KR102498459B1 - Substrate processing apparatus, substrate processing method, maintenance method of substrate processing apparatus, and storage medium - Google Patents

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Abstract

[과제] 웨이퍼를 가열 처리함에 있어서, 웨이퍼의 처리에 의해 생기는 승화물을 분해하여, 승화물이 배기로에 부착되는 것을 억제하는 것. 또한, 광원부로부터의 광에 의해 웨이퍼(W)에 대하여 가열 등의 처리를 행함에 있어서, 광투과창에 부착된 승화물을 제거하는 것.
[해결 수단] 처리 용기(2)의 내면에 열촉매층(5)을 형성하여, 이 열촉매층(5)을 가열하고 있다. 이 때문에 웨이퍼(W) 상의 도포막으로부터 승화하여 처리 용기(2) 내에 받아들여진 승화물이 열촉매층(5) 근방에 도달했을 때에, 열촉매층(5)의 열활성화에 의해 분해 제거된다. 또한, 광투과창(42)에 부착된 승화물을 제거함에 있어서는, 표면에 열촉매층(5)을 형성한 클리닝용 기판(6)을 처리 용기(2) 내에 반입하여, 열촉매층(5)을 광투과창(42)에 가깝게 한 후, 클리닝용 기판(6)을 가열함으로써, 광투과창(42)의 표면에 부착된 승화물(9)을 제거한다. [Problem] In heat-processing a wafer, to decompose the sublimated material produced by the wafer processing and to suppress the sublimated material from adhering to the exhaust passage. In addition, in performing a process such as heating the wafer W with light from the light source unit, removing the sublimated material adhering to the light-transmitting window.
[Solution] A thermal catalyst layer 5 is formed on the inner surface of the processing chamber 2, and the thermal catalyst layer 5 is heated. For this reason, when the sublimated material sublimated from the coating film on the wafer W and received in the processing container 2 reaches the vicinity of the thermal catalyst layer 5, it is decomposed and removed by thermal activation of the thermal catalyst layer 5. In addition, in removing the sublimated material adhering to the light transmission window 42, the cleaning substrate 6 having the thermal catalyst layer 5 formed on the surface is carried into the processing container 2, and the thermal catalyst layer 5 is removed. After bringing it close to the light transmission window 42, the substrate 6 for cleaning is heated to remove the sublimated material 9 adhering to the surface of the light transmission window 42.

Figure R1020160095918
Figure R1020160095918

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, MAINTENANCE METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM}Substrate processing apparatus, substrate processing method, maintenance method and storage medium of substrate processing apparatus

본 발명은, 배기로를 구비한 처리 용기 내에 기판을 배치하여 기판을 처리하는 기술 분야에 관한 것이다. The present invention relates to the technical field of processing a substrate by disposing the substrate in a processing container equipped with an exhaust passage.

예컨대 다층 배선 구조의 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 한다) 상에 레지스트막이나 반사방지막 등의 도포막을 형성하는 처리가 행해지고, 이어서 도포막 중에 잔류하고 있는 용제를 건조시키고, 또한, 가교제의 가교 반응을 촉진시키거나 하기 위해서 가열 처리가 행해진다. 가열 처리를 하는 가열 처리 장치로서는, 처리 용기 내에 웨이퍼의 배치대를 겸용하는 가열 플레이트가 마련된 구조로 된 것이 이용된다. 웨이퍼를 가열하는 가열부로서는 가열 플레이트 대신에 적외선 램프인 LED 광원을 이용한 구조로 된 것도 알려져 있다. For example, in the manufacturing process of a semiconductor device with a multilayer wiring structure, a process of forming a coating film such as a resist film or an antireflection film is performed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a “wafer”) as a substrate, and then the solvent remaining in the coating film Heat treatment is performed in order to dry and further accelerate the crosslinking reaction of the crosslinking agent. As a heat treatment apparatus for performing heat treatment, one having a structure in which a heating plate serving as a wafer placement table is provided in a treatment container is used. It is also known that a heating unit for heating a wafer has a structure using an LED light source, which is an infrared lamp, instead of a heating plate.

이러한 가열 처리 장치에서는, 웨이퍼를 가열하면 도포막 내의 유기 성분이 승화하기 때문에, 처리 용기 내부를 공기 또는 불활성 가스에 의해 퍼지하여, 배기류(排氣流)와 함께 승화물을 배기로를 통해 배출하게 하고 있다. 처리 용기 내의 벽부에 대해서는 처리 분위기에 있어서의 파티클의 비산을 억제하기 위해서 승화물의 승화 온도 이상으로 가열하고 있기 때문에 승화물의 부착은 억제되고 있다. 그러나 배기로 중에 유입된 승화물은 배기로의 하류 측에서 온도 저하에 의해 승화물이 석출되기 쉽게 되어 있으며, 이 때문에 정기적으로 메인터넌스할 필요가 있었다. In such a heat treatment apparatus, since the organic components in the coated film sublimate when the wafer is heated, the inside of the treatment container is purged with air or an inert gas, and the sublimated material is discharged through the exhaust passage together with the exhaust stream. doing it Adhesion of the sublimated material is suppressed because the wall portion in the processing container is heated above the sublimation temperature of the sublimated material in order to suppress scattering of particles in the processing atmosphere. However, since the sublimated material flowing into the exhaust passage tends to precipitate due to a decrease in temperature on the downstream side of the exhaust passage, periodic maintenance has been required for this reason.

또한, LED 광원을 가열부로서 이용한 경우에는, 처리 용기 내의 분위기와 광원이 놓이는 분위기를 구획하는 예컨대 석영판으로 이루어지는 광투과창에 승화물이 부착됨에 따라 조도가 저하하여, 장치를 분해하여 클리닝할 필요가 있었다. 또한, 예컨대 에칭 마스크가 되는 SOC(Spin On Cap)막이라고 불리는 탄소계의 막을 성막하는 공정에서는, UV(자외선)을 조사하여 막의 평탄화 처리를 실시하는 공정이 알려져 있지만, 이 경우에도 같은 문제가 있다. In addition, when an LED light source is used as a heating unit, as the sublimated material adheres to a light transmission window made of, for example, a quartz plate that divides the atmosphere in the processing container and the atmosphere in which the light source is placed, the illuminance is lowered, and the device must be disassembled and cleaned. There was a need. In addition, in the process of forming a carbon-based film called a SOC (Spin On Cap) film, which serves as an etching mask, for example, a process of flattening the film by irradiating UV (ultraviolet ray) is known, but this case also has the same problem. .

또한, 특허문헌 1에는, 열촉매에 의한 폴리머의 제거에 관해서 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 열촉매에 의한 플라스틱 복합 재료의 분해 처리가 기재되어 있다. 그러나 기판 처리 장치에 있어서 발생하는 승화물이나 분해 잔사를 제거하는 기술에 관해서는 기재되어 있지 않다. Further, Patent Literature 1 describes the removal of a polymer by a thermal catalyst. In addition, Patent Literature 2 describes decomposition treatment of a plastic composite material by a thermal catalyst. However, there is no description of a technique for removing sublimated materials or decomposition residues generated in the substrate processing apparatus.

특허문헌 1: 일본 특허공개 2014-94464호 공보Patent Document 1: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-94464 특허문헌 2: 일본 특허공개 2014-177523호 공보Patent Document 2: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-177523

본 발명은 이러한 배경 하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 처리 용기 내부를 배기하면서 기판에 대하여 처리를 행함에 있어서, 기판의 처리에 의해 생성된 생성물을 분해하여, 생성물이 배기로에 부착되는 것을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 데에 있다. 본 발명의 다른 목적은, 처리 용기 내부를 배기하면서 광원부로부터의 광에 의해 기판에 대하여 처리를 행함에 있어서, 기판의 처리에 의해 생성되어 광투과창에 부착된 생성물을 제거하는 기술을 제공하는 데에 있다.The present invention has been made under such a background, and its object is to decompose a product generated by processing the substrate and suppress the product from adhering to the exhaust passage when processing the substrate while exhausting the inside of the processing container. It is about providing technology that can. Another object of the present invention is to provide a technique for removing a product generated by the processing of a substrate and attached to a light-transmitting window while processing the substrate with light from a light source unit while evacuating the inside of the processing container. is in

본 발명의 기판 처리 장치는, 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와, A substrate processing apparatus of the present invention includes a processing container having a disposition unit for disposing a substrate to be processed therein;

상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와, an exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing vessel;

상기 처리 용기의 내면 및 상기 배기로 중 적어도 한쪽에 형성되며, 가열됨으로써 열활성화되어, 피처리 기판의 처리에 의해 그 피처리 기판으로부터 발생하는 생성물을 분해하는 열촉매 물질과, a thermal catalyst material formed on at least one of the inner surface of the processing container and the exhaust passage, which is thermally activated by being heated and which decomposes a product generated from the processing target substrate by processing the processing target substrate;

상기 열촉매 물질을 가열하기 위한 열촉매용 가열부를 구비한 것을 특징으로 한다. It is characterized by having a heating unit for a thermal catalyst for heating the thermal catalyst material.

다른 발명의 기판 처리 장치는, 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와, A substrate processing apparatus according to another aspect of the present invention includes a processing container having a disposing unit for disposing a substrate to be processed therein;

상기 배치부에 배치된 피처리 기판을 가열하는 기판 가열부와, a substrate heating unit for heating the substrate to be processed disposed in the placing unit;

상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와, an exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing vessel;

상기 배치부에 배치된 기판에 대하여 광을 조사하는 광원부와, a light source unit for radiating light to the substrate disposed on the placement unit;

상기 광원부와 처리 용기 내의 분위기를 구획하는 광투과창과, a light-transmitting window partitioning the light source unit and an atmosphere within the processing container;

메인터넌스 모드를 선택하는 선택부와, a selection unit for selecting a maintenance mode;

가열됨으로써 열활성되어, 기판의 처리에 의해 기판으로부터 발생하는 생성물인 승화물을 분해하는 열촉매 물질을 구비한 메인터넌스용 기판을, 상기 메인터넌스 모드를 선택했을 때에 상기 처리 용기 내부에 반입하는 단계와, 이어서 상기 메인터넌스용 기판을 상기 열촉매 물질을 열활성화시키기 위해서 상기 기판 가열부에 의해 가열하는 단계와, 상기 광투과창에 부착된 상기 승화물을 제거하기 위해서, 가열된 상기 메인터넌스용 기판을 상기 광투과창에 접근시키는 단계를 실행시키도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다. carrying a substrate for maintenance into the processing container when the maintenance mode is selected and having a thermal catalyst material that is thermally activated by being heated and decomposes a sublimation product generated from the substrate by processing the substrate; Next, heating the maintenance substrate by the substrate heating unit to thermally activate the thermal catalyst material, and removing the sublimated material attached to the light-transmitting window, the heated maintenance substrate by the light-transmitting window. It is characterized by having a control unit for outputting a control signal to execute the step of approaching the transmission window.

본 발명의 기판 처리 방법은, 피처리 기판을 처리 용기 내의 배치부에 배치하여 처리하는 공정과, A substrate processing method of the present invention includes a step of disposing and processing a substrate to be processed in an arrangement unit in a processing container;

상기 처리 용기 내의 분위기를 배기로를 통해 배기하는 공정과, a step of exhausting the atmosphere in the processing container through an exhaust passage;

상기 처리 용기의 내면 및 상기 배기로 중 적어도 한쪽에 마련된 열촉매 물질을 가열하여 열활성화하여, 피처리 기판의 처리에 의해 기판으로부터 발생하는 생성물을 분해하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. and heating and thermally activating a thermal catalyst material provided on at least one of the inner surface of the processing container and the exhaust passage to decompose a product generated from the substrate by processing the substrate to be processed.

본 발명의 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법은, 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와, A maintenance method of a substrate processing apparatus of the present invention includes a processing container having a disposition unit for disposing a substrate to be processed therein;

상기 배치부에 배치된 피처리 기판을 가열하는 기판 가열부와, a substrate heating unit for heating the substrate to be processed disposed in the placing unit;

상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와, an exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing vessel;

상기 배치부에 배치된 기판에 대하여 광을 조사하는 광원부와, a light source unit for radiating light to the substrate disposed on the placement unit;

상기 광원부와 처리 용기 내의 분위기를 구획하는 광투과창을 구비한 기판 처리 장치를 메인터넌스하는 방법으로서, As a method of maintaining a substrate processing apparatus having a light transmission window for partitioning the light source unit and the atmosphere in the processing container,

가열됨으로써 열활성화되어, 기판의 처리에 의해 기판으로부터 발생하는 생성물인 승화물을 분해하는 열촉매 물질을 구비한 메인터넌스용 기판을, 상기 처리 용기 내에 반입하는 공정과, a step of carrying into the processing container a substrate for maintenance, which is thermally activated by being heated and is equipped with a thermal catalyst material that decomposes a sublimation product, which is a product generated from the substrate by processing the substrate;

이어서 상기 메인터넌스용 기판을 상기 열촉매 물질을 열활성화시키기 위해서 상기 기판 가열부에 의해 가열하는 공정과, Next, a step of heating the substrate for maintenance by the substrate heating unit to thermally activate the thermal catalyst material;

상기 광투과창에 부착된 상기 승화물을 제거하기 위해서, 가열된 상기 메인터넌스용 기판을 상기 광투과창에 접근시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to remove the sublimated material attached to the light-transmitting window, a step of bringing the heated substrate for maintenance closer to the light-transmitting window is characterized in that it includes.

본 발명의 기억 매체는, 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기를 구비한 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억되는 기억 매체로서, A storage medium of the present invention is a storage medium storing a computer program used in a substrate processing apparatus having a processing container having a disposing unit for placing a substrate to be processed therein,

상기 컴퓨터 프로그램은, 상술한 기판 처리 방법을 실행하도록 단계 그룹이 짜여 있는 것을 특징으로 한다. The computer program is characterized in that a group of steps are organized to execute the above-described substrate processing method.

또한, 본 발명의 기억 매체는, 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기를 구비한 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억되는 기억 매체로서, Further, the storage medium of the present invention is a storage medium storing a computer program used in a substrate processing apparatus having a processing container having a disposition unit for disposing a substrate to be processed therein,

상기 컴퓨터 프로그램은, 상술한 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법을 실행하도록 단계 그룹이 짜여 있는 것을 특징으로 한다.The computer program is characterized in that a group of steps is organized so as to execute the maintenance method of the substrate processing apparatus described above.

본 발명에 따르면, 처리 용기 내에서 기판의 처리를 행하고, 처리 용기 내의 분위기를 배기함에 있어서, 처리 용기의 내면 및 상기 배기로 중 적어도 한쪽에 열촉매 물질을 마련하여 열촉매 물질을 가열함으로써, 처리 용기 내의 분위기 중에 발생하는 생성물을 분해 제거하고 있다. 그 때문에 배기로에 생성물이 부착되는 것을 억제할 수 있기 때문에 메인터넌스 빈도를 적게 할 수 있다. According to the present invention, when processing a substrate in a processing container and exhausting the atmosphere in the processing container, a thermal catalyst material is provided on at least one of the inner surface of the processing container and the exhaust passage to heat the thermal catalyst material. Products generated in the atmosphere in the vessel are decomposed and removed. Therefore, since it is possible to suppress the product from adhering to the exhaust passage, the frequency of maintenance can be reduced.

또한, 다른 발명은, 처리 용기 내부를 배기하면서 광원부로부터의 광에 의해 기판에 대하여 처리를 행함에 있어서, 열촉매 물질이 마련된 메인터넌스용 기판을 가열하여 광투과창에 가깝게 하여, 광투과창에 부착된 승화물을 제거하도록 하고 있기 때문에, 처리 용기를 분해하지 않고서 광투과창을 청소할 수 있다. Further, in another invention, in performing processing on a substrate by light from a light source unit while exhausting the inside of the processing container, the substrate for maintenance provided with a thermal catalyst material is heated to bring it close to the light transmission window, and attached to the light transmission window. Since the sublimated material is removed, the light-transmitting window can be cleaned without disassembling the processing container.

도 1은 도포, 현상 장치를 도시하는 사시도이다.
도 2는 도포, 현상 장치를 도시하는 평면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하는 종단 측면도이다.
도 4는 상기 가열 처리 장치의 작용을 도시하는 설명도이다.
도 5는 본 발명의 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법을 도시하는 설명도이다.
도 6은 본 발명의 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법을 도시하는 설명도이다.
도 7은 제2 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하는 종단 측면도이다.
도 8은 가열 처리 장치의 배기로를 도시하는 평면도이다.
도 9는 가열 처리 장치의 배기로의 다른 예를 도시하는 평면도 및 측면도이다.
도 10은 가열 처리 장치의 배기로의 다른 예를 도시하는 평면도이다.
도 11은 제3 실시형태에 따른 평탄화 장치를 도시하는 종단 측면도이다.
도 12는 평탄화 장치에 있어서 발생하는 승화물을 도시하는 설명도이다.
도 13은 평탄화 장치의 메인터넌스 방법을 도시하는 설명도이다.
도 14는 평탄화 장치의 메인터넌스 방법을 도시하는 설명도이다.
도 15는 제4 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하는 단면도이다.
도 16은 제4 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하는 분해 사시도이다.
도 17은 블록체 및 열촉매용 가열부의 예를 도시하는 사시도이다.
도 18은 제5 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하는 사시도 및 열촉매 유닛의 단면도이다.
도 19는 제6 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하는 단면도이다.
도 20은 제6 실시형태에 따른 가열 처리 장치의 배치대를 도시하는 평면도이다.
도 21은 배기압 측정부를 마련한 가열 장치를 도시하는 설명도이다.
도 22는 참고예에 있어서의 질량 변화와 열량의 온도 변화를 도시하는 특성도이다.
도 23은 비교예에 있어서의 질량 변화와 열량의 온도 변화를 도시하는 특성도이다. 1 is a perspective view showing a coating and developing device.
Fig. 2 is a plan view showing a coating and developing device.
3 is a longitudinal side view showing the heat processing apparatus according to the first embodiment.
4 is an explanatory diagram showing the operation of the heat treatment device.
5 is an explanatory view showing a maintenance method of the substrate processing apparatus of the present invention.
6 is an explanatory view showing a maintenance method of the substrate processing apparatus of the present invention.
7 is a longitudinal side view showing a heat processing apparatus according to a second embodiment.
Fig. 8 is a plan view showing an exhaust passage of the heat treatment device.
Fig. 9 is a plan view and a side view showing another example of an exhaust passage of the heat processing apparatus.
10 is a plan view showing another example of an exhaust passage of the heat processing device.
Fig. 11 is a longitudinal side view showing a flattening device according to a third embodiment.
Fig. 12 is an explanatory view showing sublimation produced in the flattening device.
13 is an explanatory diagram showing a maintenance method of a flattening device.
14 is an explanatory diagram showing a maintenance method of a flattening device.
15 is a cross-sectional view showing a heat processing apparatus according to a fourth embodiment.
16 is an exploded perspective view showing a heat treatment apparatus according to a fourth embodiment.
17 is a perspective view showing an example of a heating unit for a block body and a thermal catalyst.
18 is a perspective view and a sectional view of a thermal catalyst unit showing a heat treatment apparatus according to a fifth embodiment.
19 is a cross-sectional view showing a heat processing apparatus according to a sixth embodiment.
20 is a plan view showing a mounting table of a heat processing apparatus according to a sixth embodiment.
Fig. 21 is an explanatory view showing a heating device provided with an exhaust pressure measurement unit.
Fig. 22 is a characteristic diagram showing a change in mass and a change in heat quantity in a reference example.
Fig. 23 is a characteristic diagram showing a change in mass and a change in heat quantity in a comparative example.

[제1 실시형태][First Embodiment]

본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서, 가열 처리 장치에 적용한 예에 관해서 설명한다. 우선 본 발명의 가열 처리 장치를 짜 넣은 기판 처리 시스템인 도포, 현상 장치 전체에 관해서 간단히 설명해 둔다. 도포, 현상 장치는 도 1 및 도 2에 도시하는 것과 같이 캐리어 블록(B1)과, 처리 블록(B2)과, 인터페이스 블록(B3)을 직선형으로 접속하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(B3)에는 또한 노광 스테이션(B4)이 접속되어 있다. As a substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention, an example applied to a heat processing apparatus will be described. First, the entire coating and developing device, which is a substrate processing system incorporating the heat processing device of the present invention, will be briefly explained. As shown in Figs. 1 and 2, the coating and developing apparatus is constructed by linearly connecting a carrier block B1, a processing block B2, and an interface block B3. An exposure station B4 is further connected to the interface block B3.

캐리어 블록(B1)은, 제품용의 기판인 예컨대 직경 300 mm의 웨이퍼(W)를 복수 매 수납하는 반송 용기인 캐리어(C)(예컨대 FOUP)로부터 장치 내에 반입출하는 역할을 가지며, 캐리어(C)의 배치 스테이지(101)와, 도어(102)와, 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 아암(103)을 구비하고 있다. The carrier block B1 has a role of carrying in and out of the device from a carrier C (eg, FOUP), which is a transport container for storing a plurality of wafers W having a diameter of 300 mm, which is a substrate for a product, for example, and the carrier C ), a door 102, and a transfer arm 103 for transferring the wafer W from the carrier C.

처리 블록(B2)은 웨이퍼(W)에 액 처리를 하기 위한 제1~제6 단위 블록(D1~D6)이 아래에서부터 순차 적층되어 구성되며, 각 단위 블록(D1~D6)은 대략 동일한 구성이다. 도 1에 있어서 각 단위 블록(D1~D6)에 붙인 알파벳 문자는 처리 종별을 표시하고 있고, BCT는 반사방지막 형성 처리, COT는 웨이퍼(W)에 레지스트를 공급하여 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 처리, DEV는 현상 처리를 나타내고 있다. The processing block B2 is formed by sequentially stacking the first to sixth unit blocks D1 to D6 for performing liquid processing on the wafer W from the bottom, and each unit block D1 to D6 has substantially the same configuration. . In FIG. 1, the alphabet letters attached to each unit block D1 to D6 indicate the type of process, BCT is an antireflection film formation process, and COT is a resist film formation process in which resist is supplied to the wafer W to form a resist film. , DEV indicates development processing.

도 2에 대표하여 단위 블록(D3)의 구성을 도시하면, 단위 블록(D3)에는, 캐리어 블록(B1) 측에서 인터페이스 블록(B3)으로 향하는 직선형의 반송 영역(R3)을 이동하는 메인 아암(A3)과, 컵 모듈(111)을 구비한 도포 유닛(110)이 마련되어 있다. 또한, 선반 유닛(U1~U6)에는 본 발명의 가열 처리 장치에 상당하는 가열 모듈 및 냉각 모듈(1)이 적층되어 있다. When the configuration of the unit block D3 is shown as a representative in FIG. 2 , in the unit block D3, a main arm ( A3) and the application unit 110 provided with the cup module 111 are provided. Heating modules and cooling modules 1 corresponding to the heat treatment apparatus of the present invention are stacked on the shelf units U1 to U6.

반송 영역(R3)의 캐리어 블록(B1) 측에는, 상호 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있는 선반 유닛(U7)이 마련되어 있다. 반송 아암(103)과 메인 아암(A3) 사이의 웨이퍼(W)의 전달은 선반 유닛(U7)의 전달 모듈과 반송 아암(104)을 통해 행해진다. On the carrier block B1 side of the conveyance area R3, a shelf unit U7 constituted by a plurality of mutually stacked modules is provided. Transfer of the wafer W between the transfer arm 103 and the main arm A3 is performed through the transfer module of the shelf unit U7 and the transfer arm 104 .

인터페이스 블록(B3)은, 처리 블록(B2)과 노광 스테이션(B4) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 것이며 복수의 처리 모듈이 상호 적층된 선반 유닛(U8, U9, U10)을 구비하고 있다. 또한, 도면에서 105, 106은 각각 선반 유닛(U8, U9) 사이, 선반 유닛(U9, U10) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 반송 아암이며, 도면에서 107은 선반 유닛(U10)과 노광 스테이션(B4) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 반송 아암이다. The interface block B3 is for transferring the wafer W between the processing block B2 and the exposure station B4 and includes shelf units U8, U9, and U10 in which a plurality of processing modules are stacked on top of each other. . Also, reference numerals 105 and 106 in the drawing denote transfer arms for transferring the wafer W between the shelf units U8 and U9 and between the shelf units U9 and U10, respectively. It is a transfer arm for transferring the wafer W between the stations B4.

도포, 현상 장치 및 노광 스테이션(B4)으로 이루어지는 시스템의 웨이퍼(W)의 반송 경로의 개략에 관해서 간단히 설명한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어(C)→반송 아암(103)→선반 유닛(U7)의 전달 모듈→반송 아암(104)→선반 유닛(U7)의 전달 모듈→단위 블록(D1)(D2)→단위 블록(D3)(D4)→인터페이스 블록(B3)→노광 스테이션(B4)→인터페이스 블록(B3)→단위 블록(D5)(D6)→선반 유닛(U7)의 전달 모듈(TRS)→반송 아암(103)→캐리어(C)의 순으로 흘러간다. An outline of the transfer route of the wafer W of the system including the coating and developing device and the exposure station B4 will be briefly described. The wafer W is a carrier C→transfer arm 103→delivery module of the shelving unit U7→transfer arm 104→transmission module of the shelving unit U7→unit blocks D1 (D2)→ Unit block (D3) (D4) → interface block (B3) → exposure station (B4) → interface block (B3) → unit block (D5) (D6) → transfer module (TRS) of lathe unit (U7) → transfer arm (103) → It flows in the order of carrier (C).

도포, 현상 장치는 도 2에 도시하는 것과 같이 제어부(100)를 구비하고 있다. 제어부(100)는 프로그램 저장부를 갖고 있고, 프로그램 저장부에는, 웨이퍼의 반송 레시피, 각 가열 모듈 및 냉각 모듈의 클리닝 작업에 있어서의 시퀀스가 실시되도록 명령이 짜여진 프로그램이 저장된다. The coating and developing device includes a controller 100 as shown in FIG. 2 . The control unit 100 has a program storage unit, and in the program storage unit, a transfer recipe for wafers and a program in which a sequence of cleaning operations for each heating module and cooling module are executed are stored.

도 3은 가열 모듈인 가열 처리 장치의 전체 구성을 도시하고 있다. 도 3에서의 2는 처리 용기이며, 이 처리 용기(2)는 상면이 개구되어 있는 편평한 원통체로 이루어지는 하측 부재(25)와, 이 하측 부재(25)에 대하여 위아래로 이동하여 처리 용기(2)를 개폐하는 덮개부(22)로 이루어지며, 기판인 직경 300 mm의 웨이퍼(W)의 가열 처리를 하는 가열실을 구성하고 있다. 하측 부재(25)는 가열 처리 장치의 외장체를 이루는 도시하지 않는 하우징의 저면부에 상당하는 기초대(27) 위에 지지 부재(26)를 통해 지지되어 있다. 하측 부재(25)에는, 기판 가열부인 광원부를 이루는 LED 어레이(41)가 마련되고, LED 어레이(41)의 상측에는, 상기 LED 어레이(41)가 놓이는 분위기와 처리 분위기를 구획하기 위한 예컨대 석영으로 이루어지는 광투과창(42)이 마련되어 있다. LED 어레이(41)는, 그 전체 둘레에 걸쳐 예컨대 구리(Cu)판에 금 도금을 한 반사판(43)에 의해 둘러싸여 있고, 조사 방향(도 3에서는 위쪽 방향)과는 다른 방향으로 향하는 광을 반사하여 복사광을 유효하게 빼낼 수 있게 되어 있다. 또한, 광투과창(42)의 표면에는, 후술하는 클리닝용 기판을 상기 광투과창(42)에 접근한 상태로 유지하기 위한 돌기부(44)가 형성되어 있다. Fig. 3 shows the overall configuration of a heat treatment device serving as a heating module. Reference numeral 2 in FIG. 3 denotes a processing container. The processing container 2 moves up and down with respect to a lower member 25 made of a flat cylindrical body with an open upper surface, and the lower member 25 to move the processing container 2 It consists of a lid portion 22 that opens and closes, and constitutes a heating chamber in which a wafer W having a diameter of 300 mm, which is a substrate, is heated. The lower member 25 is supported via a support member 26 on a base 27 corresponding to a bottom portion of a housing (not shown) constituting an exterior body of the heat treatment device. The lower member 25 is provided with an LED array 41 constituting a light source unit, which is a substrate heating unit, and on the upper side of the LED array 41, for example, quartz for partitioning the atmosphere in which the LED array 41 is placed and the processing atmosphere. A light transmission window 42 formed is provided. The LED array 41 is surrounded by, for example, a reflector 43 of which a copper (Cu) plate is plated with gold over its entire circumference, and reflects light directed in a direction different from the irradiation direction (upward direction in FIG. 3). Thus, the radiant light can be taken out effectively. In addition, a protrusion 44 is formed on the surface of the light transmission window 42 to hold a substrate for cleaning, which will be described later, in a state approaching the light transmission window 42 .

하측 부재(25)의 바닥부(28) 및 광투과창(42)에는, 이들을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(29)이 위쪽에서 봤을 때 둘레 방향 등간격으로 세 곳 형성되고, 각 관통 구멍(29)에 대응하여, 웨이퍼(W)를 지지하는 승강 핀(23)이 마련되어 있다. 승강 핀(23)은, 기초대(27) 상에 마련된 승강 기구(24)에 의해 승강하여, 광투과창(42)의 표면에서 나왔다 들어갔다 하도록 마련되고, 웨이퍼(W)를 승강시킴으로써, 예컨대 도 2에서의 메인 아암(A3)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.In the bottom portion 28 and the light transmission window 42 of the lower member 25, three through holes 29 passing through them in the thickness direction are formed at equal intervals in the circumferential direction when viewed from above, and each through hole ( Corresponding to 29), lifting pins 23 supporting the wafer W are provided. The elevating pins 23 are provided so as to ascend and descend from the surface of the light transmission window 42 by the elevating mechanism 24 provided on the base 27, and elevate the wafer W, for example, in FIG. The wafer W is transferred between the main arm A3 in 2.

덮개부(22)는 하면이 개구되어 있는 편평한 원통체로 이루어지고, 하측 부재(25)의 주벽부의 상면에 접촉하여(자세히는 후술하는 핀(51)에 접촉하여) 처리 용기(2)를 닫은 상태로 하는 하강 위치와, 웨이퍼(W)를 승강 핀(23)에 대하여 전달할 때의 상승 위치와의 사이에서 승강할 수 있게 구성되어 있다. 이 예에서는 덮개부(22)의 승강 동작은, 덮개부(22)의 외주면에 부착된 승강 아암(18)을 기초대(27)에 마련된 승강 기구(19)에 의해 구동함으로써 행해진다. The lid 22 is formed of a flat cylindrical body with an open lower surface, and contacts the upper surface of the circumferential wall of the lower member 25 (by contacting a pin 51 described later) to close the processing container 2. It is configured to be able to move up and down between a lowered position and a higher position when transferring the wafer W to the lift pins 23 . In this example, the lifting operation of the cover part 22 is performed by driving the lifting arm 18 attached to the outer peripheral surface of the cover part 22 by the lifting mechanism 19 provided in the base 27.

또한, 하측 부재(25)의 주벽부의 상면에는 둘레 방향을 따라 간격을 두고서 예컨대 높이 1 mm의 핀(51)이 형성되어 있다. 따라서 덮개부(22)를 닫았을 때는 덮개부(22)와 하측 부재(25) 사이에 1 mm의 간극이 형성되어, 처리 용기(2) 내부를 배기했을 때에 간극으로부터 외기(가열 처리 장치가 놓여 있는 클린룸의 분위기)가 유입되어, 처리 용기(2) 내에 기류가 형성된다. Further, pins 51 having a height of, for example, 1 mm are formed on the upper surface of the circumferential wall of the lower member 25 at intervals along the circumferential direction. Therefore, when the cover part 22 is closed, a gap of 1 mm is formed between the cover part 22 and the lower member 25, and when the inside of the processing container 2 is exhausted, outside air (where the heat treatment device is placed) is formed from the gap. atmosphere of a clean room) is introduced, and an airflow is formed in the processing container 2 .

덮개부(22)의 천장판의 중앙부에는 배기구(32)가 형성되고, 배기구(32)에는 배기 덕트로 이루어지는 배기로(30)의 일단 측의 바닥부가 접속되어 있다. 배기로(30)는, 덮개부(22)의 상면을 따라서 직경 방향으로 직선형으로 뻗어 나와, 공장 내의 배기 덕트에 접속되어 있다. An exhaust port 32 is formed in the central portion of the top plate of the lid portion 22, and a bottom portion on one end side of an exhaust passage 30 made of an exhaust duct is connected to the exhaust port 32. The exhaust passage 30 extends in a straight line in the radial direction along the upper surface of the lid portion 22 and is connected to an exhaust duct in the factory.

또한, 처리 용기(2)의 내벽면 전체에는, 예컨대 Cr2O3으로 구성된 열촉매 물질(열촉매체)을 피복하여 이루어지는 열촉매층(5)이 형성되어 있다. 열촉매층(5)은, 예컨대 기재 상에 열촉매체의 피막을 도포, 용사 등 이미 알려진 피복 수법에 의해 형성하면 된다. 덮개부(22)의 벽내에는, 처리 용기(2) 내의 열촉매층(5)을 가열하기 위한 열촉매용 가열부인 히터(10)가 매설되어 있다. 히터(10)의 발열량은, 열촉매층(5)이 열활성화되어 열촉매 기능, 즉 웨이퍼(W)에서 발생하여 상기 열촉매층(5) 근방에 도달한 승화물을 열분해하는 기능이 발휘되는 온도, 예컨대 Cr2O3의 경우, 200℃~400℃가 되도록 설정된다. 덮개부(22)의 상면에 위치하는 배기로(30)는 도시하지 않는 히터에 의해, 웨이퍼(W)에서 발생한 승화물이 부착되지 않는 온도로 가열되고 있다. In addition, a thermal catalyst layer 5 coated with a thermal catalyst material (thermal catalyst) composed of, for example, Cr 2 O 3 is formed on the entire inner wall surface of the processing vessel 2 . The thermal catalyst layer 5 may be formed by, for example, a known coating method such as coating or thermal spraying of a thermal catalyst film on a substrate. A heater 10 serving as a thermal catalyst heating unit for heating the thermal catalyst layer 5 in the processing chamber 2 is embedded in the wall of the lid portion 22 . The calorific value of the heater 10 is the temperature at which the thermal catalyst layer 5 is thermally activated and the thermal catalyst function, that is, the function of thermally decomposing the sublimated material generated in the wafer W and reaching the vicinity of the thermal catalyst layer 5 is exhibited, For example, in the case of Cr 2 O 3 , it is set to 200°C to 400°C. The exhaust path 30 located on the upper surface of the lid portion 22 is heated by a heater (not shown) to a temperature at which sublimated materials generated from the wafer W do not adhere.

도 3에는 가열 처리 장치를 제어하는 제어부를 도시하고 있으며, 이 제어부는 도 1에 도시한 제어부의 일부라고 할 수 있기 때문에, 동일한 부호 100을 부여하고 있다. 도 3에 도시하는 제어부(100)는, 메인터넌스 모드를 선택하는 선택부(99)가 접속되어, 메인터넌스 모드가 선택되었을 때는, 가열 처리 장치의 메인터넌스를 행하기 위한 프로그램이 기동된다. FIG. 3 shows a control unit that controls the heat treatment device, and since this control unit can be said to be part of the control unit shown in FIG. 1, the same reference numeral 100 is given. The control unit 100 shown in FIG. 3 is connected to a selection unit 99 for selecting a maintenance mode, and when the maintenance mode is selected, a program for performing maintenance of the heat treatment device is started.

이 선택부(99)는 예컨대 오퍼레이터가 조작하는 조작 패널에 마련되어 있다. 제어부(100)는, 승강 기구(24)에 의한 승강 핀(23)의 승강 동작, LED 모듈(4)에 의한 조사의 강도 조정이나 온/오프 동작을, 예컨대 사전에 제어부(100)에 입력된 운전 프로그램에 기초하여 제어한다. This selector 99 is provided, for example, on an operation panel operated by an operator. The control unit 100 performs the lifting operation of the lifting pin 23 by the lifting mechanism 24, the adjustment of the intensity of irradiation by the LED module 4, and the on/off operation, for example, inputted to the control unit 100 in advance. It is controlled based on the driving program.

이어서 본 발명의 실시형태를 이루는 기판 처리 장치인 가열 처리 장치의 작용에 관해서 설명한다. 우선 외부의 반송 아암, 예컨대 도 2에 도시하는 메인 아암(A3)에 의해 처리 용기(2) 내에 웨이퍼(W)가 반입된다. 이 시점에서는, LED 모듈(4)은 오프로 되어 있다. 메인 아암(A3)에 유지된 웨이퍼(W)가 광투과창(42)의 위쪽에 도달하면, 승강 기구(24)에 의해 승강 핀(23)을 상승시켜 메인 아암(A3) 위의 웨이퍼(W)를 밀어올리고, 메인 아암(A3)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하고, 웨이퍼(W)를 전달한 메인 아암(A3)은 처리 용기(2) 밖으로 후퇴한다. Next, the operation of the heat treatment device, which is a substrate processing device constituting an embodiment of the present invention, will be described. First, the wafer W is loaded into the processing container 2 by an external transfer arm, for example, the main arm A3 shown in FIG. 2 . At this point, the LED module 4 is off. When the wafer W held by the main arm A3 reaches the top of the light transmission window 42, the lifting pin 23 is raised by the lifting mechanism 24 to raise the wafer W on the main arm A3. ) is pushed up, the wafer W is received from the main arm A3, and the main arm A3 carrying the wafer W retreats out of the processing chamber 2.

그리고 덮개부(22)를 하강시켜 도 3에 도시하는 것과 같이 덮개부(22)를 닫은 상태로 하여 처리 분위기를 형성함과 아울러 승강 핀(23)을 강하시켜, 웨이퍼(W)를 소정의 높이 예컨대, 광투과창(42)의 표면과 웨이퍼(W)의 하면과의 간극의 높이가 3 mm가 되는 높이에 위치시킨다. 이어서 LED 모듈(4)로부터 웨이퍼(W)의 흡수 파장 영역의 복사광인 적외광이 그 웨이퍼(W)를 향해서 조사되어, 웨이퍼(W)가 소정의 가열 처리 온도, 200℃~400℃, 예컨대 300℃로 가열된다. 따라서 본 실시형태에서는, 승강 핀(23)이 배치부에 상당한다. 또한, 예컨대 덮개부(22)를 하강시키고 나서 배기로(30)를 통해 처리 용기(2) 내의 배기를 개시한다. 이미 상술한 것과 같이 덮개부(22)를 닫은 상태에서는, 핀(51)의 존재에 의해 덮개부(22)와 하측 부재(25) 사이에 간극이 형성된다. 이 때문에, 처리 용기(2) 내부가 부압으로 되면 그 간극으로부터 주위의 분위기(공기)가 유입되어, 도 4에 도시하는 것과 같이 처리 용기(2) 내에서는, 외주에서 중앙 상부로 향하는 기류가 형성된다. Then, as shown in FIG. 3, the cover part 22 is lowered to form a processing atmosphere with the cover part 22 closed, and the lift pin 23 is lowered to raise the wafer W to a predetermined height. For example, the height of the gap between the surface of the light transmission window 42 and the lower surface of the wafer W is 3 mm. Subsequently, infrared light, which is radiant light in the absorption wavelength region of the wafer W, is irradiated from the LED module 4 toward the wafer W, and the wafer W is heated to a predetermined heat treatment temperature of 200° C. to 400° C., for example, 300° C. heated to °C. Therefore, in this embodiment, the elevating pin 23 corresponds to a placement part. Further, for example, after the cover part 22 is lowered, the exhaust inside the processing chamber 2 is started through the exhaust passage 30 . As already described above, when the lid 22 is closed, a gap is formed between the lid 22 and the lower member 25 due to the presence of the pin 51 . For this reason, when the inside of the processing container 2 becomes negative, the surrounding atmosphere (air) flows in through the gap, and as shown in FIG. do.

이 때 웨이퍼(W)의 도포막으로부터는, 예컨대 도포액 중에 포함되어 있었던 유기 성분이 승화하여 승화물이 되고, 생성물인 승화물은 처리 용기(2) 내에 형성된 기류를 타고 처리 용기(2)의 중앙 상부의 배기구(32)로 향해 흘러, 배기구(32)로부터 배기로(30)에 유입되고자 한다. 한편 처리 용기(2)의 천장면을 포함하는 내벽면에 형성된 열촉매층(5)은 히터(10)에 의해 열활성화되고 있기 때문에, 처리 용기(2)의 내벽면에 근접한 승화물은 열촉매층(5)의 열촉매 작용에 의해 분해된다. At this time, from the coated film of the wafer W, for example, organic components contained in the coating liquid sublimate to form a sublimated material, and the sublimated material, which is a product, rides on the airflow formed in the processing container 2 to move to the processing container 2. It flows toward the exhaust port 32 at the upper center and tries to flow into the exhaust passage 30 from the exhaust port 32 . Meanwhile, since the thermal catalyst layer 5 formed on the inner wall surface including the ceiling surface of the processing container 2 is thermally activated by the heater 10, the sublimated material close to the inner wall surface of the processing container 2 is the thermal catalyst layer ( It is decomposed by the thermal catalytic action of 5).

여기서 열촉매층(5)에 의한 웨이퍼(W)의 처리시에 생기는 생성물, 여기서는, 도포막으로부터 승화한 승화물의 분해에 관해서 설명한다. 열촉매층(5), 예컨대 Cr2O3를 가열하면 전자가 여기되어 강한 산화력을 갖는다. 이 열촉매층(5)에 유기성분인 승화물이 근접하면, 유기 성분은 산화되어 승화물 내에 라디칼이 생성된다. 그 후 생성된 라디칼은, 200~400℃에서 승화물 내부를 전파한다. 그리고 승화물은 라디칼에 의해 개열(開裂)을 일으켜 소분자화(小分子化)되고, 소분자로 된 승화물은, 처리 용기(2) 내의 분위기 중에 포함되는 산소와 결합하여, 이산화탄소와 물로 된다. Here, decomposition of a product generated during processing of the wafer W by the thermal catalyst layer 5, here, a sublimated product sublimated from a coating film, will be described. When the thermal catalyst layer 5, for example, Cr 2 O 3 is heated, electrons are excited and have strong oxidizing power. When a sublimated organic component approaches the thermal catalyst layer 5, the organic component is oxidized and radicals are generated in the sublimated product. After that, the generated radicals propagate inside the sublimated material at 200 to 400 ° C. Then, the sublimated material is cleaved by radicals to become small molecules, and the sublimated material formed into small molecules combines with oxygen contained in the atmosphere in the processing chamber 2 to form carbon dioxide and water.

그 때문에 배기구(32)로부터 배기되는 처리 용기(2) 내의 분위기는, 열촉매층(5)의 촉매 작용에 의해 승화물이 분해된 후, 배기된다. Therefore, the atmosphere in the processing chamber 2 exhausted through the exhaust port 32 is exhausted after the sublimated material is decomposed by the catalytic action of the thermal catalyst layer 5 .

가열 처리가 끝나면, 승강 핀(23)이 상승하여 웨이퍼(W)를 밀어올리고, 승강 핀(23)은 그대로 메인 아암(A3)과의 전달 높이 위치까지 상승한다. 그리고 메인 아암(A3)을 처리 용기(2) 내의 웨이퍼(W)의 전달 위치까지 진입시킨 후, 승강 핀(23)을 하강시켜 웨이퍼(W)를 메인 아암(A3)에 전달한다. 웨이퍼(W)를 수취한 메인 아암(A3)은, 웨이퍼(W)를 유지한 채로 후퇴하여 웨이퍼(W)를 처리 용기(2) 밖으로 반출한다. After the heat treatment is finished, the lifting pins 23 are raised to push up the wafer W, and the lifting pins 23 are raised to the transfer height position with the main arm A3 as it is. Then, after moving the main arm A3 to the transfer position of the wafer W in the processing chamber 2, the elevating pin 23 is lowered to transfer the wafer W to the main arm A3. The main arm A3 receiving the wafer W moves backward while holding the wafer W, and carries the wafer W out of the processing container 2 .

이와 같이 웨이퍼(W)로부터 승화된 승화물은 처리 용기(2) 내에 피복된 열촉매층(5)에 의해 분해된 후 배기되지만, 일부의 승화물은 웨이퍼(W)와 광투과창(42)과의 간극에 침입하여, 광투과창(42)의 표면에 부착된다. 그 때문에 도 5에 도시하는 것과 같이 광투과창(42)의 표면에 승화물(9)이 석출되어, LED 모듈(3)로부터 조사되는 광의 투과율이 나빠진다. 이 때문에 웨이퍼(W)의 온도 불균일이 발생하여, 양호한 가열을 할 수 없게 되고, 또한, 승화물(9)이 파티클의 발생원이 될 우려가 있다. The sublimated material sublimated from the wafer W is exhausted after being decomposed by the thermal catalyst layer 5 coated in the processing container 2, but some of the sublimated material is separated from the wafer W and the light transmission window 42. It penetrates into the gap of and adheres to the surface of the light-transmitting window 42. Therefore, as shown in FIG. 5, the sublimation material 9 precipitates on the surface of the light transmission window 42, and the transmittance|permeability of the light irradiated from the LED module 3 worsens. For this reason, temperature nonuniformity of the wafer W may occur, making it impossible to perform satisfactory heating, and furthermore, there is a possibility that the sublimated material 9 may become a particle generation source.

따라서 예컨대 가열 처리 장치에서 미리 설정한 매수의 웨이퍼(W)의 처리를 끝낸 후, 광투과창(42)의 표면에 석출된 승화물(9)의 제거를 위한 클리닝 작업을 행한다. 이 클리닝 작업에 있어서는, 예컨대 직경 300 mm의 웨이퍼(W)의 이면을 열촉매층(5)에 의해 피복한 클리닝용 기판을 이용한다. 클리닝용 기판을 이용한 승화물의 제거에 관해서 설명하면, 우선 모드 선택부(99)에 의해 오퍼레이터가 메인터넌스 모드를 선택한다. 이 선택에 의해, 예컨대 도 1, 도 2에 도시하는 도포, 현상 장치의 캐리어 블록(B1)에 놓인 캐리어(C)로부터 반송 아암(103)에 의해 클리닝용 기판이 빼내어진다. 클리닝용 기판은 반송 아암(104), 선반 유닛(U7)을 통해 메인 아암(A3)에 전달되고, 또한 이 메인 아암(A3)에 의해 처리 용기(2) 내에 반입되어 승강 핀(23)에 전달된다.Therefore, for example, after the processing of the predetermined number of wafers W is completed in the heat processing device, a cleaning operation for removing the sublimated material 9 precipitated on the surface of the light transmission window 42 is performed. In this cleaning operation, a substrate for cleaning in which the back surface of a wafer W having a diameter of, for example, 300 mm is covered with the thermal catalyst layer 5 is used. [0042] When the removal of the sublimated material using the cleaning substrate is described, the operator selects the maintenance mode by the mode selector 99 first. By this selection, the substrate for cleaning is taken out by the transfer arm 103 from the carrier C placed on the carrier block B1 of the coating and developing apparatus shown in FIGS. 1 and 2, for example. The substrate for cleaning is transferred to the main arm A3 via the transfer arm 104 and the shelf unit U7, and is carried into the processing container 2 by the main arm A3 and transferred to the elevating pin 23. do.

그 후, 도 6에 도시하는 것과 같이 승강 핀(23)을 하강시켜, 클리닝용 기판(6)을 돌기부(44) 그룹에 전달한다(배치한다). 그런 후, 배기로(30)로부터 배기를 개시함과 아울러, LED 모듈(3)을 온으로 하여, 클리닝용 기판(6)을 예컨대 300℃로 가열한다. 따라서 LED 모듈(4)은, 열촉매용 가열부와 기판 가열부를 겸용하고 있다고 말할 수 있다. 그러면 클리닝용 기판(6) 하면 측의 열촉매층(5)이 활성화되어, 광투과창(42)과 클리닝용 기판(6)과의 거리가 3 mm 정도로 가깝기 때문에, 광투과창(42)에 부착된 승화물(9)이 열촉매 작용에 의해 분해 제거된다. 승화물(9)의 분해 성분은 처리 용기(2) 내의 분위기와 함께 배기로(30)로부터 배기된다. After that, as shown in Fig. 6, the elevating pins 23 are lowered, and the substrate 6 for cleaning is conveyed (placed) to the group of projections 44. Then, while starting exhaust from the exhaust passage 30, the LED module 3 is turned on and the substrate 6 for cleaning is heated to 300 degreeC, for example. Therefore, it can be said that the LED module 4 serves both as a heating unit for a thermal catalyst and as a substrate heating unit. Then, the thermal catalyst layer 5 on the lower side of the substrate 6 for cleaning is activated, and since the distance between the light-transmitting window 42 and the substrate 6 for cleaning is close to about 3 mm, the light-transmitting window 42 is attached to The sublimated material 9 is decomposed and removed by thermal catalytic action. The decomposed components of the sublimated material 9 are exhausted from the exhaust passage 30 together with the atmosphere in the processing container 2 .

또한, 클리닝용 기판(6)은 도포, 현상 장치 내의 보관부에 배치해 두어도 좋다. 보관부는 예컨대 선반 유닛(U7)의 일부를 이용하도록 하여도 좋다. Further, the substrate 6 for cleaning may be disposed in a storage unit within the coating and developing apparatus. A part of the shelf unit U7 may be used as the storage unit, for example.

제1 실시형태에서는, 처리 용기(2) 내에서 웨이퍼(W)를 가열 처리함에 있어서, 처리 용기(2)의 내면에 열촉매층(5)을 형성하여, 이 열촉매층(5)을 가열하고 있다. 이 때문에 웨이퍼(W) 상의 도포막으로부터 승화하여 처리 용기(2) 내에 받아들여진 승화물이 열촉매층(5) 근방에 도달했을 때에, 열촉매층(5)의 열활성화에 의해 분해 제거된다. 이 결과, 배기로(30)의 하류 측에 유입되는 승화물의 양이 적어지기 때문에, 배기로(30)에의 승화물의 부착량이 적어져, 메인터넌스 빈도를 적게 할 수 있는 동시에, 처리 용기(2) 내면에의 승화물의 석출이 억제되기 때문에, 파티클 오염을 저감할 수 있어, 처리 용기(2) 내의 청소의 빈도도 억제된다. In the first embodiment, when heating the wafer W in the processing container 2, a thermal catalyst layer 5 is formed on the inner surface of the processing container 2, and the thermal catalyst layer 5 is heated. . For this reason, when the sublimated material sublimated from the coating film on the wafer W and received in the processing container 2 reaches the vicinity of the thermal catalyst layer 5, it is decomposed and removed by thermal activation of the thermal catalyst layer 5. As a result, since the amount of sublimated material flowing into the downstream side of the exhaust passage 30 is reduced, the amount of sublimated material adhered to the exhaust passage 30 is reduced, making it possible to reduce the frequency of maintenance and, at the same time, the inner surface of the processing container 2. Since the precipitation of sublimated materials is suppressed, particle contamination can be reduced, and the frequency of cleaning the inside of the processing container 2 is also suppressed.

또한, 표면에 열촉매층(5)을 형성한 클리닝용 기판(6)을 처리 용기(2) 내에 반입하여 클리닝용 기판(6)을 가열함으로써, 광투과창(42)의 표면에 부착된 승화물(9)을 제거하고 있다. 그 때문에, 처리 용기(2)를 분해하여 내부를 클리닝하는 메인터넌스 빈도를 저감할 수 있다. In addition, the cleaning substrate 6 having the thermal catalyst layer 5 formed thereon is transported into the processing container 2 and the cleaning substrate 6 is heated, thereby removing the sublimated material adhering to the surface of the light-transmitting window 42. (9) is being removed. Therefore, the maintenance frequency of disassembling and cleaning the processing container 2 can be reduced.

[제2 실시형태][Second Embodiment]

도 7 및 도 8은 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 도시하고 있다. 이 기판 처리 장치는 도 3에 도시한 가열 처리 장치에 있어서, 배기로(30)에 있어서의 처리 용기(2)의 상측에 위치하는 부위를, 그 부위보다 하류 측의 부위의 압력 손실보다 큰 압력 손실이 되도록 예컨대 미로 구조로 하여 구성되어 있다. 미로 구조로 구성된 부위에는 열촉매층(5)이 형성되어 있다. 이 예에서는 하류 측의 부위란, 처리 용기(2)의 상측에 위치하는 부위보다도 하류 측의 배기로를 구성하는 배기관(34)에 상당한다. 미로 구조로 구성된 부위는 압력 손실 영역(압력 손실부)에 상당하며, 설명의 편의상, 배기로(300)로 하여 설명한다. 7 and 8 show a substrate processing apparatus according to a second embodiment. In this substrate processing apparatus, in the heat processing apparatus shown in FIG. 3, a region located above the processing container 2 in the exhaust passage 30 has a pressure greater than a pressure loss at a region downstream of the region. It is configured, for example, in a maze structure so as to be lost. A thermal catalyst layer 5 is formed in a portion having a labyrinth structure. In this example, the part on the downstream side corresponds to the exhaust pipe 34 constituting the exhaust passage on the downstream side of the part located above the processing container 2 . The part composed of the labyrinth structure corresponds to the pressure loss area (pressure loss part), and for convenience of description, the exhaust path 300 will be described.

배기로(300)는 일단 측이 배기구(32)에 접속되고, 처리 용기(2)의 도면에서의 우측 주연부를 향해서 신장하는 하측 배기로(31)와, 하측 배기로(31)의 위쪽에 마련됨과 아울러 상기 하측 배기로(31)의 타단 측에 연통구(31a)를 통해 그 바닥면이 연통되는 상측 배기로(33)를 구비하고 있다. 상측 배기로(33)는, 처리 용기의 좌측 주연부로 향해서 좌우로 여러 번 굴곡되어, 소위 공장 배기(공장 내에 둘러쳐져 있는 배기 덕트)에 접속된 배기관(34)에 접속되어 있다. 그리고 이 하측 배기로(31) 및 상측 배기로(33) 각각의 내면에는 열촉매층(5)이 형성되어 있다. 또한, 상측 배기로(33)와 처리 용기(2) 사이에는 전열 플레이트(36)가 마련되어, 처리 용기(2)에 마련된 히터(10)의 열을 전열하여, 열촉매층(5)을 예컨대 300℃로 가열하도록 구성되어 있다. 또한, 배기로(300)를 전용으로 가열하는 히터를 마련하여도 좋다. The exhaust path 300 has one end connected to the exhaust port 32, and a lower exhaust path 31 extending toward the right periphery in the drawing of the processing container 2, and provided above the lower exhaust path 31. In addition, an upper exhaust passage 33 is provided at the other end side of the lower exhaust passage 31 through a communication port 31a to communicate with the bottom surface. The upper exhaust passage 33 is bent left and right several times toward the left periphery of the processing container, and is connected to an exhaust pipe 34 connected to a so-called factory exhaust (exhaust duct wrapped around the factory). A thermal catalyst layer 5 is formed on the inner surface of each of the lower exhaust passage 31 and the upper exhaust passage 33 . In addition, a heat transfer plate 36 is provided between the upper exhaust passage 33 and the processing container 2 to transfer heat from the heater 10 provided in the processing container 2 to heat the thermal catalyst layer 5 at, for example, 300°C. It is configured to heat with In addition, a heater for exclusively heating the exhaust path 300 may be provided.

제2 실시형태에서는, 처리 용기(2) 내의 분위기가 배기구(32)를 통해 배기로(300)에 유입되면, 그 배기로(300)에 흐르는 사이에 열촉매층(5)에 의해 승화물이 분해되어 배기된다. 또한, 배기로(300)는 유로가 굴곡되어 있어, 통상의 레이아웃으로 배기로가 형성되는 배기관, 즉 하류 측의 배기관(34)보다 압력 손실이 크기 때문에, 처리 용기(2) 내의 분위기인 배기류가 배기로(300)의 내벽에 충돌하는 정도가 크다. 이 때문에 배기류에 포함되는 승화물이 열촉매층(5)에 접촉하거나 또는 열촉매층(5) 근방에 위치하는 시간이 길어져, 승화물을 보다 확실하게 제거할 수 있고, 이 결과 배기관(34)에 있어서의 승화물의 부착량을 저감할 수 있어, 메인터넌스 빈도를 낮출 수 있다. In the second embodiment, when the atmosphere in the processing container 2 flows into the exhaust passage 300 through the exhaust port 32, the sublimated material is decomposed by the thermal catalyst layer 5 while flowing through the exhaust passage 300. and is discharged In addition, since the exhaust passage 300 has a curved flow path and has a greater pressure loss than the exhaust pipe formed in the normal layout, that is, the exhaust pipe 34 on the downstream side, the exhaust flow, which is the atmosphere within the processing chamber 2, is The degree of collision with the inner wall of the exhaust passage 300 is high. For this reason, the time for the sublimated material contained in the exhaust flow to come into contact with the thermal catalyst layer 5 or to be located near the thermal catalyst layer 5 is lengthened, and the sublimated material can be removed more reliably. As a result, the exhaust pipe 34 It is possible to reduce the adhesion amount of the sublimation material in the substrate, and the maintenance frequency can be lowered.

압력 손실부인 배기로의 형상, 구조의 다른 예를 도 9에 도시한다. 도 9에 도시하는 압력 손실부인 배기로(301)는, 처리 용기(2)의 배기구(32)에 일단 측의 바닥면이 접속되고, 타단 측으로 직선형으로 신장되어 있다. 그리고 배기로(301)의 길이 방향에서 봤을 때, 우측의 벽부에서 좌측의 벽부를 향해서 신장하는 동시에 천장면에서 바닥면을 향해서 신장하는 포착판부(302)와, 좌측의 벽부에서 우측의 벽부를 향해서 신장하는 동시에 바닥면에서 천장면을 향해서 신장하는 포착판부(302)가 배기로(301)의 길이 방향으로 교대로 서로 나란히 복수 매 마련되어 있다. 배기로(301)의 내면 및 포착부(302)의 표면에는 열촉매층(5)이 형성되어 있다. 9 shows another example of the shape and structure of the exhaust passage serving as the pressure loss section. An exhaust path 301 as a pressure loss unit shown in FIG. 9 has one end connected to the exhaust port 32 of the processing container 2 and extends linearly to the other end. When viewed in the longitudinal direction of the exhaust path 301, the trap plate portion 302 extends from the right wall portion toward the left wall portion and extends from the ceiling surface toward the floor surface, and from the left wall portion toward the right wall portion. A plurality of trap plate portions 302 extending from the bottom surface toward the ceiling surface are provided alternately side by side in the longitudinal direction of the exhaust passage 301 . A thermal catalyst layer 5 is formed on the inner surface of the exhaust passage 301 and the surface of the trapping portion 302 .

또한, 압력 손실부인 배기로에 관해서는, 도 10에 도시하는 것과 같이 배기구(32)에 일단 측의 바닥면을 접속하고, 외측으로 향해 나선형으로 둘러쳐지며, 외연부에서 배기관(34)에 접속되도록 구성한 배기로(303)라도 좋다. 이 경우, 예컨대 도 10에 도시하는 것과 같이 배기류가 흐르는 방향에 있어서 좌우의 측벽으로부터 포착판부(304)를 교대로 돌출시킨 구성이라도 좋다. As for the exhaust path serving as the pressure loss part, as shown in FIG. 10, the bottom surface at one end is connected to the exhaust port 32, spirally wrapped around the outside, and connected to the exhaust pipe 34 at the outer edge. An exhaust passage 303 configured to be possible may be used. In this case, for example, as shown in FIG. 10, a configuration may be employed in which the trap plate portions 304 protrude alternately from the left and right side walls in the direction in which the exhaust flow flows.

이와 같이 처리 용기(2)의 바로 하류 측에 압력 손실이 큰 배기로를 마련하여 이 배기로에 열촉매층(5)을 형성하는 것이 바람직하지만, 도 1에 도시하는 것과 같이 통상의 배기로(30)의 레이아웃을 따른 배기로(30)에 열촉매층(5)을 마련하여도 좋으며, 이 경우라도, 하류 측의 배기로에 있어서의 승화물의 부착이 억제되는 효과가 있다. 또한, 처리 용기(2)의 내벽에는 열촉매층(5)을 마련하지 않고서 배기로에 열촉매층(5)을 마련하는 구성이라도, 하류 측의 배기로에 있어서의 승화물의 부착이 억제되는 효과가 있다. In this way, it is preferable to provide an exhaust passage with a large pressure loss immediately downstream of the processing container 2 and form the thermal catalyst layer 5 in this exhaust passage, but as shown in FIG. The thermal catalyst layer 5 may be provided in the exhaust passage 30 along the layout of ), and even in this case, there is an effect of suppressing adhesion of sublimated materials in the exhaust passage on the downstream side. In addition, even if the thermal catalyst layer 5 is provided in the exhaust passage without providing the thermal catalyst layer 5 on the inner wall of the processing container 2, there is an effect of suppressing adhesion of sublimated materials in the downstream exhaust passage. .

이상 설명한 실시형태에서는, 웨이퍼(W)를 가열하는 기판 가열부로서 LED 어레이(41)를 이용하고 있지만, 웨이퍼(W)가 배치되는 배치판을 이루는, 히터에 의해 가열되는 가열판이라도 좋다. In the embodiment described above, the LED array 41 is used as a substrate heating unit for heating the wafer W, but a heating plate heated by a heater forming a placement plate on which the wafer W is placed may be used.

[제3 실시형태][Third Embodiment]

본 발명의 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서, 웨이퍼(W)의 표면에 UV(자외선)를 조사하여 UV 처리하는 장치, 예컨대 웨이퍼(W)에 성막된 도포막의 표면을 평탄화하는 UV 처리 장치에 적용한 예를 설명한다. As a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention, a UV treatment apparatus by irradiating UV (ultraviolet rays) to the surface of a wafer (W), for example, a UV treatment apparatus for flattening the surface of a coating film formed on the wafer (W). An example of its application is described.

도포막으로서는 예컨대, 웨이퍼(W)의 패턴 상에 형성된 SOC막을 들 수 있다. SOC막의 원료로서는, 산소 함유 분위기 하에서 자외선을 조사함으로써 발생하는 활성 산소나 오존과 반응하여 분해되는 탄소 화합물을 포함하는 유기막 원료, 예컨대 폴리에틸렌 구조((-CH2-)n)의 골격을 갖는 폴리머 원료를 용매에 용해시킨 액체가 이용된다. As the coating film, for example, an SOC film formed on the pattern of the wafer W is exemplified. As the raw material for the SOC film, an organic film raw material containing a carbon compound that reacts and decomposes with active oxygen generated by irradiation of ultraviolet rays in an oxygen-containing atmosphere or ozone, for example, a polymer having a polyethylene structure ((-CH 2 -) n ) skeleton. A liquid in which raw materials are dissolved in a solvent is used.

UV 처리 장치는, 도 11에 도시하는 것과 같이 편평하며 앞뒤 방향으로 가늘고 긴 직방체 형상의 하우징(70)을 구비하고, 하우징(70)의 전방 측의 측벽면에는 웨이퍼(W)를 반입출하기 위한 반입출구(71)와, 이 반입출구(71)를 개폐하는 셔터(72)가 마련되어 있다. As shown in FIG. 11, the UV processing apparatus has a housing 70 in the shape of a flat, elongated rectangular parallelepiped in the forward and backward direction, and a carrying-in device for loading and unloading wafers W is provided on the side wall surface of the front side of the housing 70. An exit 71 and a shutter 72 that opens and closes the carry-in/outlet 71 are provided.

하우징(70)의 내부는, 반입출구(71)에서 봤을 때 앞쪽에 있어서의, 구획판(73)의 상측 공간에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(74)이 마련되어 있다. 반송 아암(74)에는, 도시하지 않는 외부의 반송 아암과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 앞쪽의 위치와, 후술하는 배치대(81)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 안쪽의 위치 사이를 전후 방향으로 이동하기 위한 도시되지 않는 이동 기구가 마련되어 있다. 반송 아암(74)은, 처리 후의 웨이퍼(W)를 냉각하는 쿨링 아암으로서의 역할도 한다. In the space above the partition plate 73 in the front side of the housing 70 as viewed from the loading/unloading port 71, a carrying arm 74 for carrying the wafer W is provided. The transfer arm 74 has a forward position for transferring the wafer W between an external transfer arm (not shown) and a back position for transferring the wafer W between a placement table 81 described later. A moving mechanism (not shown) for moving between them in the forward and backward directions is provided. The transfer arm 74 also serves as a cooling arm for cooling the processed wafer W.

외부의 반송 아암과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 앞쪽의 위치에는, 외부의 반송 아암과 반송 아암(74) 사이의 웨이퍼(W) 전달시에, 그 웨이퍼(W)를 일시적으로 지지하는 승강 핀(75)이 마련되어 있다. 승강 핀(75)은, 구획판(73)의 하측 공간에 배치된 승강 기구(76)에 접속되며, 반송 아암(74)에 있어서의 웨이퍼(W)의 배치면보다 하측의 위치와, 상기 배치면보다 상측이며 외부의 반송 아암과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 위치와의 사이를 승강할 수 있다. At the position in front of the transfer of the wafer W between the external transfer arm and the transfer arm 74, the wafer W is temporarily supported during transfer of the wafer W between the external transfer arm and the transfer arm 74. Lifting pins 75 are provided. The elevating pins 75 are connected to the elevating mechanism 76 disposed in the lower space of the partition plate 73, and have a position lower than the placement surface of the wafer W in the transfer arm 74 and a position lower than the placement surface. It can move up and down between the upper and outer transfer arm and the position where the wafer W is transferred.

반송 아암(74)이 외부의 반송 아암과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 위치의 후방 측에는 웨이퍼(W)의 배치대(81)가 배치되어 있다. 배치대(81)의 내부에는 히터(82)가 매립되어 있으며, 웨이퍼(W)를 가열하는 가열부로서의 기능도 갖는다. A wafer W placement table 81 is disposed on the rear side of the position where the transfer arm 74 transfers the wafer W between it and the external transfer arm. A heater 82 is embedded in the placing table 81 and also functions as a heating unit for heating the wafer W.

배치대(81)의 하측에는, 반송 아암(74)과의 사이에서의 웨이퍼(W) 전달시에, 그 웨이퍼(W)를 일시적으로 지지하는 승강 핀(83)이 마련되어 있다. 도 5에 도시하는 것과 같이 배치대(81)에는, 승강 핀(83)을 관통시키기 위한 관통 구멍(84)이 형성되어 있다. Below the mounting table 81, lift pins 83 are provided to temporarily support the wafers W when the wafers W are transferred to and from the transfer arm 74. As shown in FIG. 5 , a through hole 84 through which a lift pin 83 passes is formed in the placing table 81 .

승강 핀(83)은 승강 기구(85)에 접속되며, 배치대(81)의 상측까지 이동한 반송 아암(74)에 있어서의 웨이퍼(W)의 배치면의 하측 위치와, 상기 배치면의 상측 위치 사이를 승강함으로써, 반송 아암(74)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하여, 배치대(81)에 배치한다. 또한, 승강 핀(83)은, 제1 실시형태에서 설명한 클리닝용 기판(6)을 지지했을 때에, 클리닝용 기판(6)의 상면과, 천장면(자세하게는 후술하는 UV 투과부(93)의 하면)과의 사이의 높이 치수가, 수 mm~십수 mm 범위 내 예컨대 3 mm가 되는 높이까지 상승할 수 있게 구성되어 있다. The elevating pin 83 is connected to the elevating mechanism 85, and the lower position of the placement surface of the wafer W in the transfer arm 74, which has moved to the upper side of the placement table 81, and the upper side of the placement surface By moving up and down between positions, the wafer W is transferred to and from the transfer arm 74 and placed on the mounting table 81 . Further, when the lifting pin 83 supports the cleaning substrate 6 described in the first embodiment, the upper surface of the cleaning substrate 6 and the ceiling surface (the lower surface of the UV transmission portion 93 described later in detail) ) is configured to be able to rise to a height of, for example, 3 mm within the range of several mm to several tens of mm.

배치대(81)의 상측에는, 배치대(81)에 배치된 웨이퍼(W)에 UV광을 조사하기 위한 광원부가 되는 UV 램프(92)를 수용한 램프실(91)이 마련되어 있다. 램프실(91)의 하면은, UV 램프(92)로부터 조사된 UV광을 웨이퍼(W)를 향해서 투과시키는 광투과창인 UV 투과부(93)가 마련되어 있다. UV 투과부(93)는 예컨대 UV광을 투과하는 석영판 등에 의해 구성된다. A lamp chamber 91 accommodating a UV lamp 92 serving as a light source unit for irradiating UV light to the wafer W placed on the mounting table 81 is provided above the mounting table 81 . On the lower surface of the lamp chamber 91, a UV transmission portion 93, which is a light transmission window for transmitting UV light emitted from the UV lamp 92 toward the wafer W, is provided. The UV transmitting portion 93 is made of, for example, a quartz plate or the like that transmits UV light.

또한, 램프실(91) 아래쪽의 측벽에는, 하우징(70) 내에 청정 공기를 공급하기 위한 가스 공급부(94)와, 하우징(70) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구(95)가 상호 대향하게 형성되어 있다. 배기구(95)에는 배기관(96)을 통해 배기 기구(97)가 접속되어 있다. In addition, on the side wall below the lamp chamber 91, a gas supply unit 94 for supplying clean air into the housing 70 and an exhaust port 95 for exhausting the atmosphere in the housing 70 are formed to face each other, there is. An exhaust mechanism 97 is connected to the exhaust port 95 via an exhaust pipe 96 .

또한, UV 처리 장치에도 가열 처리 장치와 마찬가지로 제어부(100)가 접속되어 있다. In addition, the control unit 100 is also connected to the UV processing device similarly to the heat processing device.

이 UV 처리 장치에 있어서는, 표면에 SOC막이 도포된 웨이퍼(W)가 외부의 기판 반송 기구와 승강 핀(75)과의 협동 작용에 의해 반송 아암(74)에 전달된다. 이어서 반송 아암(74)을 배치대(81)의 상측까지 이동하여 정지하면, 승강 핀(83)을 상승시켜 반송 아암(74)으로부터 승강 핀(83)에 웨이퍼(W)를 전달한다. 그 후 승강 핀(83)을 강하시켜 배치대(81)에 웨이퍼(W)를 배치한다. 그리고 가스 공급부(94)로부터 가스를 공급함과 아울러 배기구(95)로부터 배기를 개시한다. In this UV processing apparatus, a wafer W having an SOC film coated thereon is transferred to the transfer arm 74 by a cooperative action between an external substrate transfer mechanism and the lifting pins 75 . Next, when the transport arm 74 is moved to the upper side of the mounting table 81 and stopped, the lifting pin 83 is raised and the wafer W is transferred from the carrying arm 74 to the lifting pin 83 . Thereafter, the wafer W is placed on the placing table 81 by lowering the elevating pin 83 . Then, gas is supplied from the gas supply unit 94 and exhaust is started from the exhaust port 95 .

그 후 웨이퍼(W)를 예컨대 250℃로 가열하고, UV 램프(72)를 점등하여 UV광을 조사한다. 조사된 UV광에 의해서, 웨이퍼(W) 위쪽의 청정 공기(산소 포함 분위기) 중의 산소로부터 활성 산소나 오존이 발생한다. 이들 활성 산소와 오존에 의해서, SOC막의 표면(SOC막의 일부)이 분해되어 제거되어, 소위 에치백이 실행된다. Thereafter, the wafer W is heated to, for example, 250° C., and the UV lamp 72 is turned on to irradiate UV light. Active oxygen and ozone are generated from oxygen in the clean air (oxygen-containing atmosphere) above the wafer W by the irradiated UV light. By these active oxygen and ozone, the surface of the SOC film (part of the SOC film) is decomposed and removed, so-called etch-back is performed.

이러한 웨이퍼(W)에 UV를 조사하여 SOC막을 평탄화함에 있어서, 도 12에 도시하는 것과 같이 웨이퍼(W)를 가열 처리했을 때에, 웨이퍼(W)로부터 승화한 승화물이 UV 투과부(93)의 하면에 부착하는 경우가 있으며, UV 투과부(93)에 승화물(9)이 부착되어 버리면 투과율이 떨어져, 양호한 UV 처리를 행할 수 없게 된다. 그래서 예컨대 미리 설정한 매수의 웨이퍼(W)를 처리한 후, 표면 및 이면 중 적어도 표면의 전면에 걸쳐 열촉매층(5)을 형성한 클리닝용 기판(6)을 이용하여 승화물(9)을 제거한다. In flattening the SOC film by irradiating the wafer W with UV, as shown in FIG. 12, when the wafer W is subjected to heat treatment, the sublimated material sublimated from the wafer W is the lower surface of the UV transmission portion 93. If the sublimated material 9 adheres to the UV transmission portion 93, the transmittance decreases, making it impossible to perform a good UV treatment. So, for example, after processing a preset number of wafers W, the sublimated material 9 is removed using a cleaning substrate 6 on which a thermal catalyst layer 5 is formed over at least the entire surface of the front and rear surfaces do.

예컨대 웨이퍼(W)와 같은 공정에 의해, 도 13에 도시하는 것과 같이 클리닝용 기판(6)을 배치대(81)에 배치한다. 그 후, 배치대(81)에 의해 클리닝용 기판(6)(열촉매층(5))을 200~400℃ 예컨대 300℃로 가열한다. 이어서 도 14에 도시하는 것과 같이 승강 핀(83)을 상승시켜, 클리닝용 기판(6)을 UV 투과부(93)와의 사이의 높이 치수가 수 mm~십수 mm의 범위 내, 예컨대 3 mm가 되는 높이까지 상승시킨다. 이 때 배치대(81)에 의한 가열을 계속하여, 클리닝용 기판(6)의 온도를 300℃로 유지한다. 또한, 가스 공급부(94)에 의해 청정 공기를 공급함과 아울러 배기구(95)로부터 배기를 개시한다. 이 결과 열촉매층(5)의 작용에 의해, UV 투과부(93)의 하면에 부착된 승화물(9)이 분해되고, 분해된 승화물(9)은 분위기와 함께 배기구(95)로부터 배기된다. For example, the cleaning substrate 6 is placed on the mounting table 81 as shown in FIG. 13 by the same process as the wafer W. Thereafter, the cleaning substrate 6 (thermal catalyst layer 5) is heated to 200 to 400°C, for example, 300°C, by the mounting table 81 . Next, as shown in FIG. 14, the elevating pins 83 are raised so that the height between the cleaning substrate 6 and the UV transmission portion 93 is within the range of several mm to several tens of mm, for example, 3 mm. rise up to At this time, heating by the mounting table 81 is continued to maintain the temperature of the substrate 6 for cleaning at 300°C. In addition, clean air is supplied by the gas supply unit 94 and exhaust is started from the exhaust port 95 . As a result, by the action of the thermal catalyst layer 5, the sublimated material 9 adhering to the lower surface of the UV transmission portion 93 is decomposed, and the decomposed sublimated material 9 is exhausted from the exhaust port 95 together with the atmosphere.

제3 실시형태에 따르면, 클리닝용 기판(6)을 가열함으로써, UV 투과부(93)의 표면에 부착된 승화물(9)을 제거하고 있다. 따라서 UV의 투과가 나빠짐에 따른 UV 처리에의 악영향을 억제할 수 있고, 또한 처리 용기(2)를 분해하여 내부의 클리닝을 행하는 메인터넌스 빈도를 저감할 수 있는 효과가 있다. According to the third embodiment, by heating the substrate 6 for cleaning, the sublimated material 9 adhering to the surface of the UV transmission portion 93 is removed. Therefore, it is possible to suppress adverse effects on UV treatment due to deterioration in transmission of UV, and also to reduce the frequency of maintenance in which the processing container 2 is disassembled and the inside is cleaned.

제3 실시형태에서도, 배기관(96)에 열촉매층을 형성하여 하류 측의 배기로에 승화물이 석출되는 것을 억제하도록 하여도 좋으며, 이 경우, 배기관(96)을 제2 실시형태와 같이 압력 손실이 큰 구조로 하여도 좋다. Also in the third embodiment, a thermal catalyst layer may be formed on the exhaust pipe 96 to suppress precipitation of sublimated materials in the exhaust passage on the downstream side. It is good also as this large structure.

또한, 배치대(81)를 승강이 자유롭게 구성하여, 배치대(81)를 상승시켜, 제거용 기판을 UV 투과부(93)의 하면에 가까이 하도록 하여도 좋다, 이 예에서는 클리닝용 기판(6)의 적어도 표면 측이 열촉매층(5)에 의해 피복되어 있으면 되지만, 표면 및 이면 양면에 피복되어 있어도 좋다. Alternatively, the mounting table 81 may be configured to move up and down freely, and the mounting table 81 may be raised to bring the removal substrate close to the lower surface of the UV transmission portion 93. In this example, the cleaning substrate 6 At least the front side should just be covered with the thermal catalyst layer 5, but it may be covered on both the front and back surfaces.

본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 가열하는 장치에 한하지 않고, 예컨대 처리 가스에 의해 기판을 에칭하는 장치라도 좋다. The substrate processing apparatus of the present invention is not limited to a device for heating a substrate, and may be a device for etching a substrate with a process gas, for example.

열촉매층에 이용되는 재료의 예로서는 이하의 화학식으로 표시되는 물질이라도 좋다. BeO(산화베릴륨), MgO(산화마그네슘), CaO(산화칼슘), SrO(산화스트론튬), BaO(산화바륨), CeO2(산화세륨), TiO2(산화티탄), ZrO2(이산화지르코늄), V2O5(오산화이바나듐), Y2O3(산화이트륨), Y2O2S(Yttrium oxide sulfide), Nb2O5(오산화이니오븀), Ta2O5(오산화이탄탈), MoO3(몰리브덴트리옥사이드), WO3(텅스텐트리옥사이드), MnO2(이산화망간), Fe2O3(삼산화이철), Fe3O4(사산화삼철), MgFe2O4, NiFe2O4, ZnFe2O4, ZnCo2O4, ZnO(산화아연), CdO(산화카드뮴), MgAl2O4, ZnAl2O4, Tl2O3(산화탈륨), In2O3(산화인듐), SnO2(이산화주석), PbO2(이산화연), UO2(이산화우라늄), Cr2O3(삼산화이크롬), MgCr2O4, FeCrO4, CoCrO4, ZnCr2O4, WO2(산화텅스텐), MnO(산화망간), Mn3O4(사산화삼망간), Mn2O3(삼산화이망간), FeO(산화철), NiO(산화니켈), CoO(산화코발트), Co3O4(사산화삼코발트), PdO(산화팔라듐), CuO(산화구리), Cu2O(산화이구리), Ag2O(산화은), CoAl2O4, NiAl2O4, Ti2O(산화티탄), GeO(산화게르마늄), PbO(산화납), TiO(산화티탄), Ti2O3(삼산화이티탄), VO(산화바나듐), MoO2(이산화몰리브덴), IrO2(이산화이리듐), RuO2(산화루테늄). 또한, 이들의 열촉매체는 200℃ 이상, 보다 바람직하게는 300℃ 이상의 온도로 가열하는 것이 바람직하다. As an example of the material used for the thermal catalyst layer, a material represented by the following chemical formula may be used. BeO (beryllium oxide), MgO (magnesium oxide), CaO (calcium oxide), SrO (strontium oxide), BaO (barium oxide), CeO 2 (cerium oxide), TiO 2 (titanium oxide), ZrO 2 (zirconium dioxide) , V 2 O 5 (vanadium pentoxide), Y 2 O 3 (yttrium oxide), Y 2 O 2 S (yttrium oxide sulfide), Nb 2 O 5 (iniobium pentoxide), Ta 2 O 5 (tantalum pentoxide), MoO 3 (molybdenum trioxide), WO 3 (tungsten trioxide), MnO 2 (manganese dioxide), Fe 2 O 3 (ferric trioxide), Fe 3 O 4 (ferric tetroxide), MgFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , ZnFe 2 O 4 , ZnCo 2 O 4 , ZnO (zinc oxide), CdO (cadmium oxide), MgAl 2 O 4 , ZnAl 2 O 4 , Tl 2 O 3 (thallium oxide), In 2 O 3 (indium oxide), SnO 2 (tin dioxide), PbO 2 (lead dioxide), UO 2 (uranium dioxide), Cr 2 O 3 (dichrome trioxide), MgCr 2 O 4 , FeCrO 4 , CoCrO 4 , ZnCr 2 O 4 , WO 2 (tungsten oxide) , MnO (manganese oxide), Mn 3 O 4 (trimanganese tetroxide), Mn 2 O 3 (dimanganese trioxide), FeO (iron oxide), NiO (nickel oxide), CoO (cobalt oxide), Co 3 O 4 (tricobalt tetroxide) , PdO (palladium oxide), CuO (copper oxide), Cu 2 O (copper oxide), Ag 2 O (silver oxide), CoAl 2 O 4 , NiAl 2 O 4 , Ti 2 O (titanium oxide), GeO (germanium oxide) ), PbO (lead oxide), TiO (titanium oxide), Ti 2 O 3 (titanium trioxide), VO (vanadium oxide), MoO 2 (molybdenum dioxide), IrO 2 (iridium dioxide), RuO 2 (ruthenium oxide). Further, these thermal catalysts are preferably heated to a temperature of 200°C or higher, more preferably 300°C or higher.

또한, 열촉매체를 처리 용기의 내면 또는 배기관의 내면에 마련함에 있어서는, 예컨대 열촉매체를 판형으로 성형한 성형체를 설치하도록 하여도 좋다. 또한, 메인터넌스용 기판은 열촉매체로 이루어지는 판형체라도 좋다. In addition, when the thermal catalyst is provided on the inner surface of the processing container or the inner surface of the exhaust pipe, for example, a molded body obtained by molding the thermal catalyst into a plate shape may be installed. Further, the substrate for maintenance may be a plate-shaped body made of a thermal catalyst.

또한, 이들 재료를 열촉매층(5)에 이용함으로써 폴리에틸렌텔레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, ABS 수지, 에폭시 수지, 페놀 잔사, 벤젠, 톨루엔, 휘발성 유기 탄소 등을 분해할 수 있다. In addition, by using these materials for the thermal catalyst layer 5, polyethylene terephthalate, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, ABS resin, epoxy resin, phenol residue, benzene, toluene, volatile organic carbon and the like can be decomposed.

또한, 처리 용기 또는 배기관의 내면에 열촉매층을 피복함에 있어서, 열촉매층을 가열하는 가열부와 함께 열촉매층을 냉각하는 냉각 기구를 마련하여도 좋다. 예컨대 처리 용기의 벽내 또는 배기관의 주위에 냉각 배관을 매설하여, 냉각 배관의 내부에 예컨대 칠러에 의해 냉각된 냉각수를 통류시킨 구성을 들 수 있다. 이러한 구성에 있어서는, 예컨대 냉각 기구에 의해 열촉매층을 냉각하여, 처리 용기 내의 분위기 또는 배기관을 통류하는 배기에 포함되는 유기 성분을 열촉매층의 표면에 석출시킨다. 그 후 가열 기구에 의해 열촉매층을 가열하여, 승화물을 분해하여 제거한다. 이러한 수법에 따르면, 열촉매층을 냉각하여 분위기나 배기 중에 포함되는 유기 성분을 적극적으로 포집할 수 있으므로, 포집 효율이 올라, 열촉매층을 가열하여, 유기 성분을 제거했을 때보다 많은 승화물을 제거할 수 있다. 따라서 배기관의 하류 측에 흐르는 유기 성분의 양을 보다 억제할 수 있다. Further, when the thermal catalyst layer is coated on the inner surface of the processing vessel or the exhaust pipe, a cooling mechanism for cooling the thermal catalyst layer may be provided together with a heating unit for heating the thermal catalyst layer. For example, a cooling pipe is buried in the wall of the processing vessel or around the exhaust pipe, and cooling water cooled by, for example, a chiller flows through the inside of the cooling pipe. In this configuration, the thermal catalyst layer is cooled by, for example, a cooling mechanism to deposit organic components contained in the atmosphere in the processing vessel or exhaust gas flowing through the exhaust pipe on the surface of the thermal catalyst layer. Thereafter, the thermal catalyst layer is heated by a heating mechanism to decompose and remove the sublimated material. According to this method, since the organic components contained in the atmosphere or exhaust air can be actively collected by cooling the thermal catalyst layer, the collection efficiency is increased, and more sublimated substances can be removed than when the organic components are removed by heating the thermal catalyst layer. can Accordingly, the amount of organic components flowing on the downstream side of the exhaust pipe can be further suppressed.

[제4 실시형태][Fourth Embodiment]

이하에 설명하는 제4~제6 실시형태는, 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 가열 처리 장치에 적용한 예를 나타낸다. The fourth to sixth embodiments described below show examples in which the substrate processing apparatus according to the present invention is applied to a heat processing apparatus.

본 발명은, 다공질의 열촉매체(열촉매 물질)를 배기로에 배치하여 그 열촉매체 속에 배기류를 통과시키도록 하여도 좋으며, 본 발명의 제4 실시형태는 이러한 수법을 채용한 가열 처리 장치의 구성예이다. 도 15 및 도 16에 도시하는 예는, 이미 상술한 도 7에 도시한 가열 처리 장치에 있어서의 배기로(300)를 포함하는 구조 부위 대신에, 다공질의 열촉매를 블록형으로 형성한 성형체인 블록체(322)를 포함하는 구조체(310)를 구비하고 있다. In the present invention, a porous thermal catalyst (thermal catalyst substance) may be disposed in an exhaust passage so that the exhaust flow passes through the thermal catalyst, and the fourth embodiment of the present invention is a heat treatment employing such a method. This is an example of the configuration of the device. The example shown in FIGS. 15 and 16 is a molded chain in which a porous thermal catalyst is formed in a block shape instead of the structural portion including the exhaust passage 300 in the heat treatment device shown in FIG. 7 described above. A structure 310 including a block body 322 is provided.

구조체(310)는, 덮개부(22)에 형성된 배기구(32)에 일단이 접속된 배기로(312)를 포함하는 본체 부분(311)과, 상기 배기로(312)의 타단 측에 형성된 배기 포트(313)로부터 상기 배기로(312) 내에 삽입되는 카트리지(320)를 구비하고 있다. The structure 310 includes a main body portion 311 including an exhaust passage 312 having one end connected to an exhaust port 32 formed in the lid portion 22, and an exhaust port formed on the other end side of the exhaust passage 312. A cartridge 320 inserted into the exhaust passage 312 from 313 is provided.

카트리지(320)는, 케이스체(321)와, 다공질의 열촉매체인 블록체(322)를 구비하고 있다. 케이스체(321)는 블록체(322)를 유지하는 유지체이며, 배기로(312)의 상류 측에서 하류 측으로 향해 신장하는 상면이 개구된 개략 박스형으로 형성되어 있다. 케이스체(321)는, 카트리지(320)를 배기로(312)에 삽입했을 때에 배기로(312)의 벽면과 카트리지(320) 사이가 카트리지(320)의 착탈을 방해하지 않을 정도의 극히 좁은 간극이 형성되도록 만들어져 있다. 또한, 케이스체(321)의 길이 방향 일단 측의 바닥면에는, 배기구(32)에 대응하는 위치에 구멍부(323)가 형성되어 있다. 또한, 케이스체(320)의 길이 방향의 타단 측은, 측면이 개방됨과 아울러 카트리지(320)를 배기로(312)로부터 인출하기 위한 수평 돌기(324)가 케이스체(321)의 바닥면으로부터 연장되어 형성되어 있다. The cartridge 320 includes a case body 321 and a block body 322 that is a porous thermal catalyst. The case body 321 is a holding body for holding the block body 322, and is formed in a general box shape with an open upper surface extending from the upstream side of the exhaust passage 312 to the downstream side. When the cartridge 320 is inserted into the exhaust passage 312, the case body 321 has an extremely narrow gap between the wall surface of the exhaust passage 312 and the cartridge 320 so as not to interfere with attachment or detachment of the cartridge 320. It is made to form. Further, a hole 323 is formed at a position corresponding to the exhaust port 32 on the bottom surface of the case body 321 at one end side in the longitudinal direction. In addition, the side of the other end in the longitudinal direction of the case body 320 is open, and a horizontal protrusion 324 for withdrawing the cartridge 320 from the exhaust passage 312 extends from the bottom surface of the case body 321. is formed

블록체(322)는, 예컨대 세라믹으로 구성된 다공질체의 촉매 담지체인 필터에 열촉매 물질을 부착시켜 구성되고, 케이스체(321)에 들어가는 각주형으로 형성되어 있다. 그리고 도 16에 도시하는 것과 같이 블록체(322)를 케이스체(321)에 삽입하여 구성된 카트리지(320)는 배기 포트(313)로부터 배기로(312)에 삽입된다. 배기 포트(313)는, 공장 용력(工場用力)에 접속된 도시하지 않는 덕트에 접속된다. The block body 322 is formed by adhering a thermal catalyst material to a filter, which is a porous catalyst support body made of ceramic, for example, and is formed in the shape of a prism that fits into the case body 321 . Then, as shown in FIG. 16 , the cartridge 320 configured by inserting the block body 322 into the case body 321 is inserted into the exhaust path 312 from the exhaust port 313 . The exhaust port 313 is connected to a duct (not shown) that is connected to a factory power supply.

이 예의 가열 처리 장치에 있어서는, 예컨대 덮개(22)에 마련된 히터(10)가 본체 부분(311)을 통해, 배기로(312) 내의 블록체(322)를 가열하여, 열촉매체가 활성화된다. 또한, 본체 부분(311)에 히터를 마련하여, 이 히터에 의해 블록체(322)를 가열하여도 좋다. 그리고 처리 용기(2) 내의 분위기를 배기하면, 배기류는 배기로(312)를 흐를 때에 블록체(322)를 구성하는 다공질체의 공극을 통과하여, 덕트를 통해 배기된다. In the heat processing apparatus of this example, the heater 10 provided on the lid 22, for example, heats the block body 322 in the exhaust passage 312 via the main body portion 311, so that the thermal catalyst is activated. In addition, a heater may be provided in the main body portion 311, and the block body 322 may be heated by this heater. Then, when the atmosphere inside the processing container 2 is exhausted, the exhaust flow passes through the pores of the porous body constituting the block body 322 as it flows through the exhaust passage 312 and is exhausted through the duct.

이와 같이 다공질체의 블록체(322)를 배기로(312)를 막도록 배치하여, 배기류를 블록체(322) 내의 공극을 통과시킴으로써, 배기류에 포함되는 승화물이 접촉하는 열촉매체의 면적이 커져, 배기 중인 승화물의 분해 효율이 좋아진다. In this way, the block body 322 of the porous body is arranged so as to block the exhaust passage 312, and the exhaust flow is passed through the voids in the block body 322, so that the sublimated material contained in the exhaust flow is in contact with the thermal catalyst. The larger the area, the better the decomposition efficiency of the sublimated material during evacuation.

그리고 예컨대 소정 매수의 웨이퍼(W)의 처리마다 또는 가열 처리 장치의 소정의 가동 시간마다 덕트로부터 배기 포트(313)를 분리하고, 배기로(312)에서 카트리지(320)를 빼내, 블록체(322)를 새로운 블록체(322)와 교환한다. Then, for example, the exhaust port 313 is disconnected from the duct for each processing of a predetermined number of wafers W or the predetermined operating time of the heat treatment apparatus, and the cartridge 320 is taken out from the exhaust path 312, and the block body 322 ) is exchanged with a new block body 322.

가열 처리 장치에 있어서, 가열 처리하고 있으면, 배기에 포함되는 난분해성의 물질이 블록체(322)의 공극에 가득 차, 배기 유량이 저하할 우려가 있지만, 제4 실시형태에 따른 가열 처리 장치에 의하면, 배기로(312)로부터 블록체(322)를 신속하게 빼내어 간단히 교환할 수 있다. 이 때문에 메인터넌스를 간단히 행할 수 있어, 메인터넌스에 따른 장치의 운전 중단 시간(다운타임)의 단축화를 도모할 수 있다. In the heat treatment device, when the heat treatment is performed, there is a possibility that the voids of the block body 322 are filled with non-decomposable substances contained in the exhaust gas and the exhaust flow rate decreases. However, in the heat treatment device according to the fourth embodiment, According to this, the block body 322 can be quickly removed from the exhaust passage 312 and replaced easily. For this reason, maintenance can be performed easily, and the operation interruption time (downtime) of the apparatus associated with the maintenance can be reduced.

또한, 블록체(322) 대신에 예컨대 입자상의 세라믹 볼의 표면에 열촉매체를 부착시켜, 케이스체(321)의 간극을 메우도록 충전하게 하여도 좋다. 열촉매체가 마련되는 기질을 입자형으로 한 경우에도 표면적이 커지기 때문에 동일한 효과가 있다. Instead of the block body 322, for example, a thermal catalyst may be attached to the surface of particulate ceramic balls to be filled so as to fill gaps in the case body 321. Even when the substrate on which the thermal catalyst is provided is in the form of particles, the same effect is obtained because the surface area is increased.

또한, 배기로(312)의 내부에 블록체(322)를 마련함에 있어서, 블록체(322)를 배기로(312)의 상류 측(배기구(32) 측)에 배치되는 부위에서부터 하류 측(덕트 측)에 배치되는 부위를 향하여, 블록체(322)의 구성 재료인 세라믹의 밀도가 높아지도록(상류 측일수록 공극율이 높아지도록) 형성하여도 좋다. 이와 같이 구성함으로써 블록체(322)를 배기가 통과할 때의 압력 손실이 작아지기 때문에, 배기로(312)를 배기류가 원활하게 흘러, 소요의 배기 유량을 용이하게 확보할 수 있다. Further, in providing the block body 322 inside the exhaust passage 312, the block body 322 is disposed on the upstream side (exhaust port 32 side) of the exhaust passage 312 and on the downstream side (duct 322). side), it may be formed so that the density of the ceramic, which is the constituent material of the block body 322, increases (the porosity increases as it goes upstream). With this configuration, the pressure loss when the exhaust gas passes through the block body 322 is reduced, so that the exhaust flow flows smoothly through the exhaust path 312 and the required exhaust flow rate can be easily secured.

또한, 열촉매용 가열부는 블록체(322)의 내부에 매설되어도 좋다. 예컨대 도 17에 도시하는 것과 같이 블록체(322)의 내부에 길이 방향으로 여러 번 굴곡되는 히터(325)를 마련하는 구성을 예로 들 수 있다. Further, the heating unit for the thermal catalyst may be buried inside the block body 322 . For example, as shown in FIG. 17, a configuration in which a heater 325 bent several times in the longitudinal direction is provided inside the block body 322 is exemplified.

[제5 실시형태][Fifth Embodiment]

또한, 복수의 가열 처리 장치의 개개의 배기로를 공통의 배기로인 집합 덕트에 접속하여 배기하도록 구성한 기판 처리 장치에 대하여 본 발명을 적용한 실시형태에 관해서 도 18을 이용하여 설명한다. 도 18에서는, 가열 처리 장치(1)에 접속된 300은 가열 처리 장치(1)의 개별의 배기로를, 330은 공통의 집합 덕트를 나타내고, 집합 덕트(330)의 하류 측은 공장 용력에 접속되어 있다. 그리고 이 실시형태에서는, 집합 덕트(330)에 도 18에 도시하는 것과 같은 열촉매 물질을 구비한 열촉매 유닛(340)을 착탈이 자유롭게 마련하고 있다. Further, an embodiment to which the present invention is applied will be described with reference to FIG. In FIG. 18, 300 connected to the heat processing apparatus 1 represents an individual exhaust passage of the heat processing apparatus 1, 330 represents a common collective duct, and the downstream side of the collective duct 330 is connected to the factory power supply. there is. And in this embodiment, the thermal catalyst unit 340 equipped with the thermal catalyst substance as shown in FIG. 18 is provided in the collecting duct 330 freely attachable and detachable.

열촉매 유닛(340)은, 예컨대 도 18의 종단면도에 도시하는 것과 같이 단면 형상이 집합 덕트(330)의 단면 형상에 대응하는 관로(332)를 구비하고, 관로(332)의 양끝에 형성된 플랜지(331)와 집합 덕트(330) 측의 플랜지를 통해, 집합 덕트(330)에 착탈이 자유롭게 접속되어 있다. 관로(332)의 내부에는 다공질의 열촉매체의 블록체(341)가 고정되고, 관로(332)의 외면은, 블록체(341)를 가열하기 위한 히터(342)가 전체 둘레에 걸쳐 마련되어 있다. 또한, 히터(342)의 주위는 단열재(343)로 덮이고, 또한 단열재(343)의 외측이 커버(344)로 덮여 있다. 또한, 커버(344)와 히터(342) 사이에 단열재(343)를 마련하는 대신에, 커버(344)와 히터(343) 사이에 냉각수를 통류시켜도 좋고, 단열용의 공기를 공급하여도 좋다. 이 예에서는, 각 가열 처리 장치(1)의 개별의 배기로(300)에는, 예컨대 제2 실시형태 또는 제4 실시형태에서 말한 것과 같이 열촉매체가 마련되어 있고, 개별의 배기관(300)에 더하여 추가로 집합 덕트(330)에 열촉매체를 마련함으로써, 개별의 배기로(300)에서 제거할 수 없었던 승화물이 하류 측에서 부착 퇴적되는 것을 피할 수 있다. The thermal catalyst unit 340 includes, for example, a conduit 332 whose cross-sectional shape corresponds to that of the collective duct 330, as shown in the longitudinal cross-sectional view of FIG. 18, and flanges formed at both ends of the conduit 332. It is detachably connected to the collecting duct 330 via 331 and the flange on the collecting duct 330 side. A block body 341 of a porous thermal catalyst is fixed inside the conduit 332, and a heater 342 for heating the block body 341 is provided along the entire circumference of the outer surface of the conduit 332. . In addition, the periphery of the heater 342 is covered with the heat insulating material 343, and the outside of the heat insulating material 343 is covered with the cover 344. Instead of providing the heat insulating material 343 between the cover 344 and the heater 342, cooling water may flow between the cover 344 and the heater 343, or air for heat insulation may be supplied. In this example, the individual exhaust passage 300 of each heat processing device 1 is provided with a thermal catalyst, as described in the second or fourth embodiment, for example, and in addition to the individual exhaust pipe 300, additional By providing a thermal catalyst in the furnace collective duct 330, it is possible to avoid deposition of sublimated materials that could not be removed in the individual exhaust passages 300 on the downstream side.

또한, 제5 실시형태에서는, 개별의 배기로(300)에 열촉매체를 마련하지 않고서 처리 용기(2)의 내면에 열촉매체가 마련되어 있는 경우, 또는 개별의 배기로(300)에도 처리 용기(2)의 내면에도 열촉매체가 마련되어 있지 않은 경우에 집합 덕트(330)에만 열촉매체를 마련하여도 좋다. 또한, 제3 실시형태에 따른 가열 처리 장치에 있어서, 추가로 집합 덕트(330)에 열촉매 유닛(340)을 마련한 구성으로 하여도 좋다. Further, in the fifth embodiment, when the thermal catalyst is provided on the inner surface of the processing container 2 without providing the thermal catalyst in the individual exhaust passage 300, or in the individual exhaust passage 300, the processing container ( When the thermal catalyst is not provided on the inner surface of 2), the thermal catalyst may be provided only in the collective duct 330. In the heat processing apparatus according to the third embodiment, a thermal catalyst unit 340 may be further provided in the collective duct 330 .

[제6 실시형태][Sixth Embodiment]

도 19, 도 20은 본 발명의 제6 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 도시하고 있다. 이 가열 처리 장치는, 웨이퍼(W)가 배치되는 배치대(360)를, 가열부인 히터(361)가 매설된 열판(362)과, 이 열판(362)이 끼워지는 베이스체(370)에 의해, 배치대(360)의 주연부인 베이스체(370)의 표면에 둘레 방향을 따라서 복수의 배기구(363)가 전체 둘레에 걸쳐 개구되어 있다. 베이스체(370) 내에는, 각 배기구(363)를 개구단으로 하는 배기로(364)가 아래쪽으로 신장되고 또한 배치대(360)의 중앙부를 향해서 굴곡되어 형성되어 있다. 19 and 20 show a heat treatment apparatus according to a sixth embodiment of the present invention. In this heat treatment apparatus, a mounting table 360 on which a wafer W is placed is formed by a hot plate 362 in which a heater 361 serving as a heating unit is embedded, and a base body 370 in which the hot plate 362 is fitted. A plurality of exhaust outlets 363 are opened along the circumferential direction on the surface of the base body 370, which is the periphery of the mounting table 360, over the entire circumference. Inside the base body 370, an exhaust path 364 having each exhaust port 363 as an open end is formed extending downward and bending toward the central portion of the mounting table 360.

한편, 배치대(360)의 하면 중앙부에는 배기관(365)이 접속되고, 이 배기관(365)의 개구부를 그 하면에 의해 막도록, 또한 배기로(364)의 하류 측을 그 둘레면에 의해 막도록 예컨대 원주형의 블록체(366)가 마련되어 있다. 즉, 배기관(365)과 배기로(364) 사이는 블록체(366)에 의해 막혀 있고, 블록체(366)의 상면은 열판(362)의 하면에 접하고 있다. 블록체(366)는, 제4 실시형태에서 이용한 블록체(322)와 마찬가지로 예컨대 다공질의 세라믹 필터에 열촉매체를 부착시켜 구성된다. On the other hand, an exhaust pipe 365 is connected to the central portion of the lower surface of the mounting table 360, and the opening of the exhaust pipe 365 is closed by the lower surface, and the downstream side of the exhaust passage 364 is closed by the circumferential surface thereof. A block body 366 in the form of a column, for example, is provided. That is, between the exhaust pipe 365 and the exhaust passage 364 is blocked by the block body 366, and the upper surface of the block body 366 is in contact with the lower surface of the hot plate 362. Like the block body 322 used in the fourth embodiment, the block body 366 is configured by attaching a thermal catalyst to, for example, a porous ceramic filter.

또한, 배기로(364)는, 각 배기구(363)에 대응하여 위아래로 신장하는 배기로와 이들 배기로의 하단이 개구되는 공통의 배기실로 이루어지고, 이 배기실 내에 블록체(366)가 마련되어 있는 구성으로 하여도 좋다. In addition, the exhaust path 364 is composed of an exhaust path extending up and down corresponding to each exhaust port 363 and a common exhaust chamber in which the lower ends of these exhaust paths are opened, and a block body 366 is provided in the exhaust chamber. It is also possible to have a configuration with

또한, 배치대(360)의 위쪽에는 덮개부(367)가 마련되고, 덮개부(367)는 천장부 중앙에 예컨대 질소 가스(N2 가스) 등의 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급로(368)가 접속되어 있다. 따라서 이 실시형태에서는, 히터(361)는 열촉매용 가열부를 겸용하고 있다. In addition, a cover part 367 is provided above the placing table 360, and the cover part 367 is a purge gas supply passage 368 for supplying a purge gas such as nitrogen gas (N 2 gas) to the center of the ceiling part. ) is connected. Therefore, in this embodiment, the heater 361 also serves as a heating unit for a thermal catalyst.

이와 같이 구성함으로써 배치대(360)의 열판(362)에 의해 웨이퍼(W)를 가열함과 아울러 배기로(364)에 마련한 열촉매체의 블록체(366)를 가열하여 활성화시킬 수 있다. 그리고 배기구(363)로부터 웨이퍼(W) 위쪽의 분위기를 배기했을 때에 배기가 가열된 블록체(366)를 통과하여 배기되기 때문에, 배기에 포함되는 승화물을 분해할 수 있다. With this configuration, the wafer W can be heated by the hot plate 362 of the mounting table 360 and the block body 366 of the thermal catalyst provided in the exhaust path 364 can be heated and activated. When the atmosphere above the wafer W is exhausted through the exhaust port 363, since the exhaust passes through the heated block body 366 and is exhausted, sublimated substances included in the exhaust can be decomposed.

또한, 제1~제5 실시형태에 기재한 가열 처리 장치의 배치대로서, 도 19, 도 20에 도시하는 배치대(360)를 적용하여도 좋다. Further, as a placement table for the heat treatment apparatus described in the first to fifth embodiments, a placement table 360 shown in FIGS. 19 and 20 may be applied.

또한, 예컨대 배기로에 있어서, 열촉매체를 마련한 영역의 하류 측의 배기압을 측정하여, 배기압이 임계치를 웃돌 때에는, 열촉매체의 온도를 승온하도록 하여도 좋다. 예컨대 도 21에 도시하는 것과 같이 제4 실시형태에 기재한 가열 처리 장치에 있어서, 배기로(312)의 블록체(322)를 마련한 영역의 하류 측에 배기압을 측정하는 배기압 측정부(326)를 마련한다. 그리고 제어부(100)에 배기압의 상한 임계치를 미리 기억시켜 놓고서, 배기압 측정부(326)의 측정치와, 압력의 상한 임계치를 비교하여, 배기압이 상한 임계치를 웃돈 경우에는, 열촉매용 가열부인 히터(10)의 온도를 예컨대 500℃까지 승온하도록 구성한다. Further, for example, in an exhaust passage, the exhaust pressure on the downstream side of the region where the thermal catalyst is provided may be measured, and the temperature of the thermal catalyst may be raised when the exhaust pressure exceeds a threshold value. For example, as shown in FIG. 21 , in the heat treatment device described in the fourth embodiment, an exhaust pressure measuring unit 326 that measures exhaust pressure on the downstream side of the region in which the block body 322 is provided in the exhaust passage 312 ) to set up The controller 100 stores the upper limit threshold for exhaust pressure in advance, compares the measured value of the exhaust pressure measurement unit 326 with the upper limit threshold for pressure, and when the exhaust pressure exceeds the upper limit threshold, heats for the thermal catalyst. The temperature of the female heater 10 is configured to rise to, for example, 500°C.

예컨대 가열 처리 장치에 있어서, 웨이퍼(W)를 처리하고서 분위기의 배기를 계속하면 다 분해되지 않은 승화물이 블록체(322)나 배기로(312)에 부착되는 경우가 있어, 압력 손실이 높아지는 경우가 있기 때문에, 배기 유량이 저하할 우려가 있다. 그 때문에 배기압이 상승했을 때에 히터(10)의 온도를 승온함으로써 열촉매체의 활성이 상승한다. 이에 따라 블록체(322)에 가득 차 있는 물질이나 배기로(312)에 부착된 부착물도 분해할 수 있고, 압력 손실을 내릴 수 있어, 메인터넌스의 빈도를 적게 할 수 있다. For example, in the heat treatment apparatus, when the atmosphere is continuously exhausted after the wafer W is processed, sublimated materials that have not been completely decomposed may adhere to the block body 322 or the exhaust passage 312, resulting in an increase in pressure loss. Since there is, there is a possibility that the exhaust flow rate will decrease. Therefore, by raising the temperature of the heater 10 when the exhaust pressure rises, the activity of the thermal catalyst increases. As a result, substances filling the block body 322 and deposits adhering to the exhaust passage 312 can be disassembled, the pressure loss can be reduced, and the frequency of maintenance can be reduced.

또한, 배기압 측정부(326)는 열촉매체를 설치한 영역보다 상류 측(처리 용기(2) 측)에 마련하여도 좋다. 또는 배기의 유량을 측정하여, 유량이 하한치를 밑돈 경우에 열촉매용 가열부의 온도를 상승시키도록 하여도 좋다. In addition, the exhaust pressure measuring unit 326 may be provided on the upstream side (processing container 2 side) of the region where the thermal catalyst is installed. Alternatively, the flow rate of the exhaust gas may be measured and, when the flow rate falls below the lower limit, the temperature of the heating section for the thermal catalyst may be raised.

또한, 예컨대 소정 매수의 웨이퍼(W)의 처리마다 또는 장치의 가동 시간이 소정 시간을 경과할 때마다 일정 시간 열촉매용 가열부의 가열 온도를 승온하도록 하여도 좋다. 이와 같이 구성함으로써 정기적으로 성형체에 부착되는 난분해성의 물질을 제거할 수 있어, 메인터넌스의 빈도를 적게 할 수 있다. Further, for example, the heating temperature of the heating unit for a thermal catalyst may be increased for a predetermined period of time for each processing of a predetermined number of wafers W or each time the operating time of the apparatus passes a predetermined time. With this configuration, it is possible to remove the non-decomposable substance that regularly adheres to the molded body, and the frequency of maintenance can be reduced.

[검증 시험] [verification test]

Cr2O3에 의해 피복한 기판에 대하여, 표면에 폴리머(FRP)를 부착시킨 샘플을 참고예, 표면에 폴리머를 부착시키지 않는 샘플을 비교예로 하여, 참고예 및 비교예에 따른 샘플을 0℃부터 600℃까지 서서히 온도를 올렸을 때의 질량 변화와 열류를 측정했다. 열류의 측정에는 시차 주사 열량 측정기를 이용했다. Regarding the substrate coated with Cr 2 O 3 , samples with a polymer (FRP) attached to the surface were used as reference examples and samples without polymer attached to the surface as comparative examples, and the samples according to the reference examples and comparative examples were 0 The mass change and heat flow were measured when the temperature was gradually raised from °C to 600 °C. A differential scanning calorimeter was used to measure the heat flow.

도 22 및 도 23은 각각 참고예 및 비교예에 있어서의, 온도에 대응한 샘플의 질량 변화율(질량%)과 열류(μV)의 값을 도시하는 특성도이다. 이 결과에 따르면, 참고예에서는, 온도가 300℃~350℃ 부근에서 열류가 증가하고, 질량이 감소하고 있다. 이것은, Cr2O3이 열촉매로서 작용하여 폴리머를 분해했기 때문이라고 생각된다. 따라서, 열촉매층으로서 Cr2O3를 이용한 경우에 300℃ 정도까지 가열함으로써 부착된 폴리머를 분해할 수 있다고 말할 수 있다. 22 and 23 are characteristic diagrams showing the mass change rate (mass %) and the heat flow (μV) value of the sample corresponding to the temperature in Reference Examples and Comparative Examples, respectively. According to this result, in the reference example, the heat flow increased and the mass decreased when the temperature was around 300°C to 350°C. This is considered to be because Cr 2 O 3 acts as a thermal catalyst to decompose the polymer. Therefore, it can be said that when Cr 2 O 3 is used as the thermal catalyst layer, the adhering polymer can be decomposed by heating to about 300°C.

1: 가열 모듈 2: 처리 용기
4: LED 모듈 5: 열촉매층
6: 클리닝용 기판 9: 승화물
10: 히터 23: 승강 핀
30: 배기로 100: 제어부
W: 웨이퍼1: heating module 2: processing vessel
4: LED module 5: thermal catalyst layer
6: substrate for cleaning 9: sublimation
10: heater 23: lift pin
30: exhaust path 100: control unit
W: Wafer

Claims (22)

내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와,
상기 배치부에 배치된 피처리 기판을 가열하는 기판 가열부와,
상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와,
상기 처리 용기의 내면 및 상기 배기로 중 적어도 한쪽에 마련되며, 가열됨으로써 열활성화되어, 피처리 기판의 처리에 의해 상기 피처리 기판으로부터 발생하는 생성물을 분해하는 열촉매 물질과,
상기 열촉매 물질을 가열하기 위한 열촉매용 가열부와,
상기 배치부에 배치된 피처리 기판에 대하여 광을 조사하는 광원부와,
상기 광원부와 처리 용기 내의 분위기를 구획하는 광투과창과,
메인터넌스 모드를 선택하는 선택부와,
상기 열촉매 물질을 구비한 메인터넌스용 기판을, 상기 메인터넌스 모드를 선택했을 때에 상기 처리 용기 내부에 반입하는 단계와, 이어서 상기 메인터넌스용 기판을 상기 열촉매 물질을 열활성화시키기 위해서 상기 기판 가열부에 의해 가열하는 단계와, 상기 광투과창에 부착된 상기 생성물을 제거하기 위해서, 가열된 상기 메인터넌스용 기판을 상기 광투과창에 접근시키는 단계를 실행시키도록 제어 신호를 출력하는 제어부
를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. a processing container having a disposition unit for disposing a substrate to be processed therein;
a substrate heating unit for heating the substrate to be processed disposed in the placing unit;
an exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing vessel;
a thermal catalyst material provided on at least one of the inner surface of the processing vessel and the exhaust passage, which is thermally activated by being heated and which decomposes a product generated from the substrate to be processed by processing of the substrate to be processed;
A heating unit for a thermal catalyst for heating the thermal catalyst material;
a light source unit for radiating light to the processing target substrate disposed in the dispensing unit;
a light-transmitting window partitioning the light source unit and an atmosphere within the processing container;
a selection unit for selecting a maintenance mode;
carrying the substrate for maintenance including the thermal catalyst material into the processing container when the maintenance mode is selected; A control unit outputting a control signal to execute the step of heating and the step of bringing the heated substrate for maintenance closer to the light-transmitting window to remove the product adhering to the light-transmitting window.
A substrate processing apparatus comprising a. 제1항에 있어서, 상기 피처리 기판으로부터 발생하는 생성물은 승화물인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the product generated from the substrate to be processed is a sublimated material. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 배기로는, 그 하류 측보다 압력 손실이 큰 압력 손실 영역을 구비하고,
상기 압력 손실 영역에는 상기 열촉매 물질이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The exhaust passage according to claim 1 or 2, wherein the exhaust passage has a pressure loss region having a greater pressure loss than the downstream side thereof,
The substrate processing apparatus, characterized in that the thermal catalyst material is provided in the pressure loss region. 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와,
상기 배치부에 배치된 피처리 기판을 가열하는 기판 가열부와,
상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와,
상기 배치부에 배치된 기판에 대하여 광을 조사하는 광원부와,
상기 광원부와 처리 용기 내의 분위기를 구획하는 광투과창과,
메인터넌스 모드를 선택하는 선택부와,
가열됨으로써 열활성화되어, 기판의 처리에 의해 기판으로부터 발생하는 생성물인 승화물을 분해하는 열촉매 물질을 구비한 메인터넌스용 기판을, 상기 메인터넌스 모드를 선택했을 때에 상기 처리 용기 내부에 반입하는 단계와, 이어서 상기 메인터넌스용 기판을 상기 열촉매 물질을 열활성화시키기 위해서 상기 기판 가열부에 의해 가열하는 단계와, 상기 광투과창에 부착된 상기 승화물을 제거하기 위해서, 가열된 상기 메인터넌스용 기판을 상기 광투과창에 접근시키는 단계를 실행시키도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. a processing container having a disposition unit for disposing a substrate to be processed therein;
a substrate heating unit for heating the substrate to be processed disposed in the placing unit;
an exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing vessel;
a light source unit for radiating light to the substrate disposed on the placement unit;
a light-transmitting window partitioning the light source unit and an atmosphere within the processing container;
a selection unit for selecting a maintenance mode;
carrying a substrate for maintenance, which is thermally activated by heating and has a thermal catalyst material that decomposes a sublimation product, which is a product generated from the substrate by processing the substrate, into the processing container when the maintenance mode is selected; Next, heating the maintenance substrate by the substrate heating unit to thermally activate the thermal catalyst material, and removing the sublimated material attached to the light-transmitting window, the heated maintenance substrate by the light-transmitting window. A substrate processing apparatus comprising a control unit outputting a control signal to execute a step of approaching a transmission window. 제1항에 있어서, 상기 광원부는 상기 기판 가열부를 겸용하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the light source unit also serves as the substrate heating unit. 제1항에 있어서, 상기 광원부는 자외선을 조사하는 램프인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein the light source unit is a lamp emitting ultraviolet rays. 제1항에 있어서, 가열된 상기 메인터넌스용 기판을 상기 광투과창에 접근시키는 단계는, 기판을 이면측으로부터 유지하여 승강시키는 승강 핀에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the step of bringing the heated substrate for maintenance closer to the light transmission window is performed by lifting pins that hold and lift the substrate from the back side. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 열촉매 물질은 층 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 4, wherein the thermal catalyst material is formed in a layered shape. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 열촉매 물질은, 다공질의 담지체에 열촉매를 담지하여 블록체 또는 입자체로서 구성되며, 상기 배기로를 막도록 마련된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 4, wherein the thermal catalyst material is configured as a block body or a particle body by supporting the thermal catalyst on a porous support, and is provided to block the exhaust passage. 제9항에 있어서, 상기 열촉매 물질은 케이스체에 수납된 카트리지를 배기로에 착탈이 자유롭게 장착할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 10. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the thermal catalyst material is configured such that the cartridge accommodated in the case body can be detachably attached to the exhaust passage. 제9항에 있어서, 상기 배기로의 배기압 또는 배기 유량을 측정하는 측정부와,
상기 측정부에서 측정된 배기압이 설정치를 넘거나, 또는 측정된 배기 유량이 설정치보다 밑돌았을 때에, 열촉매용 가열부의 가열 온도를 상승시키도록 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 10. The method of claim 9, further comprising a measuring unit for measuring an exhaust pressure or an exhaust flow rate of the exhaust passage;
and a control unit for controlling the heating temperature of the heating unit for a thermal catalyst to rise when the exhaust pressure measured by the measurement unit exceeds a set value or the measured exhaust flow rate is lower than the set value. . 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와,
상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와,
상기 처리 용기의 내면 및 상기 배기로 중 적어도 한쪽에 마련되며, 가열됨으로써 열활성화되어, 피처리 기판의 처리에 의해 상기 피처리 기판으로부터 발생하는 생성물을 분해하는 열촉매 물질로서, 상기 열촉매 물질은 다공질의 담지체에 열촉매를 담지하여 블록체 또는 입자체로서 구성되며, 상기 배기로를 막도록 마련되는 것인, 상기 열촉매 물질과,
상기 열촉매 물질을 가열하기 위한 열촉매용 가열부와,
상기 배기로의 배기압 또는 배기 유량을 측정하는 측정부와,
상기 측정부에서 측정된 배기압이 설정치를 넘거나, 또는 측정된 배기 유량이 설정치보다 밑돌았을 때에, 열촉매용 가열부의 가열 온도를 상승시키도록 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. a processing container having a disposition unit for disposing a substrate to be processed therein;
an exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing vessel;
A thermal catalyst material provided on at least one of the inner surface of the processing vessel and the exhaust passage, thermally activated by heating, and decomposing a product generated from the substrate to be processed by processing of the substrate to be processed, the thermal catalyst material comprising: The thermal catalyst material, which is configured as a block or particulate body by supporting a thermal catalyst on a porous support, and is provided to block the exhaust passage;
A heating unit for a thermal catalyst for heating the thermal catalyst material;
a measuring unit for measuring an exhaust pressure or an exhaust flow rate of the exhaust passage;
and a control unit for controlling the heating temperature of the heating unit for a thermal catalyst to rise when the exhaust pressure measured by the measurement unit exceeds a set value or the measured exhaust flow rate is lower than the set value. . 제1항 또는 제4항에 있어서, 기판 처리의 적산 시간마다 또는 기판의 처리 매수마다 일시적으로 열촉매용 가열부의 가열 온도를 상승시키도록 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 4, further comprising a control unit for controlling to temporarily increase the heating temperature of the heating unit for a thermal catalyst for each accumulated time of substrate processing or for each number of substrates processed. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 처리 용기는 복수 마련되며, 각 처리 용기에 개별적으로 마련된 상기 배기로에 상당하는 개별 배기로 각각이 합류하는 공통 배기로를 구비하고,
상기 개별 배기로에 상기 열촉매 물질이 마련되며, 또한 다공질의 담지체에 열촉매를 담지한 블록체 또는 입자체로서 구성된 열촉매 물질이 공통 배기로를 막도록 마련된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1 or 4, wherein a plurality of processing containers are provided, and individual exhaust passages corresponding to the exhaust passages individually provided in each processing container have a common exhaust passage that joins them,
The substrate processing apparatus, characterized in that the thermal catalyst material is provided in the individual exhaust passages, and the thermal catalyst material configured as a block body or a particle body in which the thermal catalyst is supported on a porous support member is provided to block the common exhaust passage. 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와,
상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와,
상기 처리 용기의 내면 및 상기 배기로 중 적어도 한쪽에 마련되며, 가열됨으로써 열활성화되어, 피처리 기판의 처리에 의해 상기 피처리 기판으로부터 발생하는 생성물을 분해하는 열촉매 물질과,
상기 열촉매 물질을 가열하기 위한 열촉매용 가열부
를 구비하고,
상기 처리 용기는 복수 마련되며, 각 처리 용기에 개별적으로 마련된 상기 배기로에 상당하는 개별 배기로 각각이 합류하는 공통 배기로를 구비하고,
상기 개별 배기로에 상기 열촉매 물질이 마련되며, 또한 다공질의 담지체에 열촉매를 담지한 블록체 또는 입자체로서 구성된 열촉매 물질이 공통 배기로를 막도록 마련된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.a processing container having a disposition unit for disposing a substrate to be processed therein;
an exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing vessel;
a thermal catalyst material provided on at least one of the inner surface of the processing vessel and the exhaust passage, which is thermally activated by being heated and which decomposes a product generated from the substrate to be processed by processing of the substrate to be processed;
Heating unit for a thermal catalyst for heating the thermal catalyst material
to provide,
The processing container is provided in plurality, and has a common exhaust passage to which individual exhaust passages corresponding to the exhaust passages individually provided in each processing container join each other;
The substrate processing apparatus, characterized in that the thermal catalyst material is provided in the individual exhaust passages, and the thermal catalyst material configured as a block body or a particle body in which the thermal catalyst is supported on a porous support member is provided to block the common exhaust passage. 피처리 기판을 처리 용기 내의 배치부에 배치하여 처리하는 공정과,
상기 처리 용기 내의 분위기를 배기로를 통해 배기하는 공정과,
상기 처리 용기의 내면 및 상기 배기로 중 적어도 한쪽에 마련된 열촉매 물질을 가열하여 열활성화하여, 피처리 기판의 처리에 의해 기판으로부터 발생하는 생성물을 분해하는 공정을 포함하고,
상기 열촉매 물질은, 다공질의 담지체에 열촉매를 담지한 블록체 또는 입자체로서 구성되어, 상기 배기로를 막도록 마련되고,
상기 배기로의 배기압 또는 배기 유량을 측정하는 측정부에서 측정된 배기압이 설정치를 넘거나 또는 측정된 배기 유량이 설정치를 밑돌았을 때에는, 열촉매 물질의 가열 온도를 상승시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. a process of arranging and processing a substrate to be processed in a disposition unit in a processing container;
a step of exhausting the atmosphere in the processing container through an exhaust passage;
Heating and thermally activating a thermal catalyst material provided on at least one of the inner surface of the processing container and the exhaust passage to decompose a product generated from the substrate by processing the substrate to be processed;
The thermal catalyst material is configured as a block body or a particle body in which a thermal catalyst is supported on a porous support body, and is provided to block the exhaust passage,
and a step of raising the heating temperature of the thermal catalyst material when the exhaust pressure measured by the measuring unit for measuring the exhaust pressure or the exhaust flow rate to the exhaust passage exceeds a set value or the measured exhaust flow rate is below the set value. Characterized substrate processing method. 제16항에 있어서, 상기 배치부에 배치된 피처리 기판의 처리는, 기판 가열부에 의해 가열되면서 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. 17. The substrate processing method according to claim 16, wherein the processing of the target substrate disposed in the placing unit is performed while being heated by a substrate heating unit. 제16항 또는 제17항에 있어서, 기판 처리의 적산 시간마다 또는 기판의 처리 매수마다 일시적으로 열촉매용 가열부의 가열 온도를 상승시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The substrate processing method according to claim 16 or 17, comprising a step of temporarily raising the heating temperature of the heating unit for a thermal catalyst for each accumulated time of substrate processing or for each number of substrates processed. 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기를 구비한 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억되는 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제16항 또는 제17항에 기재된 기판 처리 방법을 실행하도록 단계 그룹이 짜여 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체. A storage medium storing a computer program used in a substrate processing apparatus having a processing container having a disposition unit for disposing a substrate to be processed therein, comprising:
The computer program is a storage medium characterized in that a group of steps is organized so as to execute the substrate processing method according to claim 16 or 17. 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기와,
상기 배치부에 배치된 피처리 기판을 가열하는 기판 가열부와,
상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로와,
상기 배치부에 배치된 기판에 대하여 광을 조사하는 광원부와,
상기 광원부와 처리 용기 내의 분위기를 구획하는 광투과창을 구비한 기판 처리 장치를 메인터넌스하는 방법으로서,
가열됨으로써 열활성화되어, 기판의 처리에 의해 기판으로부터 발생하는 생성물인 승화물을 분해하는 열촉매 물질을 구비한 메인터넌스용 기판을, 상기 처리 용기 내에 반입하는 공정과,
이어서 상기 메인터넌스용 기판을 상기 열촉매 물질을 열활성화시키기 위해서 상기 기판 가열부에 의해 가열하는 공정과,
상기 광투과창에 부착된 상기 승화물을 제거하기 위해서, 가열된 상기 메인터넌스용 기판을 상기 광투과창에 접근시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법. a processing container having a disposition unit for disposing a substrate to be processed therein;
a substrate heating unit for heating the substrate to be processed disposed in the placing unit;
an exhaust passage for exhausting the atmosphere in the processing vessel;
a light source unit for radiating light to the substrate disposed on the placement unit;
As a method of maintaining a substrate processing apparatus having a light transmission window for partitioning the light source unit and the atmosphere in the processing container,
a step of carrying into the processing container a substrate for maintenance, which is thermally activated by being heated and is equipped with a thermal catalyst material that decomposes a sublimation product, which is a product generated from the substrate by processing the substrate;
Next, a step of heating the substrate for maintenance by the substrate heating unit to thermally activate the thermal catalyst material;
A maintenance method for a substrate processing apparatus comprising a step of bringing the heated substrate for maintenance close to the light transmission window in order to remove the sublimated material attached to the light transmission window. 내부에 피처리 기판을 배치하는 배치부가 마련된 처리 용기를 구비한 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억되는 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제20항에 기재된 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법을 실행하도록 단계 그룹이 짜여 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체. A storage medium storing a computer program used in a substrate processing apparatus having a processing container having a disposition unit for disposing a substrate to be processed therein, comprising:
The computer program is a storage medium characterized in that a group of steps is organized so as to execute the maintenance method of the substrate processing apparatus according to claim 20. 삭제delete
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