED 칩(100R, 100G, 100B)을 개별 봉지하는 실시예를 도시하였으나 각 LED 칩(100R, 100G, 100B) 전부를 한번에 공통으로 형성 할 수 있다.
이로써 LED를 포함하는 풀컬러 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제조 방법을 개략적으로 나타낸 플로우 챠트이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩을 각 베이스 기판에서 에칭하여 분리하고(11), 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩을 용액에 담그고(21), 상기 복수의 LED 칩의 형상에 대응되는, 서로 다른 형상을 가진 복수의 제1 전극이 형성된 기판에 마이너스 전압을 인가하여 상기 용액에 담그고(31), 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩을 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 제1 전극에 안착시키고(41), 상기 용액에서 상기 서로 다른 형상을 가진 복수의 LED 칩이 안착된 기판을 꺼내고 용액을 건조시키는 단계(51)를 포함한다.
본 실시예에서는 전술한 실시예와 비교할 때 풀컬러를 구현하기 위해 복수의 에칭/이송/접합 공정을 반복하는 것이 아니라, 한번의 에칭/이송/접합 공정으로 구현할 수 있다.
도 7a 내지 도 7d는 풀컬러 LED 표시 장치를 제조하는 다른 공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 7a를 참조하면, 본 실시예에서는 서로 다른 형상을 갖는 복수의 리세스(601, 602, 603)가 형성된 어레이 기판(600)을 도시하고 있다.
도 7b를 참조하면, 상술한 도 7a의 어레이 기판(600)을 용액(301)이 담긴 용기(300)에 넣고, 복수의 적색 LED 칩(700R), 복수의 녹색 LED 칩(700G), 및 복수의 청색 LED 칩(700B)을 용액(301)이 담긴 용기(300)에 넣는다.
상기 도면에는 상세히 도시되어 있지 않으나, 각 리세스(601, 602, 603)에는 박막 트랜지스터에 연결된 제1 전극(미도시)과 제1 전극과 이격된 제2 전극(미도시)이 형성되어 있고, 각 리세스에 형성된 제1 전극(미도시)과 제2 전극(미도시)에 각각 마이너스 직류 전압이 인가되고 있다.
도 8은 녹색 LED 칩(700G)을 예를 도시한 도면이다. 도 8을 참조하면, 녹색 LED 칩(700G)의 제1 전극 패드(701)는 돌출되어 있고, 제2 전극 패드(702)는 수평으로 이격되어 약간 뒤로 후퇴되어 있다.
대응되는 어레이 기판(600)의 리세스(602)에는 제1 전극(604)과 제2 전극(605)이 녹색 LED 칩(700G)의 제1 전극 패드(604) 및 제2 전극 패드(605)에 정합되는 형상으로 형성되어 있다.
제1 전극(604)과 제2 전극(605)에 마이너스 직류 전압이 흐르고, 녹색 LED 칩(700G)의 제1 전극 패드(604) 및 제2 전극 패드(605)에 플러스 전하가 유도되어, 어레이 기판(600)의 제1 전극(604) 및 제2 전극(605)과, 녹색 LED 칩(700G)의 제1 전극 패드(701) 및 제2 전극 패드(702) 사이에 정전기력에 의한 인력이 작용하고, 녹색 LED 칩(700G)은 어레이 기판(600) 측으로 이동 할 수 있다.
도 7c를 참조하면, 복수의 적색 LED 칩(700R), 녹색 LED 칩(700G), 및 청색 LED 칩(700B)가 한번의 정전기 유도 공정에서 어레이 기판(600)에 정합된다.
도 7d를 참조하면, 복수의 LED 칩(100)과 어레이 기판(600)의 정렬이 끝난 후, 복수의 각 LED 칩(700R, 700G, 700B)에 봉지 부재(800)를 형성하는 봉지 공정을 진행한다.
도 7f에는 각 LED 칩(700R, 700G, 700B)을 개별 봉지하는 실시예를 도시하였으나 각 LED 칩(700R, 700G, 700B) 전부를 한번에 공통으로 형성 할 수 있다.
이로써 LED를 포함하는 풀컬러 표시 장치를 한번의 정전기 유도 공정으로 제조할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: LED 칩
101: 베이스 기판
102: 제1 반도체층
103: 활성층
104: 제2 반도체층
106: 제1 전극 패드
107: 제2 전극 패드
300: 용기
301: 용액
401: 페시베이션막
500: 봉지 부재

Claims (11)

  1. 제1 리세스 및 제2 리세스를 포함하는 기판;
    제1 색을 방출하고 상기 제1 리세스에 실장된 제1 LED칩;
    상기 제1 색과 다른 제2 색을 방출하고, 상기 제2 리세스에 실장된 제2LED칩; 및
    상기 제1 LED 칩 및 상기 제2 LED칩을 봉지하는 봉지부재;를 포함하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스는 동일한 형상인 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스는 서로 다른 형상인 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 LED칩 및 상기 제2 LED칩은 각각 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드를 포함하고,
    상기 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드는 상기 기판을 향하는 방향으로 배치된 표시장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 전극 패드는 상기 제2 전극 패드 보다 상기 기판에 더 가깝게 돌출된 표시장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스는 각각 제1 전극 및 상기 제1 전극과 이격되어 배치된 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 제1 전극 패드와 콘택하고,
    상기 제2 전극은 상기 제2 전극 패드와 콘택하는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제1 및 제2 리세스 사이에 배치된 박막트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나는 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터와 상기 제1 전극 사이에 배치되고 상기 제1 전극의 가장자리를 커버하는 뱅크를 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 봉지부재는 상기 제1 LED칩 및 상기 제2 LED칩 각각을 개별적으로 봉지하는 표시장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 봉지부재는 상기 제1 LED칩 및 상기 제2 LED칩 전체를 공통으로 봉지하는 표시장치.
  11. 제1 리세스, 제2 리세스 및 제3 리세스를 포함하는 기판;
    상기 제1 리세스에 실장된 제1 LED칩;
    상기 제2 리세스에 실장된 제2 LED칩;
    상기 제3 리세스에 실장된 제3 LED칩; 및
    상기 제1 LED 칩, 상기 제2 LED칩 및 상기 제3 LED칩을 봉지하는 봉지부재;를 포함하고,
    상기 제1 LED칩은 제1 색을 방출하고,
    상기 제2 LED칩은 상기 제1 색과 다른 제2 색을 방출하고,
    상기 제3 LED칩은 상기 제1 및 제2 색과 다른 제3 색을 방출하고,
    상기 제1, 제2, 및 제3 색을 혼합하면 백색이 방출되는 표시장치.
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